JP3856714B2 - 電位検知回路を備えた半導体集積回路及び信号送受信システム - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電位検知回路を備えた半導体集積回路及び信号送受信システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路同士がケーブルで接続されるインターフェース、例えばIEEE１３９４規格のような場合において、従来の半導体集積回路の接続の認識方法を説明する。
【０００３】
半導体集積回路（以下ＬＳＩという）は、その内部に、接続されたケーブルに所定電位を与える電位発生回路と、接続されたケーブル上の電位を検知するケーブル電位検知回路と、電源の電位を検知して電源電位が設定電位よりも低下した際に前記電位発生回路からの所定電位のケーブルへの供給を停止させる電源電位検知回路とを備える。以下、これらの電位発生回路、ケーブル電位検知回路及び電源電位検知回路を持つ２つのＬＳＩ１及びＬＳＩ２が相互に２本のケーブルで接続されている場合の相互の接続状態の認識を説明する。
【０００４】
ＬＳＩ１が電位発生回路から第１のケーブルに所定電位を供給する。その電位をＬＳＩ２のケーブル電位検知回路が検知して、ＬＳＩ２はＬＳＩ１と接続状態にあると認識する。一方、ＬＳＩ２も電位発生回路から第２のケーブルに所定電位を供給し、ＬＳＩ１がその電位をケーブル電位検知回路で検知して、ＬＳＩ２と接続状態にあることを認識する。両者の電位発生回路は、その相互接続が断たれるまでの間、第１及び第２のケーブルに対し所定電位を供給し続ける。
【０００５】
このような接続状態において、例えば一方のＬＳＩ１の電源が完全に遮断されて、電源電位が設定電位未満に低下すると、この電位低下を電源電位検知回路が検知して、電位発生回路から第１のケーブルへの所定電位の供給が停止され、これに伴い第１のケーブルの電位が所定電位未満になると、他方のＬＳＩ２のケーブル電位検知回路は、その電位低下を検知してＬＳＩ１が接続されなくなったことを認識する。その後、ＬＳＩ１に対して再び電源が投入されると、その内部の電位発生回路から第１のケーブルに所定電位が供給されて、他方のＬＳＩ２のケーブル電位検知回路がＬＳＩ１との接続を再認識する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の構成では、電源の電位検知レベルを低く設定した場合は電源電位検知回路の動作が不安定になる。また、逆に電位検知レベルを高く設定した場合は、ＬＳＩの動作を評価する際に電源電位を電位検知レベルよりも下げると電源電位検知回路が働き、電位発生回路が動作しなくなる。このため、電源電位検知回路の電位検知レベルの設定が非常に困難である。
【０００７】
また、前記従来の構成では、電源の遮断時に、電源電位が急低下する場合には、電源電位検知回路からの電位検知信号の出力期間が極めて短く、このため、その短期間の間では電位発生回路は通常通りには動作せず、第１のケーブルの電位は接続検知レベル未満の電位にはならず、その結果、電源が遮断されているにも拘わらず第２のＬＳＩ２は第１のＬＳＩ１が接続されていると誤認識する欠点がある。
【０００８】
本発明の目的は、半導体集積回路の通常動作時や動作評価時などの動作の状況に応じて電源電位検知回路を適切に制御したり、電源の遮断時での電源電位の変化の状況に応じて電源電位検知回路を適切に制御することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明では、半導体集積回路の動作の評価時には、電源電位検知回路から電位検知信号を出力させないように構成して、半導体集積回路の電源電圧が電源電位検知回路の所定検知レベル未満に低下した状況となっても、半導体集積回路の動作を可能にしたり、電源の遮断時に電源電位が急低下する場合であっても、電源電位検知回路から比較的長く電位検知信号を出力させて、電位発生回路の動作を正常に確保することにある。
【００１０】
すなわち、請求項１記載の発明の半導体集積回路は、ケーブルを介して他の半導体集積回路と接続される半導体集積回路であって、電源の電位が所定電位検知レベル未満のとき電位検知信号を出力する電位検知回路と、前記電位検知回路の電位検知信号を受けて所定接続検知レベル以上の電位を前記ケーブルに与えることを停止する電位発生回路とを備えた半導体集積回路であって、外部端子が備えられ、前記電位検知回路は、前記外部端子からの制御信号を受け、この制御信号により前記電位検知信号の出力及び非出力が制御されることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項２記載の発明の半導体集積回路は、ケーブルを介して他の半導体集積回路と接続される半導体集積回路であって、半導体集積回路の電源の電位が所定電位検知レベル未満のとき電位検知信号を出力する電位検知回路と、前記電位検知回路の電位検知信号を受けて所定接続検知レベル以上の電位を前記ケーブルに与えることを停止する電位発生回路とを備えた半導体集積回路であって、半導体集積回路の動作状態を決定するステートマシンが備えられ、前記電位検知回路は、前記ステートマシンの電源に接続され、このステートマシンの電源の電位により前記電位検知信号の出力及び非出力が制御されることを特徴とする。
【００１２】
更に、請求項３記載の発明の信号送受信システムは、第１及び第２の半導体集積回路と、この２つの半導体集積回路を接続する第１及び第２のケーブルとを備えた信号送受信システムであって、前記第１の半導体集積回路は、電源の電位が所定電位検知レベル未満のとき電位検知信号を出力する電位検知回路と、前記電位検知回路の電位検知信号を受けないときには所定接続検知レベル以上の電位を発生して前記第１のケーブルに与える一方、前記電位検知回路の電位検知信号を受けたときには前記所定接続検知レベル以上の電位の発生を停止する第１の電位発生回路とを備え、前記第２の半導体集積回路は、前記第１の電位発生回路が前記第１のケーブルに所定接続検知レベル以上の電位を与えているとき、前記第２のケーブルに所定接続検知レベル以上の電位を与える第２の電位発生回路を備え、前記第１の半導体集積回路の電位検知回路は、電源として、前記第１の半導体集積回路の電源と共に、前記第２のケーブルの所定接続検知レベル以上の電位が与えられることを特徴とする。
【００１３】
以上により、請求項１記載の発明では、例えば、半導体集積回路の動作の評価時には、外部端子よりHighレベルの制御信号を電位検知回路に入力して、この電位検知回路が動作しないように設定すれば、電源電位を電位検知回路の所定検知レベル未満に低下させても、半導体集積回路の動作下限電圧での動作評価が可能である。また、通常動作時には、外部端子よりLowレベルの制御信号を電位検知回路に入力して、電位検知回路が通常動作するように設定すれば、電源が遮断されて、電源電位が所定電位検知レベル以下に低下すると、前記電位検知回路が電位検知信号を出力して、電位発生回路が所定接続レベル以上の電位の発生を停止するので、ケーブルの電位は前記所定接続レベル未満の電位となる。従って、この（第１の）半導体集積回路に前記ケーブルを介して接続された他の（第２の）半導体集積回路では、第１の半導体集積回路との接続が断たれたと正しく判断する。
【００１４】
また、請求項２記載の発明では、半導体集積回路の動作の評価時には、ステートマシンの電源の電位を電位検知回路に与えることにより、電位検知回路を動作させず、常に電位検知信号を出力させない。従って、半導体集積回路の電源の電位を所定電位検知レベル未満に低下させても、電位発生回路は接続検知レベル以上の電位をケーブルに出力するので、この（第１の）半導体集積回路と前記ケーブルを介して接続された第２の半導体集積回路とが接続状態にあると認識され、この状態で、第１の半導体集積回路の動作下限電圧での動作評価が可能になる。
【００１５】
更に、請求項３記載の発明では、第１の半導体集積回路と第２の半導体集積回路とが接続状態にあるとの認識時には、第２の半導体集積回路では、第２の電位発生回路が所定接続検知レベル以上の電位を第２のケーブルに出力している。この状態において、第１の半導体集積回路の電源が遮断された際には、その電源電位が低下して所定電位検知レベル未満になると、第１の半導体集積回路の電位検知回路が電位検知信号を出力し、第１の電位発生回路の動作の停止によって第１のケーブルの電位は所定接続検知レベル未満になり始める。ここで、前記電源電位の低下が速い場合であっても、前記第１の半導体集積回路の電位発生回路には前記第２のケーブルから電源として所定接続検知レベル以上の電位が供給されているので、この電位を電源として電位検知信号を出力し続ける。その結果、第１の半導体集積回路の電位発生回路は確実に通常通りに動作して、第１のケーブルの電位は所定接続検知レベル未満の電位となる。その結果、第２の半導体集積回路では、第１の半導体集積回路との接続が断たれたと正しく判断すると共に、その後に第２の電位発生回路が所定接続検知レベル以上の電位の出力を停止するので、第２のケーブルの電位がこの所定接続検知レベル未満の電位となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面に基づいて説明する。
【００１７】
(第１の実施の形態)
図１は本発明の第１の実施の形態である電位検知回路を備えた半導体集積回路の構成を示す図である。
【００１８】
同図において、１０は電源、１２は電源１０に接続された電位検知回路であって、電源１０の電位を検知し、電源電位が所定の電位検知レベル未満のときに電位検知信号１０１を出力する。１３は前記電位検知回路１２から電位検知信号を受ける電位発生回路であって、前記電位検知回路１２から電位検知信号を受けない場合には、所定接続検知レベル以上の電位を発生し、この電位をケーブル１５に出力する一方、前記電位検知信号を受けたときには前記所定接続検知レベル以上の電位の発生を停止して、ケーブル１５の電位を所定接続検知レベル未満の電位にする。１４は前記電位発生回路１３を制御するためのコントロール信号１０２を出力するコントロール回路であって、前記コントロール信号１０２が例えばＨｉｇｈレベルのときには電位発生回路１３の動作を許容し、Ｌｏｗレベルのときには禁止する。前記ケーブル１５は、図示しない他の半導体集積回路と本半導体集積回路とを接続する。
【００１９】
そして、１１は本半導体集積回路に備えられた外部端子であって、この外部端子１１には外部から制御信号が入力され、この制御信号は前記電位検知回路１２に入力される。前記電位検知回路１２は、前記制御信号が例えばＨｉｇｈレベルのときには前記電位検知信号の発生及び出力の動作が許容され、一方、前記制御信号が例えばＬｏｗレベルのときには前記電位検知信号の発生及び出力の動作が禁止される。
【００２０】
以上のように構成された半導体集積回路の動作を以下に説明する。
【００２１】
電源１０の電源電位が電位検知回路１２の電位検知レベル未満に低下すると、電位検知回路１２は電位検知信号１０１を発生する。電位発生回路１３は、例えばＨｉｇｈレベルのコントロール信号１０２によって動作が許容されている状況では、前記電位検知回路１２からの電位検知信号１０２を受けて、ケーブル１５への所定電位の供給を停止する。
【００２２】
一方、本半導体集積回路の動作の評価時において、電源１０の電源電位を電位検知回路１２の電位検知レベルよりも下げると、外部端子１１から電位検知回路１２への制御信号の出力がない従来と同様の場合には、電位検知回路１２が電位検知信号を出力して、電位発生回路１３がケーブル１５への所定電位の供給を停止するために、本半導体集積回路本来の動作下限電圧ではなくて電位検知回路１２の電位検知レベルまでしか本半導体集積回路の動作検証ができなくなる。
【００２３】
しかし、本実施の形態では、外部端子１１にHighレベルの制御信号が入力されている場合には、電位検知回路１２はその電位検知信号の出力が禁止され、このため、電源１０の電源電位を電位検知レベルよりも低下させたときであっても、電位検知信号１０１を出力せず、電位発生回路１３は所定動作を続行する。従って、外部端子１１からHighレベルの制御信号を入力することにより、電源１０の電源電位を電位検知回路１２の電位検知レベル未満に低く設定した際での本半導体集積回路の低電圧動作の評価が可能となる。
【００２４】
一方、外部端子１１にLowレベルの制御信号が入力されている場合は、電位検知回路１２の電位検知信号１０１の出力動作が許容されるので、電位発生回路１３の動作は従来と同様である。
【００２５】
従って、本発明の実施の形態によれば、外部端子１１からの制御信号によって電位検知回路１２の動作を許容及び禁止制御するので、電位検知回路１２の電位検知レベル未満の低電圧動作の評価が可能になる。
【００２６】
尚、外部端子１１に入力する制御信号がHighレベルのときに電位検知回路１２の動作を禁止したが、Lowレベルの制御信号を入力して電位検知回路１２の動作を禁止し、Highレベルの制御信号を入力して電位検知回路１２の動作を許容するように構成しても良いのは勿論である。
【００２７】
(第２の実施の形態)
図２は本発明の第２の実施の形態の半導体集積回路の構成を示す図である。
【００２８】
同図において、２１は本半導体集積回路の電源、２２は半導体集積回路のテストモードや通常動作などの切換えを行って本半導体集積回路の動作状態を決定するステートマシン、２３はステートマシン２２の電源である。２４は本半導体集積回路の電源２１に接続された電位検知回路であって、その電源２１の電位が所定電位検知レベル未満になると電位検知信号２０１を出力する。
【００２９】
また、２５は前記電位検知回路２４からの電位検知信号２０１を受ける電位発生回路であって、図１に示した電位発生回路１３と同様に、前記電位検知回路２４から電位検知信号２０１を受けない場合には、所定接続検知レベル以上の電位を発生してケーブル２６に与える一方、前記電位検知信号２０１を受けたときに前記所定接続検知レベル以上の電位の発生を停止して、ケーブル２６の電位を前記所定接続検知レベル未満の電位にする。前記ステートマシン２２は、前記電位発生回路２５を制御するコントロール信号２０２を発生し、このコントロール信号２０２が例えばＨｉｇｈレベルのときには電位発生回路２５の動作が許容され、Ｌｏｗレベルのときには動作が禁止される。ケーブル２６は、図示しない他の半導体集積回路と本半導体集積回路とを接続する。
【００３０】
更に、前記電位検知回路２４は、前記ステートマシン２２の電源２３に接続される。この電位検知回路２４は、前記ステートマシン２２の電源２３から電源供給を受けない通常動作時には、本半導体集積回路の電源２１の電源電圧が所定接続検知レベル未満に低下すると電位検知信号を出力する通常動作を許容され、一方、ステートマシン２２の電源２３から電源供給を受けた動作評価時には、前記電位検知信号の出力動作が強制的に禁止されるように構成されている。
【００３１】
以上のように構成された本半導体集積回路の動作を以下に説明する。
【００３２】
ステートマシン２２からのＨｉｇｈレベルのコントロール信号２０２が電位発生回路２５に入力されている場合には、電位発生回路２５は、その動作が許容されて、本半導体集積回路の電源２１の電源電位が電位検知回路２４の電位検知レベルよりも低下して電位検知回路２４からの電位検知信号２０１を受けると、ケーブル２６への所定検知レベル以上の電位の供給を停止する。
【００３３】
一方、本半導体集積回路の動作評価時において、ステートマシン２２の電源２３が電位検知回路２４に供給されていない従来と同様の場合には、半導体集積回路の電源２１の電源電位を電位検知レベルよりも下げると、電位検知回路２４が電位検知信号２０１を出力して、電位発生回路２５がケーブル２６への所定検知レベル以上の電位の供給を停止するために、本来の動作下限電圧ではなく、電位検知回路２４の電位検知レベルまでしか本半導体集積回路の動作検証ができなくなる。しかし、本実施の形態では、本半導体集積回路の動作評価時には、ステートマシン２２の電源２３が電位検知回路２４に供給されて、電位検知回路２４がその動作を禁止され、半導体集積回路の電源２１の電源電位を電位検知回路２４の電位検知レベルよりも低下させても、電位検知信号２０１を出力しない。
【００３４】
以上説明したように、本発明の実施の形態では、ステートマシン２２の電源２３の供給、非供給により、電位検知回路２４の動作を許容又は禁止して、通常動作と半導体集積回路の動作評価とを切り分けたので、半導体集積回路の動作評価時には、半導体集積回路の電源２１の電位を電位検知回路２４の電位検知レベル未満に低下させた場合の動作評価を可能にできる。
【００３５】
(第３の実施の形態)
図３は本発明の第３の実施の形態である信号送受信システムの全体構成を示す図である。
【００３６】
同図において、１は第１の半導体集積回路、２は第２の半導体集積回路、３１及び３２は第１の半導体集積回路１と第２の半導体集積回路２とを接続する第１及び第２のケーブル、３３は第１の半導体集積回路１の電源である。
【００３７】
前記第１の半導体集積回路１において、３８は電位検知回路であって、第１の半導体集積回路１の電源３３に接続され、その電源電位が所定の電位検知レベル未満のときに電位検知信号３０１を出力する。３４は第１の電位発生回路であって、前記電位検知回路３８からの電位検知信号を受けないときには所定接続検知レベル以上の電位を発生して、この電位を第１のケーブル３１に出力する一方、前記電位検知信号を受けたときには前記所定接続検知レベル以上の電位の発生を停止して、第１のケーブル３１の電位を前記所定接続検知レベル未満の電位にする。３９はコントロール回路であって、前記電位発生回路３４を制御するためのコントロール信号３０２を出力する。前記電位発生回路３４は、このコントロール信号３０２が例えばＨｉｇｈレベルのときには、前記接続検知レベル以上の電位の発生及び出力が許容され、Ｌｏｗレベルのときには前記接続検知レベル以上の電位の発生及び出力が禁止される。
【００３８】
更に、前記第２の半導体集積回路２において、３５は第２の接続検知回路であって、第１のケーブル３１に前記接続検知レベル以上の電位が与えられているときには第１の半導体集積回路１との接続を認識する。３６は第２の電位発生回路であって、前記第１のケーブル３１に前記接続検知レベル以上の電位が与えられているときに、所定の接続検知レベル以上の電位を第２のケーブル３２に与える。
【００３９】
加えて、前記第１の半導体集積回路１には、前記第２の半導体集積回路２の第２の電位発生回路３６から第２のケーブル３２に接続検知レベル以上の電位が与えられているときに、第２の半導体集積回路２との接続を認識する第１の接続検知回路３７が備えられる。そして、前記第１の電位検知回路３８には、電源として、前記第１の半導体集積回路１の電源３３の他に、第２の半導体集積回路２の第２の電位発生回路３６から前記第２のケーブル３２に与えられた接続検知レベル以上の電位が供給されている。
【００４０】
以下、本実施の形態の信号送受信システムの動作を説明する。
【００４１】
第１の半導体集積回路１の電源３３の電位が電位検知回路３８の電位検知レベルよりも低下すると、電位検知回路３８は電位検知信号３０１を発生する。ここで、コントロール回路３９がＨｉｇｈレベルのコントロール信号３０２を出力している場合には、電位発生回路３４はその動作が許容されていて、前記電位検知回路３８からの電位検知信号３０１を受けて所定接続検知レベル以上の電位の出力を停止し、第１のケーブル３１の電位を前記所定接続検知レベル未満の電位にする。第２の半導体集積回路２では、前記第１のケーブル３１の電位が第２の接続検知回路３５の接続検知レベル未満となったので、第１の半導体集積回路１とは接続されていないと認識し、第２の電位発生回路３６から第２のケーブル３２に所定検知レベル以上の電位の供給を停止する。
【００４２】
しかし、第１の半導体集積回路１の電位検知回路３８は第１の半導体集積回路１の電源３３により動作しており、電源３３の遮断時における電源電位の降下速度によっては、電位検知回路３８の電位検知信号３０１の出力期間が短くて、電位発生回路３４が所定通りに接続検知レベル以上の電位の供給を停止できない場合が発生する。この詳細を図５に基づいて説明する。
【００４３】
図５は、電位検知回路３８に第２のケーブル３２の電位を与えない場合の電源遮断時における電源３３、電位検知信号３０１、第１のケーブル３１の電位のタイミングチャートを示す。同図において、電源３３の電位が遮断により降下し、Ａ点の電位検知レベルに達すると、電位検知信号３０１が電位検知回路３８から出力される。その後、電源３３の電位が電位検知回路３８の動作下限電位であるＢ点に達すると、電位検知信号３０１が不定状態となる。このため、この電位検知信号３０１を受けている電位発生回路３４から第１のケーブル３１への出力電位の状態が不定状態となる。すると、電源３３の電位降下速度が速い場合には、第１のケーブル３１の電位が接続検知レベルよりも下がらない場合があり、その結果、電源３３は遮断されているが第２の半導体集積回路２は第１の半導体集積回路１が接続されているという誤認識をすることがある。
【００４４】
しかし、本実施の形態では、第２のケーブル２から第１の半導体集積回路１の第１の電位検知回路３８に対して電源が供給されているので、電源３３からの電源供給が遮断された場合であっても、その電源３３の電源電圧の降下速度に拘わらず、電位検知回路３８が所望通り正確に動作して、電位検知信号３０１を通常の出力期間だけ出力する。以下、本信号送受信システムのこの動作の詳細を図４により説明する。
【００４５】
図４は、電源遮断時における電源３３、電位検知信号３０１、第１のケーブル３１、及び第２のケーブル３２の各電位のタイミングチャートを示す。同図において、第１の半導体集積回路１の電源３３の電位が電位検知回路３８の電位検知レベルよりも高く供給されている場合は、電位検知回路３８は電位検知信号３０１を出力せず（Ｌｏｗレベルのままであり）、電位発生回路３４は第１のケーブル３１に対して接続検知レベル以上の電位を供給する。その電位は第２の半導体集積回路２の第２の接続検知回路３５により検知され、第２の半導体集積回路２では、第２の電位発生回路３６から第２のケーブル３２に対して接続検知レベル以上の電位が供給される。
【００４６】
その後、第１の半導体集積回路１の電源３３が遮断されて、その電源電位が図中Ｃ点において電位検知レベルよりも下がると、第１の半導体集積回路１では、電位検知回路３８がＨｉｇｈレベルの電位検知信号３０１を電位発生回路３４に出力して、電位発生回路３４が第１のケーブル３１に対して接続検知レベル以上の電位の供給を停止し始める。ここで、電源３３の電源電位が電位検知回路３８の動作下限電圧よりも低くなっても、電位検知回路３８には第２のケーブル３２から接続検知レベル以上の電位が供給されていて、電位検知回路３８は電位検知信号３０１の出力を維持するので、電位発生回路３４は、第１のケーブル３１に対する所定接続検知レベル以上の電位の供給の停止を続行して、第１のケーブル３１の電位は図中Ｄ点において接続検知レベル未満となる。
【００４７】
その後は、第１のケーブル３１の電位が接続検知レベル未満となったのに伴い、第２の半導体集積回路２では、第２の接続検知回路３５が第１の半導体集積回路１との接続が断たれたと認識し、第２の電位発生回路３６は第２のケーブル３２への接続検知レベル以上の電位の供給を停止し、第２のケーブル３２の電位は接続検知レベル未満に低下し始める。これにより、第１の半導体集積回路１の第１の電位検知回路３８には第２のケーブル３２からの接続検知レベル以上の電位の供給が絶たれるが、第１のケーブル３１の電位は既に所定接続検知レベル未満に低下しているので、何ら問題はない。
【００４８】
従って、本実施の形態では、電位検知回路３８に第２のケーブル３２からの電源供給をする構成としたので、電源３３の遮断時での電源電位の降下速度に拘わらず、電源３３の遮断による第１の半導体集積回路１の接続、非接続を正しく認識することが可能である。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１及び請求項２記載の発明の半導体集積回路によれば、電源電圧が所定電位検知レベル未満に低下した際に電位検知信号を出力する電位検知回路を備えた半導体集積回路であっても、動作下限電圧の動作評価を可能にできる。
【００５０】
また、請求項３記載の発明の信号送受信システムによれば、第１の半導体集積回路の電源の遮断時に、その電源電位が急低下する場合であっても、電位検知回路から電位検知信号を比較的長期に亘って出力させて、電位発生回路からの所定接続検知レベル以上の電位の出力の停止を確実に行わせたので、第１の半導体集積回路の接続が断たれたとの正しい認識を確保できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の電位検知回路を備えた半導体集積回路の構成を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の電位検知回路を備えた半導体集積回路の構成を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態の信号送受信システムの構成を示す図である。
【図４】同信号送受信システムの電源遮断時の動作を示すタイミング図である。
【図５】第１の半導体集積回路の電位検知回路に対して第２のケーブルからの電源供給がない場合の信号送受信システムの電圧遮断時の動作を示すタイミング図である。
【符号の説明】
１ 第１の半導体集積回路
２ 第２の半導体集積回路
１０、３３ 電源
１１ 外部端子
１２、２４、３８ 電位検知回路
１３、２５ 電位発生回路
１４、３９ コントロール回路
１５、２６ ケーブル
２１ 半導体集積回路の電源
２２ ステートマシン
２３ ステートマシンの電源
３１ 第１のケーブル
３２ 第２のケーブル
３４ 第１の電位発生回路
３５ 第２の接続検知回路
３６ 第２の電位発生回路
３７ 第１の接続検知回路
１０１、２０１
３０１ 電位検知信号
【発明の属する技術分野】
本発明は、電位検知回路を備えた半導体集積回路及び信号送受信システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路同士がケーブルで接続されるインターフェース、例えばIEEE１３９４規格のような場合において、従来の半導体集積回路の接続の認識方法を説明する。
【０００３】
半導体集積回路（以下ＬＳＩという）は、その内部に、接続されたケーブルに所定電位を与える電位発生回路と、接続されたケーブル上の電位を検知するケーブル電位検知回路と、電源の電位を検知して電源電位が設定電位よりも低下した際に前記電位発生回路からの所定電位のケーブルへの供給を停止させる電源電位検知回路とを備える。以下、これらの電位発生回路、ケーブル電位検知回路及び電源電位検知回路を持つ２つのＬＳＩ１及びＬＳＩ２が相互に２本のケーブルで接続されている場合の相互の接続状態の認識を説明する。
【０００４】
ＬＳＩ１が電位発生回路から第１のケーブルに所定電位を供給する。その電位をＬＳＩ２のケーブル電位検知回路が検知して、ＬＳＩ２はＬＳＩ１と接続状態にあると認識する。一方、ＬＳＩ２も電位発生回路から第２のケーブルに所定電位を供給し、ＬＳＩ１がその電位をケーブル電位検知回路で検知して、ＬＳＩ２と接続状態にあることを認識する。両者の電位発生回路は、その相互接続が断たれるまでの間、第１及び第２のケーブルに対し所定電位を供給し続ける。
【０００５】
このような接続状態において、例えば一方のＬＳＩ１の電源が完全に遮断されて、電源電位が設定電位未満に低下すると、この電位低下を電源電位検知回路が検知して、電位発生回路から第１のケーブルへの所定電位の供給が停止され、これに伴い第１のケーブルの電位が所定電位未満になると、他方のＬＳＩ２のケーブル電位検知回路は、その電位低下を検知してＬＳＩ１が接続されなくなったことを認識する。その後、ＬＳＩ１に対して再び電源が投入されると、その内部の電位発生回路から第１のケーブルに所定電位が供給されて、他方のＬＳＩ２のケーブル電位検知回路がＬＳＩ１との接続を再認識する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の構成では、電源の電位検知レベルを低く設定した場合は電源電位検知回路の動作が不安定になる。また、逆に電位検知レベルを高く設定した場合は、ＬＳＩの動作を評価する際に電源電位を電位検知レベルよりも下げると電源電位検知回路が働き、電位発生回路が動作しなくなる。このため、電源電位検知回路の電位検知レベルの設定が非常に困難である。
【０００７】
また、前記従来の構成では、電源の遮断時に、電源電位が急低下する場合には、電源電位検知回路からの電位検知信号の出力期間が極めて短く、このため、その短期間の間では電位発生回路は通常通りには動作せず、第１のケーブルの電位は接続検知レベル未満の電位にはならず、その結果、電源が遮断されているにも拘わらず第２のＬＳＩ２は第１のＬＳＩ１が接続されていると誤認識する欠点がある。
【０００８】
本発明の目的は、半導体集積回路の通常動作時や動作評価時などの動作の状況に応じて電源電位検知回路を適切に制御したり、電源の遮断時での電源電位の変化の状況に応じて電源電位検知回路を適切に制御することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明では、半導体集積回路の動作の評価時には、電源電位検知回路から電位検知信号を出力させないように構成して、半導体集積回路の電源電圧が電源電位検知回路の所定検知レベル未満に低下した状況となっても、半導体集積回路の動作を可能にしたり、電源の遮断時に電源電位が急低下する場合であっても、電源電位検知回路から比較的長く電位検知信号を出力させて、電位発生回路の動作を正常に確保することにある。
【００１０】
すなわち、請求項１記載の発明の半導体集積回路は、ケーブルを介して他の半導体集積回路と接続される半導体集積回路であって、電源の電位が所定電位検知レベル未満のとき電位検知信号を出力する電位検知回路と、前記電位検知回路の電位検知信号を受けて所定接続検知レベル以上の電位を前記ケーブルに与えることを停止する電位発生回路とを備えた半導体集積回路であって、外部端子が備えられ、前記電位検知回路は、前記外部端子からの制御信号を受け、この制御信号により前記電位検知信号の出力及び非出力が制御されることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項２記載の発明の半導体集積回路は、ケーブルを介して他の半導体集積回路と接続される半導体集積回路であって、半導体集積回路の電源の電位が所定電位検知レベル未満のとき電位検知信号を出力する電位検知回路と、前記電位検知回路の電位検知信号を受けて所定接続検知レベル以上の電位を前記ケーブルに与えることを停止する電位発生回路とを備えた半導体集積回路であって、半導体集積回路の動作状態を決定するステートマシンが備えられ、前記電位検知回路は、前記ステートマシンの電源に接続され、このステートマシンの電源の電位により前記電位検知信号の出力及び非出力が制御されることを特徴とする。
【００１２】
更に、請求項３記載の発明の信号送受信システムは、第１及び第２の半導体集積回路と、この２つの半導体集積回路を接続する第１及び第２のケーブルとを備えた信号送受信システムであって、前記第１の半導体集積回路は、電源の電位が所定電位検知レベル未満のとき電位検知信号を出力する電位検知回路と、前記電位検知回路の電位検知信号を受けないときには所定接続検知レベル以上の電位を発生して前記第１のケーブルに与える一方、前記電位検知回路の電位検知信号を受けたときには前記所定接続検知レベル以上の電位の発生を停止する第１の電位発生回路とを備え、前記第２の半導体集積回路は、前記第１の電位発生回路が前記第１のケーブルに所定接続検知レベル以上の電位を与えているとき、前記第２のケーブルに所定接続検知レベル以上の電位を与える第２の電位発生回路を備え、前記第１の半導体集積回路の電位検知回路は、電源として、前記第１の半導体集積回路の電源と共に、前記第２のケーブルの所定接続検知レベル以上の電位が与えられることを特徴とする。
【００１３】
以上により、請求項１記載の発明では、例えば、半導体集積回路の動作の評価時には、外部端子よりHighレベルの制御信号を電位検知回路に入力して、この電位検知回路が動作しないように設定すれば、電源電位を電位検知回路の所定検知レベル未満に低下させても、半導体集積回路の動作下限電圧での動作評価が可能である。また、通常動作時には、外部端子よりLowレベルの制御信号を電位検知回路に入力して、電位検知回路が通常動作するように設定すれば、電源が遮断されて、電源電位が所定電位検知レベル以下に低下すると、前記電位検知回路が電位検知信号を出力して、電位発生回路が所定接続レベル以上の電位の発生を停止するので、ケーブルの電位は前記所定接続レベル未満の電位となる。従って、この（第１の）半導体集積回路に前記ケーブルを介して接続された他の（第２の）半導体集積回路では、第１の半導体集積回路との接続が断たれたと正しく判断する。
【００１４】
また、請求項２記載の発明では、半導体集積回路の動作の評価時には、ステートマシンの電源の電位を電位検知回路に与えることにより、電位検知回路を動作させず、常に電位検知信号を出力させない。従って、半導体集積回路の電源の電位を所定電位検知レベル未満に低下させても、電位発生回路は接続検知レベル以上の電位をケーブルに出力するので、この（第１の）半導体集積回路と前記ケーブルを介して接続された第２の半導体集積回路とが接続状態にあると認識され、この状態で、第１の半導体集積回路の動作下限電圧での動作評価が可能になる。
【００１５】
更に、請求項３記載の発明では、第１の半導体集積回路と第２の半導体集積回路とが接続状態にあるとの認識時には、第２の半導体集積回路では、第２の電位発生回路が所定接続検知レベル以上の電位を第２のケーブルに出力している。この状態において、第１の半導体集積回路の電源が遮断された際には、その電源電位が低下して所定電位検知レベル未満になると、第１の半導体集積回路の電位検知回路が電位検知信号を出力し、第１の電位発生回路の動作の停止によって第１のケーブルの電位は所定接続検知レベル未満になり始める。ここで、前記電源電位の低下が速い場合であっても、前記第１の半導体集積回路の電位発生回路には前記第２のケーブルから電源として所定接続検知レベル以上の電位が供給されているので、この電位を電源として電位検知信号を出力し続ける。その結果、第１の半導体集積回路の電位発生回路は確実に通常通りに動作して、第１のケーブルの電位は所定接続検知レベル未満の電位となる。その結果、第２の半導体集積回路では、第１の半導体集積回路との接続が断たれたと正しく判断すると共に、その後に第２の電位発生回路が所定接続検知レベル以上の電位の出力を停止するので、第２のケーブルの電位がこの所定接続検知レベル未満の電位となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面に基づいて説明する。
【００１７】
(第１の実施の形態)
図１は本発明の第１の実施の形態である電位検知回路を備えた半導体集積回路の構成を示す図である。
【００１８】
同図において、１０は電源、１２は電源１０に接続された電位検知回路であって、電源１０の電位を検知し、電源電位が所定の電位検知レベル未満のときに電位検知信号１０１を出力する。１３は前記電位検知回路１２から電位検知信号を受ける電位発生回路であって、前記電位検知回路１２から電位検知信号を受けない場合には、所定接続検知レベル以上の電位を発生し、この電位をケーブル１５に出力する一方、前記電位検知信号を受けたときには前記所定接続検知レベル以上の電位の発生を停止して、ケーブル１５の電位を所定接続検知レベル未満の電位にする。１４は前記電位発生回路１３を制御するためのコントロール信号１０２を出力するコントロール回路であって、前記コントロール信号１０２が例えばＨｉｇｈレベルのときには電位発生回路１３の動作を許容し、Ｌｏｗレベルのときには禁止する。前記ケーブル１５は、図示しない他の半導体集積回路と本半導体集積回路とを接続する。
【００１９】
そして、１１は本半導体集積回路に備えられた外部端子であって、この外部端子１１には外部から制御信号が入力され、この制御信号は前記電位検知回路１２に入力される。前記電位検知回路１２は、前記制御信号が例えばＨｉｇｈレベルのときには前記電位検知信号の発生及び出力の動作が許容され、一方、前記制御信号が例えばＬｏｗレベルのときには前記電位検知信号の発生及び出力の動作が禁止される。
【００２０】
以上のように構成された半導体集積回路の動作を以下に説明する。
【００２１】
電源１０の電源電位が電位検知回路１２の電位検知レベル未満に低下すると、電位検知回路１２は電位検知信号１０１を発生する。電位発生回路１３は、例えばＨｉｇｈレベルのコントロール信号１０２によって動作が許容されている状況では、前記電位検知回路１２からの電位検知信号１０２を受けて、ケーブル１５への所定電位の供給を停止する。
【００２２】
一方、本半導体集積回路の動作の評価時において、電源１０の電源電位を電位検知回路１２の電位検知レベルよりも下げると、外部端子１１から電位検知回路１２への制御信号の出力がない従来と同様の場合には、電位検知回路１２が電位検知信号を出力して、電位発生回路１３がケーブル１５への所定電位の供給を停止するために、本半導体集積回路本来の動作下限電圧ではなくて電位検知回路１２の電位検知レベルまでしか本半導体集積回路の動作検証ができなくなる。
【００２３】
しかし、本実施の形態では、外部端子１１にHighレベルの制御信号が入力されている場合には、電位検知回路１２はその電位検知信号の出力が禁止され、このため、電源１０の電源電位を電位検知レベルよりも低下させたときであっても、電位検知信号１０１を出力せず、電位発生回路１３は所定動作を続行する。従って、外部端子１１からHighレベルの制御信号を入力することにより、電源１０の電源電位を電位検知回路１２の電位検知レベル未満に低く設定した際での本半導体集積回路の低電圧動作の評価が可能となる。
【００２４】
一方、外部端子１１にLowレベルの制御信号が入力されている場合は、電位検知回路１２の電位検知信号１０１の出力動作が許容されるので、電位発生回路１３の動作は従来と同様である。
【００２５】
従って、本発明の実施の形態によれば、外部端子１１からの制御信号によって電位検知回路１２の動作を許容及び禁止制御するので、電位検知回路１２の電位検知レベル未満の低電圧動作の評価が可能になる。
【００２６】
尚、外部端子１１に入力する制御信号がHighレベルのときに電位検知回路１２の動作を禁止したが、Lowレベルの制御信号を入力して電位検知回路１２の動作を禁止し、Highレベルの制御信号を入力して電位検知回路１２の動作を許容するように構成しても良いのは勿論である。
【００２７】
(第２の実施の形態)
図２は本発明の第２の実施の形態の半導体集積回路の構成を示す図である。
【００２８】
同図において、２１は本半導体集積回路の電源、２２は半導体集積回路のテストモードや通常動作などの切換えを行って本半導体集積回路の動作状態を決定するステートマシン、２３はステートマシン２２の電源である。２４は本半導体集積回路の電源２１に接続された電位検知回路であって、その電源２１の電位が所定電位検知レベル未満になると電位検知信号２０１を出力する。
【００２９】
また、２５は前記電位検知回路２４からの電位検知信号２０１を受ける電位発生回路であって、図１に示した電位発生回路１３と同様に、前記電位検知回路２４から電位検知信号２０１を受けない場合には、所定接続検知レベル以上の電位を発生してケーブル２６に与える一方、前記電位検知信号２０１を受けたときに前記所定接続検知レベル以上の電位の発生を停止して、ケーブル２６の電位を前記所定接続検知レベル未満の電位にする。前記ステートマシン２２は、前記電位発生回路２５を制御するコントロール信号２０２を発生し、このコントロール信号２０２が例えばＨｉｇｈレベルのときには電位発生回路２５の動作が許容され、Ｌｏｗレベルのときには動作が禁止される。ケーブル２６は、図示しない他の半導体集積回路と本半導体集積回路とを接続する。
【００３０】
更に、前記電位検知回路２４は、前記ステートマシン２２の電源２３に接続される。この電位検知回路２４は、前記ステートマシン２２の電源２３から電源供給を受けない通常動作時には、本半導体集積回路の電源２１の電源電圧が所定接続検知レベル未満に低下すると電位検知信号を出力する通常動作を許容され、一方、ステートマシン２２の電源２３から電源供給を受けた動作評価時には、前記電位検知信号の出力動作が強制的に禁止されるように構成されている。
【００３１】
以上のように構成された本半導体集積回路の動作を以下に説明する。
【００３２】
ステートマシン２２からのＨｉｇｈレベルのコントロール信号２０２が電位発生回路２５に入力されている場合には、電位発生回路２５は、その動作が許容されて、本半導体集積回路の電源２１の電源電位が電位検知回路２４の電位検知レベルよりも低下して電位検知回路２４からの電位検知信号２０１を受けると、ケーブル２６への所定検知レベル以上の電位の供給を停止する。
【００３３】
一方、本半導体集積回路の動作評価時において、ステートマシン２２の電源２３が電位検知回路２４に供給されていない従来と同様の場合には、半導体集積回路の電源２１の電源電位を電位検知レベルよりも下げると、電位検知回路２４が電位検知信号２０１を出力して、電位発生回路２５がケーブル２６への所定検知レベル以上の電位の供給を停止するために、本来の動作下限電圧ではなく、電位検知回路２４の電位検知レベルまでしか本半導体集積回路の動作検証ができなくなる。しかし、本実施の形態では、本半導体集積回路の動作評価時には、ステートマシン２２の電源２３が電位検知回路２４に供給されて、電位検知回路２４がその動作を禁止され、半導体集積回路の電源２１の電源電位を電位検知回路２４の電位検知レベルよりも低下させても、電位検知信号２０１を出力しない。
【００３４】
以上説明したように、本発明の実施の形態では、ステートマシン２２の電源２３の供給、非供給により、電位検知回路２４の動作を許容又は禁止して、通常動作と半導体集積回路の動作評価とを切り分けたので、半導体集積回路の動作評価時には、半導体集積回路の電源２１の電位を電位検知回路２４の電位検知レベル未満に低下させた場合の動作評価を可能にできる。
【００３５】
(第３の実施の形態)
図３は本発明の第３の実施の形態である信号送受信システムの全体構成を示す図である。
【００３６】
同図において、１は第１の半導体集積回路、２は第２の半導体集積回路、３１及び３２は第１の半導体集積回路１と第２の半導体集積回路２とを接続する第１及び第２のケーブル、３３は第１の半導体集積回路１の電源である。
【００３７】
前記第１の半導体集積回路１において、３８は電位検知回路であって、第１の半導体集積回路１の電源３３に接続され、その電源電位が所定の電位検知レベル未満のときに電位検知信号３０１を出力する。３４は第１の電位発生回路であって、前記電位検知回路３８からの電位検知信号を受けないときには所定接続検知レベル以上の電位を発生して、この電位を第１のケーブル３１に出力する一方、前記電位検知信号を受けたときには前記所定接続検知レベル以上の電位の発生を停止して、第１のケーブル３１の電位を前記所定接続検知レベル未満の電位にする。３９はコントロール回路であって、前記電位発生回路３４を制御するためのコントロール信号３０２を出力する。前記電位発生回路３４は、このコントロール信号３０２が例えばＨｉｇｈレベルのときには、前記接続検知レベル以上の電位の発生及び出力が許容され、Ｌｏｗレベルのときには前記接続検知レベル以上の電位の発生及び出力が禁止される。
【００３８】
更に、前記第２の半導体集積回路２において、３５は第２の接続検知回路であって、第１のケーブル３１に前記接続検知レベル以上の電位が与えられているときには第１の半導体集積回路１との接続を認識する。３６は第２の電位発生回路であって、前記第１のケーブル３１に前記接続検知レベル以上の電位が与えられているときに、所定の接続検知レベル以上の電位を第２のケーブル３２に与える。
【００３９】
加えて、前記第１の半導体集積回路１には、前記第２の半導体集積回路２の第２の電位発生回路３６から第２のケーブル３２に接続検知レベル以上の電位が与えられているときに、第２の半導体集積回路２との接続を認識する第１の接続検知回路３７が備えられる。そして、前記第１の電位検知回路３８には、電源として、前記第１の半導体集積回路１の電源３３の他に、第２の半導体集積回路２の第２の電位発生回路３６から前記第２のケーブル３２に与えられた接続検知レベル以上の電位が供給されている。
【００４０】
以下、本実施の形態の信号送受信システムの動作を説明する。
【００４１】
第１の半導体集積回路１の電源３３の電位が電位検知回路３８の電位検知レベルよりも低下すると、電位検知回路３８は電位検知信号３０１を発生する。ここで、コントロール回路３９がＨｉｇｈレベルのコントロール信号３０２を出力している場合には、電位発生回路３４はその動作が許容されていて、前記電位検知回路３８からの電位検知信号３０１を受けて所定接続検知レベル以上の電位の出力を停止し、第１のケーブル３１の電位を前記所定接続検知レベル未満の電位にする。第２の半導体集積回路２では、前記第１のケーブル３１の電位が第２の接続検知回路３５の接続検知レベル未満となったので、第１の半導体集積回路１とは接続されていないと認識し、第２の電位発生回路３６から第２のケーブル３２に所定検知レベル以上の電位の供給を停止する。
【００４２】
しかし、第１の半導体集積回路１の電位検知回路３８は第１の半導体集積回路１の電源３３により動作しており、電源３３の遮断時における電源電位の降下速度によっては、電位検知回路３８の電位検知信号３０１の出力期間が短くて、電位発生回路３４が所定通りに接続検知レベル以上の電位の供給を停止できない場合が発生する。この詳細を図５に基づいて説明する。
【００４３】
図５は、電位検知回路３８に第２のケーブル３２の電位を与えない場合の電源遮断時における電源３３、電位検知信号３０１、第１のケーブル３１の電位のタイミングチャートを示す。同図において、電源３３の電位が遮断により降下し、Ａ点の電位検知レベルに達すると、電位検知信号３０１が電位検知回路３８から出力される。その後、電源３３の電位が電位検知回路３８の動作下限電位であるＢ点に達すると、電位検知信号３０１が不定状態となる。このため、この電位検知信号３０１を受けている電位発生回路３４から第１のケーブル３１への出力電位の状態が不定状態となる。すると、電源３３の電位降下速度が速い場合には、第１のケーブル３１の電位が接続検知レベルよりも下がらない場合があり、その結果、電源３３は遮断されているが第２の半導体集積回路２は第１の半導体集積回路１が接続されているという誤認識をすることがある。
【００４４】
しかし、本実施の形態では、第２のケーブル２から第１の半導体集積回路１の第１の電位検知回路３８に対して電源が供給されているので、電源３３からの電源供給が遮断された場合であっても、その電源３３の電源電圧の降下速度に拘わらず、電位検知回路３８が所望通り正確に動作して、電位検知信号３０１を通常の出力期間だけ出力する。以下、本信号送受信システムのこの動作の詳細を図４により説明する。
【００４５】
図４は、電源遮断時における電源３３、電位検知信号３０１、第１のケーブル３１、及び第２のケーブル３２の各電位のタイミングチャートを示す。同図において、第１の半導体集積回路１の電源３３の電位が電位検知回路３８の電位検知レベルよりも高く供給されている場合は、電位検知回路３８は電位検知信号３０１を出力せず（Ｌｏｗレベルのままであり）、電位発生回路３４は第１のケーブル３１に対して接続検知レベル以上の電位を供給する。その電位は第２の半導体集積回路２の第２の接続検知回路３５により検知され、第２の半導体集積回路２では、第２の電位発生回路３６から第２のケーブル３２に対して接続検知レベル以上の電位が供給される。
【００４６】
その後、第１の半導体集積回路１の電源３３が遮断されて、その電源電位が図中Ｃ点において電位検知レベルよりも下がると、第１の半導体集積回路１では、電位検知回路３８がＨｉｇｈレベルの電位検知信号３０１を電位発生回路３４に出力して、電位発生回路３４が第１のケーブル３１に対して接続検知レベル以上の電位の供給を停止し始める。ここで、電源３３の電源電位が電位検知回路３８の動作下限電圧よりも低くなっても、電位検知回路３８には第２のケーブル３２から接続検知レベル以上の電位が供給されていて、電位検知回路３８は電位検知信号３０１の出力を維持するので、電位発生回路３４は、第１のケーブル３１に対する所定接続検知レベル以上の電位の供給の停止を続行して、第１のケーブル３１の電位は図中Ｄ点において接続検知レベル未満となる。
【００４７】
その後は、第１のケーブル３１の電位が接続検知レベル未満となったのに伴い、第２の半導体集積回路２では、第２の接続検知回路３５が第１の半導体集積回路１との接続が断たれたと認識し、第２の電位発生回路３６は第２のケーブル３２への接続検知レベル以上の電位の供給を停止し、第２のケーブル３２の電位は接続検知レベル未満に低下し始める。これにより、第１の半導体集積回路１の第１の電位検知回路３８には第２のケーブル３２からの接続検知レベル以上の電位の供給が絶たれるが、第１のケーブル３１の電位は既に所定接続検知レベル未満に低下しているので、何ら問題はない。
【００４８】
従って、本実施の形態では、電位検知回路３８に第２のケーブル３２からの電源供給をする構成としたので、電源３３の遮断時での電源電位の降下速度に拘わらず、電源３３の遮断による第１の半導体集積回路１の接続、非接続を正しく認識することが可能である。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１及び請求項２記載の発明の半導体集積回路によれば、電源電圧が所定電位検知レベル未満に低下した際に電位検知信号を出力する電位検知回路を備えた半導体集積回路であっても、動作下限電圧の動作評価を可能にできる。
【００５０】
また、請求項３記載の発明の信号送受信システムによれば、第１の半導体集積回路の電源の遮断時に、その電源電位が急低下する場合であっても、電位検知回路から電位検知信号を比較的長期に亘って出力させて、電位発生回路からの所定接続検知レベル以上の電位の出力の停止を確実に行わせたので、第１の半導体集積回路の接続が断たれたとの正しい認識を確保できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の電位検知回路を備えた半導体集積回路の構成を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の電位検知回路を備えた半導体集積回路の構成を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態の信号送受信システムの構成を示す図である。
【図４】同信号送受信システムの電源遮断時の動作を示すタイミング図である。
【図５】第１の半導体集積回路の電位検知回路に対して第２のケーブルからの電源供給がない場合の信号送受信システムの電圧遮断時の動作を示すタイミング図である。
【符号の説明】
１ 第１の半導体集積回路
２ 第２の半導体集積回路
１０、３３ 電源
１１ 外部端子
１２、２４、３８ 電位検知回路
１３、２５ 電位発生回路
１４、３９ コントロール回路
１５、２６ ケーブル
２１ 半導体集積回路の電源
２２ ステートマシン
２３ ステートマシンの電源
３１ 第１のケーブル
３２ 第２のケーブル
３４ 第１の電位発生回路
３５ 第２の接続検知回路
３６ 第２の電位発生回路
３７ 第１の接続検知回路
１０１、２０１
３０１ 電位検知信号
Claims (3)
- ケーブルを介して他の半導体集積回路と接続される半導体集積回路であって、
電源の電位が所定電位検知レベル未満のとき電位検知信号を出力する電位検知回路と、
前記電位検知回路の電位検知信号を受けて所定接続検知レベル以上の電位を前記ケーブルに与えることを停止する電位発生回路とを備えた半導体集積回路であって、
外部端子が備えられ、
前記電位検知回路は、前記外部端子からの制御信号を受け、この制御信号により前記電位検知信号の出力及び非出力が制御される
ことを特徴とする半導体集積回路。 - ケーブルを介して他の半導体集積回路と接続される半導体集積回路であって、
半導体集積回路の電源の電位が所定電位検知レベル未満のとき電位検知信号を出力する電位検知回路と、
前記電位検知回路の電位検知信号を受けて所定接続検知レベル以上の電位を前記ケーブルに与えることを停止する電位発生回路とを備えた半導体集積回路であって、
半導体集積回路の動作状態を決定するステートマシンが備えられ、
前記電位検知回路は、前記ステートマシンの電源に接続され、このステートマシンの電源の電位により前記電位検知信号の出力及び非出力が制御される
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 第１及び第２の半導体集積回路と、この２つの半導体集積回路を接続する第１及び第２のケーブルとを備えた信号送受信システムであって、
前記第１の半導体集積回路は、
電源の電位が所定電位検知レベル未満のとき電位検知信号を出力する電位検知回路と、
前記電位検知回路の電位検知信号を受けないときには所定接続検知レベル以上の電位を発生して前記第１のケーブルに与える一方、前記電位検知回路の電位検知信号を受けたときには前記所定接続検知レベル以上の電位の発生を停止する第１の電位発生回路とを備え、
前記第２の半導体集積回路は、
前記第１の電位発生回路が前記第１のケーブルに所定接続検知レベル以上の電位を与えているとき、前記第２のケーブルに所定接続検知レベル以上の電位を与える第２の電位発生回路を備え、
前記第１の半導体集積回路の電位検知回路は、電源として、前記第１の半導体集積回路の電源と共に、前記第２のケーブルの所定接続検知レベル以上の電位が与えられる
ことを特徴とする信号送受信システム。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002060029A JP3856714B2 (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 電位検知回路を備えた半導体集積回路及び信号送受信システム |
| US10/365,527 US6944003B2 (en) | 2002-03-06 | 2003-02-13 | Semiconductor integrated circuit with voltage-detecting circuit and signal transmitting and receiving system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002060029A JP3856714B2 (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 電位検知回路を備えた半導体集積回路及び信号送受信システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003255026A JP2003255026A (ja) | 2003-09-10 |
| JP3856714B2 true JP3856714B2 (ja) | 2006-12-13 |
Family
ID=27784779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002060029A Expired - Fee Related JP3856714B2 (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 電位検知回路を備えた半導体集積回路及び信号送受信システム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6944003B2 (ja) |
| JP (1) | JP3856714B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006075400A1 (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | セグメントグレーティングアライメント装置 |
| CN100561403C (zh) * | 2005-10-17 | 2009-11-18 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 直流电压侦测电路 |
| US20080061842A1 (en) * | 2006-09-07 | 2008-03-13 | Micron Technology, Inc. | Circuit and method for detecting timed amplitude reduction of a signal relative to a threshold voltage |
| US7560959B2 (en) * | 2006-09-18 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Absolute value peak differential voltage detector circuit and method |
| JP5118939B2 (ja) * | 2007-10-25 | 2013-01-16 | ローム株式会社 | 液晶駆動装置及びこれを用いた液晶表示装置 |
| US10812138B2 (en) | 2018-08-20 | 2020-10-20 | Rambus Inc. | Pseudo-differential signaling for modified single-ended interface |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03143064A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-18 | Sharp Corp | データ通信用端末装置 |
| US5559966A (en) * | 1992-11-06 | 1996-09-24 | Intel Corporation | Method and apparatus for interfacing a bus that operates at a plurality of operating potentials |
| JPH07221819A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電話装置 |
| US5852743A (en) * | 1996-07-12 | 1998-12-22 | Twinhead International Corp. | Method and apparatus for connecting a plug-and-play peripheral device to a computer |
| JPH1127432A (ja) | 1997-07-02 | 1999-01-29 | Canon Inc | ファクシミリ装置、及びその制御方法 |
| US6378026B1 (en) * | 1998-11-09 | 2002-04-23 | Sipex Corporation | Connection detection circuit and method |
-
2002
- 2002-03-06 JP JP2002060029A patent/JP3856714B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-13 US US10/365,527 patent/US6944003B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6944003B2 (en) | 2005-09-13 |
| US20030169551A1 (en) | 2003-09-11 |
| JP2003255026A (ja) | 2003-09-10 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050228 |
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| A977 | Report on retrieval |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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