JP3837060B2

JP3837060B2 - Manufacturing method of chip resistor

Info

Publication number: JP3837060B2
Application number: JP2001362651A
Authority: JP
Inventors: 虎之塚田
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2001-11-28
Filing date: 2001-11-28
Publication date: 2006-10-25
Anticipated expiration: 2021-11-28
Also published as: JP2003163107A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ型にした絶縁基板に、厚膜状の抵抗膜と、その両端に対する電極と、前記抵抗膜に対する保護カバーとを形成して成るチップ抵抗器において、その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】
従来、この種のチップ抵抗器の製造に際しては、例えば、特開平１０−１７２８１６号公報等に記載されているように、
▲１▼．先づ、チップ型絶縁基板の上面に、抵抗膜とその両端に対する上面電極とを、その各々の材料ペーストのスクリーン印刷による塗布と、その後における約８００℃前後の温度での焼成にて形成する。
【０００３】
▲２▼．次に、前記抵抗膜の表面に、ガラスによるアンダーコートを、その材料ガラスペーストをスクリーン印刷にて塗布し、乾燥したのち、約６００〜６５０℃の中温度で焼成して形成する。
【０００４】
▲３▼．次に、前記アンダーコートの上から抵抗膜に、レーザ光線の照射にてトリミング溝を刻設することにより、前記抵抗膜における全抵抗値が所定抵抗値の許容範囲内に入るようにレーザトリミングする。
【０００５】
▲４▼．次に、前記アンダーコートの表面に、ミドルコート用のガラスペーストをスクリーン印刷て塗布したのち乾燥し、更に、これに重ねてオーバコート用のガラスペーストをスクリーン印刷て塗布したのち乾燥する。
【０００６】
▲５▼．次に、前記絶縁基板における左右両端面に、側面電極用の材料であるガラスフリット入り導電性ペーストの塗布したのち乾燥する。
【０００７】
▲６▼．次に、約６００〜６５０℃前後の温度で焼成することにより、前記アンダーコートの表面にガラスによるミドルコートを、このミドルコートの表面にガラスによるオーバーコートを各々形成すると共に、絶縁基板の左右両端面に側面電極を形成する。
【０００８】
▲７▼．そして、前記その全体に金属メッキ処理を施すことにより、前記両上面電極及び両側面電極の表面に、ニッケルメッキ層に半田又は錫メッキ層を重ねて成る金属メッキ層を形成する。
という製造方法を採用していた。
【０００９】
この製造方法によるチップ抵抗器は、ミドルコート及びオーバコートがガラス製であることに加えて、側面電極も、ガラスフリット入り導電性ペーストの６００〜６５０℃前後の温度での焼成であることにより高い耐熱性（高温保証性）を有するととも、側面電極を絶縁基板に対して十分強固に固着することができる等の利点を有する。
【００１０】
しかし、その反面、このチップ抵抗器を、プリント基板等への実装に際して真空式のコレットにて吸着するときにおいて、その最表面におけるガラス製のオーバコートに衝撃等にて割れ及び欠けが発生し易くて、この割れ及び欠けのために抵抗膜における抵抗値が変化するばかりか、これらミドルコート、オーバコート及び側面電極を約６００〜６５０℃前後の温度で焼成する工程において、これよりも前の工程において調整した抵抗値が変化するから、抵抗値の精度が低いという問題があった。
【００１１】
そこで、最近では、前記各コートのうちミドルコート及びオーバコートの材料として耐熱合成樹脂を使用してこれを塗布・乾燥する一方、側面電極用の材料として金属粒子を混合してなる合成樹脂系導電性ペーストを使用してこれを塗布・乾燥したのち、全体を約２００℃の温度に加熱して前記合成樹脂を硬化することにより、前記アンダーコートの表面に合成樹脂製によるミドルコートを、このミドルコートの表面に同じく合成樹脂によるオーバーコートを各々形成すると共に、絶縁基板の左右両端面に、合成樹脂系導電性ペーストによる側面電極を形成するようにしている。
【００１２】
この製造方法によるチップ抵抗器は、各コートのうちミドルコート及びオーバコートが合成樹脂製であることにより、これを真空式コレットにて吸着したときコートに衝撃等に割り及び欠けが発生することを回避でき、しかも、合成樹脂の硬化の温度が約２００℃というように低いので、トリミング調整した抵抗値が変化することを回避できるという利点を有する。
【００１３】
しかし、その反面、ミドルコート、オーバコート及び側面電極が合成樹脂製であることにより、高温保証性が低く、且つ、側面電極を絶縁基板に対して強固に固着することができずに、チップ抵抗器のプリント基板等に対する半田付けに際して、又は半田付け後において、側面電極が絶縁基板から剥離するという問題があった。
【００１４】
本発明は、これらの問題を解消した製造方法を提供することを技術的課題とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
この技術的課題を達成するため本発明における第１の製造方法は、
「チップ型絶縁基板の上面に抵抗膜及びその両端に対する上面電極を材料ペーストの塗布及び焼成にて形成する工程と、前記抵抗膜を覆うアンダーコートをガラスペーストの塗布及び焼成にて形成する工程と、前記抵抗膜にトリミング調整を行う工程とを含み、更に、前記アンダーコートに重ねて焼成温度が前記アンダーコート用ガラスペーストよりも低い約４００℃前後のミドルコート用ガラスペーストを塗布する工程と、これに重ねて硬化温度が前記ミドルコート用ガラスペーストの焼成温度と略同じのオーバコート用熱硬化性合成樹脂を塗布する工程と、前記絶縁基板における左右両端面に焼成温度が前記ミドルコート用ガラスペーストと略同じのガラスフリットを含む側面電極用導電性ペーストを塗布する工程と、次いで、全体を前記ミドルコート用ガラスペーストの焼成温度で焼成して前記ミドルコート、オーバコート及び側面電極を形成する工程とを備えている。」
ことを特徴としている。
【００１６】
本発明における第２の製造方法は、
「チップ型絶縁基板の上面に抵抗膜及びその両端に対する上面電極を材料ペーストの塗布及び焼成にて形成する工程と、前記抵抗膜を覆うアンダーコートをガラスペーストの塗布及び焼成にて形成する工程と、前記抵抗膜にトリミング調整を行う工程とを含み、更に、前記アンダーコートに重ねて焼成温度が前記アンダーコート用ガラスペーストよりも低い約４００℃前後のガラスペーストを塗布したのちその焼成温度で焼成してミドルコートを形成する工程と、前記ミドルコートに重ねて硬化温度が前記アンダーコート用ガラスペーストよりも低い約４００℃前後のオーバコート用熱硬化性合成樹脂を塗布する工程と、前記絶縁基板における左右両端面に焼成温度が前記オーバコート用熱硬化性合成樹脂の硬化温度と略同じのガラスフリットを含む側面電極用導電性ペーストを塗布する工程と、次いで、全体を前記オーバコート用熱硬化性合成樹脂の硬化温度で焼成してオーバコート及び側面電極を形成する工程とを備えている。」
ことを特徴としている。
【００１７】
本発明における第３の製造方法は、
「チップ型絶縁基板の上面に抵抗膜及びその両端に対する上面電極を材料ペーストの塗布及び焼成にて形成する工程と、前記抵抗膜を覆うアンダーコートをガラスペーストの塗布及び焼成にて形成する工程と、前記抵抗膜にトリミング調整を行う工程とを含み、更に、前記アンダーコートに重ねて硬化温度が前記アンダーコート用ガラスペーストよりも低い約４００℃前後のミドルコート用熱硬化性合成樹脂を塗布する工程と、これに重ねて硬化温度が前記ミドルコート用熱硬化性合成樹脂と略同じのオーバコート用熱硬化性合成樹脂を塗布する工程と、前記絶縁基板における左右両端面に焼成温度が前記ミドルコート用熱硬化性合成樹脂の硬化温度と略同じのガラスフリットを含む側面電極用導電性ペーストを塗布する工程と、次いで、全体を前記ミドルコート用熱硬化性合成樹脂の硬化温度で焼成してミドルコート、オーバコート及び側面電極を形成する工程とを備えている。」
ことを特徴としている。
【００１８】
そして、本発明における第４の製造方法は、
「チップ型絶縁基板の上面に抵抗膜及びその両端に対する上面電極を材料ペーストの塗布及び焼成にて形成する工程と、前記抵抗膜を覆うアンダーコートをガラスペーストの塗布及び焼成にて形成する工程と、前記抵抗膜にトリミング調整を行う工程とを含み、更に、前記アンダーコートに重ねて焼成温度が前記アンダーコート用ガラスペーストと略同じのミドルコート用ガラスペーストを塗布したのちその焼成温度で焼成してミドルコートを形成する工程と、前記ミドルコートに重ねて硬化温度が前記ミドルコート用ガラスペーストよりも低い約４００℃前後オーバコート用熱硬化性合成樹脂を塗布する工程と、前記絶縁基板における左右両端面に焼成温度が前記オーバコート用熱硬化性合成樹脂の硬化温度と略同じのガラスフリットを含む側面電極用導電性ペーストを塗布する工程と、次いで、全体を前記オーバコート用熱硬化性合成樹脂の硬化温度で焼成してオーバコート及び側面電極を形成する工程とを備えている。」
ことを特徴としている。
【００１９】
【発明の作用・効果】
前記各製造方法においては、保護膜のうち少なくとも最表面におけるオーバコートは、熱硬化性の合成樹脂製にできることにより、真空式コレットにて吸着するときにおいて、このオーバコートに割れ及び欠けが発生することを防止できる。
【００２０】
しかも、これら各製造方法においては、側面電極は、ガラスフリットを含む導電性ペーストの塗布及び焼成にして形成されていることにより、絶縁基板に対して十分強固に固着でき、換言すると、側面電極の絶縁基板に対する固着強度を十分に確保できるから、チップ抵抗器のプリント基板等への半田付けに際して、又は半田付け後において、側面電極が絶縁基板から剥離することを確実に防止できる。
【００２１】
それでいて、これら各製造方法においては、オーバコート又はオーバコート及びミドルコートに使用する熱硬化性合成樹脂の硬化温度が、約４００℃前後であることにより、高い温度に耐えることができるから、高温保証性を有する。
【００２２】
特に、前記各製造方法のうち第１〜第３の製造方法においては、抵抗膜に対するトリミング調整したあとにおいて、ミドルコート、オーバコート及び側面電極に焼成するときの温度が、約４００℃前後というように、従来の焼成温度約６００〜６５０℃よりも大幅に低いので、抵抗膜における抵抗値が、この焼成によって変化することを確実に低減できて、抵抗値の精度を高い値に維持できる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００２４】
以下に述べる本発明における第１〜第４の各実施の形態による製造方法は、いずれも、
（ａ）．チップ型にしたセラミック等の絶縁基板１において、先ず、その下面に、図１に示すように、左右一対の下面電極２を、その銀粉末を含む導電性ペーストのスクリーン印刷による塗布と、乾燥と、その後における約８００〜８５０℃の温度での焼成にて形成する工程。
【００２５】
（ｂ）．次いで、前記絶縁基板１の上面に、図２に示すように、左右一対の上面電極３を、その銀粉末を含む導電性ペーストのスクリーン印刷による塗布と、乾燥と、その後における約８００〜８５０℃の温度での焼成にて形成する工程。
【００２６】
（ｃ）．次いで、前記絶縁基板１の上面に、図３に示すように、抵抗膜４を、その材料ペーストのスクリーン印刷による塗布と、乾燥と、その後における約８００〜８５０℃の温度での焼成にて形成する工程。
【００２７】
なお、この抵抗膜４を形成する工程を先に行い、その後において前記上面電極３を形成する工程を行うようにしても良い。
【００２８】
（ｄ）．次いで、前記抵抗膜４に対して、図４に示すように、ガラスによるアンダーコート５を、ガラスペーストのスクリーン印刷による塗布と、乾燥と、その後における６００〜６５０℃前後の温度での焼成にて形成する工程。
【００２９】
（ｅ）．次いで、前記抵抗膜４における抵抗値を測定した状態で、当該抵抗膜４に対してアンダーコート５の上からのレーザ光線の照射等にてトリミング溝を刻設することにより、その抵抗値が所定値になるようにトリミング調整を行う工程。
を含み、更に、
（ｆ）．前記アンダーコート５に対して、図５に示すように、これを覆い、且つトリミング溝を埋めるためのミドルコート６を形成する工程。
【００３０】
（ｇ）．前記ミドルコート６に対して、図６に示すように、これを覆うオーバコート７を重ねて形成する工程。
【００３１】
（ｈ）．前記絶縁基板１における左右両端面に、図７に示すように、側面電極８を形成する工程。
【００３２】
（ｉ）．そして、前記下面電極２、上面電極３及び側面電極８の表面に、図８に示すように、ニッケルメッキ層に半田又は錫メッキ層を重ねて成る金属メッキ層９を形成する工程。
を含む。
【００３３】
［第１の実施の形態］
この第１の実施の形態は、前記（ｆ）〜（ｈ）の工程を、以下に述べるようにして行う。
【００３４】
先ず、前記アンダーコート５を覆うミドルコート６の材料として、焼成温度を約４００℃前後に設定したガラスペースを使用して、このガラスペーストをスクリーン印刷にて塗布したのち乾燥し、次いで、これに重ねてオーバコート７の材料としての硬化温度を約４００℃前後に設定したの例えばポリイミド系等の熱硬化性合成樹脂をスクリーン印刷にて塗布したのち乾燥し、次いで、前記絶縁基板１における左右両端面に、側面電極８の材料としての焼成温度が約４００℃前後に設定したガラスフリットを含む導電性ペーストを塗布したのち乾燥する。
【００３５】
そして、絶縁基板１の全体を約４００℃前後の中温度で焼成することにより、ガラスによるミドルコート６、ポリイミド系等の熱硬化性合成樹脂によるオーバコート７及びガラスフリットを含む導電性ペーストによる側面電極８を各々形成するものである。
【００３６】
［第２の実施の形態］
この第２の実施の形態は、前記（ｆ）〜（ｈ）の工程を、以下に述べるようにして行う。
【００３７】
先ず、前記アンダーコート５を覆うミドルコート６を、焼成温度を約４００℃前後に設定したガラスペースのスクリーン印刷による塗布と、乾燥と、その後における約４００℃前後の中温度での焼成にて形成する。
【００３８】
次いで、前記ミドルコート６に重ねてオーバコート７の材料としての硬化温度を約４００℃前後に設定したの例えばポリイミド系の熱硬化性合成樹脂をスクリーン印刷にて塗布したのち乾燥し、次いで、前記絶縁基板１における左右両端面に、側面電極８の材料としての焼成温度を約４００℃前後に設定したガラスフリットを含む導電性ペーストを塗布したのち乾燥する。
【００３９】
そして、絶縁基板１の全体を約４００℃前後の中温度で焼成することにより、前記ポリイミド系等の熱硬化性合成樹脂によるオーバコート７及びガラスフリットを含む導電性ペーストによる側面電極８を各々形成するものである。
【００４０】
［第３の実施の形態］
この第３の実施の形態は、前記（ｆ）〜（ｈ）の工程を、以下に述べるようにして行う。
【００４１】
先ず、前記アンダーコート５を覆うミドルコート６の材料としての硬化温度を約４００℃前後に設定した例えばポリイミド系の熱硬化性合成樹脂をスクリーン印刷にて塗布したのち乾燥し、次いで、これに重ねてオーバコート７の材料としての硬化温度を同じく約４００℃前後に設定した例えばポリイミド系の熱硬化性合成樹脂をスクリーン印刷にて塗布したのち乾燥し、次いで、前記絶縁基板１における左右両端面に、側面電極８の材料としての焼成温度を約４００℃前後に設定したガラスフリットを含む導電性ペーストを塗布したのち乾燥する。
【００４２】
そして、絶縁基板１の全体を約４００℃前後の温度で焼成することにより、前記ポリイミド系の熱硬化性合成樹脂製のミドルコート６及びオーバコート７と、ガラスフリットを含む導電性ペーストによる側面電極８を各々形成するものである。
【００４３】
［第４の実施の形態］
この第４の実施の形態は、前記（ｆ）〜（ｈ）の工程を、以下に述べるようにして行う。
【００４４】
先ず、前記アンダーコート５を覆うミドルコート６を、焼成温度を前記アンダーコート用ガラスペーストを略同じに設定したガラスペースのスクリーン印刷による塗布と、乾燥と、その後におけるその焼成温度での焼成にて形成する。
【００４５】
次いで、前記ミドルコート６に重ねてオーバコート７の材料としての硬化温度を約４００℃前後に設定した例えばポリイミド系の熱硬化性合成樹脂をスクリーン印刷にて塗布したのち乾燥し、次いで、前記絶縁基板１における左右両端面に、側面電極８の材料としての焼成温度を約４００℃前後に設定したガラスフリットを含む導電性ペーストを塗布したのち乾燥する。
【００４６】
そして、絶縁基板１の全体を約４００℃前後の中温度で焼成することにより、前記ポリイミド系等の熱硬化性合成樹脂によるオーバコート７及びガラスフリットを含む導電性ペーストによる側面電極８を各々形成するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】絶縁基板に下面電極を形成した状態を示す縦断正面図である。
【図２】前記絶縁基板に上面電極を形成した状態を示す縦断正面図である。
【図３】前記絶縁基板に抵抗膜を形成した状態を示す縦断正面図である。
【図４】前記絶縁基板にアンダーコートを形成した状態を示す縦断正面図である。
【図５】前記絶縁基板にミドルコートを形成した状態を示す縦断正面図である。
【図６】前記絶縁基板にオーバコートを形成した状態を示す縦断正面図である。
【図７】前記絶縁基板に側面電極を形成した状態を示す縦断正面図である。
【図８】完成されたチップ抵抗器の縦断正面図である。
【符号の説明】
１絶縁基板
２下面電極
３上面電極
４抵抗膜
５アンダーコート
６ミドルコート
７オーバコート
８側面電極
９金属メッキ層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing a chip resistor in which a thick resistive film, electrodes on both ends thereof, and a protective cover for the resistive film are formed on a chip-shaped insulating substrate. .
[0002]
[Prior art and problems to be solved by the invention]
Conventionally, in manufacturing this type of chip resistor, for example, as described in JP-A-10-172816 and the like,
(1). First, a resistance film and upper surface electrodes on both ends thereof are formed on the upper surface of the chip-type insulating substrate by application of each material paste by screen printing and subsequent baking at a temperature of about 800 ° C.
[0003]
(2). Next, an undercoat made of glass is formed on the surface of the resistance film by applying the material glass paste by screen printing and drying, followed by baking at an intermediate temperature of about 600 to 650 ° C.
[0004]
(3). Next, a trimming groove is formed by irradiating a laser beam on the resistance film from above the undercoat, so that laser trimming is performed so that the total resistance value in the resistance film falls within an allowable range of a predetermined resistance value. .
[0005]
(4). Next, a glass paste for middle coat is applied by screen printing on the surface of the undercoat and then dried. Further, a glass paste for overcoat is applied by screen printing on the surface of the undercoat and then dried.
[0006]
(5). Next, a conductive paste containing glass frit, which is a material for side electrodes, is applied to both left and right end surfaces of the insulating substrate and then dried.
[0007]
(6). Next, by baking at a temperature of about 600 to 650 ° C., a middle coat made of glass is formed on the surface of the undercoat, and an overcoat made of glass is formed on the surface of the middle coat. Side electrodes are formed on the surface.
[0008]
(7). Then, a metal plating layer is formed by superposing a solder or tin plating layer on a nickel plating layer on the surfaces of the upper surface electrode and the both side surface electrodes by performing a metal plating process on the entire surface.
The manufacturing method was adopted.
[0009]
The chip resistor by this manufacturing method is high because the middle coat and the overcoat are made of glass, and the side electrode is also fired at a temperature of about 600 to 650 ° C. of a conductive paste containing glass frit. In addition to having heat resistance (high temperature assurance), there are advantages such as that the side electrode can be firmly fixed to the insulating substrate.
[0010]
However, when this chip resistor is attracted by a vacuum collet when mounted on a printed circuit board or the like, the glass overcoat on its outermost surface is likely to be cracked and chipped due to impact or the like. In the process of firing the middle coat, overcoat and side electrode at a temperature of about 600 to 650 ° C., not only the resistance value in the resistance film changes due to the cracks and chips, Since the resistance value adjusted in step 1 changes, there is a problem that the accuracy of the resistance value is low.
[0011]
Therefore, recently, a heat-resistant synthetic resin is used as a material for middle coat and overcoat among the above-mentioned coats, and this is applied and dried, while a synthetic resin conductive material obtained by mixing metal particles as a material for side electrodes. After applying and drying this paste using an adhesive paste, the whole resin is heated to a temperature of about 200 ° C. to cure the synthetic resin, so that the middle coat made of synthetic resin is applied to the surface of the undercoat. Similarly, an overcoat made of a synthetic resin is formed on the surface of the coat, and side electrodes made of a synthetic resin conductive paste are formed on the left and right end faces of the insulating substrate.
[0012]
In the chip resistor by this manufacturing method, since the middle coat and the overcoat of each coat are made of a synthetic resin, when this is adsorbed by a vacuum collet, the coat is divided into impacts and chips. Moreover, since the curing temperature of the synthetic resin is as low as about 200 ° C., there is an advantage that it is possible to avoid a change in the resistance value after trimming adjustment.
[0013]
However, since the middle coat, overcoat and side electrode are made of synthetic resin, the high temperature guarantee is low, and the side electrode cannot be firmly fixed to the insulating substrate. There has been a problem in that the side electrodes are peeled off from the insulating substrate during or after soldering of the container to the printed circuit board or the like.
[0014]
This invention makes it a technical subject to provide the manufacturing method which eliminated these problems.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve this technical problem, the first manufacturing method in the present invention is:
“A step of forming a resistance film on the upper surface of the chip-type insulating substrate and upper surface electrodes for both ends thereof by applying and baking a material paste; and a step of forming an undercoat covering the resistance film by applying and baking a glass paste; Applying a trimming adjustment to the resistive film, and further applying a middle coat glass paste having a baking temperature lower than that of the undercoat glass paste at about 400 ° C. over the undercoat. Overlying this, a step of applying a thermosetting synthetic resin for overcoat whose curing temperature is substantially the same as the firing temperature of the middle coat glass paste, and a firing temperature of the middle coat glass on the left and right end surfaces of the insulating substrate Applying a conductive paste for side electrodes containing glass frit substantially the same as the paste, and then The middle coat was fired at a firing temperature of the middle coat glass paste, and a step of forming a overcoat and side electrode. "
It is characterized by that.
[0016]
The second manufacturing method in the present invention is:
“A step of forming a resistance film on the upper surface of the chip-type insulating substrate and upper surface electrodes for both ends thereof by applying and baking a material paste; and a step of forming an undercoat covering the resistance film by applying and baking a glass paste; And a step of adjusting trimming on the resistance film, and further, a glass paste having a firing temperature of about 400 ° C. lower than the glass paste for undercoat is applied on the undercoat and then fired at the firing temperature. Forming a middle coat, applying a thermosetting synthetic resin for overcoat having a curing temperature of about 400 ° C. lower than that of the undercoat glass paste on the middle coat, and the insulating substrate The glass flicker has a firing temperature substantially equal to the curing temperature of the thermosetting synthetic resin for overcoat on the left and right end surfaces of A step of applying a side electrode conductive paste containing, then, and a step of forming a overcoat and side electrodes by firing a whole at a curing temperature of the overcoat for thermosetting synthetic resin. "
It is characterized by that.
[0017]
The third manufacturing method in the present invention is:
“A step of forming a resistance film on the upper surface of the chip-type insulating substrate and upper surface electrodes for both ends thereof by applying and baking a material paste; and a step of forming an undercoat covering the resistance film by applying and baking a glass paste; And applying a trimming adjustment to the resistance film, and further applying a thermosetting synthetic resin for middle coat having a curing temperature of about 400 ° C. lower than that of the glass paste for undercoat on the undercoat. A step of applying an overcoat thermosetting synthetic resin having a curing temperature substantially the same as that of the middle coat thermosetting synthetic resin, and a baking temperature on the left and right end surfaces of the insulating substrate. A step of applying a conductive paste for side electrodes containing a glass frit substantially the same as the curing temperature of the thermosetting synthetic resin for coating, The fired at a curing temperature of the middle coat for thermosetting synthetic resin and a step of forming a middle coating, the overcoat and the side electrode. "
It is characterized by that.
[0018]
And the 4th manufacturing method in this invention is:
“A step of forming a resistance film on the upper surface of the chip-type insulating substrate and upper surface electrodes for both ends thereof by applying and baking a material paste; and a step of forming an undercoat covering the resistance film by applying and baking a glass paste; And a step of performing trimming adjustment on the resistance film, and further, a middle coating glass paste having a firing temperature substantially the same as the undercoat glass paste is applied to the undercoat and then fired at the firing temperature. Forming a middle coat, applying a thermosetting synthetic resin for overcoat of about 400 ° C. lower than the middle coat glass paste on the middle coat, The glass frit whose firing temperature is substantially the same as the curing temperature of the thermosetting synthetic resin for overcoat is included on both end faces. A step of applying a side electrode conductive paste, then, and a step of forming a overcoat and side electrodes by firing a whole at a curing temperature of the overcoat for thermosetting synthetic resin. "
It is characterized by that.
[0019]
[Operation and effect of the invention]
In each of the above manufacturing methods, the overcoat on at least the outermost surface of the protective film can be made of a thermosetting synthetic resin, so that the overcoat is cracked and chipped when adsorbed by a vacuum collet. Can be prevented.
[0020]
Moreover, in each of these manufacturing methods, the side electrode is formed by applying and baking a conductive paste containing glass frit, so that the side electrode can be sufficiently firmly fixed to the insulating substrate. Since sufficient fixing strength to the insulating substrate can be ensured, it is possible to reliably prevent the side electrode from being peeled off from the insulating substrate during or after soldering the chip resistor to the printed circuit board or the like.
[0021]
In each of these manufacturing methods, the thermosetting synthetic resin used for the overcoat or overcoat and middle coat has a temperature of about 400 ° C., so that it can withstand high temperatures. Have sex.
[0022]
In particular, in the first to third manufacturing methods among the above manufacturing methods, the temperature when firing the middle coat, overcoat, and side electrode after the trimming adjustment to the resistance film is about 400 ° C. In addition, since the firing temperature is much lower than the conventional firing temperature of about 600 to 650 ° C., it is possible to reliably reduce the resistance value in the resistance film from being changed by the firing, and the resistance value accuracy can be maintained at a high value.
[0023]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below.
[0024]
The manufacturing methods according to the first to fourth embodiments of the present invention described below are all
(A). In an insulating substrate 1 such as a chip-shaped ceramic, first, as shown in FIG. 1, a pair of left and right lower surface electrodes 2 are applied to the lower surface by application of a conductive paste containing silver powder by screen printing, and drying. And the subsequent step of firing at a temperature of about 800 to 850 ° C.
[0025]
(B). Next, as shown in FIG. 2, a pair of left and right upper surface electrodes 3 are applied to the upper surface of the insulating substrate 1 by screen printing of a conductive paste containing the silver powder, dried, and then about 800 to 850 ° C. The process of forming by baking at the temperature of.
[0026]
(C). Next, as shown in FIG. 3, the resistance film 4 is formed on the upper surface of the insulating substrate 1 by applying the material paste by screen printing, drying, and then baking at a temperature of about 800 to 850 ° C. Process.
[0027]
Note that the step of forming the resistance film 4 may be performed first, and then the step of forming the upper surface electrode 3 may be performed.
[0028]
(D). Next, as shown in FIG. 4, the undercoat 5 made of glass is applied to the resistance film 4 by screen printing of glass paste, dried, and then fired at a temperature of about 600 to 650 ° C. Forming step.
[0029]
(E). Next, in a state where the resistance value in the resistance film 4 is measured, a trimming groove is formed on the resistance film 4 by irradiating the undercoat 5 with a laser beam or the like, so that the resistance value is predetermined. The process of trimming adjustment so that it becomes a value.
In addition,
(F). A step of forming a middle coat 6 for covering the undercoat 5 and filling a trimming groove as shown in FIG.
[0030]
(G). A step of forming an overcoat 7 overlying the middle coat 6 as shown in FIG.
[0031]
(H). A step of forming side electrodes 8 on both left and right end surfaces of the insulating substrate 1 as shown in FIG.
[0032]
(I). Then, as shown in FIG. 8, a step of forming a metal plating layer 9 formed by superposing a solder or tin plating layer on a nickel plating layer on the surfaces of the lower surface electrode 2, the upper surface electrode 3 and the side surface electrode 8.
including.
[0033]
[First Embodiment]
In the first embodiment, the steps (f) to (h) are performed as described below.
[0034]
First, as a material for the middle coat 6 that covers the undercoat 5, a glass paste having a baking temperature set at about 400 ° C. is used, and this glass paste is applied by screen printing and then dried. The curing temperature as the material of the overcoat 7 is set to about 400 ° C., for example, a thermosetting synthetic resin such as polyimide is applied by screen printing and then dried. A conductive paste containing glass frit whose baking temperature is set to about 400 ° C. as a material of the side electrode 8 is applied to the surface and then dried.
[0035]
Then, the entire insulating substrate 1 is baked at an intermediate temperature of about 400 ° C., so that the middle coat 6 made of glass, the overcoat 7 made of a thermosetting synthetic resin such as polyimide, and the side face made of a conductive paste containing glass frit are used. Each of the electrodes 8 is formed.
[0036]
[Second Embodiment]
In the second embodiment, the steps (f) to (h) are performed as described below.
[0037]
First, the middle coat 6 covering the undercoat 5 is formed by coating by glass-pace screen printing with a baking temperature set to about 400 ° C., drying, and then baking at a medium temperature of about 400 ° C. To do.
[0038]
Next, a curing temperature as a material of the overcoat 7 is set to about 400 ° C. over the middle coat 6, for example, a polyimide-based thermosetting synthetic resin is applied by screen printing and then dried. A conductive paste containing glass frit with a firing temperature set to about 400 ° C. as a material of the side electrode 8 is applied to both left and right end surfaces of the insulating substrate 1 and then dried.
[0039]
Then, the entire insulating substrate 1 is baked at an intermediate temperature of about 400 ° C., thereby forming the overcoat 7 made of the thermosetting synthetic resin such as polyimide and the side electrodes 8 made of conductive paste containing glass frit. To do.
[0040]
[Third Embodiment]
In the third embodiment, the steps (f) to (h) are performed as described below.
[0041]
First, for example, a polyimide-based thermosetting synthetic resin having a curing temperature set to about 400 ° C. as a material for the middle coat 6 covering the undercoat 5 is applied by screen printing, and then dried. Then, for example, a polyimide thermosetting synthetic resin having a curing temperature as the material of the overcoat 7 set to about 400 ° C. is applied by screen printing and then dried, and then applied to both left and right end surfaces of the insulating substrate 1. Then, after applying a conductive paste containing glass frit whose baking temperature as a material of the side electrode 8 is set to about 400 ° C., it is dried.
[0042]
Then, the entire insulating substrate 1 is baked at a temperature of about 400 ° C., whereby the polyimide-based thermosetting synthetic resin middle coat 6 and overcoat 7, and side electrodes made of conductive paste containing glass frit are used. 8 is formed.
[0043]
[Fourth Embodiment]
In the fourth embodiment, the steps (f) to (h) are performed as described below.
[0044]
First, the middle coat 6 covering the undercoat 5 is coated by glass-pace screen printing with the firing temperature set to be substantially the same as the glass paste for undercoat, dried, and then fired at the firing temperature. Form.
[0045]
Next, for example, a polyimide-based thermosetting synthetic resin having a curing temperature as a material of the overcoat 7 set to about 400 ° C. is applied to the middle coat 6 by screen printing, and then dried. A conductive paste containing glass frit with a firing temperature set to about 400 ° C. as a material of the side electrode 8 is applied to both left and right end surfaces of the substrate 1 and then dried.
[0046]
Then, the entire insulating substrate 1 is baked at an intermediate temperature of about 400 ° C., thereby forming the overcoat 7 made of the thermosetting synthetic resin such as polyimide and the side electrodes 8 made of conductive paste containing glass frit. To do.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a longitudinal front view showing a state in which a bottom electrode is formed on an insulating substrate.
FIG. 2 is a longitudinal front view showing a state in which a top electrode is formed on the insulating substrate.
FIG. 3 is a longitudinal front view showing a state in which a resistance film is formed on the insulating substrate.
FIG. 4 is a longitudinal front view showing a state in which an undercoat is formed on the insulating substrate.
FIG. 5 is a longitudinal front view showing a state in which a middle coat is formed on the insulating substrate.
FIG. 6 is a longitudinal front view showing a state in which an overcoat is formed on the insulating substrate.
FIG. 7 is a longitudinal front view showing a state in which side electrodes are formed on the insulating substrate.
FIG. 8 is a longitudinal front view of the completed chip resistor.
[Explanation of symbols]
1 Insulating substrate 2 Lower surface electrode 3 Upper surface electrode 4 Resistive film 5 Undercoat 6 Middle coat 7 Overcoat 8 Side electrode 9 Metal plating layer

Claims

チップ型絶縁基板の上面に抵抗膜及びその両端に対する上面電極を材料ペーストの塗布及び焼成にて形成する工程と、前記抵抗膜を覆うアンダーコートをガラスペーストの塗布及び焼成にて形成する工程と、前記抵抗膜にトリミング調整を行う工程とを含み、更に、前記アンダーコートに重ねて焼成温度が前記アンダーコート用ガラスペーストよりも低い約４００℃前後のミドルコート用ガラスペーストを塗布する工程と、これに重ねて硬化温度が前記ミドルコート用ガラスペーストの焼成温度と略同じのオーバコート用熱硬化性合成樹脂を塗布する工程と、前記絶縁基板における左右両端面に焼成温度が前記ミドルコート用ガラスペーストと略同じのガラスフリットを含む側面電極用導電性ペーストを塗布する工程と、次いで、全体を前記ミドルコート用ガラスペーストの焼成温度で焼成して前記ミドルコート、オーバコート及び側面電極を形成する工程とを備えていることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。Forming a resistive film on the upper surface of the chip-type insulating substrate and an upper surface electrode for both ends thereof by applying and baking a material paste; forming an undercoat covering the resistive film by applying and baking a glass paste; Applying a trimming adjustment to the resistance film, and further applying a middle coat glass paste having a firing temperature of about 400 ° C. lower than that of the undercoat glass paste on the undercoat. And a step of applying a thermosetting synthetic resin for overcoat whose curing temperature is substantially the same as the firing temperature of the middle coat glass paste, and a firing temperature of the middle coat glass paste on the left and right end surfaces of the insulating substrate. A step of applying a conductive paste for side electrodes containing substantially the same glass frit, Method of manufacturing a chip resistor, characterized in that by firing at a firing temperature of $ coated glass paste and a step of forming the middle coat, overcoat and side electrodes.

チップ型絶縁基板の上面に抵抗膜及びその両端に対する上面電極を材料ペーストの塗布及び焼成にて形成する工程と、前記抵抗膜を覆うアンダーコートをガラスペーストの塗布及び焼成にて形成する工程と、前記抵抗膜にトリミング調整を行う工程とを含み、更に、前記アンダーコートに重ねて焼成温度が前記アンダーコート用ガラスペーストよりも低い約４００℃前後のガラスペーストを塗布したのちその焼成温度で焼成してミドルコートを形成する工程と、前記ミドルコートに重ねて硬化温度が前記アンダーコート用ガラスペーストよりも低い約４００℃前後のオーバコート用熱硬化性合成樹脂を塗布する工程と、前記絶縁基板における左右両端面に焼成温度が前記オーバコート用熱硬化性合成樹脂の硬化温度と略同じのガラスフリットを含む側面電極用導電性ペーストを塗布する工程と、次いで、全体を前記オーバコート用熱硬化性合成樹脂の硬化温度で焼成してオーバコート及び側面電極を形成する工程とを備えていることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。Forming a resistive film on the upper surface of the chip-type insulating substrate and an upper surface electrode for both ends thereof by applying and baking a material paste; forming an undercoat covering the resistive film by applying and baking a glass paste; A step of adjusting trimming on the resistance film, and further, a glass paste having a firing temperature of about 400 ° C. lower than the glass paste for undercoat is applied on the undercoat and then fired at the firing temperature. Forming a middle coat, applying a thermosetting synthetic resin for overcoat having a curing temperature of about 400 ° C. lower than that of the undercoat glass paste on the middle coat, Glass frit whose firing temperature is substantially the same as the curing temperature of the thermosetting synthetic resin for overcoat on the left and right end faces Including a step of applying a conductive paste for side electrodes, and a step of baking the whole at the curing temperature of the thermosetting synthetic resin for overcoat to form an overcoat and side electrodes. A manufacturing method of a chip resistor.

チップ型絶縁基板の上面に抵抗膜及びその両端に対する上面電極を材料ペーストの塗布及び焼成にて形成する工程と、前記抵抗膜を覆うアンダーコートをガラスペーストの塗布及び焼成にて形成する工程と、前記抵抗膜にトリミング調整を行う工程とを含み、更に、前記アンダーコートに重ねて硬化温度が前記アンダーコート用ガラスペーストよりも低い約４００℃前後のミドルコート用熱硬化性合成樹脂を塗布する工程と、これに重ねて硬化温度が前記ミドルコート用熱硬化性合成樹脂と略同じのオーバコート用熱硬化性合成樹脂を塗布する工程と、前記絶縁基板における左右両端面に焼成温度が前記ミドルコート用熱硬化性合成樹脂の硬化温度と略同じのガラスフリットを含む側面電極用導電性ペーストを塗布する工程と、次いで、全体を前記ミドルコート用熱硬化性合成樹脂の硬化温度で焼成してミドルコート、オーバコート及び側面電極を形成する工程とを備えていることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。Forming a resistive film on the upper surface of the chip-type insulating substrate and an upper surface electrode for both ends thereof by applying and baking a material paste; forming an undercoat covering the resistive film by applying and baking a glass paste; Applying a trimming adjustment to the resistance film, and further applying a thermosetting synthetic resin for middle coat having a curing temperature of about 400 ° C. lower than that of the undercoat glass paste on the undercoat. And a step of applying a thermosetting synthetic resin for overcoat substantially the same as the thermosetting synthetic resin for middle coating on top of this, and a firing temperature on both left and right end surfaces of the insulating substrate. Applying a conductive paste for side electrodes including a glass frit substantially the same as the curing temperature of the thermosetting synthetic resin, and then the whole Method of manufacturing a chip resistor, characterized in that it comprises a step of forming the middle coat for thermosetting synthetic resin curing temperature calcined to middle coating, the overcoat and the side electrode.

チップ型絶縁基板の上面に抵抗膜及びその両端に対する上面電極を材料ペーストの塗布及び焼成にて形成する工程と、前記抵抗膜を覆うアンダーコートをガラスペーストの塗布及び焼成にて形成する工程と、前記抵抗膜にトリミング調整を行う工程とを含み、更に、前記アンダーコートに重ねて焼成温度が前記アンダーコート用ガラスペーストと略同じのミドルコート用ガラスペーストを塗布したのちその焼成温度で焼成してミドルコートを形成する工程と、前記ミドルコートに重ねて硬化温度が前記ミドルコート用ガラスペーストよりも低い約４００℃前後オーバコート用熱硬化性合成樹脂を塗布する工程と、前記絶縁基板における左右両端面に焼成温度が前記オーバコート用熱硬化性合成樹脂の硬化温度と略同じのガラスフリットを含む側面電極用導電性ペーストを塗布する工程と、次いで、全体を前記オーバコート用熱硬化性合成樹脂の硬化温度で焼成してオーバコート及び側面電極を形成する工程とを備えていることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。Forming a resistive film on the upper surface of the chip-type insulating substrate and an upper surface electrode for both ends thereof by applying and baking a material paste; forming an undercoat covering the resistive film by applying and baking a glass paste; A step of adjusting trimming on the resistance film, and further applying a middle coat glass paste having a firing temperature substantially the same as the undercoat glass paste on the undercoat, followed by firing at the firing temperature. A step of forming a middle coat, a step of applying a thermosetting synthetic resin for overcoat of about 400 ° C. lower than the glass paste for middle coat on the middle coat, and both left and right ends of the insulating substrate The surface includes a glass frit whose firing temperature is substantially the same as the curing temperature of the thermosetting synthetic resin for overcoat. A step of applying a conductive paste for a surface electrode, and a step of baking the whole at a curing temperature of the thermosetting synthetic resin for overcoat to form an overcoat and a side electrode. A method for manufacturing a chip resistor.