JP3873125B2 - 強誘電体薄膜の作製方法、及び強誘電体薄膜 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種電子デバイスなどに好適に使用することのできる、強誘電体薄膜の作製方法及びその強誘電体薄膜に関する。
【0002】
【従来の技術】
タングステンブロンズ型の結晶構造を有する強誘電体物質は、種々の電子的応用及び電気光学的応用が考えられている。前記強誘電体物質は、その諸特性が結晶学的な異方性によって大きく左右されるため、セラミックスとしての応用は困難であった。
【0003】
一方、(Sr,Ba)Nb2O6及び(Pb,Ba)Nb2O6などのタングステンブロンズ型の結晶構造を有する強誘電体物質は、薄膜化することによってc軸配向するようになるため、種々の電子的用途及び電気光学的用途に対してより好ましく用いることができると期待されている。しかしながら、前述した強誘電体薄膜を形成する際には、高温での熱処理を必要とするため、結晶粒の増大や基板材料との反応などが生じてしまい、その結晶品質が劣化してしまうという問題があった。
【0004】
かかる点に鑑み、(Sr,Ba)Nb2O6単結晶薄膜及び(Pb,Ba)Nb2O6単結晶薄膜中にK又はNaなどのアルカリ金属を含有させることにより、これら単結晶薄膜を作製する際の熱処理温度を低減する試みがなされているが、このようなアルカリ金属含有の強誘電体単結晶薄膜はその用途が限定されてしまい、広範な電子的用途及び電気光学的用途に使用することができないという問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、種々の電子的用途及び電気光学的用途に使用することができる、新規な強誘電体薄膜の作製方法及びその強誘電体薄膜を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段および作用】
上記目的を達成するため、本発明は、
Ba金属又はBaアルコキシド(Ba(OR)2)、ニオブアルコキシド(Nb(OR´)5)及び少なくとも一種類の希土類アルコキシド(M(OR")3)又は脱結晶水処理を行った希土類酢酸塩(M(OAc)3)を所定の溶媒中に溶解して、前駆体溶液を作製する工程と、
前記前駆体溶液を所定の基板上に塗布して前駆体膜を形成する工程と、
前記前駆体膜を加熱して結晶化させ、Baサイトの少なくとも一部が希土類元素で置換され、Ba 1−X M 2/3X Nb 2 O 6 (0.25≦X≦0.5)なる分子式で表わされ、タングステンブロンズ型の結晶構造を有する強誘電体薄膜を形成する工程とを具えることを特徴とする、強誘電体薄膜の作製方法(但し、M:希土類元素、R,R´,R":アルキル基などの有機基)に関する。
【0007】
本発明によれば、Ba金属又はBaアルコキシド(Ba(OR)2)、ニオブアルコキシド(Nb(OR´)5)及び希土類アルコキシド(M(OR")3)又は脱結晶水処理を行った希土類酢酸塩(M(OAc)3)の新規な原料を用い、これを所定の溶媒中に溶解して前駆体溶液を作製し、この前駆体溶液を所定の基板上に塗布するとともに、結晶化させることによって、Ba 1−X M 2/3X Nb 2 O 6 (0.25≦X≦0.5)なる分子式で表わされる強誘電体薄膜を形成するようにしている。したがって、前記強誘電体薄膜は、Baサイトの少なくとも一部が希土類元素で置換されるようになり、前記結晶化の際に実施する加熱処理温度を十分に低減することができる。したがって、良好な結晶品質を有するタングステンブロンズ型の結晶構造の、本発明に従った強誘電体薄膜を提供することができるようになる。
【0008】
また、本発明の強誘電体薄膜はKなどのアルカリ金属を含まないため、その応用範囲を十分に拡大することができ、種々の電子的用途や電気光学的用途などに使用することができる。
【0009】
さらに、本発明においては、前駆体溶液を用いた化学溶液法を採用しているので、組成制御が容易となり、最終的に得た強誘電体薄膜の組成を広範囲に設定することができるとともに、所望の組成比、すなわち分子式を有する強誘電体薄膜を簡易に作製することができるようになる。
本発明の詳細及びその他の特徴については以下に説明する。
【0010】
【発明の実施の形態】
図1及び図2は、本発明の強誘電体薄膜の作製方法における工程図である。
本発明においては、最初に、原料であるBa金属又はBaアルコキシド(Ba(OR)2)、ニオブアルコキシド(Nb(OR´)5)及び少なくとも一種類の希土類アルコキシド(M(OR")3)又は脱結晶水処理を行った希土類酢酸塩(M(OAc)3)を準備する。希土類アルコキシドおよび希土類酢酸塩の種類は、目的とする強誘電体薄膜中に含有させる希土類元素の種類に応じて適宜に選択する。
【0011】
以下に示すように、前記強誘電体薄膜はタングステンブロンズ型の結晶構造を有し、その結晶構造中において、前記希土類元素はBaサイトの少なくとも一部を置換して存在するようになる。このとき、前記希土類元素のイオン半径が大きいと前記強誘電体薄膜のキュリー温度が低くなってしまい、電子的用途や電気光学的用途の範囲が極めて制限されてしまう。したがって、前記希土類元素は、La及びPrなどのイオン半径の大きいものよりも、イオン半径の小さいものを採用することが好ましい。
【0012】
具体的には、Nd、Sm、Er、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Lu及びYからなる群より選ばれる少なくとも一つであることが好ましい。
【0013】
前記強誘電体薄膜中に、上述した希土類元素を含有させる際においては、上記原料として、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、LuおよびYのアルコキシド又は酢酸塩からなる群より選ばれる少なくとも一つを採用する。
【0014】
なお、前記強誘電体薄膜は2種以上の希土類元素を含むことができ、この場合は、これら希土類元素に対応した2種以上の希土類アルコキシド又は酢酸塩を採用する。
【0015】
次いで、Ba金属又はBaアルコキシド(Ba(OR)2)、ニオブアルコキシド(Nb(OR´)5)及び希土類アルコキシド又は脱結晶水処理を行った希土類酢酸塩(M(OR")3又はM(OAc)3は、所定の溶媒中に溶解して混合し、随時還流させることによって前駆体溶液を作製する。
【0016】
なお、この前駆体溶液の作製は窒素雰囲気又はアルゴン雰囲気中で行い、前記前駆体溶液が変性しないようにすることが好ましい。なお、前記窒素雰囲気は、湿度が25%以下の乾燥窒素雰囲気であることが好ましい。
【0017】
次いで、図1に示すように、所定の基板11を準備し、前記前駆体溶液を基板11上に、例えばスピンコート法などにより塗布し、前駆体膜12を形成する。
【0018】
前駆体膜12の厚さt1は、目的とする強誘電体薄膜の厚さに依存して決定されるが、好ましくは50nm〜10000nmに設定する。前駆体膜12の厚さt1を上記範囲に設定することにより、後の結晶化工程を経て、良好な結晶品質を有する強誘電体薄膜を得ることができるようになる。
【0019】
なお、基板11の種類は特に限定されるものではないが、好ましくはPt(100)/MgO(100)、MgO(100)、Pt(100)/MgO(100)/Si(100)、MgO(100)/Si(100)、MgO(100)/シリカガラス、又はPt(100)/MgO(100)/シリカガラス基板から構成する。これによって、基板11及び目的とする強誘電体薄膜間の格子定数差を低減することができ、前記強誘電体薄膜の結晶成長を容易にし、その結晶品質を向上させることができるようになる。
【0020】
次いで、前駆体薄膜12に対して加熱処理を施して結晶化させ、基板11上に目的とする強誘電体薄膜13を形成する。上述したように、強誘電体薄膜13は、Ba 1−X M 2/3X Nb 2 O 6 (0.25≦X≦0.5)なる分子式で表わされ、タングステンブロンズ型の結晶構造を呈し、そのBaサイトの少なくとも一部が希土類元素で置換されている。この結果、前記加熱処理は400℃〜1000℃の比較的低い温度範囲で行うことができる。したがって、強誘電体薄膜13の結晶粒の増大や基板11との反応などを抑制して、良好な結晶品質を保持することができる。
【0021】
なお、前記加熱処理は、膜中からの酸素欠損を抑制するために酸素雰囲気又は空気中で行うことが好ましい。
【0022】
強誘電体薄膜13の厚さT1は用途などに応じて適宜に設定することができるが、好ましくは20nm〜5000nmに設定する。これによって、良好な結晶品質を保持することができ、良好な強誘電特性を呈するようになる。
【0023】
また、強誘電体薄膜13はc軸配向していることが好ましい。強誘電体薄膜13はタングステンブロンズ型の結晶構造を呈し、その分極軸はc軸方向となるので、強誘電体薄膜13の分極方向と膜の配向方向とが一致する。したがって、強誘電体薄膜13は、広範な電子的用途及び電気光学的用途に適用することができる。
【0024】
なお、強誘電体薄膜13は、Ba0.75M0.167Nb2O6なる分子式、又はBa0.66M0.22Nb2O6なる分子式で表わされる組成を有することが好ましい。これによって、強誘電体薄膜13の結晶構造を劣化させることなく、Baサイトを所定量の希土類元素で置換することができるようになる。
【0025】
強誘電体薄膜13の厚さT1が比較的厚いような場合は、上述した前記前駆体溶液の塗布及び加熱処理を複数回繰り返すことによって、所定の厚さの強誘電体薄膜13を得るようにすることができる。
【0026】
図3〜図6は、本発明の強誘電体薄膜の作製方法における他の工程図を示す。本例においては、最初に図3に示すように、基板11を準備した後、この基板11上に前記前駆体溶液を塗布することにより、前駆体バッファ膜22を形成する。前駆体バッファ膜22の厚さt2は、後の結晶化工程を経て、良好な結晶品質を有するバッファ層を得ることができるようにすべく、5nm〜500nmの範囲に設定することが好ましい。
【0027】
次いで、好ましくは結晶化工程を経て強誘電体薄膜13を作製する際の加熱処理条件と同じ条件、すなわち酸素雰囲気又は空気中、400℃〜1000℃の温度範囲において加熱処理を行い、図4に示すように、前駆体バッファ膜22を結晶化させてバッファ層23を形成する。
【0028】
次いで、図5に示すように、バッファ層23上に前記前駆体溶液を塗布して前駆体膜12を形成し、次いで、図6に示すように、前駆体膜12に対して加熱処理を施して結晶化させ、目的とする強誘電体薄膜13を得る。前駆体膜12の形成条件及び結晶化の際の加熱処理条件は、図1及び図2に示す場合と同様の条件を採用することができる。
【0029】
なお、バッファ層23は、タングステンブロンズ型構造であって、好ましくはc軸配向するような強誘電体薄膜13を得るべく、そのバッファ機能を十分に果たすように組成を適宜選択する。
【0030】
このようにバッファ層23を介して強誘電体薄膜13を形成することにより、その結晶品質をより向上させることができ、良好な強誘電特性を呈することができるようになる。
【0031】
【実施例】
金属Ba、Nb(OEt)5及びGd(OiPr)3又はEr(OiPr)3を準備し、これらを2−エトキシエタノール中に溶解混合し、さらに還流を行うことによって、金属Ba、Nb(OEt)5及びGd(OiPr)3又はEr(OiPr)3を含む3種類の前駆体溶液を作製した。なお、前記前駆体溶液の作製は乾燥窒素雰囲気中で実施した。
【0032】
次いで、Pt(100)/MgO(100)基板を準備し、前記前駆体溶液を前記基板上に塗布し、次いで、酸素雰囲気中、約650℃で1時間加熱処理を施すことにより、Ba0.75Gd0.167Nb2O6なる分子式を有する強誘電体薄膜及びBa0.66Gd0.22Nb2O6なる分子式を有する強誘電体薄膜を得た。同様に、酸素雰囲気中、約750℃で1時間加熱処理を施すことにより、Ba0.66Er0.22Nb2O6なる分子式を有する強誘電体薄膜を得た。
【0033】
これら強誘電体薄膜の結晶構造をX線回折によって同定したところ、タングステンブロンズ型の結晶構造を有し、c軸配向していることが判明した。このときのX線回折プロファイルを図7に示す。
【0034】
また、Ba0.66Er0.22Nb2O6強誘電体薄膜については、キュリー点が170℃(測定周波数:100kHz)以上と極めて高く、室温付近での誘電率も約350と大きな値を示した。さらに、図8に示すようなP−Eヒステリシスループも観測された。
【0035】
以上、具体例を挙げながら発明の実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【0036】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、種々の電子的用途及び電気光学的用途に使用することができる、新規な強誘電体薄膜の作製方法及びその強誘電体薄膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の強誘電体薄膜の作製方法における工程図である。
【図2】 同じく、本発明の強誘電体薄膜の作製方法における工程図である。
【図3】 本発明の強誘電体薄膜の作製方法における他の工程図である。
【図4】 同じく、本発明の強誘電体薄膜の作製方法における他の工程図である。
【図5】 同じく、本発明の強誘電体薄膜の作製方法における他の工程図である。
【図6】 同じく、本発明の強誘電体薄膜の作製方法における他の工程図である。
【図7】 本発明の強誘電体薄膜のX線回折プロファイルである。
【図8】 本発明の強誘電体薄膜のP−Eヒステリシスループである。
【符号の説明】
11 基板
12 前駆体膜
13 強誘電体薄膜
22 前駆体バッファ膜
23 バッファ層
Claims (24)
- Ba金属又はBaアルコキシド(Ba(OR)2)、ニオブアルコキシド(Nb(OR´)5)及び少なくとも一種類の希土類アルコキシド(M(OR")3)又は脱結晶水処理を行った希土類酢酸塩(M(OAc)3)を所定の溶媒中に溶解して、前駆体溶液を作製する工程と、
前記前駆体溶液を所定の基板上に塗布して前駆体膜を形成する工程と、
前記前駆体膜を加熱して結晶化させ、Baサイトの少なくとも一部が希土類元素で置換され、Ba 1−X M 2/3X Nb 2 O 6 (0.25≦X≦0.5)なる分子式で表わされ、タングステンブロンズ型の結晶構造を有する強誘電体薄膜を形成する工程と、
を具えることを特徴とする、強誘電体薄膜の作製方法
(但し、M:希土類元素、R,R´,R":アルキル基などの有機基)。 - 前記希土類アルコキシドは、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Lu及びYのアルコキシドからなる群より選ばれる少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項1に記載の強誘電体薄膜の作製方法。
- 前記希土類酢酸塩は、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Lu及びYの酢酸塩からなる群より選ばれる少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項1に記載の強誘電体薄膜の作製方法。
- 前記前駆体溶液は、窒素又はアルゴン雰囲気中で作製することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一に記載の強誘電体薄膜の作製方法。
- 前記基板は、Pt(100)/MgO(100)、MgO(100)、Pt(100)/MgO(100)/Si(100)、MgO(100)/Si(100)、Pt(100)/MgO(100)/シリカガラス、又はMgO(100)/シリカガラス基板から構成することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一に記載の強誘電体薄膜の作製方法。
- 前記前駆体膜の厚さが50nm〜10000nmであることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一に記載の強誘電体薄膜の作製方法。
- 前記前駆体膜は、400℃〜1000℃の範囲で加熱し、結晶化させることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一に記載の強誘電体薄膜の作製方法。
- 前記前駆体膜は、酸素雰囲気又は空気中で加熱して結晶化させることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一に記載の強誘電体薄膜の作製方法。
- 前記強誘電体薄膜は、Ba0.75M0.167Nb2O6なる分子式で表わされることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一に記載の強誘電体薄膜の作製方法。
- 前記強誘電体薄膜は、Ba0.66M0.22Nb2O6なる分子式で表わされることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一に記載の強誘電体薄膜の作製方法。
- 前記強誘電体薄膜は、Nd、Sm,Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Lu及びYからなる群より選ばれる少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1〜10のいずれか一に記載の強誘電体薄膜の作製方法。
- 前記強誘電体薄膜は、c軸配向していることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか一に記載の強誘電体薄膜の作製方法。
- 前記強誘電体薄膜の厚さが20nm〜5000nmであることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか一に記載の強誘電体薄膜の作製方法。
- 前記前駆体膜を形成する以前に、前記基板上にバッファ層を形成する工程を具えることを特徴とする、請求項1〜14のいずれか一に記載の強誘電体薄膜の作製方法。
- 前記バッファ層は、前記前駆体溶液を前記基板上に塗布して前駆体バッファ膜を形成した後、結晶化させることによって形成することを特徴とする、請求項14に記載の強誘電体薄膜の作製方法。
- 前記前駆体バッファ膜の厚さが5nm〜500nmであることを特徴とする、請求項14又は15に記載の強誘電体薄膜の作製方法。
- 前記前駆体バッファ膜は、400℃〜1000℃の範囲で加熱し、結晶化させることを特徴とする、請求項14〜16のいずれか一に記載の強誘電体薄膜の作製方法。
- 前記前駆体バッファ膜は、酸素雰囲気又は空気中で加熱して結晶化させることを特徴とする、請求項14〜17のいずれか一に記載の強誘電体薄膜の作製方法。
- Baサイトの少なくとも一部が希土類元素で置換され、Ba 1−X M 2/3X Nb 2 O 6 (0.25≦X≦0.5)なる分子式で表わされ、タングステンブロンズ型の結晶構造を有することを特徴とする、強誘電体薄膜。
- 前記分子式は、Ba0.75M0.167Nb2O6(M:希土類元素)であることを特徴とする、請求項19に記載の強誘電体薄膜。
- 前記分子式は、Ba0.66M0.22Nb2O6(M:希土類元素)であることを特徴とする、請求項19に記載の強誘電体薄膜。
- Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Lu及びYからなる群より選ばれる少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項19〜21いずれか一に記載の強誘電体薄膜。
- c軸配向していることを特徴とする、請求項19〜22のいずれか一に記載の強誘電体薄膜。
- 前記強誘電体薄膜の厚さが20nm〜5000nmであることを特徴とする、請求項19〜23のいずれか一に記載の強誘電体薄膜。
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