JP3881697B2 - 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、光投射システムに関し、特に、そのシステムに用いられるM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法に関する。
背景技術
従来、多様なビデオディスプレイシステムのうち、光投射システムは高画質の画像を大画面で形成し得るものとして知られている。そのような光投射システムにおいて、ランプから発せられた光線は、例えば、M×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイ上に一様に入射され、各ミラーは各々のアクチュエータに接続されている。これらのアクチュエーターは、加えられた電界に応じて変形を起こす、圧電物質または電歪物質等の電気的に変形可能な物質からなる。
各ミラーから反射した光線(反射光線)は、例えば、光学バッフルの開口に入射される。各アクチュエーターに電気信号を供給することによって、各ミラーの入射光線に対する相対的な位置が変更され、その結果、各ミラーからの反射光線の光路が偏向されることとなる。各反射光線の光路が変わる場合、開口を通じて各ミラーから反射された光線の光量が変わることによって光の強さが変調される。開口を経て変調された光線は、投射レンズ等の適切な光学装置を介して投射スクリーンに入射し、その上に像を表示する。
第1図には、従来のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ100の断面図であって、本特許出願と出願人を同じくする米国特許出願第08/602,928号明細書に、“THIN FILM ACTUATED MIRROR ARRAY FOR USE IN AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM”なる名称で開示されている。ここで、M及びNは各々正の整数である。
アレイ100は、能動マトリックス110、パッシベーション層116、食刻液流入防止層118及びM×N個の駆動構造体120のアレイを備える。
能動マトリックス110は、基板112と、M×N個のトランジスタのアレイ(図示せず)と、M×N個の接続端子114のアレイとを有する。各接続端子114はトランジスタのアレイにおける該当トランジスタに電気的に接続されている。
リン珪酸塩ガラス(PSG)または窒化ケイ素からなり、厚み0.1〜2μmのパッシベーション層116は、能動マトリックス110の上に位置する。
窒化ケイ素からなり、厚み0.1〜2μmの食刻液流入防止層118は、パッシベーション層116の上に位置する。
各々の駆動構造体120は近位端及び遠位端を有し、その近位端におけるチップ(図示せず)と、構造体を垂直に貫通するエッチング用開口(図示せず)とをさらに備える。また、各駆動構造体120は第1薄膜電極132と、電気的に変形可能な薄膜部126と、第2薄膜電極124と、弾性部122と、コンジット128とを有する。光反射性及び導電性物質(例えば、Al、またはAg)からなる第1薄膜電極132は、電気的に変形可能な薄膜部126の上に位置し、水平ストライプ134によって駆動部130と光反射部140とに分けられる。ここで、水平ストライプ134は、駆動部130と光反射部140とを電気的に絶縁させる。駆動部130は電気的に接地され、ミラーとしてだけではなく共通バイアス電極としても作用する。光反射部140はミラーとしての機能を果たす。薄膜部126は圧電物質(例えば、ジルコン酸チタン酸鉛(PZT))または電歪物質(例えば、ニオブ酸鉛マグネシウム(PMN))よりなり、第2薄膜電極124の上に位置する。導電性物質(例えば、Pt/Ta)からなる第2薄膜電極124は、弾性部126の上に位置し、コンジット128及び接続端子114を通じて対応するトランジスタに電気的に接続される。ここで、第2薄膜電極124は、ドライ・エッチング法を用いてM×N個の第2薄膜電極124のアレイをイソ−カッティング(iso-cut)し、各第2薄膜電極124が他の第2薄膜電極124(図示せず)と電気的に絶縁させて、信号電極としての機能を果たすようにする。窒化物(例えば、窒化ケイ素)よりなる弾性部122は第2薄膜電極124の下に位置する。この弾性部122の近位端の下部は、食刻液流入防止層118及びパッシベーション層116を部分的に貫通しながら、能動マトリックス110の上に取り付けられることによって、駆動構造体120を片持ちする。例えば、タングステン(W)のような金属よりなるコンジット128は、電気的に変形可能な薄膜部126の上部から対応する接続端子114の上部まで延在して、第2薄膜電極124を対応する接続端子114に電気的に接続させる。各薄膜アクチュエーテッドミラー150において、薄膜部126の上部から下方に延在するコンジット128とその薄膜部126の上部に位置した第1薄膜電極132とは互いに電気的に絶縁されている。
上述したM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラー150のアレイ100は幾つかの欠点があるが、その中の一つとして、各アクチュエーテッドミラー150における第1薄膜電極132と第2薄膜電極124との間で短絡が生じる恐れがあるという点がある。アレイ100において、各薄膜アクチュエーテッドミラー150におけるコンジット128が対応する接続端子から薄膜部126の上部に延在しているため、第1薄膜電極132のパターニングの際非常な注意が要求される。このため、第1薄膜電極132は各薄膜アクチュエーテッドミラー150のコンジット128から電気的に完全に絶縁されるべきである。そうでない場合、第1薄膜電極132と第2薄膜電極124との間で電気的な接続が生じ、それらの間が短絡される不都合が生じ得る。
発明の開示
従って、本発明の目的は、第1薄膜電極と第2薄膜電極との間で短絡が生じることが防止し得る、新規な構造を有するM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを提供することにある。
本発明の他の目的は、新たな構造を有するM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の一実施例によれば、光投射システムに用いられるM×N(M及びNは正の整数)個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイであって、能動マトリックスと、M×N個の駆動構造体のアレイとを含み、前記M×N個の駆動構造体のアレイが、弾性部と、前記弾性部の近位端にて前記能動マトリックスの上に取り付けられて前記弾性部を片持ちする底部と、電気的に接地されてミラー及びバイアス電極としての機能を果たす第1薄膜電極と、第2薄膜電極と、前記第2薄膜電極の上部から前記能動マトリックスまで延在して前記第2薄膜電極と前記能動マトリックスを電気的に接続させることによって、前記第2薄膜電極が信号電極として機能するようにするコンジットと、前記第1薄膜電極と前記第2薄膜電極との間に位置する電気的に変形可能な薄膜部と、前記コンジットの上部と前記第1薄膜電極の底部との間に位置して、前記第1及び第2薄膜電極を電気的に絶縁させる絶縁部とを含むことを特徴とするM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイが提供される。
本発明の他の実施例によれば、光投射システムに用いられるM×N(M及びNは正の整数)個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法であって、基板及びM×N個の接続端子のアレイを有する能動マトリックスを準備する第1工程と、前記能動マトリックスの上にパッシベーション層を形成する第2工程と、前記パッシベーション層の上に食刻液流入防止層を蒸着する第3工程と、前記食刻液流入防止層の上に薄膜犠牲層を形成する第4工程と、各対における空スロットのうちのいずれかが前記接続端子のうちのいずれかを取囲むように、前記薄膜犠牲層内にM×N対の空スロットのアレイを形成する第5工程と、前記空スロットを有する前記薄膜犠牲層の上に、弾性層、第2薄膜層及び電気的に変形可能な薄膜層を順に形成する第6工程と、前記電気的に変形可能な薄膜層及び前記第2薄膜層にパターニングを施して、M×N個の電気的に変形可能な薄膜部及びM×N個の第2薄膜電極を形成する第7工程と、前記第2薄膜電極から前記対応する接続端子の上部まで延在するM×N個のコンジットのアレイを形成する第8工程と、M×N個の絶縁部のアレイを形成する第9工程と、前記M×N個の絶縁部のアレイ及び前記電気的に変形可能な薄膜部の上部に第1薄膜層を形成して、多層構造体を形成する第10工程と、前記薄膜犠牲層が露出されるまで、前記多層構造体にパターニングを施して、M×N個のアクチュエーテッドミラー構造のアレイを形成する第11工程と、エッチング液または化学液を用いて前記薄膜犠牲層を取り除いて、前記M×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイを形成する第12工程とを含むことを特徴とするM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
本発明の上述の、及び他の目的及び特徴は、後述の好適実施例の説明を、以下の添付の図面とともに参照することによりより明らかとなろう。
第1図は、従来技術によるM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの概略的な部分断面図である。
第2図は、本発明の第1実施例によるM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの部分断面図である。
第3A図〜第3M図よりなり、各々、第2図中のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を説明するための部分断面図である。
第4図は、本発明の第2実施例によりM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの部分断面図である。
第5A図〜第5D図は、各々第4図中のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を説明するための部分断面図である。
発明の実施の形態
以下、本発明の好適実施例について図面を参照しながらより詳しく説明する。
第2図、第3A図〜第3M図、第4図及び第5A図〜第5D図には、本発明の第1、第2好適実施例による光投射システムに用いられる、M×N(M及びNは正の整数)個の薄膜アクチュエーテッドミラー295、395のアレイ200、300の断面図、及びその製造方法を説明するための概略的な断面図が示されている。各図の中で、同一部分は同一の参照符号を付して表示したことに注意されたい。
第2図には、本発明の第1実施例によるM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラー295のアレイ200を説明する断面図であって、アレイ200は能動マトリックス210及びM×N個の駆動構造体220のアレイから構成される。
この能動マトリックス210は基板212、M×N個のトランジスタのアレイ(図示せず)及びM×N個の接続端子214のアレイを有する。
各接続端子214はトランジスタのアレイにおける対応するトランジスタに電気的に接続されている。
リン珪酸塩ガラス(PSG)または窒化ケイ素からなり、厚み0.1〜2μmのパッシベーション層216は、能動マトリックス210の上に配置される。
窒化ケイ素からなり、厚み0.1〜2μmの食刻液流入防止層218は、パッシベーション層216の上に位置する。
各々の駆動構造体220は、第1薄膜電極292、電気的に変形可能な薄膜部275、第2薄膜電極265、弾性部255、コンジット282及び絶縁部284を有する。光反射性及び導電性物質(例えば、アルミニウム(Al)または銀(Ag))からなる第1薄膜電極292は、電気的に変形可能な薄膜部275(以下、「薄膜部275」と称する)の上に配設される。第1薄膜電極292は電気的に接地されて、ミラーだけではなく共通バイアス電極としても機能の果たす。薄膜部275は、圧電物質(例えば、ジルコン酸チタン酸鉛(PZT))または電歪物質(例えば、ニオブ酸鉛マグネシウム(PMN))よりなり、第1薄膜電極292と第2薄膜電極265との間に挟んで設けられる。導電性物質(例えば、Pt/Ta)からなる第2薄膜電極265は、弾性部255の上に位置し、コンジット282及び接続端子214を通じて対応するトランジスタに電気的に接続され、他の薄膜アクチュエーテッドミラー295における第2薄膜電極265と電気的に絶縁されることによって、各アクチュエーテッドミラー295における信号電極としての機能をするようにする。窒化物(例えば、窒化ケイ素)よりなる弾性部255は、第2薄膜電極265の下部に位置する。弾性部255の近位端の下部は能動マトリックス110の上に取り付けられて、駆動構造体220を片持ちする。金属(例えば、タングステン(W))よりなるコンジット282は、第2薄膜電極265の上部から対応する接続端子214の上部まで延在して、第2薄膜電極265を対応する接続端子214に電気的に接続させる。絶縁部284は、コンジット282の上部と第1薄膜電極292の下部との間に形成され、第1薄膜電極292が第2薄膜電極265と電気的に接続することを防止する。
第3A図〜第3M図には、第2図中のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラー295のアレイ200の製造方法を説明する概略的な断面図が各々示されている。
アレイ200の製造工程は、基板212、M×N個の接続端子214及びM×N個のトランジスタ(図示せず)を有する能動マトリックス210の準備から始まる。基板212は絶縁物質(例えば、シリコンウェーハ)からなる。各接続端子214はトランジスタのアレイにおける対応するトランジスタに電気的に接続される。続いて、PSGまたは窒化ケイ素からなり、厚み0.1〜2μmのパッシベーション層216が、化学気相成長法(CVD)法またはスピンコーティング法によって能動マトリックス210の上に配設される。その後、第3A図に示すように窒化ケイ素からなり、厚み0.1〜2μmの食刻液流入防止層218がスパッタリング法またはCVD法を用居てパッシベーション層216の上に蒸着される。
しかる後、第3B図に示すように、薄膜犠牲層240が食刻液流入防止層218の上に形成される。この薄膜犠牲層240は、薄膜犠牲層240が金属よりなる場合は、スパッタリング法または蒸着法によって形成され、薄膜犠牲層240がPSGよりなる場合は、CVDまたはスピンコーティング法によって形成され、薄膜犠牲層240がポリシリコンよりなる場合は、CVD法によって形成される。
その後、薄膜犠牲層240の上部は第3C図に示すように、スピン・オン・ガラス(spin on glass;SOG)法またはCMP(chemical mechanical polishing)法、その後、スクラビング法によって平坦化される。
続いて、第3D図に示すように、各対における空スロット242のうちの一つがドライ・エッチング法またはウェット・エッチング法によって接続端子214のうちの一つを取囲むように、M×N対の空スロット242のアレイが、犠牲層240に形成される。次に、第3E図に示すように、窒化物(例えば、窒化ケイ素)からなり、厚み0.1〜2μmの弾性層250がCVD法によって空スロット242を有する薄膜犠牲層240の上に蒸着される。この弾性層250の蒸着の際、時間によって反応物ガスの比率を変更することによって、弾性層50内の応力が制御される。
しかる後に、第3F図に示すように、導電性物質(例えば、Pt/Ta)からなり、厚み0.1〜2μmの第2薄膜層260がスパッタリング法または真空蒸着法によって弾性層250の上に形成される。その後、第2薄膜層260はドライ・エッチング法によって、第2図中のM×N個の第2薄膜電極265のアレイにイソ−カッティングされる。ここで、各第2薄膜電極265は他の第2薄膜電極265と電気的に絶縁される。
続いて、第3G図に示すように、圧電物質(例えば、PZT)または電歪物質(例えば、PMN)からなり、厚み0.1〜2μmの電気的に変形可能な薄膜層270が蒸着法、ゾル−ゲル法、スパッタリング法及びCVD法によって、M×N個の第2薄膜電極層265のアレイの上に蒸着される。その後、薄膜層270に対してRTA(rapid thermal annealing)法による熱処理が行われて、相転移が生じるようにする。
電気的に変形可能な薄膜層270は非常に薄いので、薄膜層270が圧電物質よりなる場合は、薄膜アクチュエーテッドミラー295の動作の際、供給された電気信号と分極され得るため、別の分極を必要としない。
次に、第3H図に示すように、各孔が電気的に変形可能な薄膜層270の部分から対応する接続端子214まで延在する、M×N個の孔280のアレイがエッチング法によって生成される。
しかる後、第3I図に示すように、コンジット282が第2薄膜層260及び対応する接続端子214に電気的に接続するように、例えば、リフトオフ法を用いて各孔280の部分を金属(例えば、タングステン(W))で充填させることによって形成される。
続いて、第3J図に示すように、絶縁部284は、該絶縁部284の上部が電気的に変形可能な薄膜層270の上部の高さに等しくなるまで、リフト・オフ法によってその中が絶縁物質(例えば、酸化物または窒化物)を充填することにより、各孔280の残余部分に形成される。その結果、第1薄膜電極265と薄膜層270の上部に形成されるべき第1薄膜層290との間で電気的な接続が生じる可能性が小さくなる。
その後、導電性及び光反射性物質(例えば、AlまたはAg)からなり、厚み0.1〜2μmの第1薄膜層290がスパッタリング法または蒸着法によって、電気的に変形可能な薄膜層270及び絶縁部284の上部に形成されて、第3K図に示すような多層構造体252が形成されることとなる。
しかる後、第3L図に示すように、多層構造体252が、薄膜犠牲層240が露出されるまで、フォトリソグラフィー法またはレーザ切断法によってM×N個の未完成アクチュエーテッドミラー245のアレイにパターニングされる。各未完成アクチュエーテッドミラー245は、第1薄膜電極292、電気的に変形可能な薄膜部275、第2薄膜電極265及び弾性部255を有する。
続いて、各未完成アクチュエーテッドミラー245を薄膜保護層(図示せず)で完全にカバーする。
その後、薄膜犠牲層240が、エッチング液または化学液(例えば、フッ化水素(HF)蒸気)を用いるウェット・エッチング法によって取り除かれることによって、各薄膜アクチュエーテッドミラー295のための駆動空間を形成する。そして、薄膜保護層が取り除かれる。
最後に、第3M図に示すように、能動マトリックス210がフォトリソグラフィー法またはレーザ切断法によって所望の形に完全にダイスされて、M×N個の薄膜アクチュエーテッドミラー295のアレイ200が形成される。
第4図は、本発明の第2実施例によるM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラー395のアレイ300を説明するための断面図である。このアレイ300は能動マトリックス310及びM×N個の駆動構造体320のアレイを有する。
この第2実施例は、絶縁部284がコンジット282及び電気的に変形可能な薄膜部275の上部を取囲むように形成されることを除いては、第1実施例に類似である。即ち、絶縁部284は、コンジット282の上面から電気的に変形可能な薄膜部275の遠位端まで延在する層形状をなし、第1薄膜電極292と電気的に変形可能な薄膜部275との間に挟んで設けられている。この場合、絶縁部284は、電気的に変形可能なセラミック金属(例えば、MZrXTiyO3)よりなる。ここで、MはPbであり得、Ca、Ba、Mg、Li、Cu、Ag、AuまたはCdのなかのいずれか1つ、又はそれ以上により部分的にまたは事実上完全に置きかえることができる。さらに、MZrXTiyO3は少量のMg、Na、Nb、LaまたはZnでドープ処理され得る。
また、第5A図〜第5D図には、各々、本発明の第2好適実施例によるM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を説明するための部分断面図が示されている。ここで、第2実施例の形成工程は、コンジット282及び電気的に変形可能な薄膜部275の上部に絶縁部284を形成する工程まで、第3A図〜第3I図に示した第1実施例の形成工程と同一である。
第5A図において、絶縁部284は、蒸着法、ゾル−ゲル法、スパッタリング法及びCVD法によって、各駆動構造体320におけるコンジット282及び電気的に変形可能な薄膜層270の上部に形成されることによって、コンジット282及び薄膜層270を完全にカバーする。
続いて、導電性及び光反射性物質(例えば、AlまたはAg)からなり、厚み0.1〜2μmの第1薄膜層390が、スパッタリング法または真空蒸着法によって、絶縁部284の上部に形成されることによって、第5B図に示すような多層構造体352が形成されることになる。
しかる後、第5C図に示すように、多層構造体352が、薄膜犠牲層240が露出されるまで、フォトリソグラフィー法またはレーザ切断法によってM×N個の未完成アクチュエーテッドミラー345のアレイにパターニングされる。各未完成アクチュエーテッドミラー345は第1薄膜電極392、絶縁部284、電気的に変形可能な薄膜部275、第2薄膜電極265及び弾性部255を有する。
後続工程は、第1実施例における工程と同様に行われて、第5D図に示すようなM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラー395のアレイ300が形成される。
上記には単一構造を有する薄膜アクチュエーテッドミラー295、395及びその製造方法について説明したが、二重構造を有する各薄膜アクチュエーテッドミラーについても通用し得る。但し、二重構造の場合はその形成の工程において追加的に電気的に変形可能な層及び電極層の形成を必要とする。
上記において、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明の請求範囲を逸脱することなく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
Claims (13)
- 光投射システムに用いられるM×N(M及びNは正の整数)個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイであって、
能動マトリックスと、
M×N個の駆動構造体のアレイとを含み、
前記M×N個の駆動構造体のアレイが、
弾性部と、
前記弾性部の近位端にて前記能動マトリックスの上に取り付けられて前記弾性部を片持ちする底部と、
電気的に接地されてミラー及びバイアス電極としての機能を果たす第1薄膜電極と、
第2薄膜電極と、
前記第2薄膜電極の上部から前記第2薄膜電極及び前記弾性部を貫通して前記能動マトリックスまで延在して前記第2薄膜電極と前記能動マトリックスを電気的に接続させることによって、前記第2薄膜電極が信号電極として機能するようにするコンジットと、
前記第1薄膜電極と前記第2薄膜電極との間に位置する電気的に変形可能な薄膜部と、
前記コンジットの上部と前記第1薄膜電極の底部との間に位置して、前記第2薄膜電極及び前記弾性部を貫通して形成されることによって、前記第1及び第2薄膜電極を電気的に絶縁させる絶縁部とを含むことを特徴とするM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 - 前記絶縁部が、窒化物よりなることを特徴とする請求項1に記載のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。
- 前記絶縁部が、電気的に変形可能な物質よりなることを特徴とする請求項1に記載のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。
- 前記絶縁部が、前記コンジットの上面から前記電気的に変形可能な薄膜部の遠位端まで層形状をなすように延在することを特徴とする請求項3に記載のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。
- 前記絶縁部が、前記コンジット及び前記電気的に変形可能な薄膜部の上部をカバーすることを特徴とする請求項4に記載のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。
- 光投射システムに用いられるM×N(M及びNは正の整数)個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法であって、
基板及びM×N個の接続端子のアレイを有する能動マトリックスを準備する第1工程と、
前記能動マトリックスの上にパッシベーション層を形成する第2工程と、
前記パッシベーション層の上に食刻液流入防止層を蒸着する第3工程と、
前記食刻液流入防止層の上に薄膜犠牲層を形成する第4工程と、
各対における空スロットのうちのいずれかが前記接続端子のうちのいずれかを取囲むように、前記薄膜犠牲層内にM×N対の空スロットのアレイを形成する第5工程と、
前記空スロットを有する前記薄膜犠牲層の上に、弾性層、第2薄膜層及び電気的に変形可能な薄膜層を順に形成する第6工程と、
前記電気的に変形可能な薄膜層及び前記第2薄膜層にパターニングを施して、M×N個の電気的に変形可能な薄膜部及びM×N個の第2薄膜電極を形成する第7工程と、
前記第2薄膜電極から前記対応する接続端子の上部まで延在するM×N個のコンジットのアレイを形成する第8工程と、
M×N個の絶縁部のアレイを形成する第9工程と、
前記M×N個の絶縁部のアレイ及び前記電気的に変形可能な薄膜部の上部に第1薄膜層を形成して、多層構造体を形成する第10工程と、
前記薄膜犠牲層が露出されるまで、前記多層構造体にパターニングを施して、M×N個のアクチュエーテッドミラー構造のアレイを形成する第11工程と、
エッチング液または化学液を用いて前記薄膜犠牲層を取り除いて、前記M×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイを形成する第12工程とを含むことを特徴とするM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 - 前記第4工程が、その上面を平坦化する工程を、さらに有することを特徴とする請求項6に記載のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
- 前記第8工程が、各々が前記電気的に変形可能な薄膜層の上部から対応する接続端子の上部まで延在するM×N個の孔のアレイを形成する工程を、さらに有することを特徴とする請求項6に記載のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
- 前記対応する接続端子の上部から前記第2薄膜電極まで延在する前記M×N個のコンジットのアレイが、前記各孔に金属を充填することにより形成されることを特徴とする請求項8に記載のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
- 前記絶縁部が、窒化物よりなることを特徴とする請求項6に記載のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
- 前記絶縁部が、電気的に変形可能な物質よりなることを特徴とする請求項6に記載のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
- 前記絶縁部が、前記各コンジットの上面から前記電気的に変形可能な薄膜部の遠位端まで層形状をなすように延在することを特徴とする請求項6に記載のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
- 前記絶縁部が、蒸着法、ゾル−ゲル法、スパッタリング法及び化学気相成長法(CVD)のうちのいずれかによって形成されることを特徴とする請求項12に記載のM×N個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
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