JP3861669B2 - マルチチップ回路モジュールの製造方法 - Google Patents
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- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数のICやLSI等の半導体チップを搭載するとともにこれらを接続する回路パターンや入出力端子等が形成されたマルチチップ回路モジュールの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えばパーソナルコンピュータ、携帯電話機、ビデオ機器、オーディオ機器等の各種デジタル電子機器には、各種のIC素子やLSI素子等の半導体チップを搭載したマルチチップ回路モジュールが備えられている。各種デジタル電子機器においては、回路パターンの微細化、ICパッケージの小型化や集積規模の飛躍的向上、多ピン化或いは実装方法の改善等によってマルチチップ回路モジュールの小型化、高機能化が図られることによって、小型軽量化或いは薄型化が図られるとともに高性能化、高機能化、多機能化、高速処理化等が図られている。
【0003】
マルチチップ回路モジュールには、例えばロジック機能とメモリ機能或いはアナログ機能とデジタル機能等のように異なる機能を混載したいわゆるシステムLSIを構成したものもある。マルチチップ回路モジュールには、各プロセスの機能ブロックを個別の半導体チップとして製造し、これら半導体チップを同一基板上に実装したいわゆるマルチチップ回路モジュールを構成したものもある。
【0004】
ところで、マルチチップ回路モジュールにおいては、さらに性能向上を図るためにはマイクロプロセッサやメモリチップ間の信号配線の高速化、高密度化がネックとなっており、また配線遅延の問題に対する対応も図らなければならない。マルチチップ回路モジュールにおいては、各素子(チップ)内でGHzを超えるクロック周波数の実現が図られても、チップ間での配線による信号遅延や反射等の問題のためにクロック周波数を一桁単位で下げなければならない。また、マルチチップ回路モジュールにおいては、信号配線の高速化、高密度化を図ることにより、例えば電磁妨害雑音(EMI:electoromagnetic interfefence)や電磁整合(EMC:electoromagnetic compatibility)の対策も必要となる。したがって、マルチチップ回路モジュールにおいては、チップ技術ばかりでなく、パッケージやボード等の実装技術を含めたシステム技術として全体で高集積化や高性能化を図る必要がある。
【0005】
従来例として図38に示したマルチチップ回路モジュールは、インタポーザ101の主面101a上に複数個の半導体チップ102A、102Bを搭載してなるフリップチップ型のマルチチップ回路モジュール100である。マルチチップ回路モジュール100は、インタポーザ101の表裏主面101a、101bに図示を省略するがそれぞれ適宜の回路パターンやランド、入出力端子等が形成されている。マルチチップ回路モジュール100は、インタポーザ101の主面101aに各半導体チップ102を所定のランド103上にそれぞれフリップチップ接続して搭載するとともに、アンダフィル104によって接続部位を被覆してなる。マルチチップ回路モジュール100には、インタポーザ101の主面101bに形成したランドにそれぞれはんだボール105が搭載されており、例えばマザー基板等に載置した状態でリフローはんだ処理を施してはんだボール105を溶融・固化することにより実装される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述したように従来のマルチチップ回路モジュール100は、複数個の半導体チップ102がインタポーザ101の主面101aに横並び状態に配列して実装されるが、各半導体チップ102間を接続する配線がインタポーザ101側に形成される回路パターンによって制約を受ける。マルチチップ回路モジュール100は、装置の多機能化、高速化等に伴って多くの半導体チップ102を備えるようになりますます多くの配線数が必要となっている。マルチチップ回路モジュール100は、一般的な基板製造技術で製造されるインタポーザ101に形成する配線パスのピッチが、製造条件等の制約によって最小でも約100μm程度と大きいことから、複数の半導体チップ102間で多くの接続を行う場合に大きな面積或いは多層化されたインタポーザ101を必要とするといった問題があった。
【0007】
マルチチップ回路モジュール100においては、多層化されたインタポーザ101を用いる場合に、ビアを介しての層間接続や各半導体チップ102間の接続が行われるが、加工条件からその孔径が最小でも約50μm程度であり、さらにランド径も最小で約50μm程度であるために大型のインタポーザ101を必要とするといった問題があった。マルチチップ回路モジュール100は、このために各半導体チップ102間を接続するインタポーザ101に形成される配線パスが長くなるとともに多くのビアが形成され、L・C・R成分が大きくなるといった問題があった。
【0008】
マルチチップ回路モジュール100は、インタポーザ101の一方主面に複数個の半導体チップ102を実装するとともに、他方主面がマザー基板等に実装するための実装面とされて多数個の接続用バンプが形成される。したがって、マルチチップ回路モジュール100は、実装面側に半導体チップ102や他の電子部品等が実装されない片面実装型として構成されるために、半導体チップ102の周辺回路の取り込みや高密度実装化が困難であるといった問題があった。
【0009】
したがって、本発明は、微細かつ高密度の回路パターンを多層配線部内に高精度に形成しかつ薄型化と半導体チップの配線長の短縮化を図り、高速処理化や信頼性の向上を図ったマルチチップ回路モジュールの製造方法を提供することを目的に提案されたものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成する本発明にかかるマルチチップ回路モジュールの製造方法は、平坦化された第1のベース基板の主面上に、均一な厚みを有する剥離層を形成する剥離層形成工程と、上記第1のベース基板の剥離層上に絶縁層を形成するとともに、この絶縁層内に所定の回路パターンを形成してなる単位配線層を形成する単位配線層形成工程と、上記単位配線層の表面を平坦化する平坦化処理工程と、平坦化された上記単位配線層上に絶縁層を形成するとともに、この絶縁層内に所定の回路パターンを形成しかつその表面に平坦化処理が施された単位配線層をビア−オン−ビア構造によって互いに層間接続して順次多層に形成する多層配線部形成工程と、上記多層配線部の最上層単位配線層の主面に少なくとも1個以上の第1の半導体チップを実装する半導体チップ実装工程と、上記最上層単位配線層の主面に上記第1の半導体チップを封止する第1の封止樹脂層を形成する封止樹脂層形成工程と、上記第1の半導体チップまで研磨する研磨処理を上記第1の封止樹脂層に施す第1研磨工程とを経て、その配線長を短縮化したマルチチップ回路モジュールを製造するマルチチップ回路モジュールの製造方法において、上記単位配線層形成工程が、上記最上層単位配線層の接続端子部に第1の接続端子を形成する第1接続端子形成工程を有するとともに、上記第1研磨工程が、上記第1の封止樹脂層を研磨して上記第1の半導体チップと上記第1の接続端子を露出させる工程であり、上記第1研磨工程の後段工程として、上記最上層単位配線層の主面上に平坦な主面上に剥離層を形成した第2のベース基板を接合する第2ベース基板接合工程と、上記最下層単位配線層から上記剥離層を介して上記第1のベース基板を剥離する第1ベース基板剥離工程と、上記最下層単位配線層の接続端子部に第2の接続端子を形成する第2接続端子形成工程と、少なくとも1個の第2の半導体チップを実装する第2半導体チップ実装工程と、上記最下層単位配線層の上記第2の接続端子と上記第2の半導体チップとを封止する第2の封止樹脂層を形成する第2封止樹脂形成工程と、上記第2の封止樹脂層を研磨することによって上記第2の半導体チップと上記第2の接続端子を露出させる第2研磨工程とが施され、上記第2研磨工程の後段工程として、上記最上層単位配線層から上記剥離層を介して上記第2のベース基板を剥離する第2ベース基板剥離工程とが施されることにより、上記多層配線部の表裏主面にそれぞれ薄型化された第1の半導体チップ及び第2の半導体チップが、配線長を短縮されて搭載されてなるマルチチップ回路モジュールを製造することを特徴とする。
【0011】
上述した工程を備えるマルチチップ回路モジュールの製造方法によれば、各単位配線層が平坦化処理を施こされており下層単位配線層上に上層の単位配線層をビア−オン−ビア構造によって積層形成して多層配線部が形成されることから、各半導体チップ間における大容量、高速、高密度バスに対応した微細かつ高密度の回路パターンを構成する高精度の多層配線部を有して各半導体チップ間の配線長の短縮化を図ったマルチチップ回路モジュールが製造される。マルチチップ回路モジュールの製造方法によれば、剥離工程を施されて多層配線部から厚みを有するベース基板が剥離されるとともに封止樹脂層に研磨処理が施こされて半導体チップが研磨されることによって、大幅に薄型化されたマルチチップ回路モジュールが製造される。マルチチップ回路モジュールの製造方法によれば、剛体部を構成するベース基板を有していないが多層配線部上に形成された封止樹脂層と研磨された半導体チップとが剛体部を構成することによりマザー基板等への実装のための取扱いも従来とほぼ同様にして行われる薄型化されたマルチチップ回路モジュールが製造される。
【0012】
マルチチップ回路モジュールの製造方法によれば、第1のベース基板が剥離された多層配線部の第1の主面側にも研磨されて薄型化された半導体チップが搭載され、接続端子が設けられることで、多層配線部の表裏主面にそれぞれ接続端子と薄型化された半導体チップを実装し小型化、薄型化が図られるとともに高精度で多機能化が図られたマルチチップ回路モジュールが製造される。マルチチップ回路モジュールの製造方法によれば、多層配線部を挟んで両面に実装された各半導体チップ間が、多層配線部内に形成された微細で高密度の回路パターンを介して最短で接続されることによって伝送される信号の減衰が低減されるとともに信号遅延が最小限とされたマルチチップ回路モジュールが製造される。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。本発明の製造方法により製造されるマルチチップ回路モジュール(以下、単に回路モジュールと略称する)1は、例えば情報通信機能やストレージ機能等を有して、パーソナルコンピュータ、携帯電話機或いはオーディオ機器等の各種電子機器に搭載され、或いはオプションとして挿脱される超小型通信機能モジュール体の高周波回路を構成する。回路モジュール1は、詳細を省略するが、送受信信号からいったん中間周波数に変換するようにしたスーパーへテロダイン方式による高周波送受信回路部或いは中間周波数への変換を行わずに情報信号の送受信を行うようにしたダイレクトコンバージョン方式による高周波送受信回路部等が形成されてなる。
【0014】
回路モジュール1は、図1に示すように、第1の主面2aにインタポーザ3上に実装するための多数個の実装用バンプ4が形成された多層配線部2と、この多層配線部2の第2の主面2bに形成された多数個の半導体実装用バンプ5を介して搭載された複数個(図では2個)の半導体チップ(LSI)6A、6Bと、これら半導体チップ6を封止する封止樹脂層7とから構成される。回路モジュール1は、多層配線部2が、詳細を後述する工程を経て第1層単位配線層8、すなわち、最下層単位配線層の主面上に第2層単位配線層9を積層形成し、以下第2層単位配線層9の主面上に第3層単位配線層10乃至第5層単位配線層12が順次積層形成さることによって例えば5層構造によって構成されている。
【0015】
回路モジュール1は、多層配線部2が、第1層単位配線層8乃至第5層単位配線層12の全層或いは上下層や複数層を貫通する適宜のビア13によって所定の層間接続がなされてなる。回路モジュール1は、詳細を後述するように多層配線部2の各単位配線層に、下層単位配線層のビア上に上層単位配線層のビアを直接形成するいわゆるビア−オン−ビア(Via-on-Via)構造が備えられている。回路モジュール1は、インタポーザ3に実装されることによってこのインタポーザ3側の回路部から多層配線部2に所定の信号や電源の供給が行われる。
【0016】
したがって、回路モジュール1は、インタポーザ3と多層配線部2の第2の主面2b上に実装された各半導体チップ6とがビア13を介して直接接続されることによって配線長の短縮化が図られてなる。回路モジュール1は、インタポーザ3と各半導体チップ6との間の伝送信号の減衰が低減されるとともに、信号遅延を最小限とした接続が行われる。
【0017】
回路モジュール1は、詳細を後述するように半導体チップ6と封止樹脂層7とに研磨処理を施して薄型化することにより、全体の薄型化が図られている。回路モジュール1は、詳細を後述するように多層配線部2が、平坦な主面を有する剥離層21を設けた第1のベース基板20上に第1層単位配線層8乃至第5層単位配線層12が積層形成される。第1のベース基板20は、所定の工程を経た後に多層配線部2が剥離層21を介して剥離される。第1のベース基板20は、必要に応じて再利用される。
【0018】
回路モジュール1は、多層配線部2が、詳細を後述するように第1層単位配線層8乃至第5層単位配線層12をそれぞれの主面に平坦化処理を施し、平坦化された主面上に上層の単位配線層がそれぞれ積層形成されてなる。したがって、回路モジュール1は、各単位配線層がその回路パターンを高精度にかつ高密度化に形成されるとともに、薄型化が図られてなる。回路モジュール1は、多層配線部2が薄型化されることによって、各半導体チップ6の配線長がさらに短縮化されてなる。
【0019】
回路モジュール1には、多層配線部2内に、薄膜技術や厚膜技術によってキャパシタ素子14や抵抗体素子15或いはインダクタ素子16が成膜形成されてなる。キャパシタ素子14は、例えばデカップリングキャパシタやDCカット用のキャパシタであり、タンタルオキサイト(TaO)膜により構成される。なお、キャパシタ素子14は、例えば窒化タンタル(TaN)膜により構成することも可能である。抵抗体素子15は、例えば終端抵抗用の抵抗体であり、窒化タンタル膜により構成される。回路モジュール1は、上述したように第1層単位配線層8乃至第5層単位配線層12がそれぞれ表面に平坦化処理を施された下層の単位配線層上に積層形成されることから、高精度のキャパシタ素子14や抵抗体素子15或いはインダクタ素子16の形成が可能となる。回路モジュール1は、従来チップ部品によって対応していたキャパシタや抵抗体を多層配線部2内に薄膜形成することにより、極めて小型でかつ高性能の受動素子の搭載が可能である。
【0020】
回路モジュール1は、詳細を後述するように各単位配線層が、それぞれ絶縁層と、この絶縁層に形成された上述した各素子を含む回路パターンとからなる。回路モジュール1は、回路パターンが絶縁層に導電性に優れたCuめっきを施して形成されてなる。回路モジュール1は、各単位配線層が、回路パターンの対応部位を微細な凹溝によって形成した後に表面全体にCuめっきを施し、めっき層とともに絶縁層を研磨して主面の平坦化が行われる。各単位配線層には、絶縁層の所定の位置に予めビアホールが形成されており、Cuめっきを施すことによりビアホール内にもCuめっき層が形成されて層間接続用のビア13が形成される。
【0021】
以上のように構成された回路モジュール1は、第1のベース基板20上に第1層単位配線層8乃至第5層単位配線層12を積層して上述した多層配線部2を形成する多層配線部形成工程と、この多層配線部2上に半導体チップ6を実装する半導体チップ実装工程と、半導体チップ6を封止樹脂層7によって封止する封止樹脂層形成工程とを経て製造される。さらに、回路モジュール1は、半導体チップ6と封止樹脂層7とを同時に研磨する研磨工程と、第1のベース基板20から多層配線部2を剥離する剥離工程とを経て製造される。
【0022】
回路モジュール1は、第1のベース基板20の剥離工程の前工程として表面研磨された封止樹脂層7上に第2のベース基板40が接合され、この第2のベース基板40を支持基板として後処理工程が施される。回路モジュール1は、詳細を後述する各工程を経て製造されることにより、従来の配線基板の製造工程に採用される印刷法や湿式エッチング法等と比較して面積サイズを約1/10程度まで縮小することが可能とされるとともに、使用限界周波数帯域を20GHzまで高めた高周波回路の製造を可能とする。
【0023】
回路モジュール1は、多層配線部2を構成する第1層単位配線層8乃至第5層単位配線層12が例えば5μm程度の厚みを以って形成することが可能であることから、多層配線部2の全体の厚みも数十μm程度までに押さえることが可能となる。回路モジュール1は、半導体チップ6も精密かつ最大限に研磨して100μm程度の厚みとすることが可能であることから、大幅な薄型化が図られるようになる。回路モジュール1は、ビア径も数μmと微小かつ精密に形成することが可能であるとともに、回路パターンも数μmレベルと非常に微細に形成することが可能である。回路モジュール1は、平坦化されて多層に形成された第1層単位配線層8乃至第5層単位配線層12を備えることで、例えば上下層をグランドで挟まれたマイクロストリップラインを形成する等のインピーダンス制御された回路パターンを容易に形成することが可能である。
【0024】
回路モジュール1の製造工程においては、図2に示した第1のベース基板20が供給される。第1のベース基板20は、耐熱特性や耐薬品特性を有し、高精度の平坦面の形成が可能であるとともに機械的剛性を有する例えばSi基板やガラス基板、石英基板等の基板材によって形成される。第1のベース基板20は、かかる基板材を用いることによって、後述するスパッタリング処理時の表面温度の上昇に対して熱変化が抑制され、またリソグラフ処理時の焦点深度の保持、マスキングのコンタクトアライメント特性の向上が図られるようにして高精度の回路モジュール1が製造されるようにする。なお、第1のベース基板20は、上述した基板材ばかりでなく平坦化処理を施された他の適宜の基板材を用いてもよい。
【0025】
第1のベース基板20は、研磨処理を施して主面20aが高精度の平坦面として構成されてなり、この主面20a上に剥離層21が成膜形成される。剥離層21は、例えばスパッタリング法や化学蒸着法(CVD:Chemical Vapor Deposition)等によって第1のベース基板20の主面20a上に1000単位程度の均一な厚みを有して全面に亘って形成された銅やアルミニウム等の金属薄膜層22と、この金属薄膜層22上に例えばスピンコート法等によって1μm〜2μm程度の厚みを有して全面に亘って形成されたポリイミド樹脂等の樹脂薄膜層23からなる。剥離層21は、後述する剥離工程において、第1層単位配線層8を剥離面として多層配線部2が第1のベース基板20から剥離されるようにする。
【0026】
第1層単位配線層8の製造工程は、第1のベース基板20の剥離層21上に第1の絶縁層24を成膜形成する工程を第1の工程とする。第1の絶縁層24は、低誘電率で低いTanδ、すなわち高周波特性に優れかつ耐熱特性や耐薬品特性を有する、例えばポリイミド、ベンゾシクロブテン(BCB)、液晶ポリマ(LCP)、ポリノルボルネン(PNB)、ビスマレイドトリアジン(BT−レジン)、ポリフェニールエチレン(PPE)或いはエポキシ樹脂やアクリル系樹脂等の絶縁性誘電材料が用いられる。なお、第1の絶縁層24は、上述した特性を有する適宜の絶縁材によって成膜形成される。
【0027】
第1の絶縁層24は、図3に示すように剥離層21上にビアの対応部位を開口部24aとして残して上述した液状の絶縁材を用いて均一な厚みに成膜形成される。第1の絶縁層24は、具体的には液状の絶縁材を剥離層21上に、塗布均一性、厚み制御性が保持される例えばスピンコート法、カーテンコート法、ロールコート法或いはディップコート法等によって塗布して均一な厚みの全面絶縁層を成膜形成した後に、パターニング処理が施されて形成される。第1の絶縁層24は、感光性の絶縁材を用いた場合には、全面絶縁層に例えばフォトリソグラフィ技術によるパターニング処理を施して形成される。第1の絶縁層24は、非感光性の絶縁材を用いた場合には、全面絶縁層に例えばフォトリソグラフィ技術とドライエッチング処理或いはレーザ加工によるパターニング処理を施して形成される。
【0028】
第1層単位配線層8の製造工程は、第1の絶縁層24に第1の回路パターン25を形成するためにエッチング処理を施す工程を第2の工程とする。第1の絶縁層24には、図4に示すように第1の回路パターン25に対応して所定の開口部26aが形成されたエッチングマスク26が位置決めされて接合される。エッチング処理としては、例えば酸素プラズマによる方向性イオンエッチング法(RIE:Reactive Ion Etching)等のドライエッチングが施されて、図5に示すように第1の絶縁層24に第1の回路パターン25に対応した配線溝27が形成される。各配線溝27は、剥離層21上に第1の絶縁層24の一部を残す深さを以って凹設されてなる。
【0029】
第1層単位配線層8の製造工程は、上述した工程を経て配線溝27が形成された第1の絶縁層24に金属めっき処理を施す工程を第3の工程とする。第1の回路パターン25は、例えば回路モジュール1においてグランドや電源部を構成する場合にはある程度の厚みを有することが好ましく、金属めっき処理によって厚膜形成してもよい。金属めっき処理は、電解めっき或いは無電解めっきのいずれであってもよく、図6に示すように配線溝27を含む第1の絶縁層24の全面及びその開口部24aを介して露出された剥離層21上までの全域に亘って所定の厚みを有する金属めっき層28を形成する。金属めっき処理は、電解めっきによって金属めっき層28を形成する場合に、剥離層21が電圧印加電極として作用する。金属めっき処理は、導電率に優れた銅めっき層28を形成する銅めっきによって行われる。
【0030】
第1層単位配線層8の製造工程は、銅めっき層28を研磨して表面を平坦化する工程を第4の工程とする。平坦化処理は、銅めっき層28と第1の絶縁層24の一部を研磨することによって、図7に示すように第1層単位配線層8の表面8aを精度の高い平坦面に形成する。研磨工程は、材質を異にする第1の絶縁層24と銅めっき層28とに同時に研磨を施すことから、例えば化学−機械研磨方法(CMP:Chemical-Mechanical Polishing)が用いられる。CMPは、銅めっき層28の研磨レートを大きくするような研磨の大きな選択性を有しており、高精度の平坦性を有する研磨面を構成する。
【0031】
第1層単位配線層8は、上述したように第1の絶縁層24に配線溝27が凹設され、全面に亘って成膜形成した銅めっき層28を第1の絶縁層24が露出するまでCMP処理を施すことにより、平坦化された第1の回路パターン25が形成される。第1層単位配線層8は、図7に示すようにビアに対応する開口部24aにも銅めっきが充填されることにより層間接続ビア13が同時に形成される。第1層単位配線層8は、この層間接続ビア13の表面も高精度に平坦化されることから、後述する各単位配線層製造工程を経てその上部に上層の第2単位配線層9乃至第5単位配線層12の層間接続ビアを直接形成することが可能となり、上述したようにビア−オン−ビア構造を構成する。ビア−オン−ビアは、第1の単位配線層8乃至第5単位配線層12間を最短の配線長を以って接続することで、多層配線部2とインタポーザ3とを最短の配線長とする。
【0032】
第1層単位配線層8には、素子形成工程が施されて、その表面8a上にキャパシタ素子14と抵抗体素子15とが成膜形成される。なお、素子形成工程においては、必要に応じてインダクタ素子も成膜形成するようにしてもよい。素子形成工程は、例えば陽極酸化TaOキャパシタ素子14及びTaN抵抗体素子15とを成膜形成する。素子形成工程は、例えばスパッタリング法やCVD法等によって、図8に示すように第1層単位配線層8の表面8a上に全面に亘って窒化タンタル(TaN)層30を成膜形成する工程を第1の工程とする。
【0033】
素子形成工程は、図9に示すようにTaN層30上に、キャパシタ素子14の形成領域に対応して開口部31aが形成された素子形成用マスク31を形成する工程を第2の工程とする。素子形成用マスク31は、一般的なフォトレジスト材をTaN層30上にコーティングすることによって形成され、厚さが約10μm以上に厚膜形成される。素子形成工程は、TaN層30に陽極酸化処理を施すことにより、図10に示すように第1の回路パターン25の一部に形成されたキャパシタ素子14の下電極上にTaO層32を形成する工程を第3の工程とする。陽極酸化処理は、例えばホウ酸アンモニウム溶液中でTaN層30をシードメタル材として50V乃至200V程度の電圧を印加することによって、素子形成用マスク31の開口部31aに対応したTaN層30上にTaO層32を成膜形成する。TaO層32は、キャパシタ素子14の誘電体膜を構成する。
【0034】
素子形成工程は、TaN層30に所定のパターニング処理を施してキャパシタ素子14と抵抗体素子15とをパターン形成する工程を第4の工程とする。パターニング処理は、例えばTaN層30に必要なパターンに対応してマスキングを行い、フォトリソグラフィ技術によって不要なTaN層30を除去する。第1層単位配線層8には、図11に示すようにその表面8a上にキャパシタ素子14の形成領域に対応してTaO層32が形成されるとともに、抵抗体素子15の形成領域に対応してTaN層30の一部が残されて抵抗体素子パターン33が形成される。
【0035】
素子形成工程は、図12に示すようにキャパシタ素子14の形成領域に対応した部位に、上部電極34を形成する工程を第5の工程とする。上部電極形成工程は、例えばキャパシタ素子14の形成領域に対応した部位を開口したマスキングを施した状態で、リフトオフ法によって銅層とニッケル層とからなる上部電極34を形成する。なお、上部電極形成工程は、例えばウェットエッチング法によって上部電極34を形成するようにしてもよい。素子形成工程においては、上述したように第1層単位配線層8の表面8a上にキャパシタ素子14と抵抗体素子15とが同時に成膜形成される。
【0036】
回路モジュール1の製造工程においては、上述したように耐熱特性や耐薬品特性を有し高精度の平坦面を以って構成された第1のベース基板20上に第1層単位配線層8を形成するとともに、この第1層単位配線層8に平坦化処理を施してなる。したがって、素子形成工程は、スパッタリング時の熱やエッチングの薬品等による影響を受けることなく、フォトリソグラフィ時の焦点深度やマスキング時のコンタクトアライメントが保持されて、第1層単位配線層8上に高精度のキャパシタ素子14と抵抗体素子15とが同時に成膜形成される。
【0037】
素子形成工程は、上述した第1の工程乃至第5の工程に限定されものでは無く、例えばTaN層30を成膜形成した後に素子形成用マスク31を用いずにキャパシタ素子14と抵抗体素子15とを同時に成膜形成することも可能である。素子形成工程においては、TaN層30を成膜形成した第1層単位配線層8に対して陽極酸化処理を施すことにより、図13に示すようにTaN層30上に全面に亘って所定の厚みを有するTaO層35を成膜形成する。素子形成工程においては、TaN層30とTaO層35に対して所定のパターニング処理を施すことによって、図14に示すようにキャパシタ素子14の上電極34を形成することによって、キャパシタ素子14と抵抗体素子15とを同時に成膜形成する。なお、抵抗体素子15は、TaO膜付のTaN層30によって構成される。
【0038】
素子形成工程は、後述する各単位配線層内にキャパシタ素子14と抵抗体素子15とが存在しない場合には、これら素子をそれぞれ独自の工程によって成膜形成することは勿論である。キャパシタ素子14は、誘電体層を例えばスパッタリング法やCVD法等によって回路パターン上に直接薄膜形成するようにしてもよい。また、抵抗体素子15も、例えば回路パターンの形成部位にTaNやTa或いはNi−Cr、RuO2等の抵抗体素子形成材料をフォトリソグラフィ技術、スパッタリング法或いはCVD法等によって、キャパシタ素子14と別工程により成膜形成される。
【0039】
回路モジュール1の製造工程においては、上述した第1層単位配線層8の製造工程と同様に、第2の絶縁層形成工程−エッチング工程−配線溝形成工程−めっき工程−平坦化工程とを経て第2層単位配線層9が積層形成される。キャパシタ素子14と抵抗体素子15は、第2層単位配線層9を構成する第2の絶縁層36によって被覆される。第2の絶縁層36は、配線溝が形成されるとともに平坦化工程によるCMP処理が施されるが、キャパシタ素子14や抵抗体素子15が配線溝や表面に露出されずに被覆状態を保持される厚みを以って形成される。第2層単位配線層9にも、第2の回路パターンの一部にキャパシタ素子14Bと抵抗体素子15Bとが成膜形成されるとともに、凹設したスパイラルパターンにめっき処理を施してなるインダクタ素子16Bが形成されている。
【0040】
多層配線部2の製造工程においては、第2層単位配線層9の平坦化された表面上に上述した各工程を経て第3層単位配線層10が積層形成されるとともに、以下第3層単位配線層10上に第4層単位配線層11が積層形成され、第4層単位配線層11上に第5層単位配線層12が積層形成されることによって、図15に示すように第1のベース基板20上に5層の単位配線層からなる多層配線部2が構成される。
【0041】
多層配線部2には、第3層単位配線層10の第3の回路パターン内にキャパシタ素子14Cと抵抗体素子15Cとが成膜形成されている。多層配線部2には、第4層単位配線層11の第4の回路パターン内にインダクタ素子16Dが形成されるとともに、キャパシタ素子14Dと抵抗体素子15Dとが成膜形成されている。第5層単位配線層12は、その表面12aが多層配線部2の第2の主面2bを構成し、第5の回路パターンが絶縁層と同一面を構成して形成されている。多層配線部2には、第5層単位配線層12の第5の回路パターン内に後述する実装工程により半導体チップ6を実装するための多数個の電極パッド37や他の電子部品或いは他のモジュールとの接続等を行うための接続端子部38が形成されている。
【0042】
多層配線部2の製造工程においては、上述したように平坦化処理を施した下層の単位配線層の表面上に上層の単位配線層を積層形成することから、下層の回路パターンの厚みが累積して上層に形成される単位配線層に影響を及ぼすことは無く、反りやうねり或いは凹凸の無い第5層単位配線層12が形成される。したがって、多層配線部2の製造工程においては、さらに多層の単位配線層を備えた多層配線部2を、高精度にかつ薄型化を図って形成することを可能とする。多層配線部2の製造工程においては、第5層単位配線層12が、第4層単位配線層11の平坦化処理を施した表面11a上に積層形成されることから狭ピッチ化を図った電極パッド37を高精度に形成することを可能とする。なお、多層配線部2の製造工程においては、電極パッド37と接続端子部38とに対して例えば無電解ニッケル/銅メッキを施して端子形成が行われる。
【0043】
以上の工程を経て製造された多層配線部2には、第2の主面2b、すなわち第5層単位配線層12の表面12a上に各半導体チップ6を実装する半導体チップ実装工程が施される。半導体チップ実装工程は、第5層単位配線層12に形成した各電極パッド37にそれぞれはんだバンプ39を取り付ける工程と、半導体チップ6を位置決めして載置した後にはんだ処理を施す工程とからなる。半導体チップ実装工程は、これら工程を経て、図16に示すように第5層単位配線層12上に各半導体チップ6を実装する。各半導体チップ6は、高精度に形成された第5層単位配線層12の表面12a上にフリップチップボンディング法により高精度に実装される。なお、半導体チップ実装工程は、かかるフリップチップボンディング法ばかりでなく、例えばTAB(Tape Automated Bonding)法やビームリードボンディング法等のフェースダウン実装法等によって第5層単位配線層12上に半導体チップ6を実装するようにしてもよい。
【0044】
回路モジュール1の製造工程は、半導体チップ実装工程の後工程として、封止樹脂層7によって各半導体チップ6を封止する封止樹脂層形成工程が施される。封止樹脂層形成工程は、例えばトランスファーモールド法や印刷法等によって、図17に示すように各半導体チップ6を含んで多層配線部2の第2の主面2bを所定の厚みを以って全面に亘って封止する封止樹脂層7を形成する。封止樹脂層7には、例えばエポキシ系樹脂等のように熱硬化収縮率の小さな樹脂材が用いられることにより、硬化後に第1のベース基板20に反り等を生じさせる応力の発生が抑制されるようにする。
【0045】
回路モジュール1の製造工程においては、多層配線部2の第2の主面2b上に形成した封止樹脂層7を所定の厚みまで研磨する研磨工程が施される。研磨工程は、例えばグラインダを用いた機械研磨法、ウェットエッチングによる化学研磨法或いは機械研磨法と化学研磨法とを併用したCMP等によって行われ、封止樹脂層7とともに各半導体チップ6を機能に支障の無い最大範囲でその表面を研磨することにより図18に示すように薄型化する。研磨工程は、第1のベース基板20を支持基板として各半導体チップ6を封止樹脂層7によって封止した状態で研磨処理を施すことにより、各半導体チップ6にエッジ欠け等の損傷を生じさせることなく最大限でかつ精密な研磨が行われる。
【0046】
回路モジュール1の製造工程においては、図19に示すように研磨処理が施された封止樹脂層7の表面7a上に、剥離層41を介して第2のベース基板40を接合する工程が施される。第2のベース基板40は、機械的剛性を有し、その主面40aが平坦面として構成されてなる。第2のベース基板40は、後述するように多層配線部2の第1の主面2aに接続端子の形成等の所定の処理を施す後工程に際して支持基板を構成することから、その処理内容に対して所定の耐性を有する基板材によって形成される。第2のベース基板40は、例えばSi基板やガラス基板、石英基板等を用いてもよいが、特にその材質に限定されるものでは無く適宜の材質からなる基板材によって形成される。
【0047】
剥離層41も、上述した第1のベース基板20の剥離層21と同様に、例えばスパッタリング法やCVD法等によって第2のベース基板40の主面40a上に均一な厚みを有して形成された銅やアルミニウム等の金属薄膜層42と、この金属薄膜層42上に例えばスピンコート法等によって均一な厚みを有して形成されたポリイミド樹脂等の樹脂薄膜層43からなる。剥離層41は、樹脂薄膜層43が封止樹脂層7の表面7aと接合されるとともに、後述する剥離工程において封止樹脂層7の表面7aを剥離面として多層配線部2が第2のベース基板40から剥離されるようにする。
【0048】
回路モジュール1の製造工程においては、図20に示すように多層配線部2から第1のベース基板20を剥離する剥離工程が施される。剥離工程においては、上述した各工程を経て製造された回路モジュール1の中間体を例えば塩酸等の酸性溶液中に浸漬させる。回路モジュール1の中間体は、剥離層21の金属薄膜層22と樹脂薄膜層23との界面で剥離が進行し、多層配線部2が第1の主面2aに樹脂薄膜層23を残した状態で第1のベース基板20から剥離される。
【0049】
なお、剥離工程は、回路モジュール1の中間体を例えば硝酸溶液中に浸漬させた場合に、硝酸溶液が金属薄膜層22をわずかに溶解させつつ樹脂薄膜層23との間に浸入することによって多層配線部2と第1のベース基板20との剥離を行う。したがって、回路モジュール1には、第1層単位配線層8に予め保護層を形成するようにしてもよい。また、剥離工程は、例えばレーザアブレーション処理を施すことによって、多層配線部2を第1のベース基板20から剥離するようにしてもよい。
【0050】
回路モジュール1の製造工程においては、上述したように剥離工程により第1のベース基板20から剥離された多層配線部2の第1の主面2aに残留した樹脂薄膜層23の除去処理が施される。除去処理は、例えば酸素プラズマによるドライエッチング法等によって行われる。多層配線部2は、これによって第1層単位配線層8の第1の回路パターン25内に形成され接続端子部25aやランド25bが外方に露出する。多層配線部2は、上述したように第1層単位配線層8が第1のベース基板20の平坦面とされた主面20a上に形成されるために、この第1層単位配線層8の露出された第2の表面8bも高精度の平坦面として構成されてなる。
【0051】
回路モジュール1の製造工程においては、多層配線部2の第1の主面2aに端子形成処理が施される。すなわち、多層配線部2には、図21に示すように露出された第1層単位配線層8の接続端子部25aやランド25b上にそれぞれ接続用のはんだバンプ44が取り付けられる。はんだバンプ44は、回路モジュール1をインタポーザ3に実装する際の接続材を構成し、例えば電解めっきや無電解めっきにより表面にAu−Ni層を形成するようにしてもよい。回路モジュール1の製造工程においては、上述したように第2のベース基板40を支持基板として多層配線部2に撓みの無い状態に保持し、高精度の第1層単位配線層8に各はんだバンプ44の取り付けが行われるようにする。
【0052】
回路モジュール1の製造工程においては、上述した第1のベース基板20の剥離工程と同様にして、図22に示すように多層配線部2を第2のベース基板40から剥離する剥離工程が施される。すなわち、剥離工程は、回路モジュール1の中間体を塩酸等の酸性溶液中に浸漬させ、剥離層41の金属薄膜層42と樹脂薄膜層43との界面で、多層配線部2がその第2の主面2bに樹脂薄膜層43を残した状態で第2のベース基板40から剥離される。さらに、回路モジュール1の製造工程においては、ドライエッチング法等によって第2の主面2bに残留した樹脂薄膜層43が除去処理されて、図1に示した多層配線部2が製造される。
【0053】
ところで、回路モジュール1の製造工程においては、一般に比較的大型のベース基板20、40が用いられ、多数個の回路モジュール1が連結部を介して相互に連結された状態で一括して形成される。したがって、回路モジュール1の製造工程においては、上述した第2のベース基板40からの剥離工程の前工程において各多層配線部2を分離する連結部のカッティング処理が施される。各多層配線部2は、相互に切り分けられるが、第2のベース基板40上に形成された状態に保持されている。回路モジュール1の製造工程においては、上述した剥離工程を施すことによって、1個ずつの多層配線部2が製造される。
【0054】
ところで、第2のベース基板40は、上述したカッティング処理の際にカッタによりその主面40aに各多層配線部2の切断痕が残って平坦性が損なわれ再利用することが不能な状態となる。したがって、第2のベース基板40は、剥離層41との間に合成樹脂等によって平坦性を有するダミー層を予め形成するようにしてもよい。第2のベース基板40は、カッタの先端部がこのダミー層で停止されるように制御されてカッティング処理が行われ、各多層配線部2を剥離した後にダミー層を除去するとともに新たなダミー層が再形成される。回路モジュール1の製造工程においては、比較的高価な第2のベース基板40が再利用されることでコスト低減と時間短縮が図られるようになる。
【0055】
以上のように構成された回路モジュール1は、図23に示すように第1層単位配線層8の第2の表面8bを実装面として他のチップ部品47A、47Bと同様にインタポーザ46上にフェースダウン実装される実装部品として用いられてデジタル回路モジュール装置45を形成することも可能である。デジタル回路モジュール装置45は、一般的な多層基板製造工程を経て製造されたインタポーザ46を備えている。インタポーザ46は、内部に電源回路パターン48やグランドパターン49が形成されるとともに、部品実装面46aにレジスト等によって成膜形成される保護層50から露出されて多数個の接続端子部51が形成されている。
【0056】
なお、インタポーザ46は、部品実装面46aと対向する一方の主面が装置側の基板等に搭載される搭載面46bを構成してなる。インタポーザ46は、搭載面46b側にも装置側から信号や電源等が供給される多数個の接続端子部52が形成されるとともに、これら接続端子部52を外方に露出させて保護層53が成膜形成されている。インタポーザ46は、部品実装面46a側の接続端子部51や内層の電源回路パターン48及びグランドパターン49或いは搭載面46b側の接続端子部52が多数個のスルーホール54によって適宜接続されてなる。
【0057】
インタポーザ46には、部品実装面46a上に、各接続端子部51に対して接続端子を構成する各はんだバンプ44が対応位置されて回路モジュール1が位置決めして搭載される。インタポーザ46には、回路モジュール1を搭載した状態において、多層配線部2の第1の主面2aと部品実装面46aとの間にアンダフィル55が充填される。インタポーザ46は、この状態で例えばリフローはんだ槽に供給されることにより各はんだバンプ44が相対する各接続端子部51に接合固定されて回路モジュール1を実装し、デジタル回路モジュール装置45を製造する。
【0058】
デジタル回路モジュール装置45においては、回路モジュール1に対してインタポーザ46側に電源回路やグランドが形成されるとともに制御信号等の低速信号等が供給され、各半導体チップ6間の高速信号が回路モジュール1内において処理される。デジタル回路モジュール装置45においては、回路モジュール1内に成膜形成することができなかった受動素子等について、上述したようにインタポーザ46の部品実装面46a上に回路モジュール1とともに実装されることにより配線長が短縮されたチップ部品47によって補完される。デジタル回路モジュール装置45は、薄型化が図られた多機能の回路モジュール1を備えることによって、全体が薄型化、多機能化が図られて構成される。デジタル回路モジュール装置45は、インタポーザ46側に充分な面積を有する電源回路パターン48やグランドパターン49が形成されることにより、レギュレーションの高い電源供給が行われるようになる。
【0059】
ところで、回路モジュール1の製造工程においては、上述したように多層配線部2の第1の主面2a側に端子形成を行うために封止樹脂層7の表面7aに剥離層41を介して適宜の基板材によって形成された第2のベース基板40が接合される。回路モジュール1の製造工程においては、端子形成を行った後に、第2のベース基板40が剥離される。回路モジュール1は、第2のベース基板40が多層配線部2の第2の主面2b上にそのまま残されて他の部品の搭載用部材として用いるようにしてもよい。回路モジュール1は、使用状態において半導体チップ6から熱が発生することがあり、図24に示すように第2のベース基板40が放熱部材56の搭載部材として利用される。
【0060】
すなわち、回路モジュール1は、例えばアルミ等の金属材或いは金属粉を混入した樹脂材等の熱伝導率が大きな適宜の基材によって形成された第2のベース基板57が用いられて形成される。回路モジュール1は、第2のベース基板57が剥離されることなく多層配線部2の第2の主面2b上にそのまま残され、この第2のベース基板57の主面上にヒートシンク等の放熱部材56が接合固定される。回路モジュール1は、半導体チップ6から発生した熱が第2のベース基板57に効率よく伝達され、この第2のベース基板57を介して放熱部材56により放熱される。したがって、回路モジュール1は、半導体チップ6からの熱により特性が劣化するといった不都合の発生が防止され、安定した信号処理が行われるようになる。
【0061】
回路モジュール1は、上述したように多層配線部2の第2の主面2b上に半導体チップ6が実装されて構成されるが、第2のベース基板40を支持基板として多層配線部2の第1の主面2a側にも複数個の第2の半導体チップ61A、61Bを実装した図25に示す両面実装型の回路モジュール60にも展開される。回路モジュール60は、上述したように多層配線部2が、多数層の単位配線層8乃至12を高精度に積層形成するとともに平坦化された第1の主面2aと第2の主面2bとを有することから、第2の主面2b側に複数個の第1の半導体チップ6が実装されるとともに第1の主面2a側にも複数個の第2の半導体チップ61が高精度に実装されてなる。
【0062】
回路モジュール60は、複数個の第1の半導体チップ6と第2の半導体チップ61とが、同一主面上ばかりでなく厚み方向に対面実装することで、小型化、薄型化が図られる。回路モジュール60も、多層配線部2を構成する第1層単位配線層8乃至第5層単位配線層12がそれぞれ5μm程度の厚みで形成され、数μm径に形成されたビア13によりいわゆるビア−オン−ビア構造を以って互いに層間接続が図られている。したがって、回路モジュール60は、第1の半導体チップ6間や第2の半導体チップ61間とともに、これらの間においてもそれぞれの配線長が短縮化され、高機能化が図られるとともにさらに高速処理化が図られるようになる。
【0063】
回路モジュール60には、図25に示すように第1の半導体チップ6を実装した多層配線部2の第2の主面2b上に、第1の半導体チップ6の実装領域の外側に位置して多数個の第1の接続端子62が設けられている。回路モジュール60は、詳細を後述するように第1の各接続端子62が第1の半導体チップ6と同様に研磨処理が施されて薄型化されるとともに平坦化された表面62aが第1の封止樹脂層7と同一面を構成して露出される。回路モジュール60は、第1の半導体チップ6が第1の各接続端子62とともに約0.05mm程度の厚みまで研磨されている。なお、第1の各接続端子62には、必要に応じてそれぞれの表面62aに例えば金めっき等を施して接続端子63を形成するようにしてもよい。
【0064】
回路モジュール60は、多層配線部2の第1の主面2a側にも第2の封止樹脂層64によって封止された第2の半導体チップ61が実装されるとともに、これら第2の半導体チップ61の実装領域の外側に位置して多数個の第2の接続端子65が設けられている。回路モジュール60は、第2の半導体チップ61や第2の接続端子65が第1の半導体チップ6や第1の各接続端子62と同様に第2の封止樹脂層64に研磨処理を施すことによって薄型化されるとともに平坦化され、その表面が第2の封止樹脂層64と同一面を構成して露出されている。回路モジュール60は、第2の半導体チップ61と第2の各接続端子65とが約0.05mm程度の厚みまで研磨されることによって、全体で約150μm程度まで薄型化が図られている。なお、第2の各接続端子65にも、必要に応じてそれぞれの表面65aに例えば金めっき等を施して接続端子66を形成するようにしてもよい。
【0065】
回路モジュール60は、第1の接続端子62や第2の接続端子65を介して例えば制御基板等のインタポーザ側の信号入出力端子とそれぞれ接続されることによって制御信号等が入出力される。回路モジュール60は、インタポーザ側から電源・グランドや制御信号等の低速信号等が供給されるとともに、第1の半導体チップ6と第2の半導体チップ61間の高速信号が多層配線部2内において処理される。回路モジュール60は、薄型化が図られるとともに平坦化された第1の主面2aと第2の主面2bを有する多層配線部2を備える。したがって、回路モジュール60は、全体が薄型化、多機能化が図られて構成されるとともに上下をグランドで挟まれたマイクロストリップラインを形成するなどインピーダンス制御された回路パターンを容易に形成し、レギュレーションの高い電源供給が行われるようになる。
【0066】
以上のように構成された回路モジュール60の製造工程について、以下図26乃至図33を参照して説明する。なお、回路モジュール60は、その他の構成については上述した回路モジュール1と同様とすることから、対応する部位に同一符号を付すことにより詳細な説明を省略する。
【0067】
回路モジュール60の製造工程は、上述した回路モジュール1の製造工程における図15に示した第1のベース基板20上に多層配線部2を形成した状態で、第5層単位配線層12に形成した各電極パッド37にそれぞれはんだバンプ39を取り付け、フリップチップ実装法等により第1の半導体チップ6の実装工程が施される。回路モジュール60の製造工程においては、第1の半導体チップ6を実装するとともに、図26に示すように多層配線部2の第5層単位配線層12に形成された接続端子部38上に第1の接続端子62を形成する。第1の接続端子62は、例えば露出された接続端子部38上にCuメッキ処理を施して厚膜形成されたCuバンプからなる。第1の接続端子62は、例えば接続端子部38上にはんだボールを接合したりはんだめっきを施して形成してもよい。
【0068】
回路モジュール60の製造工程においては、第1の半導体チップ6の実装工程の後工程として、図27に示すように第1の封止樹脂層7によって第1の半導体チップ6と第1の接続端子62とを封止する第1の封止樹脂層形成工程が施される。第1の封止樹脂層形成工程は、回路モジュール1の製造工程と同様に、例えばトランスファーモールド法や印刷法等によって第1の半導体チップ6と第1の接続端子62とを含んで多層配線部2の第2の主面2bを所定の厚みを以って全面に亘り封止する第1の封止樹脂層7を形成する。
【0069】
回路モジュール60の製造工程においても、多層配線部2の第2の主面2b上に形成した第1の封止樹脂層7を所定の厚みまで研磨する研磨工程が施される。研磨工程は、例えばグラインダを用いた機械研磨法、ウェットエッチングによる化学研磨法或いはこれら機械研磨法と化学研磨法とを併用したCMP等によって行われ、第1の封止樹脂層7とともに第1の半導体チップ6と第1の接続端子62とを研磨して平坦化する。第1の半導体チップ6は、機能に支障の無い最大範囲でその表面を研磨されることにより図28に示すように薄型化されて第1の封止樹脂層7の表面7aと同一面を構成する。第1の接続端子62も、薄型化されて第1の半導体チップ6と同様に第1の封止樹脂層7の表面7aと同一面を構成する。
【0070】
回路モジュール60の製造工程においては、図29に示すように研磨処理が施されることにより平坦化された第1の封止樹脂層7の表面7a上に、剥離層41を介して第2のベース基板40を接合する接合工程が施される。第2のベース基板40は、後述するように多層配線部2の第1の主面2a側に所定の処理を施す際に支持基板を構成することから、その主面40aが平坦面とされるとともに機械的剛性を有している。剥離層41も、上述した第1のベース基板20の剥離層21と同様に、スパッタリング法やCVD法等によって第2のベース基板40の主面40a上に均一な厚みを有して形成された銅やアルミニウム等の金属薄膜層42と、この金属薄膜層42上に例えばスピンコート法等によって均一な厚みを有して形成されたポリイミド樹脂等の樹脂薄膜層43からなる。剥離層41は、樹脂薄膜層43が第1の封止樹脂層7の表面7aと接合されるとともに、後述する剥離工程においてこの表面7aを剥離面として多層配線部2が第2のベース基板40から剥離されるようにする。
【0071】
回路モジュール60の製造工程においては、第2のベース基板40を接合した後に、多層配線部2から第1のベース基板20を剥離する剥離工程が施される。剥離工程は、例えば第1のベース基板20側を塩酸等の酸性溶液中に浸漬することによってこの第1のベース基板20のみを多層配線部2から剥離するようにする。剥離工程においては、剥離層21の金属薄膜層22と樹脂薄膜層23との界面で剥離が進行し、図30に示すように多層配線部2が第1の主面2aに樹脂薄膜層23を残した状態で第1のベース基板20から剥離される。なお、剥離工程は、酸性溶液が第2のベース基板40側に流れ込まないようにして行われる。また、剥離工程は、レーザアブレーションにより多層配線部2と第1のベース基板20とを剥離処理するようにしてもよい。第1のベース基板20は、剥離層21を再形成することによって、再利用することが可能である。
【0072】
回路モジュール60の製造工程においては、後述するように多層配線部2の第1の主面2aに各工程を施す際に、第2のベース基板40が支持基板を構成してその処理が施される。したがって、回路モジュール60の製造工程においては、多層配線部2を損傷することなくその第1の主面2a側に施される樹脂薄膜層23の除去処理や研磨処理等が効率的かつ高精度に行われるようになる。
【0073】
回路モジュール60の製造工程においては、例えば酸素プラズマによるドライエッチング法等によって、上述した剥離工程により第1のベース基板20から剥離された多層配線部2の第1の主面2aに残留した樹脂薄膜層23の除去処理が施される。回路モジュール60の製造工程においては、樹脂薄膜層23の除去処理により外方に露出された第1層単位配線層8の第1の回路パターン25内に形成された接続端子部25aやランド25bに、図31に示すように第2の半導体チップ61や第2の接続端子65が実装される。第2の半導体チップ61は、各ランド25b上にそれぞれはんだバンプ44を取り付けてフリップチップ実装法等により多層配線部2の第1の主面2a上に実装される。第2の接続端子65は、各接続端子部25aにCuめっき処理を施すことによって形成される。
【0074】
回路モジュール60の製造工程においては、第2の封止樹脂層64によって第2の半導体チップ61と第2の接続端子65とを封止する第2の封止樹脂層形成工程が施される。第2の封止樹脂層形成工程は、第1の封止樹脂層形成工程と同様に例えばトランスファーモールド法や印刷法等によって第2の半導体チップ61と第2の接続端子65とを含んで多層配線部2の第1の主面2aを所定の厚みを以って全面に亘り封止する第2の封止樹脂層64を形成する。
【0075】
回路モジュール60の製造工程においても、第2の封止樹脂層64を所定の厚みまで研磨する研磨工程が施される。研磨工程は、例えばグラインダを用いた機械研磨法、ウェットエッチングによる化学研磨法或いは機械研磨法と化学研磨法とを併用したCMP等によって行われ、図32に示すように第2の封止樹脂層64とともに第2の半導体チップ61と第2の接続端子65とを研磨して薄型化するとともにこの第2の封止樹脂層64の表面64aを平坦化する。第2の半導体チップ61は、機能に支障の無い最大範囲でその表面を研磨されることにより同図に示すように薄型化されて第2の封止樹脂層64の表面64aと同一面を構成する。第2の接続端子65も、薄型化されて第2の半導体チップ61と同様に第2の封止樹脂層64の表面64aと同一面を構成する。研磨工程は、第2のベース基板40を支持基板として第2の封止樹脂層64を研磨することにより、高精度の研磨処理を施すことが可能である。
【0076】
回路モジュール60の製造工程においては、上述した工程を経て多層配線部2から第2のベース基板40を剥離する剥離工程が施される。剥離工程は、例えば回路モジュール60の中間体を塩酸等の酸性溶液中に浸漬することによってこの第2のベース基板40を多層配線部2から剥離するようにする。剥離工程においては、剥離層41の金属薄膜層42と樹脂薄膜層43との界面で剥離が進行し、図33に示すように多層配線部2が第2の主面2bに樹脂薄膜層43を残した状態で第2のベース基板40から剥離される。なお、剥離工程は、例えばレーザアブレーションにより多層配線部2と第2のベース基板40とを剥離処理するようにしてもよい。
【0077】
回路モジュール60の製造工程においては、例えば酸素プラズマによるドライエッチング法等によって、上述した剥離工程により第2のベース基板40から剥離された多層配線部2の第2の主面2bに残留した樹脂薄膜層43の除去処理が施される。回路モジュール60の製造工程においては、以上の工程を経て図25に示した回路モジュール60が製造される。なお、回路モジュール60の製造工程においても、比較的大型のベース基板20、40が用いられて多数個の回路モジュール60を連結部を介して相互に連結された状態で一括して製造するようにしてもよいことは勿論である。回路モジュール60の製造工程においては、上述した回路モジュール1の製造工程と同様に、第2のベース基板40からの剥離工程の前工程において各多層配線部2を分離する連結部のカッティング処理が施されて各回路モジュール60が相互に切り分けられる。
【0078】
以上の工程を経て製造された回路モジュール60は、上述した回路モジュール1と同様にインタポーザ70上に実装される実装部品として用いられ、例えば図34に示したワイヤボンディング法により接続を行ったデジタル回路モジュール装置68や図35に示したフェースダウン実装法により接続を行ったデジタル回路モジュール装置69等を構成する。回路モジュール60は、第1の封止樹脂層7の表面7a或いは第2の封止樹脂層64の表面64aのいずれか一方を実装面としてインタポーザ70上に実装可能である。回路モジュール60は、その他の適宜の方法によってインタポーザ70や適宜の回路基板に実装される。
【0079】
インタポーザ70は、上述したデジタル回路モジュール装置45に用いられるインタポーザ46と同様の部材であり、一般的な多層基板製造工程を経て製造されて内部に電源回路パターン71やグランドパターン72が形成されている。インタポーザ70には、部品実装面70aにレジスト等によって成膜形成される保護層73から露出されて多数個のランド74が形成されている。インタポーザ70は、部品実装面70aと対向する一方の主面が装置側の基板等に搭載される搭載面70bを構成してなる。インタポーザ70は、搭載面70b側にも装置側から信号や電源等が供給される多数個の接続端子部75が形成されるとともに、これら接続端子部75を外方に露出させて保護層76が成膜形成されている。インタポーザ70は、部品実装面70a側のランド74や電源回路パターン71及びグランドパターン72或いは搭載面70b側の接続端子部75が多数個のスルーホール77によって適宜接続されてなる。
【0080】
デジタル回路モジュール装置68は、図34に示すように回路モジュール60が例えば第2の封止樹脂層64側を実装面としてインタポーザ70の部品実装面70a上の実装領域内に搭載されてなる。デジタル回路モジュール装置68は、回路モジュール60の第1の封止樹脂層7側に形成された第1の各接続端子62の接続端子63とインタポーザ70側の実装領域を囲んで形成された相対するランド74とをワイヤ78によりそれぞれ接続してなる。デジタル回路モジュール装置68は、回路モジュール60を搭載した状態で、インタポーザ70の部品実装面70aに封止樹脂層79を形成して回路モジュール60を封止する。
【0081】
デジタル回路モジュール装置69も、図35に示すように回路モジュール60が例えば第2の封止樹脂層64側を実装面としてインタポーザ70の部品実装面70a上の実装領域内に搭載されてなる。デジタル回路モジュール装置69は、インタポーザ70側の部品実装面70aに形成されたランド80にそれぞれはんだバンプ81が接合されており、回路モジュール60が第2の封止樹脂層64側に形成された第2の接続端子65の接続端子66を相対する半田バンプ81に対応位置させるようにして位置決めして搭載される。デジタル回路モジュール装置69は、回路モジュール60とインタポーザ70との間にアンダフィル82が充填され、この状態で例えばリフローはんだ処理を施すことによって回路モジュール60をインタポーザ70に実装してなる。
【0082】
回路モジュール60も、上述した回路モジュール1と同様に、第2のベース基板40が多層配線部2の第2の主面2b上にそのまま残されて他の部品の搭載用部材として用いるようにしてもよい。回路モジュール60は、図36に示すように第2のベース基板40の主面上にヒートシンク等の放熱部材56が接合固定されることによって、使用状態において第1の半導体チップ6や第2の半導体チップ61から発生する熱を放熱するようにされる。
【0083】
上述した各実施の形態においては、1個の回路モジュール60を使用するようにしたが、図37に示すように多数個の回路モジュール60A乃至60Cを積層して多層回路モジュール体83を構成することも可能である。回路モジュール60には、上述したように第1の封止樹脂層7の表面7aと第2の封止樹脂層64の表面64aとにそれぞれ多数個の接続端子62及び接続端子65が形成されている。回路モジュール60には、例えば接続端子62及び接続端子65の表面にそれぞれ金めっきを施して接続端子63、66が形成されている。
【0084】
多層回路モジュール体83においては、第1の回路モジュール60Aの第1の封止樹脂層7A上に第2の回路モジュール60Bが第2の封止樹脂層64B側を実装面として、相対する接続端子部62Aと接続端子部65Bとを重ね合わせるようにして位置決めされて積層される。多層回路モジュール体83は、第1の回路モジュール60Aと第2の回路モジュール60Bとの間にアンダフィル84Aが充填されることによって相互の絶縁を保持するとともに積層状態が保持されてなる。
【0085】
多層回路モジュール体83は、第1の回路モジュール60Aと第2の回路モジュール60Bとを圧着することによって、接続端子部62Aの接続端子63Aと接続端子部65Bの接続端子66Bとが金−金熱圧着によりそれぞれ接合されることによって一体的に積層される。なお、多層回路モジュール体83は、接続端子部62Aの接続端子63Aと接続端子部65B接続端子66Bとを、例えば超音波接合法或いは適宜のフェースダウン接合法等によって接合するようにしてもよいことは勿論である。
【0086】
多層回路モジュール体83は、第1の回路モジュール60Aと第2の回路モジュール60Bとの積層体に対して、第2の回路モジュール60Bの第1の封止樹脂層7B上に第3の回路モジュール60Cが第2の封止樹脂層64C側を実装面として積層される。第3の回路モジュール60Cは、第2の回路モジュール60Bに対して、相対する接続端子部62Cを接続端子部65Bに重ね合わせるようにして位置決めされて積層される。多層回路モジュール体83は、第1の回路モジュール60Aと第2の回路モジュール60Bとの積層体に対して、第3の回路モジュール60C圧着することによって各回路モジュール60A乃至60Cが一体化されて積層される。
【0087】
多層回路モジュール体83は、多数個の半導体チップ6、61が3次元的に高密度実装してなる。多層回路モジュール体83は、各回路モジュール60A乃至60Cがそれぞれ薄型化されていることから、これらを多層化しても全体として極めて薄型に構成されてなる。多層回路モジュール体83は、3次元的に高密度実装された各半導体チップ6、61間の配線長も短縮化されており、制御信号等の伝播ロスや劣化も小さく高速処理化が図られる。
【0088】
なお、多層回路モジュール体83は、説明の便宜上同一構成の回路モジュール60A乃至60Cを一体的に積層したものとして示したが、それぞれ多層配線部2の内部構成や半導体チップの実装構成を異にした回路モジュールが積層して構成される。また、多層回路モジュール体83は、半導体チップ6を片面に実装した上述した回路モジュール1の積層体であってもよく、またこの回路モジュール1を一部に含んでいてもよいことは勿論である。さらに、多層回路モジュール体83においては、外側の回路モジュール60Cに第2のベース基板40Cが残されてこれに放熱部材57を取り付けるようにしてもよい。
【0089】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明のマルチチップ回路モジュールの製造方法によれば、各単位配線層が平坦化処理を施こされた下層単位配線層に上層の単位配線層がビア−オン−ビア構造によって互いに層間接続されて積層形成されることにより、各半導体チップ間における大容量、高速、高密度バスに対応した微細で高密度の回路パターンが多層配線部内に高精度に形成できる。また、微細かつ高密度の回路パターンを構成する多層配線部に半導体チップが直接搭載されて互いに接続されることによりその配線長の短縮化が図られ、伝送される信号の減衰が低減されるとともに信号遅延が最小限とすることができる。さらに、薄型化された多層配線部に半導体チップを実装し、この半導体チップを封止する封止樹脂層に研磨処理を施して半導体チップごと研磨することで一層の薄型化されたマルチチップ回路モジュールを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の製造方法により製造されるマルチチップ回路モジュールの要部縦断面図である。
【図2】 同マルチチップ回路モジュールの製造工程に用いられるベース基板の縦断面図である。
【図3】 同ベース基板上に形成される第1層単位配線部の絶縁層の形成工程説明図である。
【図4】 同第1層単位配線部の絶縁層に回路パターンを形成するエッチングマスクの取付工程説明図である。
【図5】 同第1層単位配線部の絶縁層に回路パターン溝を形成する工程説明図である。
【図6】 同第1層単位配線部の絶縁層に金属めっきを施す工程説明図である。
【図7】 同第1層単位配線部の絶縁層に平坦化処理を施す工程説明図である。
【図8】 同第1層単位配線部の絶縁層上にTaN層を形成する工程説明図である。
【図9】 同TaN層に素子形成マスクを接合する工程説明図である。
【図10】 同TaN層にキャパシタ素子の下電極膜となるTaO膜を形成する工程説明図である。
【図11】 同TaN層にキャパシタ素子と抵抗体素子とをパターン形成する工程説明図である。
【図12】 キャパシタ素子の上部電極を形成する工程説明図である。
【図13】 他の素子形成法の説明図であり、TaO膜を形成する工程説明図である。
【図14】 同キャパシタ素子と抵抗体素子とを形成する工程説明図である。
【図15】 第1のベース基板上に多層配線部を形成した状態の説明図である。
【図16】 多層配線部上に半導体チップを実装する工程説明図である。
【図17】 半導体チップを封止する封止樹脂層の形成工程説明図である。
【図18】 封止樹脂層の研磨工程説明図である。
【図19】 第2のベース基板の接合工程説明図である。
【図20】 第1のベース基板の剥離工程説明図である。
【図21】 接続端子部の形成工程説明図である。
【図22】 第2のベース基板の剥離工程説明図である。
【図23】 マルチチップ回路モジュールを搭載したデジタル回路モジュール装置の要部縦断面図である。
【図24】 放熱部材を備えたマルチチップ回路モジュールの要部縦断面図である。
【図25】 多層配線部の両面に半導体チップを実装してなるマルチチップ回路モジュールの要部縦断面図である。
【図26】 同マルチチップ回路モジュールの製造工程の説明図であり、多層配線部の第2の主面上に半導体チップと接続端子部とを実装する工程の説明図である。
【図27】 第1の半導体チップと第1の接続端子部とを封止する第1の封止樹脂層の形成工程説明図である。
【図28】 封止樹脂層の研磨工程説明図である。
【図29】 第2のベース基板の接合工程説明図である。
【図30】 第1のベース基板の剥離工程説明図である。
【図31】 多層配線部の第1の主面上に第2の半導体チップと第2の接続端子部とを封止する封止樹脂層の形成工程説明図である。
【図32】 第2の半導体チップと第2の接続端子部とを封止する第2の封止樹脂層を形成して、この第2の封止樹脂層を研磨した状態の工程説明図である。
【図33】 第2のベース基板の剥離工程説明図である。
【図34】 マルチチップ回路モジュールをインタポーザ上にワイヤボンディング法により実装してなるデジタル回路モジュール装置の要部縦断面図である。
【図35】 マルチチップ回路モジュールをインタポーザ上にフェースダウン法により実装してなるデジタル回路モジュール装置の要部縦断面図である。
【図36】 放熱部材を備えたマルチチップ回路モジュールの要部縦断面図である。
【図37】 多層マルチチップ回路モジュール体の要部縦断面図である。
【図38】 従来のマルチチップ回路モジュール体の要部縦断面図である。
【符号の説明】
1 マルチチップ回路モジュール(回路モジュール)、2 多層配線部、3 インタポーザ、4 実装用バンプ、5 半導体実装用バンプ、6 半導体チップ、7 封止樹脂層、8 第1層単位配線層、9 第2層単位配線層、10 第3層単位配線層、11 第4層単位配線層、12 第5層単位配線層、13 ビア、14 キャパシタ素子、15 抵抗体素子、16 インダクタ素子、20 ベース基板、21 剥離層、22 金属薄膜層、23 樹脂薄膜層、24 第1の絶縁層、25 第1の回路パターン、26 エッチングマスク、27 配線溝、28 銅めっき層、30 TaN層、32 TaO層、40 第2のベース基板、41 剥離層、45 デジタル回路モジュール装置、46 インタポーザ、47 チップ部品、48 電源回路パターン、49 グランドパターン、56 放熱部材、60 回路モジュール、61 第2の半導体チップ、62 接続端子、64 封止樹脂層、68 デジタル回路モジュール装置、69 デジタル回路モジュール装置、70 インタポーザ
Claims (3)
- 平坦化された第1のベース基板の主面上に、均一な厚みを有する剥離層を形成する剥離層形成工程と、
上記第1のベース基板の剥離層上に絶縁層を形成するとともに、この絶縁層内に所定の回路パターンを形成してなる単位配線層を形成する単位配線層形成工程と、
上記単位配線層の表面を平坦化する平坦化処理工程と、
平坦化された上記単位配線層上に絶縁層を形成するとともに、この絶縁層内に所定の回路パターンを形成しかつその表面に平坦化処理が施された単位配線層をビア−オン−ビア構造によって互いに層間接続して順次多層に形成する多層配線部形成工程と、
上記多層配線部の最上層単位配線層の主面に少なくとも1個以上の第1の半導体チップを実装する半導体チップ実装工程と、
上記最上層単位配線層の主面に上記第1の半導体チップを封止する第1の封止樹脂層を形成する封止樹脂層形成工程と、
上記第1の半導体チップまで研磨する研磨処理を上記第1の封止樹脂層に施す第1研磨工程とを経て、
その配線長を短縮化したマルチチップ回路モジュールを製造するマルチチップ回路モジュールの製造方法において、
上記単位配線層形成工程が、上記最上層単位配線層の接続端子部に第1の接続端子を形成する第1接続端子形成工程を有するとともに、上記第1研磨工程が、上記第1の封止樹脂層を研磨して上記第1の半導体チップと上記第1の接続端子を露出させる工程であり、
上記第1研磨工程の後段工程として、上記最上層単位配線層の主面上に平坦な主面上に剥離層を形成した第2のベース基板を接合する第2ベース基板接合工程と、上記最下層単位配線層から上記剥離層を介して上記第1のベース基板を剥離する第1ベース基板剥離工程と、上記最下層単位配線層の接続端子部に第2の接続端子を形成する第2接続端子形成工程と、少なくとも1個の第2の半導体チップを実装する第2半導体チップ実装工程と、上記最下層単位配線層の上記第2の接続端子と上記第2の半導体チップとを封止する第2の封止樹脂層を形成する第2封止樹脂形成工程と、上記第2の封止樹脂層を研磨することによって上記第2の半導体チップと上記第2の接続端子を露出させる第2研磨工程とが施され、
上記第2研磨工程の後段工程として、上記最上層単位配線層から上記剥離層を介して上記第2のベース基板を剥離する第2ベース基板剥離工程とが施されることにより、
上記多層配線部の表裏主面にそれぞれ薄型化された第1の半導体チップ及び第2の半導体チップが、配線長を短縮されて搭載されてなるマルチチップ回路モジュールを製造することを特徴とするマルチチップ回路モジュールの製造方法。 - 上記最上層単位配線層の第1の接続端子と最下層単位配線層の第2の接続端子とを接合して多数個を積層接続する積層工程とを施すことにより多層マルチチップ回路モジュールを製造することを特徴とする請求項1に記載のマルチチップ回路モジュールの製造方法。
- 上記第2のベース基板を熱伝導率が大きな基材によって形成するとともに上記最上層単位配線層に残し、この第2のベース基板に上記第2の半導体チップから発生する熱を放熱する放熱部材を実装する工程を施すことを特徴とする請求項1に記載のマルチチップ回路モジュールの製造方法。
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