JP3880247B2 - 希ガス放電灯の点灯装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は希ガス放電灯の点灯装置に関し、特に、内面に発光層を有するガラスバルブの外周面に一対の帯状の外部電極を配置した希ガス放電灯を高周波電圧発生回路に接続してなる点灯装置の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
本出願人は、先に、図7に示す希ガス放電灯DLを提案した。同図において、Aは例えばガラスバルブにて密閉状に構成された直管状の外囲器であって、その内面には希土類蛍光体,ハロリン酸塩蛍光体などの蛍光体よりなる発光層Bが形成されている。特に、この発光層Bには所定の開口角を有するアパーチャ部(発光層の未形成部)Baがほぼ全長に亘って形成されている。そして、外囲器Aの封着構造はガラスバルブの端部にディスク状の封着ガラス板を封着して構成されているが、例えば単にガラスバルブを加熱しながら縮径加工し溶断するいわゆるトップシールによって構成することもできる。尚、この外囲器Aの密閉空間には水銀などの金属蒸気を含まないキセノンを主成分とする希ガスが所定量封入されている。この外囲器Aの外周面には金属部材よりなる帯状の一対の外部電極C,Dが、外囲器Aのほぼ全長に亘って互いに離隔して配置されている。
【0003】
この希ガス放電灯DLは、例えば図8に示す点灯装置によって点灯される。この点灯装置は、例えば周波数が30KHz,電圧が1880V程度の高周波電圧を発生し、かつ出力波形がほぼ正弦波である高周波電圧発生回路(インバータ回路)HAと、直流電源EBからインバータ回路HAへの直流電力の供給をコントロールするトランジスタなどのスイッチング素子QAと、スイッチング素子QAに駆動信号を供給する駆動回路Pとから構成されている。そして、このインバータ回路HAの出力側には希ガス放電灯DLが、外部電極C,Dに高周波電圧が印加されるように接続されている。
【0004】
この点灯装置において、駆動回路Pからスイッチング素子QAのベースに駆動信号を所定のタイミングで付与・停止すると、スイッチング素子QAは所定の間隔でオン・オフ動作する。スイッチング素子QAがオン動作の期間中、インバータ回路HAが動作することによって高周波電圧が出力され、希ガス放電灯DLの外部電極C,Dに印加される。これにより、希ガス放電灯DLは、熱陰極や冷陰極を用いた放電灯のように外囲器の長手方向に沿った1つの放電路によって点灯するものとは異なり、外部電極C,Dの間(外囲器Aの長手方向に対してほぼ直角方向)に無数の放電路が形成されることによって縞状の状態で点灯する。この状態において、希ガスの励起線によって発光層Bが励起されて発光し、光は主としてアパーチャ部Baを介して外部に放出される。
【0005】
特に、この希ガス放電灯DLには水銀が用いられていないために、点灯後における光量の立ち上がりが急峻であり、点灯と同時に光量がほぼ100%近くにまで達するという特徴を有している。このために、ファクシミリ,イメージスキャナ,複写機などのOA機器の原稿読取用の光源として好適するものである。
【0006】
例えばこの希ガス放電灯DLを上述の原稿照射装置(原稿照射読取装置)に適用した場合には、アパーチャ部構造の採用により発光層Bの放射光の高密度化が可能となることから、原稿面照度を高めることができ、原稿の読み取り性を改善できるものである。
【0007】
しかしながら、近時、OA機器は、その処理能力を高め、事務処理の効率化を図るために、原稿の送り速度をさらに高速化する傾向にあり、上述の希ガス放電灯DLをそのまま適用すると、原稿の読み取り精度(解像度)が損なわれるようになる。このために、一層の照度アップが求められている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本出願人は、先に図9〜図10に示す希ガス放電灯の点灯装置を提案した。この点灯装置はパルス状の高周波電圧を発生する高周波電圧発生回路HBの出力側に希ガス放電灯DLが、外部電極C,Dに高周波電圧が印加されるように接続して構成されている。この高周波電圧発生回路HBは、例えば一次コイルLp,二次コイルLsを有する出力トランスTRと、出力トランスTRの一次コイルLpに直列的に接続された電界効果形トランジスタ(FET)などのスイッチング素子S1と、スイッチング素子S1に直列的に接続された抵抗よりなる電流検出回路R1と、出力トランスTRの一次コイルLp,スイッチング素子S1,電流検出回路R1の直列回路に並列的に接続されたコンデンサCAと、スイッチング素子S1にほぼ方形波の駆動信号を付与するための駆動回路PDとから構成されている。
【0009】
又、上述の駆動回路PDは、例えば電流検出回路R1の検出信号と基準電源(基準電圧)Esとを比較し、検出信号が基準電圧Esに達した時のみハイレベルの信号を出力する比較回路CPと、比較回路CPからのハイレベルの信号に基づいてハイレベルの信号を出力する単安定マルチバイブレータMMと、単安定マルチバイブレータMMからの信号を反転してスイッチング素子S1の駆動電極(ゲート)に付与するドライブ回路DRとから構成されている。尚、単安定マルチバイブレータMMからの信号がハイレベルの場合、スイッチング素子S1のゲートにはドライブ回路DRにて反転されたロウレベルの駆動信号が付与される。逆に、単安定マルチバイブレータMMからの信号がロウレベルの場合、スイッチング素子S1のゲートにはドライブ回路DRにて反転されたハイレベルの駆動信号が付与される。
【0010】
このように構成された点灯装置は次のように動作する。まず、高周波電圧発生回路HBの入力側に直流電源EBを接続すると、コンデンサCAは充電される。この状態で、駆動回路PDからスイッチング素子S1のゲートに図11(a)に示す方形波の駆動信号が印加されると、スイッチング素子S1は同図(b)及び図12(a)に示すように時点t1,t2,t3・・・で交互にオン,オフ動作する。スイッチング素子S1が時点t1にてオン状態になると、コンデンサCA,直流電源EBから出力トランスTRの一次コイルLp,電流検出回路R1には図11(c)に示すようにほぼ直線的に増加する電流(コイル電流IL)が流れ、出力トランスTRの一次コイルLpには電磁エネルギーが蓄積される。
【0011】
次に、電流検出回路R1の検出電圧V1が、所定の電圧(一定値)に設定された基準電圧Esに達すると、比較回路CPからハイレベルの信号が出力され、これによって単安定マルチバイブレータMMからはハイレベルの信号が出力される。この信号はドライブ回路DRで反転され、スイッチング素子S1のゲートにはロウレベルの信号が付与されるために、スイッチング素子S1は時点t2にてオフ状態になる。次に、スイッチング素子S1が時点t2にてオフ状態になると、出力トランスTRの一次コイルLpに蓄積された電磁エネルギーの作用に基づいて二次コイルLsには一次コイルLpと二次コイルLsとの巻線比によるパルス状の高周波電圧が発生し、希ガス放電灯DLの外部電極C,Dに印加される。これによって、外部電極間には放電が生起され、希ガス放電灯DLは点灯状態になり、図11(d)及び図12(b)に示すように時点t2からランプ電流Ibが流れる。
【0012】
このランプ電流Ibは、繰り返し周期におけるそれぞれの1周期(T)の前半部分の期間T1に流れると共に、希ガス放電灯DLに蓄積された電荷がランプ電流Ibとして期間T2に、期間T1の方向とは逆方向に流れるようになる。尚、この逆方向の期間(T2)を便宜的に跳ね返り期間と呼称する。この跳ね返り期間T2の間における時点t3にてスイッチング素子S1に再び駆動信号が付与されると、図11(c)に示すように、時点t1,t3・・・においてコイル電流ILにパルス的な電流が流れる。この電流に関連してランプ電流Ibには図11(d)及び図12(b)において斜線で示すランプ電流Ibjが、跳ね返り期間T2に流れるランプ電流に重畳されて流れる。これによって、希ガス放電灯DLは図11(e)に示すように発光(φ)し、ランプ電流Ibjの増加に対応して明るさφも同図において斜線(φj)で示すように増加される。
【0013】
この点灯装置によれば、希ガス放電灯DLの点灯状態において、スイッチング素子S1のオフ動作後の期間T1に流れるランプ電流Ibの方向が反転する跳ね返り期間T2内にスイッチング素子S1をオン動作させているために、高周波電圧発生回路HBの入力電流をことさらに増加させなくても、跳ね返り期間T2に流れるランプ電流をIbj分だけ増加させることができ、これに伴って、明るさ(光量)φもφj分だけ増加させることができる。従って、OA機器の原稿照射装置に適用した場合には、図8に示す点灯装置による場合に比較すれば、原稿面照度を高めることができ、原稿の送り速度の高速化への対応も可能となる。
【0014】
しかしながら、この点灯装置において、スイッチング素子S1の駆動回路PDは図10に示すように比較回路CP,単安定マルチバイブレータMM,ドライブ回路DRなどによって構成されており、しかも、個々の回路構成が複雑であるために、これらの回路をIC化した場合、コストが高くなり、点灯装置も高価になるという不都合があり、低コスト化が求められている。
【0015】
それ故に、本発明の目的は、スイッチング素子の駆動回路を簡略化することによりコストの低減が可能な希ガス放電灯の点灯装置を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】
従って、本発明は、上述の目的を達成するために、内面に発光層を有し、かつ内部空間に希ガスを封入した外囲器の外周面に金属部材よりなる帯状の一対の外部電極を、外囲器のほぼ全長に亘って互いに離隔して配置してなる希ガス放電灯と、パルス状の高周波電圧を発生する高周波電圧発生回路とを具備し、前記高周波電圧発生回路は、少なくとも、一次コイル,二次コイル,励磁コイルを有する出力トランスと、出力トランスの一次コイルに直列的に接続した第1のスイッチング素子及び電流検出回路の直列回路と、第2のスイッチング素子と抵抗を含み、第1のスイッチング素子のゲートと接地との間に第2のスイッチング素子を接続し、第2のスイッチング素子のベースと電流検出回路の間に抵抗を接続し、電流検出回路の検出信号に対応する電位が一定値となったときにオンする第2のスイッチング素子のオン動作により第1のスイッチング素子をオン状態からオフ状態に反転させる反転回路と、出力トランスの励磁コイルとダイオードと抵抗とを含み、励磁コイルの一端に順方向にダイオードを接続し、ダイオードに直列的に抵抗を接続し、そのダイオードと抵抗を介して励磁コイルの一端が第1のスイッチング素子のゲートに接続されており、この励磁コイルに発生する電圧を自励的な駆動信号として第1のスイッチング素子に選択的に付与する駆動回路と、第1のスイッチング素子に初期駆動用の駆動信号を付与する初期駆動回路とから構成し、出力トランスの一次コイル側に直流電源を接続し、出力トランスの二次コイル側に希ガス放電灯を、二次コイルに発生する高周波電圧が外部電極に印加されるように接続し、前記第1のスイッチング素子のオフ期間を、出力トランスの二次コイル側の実効インダクタンスと希ガス放電灯が点灯した状態の実効静電容量とにより発生するランプ電流の自由振動の最初の1周期の跳ね返り期間においてランプ電流の絶対値が最大値となる近傍までの期間に設定したことを特徴とする。
【0017】
又、本発明の第2の発明は、内面に発光層を有し、かつ内部空間に希ガスを封入した外囲器の外周面に金属部材よりなる帯状の一対の外部電極を、外囲器のほぼ全長に亘って互いに離隔して配置すると共に、外囲器の外周面に透光性の絶縁部材を、外部電極が被覆されるように装着してなる希ガス放電灯と、パルス状の高周波電圧を発生する高周波電圧発生回路とを具備し、前記高周波電圧発生回路は、少なくとも、一次コイル,二次コイル,励磁コイルを有する出力トランスと、出力トランスの一次コイルに直列的に接続した第1のスイッチング素子及び電流検出回路の直列回路と、第2のスイッチング素子と抵抗を含み、第1のスイッチング素子のゲートと接地との間に第2のスイッチング素子を接続し、第2のスイッチング素子のベースと電流検出回路の間に抵抗を接続し、電流検出回路の検出信号に対応する電位が一定値となったときにオンする第2のスイッチング素子のオン動作により第1のスイッチング素子をオン状態からオフ状態に反転させる反転回路と、出力トランスの励磁コイルとダイオードと抵抗とを含み、励磁コイルの一端に順方向にダイオードを接続し、ダイオードに直列的に抵抗を接続し、そのダイオードと抵抗を介して励磁コイルの一端が第1のスイッチング素子のゲートに接続されており、この励磁コイルに発生する電圧を自励的な駆動信号として第1のスイッチング素子に選択的に付与する駆動回路と、第1のスイッチング素子に初期駆動用の駆動信号を付与する初期駆動回路とから構成し、出力トランスの一次コイル側に直流電源を接続し、出力トランスの二次コイル側に希ガス放電灯を、二次コイルに発生する高周波電圧が外部電極に印加されるように接続し、前記第1のスイッチング素子のオフ期間を、出力トランスの二次コイル側の実効インダクタンスと希ガス放電灯が点灯した状態の実効静電容量とにより発生するランプ電流の自由振動の最初の1周期の跳ね返り期間においてランプ電流の絶対値が最大値となる近傍までの期間に設定したことを特徴とする。
【0018】
又、本発明の第3の発明は、前記反転回路は、電流検出回路の検出信号が一定の電流値に対応する電圧に達したときに、第2のスイッチング素子をオン状態にするように条件設定されており、その条件に従って第2のスイッチング素子をオン状態にすることにより、第1のスイッチング素子をオン状態からオフ状態に強制的に反転させることを特徴とする。
【0019】
又、本発明の第4の発明は、前記駆動回路は、第1のスイッチング素子のスイッチング動作に基づいて励磁コイルに発生する電圧をダイオード、抵抗を介して第1のスイッチング素子に駆動信号として付与することにより、第1のスイッチング素子を自励的に駆動することを特徴とする。
【0020】
又、本発明の第の発明は、前記初期駆動回路を抵抗にて構成すると共に、この抵抗を駆動回路におけるダイオードの出力側に接続することにより、初期駆動時にのみ、直流電源から第1のスイッチング素子に抵抗を介して初期駆動用の駆動信号を印加することを特徴とする。
【0022】
【発明の実施の形態】
次に、本発明にかかる希ガス放電灯の点灯装置の1実施例について図1〜図4を参照して説明する。同図において、DLは希ガス放電灯であって、次のように構成されている。即ち、1は、例えばガラスバルブにて密閉状に構成された直管状の外囲器であって、その内面には希土類蛍光体,ハロリン酸塩蛍光体などの蛍光体よりなる発光層2が形成されている。特に、この発光層2には所定の開口角を有するアパーチャ部(発光層2の形成されない開口部)2aがほぼ全長に亘って形成されている。そして、外囲器1の封着構造はガラスバルブの端部にディスク状の封着ガラス板を封着して構成されているが、例えば単にガラスバルブを加熱しながら縮径加工し溶断するいわゆるトップシールによって構成することもできる。尚、この外囲器1の密閉空間には後述するように水銀などの金属蒸気を含まないキセノンを主成分とする希ガスが所定量封入されている。
【0023】
この外囲器1の外周面にはシート構体3が密着するように巻回されている。このシート構体3は、例えば外囲器1の全長とほぼ同程度の長さを有する絶縁性の透光性シート4と、この透光性シート4の一方の面に互いに所定の間隔だけ離隔配置して接着された金属部材よりなる帯状の一対の外部電極5,6と、この外部電極5,6の端部から導出された端子51,61と、透光性シート4の一方の面及び外部電極5,6の一方の面に付与された接着層9とから構成されている。尚、シート構体3の外囲器1への装着状態において、外部電極5,6の一方の側縁部間には第1の開口部7が、他方の側縁部間には第2の開口部8がそれぞれ形成されており、発光層2からの光は主としてアパーチャ部2aから第1の開口部7を介して外部に放出される。
【0024】
上述のシート構体3は外囲器1の外周面に、外部電極5,6が外囲器1と透光性シート4との間に位置するように装着(巻回)されている。このシート構体3の外囲器1への装着は、例えば図5に示すように行われる。まず、シート構体3をステージ10に展開状態で配置する。次に、このシート構体3における透光性シート4の一端4aに外囲器1を配置すると共に、外囲器1が一対の従動ローラ11,11にて透光性シート4に押しつけられるようにセットした上で、ステージ10を若干M方向に移動させた後、N方向に移動させる。すると、外囲器1は透光性シート4の上において相対的に転動し、その外周面にはシート構体3が巻回されることにより装着が行われる。尚、シート構体3において、外部電極5,6はその表面に形成された接着層9を利用して外囲器1の外周面に接着されており、透光性シート4はそれの一方の面に形成された接着層9を利用して巻回時に外囲器1の外周面に接着されると共に、それぞれの端部4a,4bは図2に示すように第2の開口部8で重ね合わされて接着されている。
【0025】
上述の希ガス放電灯DLの外囲器1の構成部材としては、例えば150°Cにおける体積抵抗率が1×109Ωcm以上であり、酸化珪素,酸化硼素を主成分とする鉛を含まない硼珪酸ガラス系(以下、便宜的にBFKガラスと呼称する)が好適する。このBFKガラスは、例えば酸化珪素(67.6%),アルミナ(4%),酸化硼素(18%),酸化ナトリウム(1%),酸化カリウム(8%),酸化リチウム(1%),酸化チタン(0.4%)などから構成されている。この他にも、鉛ガラスやバリウムガラスなどが適用できる。このバリウムガラスは、例えば珪酸,アルミナ,硼酸,カリウム,バリウム,カルシウムなどの酸化物などから構成されている。これらガラスの肉厚は0.2〜0.7mmの範囲(好ましくは0.4〜0.7mmの範囲)に設定されている。しかしながら、肉厚が0.4mm未満、特に0.2mm未満になると、外囲器1の機械的な強度が極端に低下するために、量産設備による生産工程でのガラス破損に伴う不良率が増加するようになるし、逆に、肉厚が0.7mmを超えると、縞状の放電状態が目視され、アパーチャ部2aから放出される光にチラツキが生ずることがある。従って、外囲器1の肉厚は上記範囲内に設定することが望ましい。尚、用途などによっては上記範囲を逸脱して使用することも可能である。
【0026】
又、この外囲器1の内部空間にはキセノンガスを主成分とする希ガスが封入されており、その封入圧力は、例えば83〜200トルの範囲に設定されている。この範囲では始動特性,光出力(原稿面照度),チラツキに関する改善効果が得られる。しかしながら、封入圧力が83トル未満になると、光出力に対する改善効果が不十分になるし、逆に、封入圧力が200トルを超えると、始動特性が損なわれるのみならず、縞状の放電状態が目視され、アパーチャ部2aから放出される光にチラツキが生ずることがある。従って、希ガスの封入圧力は上記範囲内に設定することが望ましい。尚、用途などによっては上記範囲を逸脱して使用することも可能である。
【0027】
さらには、発光層2は、希ガス放電灯の用途によって、使用する蛍光体が1種のみにて構成されたり、2種以上を適宜に混合して構成されたりする。例えば三波長域発光形の場合には、例えば青色領域に発光スペクトルを有するユーロピウム付活アルミン酸バリウム・マグネシウム蛍光体,緑色領域に発光スペクトルを有するセリウム・テルビウム付活リン酸ランタン蛍光体,赤色領域に発光スペクトルを有するユーロピウム付活硼酸イットリウム・ガドリウム蛍光体を混合してなる混合蛍光体にて形成され、その付着量は1cm2当たり5〜30mgの範囲に設定されている。この範囲では十分の光量(光出力)が得られるものの、その付着量が5mg未満になると、光量不足によって原稿面照度が不十分になるし、逆に、付着量が30mgを超えると、均質な発光層の形成が困難になる。従って、発光層2の付着量は上記範囲内に設定することが望ましい。
【0028】
一方、パルス状の高周波電圧を発生する高周波電圧発生回路HCは、図1に示すように、例えば一次コイルLp,二次コイルLs,励磁コイルLeを有する出力トランスTRと、出力トランスTRの一次コイルLpに直列的に接続された第1のスイッチング素子S1及び抵抗よりなる電流検出回路R1の直列回路と、電流検出回路R1の検出信号に基づいて第1のスイッチング素子S1をオン状態からオフ状態に反転させる反転回路OSと、出力トランスTRの励磁コイルLeを含み、この励磁コイルLeに発生する電圧Veを自励的な駆動信号として第1のスイッチング素子S1に選択的に付与する駆動回路PDAと、第1のスイッチング素子S1に初期駆動用の駆動信号を付与する抵抗よりなる初期駆動回路R2と、出力トランスTRの一次コイルLpの入力側とアースとの間に接続されたコンデンサCAとから構成されている。尚、第1のスイッチング素子S1はFETが好適するが、バイポーラトランジスタ,トライアック,SCRなどの半導体スイッチング素子も使用可能である。
【0029】
この高周波電圧発生回路HCにおいて、出力トランスTRの一次コイルLp,二次コイルLs,励磁コイルLeのそれぞれの巻回方向(極性)は、例えば図1において黒丸で示すように設定されている。尚、黒丸側が巻き始め端であることを示している。この出力トランスTRの入力側(一次コイルLp側)には直流電源EBが、二次コイルLs側には希ガス放電灯DLの外部電極5,6がそれぞれ接続されている。特に、一次コイルLpと二次コイルLsとの巻線比は、二次コイルLsに希ガス放電灯DLの点灯に適切なパルス状の高周波電圧が発生するように設定されている。
【0030】
上述の出力トランスTRの一次コイルLpに直列的に接続された第1のスイッチング素子S1のオフ期間は、出力トランスTRの二次コイルLs側の実効インダクタンスと希ガス放電灯DLが点灯した状態の実効静電容量とにより発生するランプ電流の自由振動の最初の1周期以内、好ましくはランプ電流の方向が反転する跳ね返り期間T2の間に設定されている。
【0031】
又、高周波電圧発生回路HCの初期駆動回路R2は、初期駆動時に、直流電源EBから第1のスイッチング素子S1のゲートに付与される駆動信号に時間的な遅れが生ずるように、高い抵抗値を有する抵抗(R2)によって構成されている。この初期駆動回路(抵抗)R2の一端は直流電源EBに、他端は後述する駆動回路PDAにおける単方向性素子D1の出力側(カソード側)と共に第1のスイッチング素子S1のゲートに接続されている。
【0032】
又、高周波電圧発生回路HCの反転回路OSは、例えば電流検出回路R1の検出信号V1に基づいて第1のスイッチング素子S1をオン状態からオフ状態に反転させるように構成されており、具体的には第1のスイッチング素子S1のゲートとアースとの間に接続された第2のスイッチング素子S2と、第2のスイッチング素子S2のベースと電流検出回路R1との間に接続された抵抗R3とから構成されている。尚、第2のスイッチング素子S2はそれのベース電圧が、電流検出回路R1での検出信号が一定の電流に対応する一定の電圧V1に達した際にオン動作するように構成(条件設定)されている。図示例の第2のスイッチング素子S2はバイポーラトランジスタが使用されているが、FET,サイリスタなどの適宜の半導体スイッチング素子も使用できる。
【0033】
又、高周波電圧発生回路HCの駆動回路PDAは、例えば出力トランスTRの励磁コイルLeを含み、この励磁コイルLeに発生する電圧Veを自励的な駆動信号として第1のスイッチング素子S1に選択的に付与するように構成されており、具体的には出力トランスTRの励磁コイルLeと、励磁コイルLeの巻き始め端に順方向に接続された単方向性素子D1と、単方向性素子D1に直列的に接続された抵抗R4とから構成されている。励磁コイルLeの巻き終り端は接地されており、巻き始め端と第1のスイッチング素子S1のゲートとの間には単方向性素子D1,抵抗R4の直列回路が接続されている。尚、単方向性素子D1としてはダイオードが好適するが、バイポーラトランジスタなどの3端子素子をダイオード的に使用したりすることも可能である。
【0034】
さらに、高周波電圧発生回路HCにおいて、第1のスイッチング素子S1は、初期駆動後は駆動回路PDAからの駆動信号Veに基づいて自励的にスイッチング動作されるのであるが、それのオンデューティ比は50%以上に、好ましくは60%以上に設定されている。この理由は、第1のスイッチング素子S1がオフ状態からオン状態に移行する際に、出力トランスTRの一次コイルLpにパルス的に流れるコイル電流に基づくランプ電流成分を、出力トランスTRの二次コイルLs側の実効インダクタンスと希ガス放電灯DLが点灯した状態の実効静電容量とにより発生するランプ電流Ibの自由振動において、ランプ電流の方向が反転する跳ね返り期間T2に流れるランプ電流に有効に重畳させることができるからである。
【0035】
このように構成された点灯装置は次のように動作する。まず、高周波電圧発生回路HCの入力側に直流電源EBから直流電力を供給すると、コンデンサCAは充電される。この状態において、直流電源EBから直流電圧が初期駆動回路R2を介して第1のスイッチング素子S1のゲートに印加されると、第1のスイッチング素子S1はオン状態になり、以下、図6(a)に示すように時点t1,t2,t3・・・で交互にオン,オフ動作が継続的に行なわれる。第1のスイッチング素子S1が図6(a)に示すように時点t1にてオン状態になると、出力トランスTRの一次コイルLp,電流検出回路R1には同図(b)に示すように時点t1にてパルス的に電流(コイル電流IL)が流れた後に、ほぼ直線的に増加し、一次コイルLpには電磁エネルギーが蓄積される。
【0036】
一方、図6(b)に示すように時点t1からコイル電流ILが流れることにより、出力トランスTRの励磁コイルLeには同図(c)に示すように時点t1にて正の電圧Veが発生する。この電圧Veは単方向性素子D1,抵抗R4を介して第1のスイッチング素子S1のゲートに駆動信号として印加され、第1のスイッチング素子S1のオン状態が維持される。
【0037】
次に、コイル電流ILが図6(b)に示すように時点t2にて一定の電流値に達すると、電流検出回路R1には一定値に達したコイル電流ILに対応する電圧V1が発生する。この検出電圧V1は反転回路OSにおける抵抗R3を介して第2のスイッチング素子S2のベースに付与され、第2のスイッチング素子S2は同図(d)に示すように時点t2にてオン状態になる。これによって、第1のスイッチング素子S1は、そのゲートが接地レベル(ロウレベル)になることにより、同図(a)に示すように時点t2にてオフ状態になる。これに伴い、出力トランスTRの励磁コイルLeには同図(c)に示すように時点t2にて負の電圧(正の電圧に対して反対方向の電圧)Veが発生する。この電圧Veは単方向性素子D1によって阻止されるために、第1のスイッチング素子S1のゲートに印加されず、第1のスイッチング素子S1のオフ状態が維持される。この際に、第1のスイッチング素子S1のゲートには初期駆動回路R2を介して電圧が印加されるものの、初期駆動回路R2,第1のスイッチング素子S1のゲートを含む回路時定数が十分に大きく設定されているために、時点t2〜時点t3の期間内に第1のスイッチング素子S1が初期駆動回路R2によってオン状態になることはない。
【0038】
このように第1のスイッチング素子S1が図6(a)に示すように時点t2にてオフ状態になると、コイル電流ILも同図(b)に示すように時点t2において流れなくなる。この際に、出力トランスTRの一次コイルLpに蓄積された電磁エネルギーの作用に基づき、二次コイルLsには一次コイルLpと二次コイルLsとの巻線比によるパルス状の高周波高電圧が発生し、希ガス放電灯DLの外部電極5,6に印加される。そして、外部電極5,6間には放電が生起され、希ガス放電灯DLは点灯状態になり、同図(e)に示すようにほぼ時点t2からランプ電流Ibが流れると共に、希ガス放電灯DLがコンデンサを形成する関係で同放電灯に電荷が蓄積される。ランプ電流Ibが0になると、希ガス放電灯DLに蓄積された電荷が再びランプ電流として跳ね返り期間T2に、最初の期間T1とは逆方向に流れるようになる。これに伴って、希ガス放電灯DLは同図(f)に示すように時点t2から強い発光(φ)を呈する。
【0039】
次に、跳ね返り期間T2に流れるランプ電流、具体的には時点t3から流れるランプ電流成分に基づいて、出力トランスTRの励磁コイルLeには図6(c)に示すようにほぼ時点t3にて再び正の電圧Veが発生する。この電圧Veは単方向性素子D1,抵抗R4を介して第1のスイッチング素子S1のゲートに駆動信号として印加される結果、第1のスイッチング素子S1は同図(a)に示すように時点t3にて自励的に再びオン状態になる。この際に、出力トランスTRの一次コイルLpには同図(b)に示すように時点t3にてパルス的な電流(コイル電流IL)が流れ、このコイル電流ILに基づいて出力トランスTRの二次コイルLsには電力が供給される関係で、跳ね返り期間T2に流れるランプ電流Ibに同図(e)において斜線で示すランプ電流Ibjが重畳されると共に、同図(f)において斜線で示す光量φjがランプ光量φに重畳される。
【0040】
特に、図6(a)に示すように、第1のスイッチング素子S1がオフ状態からオン状態に反転する時点t3が、出力トランスTRの二次コイルLs側の実効インダクタンスと希ガス放電灯DLが点灯した状態の実効静電容量とにより発生するランプ電流の自由振動の最初の1周期内(好ましくはランプ電流の方向が反転する跳ね返り期間T2)に設定されているために、上述の斜線で示す電流Ibjをランプ電流の自由振動成分に有効に重畳させることができる。以下、時点t3以降も時点t1〜t3期間と同様な動作が継続的に繰り返し行なわれる。
【0041】
この実施例によれば、出力トランスTRの励磁コイルLeにはこの励磁コイルLeを含む単方向性素子D1,抵抗R4よりなる駆動回路PDAが設けられているために、第1のスイッチング素子S1のスイッチング動作に関連して、励磁コイルLeにはほぼ時点t1,t2,t3・・・で極性が反転する電圧Veが誘起される。この電圧Veのうち、正の電圧Veだけが単方向性素子D1,抵抗R4を介して第1のスイッチング素子S1のゲートに駆動信号として付与されることになる。従って、第1のスイッチング素子S1はこのように選択された電圧Veが付与される度に自励的にオン状態になるために、点灯装置の回路構成を図9〜図10に示す先行技術に比較して簡略化できる上、コストをも低減できる。
【0042】
しかも、第1のスイッチング素子S1がオフ状態からオン状態に反転するタイミングにおいて、パルス的に流れるコイル電流ILに基づくランプ電流Ibjが跳ね返り期間T2における自由振動成分に重畳されるために、特別に出力トランスTRへの入力を増加しなくても、ランプ電流を有効に増加させることができ、これに伴って光量もφjだけ増加させることができる。従って、光量を効果的に増加させることができる。
【0043】
又、第1のスイッチング素子S1のオンデューティ比は50%以上に、好ましくは60%以上に、さらに好ましくは70〜80%程度に設定されているために、出力トランスTRの二次コイルLs側の実効インダクタンスと希ガス放電灯DLが点灯した状態の実効静電容量とにより発生するランプ電流の自由振動の最初の1周期において、ランプ電流の流れる方向が反転する跳ね返り期間T2にランプ電流Ibjを自由振動成分に有効に重畳させることができる。しかしながら、オンデューティ比が50%未満になると、ランプ電流の自由振動成分に有効に重畳できなくなり、光量の増加は期待できなくなる。従って、光量の増加を期待する場合には上記デューティ比に設定することが望ましい。
【0044】
さらには、この点灯装置において、出力トランスTRの一次コイルLpのインダクタンスをL、コイル電流をIL、スイッチング周波数をfとすると、入力側の電力Pは P=0.5L・IL 2・f なる式で表される。この電力Pは出力トランスTRの一次コイルLpのインダクタンスLが一定である上に、スイッチング周波数fの変動も比較的に少ないことから、コイル電流ILに依存することになる。従って、出力トランスTRの一次コイルLpに流れるコイル電流ILは、電流検出回路R1,反転回路OSとの協働作用に基づき、一定の電流値に達するように制御されるために、点灯装置の入力側における電力の、大雑把な定電力化が可能になる。
【0045】
尚、本発明は、何ら上記実施例にのみ制約されることなく、例えば第1のスイッチング素子のデューティ比は、用途などによっては50%未満に設定することも可能である。又、点灯装置に組み込まれる希ガス放電灯において、外囲器に装着される絶縁部材は透光性シートの他に、熱収縮性樹脂チューブを適用したりすることもできるし、或いは省略することもできるし、発光層はアパーチャ部を省略して外囲器の内面全体に形成することもできるし、外部電極の側縁部に鋸歯状などの異形部を形成したりすることもできる。さらには、外部電極の形態において、帯状とは全体としての形態が帯状であることを意味し、側縁部や側縁部でない部分に異形部,孔などが存在したりするものも含まれるものとする。
【0046】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、出力トランスの励磁コイルにはこの励磁コイルを含む単方向性素子,抵抗よりなる駆動回路が設けられているために、第1のスイッチング素子のスイッチング動作に関連して、励磁コイルには適宜のタイミングで極性の異なる電圧が誘起される。この電圧のうち、特定の極性の電圧だけが駆動回路を介して第1のスイッチング素子に駆動信号として付与されることになる。従って、第1のスイッチング素子はこのように選択された電圧が付与される度に自励的にオン状態になるために、点灯装置の回路構成を先行技術に比較して簡略化できる上、コストをも低減できる。
【0047】
又、第1のスイッチング素子のオンデューティ比を50%以上に設定すれば、出力トランスの二次コイル側の実効インダクタンスと希ガス放電灯が点灯した状態の実効静電容量とにより発生するランプ電流の自由振動の最初の1周期において、ランプ電流の流れる方向が反転する跳ね返り期間にランプ電流を自由振動成分に有効に重畳させることができ、特別に出力トランスへの入力を増加しなくても、ランプ電流を有効に増加させることができ、これに伴って光量も有効に増加させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例を示す点灯装置の電気回路図。
【図2】図1に示す希ガス放電灯の縦断面図。
【図3】図2に示す希ガス放電灯に適用したシート構体の展開図。
【図4】図3のX−X断面図。
【図5】図2に示す希ガス放電灯の製造方法を説明するための縦断面図。
【図6】図1の動作説明図であって、同図(a)は第1のスイッチング素子の動作タイミング図、同図(b)は出力トランスの一次コイルに流れるコイル電流図、同図(c)は駆動回路から第1のスイッチング素子に出力される駆動信号の出力タイミング図、同図(d)は第2のスイッチング素子の動作タイミング図、同図(e)はランプ電流図、同図(f)は発光波形図。
【図7】先行技術にかかる希ガス放電灯の縦断面図。
【図8】先行技術にかかる希ガス放電灯の点灯装置の電気回路図。
【図9】先行技術にかかる他の希ガス放電灯の点灯装置の電気回路図。
【図10】図9に示す駆動回路のブロック図。
【図11】図9〜図10の動作説明図であって、同図(a)は駆動回路の出力タイミング図、同図(b)はスイッチング素子の動作タイミング図、同図(c)はコイル電流図、同図(d)はランプ電流図、同図(e)は発光波形図。
【図12】図11の拡大図であって、同図(a)はスイッチング素子の動作タイミング図、同図(b)はランプ電流図。
【符号の説明】
1 外囲器
2 発光層
2a アパーチャ部
3 シート構体
4 透光性シート(絶縁部材)
5,6 外部電極
7 第1の開口部
8 第2の開口部
9 接着層
DL 希ガス放電灯
EB 直流電源
HC 高周波電圧発生回路
CA コンデンサ
TR 出力トランス
Lp 一次コイル
Ls 二次コイル
Le 励磁コイル
S1 第1のスイッチング素子
R1 電流検出回路
R2 初期駆動回路
OS 反転回路
R3 抵抗(反転回路)
S2 第2のスイッチング素子(反転回路)
PDA 駆動回路
D1 単方向性素子(駆動回路)
R4 抵抗(駆動回路)

Claims (5)

  1. 内面に発光層を有し、かつ内部空間に希ガスを封入した外囲器の外周面に金属部材よりなる帯状の一対の外部電極を、外囲器のほぼ全長に亘って互いに離隔して配置してなる希ガス放電灯と、パルス状の高周波電圧を発生する高周波電圧発生回路とを具備し、前記高周波電圧発生回路は、少なくとも、一次コイル,二次コイル,励磁コイルを有する出力トランスと、出力トランスの一次コイルに直列的に接続した第1のスイッチング素子及び電流検出回路の直列回路と、第2のスイッチング素子と抵抗を含み、第1のスイッチング素子のゲートと接地との間に第2のスイッチング素子を接続し、第2のスイッチング素子のベースと電流検出回路の間に抵抗を接続し、電流検出回路の検出信号に対応する電位が一定値となったときにオンする第2のスイッチング素子のオン動作により第1のスイッチング素子をオン状態からオフ状態に反転させる反転回路と、出力トランスの励磁コイルとダイオードと抵抗とを含み、励磁コイルの一端に順方向にダイオードを接続し、ダイオードに直列的に抵抗を接続し、そのダイオードと抵抗を介して励磁コイルの一端が第1のスイッチング素子のゲートに接続されており、この励磁コイルに発生する電圧を自励的な駆動信号として第1のスイッチング素子に選択的に付与する駆動回路と、第1のスイッチング素子に初期駆動用の駆動信号を付与する初期駆動回路とから構成し、出力トランスの一次コイル側に直流電源を接続し、出力トランスの二次コイル側に希ガス放電灯を、二次コイルに発生する高周波電圧が外部電極に印加されるように接続し、前記第1のスイッチング素子のオフ期間を、出力トランスの二次コイル側の実効インダクタンスと希ガス放電灯が点灯した状態の実効静電容量とにより発生するランプ電流の自由振動の最初の1周期の跳ね返り期間においてランプ電流の絶対値が最大値となる近傍までの期間に設定したことを特徴とする希ガス放電灯の点灯装置。
  2. 内面に発光層を有し、かつ内部空間に希ガスを封入した外囲器の外周面に金属部材よりなる帯状の一対の外部電極を、外囲器のほぼ全長に亘って互いに離隔して配置すると共に、外囲器の外周面に透光性の絶縁部材を、外部電極が被覆されるように装着してなる希ガス放電灯と、パルス状の高周波電圧を発生する高周波電圧発生回路とを具備し、前記高周波電圧発生回路は、少なくとも、一次コイル,二次コイル,励磁コイルを有する出力トランスと、出力トランスの一次コイルに直列的に接続した第1のスイッチング素子及び電流検出回路の直列回路と、第2のスイッチング素子と抵抗を含み、第1のスイッチング素子のゲートと接地との間に第2のスイッチング素子を接続し、第2のスイッチング素子のベースと電流検出回路の間に抵抗を接続し、電流検出回路の検出信号に対応する電位が一定値となったときにオンする第2のスイッチング素子のオン動作により第1のスイッチング素子をオン状態からオフ状態に反転させる反転回路と、出力トランスの励磁コイルとダイオードと抵抗とを含み、励磁コイルの一端に順方向にダイオードを接続し、ダイオードに直列的に抵抗を接続し、そのダイオードと抵抗を介して励磁コイルの一端が第1のスイッチング素子のゲートに接続されており、この励磁コイルに発生する電圧を自励的な駆動信号として第1のスイッチング素子に選択的に付与する駆動回路と、第1のスイッチング素子に初期駆動用の駆動信号を付与する初期駆動回路とから構成し、出力トランスの一次コイル側に直流電源を接続し、出力トランスの二次コイル側に希ガス放電灯を、二次コイルに発生する高周波電圧が外部電極に印加されるように接続し、前記第1のスイッチング素子のオフ期間を、出力トランスの二次コイル側の実効インダクタンスと希ガス放電灯が点灯した状態の実効静電容量とにより発生するランプ電流の自由振動の最初の1周期の跳ね返り期間においてランプ電流の絶対値が最大値となる近傍までの期間に設定したことを特徴とする希ガス放電灯の点灯装置。
  3. 前記反転回路は、電流検出回路の検出信号が一定の電流値に対応する電圧に達したときに、第2のスイッチング素子をオン状態にするように条件設定されており、その条件に従って第2のスイッチング素子をオン状態にすることにより、第1のスイッチング素子をオン状態からオフ状態に強制的に反転させることを特徴とする請求項1又は2に記載の希ガス放電灯の点灯装置。
  4. 前記駆動回路は、第1のスイッチング素子のスイッチング動作に基づいて励磁コイルに発生する電圧をダイオード、抵抗を介して第1のスイッチング素子に駆動信号として付与することにより、第1のスイッチング素子を自励的に駆動することを特徴とする請求項1又は2に記載の希ガス放電灯の点灯装置。
  5. 前記初期駆動回路を抵抗にて構成すると共に、この抵抗を駆動回路におけるダイオードの出力側に接続することにより、初期駆動時にのみ、直流電源から第1のスイッチング素子に抵抗を介して初期駆動用の駆動信号を印加することを特徴とする請求項4に記載の希ガス放電灯の点灯装置。
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