JP3846819B2 - 発光素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光素子に関し、特にいわゆるダークスポットの成長を抑止することができる発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、電極間に有機エレクトロルミネッセンス(EL)薄膜を電極で挟み込み、これらの電極間に電圧を印加することで有機EL薄膜にキャリアを注入することで発光させる発光素子が知られている。この発光素子は、有機EL素子と呼ばれている。
【0003】
有機EL素子は、一般的に、ガラス等で構成された基板上に、透明電極で形成されたアノード電極、有機EL層、さらに低仕事関数電極で構成されたカソード電極が順次形成されてなるものである。
この有機EL素子の形成プロセスにおいて、パーティクル(小さなゴミ、塵、不要物などをいう。以下、同じ)が存在すると、特に有機EL層の形成の直前の電極(アノード電極)上に存在すると、その上に製膜する有機EL層とアノード電極との界面にパーティクルが存在したままとなる。
【0004】
このようにパーティクルが存在したまま有機EL層が製膜されると次のような問題点が生じる。
まず、有機EL層の層厚は、通常2μm以下であるのに対して、有機EL層にキャリアを注入するために印加する電界の強度が通常数千V/m程度と著しく大きい。このため、数μmφ程度の微少なパーティクルが存在することによっても電極間ショートが生じやすくなる。この電極間ショートによってパーティクルが存在した部分のカソード電極及び有機EL層が欠損し、ピンホールが生じてしまう。
【0005】
そして、このピンホールからカソード電極に酸素や水分が侵入することとなる。
ところで、上記の有機EL素子において、カソード電極は活性な低仕事関数電極で形成されるため、容易に酸化を生じやすい。こうしてカソード電極が酸化されることによってカソード電極の仕事関数が著しく増加することとなり、有機EL層にキャリアが注入されにくくなる。これにより、有機EL素子に、有機EL層に所定の電圧を印加しても発光しない部分(以下、ダークスポットという)が生じてしまう。しかも、カソード電極はピンホールを核として放射状に酸化されていくため、ダークスポットは、最初に発生した部分を核として、経時的に面方向に対して放射状に成長していく。
【0006】
このような問題を解消するために、従来は、有機EL素子を樹脂等の封止部材で封入するか、反対側にさらに基板を設け、基板間にシリコンオイルを介在させることによって、カソード電極に酸素や水分が侵入しないようにする手法が用いられていた。しかしながら、これらの封止部材やシリコンオイルによってもカソード電極への酸素や水分の侵入を完全に抑止することはできず、ダークスポットの成長と止めることができなかった。
【0007】
また、例えば、カソード電極がコモン電極として複数の画素にわたって形成されている有機EL素子では、カソード電極の酸化はピンホールが生じた画素のみならず、隣接する画素にも拡張していくため、発光しない画素が順次増加していった。このため、1つの画素のみが発光しないのであればそれを無視して使用を継続することが可能な高精細の有機EL素子でも隣接する画素までが発光できなくなると、使用の継続は事実上できなくなっていた。
従って、いずれにしても時間の経過と共にダークスポットが大きくなり、有機EL素子の視認性が著しく悪くなるという問題があった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来技術の問題点を解消するためになされたものであり、いわゆるダークスポットの成長を抑止して、長期にわたり視認性が良好な発光素子を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の複数の画素を備えた発光素子は、
一画素内において、
第1の電極と、
この第1の電極上に形成され、複数の閉領域を形成し、かつ非導電性の材料によって構成された隔壁部と、
この隔壁部によって形成された閉領域の内部に形成され、印加された電圧に応じて発光する発光層と、
前記閉領域の内部の前記発光層上に形成され、前記隔壁部により互いに離間された複数の第2の電極と、
前記複数の第2の電極上に前記複数の第2の電極を互いに接続し、前記複数の第2の電極材料より高仕事関数の材料を含む第3の電極と、
を備えることを特徴とする。
【0010】
上記発光素子は、例えば、発光層形成前に存在したパーティクルによって電極間ショートが発生し、これがためにピンホールが生じ、そこから第2の電極が酸化し始めても、第2の電極が隔壁部により互いに離間されているので前記閉領域を越えて他の第2の電極まで酸化されない。このため、上記発光素子では、いわゆるダークスポットの成長が抑止され、長期にわたり良好な視認性得ることができる。
【0011】
上記発光素子において、
前記発光層及び前記第2の電極は、前記隔壁部の上にも形成されているものとしてもよい。
【0012】
上記発光素子において、
このように閉領域を隔壁部により形成することにより発光層及び第2の電極をパターニングしなくても隣接するそれらと離間して形成することができるので閉領域を越えて隣接する第2電極まで酸化されない。
【0013】
上記発光素子は、一画素を複数の閉領域により分割したので、1つの閉領域を核としてダークスポットが発生しても隣接する閉領域にまで及ばないのでこの画素は長期にわたって点灯表示することができる。
【0014】
上記発光素子において、
前記隔壁部は、その高さが、前記発光層の高さと前記第2の電極の高さとの和より大きいことを好適とする。
このため、隔壁部で発光層と第2の電極とを容易に分離することができる。
【0015】
上記発光素子において、
前記複数の第2の電極上に前記複数の第2の電極を互いに接続し、前記複数の第2の電極材料より高仕事関数の材料を含む第3の電極が形成しているので、隣接する複数の第2の電極を等電位にすることができる。
【0016】
上記発光素子において、
前記隔壁部によって形成される複数の閉領域は、それぞれ円形、楕円形、正六角形の少なくとも1つから選択される形状としてもよい。
【0017】
上記発光素子において、
前記発光層は、例えば、有機エレクトロルミネッセンス材料によって構成されている。
【0018】
上記発光素子において、
前記第1の電極は、導電性を有する透明材料によって構成されており、
前記第2の電極は、前記第1の電極より仕事関数が低い導電性材料によって構成され、
前記隔壁部は、絶縁性を示し、それ自体が酸素及び水を放出しない材料によって構成されていることを好適とする。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【0020】
図1は、本発明の実施の形態の有機EL素子1の構成を示す図である。
この有機EL素子1は、単純マトリクス方式のものであり、図示するように、基板1a上に順に形成されたアノード電極1bと、有機EL層1dと、カソード電極1cと、被覆電極1fとからなる。アノード電極1bは、有機EL層1dに正孔を注入する電極であり、有機EL素子1の走査電極(或いは信号電極)として使用され、実質的に同一幅で互いに平行に複数形成されている。カソード電極1cは、有機EL層1dに電子を注入する電極であり、有機EL素子1の信号電極(或いは走査電極)として使用され、アノード電極1bと直交し、かつ実質的に同一幅で互いに平行に複数形成されている。被覆電極1fは、カソード電極1cの上に形成されている。有機EL層1dの形成前には、隔壁層が形成され、後述する発光部と非発光隔壁部が形成される。
なお、これらの電極や各層の構成材料や厚さについては、後に詳しく説明する。
【0021】
図2は、図1の有機EL素子1の発光部6と非発光隔壁部7の1画素5分の構成を模式的に示す図である。
図示するように、有機EL素子1の各画素5は、マトリクス状に形成された発光部6と、この発光部6のマトリクスの間を埋め、発光部6を閉領域とするように縦横にそれぞれ平行して設けられた非発光隔壁部7とから構成されている。発光部6は、1辺が20μmの正方形であり、縦横に9個ずつ合計81個形成されている。発光部6の間の非発光隔壁部7の幅は、4μmである。すなわち、有機EL素子1の各画素5は、220μmの正方形である。
【0022】
次に、発光部6と非発光隔壁部7との構成について、図3(図2のX−X’断面図)を参照して説明する。
図示するように、発光部6は、基板1a上にアノード電極1b、有機EL層1d、カソード電極1c、被覆電極1fが順に形成されたものである。
一方、非発光隔壁部7は、基板1a上にアノード電極1b、隔壁層1e、有機EL層1d、カソード電極1c、被覆電極1fが順に形成されたものである。
【0023】
基板1aは、透明のガラスまたはプラスチックなどによって構成されており、0.5mmの厚さを有する。
アノード電極1bは、発光部6及び非発光隔壁部7とも一体に形成されたものであり、透明のITO(Indium Tin Oxide)等によって構成され、250nmの層厚を有する。
【0024】
隔壁層1eは、発光部6を囲むように非発光隔壁部7にのみ格子状に連続して形成されており、SiO2、SiNx等の絶縁性を有し、かつ酸素或いは水分によって酸化されず、それ自体酸素及び水を放出しない材料からなる。隔壁層1eの層厚は、500nmである。
【0025】
有機EL層1dは、発光部6及び非発光隔壁部7の両方に後述するように同一プロセスで形成されるものであり、アノード電極1b或いは隔壁層1e側に形成された正孔輸送層と、カソード電極1c側に形成された電子輸送性発光層とからなる。有機EL層1dの層厚は、正孔輸送層及び電子輸送性発光層との両方を合わせて、100nmである。
【0026】
正孔輸送層は、化1に示すα−NPDからなる。
【化1】
【0027】
電子輸送性発光層は、化2に示すBebq2からなる。
【化2】
【0028】
有機EL層1dは、電極間に電圧を印加し、電極間を電流が流れて正孔と電子とが再結合することによって励起されたエネルギーを電子輸送性発光層が吸収することによって発光する。この有機EL層1dは、電子輸送性発光層としてBebq2を用いていることにより、アノード電極1bを介して基板1a側に緑色の光を発するものである。
【0029】
カソード電極1cは、隔壁層1eとの段差により発光部6と非発光隔壁部7との間で断裂し、各発光部6のカソード電極1cは、隣接する発光部6のカソード電極1cと不連続に構成される。カソード電極1cは、後述するように発光部6と非発光部12の両方に同一プロセスで形成されるものであり、有機EL層1dの電子輸送性発光層に電子が注入されやすくするようにMgまたはMg合金等の低仕事関数の導電性材料から構成されており、200nmの層厚を有する。
【0030】
被覆電極1fは、後述するように発光部6と非発光部12の両方に同一プロセスで形成されるものであり、Al等の導電性に極めて影響のなるような酸化が起こりにくい高仕事関数の導電性材料によって構成され、隣接する発光部6に跨って連続的にカソード電極1cを覆うように形成されている。この被覆電極1fによって酸化されやすいMgまたはMg合金等の導電性材料から構成されたカソード電極1cの酸化を防ぐものである。被覆電極1fは、1000nmの層厚を有する。
【0031】
なお、以上のようにして構成された有機EL素子1は、樹脂等で構成された封止部材によって封止されるか、或いは被覆電極1f側にもう1枚基板が設けられ、両基板の間にシリコンオイルが封入される。これにより、酸素や水分の侵入を防いでいる。
【0032】
以下、この有機EL素子1の製造プロセスについて、図4(A)〜図4(E)を参照して、説明する。なお、これらの図は、図2のX−X断面となる部分を示すものであり、図3に示した部分に対応するものである。
【0033】
まず、基板1a上の全面にスパッタ法で250nmの層厚となるまでITOの薄膜を堆積させる。そして、堆積させたITOのうちの不要部分、すなわち複数を平行に形成するアノード電極1bとなる部分以外の部分をフォトリソグラフィー法により取り除く。これにより、基板1a上に走査電極となるアノード電極1bを形成する(工程(A))。
【0034】
次に、工程(A)でアノード電極1bを形成した基板1aの上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法で500nmの層厚となるまでSiO2を堆積させる。そして、堆積させたSiO2のうちの不要部分、すなわち発光部6となる部分以外の部分をフォトリソグラフィー法により取り除く。これにより、アノード電極1bが形成された基板1aの上に非発光隔壁部7に設けられる隔壁層1eが形成される(工程(B))。
【0035】
次に、工程(B)まででアノード電極1b及び隔壁層1eを形成した基板1aの上に、50nmの層厚となるまで正孔輸送層材料であるα−NPDを真空蒸着する。さらに、α−NPDの真空蒸着が終了した後、50nmの層厚となるまで電子輸送性発光層材料であるBebq2を真空蒸着する。これにより、発光部6及び非発光隔壁部7の双方に100nmの層厚の有機EL層1dが不連続的に形成される(工程(C))。
【0036】
次に、複数を互いに平行に形成するカソード電極1cに対応する領域の窓を設けたメタルマスクを所定の位置に合わせて、200nmの層厚となるまでMgを真空蒸着する。カソード電極1cは、隔壁層1eにより発光部6と非発光隔壁部7との間で断裂し、各発光部6のカソード電極1cは、隣接する発光部6のカソード電極1cと不連続である。こうしてメタルマスクの窓の部分にMgが真空蒸着され、工程(C)で形成された有機EL層1d上に信号電極となる互いに平行に複数設けられたカソード電極1cが形成される(工程(D))。
【0037】
そして、工程(D)で使用したのと同じメタルマスクを位置合わせしたまま、1000nmの層厚となるまでAlを真空蒸着する。こうして、メタルマスクの窓の部分にAlが真空蒸着され、工程(D)で形成されたカソード電極1cの上に発光部6と非発光隔壁部7とを跨いで連続的に被覆電極1fが形成される(工程(E))。
【0038】
以下、この有機EL素子1におけるダークスポットの成長の過程について、図5(A)〜図5(D)を参照して、説明する。これらの図において、上段は発光部6と非発光隔壁部7とを模式的に平面図で示すものであり、下段はそれぞれ上段の図のA−A’断面図、B−B’断面図、C−C’断面図、D−D’断面図である。
【0039】
まず、図5(A)中の×印で示すように、図の中央の発光部6のアノード電極1bとカソード電極1cとの間に、製造プロセス上の問題によってパーティクルPが存在したとする。このようなパーティクルPが存在することになった有機EL素子1の画素5の有機EL層1dにキャリアを注入するためには、アノード電極1bとカソード電極1cとの間に電圧を印加し、例えば、5000V/m程度の電界を印加する必要がある。
【0040】
こうしてアノード電極1bとカソード電極1cとの間にこのように強度が強い電界を印加すると、パーティクルPが導電性であった場合、パーティクルPが存在する部分でアノード電極1bとカソード電極1cとの間がショートする。このショートによって生じたエネルギーによって、図5(B)の下段の断面図に示すようにカソード電極1c、被覆電極1f(及び有機EL層1d)が欠損し、上段の平面図に○印で示すピンホールが生じる。
また、パーティクルは、導電性、非導電性であるに関わらず、アノード電極1bの形成後から被覆電極1fの形成までの間に発生することがある。このパーティクルの立体的障害により、有機EL層1dにピンホールが生じ、ピンホールを介してアノード電極1bとカソード電極1cとの間がショートし、被覆電極1fが欠損し、ピンホールを発生することもある。
【0041】
すると、この被覆電極1fにできたピンホールから酸素或いは水分が侵入し、図5(C)に黒く塗りつぶして示すように、このピンホールを中心として時間の経過と共に発光部6のカソード電極1cが順次酸化していき、発光部6にダークスポットが拡散的に広がっていく。黒色部は少なくともその厚さ方向の一部が酸化していることにより、電子注入性が著しく損なわれたカソード電極1cのダークスポットに対応する部分である。
【0042】
さらに、時間が経過すると、カソード電極1cの酸化された部分、すなわち発光部6のダークスポットが成長していくが、このダークスポットの成長は、図5(D)に示すように、非発光隔壁部7の隔壁層1eによって抑止され、隣接する発光部6に広がっていかない。すなわち、ダークスポットは発光部6のカソード電極1cが連続して成膜されている領域までは成長するが、非発光隔壁部7の隔壁層1eの段差により隣接する発光部6のカソード電極1cは不連続となっているので酸化されない。従って、ダークスポットの成長は、1つの発光部6で抑えられる。
【0043】
つまり、1つのダークスポットの面積は、最大でも400μm2以下に抑えられ、周囲の非発光隔壁部7を含めても連続して発光しない部分の面積は、784μm2以下となる。発光しない部分の面積は、この程度であれば、目視してもそれを認識することができない。また、1つの画素5において、発光する光量も、ダークスポットが生じても、ダークスポットが生じない場合の80/81としかならないので、目視によって認識することができない程度である。従って、実用上は、何らの差し支えとなることがない。
【0044】
以上説明したように、この実施の形態の有機EL素子1では、パーティクルの存在などによって有機EL層1dに発生したピンホールから電極間がショートして低仕事関数のカソード電極1cが露出し、そこからカソード電極1cが酸化されても、その酸化は非発光隔壁部7(隔壁層1e)によって止められる。従って、いわゆるダークスポットの成長は、パーティクルが存在した発光部6のみで済むこととなる。従って、ダークスポットが生じても、その画素5の発光の差は、目視ではほとんど識別できず、実用上何らの問題も生じない。このため、有機EL素子1の長期にわたり良好な視認性を維持することができる。
【0045】
しかも、この実施の形態の有機EL素子1は、隣接する画素において被覆電極1fが連続して形成されているが、1つの画素においてピンホールが生じてダークスポットが発生しても、その影響が隣接する画素に及ぶことがない。
【0046】
上記の実施の形態では、有機EL素子1の各画素5の発光部6の形状は、正方形であったが、本発明はこれに限られない。
例えば、図6に示すように、発光部6’を円形(楕円形でも可)とした構造とし、発光部6’の周囲に非発光隔壁部7’を設けることによって角部に生じる応力集中等による欠陥の発生を回避することができる。
【0047】
また、図7に示すように、発光部6”を正六角形としてハニカム構造とし、発光部6’の周囲に非発光隔壁部7”を設けることによって、最密充填構造を維持しつつ、発光部6”の非発光隔壁部7”に対する割合を最大にすることができる。
【0048】
なお、図6及び図7に示す有機EL素子において、アノード電極、カソード電極、被覆電極、有機EL層及び隔壁層を積層する構造及びその製造プロセスは、上記の実施の形態で示したもの(図3及び図4)と同一である。
【0049】
上記の実施の形態では、発光部6は、1辺が20μmの正方形であり、その面積は400μm2であった。また、非発光隔壁部7の幅は、4μmであった。しかしながら、これらの面積及び幅は、上記のものに限るものではない。但し、一般に、発光部6の面積を10000μm2以下、非発光隔壁部7の幅を50μm以下とすることによって、1つの発光部6で生じたダークスポット及び非発光隔壁部7の存在が目視では識別できないものとなる。
【0050】
上記の実施の形態では、アノード電極1aの厚さは250nm、カソード電極1cの厚さは200nm、有機EL層1dの厚さは100nm、隔壁層1eの厚さは500nm、被覆電極1fの厚さは1000nmとしていた。しかしながら、これらの厚さは、発光部6のカソード電極1cと非発光隔壁部7のカソード電極1cとが接触しないように、隔壁層1eの厚さをカソード電極1cの厚さよりも厚くし、隔壁層1eの段差により被覆電極1fが不連続にならないようにすれば任意の厚さにすることができる。
【0051】
上記の実施の形態では、隔壁層1eの形成後、有機EL層1dを全体に形成していた。このため、隔壁層1eの上にも有機EL層1dが形成されることとなっていた。しかしながら、例えば、フォトリソグラフィフィー法を使用することによって、隔壁層1eの上に有機EL層を形成しないようにしてもよい。但し、この場合は、発光部6のカソード電極1cと非発光隔壁部7のカソード電極1cとが接触しないように、隔壁層1eの厚さをカソード電極1cの厚さと有機EL層1dとの和よりも厚くする必要がある。
【0052】
上記の実施の形態では、本発明を単純マトリクス方式の有機EL素子1の各画素5に適用した場合について説明したが、アクティブマトリクス方式の有機EL素子の各画素にも適用することもできる。
以下、この発明に係るアクティブ駆動型電界発光表示装置の詳細を図面に示す実施形態に基づいて説明する。
【0053】
図8は本実施形態に係る電界発光表示装置の駆動回路図である。
同図に示すように、電界発光素子としての有機EL素子101が、X−Yマトリクス状に配置されたそれぞれの画素領域に形成されている。これらの画素領域は、複数の走査ラインXと複数の信号ラインYとがそれぞれ交差する部分に形成されている。1つの画素領域には、走査ラインXおよび信号ラインYに接続された選択トランジスタQ1と、この選択トランジスタQ1に接続されたキャパシタCp1及びゲートが接続された駆動トランジスタQ2とが設けられている。この駆動トランジスタQ2は、有機EL素子101の一方の電極(図ではアノード電極)に接続されている。そして、選択トランジスタQ1が走査ラインXからの選択信号により選択され、且つ信号ラインYより駆動信号が出力されると駆動トランジスタQ2がオン状態になるように設定されている。なお、駆動トランジスタQ2は、オフ状態では有機EL素子101に比べて充分高抵抗で、オン状態では有機EL素子101に比べて無視できるほど充分低抵抗となるようにその特性が設定されている。
【0054】
ここで、本実施形態における電界発光表示装置の更に具体的な構成を、図9および図10を用いて説明する。図9は、本実施形態における電界発光表示装置の1画素部分を示す平面図である。図10は、図9のE−E’断面図である。図中100は電界発光表示装置を示している。
【0055】
本実施形態の電界発光表示装置100は、ガラス或いは樹脂フィルムからなる基板102の上に例えばアルミニウム(Al)でなるゲートメタル膜がパターニングされてなる、所定方向(X方向)に沿って平行かつ等間隔をなす複数の走査ライン103と、この走査ライン103に一体的な、選択トランジスタQ1のゲート電極103Aと、駆動トランジスタQ2のゲート電極103Bと、が形成されている。なお、これらゲート電極103A、103Bおよび走査ライン103の表面には、陽極酸化膜104が形成されている。また、これら走査ライン103、ゲート電極103A、103Bおよび基板102の上には、窒化シリコンでなるゲート絶縁膜105が形成されている。さらに、ゲート電極103A、103Bの上方のゲート絶縁膜105A、105Bの上にはそれぞれ、アモルファスシリコン又はポリシリコンでなる半導体層106A、106Bがパターン形成されている。また、それぞれの半導体層106A、106Bの中央には、チャネル幅方向に沿って形成されたブロッキング層107A、107Bが形成されている。そして、半導体層106Aの上には、ブロッキング層107A上でソース側とドレイン側とに分離されたオーミック層108A、108Aが形成されている。さらに、選択トランジスタQ1においては、ドレイン側のオーミツク層108Aに横層されて接続する信号ライン109Aと、ソース側のオーミック層108Aに積層されて接続するソース電極109Bとが形成されている。
【0056】
このソース電極109Bは、図9に示すように、駆動トランジスタQ2のゲート電極103Bに対して、ゲート絶縁膜105に閉口したコンタクトホール110を介して接続されている。駆動トランジスタQ2においては、ソース側のオーミック層108Bに積層されて接続するGND線111と、一端がドレイン側のオーミック層108Bに積層されて接続し、且つ他端が有機EL素子101の後記するアノード電極114に接続するドレイン電極112が形成されている。また、ゲート電極103Bとゲート絶縁膜105とGND線11とでキャパシタCp1が構成される。
【0057】
次に、有機EL素子101の構成を説明する。
まず、上註した選択トランジスタQ1、駆動トランジスタQ2およびゲート絶縁膜105の上に、電界発光表示装置100の発光表示領域全域にあって、層間絶縁膜113が堆積されている。そして、上記した駆動トランジスタQ2のドレイン電極112の端部上の層間絶縁膜113にコンタクトホール113Aが形成されている。なお、本実施形態では、駆動トランジスタQ2のドレイン電極112の端部は、1画素領域の略中央に位置するように設定されている。そして、層間絶縁膜113の上に、可視光に対し透過性を示す、例えばITOでなるアノード電極114が略1画素領域全域に亙って矩形状に形成されている。すなわち、アノード電極114は、相隣接する信号ライン109A、109Aと相隣接する走査ライン103、103とで囲まれる領域(1画素領域)を略覆うように形成されている。このため、選択トランジスタQ1と駆動トランジスタQ2とは、アノード電極114で全面的に覆われている。
【0058】
アノード電極114上に発光部121と非発光隔壁部122とが形成されている。発光部121のアノード電極114上には、有機EL層115が、隣接する発光部121の有機EL層115と離間して形成されている。そして、発光部121の有機EL層115上にはMg又はMg合金等の低仕事関数の導電性材料からなるカソード電極116が形成されている。非発光隔壁部122のアノード電極114上には、SiO2等の絶縁性材料からなる隔壁層117が、1画素全域にわたって発光部121を囲むように格子状に連続して形成されている。隔壁層117の上には、発光部121と一括して形成された有機EL層115、カソード電極116が順次積層して設けられている。発光部121のカソード電極116と非発光隔壁部122のカソード電極116上には、Alからなる被覆電極118が両部121,122を跨って形成されている。被覆電極118は基板全面に形成されてもよく、各走査ラインXに沿った行方向の有機EL素子101のカソード電極116上を跨るように形成されてもよい。この場合、被覆電極118は、図8に示す行コモンラインZに接続することになる。
【0059】
本実施形態においてもダークスポットは、1つの発光部121のカソード電極116の酸化により発生した場合、1つの発光部121の面積を超えて成長しないので、長期にわたり極めて視認性が良好であり、また、有機EL素子はその有機EL層が薄いほど印加電圧に対する輝度が高くなる傾向があるが、有機EL層のピンホールの発生を解消するために有機EL層を層厚を厚くしたりする必要がないので低電圧で高い輝度で発光することができる。
【0060】
上記の実施の形態では、ドットマトリクス表示を行う有機EL素子について説明したが、本発明は、セグメント表示を行う有機EL素子の各セグメントや、ピクト表示を行う有機EL素子の各ピクトについても適用することができる。携帯電話やPHS等の表示部のバックライトとして用いる全面発光型の有機EL素子にも適用することができる。
【0061】
上記の実施の形態では、有機EL素子1dは、α−NPDからなる正孔輸送層とBebq2からなる電子輸送性発光層の2層構造で、有機EL素子1は、緑色の単色光を発光するものとしていた。しかしながら、有機EL層1dは、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層からなる3層構造のものとしてもよい。また、使用する有機EL材料も上記のものに限るものではなく、他の材料を使用して他の色を発色できるようにしてもよい。さらには、例えば、赤、緑、青のそれぞれの波長成分の光を発する有機EL層を所定の順序で形成して、マルチカラーまたはフルカラー表示を行うものとしてもよい。
【0062】
また、各閉領域の面積を10000μm2以下とすることによって、本発明の発光素子において最大限ダークスポットが拡大しても、目視では識別できないものとなる。また、隔壁部の幅を50μm以下とすることによって、隔壁部の存在が目視では識別できないものとなる。
【0063】
また、閉領域の形状を円形または楕円形とし、分割される発光領域のレイアウトを再密充填構造とすることによって、応力の集中に起因する欠陥の発生を回避することができる。さらに、閉領域の形状を正六角形とすることによって、再密充填構造を維持しつつ、隔壁部に対する発光領域の面積の割合を最大にすることができ、明るい表示を得ることができる。
【0064】
また、本発明の発光素子を単純マトリクス方式の発光素子に適用することによって、1つの画素に生じたダークスポットが他の画素の領域にまで広がって、他の画素の表示に影響することがない。
【0065】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の発光素子では、隔壁部によって閉領域を形成することによって、ピンホールが生じてもこの閉領域内で第2の電極の酸化の進行が抑止される。このため、発光素子において、いわゆるダークスポットの成長が抑止され、長期間にわたって良好な視認性を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の有機EL素子の構成を示す図である。
【図2】図1の有機EL素子の1画素分の構成を模式的に示す図である。
【図3】図2のX−X’断面図である。
【図4】(A)〜(E)は、図1の有機EL素子の製造工程を示す図である。
【図5】(A)〜(D)は、図1の有機EL素子におけるダークスポットの成長の過程を説明する図である。
【図6】本発明の他の実施の形態の有機EL素子の1画素分の構成を模式的に示す図である。
【図7】本発明の他の実施の形態の有機EL素子の1画素分の構成を模式的に示す図である。
【図8】本発明のさらに他の実施の形態の有機EL素子の等価回路の構成を示す図である。
【図9】図8の有機EL素子の1画素分の構成を模式的に示す図である。
【図10】図9のE−E’断面図である。
【符号の説明】
1・・・有機EL素子、1a・・・ガラス基板、1b・・・アノード電極、1c・・・カソード電極、1d・・・有機EL層、1e・・・隔壁層、1f・・・被覆電極、5・・・画素、6、6’、6”・・・発光部、7、7’、7”・・・非発光隔壁部
Claims (6)
- 複数の画素を備えた発光素子であって、
一画素内において、
第1の電極と、
この第1の電極上に形成され、複数の閉領域を形成し、かつ非導電性の材料によって構成された隔壁部と、
この隔壁部によって形成された閉領域の内部に形成され、印加された電圧に応じて発光する発光層と、
前記閉領域の内部の前記発光層上に形成され、前記隔壁部により互いに離間された複数の第2の電極と、
前記複数の第2の電極上に前記複数の第2の電極を互いに接続し、前記複数の第2の電極材料より高仕事関数の材料を含む第3の電極と、
を備えることを特徴とする発光素子。 - 前記発光層及び前記第2の電極は、前記隔壁部の上にも形成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 前記隔壁部は、その高さが前記発光層の高さと前記第2の電極の高さとの和より大きい、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の発光素子。 - 前記隔壁部によって形成される複数の閉領域は、それぞれ円形、楕円形、正六角形の少なくとも1つから選択される形状である、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光素子。 - 前記発光層は、有機エレクトロルミネッセンス材料によって構成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光素子。 - 前記第1の電極は、導電性を有する透明材料によって構成されており、
前記第2の電極は、前記第1の電極より仕事関数が低い導電性材料によって構成されており、
前記隔壁部は、絶縁性を示し、それ自体が酸素及び水を放出しない材料によって構成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の発光素子。
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