JP3821883B2 - 非晶質酸化スズゾルの製造方法 - Google Patents
非晶質酸化スズゾルの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3821883B2 JP3821883B2 JP22931996A JP22931996A JP3821883B2 JP 3821883 B2 JP3821883 B2 JP 3821883B2 JP 22931996 A JP22931996 A JP 22931996A JP 22931996 A JP22931996 A JP 22931996A JP 3821883 B2 JP3821883 B2 JP 3821883B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin oxide
- oxide sol
- amorphous
- sol
- amorphous tin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は非晶質酸化スズゾルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に酸化スズは半導体であり、単体では高い導電性を示さないが、異原子をドープすることにより高い導電性を得ることが知られている。また、透明性、物理的化学的安定性に優れた材料であり、電気電子的用途に期待される材料である。
【０００３】
このような酸化スズは、アンチモンやインジウムとの複合による透明導電性酸化皮膜が有名であり多くの用途を有するが、高純度の酸化スズもしくは非晶質酸化スズについては導電性が低いためにあまり検討されていない。
【０００４】
これらの材料に関しては、科学技術庁刊行の無機材質研究所研究報告書第３５号「酸化スズに関する研究」に述べられているように、ある特定の金属化合物のドープもしくは複合化以外では、高い導電性を示さない。純度が高くなると半導体領域になり、その導電性は１０６Ωｃｍ以上まで達する。従って、透明導電材料の用途へ用いるためには、これまで導電性を高める多くの努力が成されてきた。
【０００５】
また、透明導電材料には一般に化学蒸着法、真空蒸着法、反応性イオンプレーティング法、スパッタ法、イオンビームスパッタ法等の膜形成法により基板に被覆され用いられる。
【０００６】
しかしこれらの方法は、いずれも装置が高価・複雑・大型であるだけでなく、膜形成速度が小さく、且つ大面積の膜を得ることができないという欠点をも有している。さらに複雑形状の膜を形成する場合、不均一となり易く、利用上の制約が多かった。
【０００７】
これらに対し、液状の原料を基板にディップして塗布する方法、或いはスプレーして塗布する方法、エアードクター、バーコーター等を用いて塗布する方法等は、比較的容易に大面積の膜が得られると共に、複雑形状の部位にも比較的容易に適用でき、工業的に有望な方法である。酸化スズ系の材料においても、このような塗布方法は幅広く検討されている。
【０００８】
従来より検討されている酸化スズ系材料は、主としてスズ及びアンチモンを共にイオンとして含有する有機或いは無機化合物の塩溶液である。従って、有機化合物の塩溶液の使用時には、有機物の残存がないように注意深く熱分解を行わなければならず、スズ及びアンチモンが有機塩として気散したり、溶液の極性が低くガラス等の基板とのなじみがなく均一な膜を得ることができなかった。
【０００９】
また、有機塩の液安定性を保つために安定化材を多く必要とする結果、薄い膜厚のものしか得られず、且つ有機物含量が多いために乾燥後に多層ディップを行っても焼成時に剥離する等の問題があった。
【００１０】
さらに熱分解時に生成する酸化スズ・アンチモンは一般に粒子径が粗く、特に均一微細性が要求される分野への適用については問題があった。かかる問題を解決する技術として、特開昭６２−２２３０１９号及び同６２−２７８７０５号には、製造方法の工夫により製造された結晶質酸化スズゾルを用いる方法が開示されている。
【００１１】
しかしこれらの技術では、ゾル溶液が着色していたり、結晶質であるためにゾルを塗布した時の表面の平滑性が損なわれたり、また一度焼成しなければ高い導電性を発現しない等の問題点を有していた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明の課題は、着色が無く、導電性が良好である透明導電材料の用途に適した非晶質酸化スズゾルの製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本発明は、下記構成を有する。
１．下記に示す非晶質酸化スズゾルの製造方法であって、加水分解性スズ化合物を加水分解処理し洗浄後、得られたハロゲン濃度が０．００１％以上３％以下の原料をアンモニア水に溶解して水の沸点以下で加熱処理を行うことを特徴とする非晶質酸化スズゾルの製造方法。
［非晶質酸化スズゾル］
原子の配列に長距離秩序がなく、結晶性酸化スズの融点（１１２７℃）以下に物質の変化を示す温度領域が存在する非晶質酸化スズゾルであって、導電性が１０５Ωｃｍ未満の非晶質酸化スズ粒子を含むことを特徴とする非晶質酸化スズゾル。
【００１４】
２．下記に示す非晶質酸化スズゾルの製造方法であって、加水分解性スズ化合物とフッ素を含む化合物とを用いて加水分解処理し洗浄後、得られたハロゲン濃度が０．００１％以上３％以下の原料をアンモニア水に溶解して水の沸点以下で加熱処理を行うことを特徴とする非晶質酸化スズゾルの製造方法。
［非晶質酸化スズゾル］
原子の配列に長距離秩序がなく、結晶性酸化スズの融点（１１２７℃）以下に物質の変化を示す温度領域が存在する非晶質酸化スズゾルであって、導電性が１０５Ωｃｍ未満の非晶質酸化スズ粒子を含むことを特徴とする非晶質酸化スズゾル。
【００１５】
３．非晶質酸化スズゾルが、加熱処理により２００℃から５００℃の範囲で重量減少を０．１ｗｔ％以上３０ｗｔ％未満生じる酸化スズを含むことを特徴とする前記１又は２に記載の非晶質酸化スズゾルの製造方法。
【００１６】
４．非晶質酸化スズゾルが、少なくとも０．００１ｗｔ％以上の陰イオンを含む酸化スズを含むことを特徴とする前記１又は２に記載の非晶質酸化スズゾルの製造方法。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細について説明する。
先ず、本発明において非晶質とは、結晶質とは異なる物質を意味する。結晶質とは、電気・電子工学大系７２巻、結晶の評価（伊藤 次、犬塚直夫、コロナ社、１９８２年）第４頁に記載されているように、原子の配列に長距離秩序があり、その物質に固相の融点があることが特徴である。例えば、高純度で無色透明な結晶性の酸化スズであれば、正方晶系ルチル型構造であり、屈折率１．９９６８、電気伝導性は室温で１０６Ωｃｍ以上の高抵抗を示すことが知られている。また融点は１１２７℃であり、結晶性酸化スズであればこの温度まで熱的に安定である。故に、一般に非晶質酸化スズとは、以上の性質を示さない物質であり、
▲１▼原子の配列に長距離秩序がない、
▲２▼結晶性酸化スズの融点以下に、物質の変化を示す温度領域が存在する、
酸化スズといえる。
【００１９】
▲１▼については、Ｘ線回折によりその構造を同定することが可能であり、新版カリティＸ線回折要論（松村源太郎訳、アグネ社、１９７７年）に記載された結晶子サイズの測定から長距離秩序のおおよその値を知ることができる。例えば、酸化スズの（１１０）面の面間隔はおおよそ０．３３ｎｍであり、結晶性酸化スズならば数１０個以上の繰り返し単位がなければならず、結晶子測定を行えば、１０数ｎｍの値が観測される。従って、結晶子測定において１０ｎｍ未満であれば、もはや長距離秩序があるとはいえず、非晶質と思われる。５ｎｍ未満であれば、もはや繰り返し単位を仮定すれば１０個以下となり結晶ではない。
【００２０】
▲２▼については、固体の熱分析を行えば容易に明らかとなり、測定条件の影響、試料サイズの影響を考慮しても１０００℃未満で熱的な変化が生じるならば結晶とは言い難い。熱的な変化で容易に観測できるのは熱重量分析であり、２００℃での重量を測定開始重量として重量減少を融点よりはるかに低い５００℃までの温度領域で０．１ｗｔ％以上生じるならば単結晶酸化スズではない。
以上のように上記▲１▼もしくは▲２▼を満たす酸化スズの場合には明らかに非晶質である。
【００２１】
次に導電性については、酸化スズ粒子の導電性を意味し、その測定方法については、正確に導電性が評価できる限りいかなる方法でもよい。以下に測定例を示すが、本発明に制限を加えるものではない。
【００２２】
石英板に酸化スズ薄膜を形成し、２００℃空気中で処理を行う。室温２５℃で薄膜の膜厚を測定後、四端子法にて抵抗を測定し、この抵抗値と膜厚から体積固有抵抗を求める。このような方法で求めた体積固有抵抗が１０−２Ωｃｍ以上１０５Ωｃｍ未満を示す酸化スズ粒子を含むゾルが本発明の酸化スズゾルである。
【００２３】
加熱処理による重量減少については、一般に用いられる熱重量分析で測定した値を意味する。昇温速度は３０℃／分以下が好ましく、さらに好ましくは１０℃／分以下で測定し、２００℃から５００℃の範囲で重量減少を０．１ｗｔ％以上３０ｗｔ％未満生じる酸化スズを含むゾルである。
【００２４】
本発明のゾルを２００℃まで、空気中もしくは、Ｎ２やＡｒなどの非酸化性雰囲気で加熱すると、非晶質酸化スズとなる。結晶性酸化スズであれば、続いて行う２００℃以上の処理で熱的な変化を伴わない。非晶質酸化スズであれば０．１ｗｔ％以上の重量減少を示す。この重量減少量と導電性の関係は、明らかではないが、本発明者らは重量減少を示す酸化スズ粒子が導電性を有することを発見し、本発明に至った。
【００２５】
不純物イオンについては、アンモニウムイオン、水素イオンなどの陽イオンや次に述べる陰イオンなど存在していると良好な結果を示す。
【００２６】
陰イオンについては、特にその存在を規定しないが、有機イオン、無機イオンなんでも存在していた方が高い導電性を示す。特に好ましいのは、カルボン酸基もしくはスルホン酸基、アミノ基、水酸基を含むイオン、炭酸イオンとハロゲンイオンである。これらのイオンは、非晶質酸化スズ粒子の内部に存在していても、外部もしくは内部と外部の両者に存在していてもいずれでもよい。但し、存在する量については、表面等の外部については、粒子に対して３０ｗｔ％以上存在するとゾルの安定性に問題が生じるので好ましくなく、３０ｗｔ％未満が好ましく、より好ましくは１０ｗｔ％未満、特に好ましくは６ｗｔ％未満がゾルにした時の安定性がよいことから選ばれる。粒子内部に存在する陰イオンについては、ゾルの安定性に影響がないのでその量を規定しないが、好ましくは０．００１ｗｔ％以上６ｗｔ％未満である。
【００２７】
これらの酸化スズゾルの製造方法としては、
請求項１に示す方法、即ち、加水分解性スズ化合物を加水分解処理し洗浄後、得られたハロゲン濃度が０．００１％以上３％以下の原料をアンモニア水に溶解して水の沸点以下で加熱処理を行う方法、
請求項２に示す方法、即ち、加水分解性スズ化合物とフッ素を含む化合物とを用いて加水分解処理し洗浄後、得られたハロゲン濃度が０．００１％以上３％以下の原料をアンモニア水に溶解して水の沸点以下で加熱処理を行う方法、
のいずれの方法でもよい。
【００２８】
本発明の製造方法において、全体の製造工程でＳｎを含む化合物にかかる温度条件が重要であり、高温度の熱処理を伴う方法は、一次粒子の成長や、結晶性が高くなる現象を生じるので好ましくなく、熱処理を行う必要がある時には、４５０℃以下、特に３００℃以下、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１５０℃以下とする。しかし、２５℃から１５０℃までの加温は、好適に選ばれる手段である。
【００２９】
また、製造工程は、加水分解性スズ化合物を加水分解処理する工程と、得られた沈殿物の洗浄工程を経てゾル化する工程の３工程からなる。各工程がさらに細分化された工程をとることに本発明は制限を加えない。例えば、加水分解工程は、原料を計量する工程と投入する工程、加水分解するために加えられる成分との混合工程、加熱工程等で構成されるが、どのような構成をとっても加水分解工程ならばこれを制限しない。また洗浄工程では、固液分離工程を伴うが、その方法もデカンテーション、限外濾過等、適当な濾過器を用いる方法等、いかなる方法でもよい。
ゾル化も同様であり、粒子を安定に分散するために加えられる添加剤、溶媒等は制限されないが、アンモニア水によるゾルの安定化が経済性の点で好ましい。
【００３０】
請求項１に示す製造方法に用いられる化合物について以下に述べる。
加水分解性スズ化合物とは、Ｋ２ＳｎＯ３・３Ｈ２Ｏのようなオキソ陰イオンを含む化合物、ＳｎＣｌ４、ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏのような水溶性ハロゲン化物、Ｒ′２ＳｎＲ２、Ｒ３ＳｎＸ、Ｒ２ＳｎＸ２［Ｒ′は脂肪族もしくは芳香族有機化合物、、Ｒは脂肪族もしくは芳香族有機化合物、Ｘはハロゲンを示す。］の構造を有する化合物、例えば（ＣＨ３）３ＳｎＣｌ・（ピリジン）、（Ｃ４Ｈ９）２Ｓｎ（Ｏ２ＣＣ２Ｈ５）２等の有機金属化合物、Ｓｎ（ＳＯ４）２・２Ｈ２Ｏ等のオキソ塩を挙げることができる。
【００３１】
加水分解性スズ化合物の溶媒中における分解反応から製造する方法においては、プロセスの途中で溶媒に可溶なＳｎ以外の元素を含む化合物の添加も可能である。例えば、溶媒に可溶なフッ素含有化合物の添加や、炭酸塩の添加である。溶媒に可溶なフッ素含有化合物とは、イオン性フッ化物もしくは共有性フッ化物のいずれでもよく、例えば、ＨＦもしくはＫＨＦ２、ＳｂＦ３、ＭｏＦ６等の金属フッ化物、ＮＨ４ＭｎＦ３、ＮＨ４ＢｉＦ４等のフルオロ錯陰イオンを生成する化合物、ＢｒＦ３、ＳＦ４、ＳＦ６等の無機分子性フッ化物、ＣＦ３Ｉ、ＣＦ３ＯＯＨ、Ｐ（ＣＦ３）３等の有機フッ素化合物を挙げることができるが、溶媒が水の場合にはＣａＦ２と硫酸との組み合わせのようにフッ素含有化合物と不揮発性酸との組み合わせも用いることができる。
【００３２】
以上の製造方法において、洗浄プロセスを途中に用いてもよい。洗浄プロセスを用いることにより、ゾルに含まれるイオンの量を制御することが可能である。洗浄方法は、特に限定されないが、例えば、デカンテーションによる方法、限外濾過膜による方法などが挙げられる。
【００３３】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
塩化第二スズ４５ｇを炭酸ガスを含んでいる３０℃の水２０００ｍｌに溶解し均一溶液を得た。次いでこれを２時間煮沸し共沈殿物を得た。生成した沈殿物をデカンテーションにより取り出し、蒸留水にて沈殿を１０回水洗する。蒸留水１０００ｍｌ添加し、全量を２０００ｍｌとする。さらに３０％アンモニア水を４０ｍｌ加え、水浴中で１００℃に加温し、無色透明なゾル溶液を得た。
このゾル溶液へ石英板をディップして乾燥する。この操作を１００回繰り返し石英板上に酸化スズ薄膜を形成した。この石英板を空気中１５０℃２時間処理した試料について四端子法にて体積固有抵抗を測定したところ、７×１０４Ωｃｍであった。
ゾル溶液をスプレードライ装置を用いて乾燥しゾル溶液から粉末を取り出した。この粉末を用いて粉末Ｘ線回折により（１００）面の結晶子測定を行ったところ、２．１ｎｍと求められ非晶質粉末であることを確認した。また、この粉末の熱重量分析を１０℃／分の昇温速度で行ったところ、２００℃まで緩やかに重量減少を１．０ｗｔ％示した後、２００℃から５００℃までに２．５ｗｔ％の重量減少を示した。
【００３４】
比較例１
塩化第二スズ水和物６５ｇを蒸留水２０００ｍｌに１００℃で溶解し均一溶液を得た。次いでこれを煮沸し共沈殿物を得た。生成した沈殿物をデカンテーションにより取り出し、蒸留水にて沈殿を４０回水洗する。沈殿を洗浄した蒸留水中に硝酸銀を滴下し、塩素イオンの反応が無いことを確認後、蒸留水１０００ｍｌ添加し全量を２０００ｍｌとする。さらに３０％アンモニア水を４０ｍｌ加え、水浴中で１００℃に加温し、コロイド状ゲル分散液を得た。できたゾル溶液は、無色透明であった。
実施例１と同様の方法により石英板上に薄膜を形成した後、四端子法にて体積固有抵抗を測定したところ、２．１×１０５Ωｃｍであった。
また、結晶子測定を行ったところ、３．１ｎｍと測定された。
【００３５】
比較例２
塩化第二スズ水和物６５ｇを３０℃の蒸留水２０００ｍｌに溶解し均一溶液を得た。次いでこれを煮沸し共沈殿物を得た。生成した沈殿物をデカンテーションにより取り出し、蒸留水にて沈殿を４０回水洗する。水洗後８００℃の筒状の電気炉の中へスプレーし粉末を取り出した。この粉末を２０００ｍｌの水中に分散し、３０％アンモニア水を４０ｍｌ加え、水浴中で１００℃に加温し、コロイド状ゲル分散液を得た。できたゾル溶液はやや白濁していた。
実施例１と同様の方法により、石英板上に薄膜を形成した後、四端子法にて体積固有抵抗を測定したところ、７．１×１０６Ωｃｍであった。
また、結晶子測定を行ったところ、３０．５ｎｍと測定された。
【００３６】
以上、実施例１と比較例１及び比較例２とから、僅かな製造条件の違いで得られる酸化スズの体積固有抵抗が異なることが明らかである。
【００３７】
実施例２
塩化第二スズ４５ｇを５０℃の蒸留水２０００ｍｌに溶解し均一溶液を得た。次いでこれを２時間煮沸し共沈殿物を得た。生成した沈殿物をデカンテーションにより取り出し、蒸留水にて沈殿を８回水洗する。蒸留水１０００ｍｌ添加し全量を２０００ｍｌとする。さらに３０％アンモニア水を４０ｍｌ加え、水浴中で１００℃に加温し、無色透明なゾル溶液を得た。
イオンクロマトグラフィーを用いて、ゾル溶液に含まれる塩素イオン濃度を求めたところ、０．００８ｗｔ％塩素イオンが含まれていた。
実施例１と同様に石英板上にこのゾル溶液を用いて薄膜を形成し、熱処理後の体積固有抵抗を求めたところ、９．５×１０４Ωｃｍであった。
また、実施例１と同様に結晶子測定を行ったところ、２．７ｎｍであった。
【００３８】
実施例３
塩化第二スズ４５ｇを４０℃の蒸留水２０００ｍｌに溶解し均一溶液を得た。次いでこれを２時間煮沸し共沈殿物を得た。生成した沈殿物をデカンテーションにより取り出し、蒸留水にて沈殿を７回水洗する。蒸留水１０００ｍｌ添加し全量を２０００ｍｌとする。さらに３０％アンモニア水を４０ｍｌ加え、水浴中で１００℃に加温し、無色透明なゾル溶液を得た。
イオンクロマトグラフィーを用いて、ゾル溶液に含まれる塩素イオン濃度を求めたところ、０．０１６ｗｔ％塩素イオンが含まれていた。
実施例１と同様に石英板上にこのゾル溶液を用いて薄膜を形成し、熱処理後の体積固有抵抗を求めたところ、９．５×１０４Ωｃｍであった。
また、実施例１と同様に結晶子測定を行ったところ、２．２ｎｍであった。
【００３９】
実施例４
塩化第二スズ４５ｇとＫ２ＴｉＦ６を５ｇとを３０℃の蒸留水２０００ｍｌに溶解し均一溶液を得た。次いでこれを２時間煮沸し共沈殿物を得た。生成した沈殿物をデカンテーションにより取り出し、蒸留水にて沈殿を８回水洗する。蒸留水１０００ｍｌ添加し全量を２０００ｍｌとする。さらに３０％アンモニア水を４０ｍｌ加え、水浴中で１００℃に加温し、無色透明なゾル溶液を得た。
イオンクロマトグラフィーを用いて、ゾル溶液に含まれる塩素イオン濃度を求めたところ、０．００８ｗｔ％塩素イオンが含まれていた。
実施例１と同様に石英板上にこのゾル溶液を用いて薄膜を形成し、熱処理後の体積固有抵抗を求めたところ、１．５×１０４Ωｃｍであった。
また、実施例１と同様に結晶子測定を行ったところ、２．４ｎｍであった。
【００４０】
実施例５
塩化第二スズ４５ｇとＫＦ５ｇとを３０℃の蒸留水２０００ｍｌに溶解し均一溶液を得た。次いでこれを２時間煮沸し共沈殿物を得た。生成した沈殿物をデカンテーションにより取り出し、蒸留水にて沈殿を８回水洗する。蒸留水１０００ｍｌ添加し全量を２０００ｍｌとする。さらに３０％アンモニア水を４０ｍｌ加え、水浴中で１００℃に加温し、無色透明なゾル溶液を得た。
イオンクロマトグラフィーを用いて、ゾル溶液に含まれる塩素イオン濃度を求めたところ、０．００８ｗｔ％塩素イオンが含まれていた。
実施例１と同様に石英板上にこのゾル溶液を用いて薄膜を形成し、熱処理後の体積固有抵抗を求めたところ、６．５×１０３Ωｃｍであった。
また、実施例１と同様に結晶子測定を行ったところ、２．１ｎｍであった。
【００４１】
比較例３
塩化第二スズ水和物６５ｇと三塩化アンチモン１．０ｇを３０℃の水／エタノール混合溶液２０００ｍｌに溶解し均一溶液を得た。次いでこれを２時間煮沸し共沈殿物を得た。生成した沈殿物をデカンテーションにより取り出し、蒸留水にて沈殿を４０回水洗する。沈殿を洗浄した蒸留水中に硝酸銀を滴下し、塩素イオンの反応が無いことを確認後、蒸留水１０００ｍｌ添加し全量を２０００ｍｌとする。さらに３０％アンモニア水を４０ｍｌ加え、水浴中で１００℃に加温し、コロイド状ゲル分散液を得た。やや赤みを帯びたゾル溶液が得られた。
【００４２】
以上、実施例２、実施例３、実施例４、実施例５と比較例３との比較より、本発明は着色の無い、導電性の良好な非晶質酸化スズゾルを製造することが可能である。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、着色が無く、導電性が良好である透明導電材料の用途に適した非晶質酸化スズゾルの製造方法を提供することができる。
【発明の属する技術分野】
本発明は非晶質酸化スズゾルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に酸化スズは半導体であり、単体では高い導電性を示さないが、異原子をドープすることにより高い導電性を得ることが知られている。また、透明性、物理的化学的安定性に優れた材料であり、電気電子的用途に期待される材料である。
【０００３】
このような酸化スズは、アンチモンやインジウムとの複合による透明導電性酸化皮膜が有名であり多くの用途を有するが、高純度の酸化スズもしくは非晶質酸化スズについては導電性が低いためにあまり検討されていない。
【０００４】
これらの材料に関しては、科学技術庁刊行の無機材質研究所研究報告書第３５号「酸化スズに関する研究」に述べられているように、ある特定の金属化合物のドープもしくは複合化以外では、高い導電性を示さない。純度が高くなると半導体領域になり、その導電性は１０６Ωｃｍ以上まで達する。従って、透明導電材料の用途へ用いるためには、これまで導電性を高める多くの努力が成されてきた。
【０００５】
また、透明導電材料には一般に化学蒸着法、真空蒸着法、反応性イオンプレーティング法、スパッタ法、イオンビームスパッタ法等の膜形成法により基板に被覆され用いられる。
【０００６】
しかしこれらの方法は、いずれも装置が高価・複雑・大型であるだけでなく、膜形成速度が小さく、且つ大面積の膜を得ることができないという欠点をも有している。さらに複雑形状の膜を形成する場合、不均一となり易く、利用上の制約が多かった。
【０００７】
これらに対し、液状の原料を基板にディップして塗布する方法、或いはスプレーして塗布する方法、エアードクター、バーコーター等を用いて塗布する方法等は、比較的容易に大面積の膜が得られると共に、複雑形状の部位にも比較的容易に適用でき、工業的に有望な方法である。酸化スズ系の材料においても、このような塗布方法は幅広く検討されている。
【０００８】
従来より検討されている酸化スズ系材料は、主としてスズ及びアンチモンを共にイオンとして含有する有機或いは無機化合物の塩溶液である。従って、有機化合物の塩溶液の使用時には、有機物の残存がないように注意深く熱分解を行わなければならず、スズ及びアンチモンが有機塩として気散したり、溶液の極性が低くガラス等の基板とのなじみがなく均一な膜を得ることができなかった。
【０００９】
また、有機塩の液安定性を保つために安定化材を多く必要とする結果、薄い膜厚のものしか得られず、且つ有機物含量が多いために乾燥後に多層ディップを行っても焼成時に剥離する等の問題があった。
【００１０】
さらに熱分解時に生成する酸化スズ・アンチモンは一般に粒子径が粗く、特に均一微細性が要求される分野への適用については問題があった。かかる問題を解決する技術として、特開昭６２−２２３０１９号及び同６２−２７８７０５号には、製造方法の工夫により製造された結晶質酸化スズゾルを用いる方法が開示されている。
【００１１】
しかしこれらの技術では、ゾル溶液が着色していたり、結晶質であるためにゾルを塗布した時の表面の平滑性が損なわれたり、また一度焼成しなければ高い導電性を発現しない等の問題点を有していた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明の課題は、着色が無く、導電性が良好である透明導電材料の用途に適した非晶質酸化スズゾルの製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本発明は、下記構成を有する。
１．下記に示す非晶質酸化スズゾルの製造方法であって、加水分解性スズ化合物を加水分解処理し洗浄後、得られたハロゲン濃度が０．００１％以上３％以下の原料をアンモニア水に溶解して水の沸点以下で加熱処理を行うことを特徴とする非晶質酸化スズゾルの製造方法。
［非晶質酸化スズゾル］
原子の配列に長距離秩序がなく、結晶性酸化スズの融点（１１２７℃）以下に物質の変化を示す温度領域が存在する非晶質酸化スズゾルであって、導電性が１０５Ωｃｍ未満の非晶質酸化スズ粒子を含むことを特徴とする非晶質酸化スズゾル。
【００１４】
２．下記に示す非晶質酸化スズゾルの製造方法であって、加水分解性スズ化合物とフッ素を含む化合物とを用いて加水分解処理し洗浄後、得られたハロゲン濃度が０．００１％以上３％以下の原料をアンモニア水に溶解して水の沸点以下で加熱処理を行うことを特徴とする非晶質酸化スズゾルの製造方法。
［非晶質酸化スズゾル］
原子の配列に長距離秩序がなく、結晶性酸化スズの融点（１１２７℃）以下に物質の変化を示す温度領域が存在する非晶質酸化スズゾルであって、導電性が１０５Ωｃｍ未満の非晶質酸化スズ粒子を含むことを特徴とする非晶質酸化スズゾル。
【００１５】
３．非晶質酸化スズゾルが、加熱処理により２００℃から５００℃の範囲で重量減少を０．１ｗｔ％以上３０ｗｔ％未満生じる酸化スズを含むことを特徴とする前記１又は２に記載の非晶質酸化スズゾルの製造方法。
【００１６】
４．非晶質酸化スズゾルが、少なくとも０．００１ｗｔ％以上の陰イオンを含む酸化スズを含むことを特徴とする前記１又は２に記載の非晶質酸化スズゾルの製造方法。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細について説明する。
先ず、本発明において非晶質とは、結晶質とは異なる物質を意味する。結晶質とは、電気・電子工学大系７２巻、結晶の評価（伊藤 次、犬塚直夫、コロナ社、１９８２年）第４頁に記載されているように、原子の配列に長距離秩序があり、その物質に固相の融点があることが特徴である。例えば、高純度で無色透明な結晶性の酸化スズであれば、正方晶系ルチル型構造であり、屈折率１．９９６８、電気伝導性は室温で１０６Ωｃｍ以上の高抵抗を示すことが知られている。また融点は１１２７℃であり、結晶性酸化スズであればこの温度まで熱的に安定である。故に、一般に非晶質酸化スズとは、以上の性質を示さない物質であり、
▲１▼原子の配列に長距離秩序がない、
▲２▼結晶性酸化スズの融点以下に、物質の変化を示す温度領域が存在する、
酸化スズといえる。
【００１９】
▲１▼については、Ｘ線回折によりその構造を同定することが可能であり、新版カリティＸ線回折要論（松村源太郎訳、アグネ社、１９７７年）に記載された結晶子サイズの測定から長距離秩序のおおよその値を知ることができる。例えば、酸化スズの（１１０）面の面間隔はおおよそ０．３３ｎｍであり、結晶性酸化スズならば数１０個以上の繰り返し単位がなければならず、結晶子測定を行えば、１０数ｎｍの値が観測される。従って、結晶子測定において１０ｎｍ未満であれば、もはや長距離秩序があるとはいえず、非晶質と思われる。５ｎｍ未満であれば、もはや繰り返し単位を仮定すれば１０個以下となり結晶ではない。
【００２０】
▲２▼については、固体の熱分析を行えば容易に明らかとなり、測定条件の影響、試料サイズの影響を考慮しても１０００℃未満で熱的な変化が生じるならば結晶とは言い難い。熱的な変化で容易に観測できるのは熱重量分析であり、２００℃での重量を測定開始重量として重量減少を融点よりはるかに低い５００℃までの温度領域で０．１ｗｔ％以上生じるならば単結晶酸化スズではない。
以上のように上記▲１▼もしくは▲２▼を満たす酸化スズの場合には明らかに非晶質である。
【００２１】
次に導電性については、酸化スズ粒子の導電性を意味し、その測定方法については、正確に導電性が評価できる限りいかなる方法でもよい。以下に測定例を示すが、本発明に制限を加えるものではない。
【００２２】
石英板に酸化スズ薄膜を形成し、２００℃空気中で処理を行う。室温２５℃で薄膜の膜厚を測定後、四端子法にて抵抗を測定し、この抵抗値と膜厚から体積固有抵抗を求める。このような方法で求めた体積固有抵抗が１０−２Ωｃｍ以上１０５Ωｃｍ未満を示す酸化スズ粒子を含むゾルが本発明の酸化スズゾルである。
【００２３】
加熱処理による重量減少については、一般に用いられる熱重量分析で測定した値を意味する。昇温速度は３０℃／分以下が好ましく、さらに好ましくは１０℃／分以下で測定し、２００℃から５００℃の範囲で重量減少を０．１ｗｔ％以上３０ｗｔ％未満生じる酸化スズを含むゾルである。
【００２４】
本発明のゾルを２００℃まで、空気中もしくは、Ｎ２やＡｒなどの非酸化性雰囲気で加熱すると、非晶質酸化スズとなる。結晶性酸化スズであれば、続いて行う２００℃以上の処理で熱的な変化を伴わない。非晶質酸化スズであれば０．１ｗｔ％以上の重量減少を示す。この重量減少量と導電性の関係は、明らかではないが、本発明者らは重量減少を示す酸化スズ粒子が導電性を有することを発見し、本発明に至った。
【００２５】
不純物イオンについては、アンモニウムイオン、水素イオンなどの陽イオンや次に述べる陰イオンなど存在していると良好な結果を示す。
【００２６】
陰イオンについては、特にその存在を規定しないが、有機イオン、無機イオンなんでも存在していた方が高い導電性を示す。特に好ましいのは、カルボン酸基もしくはスルホン酸基、アミノ基、水酸基を含むイオン、炭酸イオンとハロゲンイオンである。これらのイオンは、非晶質酸化スズ粒子の内部に存在していても、外部もしくは内部と外部の両者に存在していてもいずれでもよい。但し、存在する量については、表面等の外部については、粒子に対して３０ｗｔ％以上存在するとゾルの安定性に問題が生じるので好ましくなく、３０ｗｔ％未満が好ましく、より好ましくは１０ｗｔ％未満、特に好ましくは６ｗｔ％未満がゾルにした時の安定性がよいことから選ばれる。粒子内部に存在する陰イオンについては、ゾルの安定性に影響がないのでその量を規定しないが、好ましくは０．００１ｗｔ％以上６ｗｔ％未満である。
【００２７】
これらの酸化スズゾルの製造方法としては、
請求項１に示す方法、即ち、加水分解性スズ化合物を加水分解処理し洗浄後、得られたハロゲン濃度が０．００１％以上３％以下の原料をアンモニア水に溶解して水の沸点以下で加熱処理を行う方法、
請求項２に示す方法、即ち、加水分解性スズ化合物とフッ素を含む化合物とを用いて加水分解処理し洗浄後、得られたハロゲン濃度が０．００１％以上３％以下の原料をアンモニア水に溶解して水の沸点以下で加熱処理を行う方法、
のいずれの方法でもよい。
【００２８】
本発明の製造方法において、全体の製造工程でＳｎを含む化合物にかかる温度条件が重要であり、高温度の熱処理を伴う方法は、一次粒子の成長や、結晶性が高くなる現象を生じるので好ましくなく、熱処理を行う必要がある時には、４５０℃以下、特に３００℃以下、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１５０℃以下とする。しかし、２５℃から１５０℃までの加温は、好適に選ばれる手段である。
【００２９】
また、製造工程は、加水分解性スズ化合物を加水分解処理する工程と、得られた沈殿物の洗浄工程を経てゾル化する工程の３工程からなる。各工程がさらに細分化された工程をとることに本発明は制限を加えない。例えば、加水分解工程は、原料を計量する工程と投入する工程、加水分解するために加えられる成分との混合工程、加熱工程等で構成されるが、どのような構成をとっても加水分解工程ならばこれを制限しない。また洗浄工程では、固液分離工程を伴うが、その方法もデカンテーション、限外濾過等、適当な濾過器を用いる方法等、いかなる方法でもよい。
ゾル化も同様であり、粒子を安定に分散するために加えられる添加剤、溶媒等は制限されないが、アンモニア水によるゾルの安定化が経済性の点で好ましい。
【００３０】
請求項１に示す製造方法に用いられる化合物について以下に述べる。
加水分解性スズ化合物とは、Ｋ２ＳｎＯ３・３Ｈ２Ｏのようなオキソ陰イオンを含む化合物、ＳｎＣｌ４、ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏのような水溶性ハロゲン化物、Ｒ′２ＳｎＲ２、Ｒ３ＳｎＸ、Ｒ２ＳｎＸ２［Ｒ′は脂肪族もしくは芳香族有機化合物、、Ｒは脂肪族もしくは芳香族有機化合物、Ｘはハロゲンを示す。］の構造を有する化合物、例えば（ＣＨ３）３ＳｎＣｌ・（ピリジン）、（Ｃ４Ｈ９）２Ｓｎ（Ｏ２ＣＣ２Ｈ５）２等の有機金属化合物、Ｓｎ（ＳＯ４）２・２Ｈ２Ｏ等のオキソ塩を挙げることができる。
【００３１】
加水分解性スズ化合物の溶媒中における分解反応から製造する方法においては、プロセスの途中で溶媒に可溶なＳｎ以外の元素を含む化合物の添加も可能である。例えば、溶媒に可溶なフッ素含有化合物の添加や、炭酸塩の添加である。溶媒に可溶なフッ素含有化合物とは、イオン性フッ化物もしくは共有性フッ化物のいずれでもよく、例えば、ＨＦもしくはＫＨＦ２、ＳｂＦ３、ＭｏＦ６等の金属フッ化物、ＮＨ４ＭｎＦ３、ＮＨ４ＢｉＦ４等のフルオロ錯陰イオンを生成する化合物、ＢｒＦ３、ＳＦ４、ＳＦ６等の無機分子性フッ化物、ＣＦ３Ｉ、ＣＦ３ＯＯＨ、Ｐ（ＣＦ３）３等の有機フッ素化合物を挙げることができるが、溶媒が水の場合にはＣａＦ２と硫酸との組み合わせのようにフッ素含有化合物と不揮発性酸との組み合わせも用いることができる。
【００３２】
以上の製造方法において、洗浄プロセスを途中に用いてもよい。洗浄プロセスを用いることにより、ゾルに含まれるイオンの量を制御することが可能である。洗浄方法は、特に限定されないが、例えば、デカンテーションによる方法、限外濾過膜による方法などが挙げられる。
【００３３】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
塩化第二スズ４５ｇを炭酸ガスを含んでいる３０℃の水２０００ｍｌに溶解し均一溶液を得た。次いでこれを２時間煮沸し共沈殿物を得た。生成した沈殿物をデカンテーションにより取り出し、蒸留水にて沈殿を１０回水洗する。蒸留水１０００ｍｌ添加し、全量を２０００ｍｌとする。さらに３０％アンモニア水を４０ｍｌ加え、水浴中で１００℃に加温し、無色透明なゾル溶液を得た。
このゾル溶液へ石英板をディップして乾燥する。この操作を１００回繰り返し石英板上に酸化スズ薄膜を形成した。この石英板を空気中１５０℃２時間処理した試料について四端子法にて体積固有抵抗を測定したところ、７×１０４Ωｃｍであった。
ゾル溶液をスプレードライ装置を用いて乾燥しゾル溶液から粉末を取り出した。この粉末を用いて粉末Ｘ線回折により（１００）面の結晶子測定を行ったところ、２．１ｎｍと求められ非晶質粉末であることを確認した。また、この粉末の熱重量分析を１０℃／分の昇温速度で行ったところ、２００℃まで緩やかに重量減少を１．０ｗｔ％示した後、２００℃から５００℃までに２．５ｗｔ％の重量減少を示した。
【００３４】
比較例１
塩化第二スズ水和物６５ｇを蒸留水２０００ｍｌに１００℃で溶解し均一溶液を得た。次いでこれを煮沸し共沈殿物を得た。生成した沈殿物をデカンテーションにより取り出し、蒸留水にて沈殿を４０回水洗する。沈殿を洗浄した蒸留水中に硝酸銀を滴下し、塩素イオンの反応が無いことを確認後、蒸留水１０００ｍｌ添加し全量を２０００ｍｌとする。さらに３０％アンモニア水を４０ｍｌ加え、水浴中で１００℃に加温し、コロイド状ゲル分散液を得た。できたゾル溶液は、無色透明であった。
実施例１と同様の方法により石英板上に薄膜を形成した後、四端子法にて体積固有抵抗を測定したところ、２．１×１０５Ωｃｍであった。
また、結晶子測定を行ったところ、３．１ｎｍと測定された。
【００３５】
比較例２
塩化第二スズ水和物６５ｇを３０℃の蒸留水２０００ｍｌに溶解し均一溶液を得た。次いでこれを煮沸し共沈殿物を得た。生成した沈殿物をデカンテーションにより取り出し、蒸留水にて沈殿を４０回水洗する。水洗後８００℃の筒状の電気炉の中へスプレーし粉末を取り出した。この粉末を２０００ｍｌの水中に分散し、３０％アンモニア水を４０ｍｌ加え、水浴中で１００℃に加温し、コロイド状ゲル分散液を得た。できたゾル溶液はやや白濁していた。
実施例１と同様の方法により、石英板上に薄膜を形成した後、四端子法にて体積固有抵抗を測定したところ、７．１×１０６Ωｃｍであった。
また、結晶子測定を行ったところ、３０．５ｎｍと測定された。
【００３６】
以上、実施例１と比較例１及び比較例２とから、僅かな製造条件の違いで得られる酸化スズの体積固有抵抗が異なることが明らかである。
【００３７】
実施例２
塩化第二スズ４５ｇを５０℃の蒸留水２０００ｍｌに溶解し均一溶液を得た。次いでこれを２時間煮沸し共沈殿物を得た。生成した沈殿物をデカンテーションにより取り出し、蒸留水にて沈殿を８回水洗する。蒸留水１０００ｍｌ添加し全量を２０００ｍｌとする。さらに３０％アンモニア水を４０ｍｌ加え、水浴中で１００℃に加温し、無色透明なゾル溶液を得た。
イオンクロマトグラフィーを用いて、ゾル溶液に含まれる塩素イオン濃度を求めたところ、０．００８ｗｔ％塩素イオンが含まれていた。
実施例１と同様に石英板上にこのゾル溶液を用いて薄膜を形成し、熱処理後の体積固有抵抗を求めたところ、９．５×１０４Ωｃｍであった。
また、実施例１と同様に結晶子測定を行ったところ、２．７ｎｍであった。
【００３８】
実施例３
塩化第二スズ４５ｇを４０℃の蒸留水２０００ｍｌに溶解し均一溶液を得た。次いでこれを２時間煮沸し共沈殿物を得た。生成した沈殿物をデカンテーションにより取り出し、蒸留水にて沈殿を７回水洗する。蒸留水１０００ｍｌ添加し全量を２０００ｍｌとする。さらに３０％アンモニア水を４０ｍｌ加え、水浴中で１００℃に加温し、無色透明なゾル溶液を得た。
イオンクロマトグラフィーを用いて、ゾル溶液に含まれる塩素イオン濃度を求めたところ、０．０１６ｗｔ％塩素イオンが含まれていた。
実施例１と同様に石英板上にこのゾル溶液を用いて薄膜を形成し、熱処理後の体積固有抵抗を求めたところ、９．５×１０４Ωｃｍであった。
また、実施例１と同様に結晶子測定を行ったところ、２．２ｎｍであった。
【００３９】
実施例４
塩化第二スズ４５ｇとＫ２ＴｉＦ６を５ｇとを３０℃の蒸留水２０００ｍｌに溶解し均一溶液を得た。次いでこれを２時間煮沸し共沈殿物を得た。生成した沈殿物をデカンテーションにより取り出し、蒸留水にて沈殿を８回水洗する。蒸留水１０００ｍｌ添加し全量を２０００ｍｌとする。さらに３０％アンモニア水を４０ｍｌ加え、水浴中で１００℃に加温し、無色透明なゾル溶液を得た。
イオンクロマトグラフィーを用いて、ゾル溶液に含まれる塩素イオン濃度を求めたところ、０．００８ｗｔ％塩素イオンが含まれていた。
実施例１と同様に石英板上にこのゾル溶液を用いて薄膜を形成し、熱処理後の体積固有抵抗を求めたところ、１．５×１０４Ωｃｍであった。
また、実施例１と同様に結晶子測定を行ったところ、２．４ｎｍであった。
【００４０】
実施例５
塩化第二スズ４５ｇとＫＦ５ｇとを３０℃の蒸留水２０００ｍｌに溶解し均一溶液を得た。次いでこれを２時間煮沸し共沈殿物を得た。生成した沈殿物をデカンテーションにより取り出し、蒸留水にて沈殿を８回水洗する。蒸留水１０００ｍｌ添加し全量を２０００ｍｌとする。さらに３０％アンモニア水を４０ｍｌ加え、水浴中で１００℃に加温し、無色透明なゾル溶液を得た。
イオンクロマトグラフィーを用いて、ゾル溶液に含まれる塩素イオン濃度を求めたところ、０．００８ｗｔ％塩素イオンが含まれていた。
実施例１と同様に石英板上にこのゾル溶液を用いて薄膜を形成し、熱処理後の体積固有抵抗を求めたところ、６．５×１０３Ωｃｍであった。
また、実施例１と同様に結晶子測定を行ったところ、２．１ｎｍであった。
【００４１】
比較例３
塩化第二スズ水和物６５ｇと三塩化アンチモン１．０ｇを３０℃の水／エタノール混合溶液２０００ｍｌに溶解し均一溶液を得た。次いでこれを２時間煮沸し共沈殿物を得た。生成した沈殿物をデカンテーションにより取り出し、蒸留水にて沈殿を４０回水洗する。沈殿を洗浄した蒸留水中に硝酸銀を滴下し、塩素イオンの反応が無いことを確認後、蒸留水１０００ｍｌ添加し全量を２０００ｍｌとする。さらに３０％アンモニア水を４０ｍｌ加え、水浴中で１００℃に加温し、コロイド状ゲル分散液を得た。やや赤みを帯びたゾル溶液が得られた。
【００４２】
以上、実施例２、実施例３、実施例４、実施例５と比較例３との比較より、本発明は着色の無い、導電性の良好な非晶質酸化スズゾルを製造することが可能である。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、着色が無く、導電性が良好である透明導電材料の用途に適した非晶質酸化スズゾルの製造方法を提供することができる。
Claims (4)
- 下記に示す非晶質酸化スズゾルの製造方法であって、加水分解性スズ化合物を加水分解処理し洗浄後、得られたハロゲン濃度が０．００１％以上３％以下の原料をアンモニア水に溶解して水の沸点以下で加熱処理を行うことを特徴とする非晶質酸化スズゾルの製造方法。
［非晶質酸化スズゾル］
原子の配列に長距離秩序がなく、結晶性酸化スズの融点（１１２７℃）以下に物質の変化を示す温度領域が存在する非晶質酸化スズゾルであって、導電性が１０５Ωｃｍ未満の非晶質酸化スズ粒子を含むことを特徴とする非晶質酸化スズゾル。 - 下記に示す非晶質酸化スズゾルの製造方法であって、加水分解性スズ化合物とフッ素を含む化合物とを用いて加水分解処理し洗浄後、得られたハロゲン濃度が０．００１％以上３％以下の原料をアンモニア水に溶解して水の沸点以下で加熱処理を行うことを特徴とする非晶質酸化スズゾルの製造方法。
［非晶質酸化スズゾル］
原子の配列に長距離秩序がなく、結晶性酸化スズの融点（１１２７℃）以下に物質の変化を示す温度領域が存在する非晶質酸化スズゾルであって、導電性が１０５Ωｃｍ未満の非晶質酸化スズ粒子を含むことを特徴とする非晶質酸化スズゾル。 - 非晶質酸化スズゾルが、加熱処理により２００℃から５００℃の範囲で重量減少を０．１ｗｔ％以上３０ｗｔ％未満生じる酸化スズを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の非晶質酸化スズゾルの製造方法。
- 非晶質酸化スズゾルが、少なくとも０．００１ｗｔ％以上の陰イオンを含む酸化スズを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の非晶質酸化スズゾルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22931996A JP3821883B2 (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | 非晶質酸化スズゾルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22931996A JP3821883B2 (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | 非晶質酸化スズゾルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1059720A JPH1059720A (ja) | 1998-03-03 |
| JP3821883B2 true JP3821883B2 (ja) | 2006-09-13 |
Family
ID=16890285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22931996A Expired - Fee Related JP3821883B2 (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | 非晶質酸化スズゾルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3821883B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006012783A (ja) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | Tdk Corp | 透明導電材料、透明導電ペースト、透明導電膜及び透明電極 |
| JP2006056184A (ja) | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 印刷版材料および印刷版 |
-
1996
- 1996-08-12 JP JP22931996A patent/JP3821883B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1059720A (ja) | 1998-03-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wu et al. | Preparation, characterization and electrical properties of fluorine-doped tin dioxide nanocrystals | |
| Gamard et al. | Conductive F-doped tin dioxide sol− gel materials from fluorinated β-diketonate tin (IV) complexes. Characterization and thermolytic behavior | |
| JP3357107B2 (ja) | 白色導電性二酸化チタン粉末及びその製造方法 | |
| Kitaoka et al. | Preparation of La0. 5Li0. 5TiO3 perovskite thin films by the sol–gel method | |
| JPH0258213B2 (ja) | ||
| US4873352A (en) | Transparent aqueous tin compound solution | |
| Morris et al. | Fluorine doped tin oxide films from spray pyrolysis of stannous fluoride solutions | |
| RU2355823C2 (ru) | Электрод для электрохимических процессов и способ его получения | |
| JP3821883B2 (ja) | 非晶質酸化スズゾルの製造方法 | |
| JP4122117B2 (ja) | 非晶質酸化スズゾルの製造方法 | |
| JPH1053417A (ja) | 導電性酸化スズ粉末及びその製造方法ならびにそれを用いてなる導電性懸濁組成物、導電性塗料組成物、帯電防止材 | |
| JP3834339B2 (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 | |
| JPH08333376A (ja) | 液状メチル錫ハライド組成物 | |
| DE68907822T2 (de) | Flüssige Beschichtungszusammensetzung und Verfahren zur Herstellung von einer fluor-dotierten Zinnoxid-Beschichtung auf Glas. | |
| JPH0586605B2 (ja) | ||
| Atta et al. | Preparation and properties of zirconia coatings from aquo-organic solutions of zirconyl chloride octahydrate | |
| JP2000128532A (ja) | 非晶質酸化スズゾル及びその製造方法 | |
| Imai et al. | Preparation of hollow fibers of tin oxide with and without antimony doping | |
| JP2759470B2 (ja) | 錫酸ゾル及びその製造方法 | |
| JP3940506B2 (ja) | 非晶質酸化スズゾル及びその製造方法 | |
| JP3694901B2 (ja) | 弗素含有金属酸化物被膜及び金属酸化物被膜の製造方法 | |
| JP3352772B2 (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 | |
| JP3373898B2 (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 | |
| JP2010080316A (ja) | 透明導電性基板およびその製造方法 | |
| US20220102639A1 (en) | Aqueous solution precursors for making oxide thin films, and composition and method for making conductive oxide thin films therefrom |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050715 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051004 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051201 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060110 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060203 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060328 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060427 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060530 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060621 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110630 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110630 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120630 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120630 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130630 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130630 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140630 Year of fee payment: 8 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |