JP3841785B2 - 高周波回路素子 - Google Patents
高周波回路素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3841785B2 JP3841785B2 JP2003399397A JP2003399397A JP3841785B2 JP 3841785 B2 JP3841785 B2 JP 3841785B2 JP 2003399397 A JP2003399397 A JP 2003399397A JP 2003399397 A JP2003399397 A JP 2003399397A JP 3841785 B2 JP3841785 B2 JP 3841785B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- dielectric member
- frequency circuit
- conductor
- transmission line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
図1(a),(b),(c)は、それぞれ順に、本発明の第1の参考形態に係る高周波回路素子の斜視図、縦断面図及び横断面図である。図1(a)〜(c)に示すように、本参考形態の高周波回路素子は、例えばZrO2・TiO2・MgNb2O6を主成分とする材料等のセラミックス材料などからなる四角柱形状の誘電部材1と、誘電部材1を取り囲む,内壁が金メッキされた亜鉛−銅合金等からなる遮蔽導体2と、誘電部材1を固定・支持するための,ポリテトラフルオロエチレン樹脂などからなる支持部材3と、マイクロストリップ線路からなる1対の伝送線路4とを備えている。伝送線路4は、高周波信号が流れる方向に応じて、入力線路又は出力線路として機能する。
図2(a),(b)は、それぞれ順に、本発明の第2の参考形態に係る高周波回路素子の斜視図及び横断面図である。図2(a),(b)に示すように、本参考形態の高周波回路素子においては、第1の参考形態とは異なり、遮蔽導体2の長い方の側壁の一部分に窓を開け、伝送線路4を挿入した構造となっている。そして、ストリップ導体5の結合プローブ部8の側面が、誘電部材1の長手方向に直交する側面に対向している。その他の構造及び得られる効果は、基本的に第1の参考形態と同じである。
図2(a),(b)に示す構造を有する高周波回路素子を、以下のような手順で形成した。誘電部材1として、サイズ1×1×4mmの四角柱の誘電体セラミックス(ZrO2・TiO2・MgNb2O6を主成分とする材料,比誘電率:42.2,fQ値:43000GHz)を準備し、この誘電部材1を、内壁が金メッキされた亜鉛−銅合金製の遮蔽導体2の中に固定する。遮蔽導体2の内壁の寸法は2×2×10mmである。その際、支持部材3としてポリテトラフルオロエチレン樹脂を用いて、遮蔽導体2と誘電部材1との隙間を満たした。伝送線路4は、ポリテトラフルオロエチレン樹脂からなる伝送線路基板6の上に、銀製のリボン(厚さ:0.1mm,幅:約1mm)からなるストリップ導体5を乗せたものを形成し、このストリップ導体5を伝送線路基板6上からはずれた遮蔽導体2の内部まで延ばして、この延長部を結合プローブ部8とする。
Qu={f0/|f1−f2|}[1/{1−10-L0/20}]
に代入することにより、無負荷Q値(Qu)を算出した。
図5は、本発明の第3の参考形態に係る高周波回路素子の縦断面図である。図5に示すように、本参考形態の高周波回路素子は、遮蔽導体2の内部に、2つの誘電部材1a,1bをほぼ同じ高さ位置で長手方向に直列に並べて配置することによって構成されている。その他の基本的な構造は、図1に示す第1の参考形態における高周波回路素子の構造と基本的には同じである。
図5に示す構造を有する高周波回路素子を、以下のような手順で形成した。誘電部材1a,1bとして、サイズ1×1×4mmの四角柱の誘電体セラミックス(ZrO2・TiO2・MgNb2O6を主成分とする材料,比誘電率:42.2,fQ値:43000GHz)を2つ準備し、これらの誘電部材1a,1bを、内壁が金メッキされた亜鉛−銅合金製の遮蔽導体2の中に固定する。遮蔽導体2の内壁の寸法は2×2×12mmである。その際、支持部材3としてポリテトラフルオロエチレン樹脂を用いて、遮蔽導体2と誘電部材1a,1bとの隙間を満たした。伝送線路4は、ポリテトラフルオロエチレン樹脂からなる伝送線路基板6の上に、銀製のリボン(厚さ:0.1mm,幅:約1mm)からなるストリップ導体5を乗せたものを形成し、このストリップ導体5を伝送線路基板6上からはずれた遮蔽導体2の内部まで延ばして、この延長部を結合プローブ部8とする。
図7(a),(b)は、それぞれ順に、本発明の第4の参考形態に係る高周波回路素子の縦断面図及び横断面図である。図7(a)において、誘電部材1の位置は破線で示されている。図7(a),(b)に示すように、本参考形態の高周波回路素子においては、伝送線路4(マイクロストリップ線路)を構成するストリップ導体5及び伝送線路基板6が、遮蔽導体2の接地導体層9の短い方の辺に平行に形成された溝内に埋め込まれている。すなわち、ストリップ導体5及び伝送線路基板6は、接地導体層9の溝内で誘電部材1の両端部の直下方に挿入され、ストリップ導体5の先端部が誘電部材1の下面に対向している。本参考形態の高周波回路素子の他の部分の構造は、基本的に第1の参考形態と同様である。
図8は、本発明の第5の参考形態に係る高周波回路素子の横断面図である。図8において、誘電部材1の位置は破線で示されている。図8に示すように、本参考形態の高周波回路素子においては、伝送線路4(マイクロストリップ線路)を構成するストリップ導体5及び伝送線路基板6が、遮蔽導体2の接地導体層9の短い方の辺に平行に形成された溝内に埋め込まれている。すなわち、ストリップ導体5及び伝送線路基板6は、接地導体層9の溝内で誘電部材1の両端部の直下方に挿入され、ストリップ導体5の先端部が誘電部材1の下面に対向している。そして、本参考形態においては、ストリップ導体5の先端部10が平面的に直角に曲げられて、ストリップ導体5がL字状の形状を有しており、主として曲げられた先端部10が入出力結合プローブ8として機能する。本参考形態の高周波回路素子の他の部分の構造は、基本的に第1の参考形態と同様である。
図8に示す構造を有する高周波回路素子を、以下のような手順で形成した。誘電部材1として、サイズ1×1×4mmの四角柱の誘電体セラミックス(ZrO2・TiO2・MgNb2O6を主成分とする材料,比誘電率:42.2,fQ値:43000GHz)を準備し、この誘電部材1を、内壁が金メッキされた亜鉛−銅合金製の遮蔽導体2の中に固定する。遮蔽導体2の内壁の寸法は2×2×12mmである。その際、支持部材3としてポリテトラフルオロエチレン樹脂を用いて、遮蔽導体2と誘電部材1との隙間を満たした。伝送線路4は、アルミナ焼結体からなる伝送線路基板6の上に、金薄膜(厚さ:10μm,幅:約0.3mm)からなるストリップ導体5(特性インピーダンス:50Ω)を乗せたものを形成し、先端部10の長さをLmmとする。
図10は、本発明の第6の参考形態に係る高周波回路素子の横断面図である。図10に示すように、本参考形態の高周波回路素子は、第3の参考形態と同様に遮蔽導体2の内部に2つの誘電部材1a,1bをほぼ同じ高さ位置で長手方向に直列に並べて配置し、かつ、第6の参考形態と同様に、ストリップ導体5を伝送線路基板6の上で直角方向に曲げてなるL字状にした構造を有している。その他の基本的な構造は、図8に示す第5の参考形態における高周波回路素子の構造と基本的には同じである。
図10に示す構造を有する高周波回路素子を、以下のような手順で形成した。誘電部材1a,1bとして、サイズ1×1×4mmの四角柱の誘電体セラミックス(ZrO2・TiO2・MgNb2O6を主成分とする材料,比誘電率:42.2,fQ値:43000GHz)を2つ準備し、これらの誘電部材1a,1bを、内壁が金メッキされた亜鉛−銅合金製の遮蔽導体2の中に固定する。遮蔽導体2の内壁の寸法は2×2×12mmである。その際、支持部材3としてポリテトラフルオロエチレン樹脂を用いて、遮蔽導体2と誘電部材1a,1bとの隙間を満たした。伝送線路4は、アルミナ焼結体からなる伝送線路基板6の上に、金薄膜(厚さ:10μm,幅:約0.3mm)からなるストリップ導体5(特性インピーダンス:50Ω)を乗せたものを形成し、先端部10の長さをLmmとする。
図13は、本発明の第7の参考形態に係る高周波回路素子の横断面図である。第1〜第6の参考形態においては、高周波回路素子が2つの伝送線路(マイクロストリップ線路)を備えているのに対し、図13に示すように、本参考形態の高周波回路素子は、両端部が入出力端子(入出力結合プローブ)となる通過型のマイクロストリップ線路からなる1つの伝送線路4に対して誘電部材1が結合する構造を有する。ここでは、伝送線路4の近傍に、破線で示される誘電部材1を配置し、伝送線路4の電磁界と、誘電部材1の共振モードの電磁界との重なりによって入出力結合が行なわれ、伝送線路4を伝搬する高周波信号のエネルギーの一部が誘電部材1に吸収される。したがって、図12に示す高周波回路素子の構造において、伝送線路4の両端部を入出力端子として、その間の透過特性を見ると、誘電部材1の共振周波数の近傍で透過率が減少する、いわゆる帯域阻止フィルタ(ノッチフィルタ)として動作することがわかる。
図14は、本発明の第8の参考形態に係る高周波回路素子の横断面図である。図14に示すように、本参考形態の高周波回路素子は、第7の参考形態と同様に、両端部が入出力端子(入出力結合プローブ)となる通過型のマイクロストリップ線路からなる1つの伝送線路4に対して誘電部材1が結合する構造を有する。ただし、第7の参考形態においては、ストリップ導体5が直線状であるのに対し、本参考形態においては、ストリップ導体7が誘電部材1の下方において屈曲部11を有している。本参考形態においても、伝送線路4の近傍に、破線で示される誘電部材1を配置し、伝送線路4の電磁界と、誘電部材1の共振モードの電磁界との重なりによって入出力結合が行なわれ、伝送線路4を伝搬する高周波信号のエネルギーの一部が誘電部材1に吸収される。したがって、図12に示す高周波回路素子の構造において、伝送線路4の両端部を入出力端子として、その間の透過特性を見ると、誘電部材1の共振周波数の近傍で透過率が減少する、いわゆる帯域阻止フィルタ(ノッチフィルタ)として動作する。
図14に示す構造を有する高周波回路素子を、以下のような手順で形成した。誘電部材1として、サイズ1×1×4mmの四角柱の誘電体セラミックス(ZrO2・TiO2・MgNb2O6を主成分とする材料,比誘電率:42.2,fQ値:43000GHz)を準備し、この誘電部材1を、内壁が金メッキされた亜鉛−銅合金製の遮蔽導体2の中に固定する。遮蔽導体2の内壁の寸法は2×2×10mmである。その際、支持部材3としてポリテトラフルオロエチレン樹脂を用いて、遮蔽導体2と誘電部材1との隙間を満たした。伝送線路4は、アルミナ焼結体からなる伝送線路基板6の上に、金薄膜(厚さ:10μm,幅:約0.3mm)からなるストリップ導体5(特性インピーダンス:50Ω)を乗せたものを形成し、先端部10の長さをLmmとする。
図16(a),(b),(c)は、それぞれ順に、本発明の第9の参考形態に係る高周波回路素子の横断面図、長手方向の縦断面図及び長手方向に直交する縦断面図である。図16(a)〜(c)に示すように、本参考形態の高周波回路素子は、例えばZrO2・TiO2・MgNb2O6を主成分とする材料等のセラミックス材料などからなる四角柱形状の誘電部材1と、誘電部材1を取り囲む,内壁が金メッキされた亜鉛−銅合金等からなる遮蔽導体2と、アルミナ等からなり誘電部材1を支持する誘電体基板12と、マイクロストリップ線路からなる1対の伝送線路4とを備えている。
図17(a),(b)は、それぞれ順に、本発明の第10の参考形態に係る高周波回路素子の斜め上からみた斜視図及び斜め下からみた斜視図である。図18(a),(b)は、それぞれ順に、第10の参考形態に係る高周波回路素子の縦断面図及び横断面図である。
図19(a),(b),(c)は、それぞれ順に、本発明の第1の実施形態に係る高周波回路素子の斜視図、縦断面図及び横断面図である。図20(a),(b),は、それぞれ順に、第1の実施形態に係る高周波回路素子の誘電体基板の上面図及び裏面図である。図19(a)〜(c)及び図20(a),(b)に示すように、セラミックス材料などからなる四角柱形状の誘電部材1が遮蔽導体2の中に配置され、支持部材3によって固定されている。誘電部材1と遮蔽導体2の間は支持部材3によって満たされている。また、セラミックス材料などからなる誘電体基板20の上面には、遮蔽導体2の一部を構成する金属膜からなる導体被膜17が形成され、誘電体基板20の裏面には、グランドプレーンである接地導体層9が形成されている。
図21(a),(b)は、それぞれ順に、本発明の第11の参考形態に係る高周波回路素子の横断面図及び縦断面図である。図21(a),(b)に示すように、本参考形態の高周波回路素子は、遮蔽導体2の内部に、2つの誘電部材1a,1bをほぼ同じ高さ位置で長手方向に直列に並べて配置することによって構成されている。そして、遮蔽導体2の長手方向に直交する側壁を貫通して誘電部材1a,1bの各一方の端面に対向するように配置された2つの周波数調整ねじ14と、遮蔽導体2の上壁を貫通して各誘電部材1a,1bの上面のほぼ中央部に対向するように配置された2つの周波数調整ねじ15と、遮蔽導体2の上壁を貫通して各誘電部材1a,1b間の間隙部に対向するように配置された1つの段間結合度調整ねじ16とを有している。また、必要に応じて、各ねじ14,15,16が遮蔽導体2内に挿入できるように、各ネジ14,15,16の周囲においては支持部材3が取り除かれている。その他の基本的な構造は、図7(a),(b)に示す第4の参考形態における高周波回路素子の構造と基本的には同じである。
図21(a),(b)に示す構造を有する高周波回路素子を、以下のような手順で形成した。誘電部材1a,1bとして、サイズ1×1×4mmの四角柱の誘電体セラミックス(ZrO2・TiO2・MgNb2O6を主成分とする材料,比誘電率:42.2,fQ値:43000GHz)を2つ準備し、これらの誘電部材1a,1bを、内壁が金メッキされた亜鉛−銅合金製の遮蔽導体2の中に固定する。遮蔽導体2の内壁の寸法は2×2×12mmである。その際、支持部材3としてポリテトラフルオロエチレン樹脂を用いて、遮蔽導体2と誘電部材1a,1bとの隙間を満たした。伝送線路4は、アルミナ焼結体からなる伝送線路基板6の上に、金薄膜(厚さ:10μm,幅:約0.3mm)からなるストリップ導体5(特性インピーダンス:50Ωを乗せたものを形成し、このストリップ導体5を伝送線路基板6上で遮蔽導体2の内部まで延ばして、先端部を誘電部材の長手方向に曲げてこの先端部を結合プローブ部8とする。また、周波数調整ねじ14,15および段間結合調整ねじ16としては、ねじ規格M1.6のビスを用いた。ビスの端面は平坦に加工し、表面全体を金メッキした。
図25(a),(b)は、それぞれ順に、本発明の第12の参考形態に係る高周波回路モジュールの斜視図及び横断面図である。本参考形態では、上記第1の参考形態の高周波回路素子を位相回路を挟んで2つ組み合わせた構造を有している。すなわち、互いに中心周波数が異なる2つの高周波回路素子A,Bを、適当な移相変化量を有する移相回路18の2つの分岐部と入出力結合させることにより、周波数の異なる信号を分離する共用器を構成した例である。位相回路18は、接地導体層9と、接地導体層9の凹部に埋め込まれた位相回路基板19と、位相回路基板19上に設けられた金属膜からなるストリップ導体5bとによって構成されたマイクロストリップ線路であり、導体ストリップ5bの基幹部はアンテナに接続されている。その他の基本的な構造は、図1(a)〜(c)に示す第1の参考形態における高周波回路素子の構造と基本的には同じである。そして、例えば高周波回路素子B(又はA)からアンテナを経て高周波信号を外部に送信し、高周波回路素子A(又はB)にアンテナを経て高周波信号を外部から受信することが可能な構成になっている。
図26(a),(b)は、それぞれ順に、第12の参考形態の変形例に係る高周波回路モジュールの斜視図及び横断面図である。この変形例では、高周波回路素子Aに3つの誘電部材1a〜1cを同じ高さ位置で長手方向に直列に並べ、高周波回路素子Bに3つの誘電部材1d〜1fを同じ高さ位置で長手方向に直列に並べている。
図29は、第1の参考形態における誘電部材1を、端部から中央部に向かって断面が拡大していくように形成した,本発明の第2の実施形態に係る高周波回路素子の縦断面図である。このように、誘電部材1の中央部付近の断面寸法を大きくすることによって、誘電部材(共振体)の長さを短くすることが可能である。これは、TMモード電界強度が誘電部材の中央付近で最も大きくなるため、この付近の断面を大きくすることで、共振モードの実効的な誘電率を大きくすることになるからである。そして、このような誘電部材の形状は、第2〜第12の参考形態および第1の実施形態(変形例を含む)についても、適用することができる。
上記各実施形態および上記各参考形態では、誘電部材1として、矩形断面を有する四角柱形状の誘電部材におけるTM11δ モードを用いているが、本発明はこのような構造に限る必要はなく、円形断面の円柱形状の誘電部材を用いても、上記上記各実施形態および上記各参考形態と同様の効果を発揮することができる。この場合、共振モードはTM01δ という呼称を用いるのが慣例となっている。また、誘電部材の断面形状についても、長さ方向、つまり、誘電部材内部の電界の方向に対して一定の形状の誘電部材を例に挙げて述べているが、部分的に断面形状を変化させた場合でも同様に有効である。
1.ミリ波あるいはマイクロ波を用いたFWA(Fixed Wireless Access)システムの送受信機内の高周波回路部
2.移動体通信(携帯電話)システムの端末機、及び、基地局の高周波回路部分
3.光通信システムにおける高周波の変調信号を扱う回路
4.無線LAN装置の高周波回路部分
5.車々車間通信、路車間通信システムの高周波回路部分
6.ミリ波レーダーシステムの高周波回路部分
等に利用することができる。
2 遮蔽導体
3 支持部材
4 伝送線路
5 ストリップ導体
6 伝送線路基板
7 絶縁体
8 結合プローブ部
9 接地導体層
10 先端部
11 屈曲部
12 誘電体基板
13 溝
14,15 周波数調整ねじ
16 段間結合度調整ねじ
17 導体被膜
18 移相回路
19 移相回路基板
20 誘電体基板
21 ビアホール
Claims (2)
- 電磁波の共振状態を生じさせることが可能な少なくとも1つの誘電部材と、
上記誘電部材の周囲を取り囲む誘電率が該誘電部材よりも小さな支持部材と、
上記支持部材の周囲を取り囲む遮蔽導体と、
上記誘電部材の一部に対向して配置されるストリップ導体,該ストリップ導体に対向する接地導体層,及びストリップ導体−接地導体層間に介在する誘電体層を有する少なくとも1つの伝送線路と、
上記伝送線路に接続され、上記誘電部材との間で電磁波の入力結合機能又は出力結合機能を有する結合プローブと
を備えており、
上記誘電部材は、矩形断面におけるTM11δ モード、あるいは円形断面におけるTM01δ モードで励振されるものであり、
前記結合プローブは、前記誘電部材の外面であって、前記矩形断面または円形断面に略平行な面の近傍に配置されており、
誘電体基板と、
上記誘電体基板の上記誘電部材に対向する面上に形成され、上記遮蔽導体の一部となる第1の導体膜とをさらに備えていることを特徴とする高周波回路素子。 - 電磁波の共振状態を生じさせることが可能な少なくとも1つの誘電部材と、
上記誘電部材の周囲を取り囲む誘電率が該誘電部材よりも小さな支持部材と、
上記支持部材の周囲を取り囲む遮蔽導体と、
上記誘電部材の一部に対向して配置されるストリップ導体,該ストリップ導体に対向する接地導体層,及びストリップ導体−接地導体層間に介在する誘電体層を有する少なくとも1つの伝送線路と、
上記伝送線路に接続され、上記誘電部材との間で電磁波の入力結合機能又は出力結合機能を有する結合プローブと
を備えており、
上記誘電部材は、矩形断面におけるTM 11 δ モード、あるいは円形断面におけるTM 01 δ モードで励振されるものであり、
前記結合プローブは、前記誘電部材の外面であって、前記矩形断面または円形断面に略平行な面の近傍に配置されており、
上記誘電部材の長手方向に垂直な方向における誘電部材の断面形状が、その面積が中央部で最大になるように変化していることを特徴とする高周波回路素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003399397A JP3841785B2 (ja) | 2001-01-19 | 2003-11-28 | 高周波回路素子 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001011244 | 2001-01-19 | ||
JP2001176603 | 2001-06-12 | ||
JP2003399397A JP3841785B2 (ja) | 2001-01-19 | 2003-11-28 | 高周波回路素子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002009912A Division JP3512180B2 (ja) | 2001-01-19 | 2002-01-18 | 高周波回路素子および高周波回路モジュール |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004140855A JP2004140855A (ja) | 2004-05-13 |
JP2004140855A5 JP2004140855A5 (ja) | 2005-07-07 |
JP3841785B2 true JP3841785B2 (ja) | 2006-11-01 |
Family
ID=32475097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003399397A Expired - Fee Related JP3841785B2 (ja) | 2001-01-19 | 2003-11-28 | 高周波回路素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3841785B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7021552B2 (ja) * | 2018-02-09 | 2022-02-17 | Tdk株式会社 | 誘電体フィルタ |
US11245177B1 (en) * | 2020-07-16 | 2022-02-08 | Fujikura Ltd. | Wireless communication module |
-
2003
- 2003-11-28 JP JP2003399397A patent/JP3841785B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004140855A (ja) | 2004-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100761616B1 (ko) | 고주파회로소자 및 고주파회로모듈 | |
US7042314B2 (en) | Dielectric mono-block triple-mode microwave delay filter | |
US6853271B2 (en) | Triple-mode mono-block filter assembly | |
US7068127B2 (en) | Tunable triple-mode mono-block filter assembly | |
EP1732158A1 (en) | Microwave filter including an end-wall coupled coaxial resonator | |
JPWO2009133713A1 (ja) | 高周波フィルタ装置 | |
EP1372212A1 (en) | Dielectric resonator and high frequency circuit element using the same | |
JP2005260570A (ja) | マイクロストリップ線路導波管変換器 | |
US20040041668A1 (en) | High-frequency circuit device and transmitter/receiver | |
EP1079457A2 (en) | Dielectric resonance device, dielectric filter, composite dielectric filter device, dielectric duplexer, and communication apparatus | |
EP1148572B1 (en) | Transmission line connection structure, high frequency module, and communication device | |
JP3841785B2 (ja) | 高周波回路素子 | |
US20220247057A1 (en) | Band-stop filter and electronic device | |
EP1001482A1 (en) | Resonance device, and oscillator, filter, duplexer, and communication device incorporating same | |
JP3512180B2 (ja) | 高周波回路素子および高周波回路モジュール | |
CN111033884B (zh) | 一种滤波器、双工器及通信设备 | |
JP3353717B2 (ja) | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 | |
KR101468409B1 (ko) | 홈이 파인 도체판을 포함하는 이중 모드 공진기 및 이를 이용한 필터 | |
CN114824703B (zh) | 基于缺陷地结构的双通带宽阻带滤波器 | |
KR101033506B1 (ko) | 커플링 소자를 구비한 광대역 공진 필터 | |
JP5324497B2 (ja) | フィルタ、およびこれを用いた衛星放送受信装置 | |
EP1043798A1 (en) | Dielectric resonator filter | |
JP2002043805A (ja) | バンドパスフィルタ | |
KR20020045228A (ko) | 유전체공진기를 이용한 듀플렉서 | |
JPH06152203A (ja) | コムライン型帯域通過ろ波器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041224 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060509 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060601 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060725 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060808 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090818 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100818 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110818 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110818 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120818 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130818 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |