JP3868975B2 - Magnetoresistive sensor and manufacturing method thereof - Google Patents
Magnetoresistive sensor and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP3868975B2 JP3868975B2 JP2005111655A JP2005111655A JP3868975B2 JP 3868975 B2 JP3868975 B2 JP 3868975B2 JP 2005111655 A JP2005111655 A JP 2005111655A JP 2005111655 A JP2005111655 A JP 2005111655A JP 3868975 B2 JP3868975 B2 JP 3868975B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- spin valve
- free
- pinned
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
本発明は、スピンバルブ磁気抵抗センサ又はトランスデューサ及び該センサを用いたスピンバルブ磁気抵抗ヘッドに関する。 The present invention relates to a spin valve magnetoresistive sensor or transducer and a spin valve magnetoresistive head using the sensor.
近年、磁気ディスク装置の小型化・高密度化に伴い、ヘッドスライダーの浮上量が減少し、極低浮上或いはスライダが記録媒体に接触する接触記録/再生の実現が望まれている。 In recent years, with the miniaturization and high density of magnetic disk devices, the flying height of the head slider has decreased, and it has been desired to realize extremely low flying or contact recording / reproduction in which the slider contacts the recording medium.
また、従来の磁気誘導ヘッドは、磁気ディスクの小径化により周速(ヘッドと媒体との間の相対速度)が減少すると、再生出力が劣化する。そこで最近は、再生出力が周速に依存せず、低周速でも大出力の得られる磁気抵抗ヘッド(MRヘッド)が盛んに開発され、磁気ヘッドの主流となっている。更に現在は、巨大磁気抵抗(GMR)効果を利用した磁気ヘッドも市販されている。 Further, in the conventional magnetic induction head, when the peripheral speed (relative speed between the head and the medium) decreases due to the reduction in the diameter of the magnetic disk, the reproduction output deteriorates. Therefore, recently, a magnetoresistive head (MR head) that can obtain a large output even at a low peripheral speed without depending on the peripheral speed has been actively developed and has become the mainstream of the magnetic head. At present, magnetic heads utilizing the giant magnetoresistance (GMR) effect are also commercially available.
磁気ディスク装置の高記録密度化により、1ビットの記録面積が減少するとともに、発生する磁場は小さくなる。現在市販されている磁気ディスク装置の記録密度は10Gbit/in2前後であるが、記録密度の上昇は年率約2倍で大きくなっている。このため、更に微小な磁場範囲に対応するとともに、小さい外部磁場の変化を感知できる磁気抵抗センサ及び磁気抵抗ヘッドが要望されている。 As the recording density of the magnetic disk drive increases, the recording area of 1 bit decreases and the generated magnetic field decreases. The recording density of magnetic disk devices currently on the market is around 10 Gbit / in 2 , but the increase in recording density is about twice as large as the annual rate. For this reason, there is a demand for a magnetoresistive sensor and a magnetoresistive head that can cope with a smaller magnetic field range and can sense a change in a small external magnetic field.
現在、磁気ヘッドにはスピンバルブGMR効果を利用したスピンバルブ磁気抵抗センサが広く用いられている。スピンバルブ構造の磁気抵抗センサでは、フリー強磁性層(フリー層)の磁化方向が記録媒体からの信号磁界により変化し、ピンド強磁性層(ピンド層)の磁化方向との相対角が変化することにより、磁気抵抗センサの抵抗が変化する。 Currently, spin valve magnetoresistive sensors using the spin valve GMR effect are widely used for magnetic heads. In a magnetoresistive sensor with a spin valve structure, the magnetization direction of the free ferromagnetic layer (free layer) changes due to the signal magnetic field from the recording medium, and the relative angle with the magnetization direction of the pinned ferromagnetic layer (pinned layer) changes. As a result, the resistance of the magnetoresistive sensor changes.
この磁気抵抗センサを磁気ヘッドに用いる場合には、ピンド層の磁化方向を磁気抵抗素子の素子高さ方向に固定し、外部磁界が印加されていない状態におけるフリー層の磁化方向を、ピンド層と直交する素子幅方向に一般的に設計する。 When this magnetoresistive sensor is used for a magnetic head, the magnetization direction of the pinned layer is fixed to the element height direction of the magnetoresistive element, and the magnetization direction of the free layer when no external magnetic field is applied is It is generally designed in the element width direction orthogonal to each other.
これにより、磁気抵抗センサの抵抗を、磁気記録媒体からの信号磁界方向がピンド層の磁化方向と平行か反平行かにより、直線的に増減させることができる。このような直線的な抵抗変化は、磁気ディスク装置の信号処理を容易にする。 Thereby, the resistance of the magnetoresistive sensor can be linearly increased or decreased depending on whether the signal magnetic field direction from the magnetic recording medium is parallel or antiparallel to the magnetization direction of the pinned layer. Such linear resistance change facilitates signal processing of the magnetic disk device.
従来の磁気抵抗センサでは、センス電流を膜面に平行に流し、外部磁界による抵抗変化を読み取っている。この、GMR膜面に平行に電流を流す(Current in the plane、CIP)構造の場合、一対の電極端子で画成されたセンス領域が小さくなると、出力が低下する。また、CIP構造のスピンバルブ磁気抵抗センサの場合、GMR膜と上下磁気シールドとの間に絶縁膜が必要となる。 In a conventional magnetoresistive sensor, a sense current is passed in parallel to the film surface, and a change in resistance due to an external magnetic field is read. In the case of the current flowing in parallel to the GMR film surface (Current in the plane, CIP) structure, the output is reduced when the sense region defined by the pair of electrode terminals is reduced. In the case of a spin valve magnetoresistive sensor having a CIP structure, an insulating film is required between the GMR film and the upper and lower magnetic shields.
即ち、磁気シールド間距離=GMR膜厚さ+絶縁膜厚さ×2となる。絶縁膜厚さは、現在20nm程度が下限であるので、磁気シールド間距離=GMR膜厚差+約40nmとなる。 That is, the distance between magnetic shields = GMR film thickness + insulation film thickness × 2. Since the lower limit of the insulating film thickness is currently about 20 nm, the distance between magnetic shields = GMR film thickness difference + about 40 nm.
記録媒体上の記録ビットの長さが短くなると対応が困難となり、磁気シールド間距離を40nm以下にしたいという要望には現在のところCIPスピンバルブ磁気抵抗センサでは対応不可能である。 When the length of the recording bit on the recording medium becomes short, it becomes difficult to cope with it, and at present, the CIP spin valve magnetoresistive sensor cannot respond to the desire to reduce the distance between the magnetic shields to 40 nm or less.
これらのことから、スピンバルブGMR効果を利用したCIP構造の磁気ヘッドは、20〜40Gbit/in2の記録密度まで対応可能と考えられている。また、最新技術のスペキュラー散乱を応用したとしても、60Gbit/in2の記録密度が上限と考えられている。 For these reasons, it is considered that a magnetic head having a CIP structure using the spin valve GMR effect can cope with a recording density of 20 to 40 Gbit / in 2 . Even if the latest technology of specular scattering is applied, the recording density of 60 Gbit / in 2 is considered to be the upper limit.
上述したように、磁気ディスク装置の記録密度の向上は急激であり、2002年には80Gbit/in2の記録密度が求められている。記録密度が80Gbit/in2以上では、最新のスペキュラー散乱を応用したCIPスピンバルブGMR磁気ヘッドでも、出力及び磁気シールド間距離の点で対応が非常に困難である。 As described above, the recording density of the magnetic disk device is rapidly increasing, and in 2002, a recording density of 80 Gbit / in 2 is required. When the recording density is 80 Gbit / in 2 or more, even the latest CIP spin valve GMR magnetic head using specular scattering is very difficult to cope with in terms of output and distance between magnetic shields.
このような問題に対し、ポストスピンバルブGMRとして、トンネルMR(TMR)や多層膜CPP(Current perpendicular to the Plane)構造等が提案されている。 For such problems, tunnel MR (TMR), multilayer film CPP (Current perpendicular to the Plane) structures, and the like have been proposed as post spin valves GMR.
TMRは、二つの強磁性層間に薄い絶縁層を挟んだ構造で、二つの強磁性層の磁化方向により絶縁層を通過するトンネル電流量が変化するものである。TMRは非常に大きな抵抗変化を示すとともに感度も良いので、ポストスピンバルブGMRとして有望視されている。 TMR has a structure in which a thin insulating layer is sandwiched between two ferromagnetic layers, and the amount of tunneling current passing through the insulating layer varies depending on the magnetization direction of the two ferromagnetic layers. Since TMR exhibits a very large resistance change and good sensitivity, it is promising as a post spin valve GMR.
多層膜CPP構造は、GMR膜面に垂直に(少なくとも垂直成分を含む方向に)電流を流した場合、GMR膜の抵抗変化が室温で約2倍となる効果を応用し、出力の向上を図ったものである。また、CPP構造の場合、GMR膜のセンス電流が通過する部分の断面積が小さくなると、出力が大きくなるという特徴を有する。 The multilayer CPP structure applies the effect that the resistance change of the GMR film is approximately doubled at room temperature when a current flows perpendicularly to the GMR film surface (in a direction including at least the vertical component) to improve output. It is a thing. In addition, the CPP structure is characterized in that the output is increased when the cross-sectional area of the portion through which the sense current of the GMR film passes is reduced.
これは、CIP構造のGMRに対する大きなアドバンテージである。尚、TMRも一方の強磁性層から絶縁層を横切って他方の強磁性層へと電流が通過することから、CPP構造の一種と考えることができ、前述したアドバンテージも同様である。このように有望なTMRや多層膜CPP構造であるが、未だ実用化には至っておらず、ともに幾つかの問題点を抱えている。 This is a great advantage over CMR GMR. Note that TMR can also be considered as a kind of CPP structure because current passes from one ferromagnetic layer to the other ferromagnetic layer across the insulating layer, and the above-described advantage is also the same. Thus, although it is a promising TMR or multilayer film CPP structure, it has not yet been put into practical use, and both have some problems.
多層膜CPP構造における問題点として以下の問題点が挙げられる。 The following problems are mentioned as problems in the multilayer film CPP structure.
(1) 素子(デバイス)作成プロセスが複雑で精度を要求される。 (1) The element creation process is complicated and requires high precision.
多層膜CPP構造のデバイスの作成には、成膜、レジスト形成、イオンミリング又は反応性イオンエッチング(RIE)、レジスト剥離といったプロセスを少なくとも3回以上繰り返す必要があり、レジスト形成の際に非常に高い位置合わせ精度が要求される。イオンミリング又は反応性イオンエッチングの際には、基板面まで加工又はエッチングせず、金属層途中で止める技術も要求される。 In order to produce a device having a multilayer CPP structure, it is necessary to repeat processes such as film formation, resist formation, ion milling or reactive ion etching (RIE), and resist stripping at least three times, which is very high when forming a resist. Alignment accuracy is required. In the case of ion milling or reactive ion etching, a technique for stopping the metal layer halfway without processing or etching to the substrate surface is also required.
(2) CPP部分のサイズが1μm前後若しくはサブミクロンサイズにならないと特性評価が難しい。 (2) Characteristic evaluation is difficult unless the size of the CPP portion is about 1 μm or submicron.
CPP部分のサイズが約3μm以上になると、電流分布の影響によりセンス電流に対する電圧がマイナスの値として測定される。この影響でCPP部分のサイズが約3μm前後において、MR比が非常に大きな値となる。このため、従来の評価基準を適用できない。 When the size of the CPP portion is about 3 μm or more, the voltage with respect to the sense current is measured as a negative value due to the influence of the current distribution. As a result, the MR ratio becomes a very large value when the size of the CPP portion is about 3 μm. For this reason, the conventional evaluation standard cannot be applied.
(3)デバイス化のプロセスの良否に特性が左右され易い。 (3) The characteristics are easily influenced by the quality of the device fabrication process.
これは、従来のCIP構造のGMRについてもいえることではあるが、CPP構造の場合この傾向が顕著である。GMR膜や絶縁膜の加工時の断面形状やバリの発生状況により、GMR特性が大幅に変化するため、不良品が発生した場合の原因の特定が困難となる。 This is also true for the conventional CIP structure GMR, but this tendency is remarkable in the case of the CPP structure. Since the GMR characteristics vary greatly depending on the cross-sectional shape and the state of occurrence of burrs during processing of the GMR film or insulating film, it becomes difficult to identify the cause when a defective product occurs.
(4) ヒシテリシスの存在、磁区制御が困難、外部磁界を感知する部分の厚さが厚い。 (4) The existence of hysteresis, the magnetic domain control is difficult, and the thickness of the part that senses an external magnetic field is thick.
多層膜CPP構造では、各磁性層が磁気的に結合しているためヒシテリシスが存在する。また、磁性層数が多いため、各磁性層の磁区制御が困難である。更に、基本的に全ての磁性層が外部磁界を感知して磁化方向が変化するため、外部磁界を感知する部分の厚さが厚い等の問題点がある。 In the multilayer CPP structure, hysteresis exists because each magnetic layer is magnetically coupled. In addition, since the number of magnetic layers is large, it is difficult to control the magnetic domain of each magnetic layer. Furthermore, since all the magnetic layers basically sense the external magnetic field and change the magnetization direction, there is a problem that the thickness of the portion that senses the external magnetic field is thick.
上記問題点のうち、(1)〜(3)は、素子構造の改良及び加工精度の向上等により、解決が可能である。しかし、(4)の問題点については、多層膜GMRの根本的な問題点であり、現在のところ具体的な解決手段はない。 Among the above problems, (1) to (3) can be solved by improving the element structure and improving the processing accuracy. However, the problem (4) is a fundamental problem of the multilayer GMR, and there is no concrete solution at present.
高記録密度化に伴いGMR素子の微細化が進み、これまでのようにGMR素子の高さを直接研磨加工によって作成するプロセスでは、その加工精度から歩留まり良く生産することが難しくなると予想される。 As the recording density increases, miniaturization of the GMR element advances, and it is expected that it is difficult to produce the GMR element with a high yield in the process of creating the height of the GMR element by direct polishing as in the past.
そこで、GMR素子高さを直接研磨加工する必要のない、フラックスガイド型GMRヘッドも知られている。フラックスガイド型GMRヘッドを従来のようなCIP構造で用いると、フラックスガイドへの電流の分流を防ぐためにフラックスガイドとGMR素子との間は絶縁されていなければならない。 Therefore, a flux guide type GMR head that does not require the GMR element height to be directly ground is also known. When the flux guide type GMR head is used in a conventional CIP structure, the flux guide and the GMR element must be insulated in order to prevent a current from flowing to the flux guide.
よって、フラックスガイドとGMR素子との間を十分離さなければならず、媒体磁界をフラックスガイドから十分にGMR素子へ渡すことができないために再生出力が低下してしまう。 Therefore, the flux guide and the GMR element must be sufficiently separated, and the medium magnetic field cannot be sufficiently transferred from the flux guide to the GMR element, so that the reproduction output is lowered.
また、従来のCPP構造のようにGMR素子部を小さく加工すると、端面の反磁界により磁化が動かない領域が大きくなり、再生感度が落ちてしまう。 Further, when the GMR element portion is processed to be small as in the conventional CPP structure, the region where the magnetization does not move due to the demagnetizing field on the end surface increases, and the reproduction sensitivity decreases.
GMRヘッドは、GMR膜が単磁区とならない場合バルクハウゼンノイズが発生し、再生出力が大きく変動する問題がある。このため、GMR膜の磁区を制御するため、磁区制御膜が設けられている。 The GMR head has a problem that Barkhausen noise is generated when the GMR film does not have a single magnetic domain, and the reproduction output varies greatly. For this reason, a magnetic domain control film is provided to control the magnetic domain of the GMR film.
磁区制御膜としては高保磁力膜の硬質磁性膜を設置し、この硬質磁性膜が発生するバイアス磁界によりフリー層の磁化方向を素子幅方向に制御している。 As the magnetic domain control film, a hard magnetic film having a high coercive force film is provided, and the magnetization direction of the free layer is controlled in the element width direction by a bias magnetic field generated by the hard magnetic film.
この硬質磁性膜より発生する磁界の強度及び分布は形成された硬質磁性膜形状に強く依存するが、通常リフトオフ等のプロセスにより形成される硬質磁性膜形状はプロセス精度の影響を受け、安定したバイアス磁界を得ることが困難である。 The strength and distribution of the magnetic field generated by this hard magnetic film strongly depends on the shape of the hard magnetic film formed, but the shape of the hard magnetic film usually formed by a process such as lift-off is affected by the process accuracy and has a stable bias. It is difficult to obtain a magnetic field.
素子上部に硬質磁性膜が回りこんだ形状となった場合には、所望の磁化制御方向に対し部分的にバイアス磁界が反対方向に印加され、バルクハウゼンノイズ等の発生を誘引し、素子特性が劣化することが考えられる。 When the hard magnetic film wraps around the top of the element, a bias magnetic field is partially applied in the opposite direction to the desired magnetization control direction, inducing the occurrence of Barkhausen noise, etc. It may be deteriorated.
これに対し、フリー層の両端部にバイアス磁界印加層としての反強磁性層を積層し、フリー層と反強磁性層の間の交換結合を利用してフリー層の磁化方向を制御する交換結合型磁区制御方法がある。 On the other hand, an antiferromagnetic layer as a bias magnetic field application layer is laminated on both ends of the free layer, and exchange coupling that controls the magnetization direction of the free layer using exchange coupling between the free layer and the antiferromagnetic layer There is a magnetic domain control method.
この方法は、磁性層間の交換結合を利用するため硬質磁性膜磁界による制御方法よりも安定したバイアス効果が得られる。この交換結合型磁区制御素子を形成する場合、フリー層とバイアス磁界印加層としての反強磁性層を連続して形成することにより十分なバイアス磁界が得られる。 Since this method uses exchange coupling between magnetic layers, a more stable bias effect can be obtained than a control method using a hard magnetic film magnetic field. When this exchange coupling type magnetic domain control element is formed, a sufficient bias magnetic field can be obtained by continuously forming a free layer and an antiferromagnetic layer as a bias magnetic field application layer.
しかし、素子感度を向上させるためにはフリー層の磁界感知部のバイアス磁界を消滅させる必要がある。従来、FeMnのような耐久性に乏しい反強磁性層に対しては、酸素と反応させることで反強磁性層の構成元素との酸化物を形成し、磁界感知部のバイアス磁界を消滅させていた。 However, in order to improve the element sensitivity, it is necessary to extinguish the bias magnetic field of the magnetic layer sensing unit of the free layer. Conventionally, for an antiferromagnetic layer with poor durability such as FeMn, an oxide with a constituent element of the antiferromagnetic layer is formed by reacting with oxygen, and the bias magnetic field of the magnetic field sensing unit is extinguished. It was.
しかしながら、現状では磁気ヘッドの信頼性の点からFeMnよりも耐久性に優れたNiMn,PtMn,PdPtMn,IrMn等の反強磁性層が用いられるようになり、そのため酸化に対する耐性が向上し、バイアス磁界を消失させるプロセスが困難になるといった問題が生じている。 However, at present, an antiferromagnetic layer such as NiMn, PtMn, PdPtMn, IrMn and the like having higher durability than FeMn is used from the viewpoint of the reliability of the magnetic head. There is a problem that the process of disappearing becomes difficult.
本発明の目的は、フリー強磁性層の磁区制御を反強磁性層との交換結合により安定して行うことができ、且つ感度及び信頼性の高いスピンバルブ磁気抵抗センサを提供することである。 An object of the present invention is to provide a spin valve magnetoresistive sensor that can stably control the magnetic domain of a free ferromagnetic layer by exchange coupling with an antiferromagnetic layer, and has high sensitivity and reliability.
本発明の一つの側面によると、磁気抵抗センサであって、第1反強磁性層と、該第1反強磁性層上に配置されたピンド強磁性層と、該ピンド強磁性層上に配置された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に配置されたフリー強磁性層と、該フリー強磁性層上に配置された、交換結合力により該フリー強磁性層の磁区制御を行う第2反強磁性層とを具備し、前記フリー強磁性層の磁界感知部と接する前記第2反強磁性層の部分が、該第2反強磁性層の構成元素とフッ素及び塩素からなる群から選択された反応性元素との化合物から構成されることを特徴とする磁気抵抗センサが提供される。 According to one aspect of the present invention, a magnetoresistive sensor is a first antiferromagnetic layer, a pinned ferromagnetic layer disposed on the first antiferromagnetic layer, and disposed on the pinned ferromagnetic layer. A non-magnetic intermediate layer, a free ferromagnetic layer disposed on the non-magnetic intermediate layer, and a second magnetic domain control of the free ferromagnetic layer disposed on the free ferromagnetic layer by an exchange coupling force A portion of the second antiferromagnetic layer that is in contact with the magnetic field sensing part of the free ferromagnetic layer and is selected from the group consisting of constituent elements of the second antiferromagnetic layer and fluorine and chlorine There is provided a magnetoresistive sensor comprising a compound with a reactive element formed.
好ましくは、第2反強磁性層はNiMn,PtMn,PdPtMn,IrMnからなる群から選択される合金から構成される。 Preferably, the second antiferromagnetic layer is made of an alloy selected from the group consisting of NiMn, PtMn, PdPtMn, and IrMn.
本発明の他の側面によると、磁気抵抗センサの製造方法であって、第1反強磁性層を形成し、該第1反強磁性層上にピンド強磁性層を形成し、該ピンド強磁性層上に非磁性中間層を形成し、該非磁性中間層上にフリー強磁性層を形成し、該フリー強磁性層上に、交換結合力により該フリー強磁性層の磁区制御を行う第2反強磁性層を形成し、前記フリー強磁性層の磁界感知部と接する前記第2反強磁性層の部分に、フッ素及び塩素からなる群から選択される反応性元素ガスを照射することにより、前記部分に前記第2反強磁性層の構成元素と前記反応性元素との化合物を形成する、各ステップから構成されることを特徴とする磁気抵抗センサの製造方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a magnetoresistive sensor, wherein a first antiferromagnetic layer is formed, a pinned ferromagnetic layer is formed on the first antiferromagnetic layer, and the pinned ferromagnetic layer is formed. Forming a non-magnetic intermediate layer on the non-magnetic intermediate layer, forming a free ferromagnetic layer on the non-magnetic intermediate layer, and controlling a magnetic domain of the free ferromagnetic layer on the free ferromagnetic layer by an exchange coupling force; By irradiating a reactive element gas selected from the group consisting of fluorine and chlorine onto the portion of the second antiferromagnetic layer that forms a ferromagnetic layer and contacts the magnetic field sensing portion of the free ferromagnetic layer, There is provided a method of manufacturing a magnetoresistive sensor, comprising each step of forming a compound of a constituent element of the second antiferromagnetic layer and the reactive element in a part.
本発明の一つの特徴によれば、酸素に対する耐性が高い反強磁性層に対しても、フッ素又は塩素によりフリー層の磁界感知部の交換結合力を消失させることが可能である。その上、フッ素又は塩素で処理後、フリー層上に安定なフッ化物又は塩化物が形成されるため、GMR膜の特性劣化を抑制する効果も同時に得ることができる。 According to one aspect of the present invention, it is possible to eliminate the exchange coupling force of the magnetic field sensing portion of the free layer by fluorine or chlorine even for an antiferromagnetic layer having high resistance to oxygen. In addition, after treatment with fluorine or chlorine, stable fluoride or chloride is formed on the free layer, so that the effect of suppressing the characteristic deterioration of the GMR film can be obtained at the same time.
更に、フッ素又は塩素でエッチング可能なTa,TiW,Mo等の電極材料を用いることで、電極端子形成とバイアス磁界消滅の工程が単一のガスで連続的に行うことが可能になるため、プロセスが容易になるとともに電極端子とスピンバルブ磁気抵抗素子の位置併せの問題も回避することができ、安定して良好な特性のスピンバルブ磁気抵抗センサを提供することが可能となる。 Furthermore, by using an electrode material such as Ta, TiW, or Mo that can be etched with fluorine or chlorine, the electrode terminal formation and bias magnetic field extinction steps can be performed continuously with a single gas. Thus, the problem of alignment between the electrode terminal and the spin valve magnetoresistive element can be avoided, and a spin valve magnetoresistive sensor having stable and good characteristics can be provided.
以下、図面を参照して本発明の数多くの実施形態について詳細に説明する。各実施形態の説明において、実質的に同一構成部分については同一符号を付し、重複を避けるためその説明を省略する。 Hereinafter, a number of embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the description of each embodiment, substantially the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted to avoid duplication.
図1を参照すると、本発明第1実施形態によるCPP(カラント・パーペンディキュラ・ツー・ザ・プレイン)構造のスピンバルブ磁気抵抗センサの断面図が示されている。 Referring to FIG. 1, there is shown a cross-sectional view of a spin valve magnetoresistive sensor having a CPP (currant perpendicular to the plain) structure according to a first embodiment of the present invention.
Al2O3−TiC基板2上には400nmのCu及び100nmのAuから形成された下端子4が形成されている。下端子4上にはスピンバルブ巨大磁気抵抗膜(GMR膜)6が形成されている。
A
GMR膜6上には10nmのCuと10nmのAuからなるキャップ層8が形成され、更にキャップ層8上には300nmのCuからなる上端子10が形成されている。符号12は150nmのSiO2からなる絶縁層である。
A
本発明の磁気抵抗センサは、GMR膜6をスピンバルブ構造とし、更にセンス電流を膜面に垂直に流すCPP構造としたことを特徴とするものである。
The magnetoresistive sensor of the present invention is characterized in that the
発明者は、CPPスピンバルブ磁気抵抗センサにおいて、ピンド強磁性層(以下ピンド層と省略する)、非磁性中間層(以下中間層と省略する)及びフリー強磁性層(以下フリー層と省略する)の各層厚を厚くして、バルク散乱を最大限に引き出すことにより、大きな抵抗変化を得ることを考えた。 The inventor in the CPP spin valve magnetoresistive sensor, a pinned ferromagnetic layer (hereinafter abbreviated as pinned layer), a nonmagnetic intermediate layer (hereinafter abbreviated as intermediate layer) and a free ferromagnetic layer (hereinafter abbreviated as free layer). It was considered that a large resistance change can be obtained by increasing the thickness of each layer to maximize the bulk scattering.
反強磁性層、下地層及び表面保護層(キャップ層)を厚くしても抵抗変化は大きくならない。ピンド層、中間層及びフリー層を厚くすると、以下のことが考えられる。 Even if the antiferromagnetic layer, the underlayer and the surface protective layer (cap layer) are thickened, the resistance change does not increase. When the pinned layer, the intermediate layer, and the free layer are thickened, the following can be considered.
(1) ピンド層を厚くすると、Hua(反強磁性層とピンド層の結合の強さ)が小さくなるとともに、漏れ磁界によりフリー層の感度が小さくなり、バイアス点の調整が困難となる。そこで、ピンド層を積層フェリ構造とすることにより、Huaを大きくし、漏れ磁界を小さくすることができる。 (1) When the pinned layer is thickened, Hua (strength of coupling between the antiferromagnetic layer and the pinned layer) decreases, and the sensitivity of the free layer decreases due to the leakage magnetic field, making it difficult to adjust the bias point. Therefore, by forming the pinned layer with a laminated ferrimagnetic structure, Hua can be increased and the leakage magnetic field can be reduced.
(2) フリー層を厚くすると、磁化方向を変化させるための外部磁界の量が多く必要となるため、フリー層の感度が小さくなる。これに対しても、フリー層を積層フェリ構造とすることにより小さな外部磁界でフリー層の磁化方向を変化させることができるため、感度が大きくなる。尚、ピンド層及びフリー層を厚くする場合においては、ピンド層とフリー層間の磁気的結合を切るために、中間層を厚くすることが望ましい。 (2) When the free layer is thickened, a large amount of external magnetic field is required to change the magnetization direction, so that the sensitivity of the free layer is reduced. Against this, since the free layer has a laminated ferrimagnetic structure, the magnetization direction of the free layer can be changed with a small external magnetic field, so that the sensitivity is increased. When the pinned layer and the free layer are thickened, it is desirable to thicken the intermediate layer in order to cut the magnetic coupling between the pinned layer and the free layer.
(3) GMR膜をデュアルスピンバルブ構造とする。この場合は、ピンド層、中間層及びフリー層の部分が厚くなるだけではなく、界面数も多くなるため、界面散乱による抵抗変化も大きくなり抵抗変化量の向上には効果的である。 (3) The GMR film has a dual spin valve structure. In this case, not only the pinned layer, the intermediate layer, and the free layer become thick, but also the number of interfaces increases, so that the resistance change due to interface scattering increases, which is effective in improving the resistance change amount.
上記(1)〜(3)の対策を単独ではなく、二つ若しくは三つを組み合わせて適用するとより効果的である。 It is more effective to apply the above measures (1) to (3) in combination of two or three instead of a single measure.
上記(1)及び(2)の対策において、ピンド層及び/又はフリー層の厚さを無条件に厚くすることはできない。発明者は、ピンド層及びフリー層の材料をCoFeBとし、各層厚の最適値を実験的に求めた。 In the measures (1) and (2) above, the thickness of the pinned layer and / or the free layer cannot be increased unconditionally. The inventor experimentally determined the optimum value of each layer thickness by setting the material of the pinned layer and the free layer to CoFeB.
この結果、ピンド層及び/又はフリー層をCIP(カラント・イン・ザ・プレイン)構造における最適値よりも厚くすると抵抗変化量が増加することが判明した。 As a result, it has been found that when the pinned layer and / or the free layer is made thicker than the optimum value in the CIP (currant in the plain) structure, the resistance change amount increases.
即ち、本発明の一つの特徴は、フリー層及びピンド層の少なくとも一方が、面内方向に電流を流した場合に最も大きな抵抗変化量が得られる層厚よりも厚い層厚を有していることである。 That is, one feature of the present invention is that at least one of the free layer and the pinned layer has a layer thickness that is thicker than a layer thickness that provides the largest amount of resistance change when a current is passed in the in-plane direction. That is.
好ましくは、フリー層及び/又はピンド層の層厚は3nm〜12nmの範囲内である。より好ましくは、この層厚は5nm〜7nmの範囲内である。 好ましくは、中間層の層厚は4nm〜6nmの範囲内である。 Preferably, the thickness of the free layer and / or pinned layer is in the range of 3 nm to 12 nm. More preferably, this layer thickness is in the range of 5 nm to 7 nm. Preferably, the thickness of the intermediate layer is in the range of 4 nm to 6 nm.
換言すると、フリー層及び/又はピンド層の層厚は、その層の磁化方向に対してスピン依存散乱されないスピン方向の伝動電子の平均自由行程の0.5〜2.0倍の範囲内であるのが好ましい。より好ましくは、フリー層又はピンド層の層厚は、スピン依存散乱されないスピン方向の伝動電子の平均自由行程とほぼ同程度の値である。 In other words, the layer thickness of the free layer and / or pinned layer is in the range of 0.5 to 2.0 times the mean free path of the propagation electrons in the spin direction that are not spin-dependently scattered with respect to the magnetization direction of the layer. Is preferred. More preferably, the thickness of the free layer or the pinned layer is approximately the same as the mean free path of the propagation electrons in the spin direction that are not spin-dependently scattered.
これは、平均自由行程と同程度の層厚を通過するとき、スピン依存散乱しない電子とスピン依存散乱する電子の電気抵抗の差が最も大きくなるためと考えられる。実際には、平均自由行程の2倍程度を超える厚さになると、電子のスピンが変化する可能性が大きくなるため、抵抗変化量が小さくなると考えられる。 This is presumably because the difference in electrical resistance between electrons that are not spin-dependently scattered and electrons that are spin-dependently scattered becomes the largest when passing through a layer thickness comparable to the mean free path. Actually, when the thickness exceeds about twice the mean free path, the possibility that the spin of electrons increases will increase, and the resistance change amount is considered to be small.
この考え方を推し進めると、フリー層及びピンド層をCoFeBから形成した場合だけでなく、別の強磁性材料或いは2種類以上の強磁性材料を組み合わせてフリー層及びピンド層を形成した場合でも、スピン依存散乱されないスピン方向の伝動電子の平均自由行程を持って厚さを最適化することが可能である。 When this idea is pushed forward, not only when the free layer and the pinned layer are formed of CoFeB, but also when the free layer and the pinned layer are formed by combining another ferromagnetic material or two or more types of ferromagnetic materials, it depends on the spin. It is possible to optimize the thickness with the mean free path of spin-direction transmission electrons that are not scattered.
以下、図2乃至図9を参照してスピンバルブGMR膜6の膜構成について説明する。図2を参照すると、試料(a)の膜構成が示されている。試料(a)はCIP最適層厚シングルスピンバルブである。
Hereinafter, the film configuration of the spin
下端子層4上に5nmのTa層16がスパッタ成膜されている。以下の各層もすべてスパッタリングにより成膜されている。Ta層16上には2nmのNiFe層18が成膜されており、Ta層16とNiFe層18の一部により下地層を構成する。
A 5
NiFe層18上には2nmのCoFbB層20が成膜されている。NiFe層18の一部とCoFeB層20によりフリー層が構成される。
A 2
CoFeB層20上には2.8nmのCu中間層22が成膜されている。Cu中間層22上には2.5nmのCoFeBピンド層24が成膜されている。
On the
CoFeBピンド層24上には15nmのPdPtMn反強磁性層26が成膜されている。そして、反強磁性層26上には5nmのTaキャップ層28が成膜されている。キャップ層28は反強磁性層26を保護するものである。
A 15 nm PdPtMn
図3を参照すると、試料(b)のスピンバルブGMR膜の膜構成が示されている。この試料(b)はCIP最適層厚でピンド層を積層フェリとしたシングルスピンバルブである。 Referring to FIG. 3, the film configuration of the spin valve GMR film of the sample (b) is shown. This sample (b) is a single spin valve in which a pinned layer is a laminated ferri with an optimum CIP layer thickness.
試料(b)は試料(a)とピンド層の構成のみが相違し、他の層構成は試料(a)と同様である。即ち、試料(b)では、Cu中間層22上に2.5nmのCoFeB層24が成膜され、CoFeB層24上に0.8nmのRu層30が成膜され、Ru層30上に1.5nmのCoFeB層32が成膜されている。即ち、試料(b)では、Ru層30で分離された二つのCoFeB層24,32で積層フェリピンド層を構成する。図2の形態では下地層16上に、フリー層から順に反強磁性層まで積層されているが、積層順は逆でも良い。
The sample (b) is different from the sample (a) only in the configuration of the pinned layer, and the other layer configuration is the same as that of the sample (a). That is, in the sample (b), a 2.5
図4を参照すると、試料(c)のスピンバルブGMR膜の膜構成が示されている。試料(c)は、ピンド層及び中間層の厚さを増加し、且つピンド層を積層フェリ構造としたシングルスピンバルブである。 Referring to FIG. 4, the film configuration of the spin valve GMR film of sample (c) is shown. Sample (c) is a single spin valve in which the thickness of the pinned layer and the intermediate layer is increased and the pinned layer has a laminated ferri structure.
Cu中間層36の厚さを5nmに増加し、積層フェリピンド層をRu層30で分離された厚さ5nmと4nmの二つのCoFeB層38,40から構成したものである。
The thickness of the Cu
更に、CoFeBフリー層34の層厚を2nm〜12nmの間で変化させて、層厚に応じた抵抗変化量の測定を行った。
Further, the resistance change amount corresponding to the layer thickness was measured by changing the layer thickness of the CoFeB
図5を参照すると、試料(d)のスピンバルブGMR膜の膜構成が示されている。試料(d)は、CIP最適層厚のデュアルスピンバルブである。 Referring to FIG. 5, the film configuration of the spin valve GMR film of the sample (d) is shown. Sample (d) is a dual spin valve with a CIP optimum layer thickness.
試料(d)では、下地層は5nmのTa層16と2nmのNiFe層18から構成される。下地層上には15nmのPdPtMn反強磁性層42が成膜されている。
In the sample (d), the underlayer is composed of a 5
反強磁性層42上には2.5nmのCoFeBピンド層46が成膜されており、CoFeBピンド層44上には2.8nmのCu中間層46が成膜されている。
A 2.5 nm CoFeB pinned
Cu中間層46上には、試料(a)と同様にCoFeBフリー層20,Cu中間層22,CoFeBピンド層24、PdPtMn反強磁性層26及びTaキャップ層28がそれぞれ成膜されている。
On the Cu
図6を参照すると、試料(e)のスピンバルブGMR膜の膜構成が示されている。試料(e)は、CIP最適層厚で二つのピンド層をフェリ磁性構造としたデュアルスピンバルブである。 Referring to FIG. 6, the film configuration of the spin valve GMR film of the sample (e) is shown. Sample (e) is a dual spin valve having a CIP optimum layer thickness and two pinned layers having a ferrimagnetic structure.
即ち、PdPtMn反強磁性層42上に1.5nmのCoEeB層48が成膜されている。CoFeB層48上には0.8nmのRu層50が成膜され、Ru層50上には2.5nmのCoFeB層52が成膜されている。Ru層50で分離された二つのCoFeB層48,52で積層フェリ構造を構成する。
That is, a 1.5
Cu中間層46上には、試料(b)と同様なCoFeBフリー層20,Cu中間層22、Ru層30で分離された二つのCoFeB層24,32からなる積層フェリピンド層が成膜されている。更に、積層フェリピンド層上にPdPtMn反強磁性層26が成膜され、反強磁性層26上にTaキャップ層28が成膜されている。
On the Cu
図7を参照すると、試料(f)のスピンバルブGMR膜の膜構成が示されている。試料(f)は、ピンド層及び中間層の層厚を増加し、更に二つのピンド層を積層フェリ構造としたデュアルスピンバルブである。 Referring to FIG. 7, the film configuration of the spin valve GMR film of the sample (f) is shown. Sample (f) is a dual spin valve in which the thicknesses of the pinned layer and the intermediate layer are increased and two pinned layers are further laminated into a ferrimagnetic structure.
即ち、PdPtMn反強磁性層42上に4nmのCoFeB層54が成膜され、CoFeB層54上に0.8nmのRu層50が成膜され、Ru層50上に5nmのCoFeB層56が成膜されている。
That is, a 4
Ru層50で分離された二つのCoFeB層54,56で積層フェリピンド層を構成する。CoFeB層56上に5nmのCu中間層58が成膜されている。
A laminated ferri-pinned layer is constituted by the two CoFeB layers 54 and 56 separated by the
Cu中間層58上には図4の試料(c)と同様なフリー層34、中間層36、積層フェリピンド層38,30,40,反強磁性層26及びキャップ層28が成膜されている。
On the Cu
試料(c)と同様に、CoFeBフリー層34の層厚を2nm〜12nmの間で変化させて、抵抗変化量を測定した。
Similar to the sample (c), the resistance change amount was measured by changing the thickness of the CoFeB
図8を参照すると、試料(g)のスピンバルブGMR膜の膜構成が示されている。試料(g)は、ピンド層及び中間層の層厚を増加した点は図7の試料(f)に類似しているが、フリー層を2nmのCoFeB層60と、3nmのNiFe層62と、2nmのCoFeB層64から構成した点が試料(f)と相違する。
Referring to FIG. 8, the film configuration of the spin valve GMR film of the sample (g) is shown. Sample (g) is similar to sample (f) in FIG. 7 in that the layer thickness of the pinned layer and the intermediate layer is increased, but the free layer is composed of a 2
図9を参照すると、試料(h)のスピンバルブGMR膜の膜構成が示されている。試料(h)は図7に示した試料(f)に類似しており、フリー層を積層フェリ構造とした点が試料(f)と相違する。 Referring to FIG. 9, the film configuration of the spin valve GMR film of the sample (h) is shown. The sample (h) is similar to the sample (f) shown in FIG. 7, and is different from the sample (f) in that the free layer has a laminated ferri structure.
即ち、Cu中間層58上に3nmのCoFeB層66が成膜され、CoFeB層66上に0.8nmのRu層68が成膜され、Ru層68上に6nmのCoFeB層70が成膜されている。
That is, a 3
更に、CoFeB層70上に0.8nmのRu層72が成膜され、Ru層72上に3nmのCoFeB層74が成膜されている。Ru層68,72で分離された三つのCoFeB層66,70,74で積層フェリ構造を構成する。
Further, a 0.8
図5〜図9に示した試料(d)〜試料(h)のデュアルスピンバルブでは、何れもピンド層が上下に2層配置され、フリー層は真中に1層のみ配置されている。 In each of the dual spin valves of the samples (d) to (h) shown in FIGS. 5 to 9, two pinned layers are arranged on the top and bottom, and only one free layer is arranged in the middle.
特に図示しないが、フリー層を上下に2層配置し、反強磁性層を真中に1層のみ配置した以下に示す積層構造のデュアルスピンバルブ磁気抵抗センサも本発明の範囲内である。 Although not particularly illustrated, a dual spin valve magnetoresistive sensor having the following laminated structure in which two free layers are arranged vertically and only one antiferromagnetic layer is arranged in the middle is also within the scope of the present invention.
即ち、このデュアルスピンバルブ磁気抵抗センサは、第1の導体層と、該第1の導体層上に配置された第1フリー強磁性層と、該第1フリー強磁性層上に配置された第1非磁性中間層と、該第1非磁性中間層上に配置された第1ピンド強磁性層と、該第1ピンド強磁性層上に配置された反強磁性層と、該反強磁性層上に配置された第2ピンド強磁性層と、該第2ピンド強磁性層上に配置された第2非磁性中間層と、該第2非磁性中間層上に配置された第2フリー強磁性層とを含んでいる。 That is, the dual spin valve magnetoresistive sensor includes a first conductor layer, a first free ferromagnetic layer disposed on the first conductor layer, and a first conductor layer disposed on the first free ferromagnetic layer. 1 nonmagnetic intermediate layer, a first pinned ferromagnetic layer disposed on the first nonmagnetic intermediate layer, an antiferromagnetic layer disposed on the first pinned ferromagnetic layer, and the antiferromagnetic layer A second pinned ferromagnetic layer disposed thereon, a second nonmagnetic intermediate layer disposed on the second pinned ferromagnetic layer, and a second free ferromagnetic layer disposed on the second nonmagnetic intermediate layer Including layers.
次に、図10(A)〜図14(C)及び図10(A´)〜図14(C´)を参照して、本発明の磁気抵抗センサの製造プロセスについて説明する。図10(A)〜図14(C)は断面図であり、図10(A´)〜図14(C´)は平面図を示している。 Next, with reference to FIGS. 10 (A) to 14 (C) and FIGS. 10 (A ') to 14 (C'), the manufacturing process of the magnetoresistive sensor of the present invention will be described. 10A to 14C are cross-sectional views, and FIGS. 10A to 14C are plan views.
まず、図10(A)に示すように、Al2O3−TiC基板2上に400nmのCu及び100nmのAuからなる下端子層4をスパッタリングにより成膜する。
First, as shown in FIG. 10A, a
次に、下端子層4上に図2〜図9の何れかに示したスピンバルブGMR膜6をスパッタリングにより成膜する。スピンバルブGMR膜6上に10nmのCuと10nmのAuからなるキャップ層8をスパッタリングにより成膜する。
Next, the spin
キャップ層8成膜後、100エルステッド(Oe)の磁場を印加しながら280℃で3時間の熱処理を行った。
After the
次いで、図10(B)及び図10(B´)に示すように、キャップ層8上に下端子層形状のレジスト76を形成する。図10(C)及び図10(C´)に示すように、Arイオンによりイオンミル加工を行って、レジスト76を剥離すると、図11(A)及び図11(A´)に示す状態となる。
Next, as shown in FIGS. 10B and 10B ′, a lower terminal layer-shaped resist 76 is formed on the
次いで、図11(B)及び図11(B´)に示すように、GMR部にレジスト78を形成し、図11(C)及び図11(C´)に示すように、イオンミル加工を行い、レジスト78を剥離すると、図12(A)及び図12(A´)に示す状態となる。 Next, as shown in FIGS. 11 (B) and 11 (B ′), a resist 78 is formed on the GMR portion, and as shown in FIGS. 11 (C) and 11 (C ′), ion mill processing is performed. When the resist 78 is peeled, the state shown in FIGS. 12A and 12A ′ is obtained.
次いで、図12(B)及び図12(B´)に示すように、150nmのSiO2からなる絶縁層80をスパッタリングにより成膜する。次いで、図12(C)及び図12(C´)に示すように、絶縁層80上に絶縁層形状レジスト82を形成し、図13(A)及び図13(A´)に示すように、反応性イオンエッチング(RIE)加工を行い、レジストを剥離すると、図13(B)及び図13(B´)に示す状態となる。
Next, as shown in FIGS. 12B and 12B ′, an insulating
次いで、図13(C)及び図13(C´)に示すように、300nmのCuからなる上端子層84を一様に形成する。図14(A)及び図14(A´)に示すように、上端子層84上に上端子層形状レジスト86を形成し、図14(B)及び図14(B´)に示すように、RIE加工を行い、レジスト86を剥離すると図14(C)及び図14(C´)に示す状態となり、CPPスピンバルブ磁気抵抗センサが完成する。
Next, as shown in FIG. 13C and FIG. 13C ′, an
このようにして作成したCPPスピンバルブ磁気抵抗センサについて、±500エルステッド(Oe)の磁場を印加しながら、四端子法による抵抗測定を行った。 The resistance measurement by the four-terminal method was performed on the CPP spin valve magnetoresistive sensor thus prepared while applying a magnetic field of ± 500 oersted (Oe).
図7に示したCoFeBフリー層34の厚さ7nmの試料(f)について、素子サイズ(面積、μm2)による抵抗変化量ΔR(mΩ)の変化を図15に示す。測定データをy=A/xの曲線に回帰させ、1μm2時のΔRを算出すると3.8mΩμm2が得られた。
FIG. 15 shows the change in resistance change ΔR (mΩ) depending on the element size (area, μm 2 ) for the sample (f) having a thickness of 7 nm of the CoFeB
試料(a)〜(h)についても同様に1μm2時のΔRを算出した、これを図16及び図17に示す。図16の試料(c)及び(f)はフリー層の層厚が2nmのときの抵抗変化量ΔRである。 Similarly, ΔR at 1 μm 2 was calculated for samples (a) to (h), which are shown in FIGS. 16 and 17. Samples (c) and (f) in FIG. 16 show the resistance change ΔR when the thickness of the free layer is 2 nm.
シングルスピンバルブGMR膜については、試料(a)に対し、積層フェリ化した試料(b)では1μm2時のΔRは約1.5倍となっている。更に、ピンド層及び中間層を増厚した試料(c)では1μm2時のΔRは約2倍となっている。 For the single spin-valve GMR film, ΔR at 1 μm 2 is about 1.5 times that of sample (a) in sample (b) formed into a laminated ferrimagnetic material. Further, in the sample (c) having a thickened pinned layer and intermediate layer, ΔR at 1 μm 2 is about twice.
また、試料(a)をデュアルスピンバルブ化した試料(d)では1μm2時のΔRは約2倍となっている。更に、積層フェリ化した試料(e)ではΔRは試料(d)より大きくなっており、ピンド層を積層フェリ化し、更にピンド層及び中間層を増厚した試料(f)ではピンド層を積層フェリ化した試料(e)よりもΔRは大きくなっている。 Further, in the sample (d) in which the sample (a) is made into a dual spin valve, ΔR at 1 μm 2 is about double. Further, in the sample (e) obtained by laminating the ferrimagnetic layer, ΔR is larger than that of the sample (d). In the sample (f) in which the pinned layer is laminated and the pinned layer and the intermediate layer are thickened, the pinned layer is laminated. ΔR is larger than that of the converted sample (e).
試料(c)及び試料(f)ではフリー層の厚さを変化させた。この結果を図17に示す。図17を観察すると明らかなように、シングルスピンバルブの試料(c)では、フリー層の厚さ5nmで、デュアルスピンバルブの試料(f)では、フリー層の厚さが7nmで1μm2時のΔRは最も大きくなっている。 In the sample (c) and the sample (f), the thickness of the free layer was changed. The result is shown in FIG. As is apparent from observation of FIG. 17, the single spin valve sample (c) has a free layer thickness of 5 nm, and the dual spin valve sample (f) has a free layer thickness of 7 nm at 1 μm 2 . ΔR is the largest.
フリー層の構成を試料(f)から変化させた試料(g)及び試料(h)でもそれぞれ3.4,2.8mΩμm2と大きなΔRが得られた。 A large ΔR of 3.4 and 2.8 mΩμm 2 was obtained also in the sample (g) and the sample (h) in which the configuration of the free layer was changed from the sample (f).
以上の実験結果から以下のように結論付けることができる。スピンバルブGMR膜をCPP構造で用いる場合、デュアルスピンバルブ化、積層フェリ化、ピンド層/中間層/フリー層の層厚を厚くすることにより抵抗変化量ΔRが向上する。 From the above experimental results, it can be concluded as follows. When the spin valve GMR film is used in a CPP structure, the resistance change amount ΔR is improved by increasing the thickness of the pinned layer / intermediate layer / free layer by making dual spin valves, stacking ferrimagnetic layers, and pinned layers / intermediate layers / free layers.
デュアルスピンバルブ化、積層フェリ化、ピンド層/中間層/フリー層の層厚を厚くすることは、単独でも抵抗変化量ΔR向上の効果があるが、これらを組み合わせることにより抵抗変化量ΔRをより大きく向上することができる。 Making dual spin valves, stacking ferrimagnetic layers, and increasing the thickness of the pinned layer / intermediate layer / free layer alone has the effect of improving the resistance change ΔR, but by combining them, the resistance change ΔR can be further increased. It can be greatly improved.
尚、本実施形態では、積層フェリ化せずにピンド層及び中間層を増厚させた試料は特に図示されてないが、これらもΔRが向上することを確認している。 In the present embodiment, a sample in which the pinned layer and the intermediate layer are thickened without forming a laminated ferrimagnetic material is not particularly shown, but it has been confirmed that ΔR is also improved.
フリー層又はピンド層の層厚はCIP最適層厚よりも厚ければ抵抗変化量ΔRは向上する。フリー層又はピンド層の層厚は3nm〜12nmの範囲内が好ましく、5nm〜7nmの範囲内がより好ましい。 If the thickness of the free layer or the pinned layer is thicker than the CIP optimum layer thickness, the resistance change ΔR is improved. The layer thickness of the free layer or pinned layer is preferably in the range of 3 nm to 12 nm, and more preferably in the range of 5 nm to 7 nm.
この最適層厚は、磁性材料のCoFeB内でスピン依存散乱しない電子の平均自由行程と同等である。フリー層及びピンド層の材料が変化してもスピン依存散乱しない電子の平均自由行程と同等の層厚が最適である。 This optimum layer thickness is equivalent to the mean free path of electrons that are not spin-dependently scattered in the magnetic material CoFeB. A layer thickness equivalent to the mean free path of electrons that do not undergo spin-dependent scattering even when the material of the free layer and the pinned layer is changed is optimal.
尚、Cu中間層の層厚については、ピンド層又はフリー層を増厚した場合に磁性層間の層間結合を十分に遮断する必要がある。CIP最適層厚では、中間層の層厚は2.8nm前後であるが、ピンド層又はフリー層を増厚した場合はこれより厚くする必要があり、磁性層間の層間結合を十分に遮断するために4nm〜6nmの範囲内が好ましい。 As for the thickness of the Cu intermediate layer, it is necessary to sufficiently block the interlayer coupling between the magnetic layers when the pinned layer or the free layer is thickened. In CIP optimum layer thickness, the thickness of the intermediate layer is around 2.8 nm. However, if the pinned layer or free layer is thickened, it must be thicker than this, in order to sufficiently block the interlayer coupling between the magnetic layers. In the range of 4 nm to 6 nm.
上述したCPPスピンバルブ磁気抵抗センサは、主としてコンピュータの記録/再生装置である磁気ディスク装置の磁気抵抗ヘッドとして使用される。 The above-described CPP spin valve magnetoresistive sensor is mainly used as a magnetoresistive head of a magnetic disk device that is a recording / reproducing device of a computer.
図18を参照すると本発明第2実施形態の磁気抵抗ヘッド88の断面図が示されている。符号90は例えばNiFeから形成された第1磁気シールドであり、第1磁気シールド90上には例えばアルミナ(Al2O3)からなる絶縁層92が積層されている。96,112も同様に例えばアルミナ等から形成された絶縁層である。
Referring to FIG. 18, a sectional view of a
絶縁層92上には下部電極端子94,98がめっき法又は蒸着法により形成されている。106はスピンバルブ磁気抵抗素子であり、NiFe/Cu/NiFe/IrMn等のスピンバルブGMR膜、NiFe/Cu/CoFeB/Ru/CoFeB/PdPtMn等の積層フェリスピンバルブGMR膜、NiFe/Al2O3/NiFe/PdPtMn等のトンネル接合型MR膜(TMR膜)を用いることができる。
102は例えばNiFeから形成された第1フラックスガイドであり、一端がヘッド88の媒体対向面88aに露出し、他端がスピンバルブ磁気抵抗素子106の1端と重なって配置されている。
第1フラックスガイド102はスピンバルブ磁気抵抗素子106と接触していることが望ましいが、磁気的に結合できる程度に近接していれば電気的に導通していてもしていなくとも良い。
The
104は例えばNiFeから形成された第2フラックスガイドであり、一端がスピンバルブ磁気抵抗素子106の他端と重なって配置されている。第2フラックスガイド104はスピンバルブ磁気抵抗素子106と接触していることが望ましいが、磁気的に結合できる程度に近接していれば電気的に導通していてもしていなくとも良い。
第1磁気シールド90と第2フラックスガイド104の間には、例えばNiFeから形成されたフラックスパス100が形成されている。フラックスパス100は第1磁気シールド90及び第2フラックスガイド104に接触していることが望ましいが、磁気的に結合できる程度に近接していれば電気的に導通していてもしていなくても良い。
A
スピンバルブ磁気抵抗素子106の上には上部電極端子110が形成されており、更に上部電極端子110に電気的に導通して例えばNiFeから形成された第2磁気シールド114が形成されており、第26磁気シールド114が電極端子として機能する。
An
本実施形態の磁気抵抗ヘッド88はスピンバルブ磁気抵抗素子106の上下に電極94,98,110が配置されているため、スピンバルブ磁気抵抗素子106の膜面に垂直に電流を流すCPP構造である。116は記録トラック118を有する磁気記録媒体である。
The
本実施形態のスピンバルブ磁気抵抗ヘッド88は、磁気記録媒体116から漏洩する信号磁界は第1フラックスガイド102を通ってスピンバルブ磁気抵抗素子106に案内される。更に、スピンバルブ磁気抵抗素子106からの信号磁界は第2フラックスガイド104及びフラックスパス100を通って第1磁気シールド90に至る。
In the spin
更に、電極端子98,110はスピンバルブ磁気抵抗素子106の膜面の一部に接触しており、該膜面内において電極端子98,110の方がスピンバルブ磁気抵抗素子106よりも小さなサイズを有している。
Further, the
よって、最も感度の高いスピンバルブ磁気抵抗素子106の中央部の磁化の動きのみを電極端子98,110で検出することから、高感度なヘッド再生特性を得ることができる。
Therefore, since only the movement of magnetization in the central portion of the spin
更に、フラックスガイド型構造であるため、スピンバルブ磁気抵抗素子106を直接研磨加工する必要がないので、歩留まり良くスピンバルブ磁気抵抗ヘッドを生産できる。
Furthermore, since it is a flux guide type structure, it is not necessary to directly polish the spin
以下、図19(A)〜図21(C)及び図19(A´)〜図21(C´)を参照して、スピンバルブ磁気抵抗ヘッド88の製造方法について説明する。図19(A)〜図21(C)はスピンバルブ磁気抵抗素子の高さ方向の断面図であり、図19(A´)〜図21(C´)はトラック幅方向の断面図である。
Hereinafter, with reference to FIGS. 19A to 21C and FIGS. 19A ′ to 21C ′, a method of manufacturing the spin
まず、図示しない基板上に第1磁気シールド90,絶縁層92及び電極端子94を順次成膜する。次に、図19(A)及び図19(A´)に示すように、この電極端子94を所望の形状にパターニングする。
First, a first
次に、絶縁層96を成膜し、絶縁層96上にレジスト97を形成し、このレジスト97を所望の形状にパターニングする。レジスト97をマスクとして、図19(B)及び図19(B´)に示すように、絶縁層96にイオンミリング等により穴を開ける。
Next, an insulating
次に、図19(C)及び図19(C´)に示すように、レジスト97は除去せずに電極端子94上に電極端子98を形成する。電極端子94と電極端子98は電気的に導通している。
Next, as shown in FIG. 19C and FIG. 19C ′, an
次に、電極端子98を形成したのと同様な方法で、図19(D)に示すように、フラックスパス100を絶縁層92,96に穴を開けることにより形成する。ここで、第1磁気シールド90とフラックスパス100は接触していることが望ましいが、磁気的に結合できる程度に近接していれば電気的に導通していてもしていなくても良い。
Next, the
次に、図20(A)に示すように、第1フラックスガイド102と第2フラックスガイド104を電極端子98を形成したのと同様な方法で、絶縁層96に穴を開けることにより形成する。
Next, as shown in FIG. 20A, the
ここで、第1フラックスガイド102は電極端子94,98及び第1磁気シールド90と電気的に接触しないように形成するのが望ましい。第2フラックスガイド104も電極端子94,98及び第1磁気シールド90と電気的に接触しないように形成するのが望ましい。
Here, the
更に、第2フラックスガイド104はフラックスパス100と接触していることが望ましいが、磁気的に結合できる程度に近接していれば、電気的に導通していてもしていなくとも良い。
Further, the
次に、スピンバルブ磁気抵抗素子としてのGMR膜106をスパッタリングにより成膜し、GMR膜106上にレジスト107を形成して所望の形状にパターニングする。
Next, a
図20(B)及び図20(B´)に示すように、このレジスト107をマスクとしてスピンバルブ磁気抵抗素子106を所望の形状にパターニングする。
As shown in FIGS. 20B and 20B ′, the spin
ここで、スピンバルブ磁気抵抗素子106と第1、第2フラックスガイド102,104は膜面の一部において重なるように配置する。スピンバルブ磁気抵抗素子106と第1、第2フラックスガイド102,104は接触していることが望ましいが、磁気的に結合できる程度に近接していれば電気的に導通していてもしていなくても良い。
Here, the spin
次に、図20(C´)に示すように、レジスト107は除去しない状態で磁区制御膜108をスパッタリングによりスピンバルブ磁気抵抗素子106の両側に成膜する。この磁区制御膜108としては、CoCrPt等の高保磁力膜やPdPtMn等の反強磁性膜を用いることができる。
Next, as shown in FIG. 20C ′, a magnetic
次に、電極端子110を一様に形成し、電極端子110上にレジスト111を形成してこのレジストを所望の形状にパターリングする。図21(A)及び図21(A´)に示すように、レジスト111をマスクとして電極端子110をパターニングする。
Next, the
次に、レジスト111を除去せずに絶縁層112を成膜し、その後図21(B)及び図21(B´)に示すように、レジスト111を除去する。次に、図21(C)及び図21(C´)に示すように、絶縁層112上に第2磁気シールド114を形成してスピンバルブ磁気抵抗ヘッド88が完成する。ここで、電極端子110と第2磁気シールド114は電気的に導通している。
Next, the insulating
第1、第2磁気シールド90,114,及び電極端子110はメッキ法や蒸着法により形成し、絶縁層92,96,112はスパッタリング法等により形成する。以上の製造方法により、フラックスガイド型でCPP構造の高感度のスピンバルブ磁気抵抗ヘッドが得られる。
The first and second
図22を参照すると、本発明第3実施形態のスピンバルブ磁気抵抗ヘッド88´の断面図が示されている。本実施形態のスピンバルブ磁気抵抗ヘッド88´は図18に示した第2実施形態のスピンバルブ磁気抵抗ヘッド88に類似しているが、第2実施形態の電極94,98を有しない点で相違する。
Referring to FIG. 22, a cross-sectional view of a spin
本実施形態のスピンバルブ磁気抵抗ヘッド88´では、スピンバルブ磁気抵抗素子106と第2フラックスガイド104は接触しており、フラックスパス100は第2フラックスガイド104と第1磁気シールド90に接触している。
In the spin
よって、第1磁気シールド90とスピンバルブ磁気抵抗素子106はフラックスパス100、第2フラックスガイド104を介して電気的に導通している。よって、本実施形態のスピンバルブ磁気抵抗ヘッド88´では、第1磁気シールド90が一方の電極端子として作用する。なお第3実施形態においても、シールド114は電極端子として作用する。
Therefore, the first
第1フラックスガイド102と第2フラックスガイド104の間には、Cu,Al2O3等から形成された非磁性膜122が形成されている。符号120は絶縁層である。
A
以下、図23(A)〜図25(B)及び図23(A´)〜図25(B´)を参照して、第3実施形態のスピンバルブ磁気抵抗ヘッド88´の製造方法について説明する。図23(A)〜図25(B)はスピンバルブ磁気抵抗素子の高さ方向の断面図であり、図23(A´)〜図25(B´)はトラック幅方向の断面図である。
Hereinafter, with reference to FIGS. 23A to 25B and FIGS. 23A ′ to 25B ′, a method of manufacturing the spin
図示しない基板上に第1磁気シールド90、絶縁層120を順次成膜する。次に図23(A)に示すように、フラックスパス100を絶縁層120に穴を開けることにより作成する。ここで、第1磁気シールド90とフラックスパス100は接触しており、電気的に導通している。
A first
次に非磁性膜122を成膜し、非磁性膜122上にレジスト123を形成して、レジスト123を所望の形状にパターニングする。図23(B)及び図23(B´)に示すように、このレジスト123をマスクとして非磁性膜122をパターニングする。非磁性膜122としてはCu,Al2O3等を用いることができる。
Next, a
次にレジスト123を除去せずに第1フラックスガイド102と第2フラックスガイド104を成膜し、レジスト123除去後再度パターニングすることで、図23(C)及び図23(C´)に示すように、第1及び第2フラックスガイド102,104を形成する。ここで、第2フラックスガイド104はフラックスパス100と接触しており、電気的に導通している。
Next, the
次に、スピンバルブ磁気抵抗素子としてのスピンバルブGMR膜106をスパッタリング法等により成膜し、GMR膜106上にレジスト107を一様に形成し、このレジスト107を所望形状にパターニングする。
Next, a spin
図24(A)及び図24(A´)に示すように、レジスト107をマスクとして、GMR膜106を所望形状にパターニングする。ここで、スピンバルブ磁気抵抗素子(GMR膜)106と第1、第2フラックスガイド102,104は膜面の一部において重なるように配置する。
As shown in FIGS. 24A and 24A ′, the
スピンバルブ磁気抵抗素子106と第1フラックスガイド102は接触していることが望ましいが、磁気的に結合できる程度に近接していれば電気的に導通してもしていなくとも良い。スピンバルブ磁気抵抗素子106と第2フラックスガイド104は接触しており、電気的に導通している。
The spin
次に、レジスト107を除去しない状態で、磁区制御膜108をスパッタリング法等により成膜し、レジスト107を除去すると、図24(B´)に示すように、スピンバルブ磁気抵抗素子106の両側に磁区制御膜108が形成される。磁区制御膜108としては、CoCrBt等の高保磁力膜、PdPtMn等の反強磁性膜を用いることができる。
Next, when the resist 107 is not removed, the magnetic
次に、電極端子110を一様に形成し、この電極端子110上にレジスト111を一様に形成してから、レジスト111を所望形状にパターニングする。図24(C)及び図24(C´)に示すように、レジスト111をマスクとして、電極端子110を所望形状にパターニングする。
Next, the
次に、レジスト111を除去せずに絶縁層112を成膜し、その後レジスト111を除去することにより、図25(A)及び図25(A´)に示す状態が得られる。
Next, the insulating
次に、図25(B)及び図25(B´)に示すように、絶縁層112上に第2磁気シールド114を形成することにより、スピンバルブ磁気抵抗ヘッド88´が完成する。電極端子110と第2磁気シールド114は接触しており、電気的に導通している。
Next, as shown in FIG. 25B and FIG. 25B ′, the second
本実施形態のスピンバルブ磁気抵抗ヘッド88´では、第1磁気シールド90が一方の電極端子を兼用することになり、CPP構造のスピンバルブ磁気抵抗ヘッド88´を構成することができる。
In the spin
図26を参照すると、スピンバルブ磁気抵抗素子としての逆積層型のスピンバルブGMR膜の構造が示されている。図示しないSi基板上に5nmのTa下地層130,5nmのNiFeバッファ層132、25nmのPdPtMn反強磁性層134、2.2nmのCoFeBピンド層136がDCマグネトロンスパッタ法により成膜されている。
Referring to FIG. 26, there is shown the structure of an inversely stacked spin valve GMR film as a spin valve magnetoresistive element. On a Si substrate (not shown), a 5
ピンド層136上に3.5nmのCu中間層138、Cu中間層138上に1.5nmのCoFeB及び2nmのNiFeからなるフリー層140が成膜されている。
A 3.5 nm Cu
フリー層140上に連続して、10nmのIrMnからなるフリー層140へのバイアス磁界印加層としての反強磁性層142、5nmのTaキャップ層144を成膜した。
On the free layer 140, an
この試料は規則系反強磁性材料であるPdPtMnの規則化のため、8×10-5パスカル(Pa)以下の真空中で2.5kエルステッド(Oe)の磁場を印加しながら280℃で3時間の熱処理を行った。 This sample was ordered at 280 ° C. for 3 hours while applying a magnetic field of 2.5 kOersted (Oe) in a vacuum of 8 × 10 −5 Pascal (Pa) or less in order to order PdPtMn, which is an ordered antiferromagnetic material. The heat treatment was performed.
その後、この試料についてSF6ガスを用いてRIE処理を行った。RIE処理の条件は、プロセスガス圧0.5Pa、基板温度20℃、基板電位1ボルト、アンテナ電力100W、バイアス電力2Wであった。キャップ層144のTaはSF6ガスでエッチングされる。
Thereafter, this sample was subjected to RIE treatment using SF 6 gas. The conditions of the RIE process were a process gas pressure of 0.5 Pa, a substrate temperature of 20 ° C., a substrate potential of 1 volt, an antenna power of 100 W, and a bias power of 2 W. Ta of the
図27にSF6ガスでのRIE処理時間とスピンバルブGMR膜の諸特性との関係を示す。Huaはフリー層とIrMn反強磁性層との間に動くバイアス磁界、Hcはフリー層の保磁力、Msはフリー層の飽和磁化である。 FIG. 27 shows the relationship between the RIE processing time with SF 6 gas and various characteristics of the spin valve GMR film. Hua is a bias magnetic field that moves between the free layer and the IrMn antiferromagnetic layer, Hc is the coercivity of the free layer, and Ms is the saturation magnetization of the free layer.
図27を観察すると、10分のRIE処理でフリー層140とIrMnバイアス磁界印加層142との間のバイアス磁界Huaは消失し、フリー層の保磁力Hcは約8エルステッド(Oe)となり、フリー層単層膜の特性と同等の値を示している。
When observing FIG. 27, the bias magnetic field Hua between the free layer 140 and the IrMn bias magnetic
一方、フリー層140の飽和磁化Ms及びスピンドルバルブGMR膜のMR比は殆ど変化していない。これによりフッ素を用いた場合にスピンバルブGMR膜の特性を維持したままで、IrMn反強磁性層(バイアス磁界印加層)142とフリー層140との間の交換結合力を消滅できることが理解される。 On the other hand, the saturation magnetization Ms of the free layer 140 and the MR ratio of the spindle valve GMR film hardly change. Thus, it is understood that the exchange coupling force between the IrMn antiferromagnetic layer (bias magnetic field application layer) 142 and the free layer 140 can be eliminated while maintaining the characteristics of the spin valve GMR film when fluorine is used. .
図28にスピンバルブGMR膜をSF6でRIE処理したときのF,Ir,Mnのピーク強度(含有量)とフリー層に働くHuaとの関係を示す。GMR膜中のF量は処理時間とともに増加しており、Huaの減少との間に相関が見られる。 FIG. 28 shows the relationship between the peak intensity (content) of F, Ir, and Mn when the spin valve GMR film is RIE-treated with SF 6 and Hua acting on the free layer. The amount of F in the GMR film increases with the processing time, and there is a correlation with the decrease in Hua.
一方、Ir及びMnの含有量は殆ど変化していないことから、IrMnは物理的にエッチングされずに残っていることがわかる。RIEを20分行った試料に280℃の熱処理を行ったところ、F量の変化はマイナス8%と殆ど減少しておらず、FはGMR膜中で化合物をつくり安定した状態であると言える。 On the other hand, since the contents of Ir and Mn are hardly changed, it is understood that IrMn remains without being physically etched. When a heat treatment at 280 ° C. was performed on a sample that had been subjected to RIE for 20 minutes, the change in F amount was hardly reduced to minus 8%, and it can be said that F was in a stable state because a compound was formed in the GMR film.
図29にRIE処理前後のスピンバルブGMR膜のX線回折特性を示す。RIE処理前の試料では2θが41℃付近にHuaの発現に寄与するIrMnのfcc(111)ピークが観察される。一方、RIE処理後の試料ではそのピークが見られない。 FIG. 29 shows the X-ray diffraction characteristics of the spin valve GMR film before and after the RIE treatment. In the sample before the RIE treatment, an IrMn fcc (111) peak contributing to the expression of Hua is observed when 2θ is around 41 ° C. On the other hand, the peak is not seen in the sample after RIE treatment.
このことからGMR膜中でフッ化物が形成されることにより、IrMnの結晶性が乱れたことがHuaが消滅した原因といえる。また、2θが44度付近に観察されるフリー層のfcc(111)のピークはRIE処理前後で変化していないことから、上述した条件でRIE処理を行うことで、フリー層140へ悪影響を与えず、反強磁性層142とフリー層140との間の交換結合力を消滅できることがわかる。
From this, it can be said that Hua disappeared because the crystallinity of IrMn was disturbed by the formation of fluoride in the GMR film. Moreover, since the peak of fcc (111) of the free layer observed when 2θ is around 44 degrees does not change before and after the RIE process, the RIE process is performed under the above-described conditions, and the free layer 140 is adversely affected. It can be seen that the exchange coupling force between the
他の反強磁性層であるPdPtMn材料においてもフッ素又は塩素によりHuaが消失することを確認しており、この結果から、NiMn,PtMn,PdPtMn,IrMnと等のマンガン系の反強磁性材料に対し、フッ素又は塩素によりGMR膜の磁界感知部の交換結合力を消失できることが容易に類推できる。 In other PdPtMn materials, which are antiferromagnetic layers, it has been confirmed that Hua disappears due to fluorine or chlorine. It can be easily analogized that the exchange coupling force of the magnetic field sensing part of the GMR film can be eliminated by fluorine or chlorine.
本発明は以下の付記を含むものである。 The present invention includes the following supplementary notes.
(付記1) 磁気抵抗センサであって、
第1の導体層と、
該第1の導体層上に配置されたフリー強磁性層と、
該フリー強磁性層上に配置された非磁性中間層と、
該非磁性中間層上に配置されたピンド強磁性層と、
該ピンド強磁性層上に配置された反強磁性層と、
該反強磁性層上に配置された第2の導体層とを具備し、
前記フリー強磁性層及びピンド強磁性層の少なくとも一方が、面内方向に電流を流した場合に最も大きな抵抗変化率或いは抵抗変化量が得られる層厚よりも厚い層厚を有していることを特徴とする磁気抵抗センサ。
(Appendix 1) A magnetoresistive sensor,
A first conductor layer;
A free ferromagnetic layer disposed on the first conductor layer;
A nonmagnetic interlayer disposed on the free ferromagnetic layer;
A pinned ferromagnetic layer disposed on the nonmagnetic intermediate layer;
An antiferromagnetic layer disposed on the pinned ferromagnetic layer;
A second conductor layer disposed on the antiferromagnetic layer,
At least one of the free ferromagnetic layer and the pinned ferromagnetic layer has a layer thickness that is thicker than a layer thickness at which the greatest resistance change rate or resistance change amount can be obtained when a current flows in the in-plane direction. A magnetoresistive sensor.
(付記2) 前記フリー強磁性層及びピンド強磁性層の少なくとも一方の層厚が、その層の磁化方向に対してスピン依存散乱されないスピン方向の伝導電子の平均自由行程の0.5〜2.0倍の範囲内である付記1記載の磁気抵抗センサ。
(Supplementary note 2) The thickness of at least one of the free ferromagnetic layer and the pinned ferromagnetic layer is 0.5 to 2 of the mean free path of conduction electrons in the spin direction that is not spin-dependently scattered with respect to the magnetization direction of the layer. The magnetoresistive sensor according to
(付記3) 前記フリー強磁性層及びピンド強磁性層の少なくとも一方の層厚が、3nm〜12nmの範囲内である付記2記載の磁気抵抗センサ。
(Supplementary note 3) The magnetoresistive sensor according to
(付記4) 前記ピンド強磁性層が積層フェリ構造である付記1記載の磁気抵抗センサ。
(Additional remark 4) The magnetoresistive sensor of
(付記5) 前記フリー強磁性層が積層フェリ構造である付記1記載の磁気抵抗センサ。
(Supplementary note 5) The magnetoresistive sensor according to
(付記6) 前記非磁性中間層の層厚が、面内方向に電流を流した場合に最も大きな抵抗変化率或いは抵抗変化量が得られる層厚よりも厚い付記1記載の磁気抵抗センサ。
(Additional remark 6) The magnetoresistive sensor of
(付記7) 前記非磁性中間層はCuから形成され、その層厚が4nm〜6nmの範囲内である付記5記載の磁気抵抗センサ。
(Additional remark 7) The said nonmagnetic intermediate | middle layer is formed from Cu, The magnetoresistive sensor of
(付記8) 前記フリー強磁性層及び前記ピンド強磁性層はCo,CoFe,CoFeB,NiFeからなる群から選択される付記3記載の磁気抵抗センサ。
(Supplementary note 8) The magnetoresistive sensor according to
(付記9) 磁気抵抗センサであって、
第1の導体層と、
該第1の導体層上に配置された第1反強磁性層と、
該第1反強磁性層上に配置された第1ピンド強磁性層と、
該第1ピンド強磁性層上に配置された第1非磁性中間層と、
該第1非磁性中間層上に配置されたフリー強磁性層と、
該フリー強磁性層上に配置された第2非磁性中間層と、
該第2非磁性中間層上に配置された第2ピンド強磁性層と、
該第2ピンド強磁性層上に配置された第2反強磁性層と、
該第2反強磁性層上に配置された第2の導体層と、
を具備したことを特徴とする磁気抵抗センサ。
(Appendix 9) A magnetoresistive sensor,
A first conductor layer;
A first antiferromagnetic layer disposed on the first conductor layer;
A first pinned ferromagnetic layer disposed on the first antiferromagnetic layer;
A first nonmagnetic interlayer disposed on the first pinned ferromagnetic layer;
A free ferromagnetic layer disposed on the first nonmagnetic intermediate layer;
A second nonmagnetic intermediate layer disposed on the free ferromagnetic layer;
A second pinned ferromagnetic layer disposed on the second nonmagnetic intermediate layer;
A second antiferromagnetic layer disposed on the second pinned ferromagnetic layer;
A second conductor layer disposed on the second antiferromagnetic layer;
A magnetoresistive sensor comprising:
(付記10) 前記第1ピンド強磁性層、前記第2ピンド強磁性層及び前記フリー強磁性層のうち少なくとも一つの層厚が3nm〜12nmの範囲内である付記9記載の磁気抵抗センサ。
(Supplementary note 10) The magnetoresistive sensor according to
(付記11) 前記第1及び第2ピンド強磁性層及び前記フリー強磁性層はCo,CoFe,CoFeB,NiFeからなる群から選択される付記10記載の磁気抵抗センサ。
(Supplementary note 11) The magnetoresistive sensor according to
(付記12) 前記第1及び第2ピンド強磁性層及び前記フリー強磁性層のうち少なくとも一つが積層フェリ構造である付記9記載の磁気抵抗センサ。
(Supplementary note 12) The magnetoresistive sensor according to
(付記13) 前記第1及び第2非磁性中間層はCuから構成され、その層厚が4nm〜6nmの範囲内である付記9記載の磁気抵抗センサ。
(Supplementary note 13) The magnetoresistive sensor according to
(付記14) 磁気抵抗センサであって、
第1の導体層と、
該第1の導体層上に配置された第1フリー強磁性層と、
該第1フリー強磁性層上に配置された第1非磁性中間層と、
該第1非磁性中間層上に配置された第1ピンド強磁性層と、
該第1ピンド強磁性層上に配置された反強磁性層と、
該反強磁性層上に配置された第2ピンド強磁性層と、
該第2ピンド強磁性層上に配置された第2非磁性中間層と、
該第2非磁性中間層上に配置された第2フリー強磁性層と、
を具備したことを特徴とする磁気抵抗センサ。
(Supplementary note 14) A magnetoresistive sensor,
A first conductor layer;
A first free ferromagnetic layer disposed on the first conductor layer;
A first nonmagnetic intermediate layer disposed on the first free ferromagnetic layer;
A first pinned ferromagnetic layer disposed on the first nonmagnetic interlayer;
An antiferromagnetic layer disposed on the first pinned ferromagnetic layer;
A second pinned ferromagnetic layer disposed on the antiferromagnetic layer;
A second nonmagnetic interlayer disposed on the second pinned ferromagnetic layer;
A second free ferromagnetic layer disposed on the second nonmagnetic intermediate layer;
A magnetoresistive sensor comprising:
(付記15) 第1の導体層と第2の導体層の間に磁気抵抗効果膜が配置された磁気抵抗センサであって、
前記磁気抵抗効果膜は、面内方向に電流を流した場合に最も大きな抵抗変化率或いは抵抗変化量が得られる層圧よりも厚い層圧を有していることを特徴とする磁気抵抗センサ。
(Supplementary Note 15) A magnetoresistive sensor in which a magnetoresistive film is disposed between a first conductor layer and a second conductor layer,
The magnetoresistive sensor according to
(付記16) 前記磁気抵抗効果膜はフリー強磁性層及びピンド強磁性層を有するスピンバルブ膜であり、
前記フリー強磁性層及びピンド強磁性層の少なくとも一方は、面内方向に電流を流した場合に最も大きな抵抗変化率又は抵抗変化量が得られることを特徴とする付記15記載の磁気抵抗センサ。
(Supplementary Note 16) The magnetoresistive film is a spin valve film having a free ferromagnetic layer and a pinned ferromagnetic layer,
The magnetoresistive sensor according to
(付記17) 記録媒体に記録された情報を再生する磁気抵抗ヘッドであって、
第1電極端子と、
記録媒体から漏洩する信号磁界の変化を抵抗変化に変換する、前記ヘッドの媒体対向面から後退して且つ前記第1電極端子上に設けられたスピンバルブ磁気抵抗素子と、
一端が前記ヘッドの媒体対向面に露出し、他端が前記スピンバルブ磁気抵抗素子の一端と重なって配置された、記録媒体からの磁束を前記スピンバルブ磁気抵抗素子に案内する第1フラックスガイドと、
一端が前記スピンバルブ磁気抵抗素子の他端と重なって配置された第2フラックスガイドと、
前記スピンバルブ磁気抵抗素子上に設けられた第2電極端子と、
を具備したことを特徴とする磁気抵抗ヘッド。
(Supplementary note 17) A magnetoresistive head for reproducing information recorded on a recording medium,
A first electrode terminal;
A spin-valve magnetoresistive element provided on the first electrode terminal that is retracted from the medium facing surface of the head and converts a change in the signal magnetic field leaking from the recording medium into a resistance change;
A first flux guide that has one end exposed at the medium facing surface of the head and the other end overlapped with one end of the spin valve magnetoresistive element to guide the magnetic flux from the recording medium to the spin valve magnetoresistive element; ,
A second flux guide having one end overlapped with the other end of the spin valve magnetoresistive element;
A second electrode terminal provided on the spin valve magnetoresistive element;
A magnetoresistive head comprising:
(付記18) 前記スピンバルブ磁気抵抗素子は、前記第1電極端子上に設けられたフリー強磁性層と、該フリー強磁性層上に設けられた非磁性中間層と、該非磁性中間層上に設けられたピンド強磁性層と、該ピンド強磁性層上に設けられた反強磁性層とを含んでいる付記17記載の磁気抵抗ヘッド。 (Supplementary Note 18) The spin valve magnetoresistive element includes a free ferromagnetic layer provided on the first electrode terminal, a nonmagnetic intermediate layer provided on the free ferromagnetic layer, and a nonmagnetic intermediate layer. 18. The magnetoresistive head according to appendix 17, comprising a pinned ferromagnetic layer provided and an antiferromagnetic layer provided on the pinned ferromagnetic layer.
(付記19) 前記第1及び第2フラックスガイドの少なくとも一方が前記スピンバルブ磁気抵抗素子に接触している付記17記載の磁気抵抗ヘッド。 (Supplementary note 19) The magnetoresistive head according to supplementary note 17, wherein at least one of the first and second flux guides is in contact with the spin valve magnetoresistive element.
(付記20) 前記第1電極端子の下方に配置された第1磁気シールドと、
前記第2電極端子上に配置された第2磁気シールドとを更に具備し、
前記第2フラックスガイドと前記第1磁気シールドとはフラックスパスを介して磁気的に結合している付記17記載の磁気抵抗ヘッド。
(Supplementary note 20) a first magnetic shield disposed below the first electrode terminal;
A second magnetic shield disposed on the second electrode terminal;
The magnetoresistive head according to claim 17, wherein the second flux guide and the first magnetic shield are magnetically coupled via a flux path.
(付記21) 前記第1及び第2電極端子のうち少なくとも一方が前記スピンバルブ磁気抵抗素子の膜面の一部に接触しており、該膜面内において前記一方の電極端子の方が前記スピンバルブ磁気抵抗素子よりも小さい付記17記載の磁気抵抗ヘッド。 (Supplementary Note 21) At least one of the first and second electrode terminals is in contact with a part of the film surface of the spin valve magnetoresistive element, and the one electrode terminal in the film surface is the spin electrode. 18. The magnetoresistive head according to appendix 17, which is smaller than the valve magnetoresistive element.
(付記22) 前記第1及び第2電極端子の他方の電極端子が前記スピンバルブ磁気抵抗素子の膜面の一部に接触しており、該第1及び第2電極端子はほぼ同一サイズである付記21記載の磁気抵抗ヘッド。 (Supplementary Note 22) The other electrode terminal of the first and second electrode terminals is in contact with a part of the film surface of the spin valve magnetoresistive element, and the first and second electrode terminals have substantially the same size. The magnetoresistive head according to appendix 21.
(付記23) 前記スピンバルブ磁気抵抗素子の両側に配置された磁区制御膜を更に具備し、
該磁区制御膜は高保磁力膜及び反強磁性膜の何れかから構成される付記17記載の磁気抵抗ヘッド。
(Supplementary note 23) Further comprising a magnetic domain control film disposed on both sides of the spin valve magnetoresistive element,
18. The magnetoresistive head according to appendix 17, wherein the magnetic domain control film is composed of either a high coercive force film or an antiferromagnetic film.
(付記24) 記録媒体に記録された情報を再生するスピンバルブ磁気抵抗ヘッドであって、
第1磁気シールドと、
該第1磁気シールド上に設けられた絶縁層と、
記録媒体から漏洩する信号磁界の変化を抵抗変化に変換する、前記ヘッドの媒体対向面から後退して且つ前記絶縁層上に設けられたスピンバルブ磁気抵抗素子と、
一端が前記ヘッドの媒体対向面に露出し、他端が前記スピンバルブ磁気抵抗素子の一端と重なって配置された、記録媒体からの磁束を前記スピンバルブ磁気抵抗素子に案内する第1フラックスガイドと、
一端が前記スピンバルブ磁気抵抗素子の他端と接触して配置された第2フラックスガイドと、
前記スピンバルブ磁気抵抗素子上に設けられた電極端子と、
該電極端子の上に配置された第2磁気シールドと、
前記第2フラックスガイドと前記第1磁気シールドとを接続するフラックスパスと、
を具備したことを特徴とする磁気抵抗ヘッド。
(Supplementary Note 24) A spin valve magnetoresistive head for reproducing information recorded on a recording medium,
A first magnetic shield;
An insulating layer provided on the first magnetic shield;
A spin-valve magnetoresistive element provided on the insulating layer and retreating from the medium facing surface of the head, which converts a change in the signal magnetic field leaking from the recording medium into a resistance change;
A first flux guide that has one end exposed at the medium facing surface of the head and the other end overlapped with one end of the spin valve magnetoresistive element to guide the magnetic flux from the recording medium to the spin valve magnetoresistive element; ,
A second flux guide having one end disposed in contact with the other end of the spin valve magnetoresistive element;
An electrode terminal provided on the spin valve magnetoresistive element;
A second magnetic shield disposed on the electrode terminal;
A flux path connecting the second flux guide and the first magnetic shield;
A magnetoresistive head comprising:
(付記25) 前記スピンバルブ磁気抵抗素子は、前記第2フラックスガイドの一端に部分的に接触して前記絶縁層上に設けられたフリー強磁性層と、該フリー強磁性層上に設けられた非磁性中間層と、該非磁性中間層上に設けられたピンド強磁性層と、該ピンド強磁性層上に設けられた反強磁性層とを含む付記24記載の磁気抵抗ヘッド。
(Supplementary Note 25) The spin valve magnetoresistive element is provided on a free ferromagnetic layer provided on the insulating layer in contact with one end of the second flux guide, and on the free ferromagnetic layer. 25. The magnetoresistive head according to
(付記26) 前記電極端子は、前記スピンバルブ磁気抵抗素子の膜面の一部に接触しており、該膜面内において前記電極端子は前記スピンバルブ磁気抵抗素子よりも小さい付記24記載の磁気抵抗ヘッド。
(Supplementary note 26) The magnetism according to
(付記27) 前記絶縁層上で且つ前記第1及び第2フラックスガイドの間に配置された非磁性層を更に具備し、
前記スピンバルブ磁気抵抗素子は前記非磁性層上に設けられている付記24記載の磁気抵抗ヘッド。
(Supplementary note 27) Further comprising a nonmagnetic layer disposed on the insulating layer and between the first and second flux guides,
25. The magnetoresistive head according to
(付記28) 前記スピンバルブ磁気抵抗素子の両側に配置された磁区制御膜を更に具備し、
該磁区制御膜は高保磁力膜及び反強磁性膜の何れかから構成される付記24記載の磁気抵抗ヘッド。
(Additional remark 28) It further comprises a magnetic domain control film disposed on both sides of the spin valve magnetoresistive element,
25. The magnetoresistive head according to
(付記29) 磁気抵抗センサであって、
第1反強磁性層と、
該第1反強磁性層上に配置されたピンド強磁性層と、
該ピンド強磁性層上に配置された非磁性中間層と、
該非磁性中間層上に配置されたフリー強磁性層と、
該フリー強磁性層上に配置された、交換結合力により該フリー強磁性層の磁区制御を行う第2反強磁性層とを具備し、
前記フリー強磁性層の磁界感知部と接する前記第2反強磁性層の部分が、該第2反強磁性層の構成元素とフッ素及び塩素からなる群から選択された反応性元素との化合物から構成されることを特徴とする磁気抵抗センサ。
(Supplementary note 29) A magnetoresistive sensor,
A first antiferromagnetic layer;
A pinned ferromagnetic layer disposed on the first antiferromagnetic layer;
A nonmagnetic interlayer disposed on the pinned ferromagnetic layer;
A free ferromagnetic layer disposed on the nonmagnetic intermediate layer;
A second antiferromagnetic layer disposed on the free ferromagnetic layer and performing magnetic domain control of the free ferromagnetic layer by an exchange coupling force;
The portion of the second antiferromagnetic layer in contact with the magnetic field sensing part of the free ferromagnetic layer is composed of a compound of a constituent element of the second antiferromagnetic layer and a reactive element selected from the group consisting of fluorine and chlorine. A magnetoresistive sensor comprising:
(付記30) 前記第2反強磁性層はマンガンと他の金属元素との合金から構成される付記29記載の磁気抵抗センサ。 (Additional remark 30) The said 2nd antiferromagnetic layer is a magnetoresistive sensor of Additional remark 29 comprised from the alloy of manganese and another metal element.
(付記31) 前記第2反強磁性層はNiMn,PtMn,PdPtMn,IrMnからなる群から選択される合金から構成される付記30記載の磁気抵抗センサ。
(Supplementary note 31) The magnetoresistive sensor according to
(付記32) 磁気抵抗センサの製造方法であって、
第1反強磁性層を形成し、
該第1反強磁性層上にピンド強磁性層を形成し、
該ピンド強磁性層上に非磁性中間層を形成し、
該非磁性中間層上にフリー強磁性層を形成し、
該フリー強磁性層上に、交換結合力により該フリー強磁性層の磁区制御を行う第2反強磁性層を形成し、
前記フリー強磁性層の磁界感知部と接する前記第2反強磁性層の部分に、フッ素及び塩素からなる群から選択される反応性元素ガスを照射することにより、前記部分に前記第2反強磁性層の構成元素と前記反応性元素との化合物を形成する、
各ステップから構成されることを特徴とする磁気抵抗センサの製造方法。
(Supplementary note 32) A method of manufacturing a magnetoresistive sensor,
Forming a first antiferromagnetic layer;
Forming a pinned ferromagnetic layer on the first antiferromagnetic layer;
Forming a nonmagnetic interlayer on the pinned ferromagnetic layer;
Forming a free ferromagnetic layer on the nonmagnetic intermediate layer;
Forming a second antiferromagnetic layer on the free ferromagnetic layer for controlling the magnetic domain of the free ferromagnetic layer by an exchange coupling force;
By irradiating the portion of the second antiferromagnetic layer in contact with the magnetic field sensing portion of the free ferromagnetic layer with a reactive element gas selected from the group consisting of fluorine and chlorine, the second antiferromagnetic layer is applied to the portion. Forming a compound of a constituent element of the magnetic layer and the reactive element;
A method of manufacturing a magnetoresistive sensor comprising each step.
2 基板
4 下端子
6 スピンバルブGMR膜
8 キャップ層
10 上端子
88 スピンバルブ磁気抵抗ヘッド
90 第1磁気シールド
94,98,110 電極
100 フラックスパス
102 第1フラックスガイド
104 第2フラックスガイド
106 スピンバルブ磁気抵抗素子(スピンバルブGMR膜)
114 第2磁気シールド
116 磁気記録媒体
2
114 Second
Claims (4)
第1反強磁性層と、
該第1反強磁性層上に配置されたピンド強磁性層と、
該ピンド強磁性層上に配置された非磁性中間層と、
該非磁性中間層上に配置されたフリー強磁性層と、
該フリー強磁性層上に配置された、交換結合力により該フリー強磁性層の磁区制御を行う第2反強磁性層とを具備し、
前記フリー強磁性層の磁界感知部と接する前記第2反強磁性層の部分が、該第2反強磁性層の構成元素とフッ素及び塩素からなる群から選択された反応性元素との化合物から構成されることを特徴とする磁気抵抗センサ。 A magnetoresistive sensor,
A first antiferromagnetic layer;
A pinned ferromagnetic layer disposed on the first antiferromagnetic layer;
A nonmagnetic interlayer disposed on the pinned ferromagnetic layer;
A free ferromagnetic layer disposed on the nonmagnetic intermediate layer;
A second antiferromagnetic layer disposed on the free ferromagnetic layer and performing magnetic domain control of the free ferromagnetic layer by an exchange coupling force;
The portion of the second antiferromagnetic layer in contact with the magnetic field sensing part of the free ferromagnetic layer is composed of a compound of a constituent element of the second antiferromagnetic layer and a reactive element selected from the group consisting of fluorine and chlorine. A magnetoresistive sensor comprising:
第1反強磁性層を形成し、
該第1反強磁性層上にピンド強磁性層を形成し、
該ピンド強磁性層上に非磁性中間層を形成し、
該非磁性中間層上にフリー強磁性層を形成し、
該フリー強磁性層上に、交換結合力により該フリー強磁性層の磁区制御を行う第2反強磁性層を形成し、
前記フリー強磁性層の磁界感知部と接する前記第2反強磁性層の部分に、フッ素及び塩素からなる群から選択される反応性元素ガスを照射することにより、前記部分に前記第2反強磁性層の構成元素と前記反応性元素との化合物を形成する、
各ステップから構成されることを特徴とする磁気抵抗センサの製造方法。 A method of manufacturing a magnetoresistive sensor, comprising:
Forming a first antiferromagnetic layer;
Forming a pinned ferromagnetic layer on the first antiferromagnetic layer;
Forming a nonmagnetic interlayer on the pinned ferromagnetic layer;
Forming a free ferromagnetic layer on the nonmagnetic intermediate layer;
Forming a second antiferromagnetic layer on the free ferromagnetic layer for controlling the magnetic domain of the free ferromagnetic layer by an exchange coupling force;
By irradiating the portion of the second antiferromagnetic layer in contact with the magnetic field sensing portion of the free ferromagnetic layer with a reactive element gas selected from the group consisting of fluorine and chlorine, the second antiferromagnetic layer is applied to the portion. Forming a compound of a constituent element of the magnetic layer and the reactive element;
A method of manufacturing a magnetoresistive sensor comprising each step.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005111655A JP3868975B2 (en) | 2005-04-08 | 2005-04-08 | Magnetoresistive sensor and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005111655A JP3868975B2 (en) | 2005-04-08 | 2005-04-08 | Magnetoresistive sensor and manufacturing method thereof |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000286327A Division JP2002092829A (en) | 2000-09-21 | 2000-09-21 | Magneto-resistive sensor and magneto-resistive head |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005244254A JP2005244254A (en) | 2005-09-08 |
JP3868975B2 true JP3868975B2 (en) | 2007-01-17 |
Family
ID=35025579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005111655A Expired - Fee Related JP3868975B2 (en) | 2005-04-08 | 2005-04-08 | Magnetoresistive sensor and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3868975B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4985006B2 (en) | 2007-03-20 | 2012-07-25 | 富士通株式会社 | Magnetoresistive element, magnetic multilayer structure, and method for manufacturing magnetic multilayer structure |
WO2009096012A1 (en) | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Fujitsu Limited | Magnetoresistance effect element, magnetic head, and information storage device |
JP6266899B2 (en) | 2013-05-28 | 2018-01-24 | スタンレー電気株式会社 | Liquid crystal display |
CN111929625B (en) * | 2020-08-13 | 2023-03-28 | 中国科学院微电子研究所 | Magnetic field sensor and testing method |
-
2005
- 2005-04-08 JP JP2005111655A patent/JP3868975B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005244254A (en) | 2005-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6995960B2 (en) | Spin valve magnetoresistive sensor having CPP structure | |
JP3590006B2 (en) | Magnetoresistive element, magnetic head, and magnetic reproducing device | |
US6724585B2 (en) | Magnetoresistive element and device utilizing magnetoresistance effect | |
JP3327375B2 (en) | Magnetoresistive transducer, method of manufacturing the same, and magnetic recording apparatus | |
KR100833923B1 (en) | Magneto resistance effect device | |
KR100841280B1 (en) | Magnetoresistance effect device, magnetic head, magnetic recording system, and magnetic random access memory | |
JP2004185676A (en) | Tunnel magneto-resistance effect head and magnetic disk device | |
JP2001291915A (en) | Magnetoresistance sensor element and its manufacturing method | |
JP2003309305A (en) | Magnetic detection element | |
JP2007531182A (en) | Stabilizer for film surface vertical conduction mode magnetoresistive head and manufacturing method thereof | |
US6765769B2 (en) | Magnetoresistive-effect thin film, magnetoresistive-effect element, and magnetoresistive-effect magnetic head | |
JP2006139886A (en) | Magnetoresistive effect magnetic head and its manufacturing method | |
JP3400750B2 (en) | Manufacturing method of tunnel magnetoresistive head | |
JP3868975B2 (en) | Magnetoresistive sensor and manufacturing method thereof | |
CN100367352C (en) | Magnetoresistive head and magnetic recording-reproducing apparatus | |
JP2001028108A (en) | Manufacture of magnetoresistive head | |
JP2008016738A (en) | Magnetoresistance effect element, magnetic head, magnetic recording and reproducing device, and magnetic memory | |
JP2009064528A (en) | Magnetoresistance effect head and manufacturing method thereof | |
JP4034319B2 (en) | Magnetoresistive head | |
JP2003204093A (en) | Magnetoresistive sensor | |
JP2004128026A (en) | Magnetoresistive effect element, magnetic head, magnetic recording device | |
JP2004178659A (en) | Spin valve head and magnetic recorder | |
JP3565484B2 (en) | Exchange coupling film, magnetoresistive element, magnetoresistive head, and method of manufacturing exchange coupling film | |
JP2004327880A (en) | Magnetic sensor, magnetic head, and magnetic recording equipment | |
JP2004207366A (en) | Cpp magnetoresistive element, method of manufacturing the same, and magnetic storage device provided therewith |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061010 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061011 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |