JP3812571B2 - Manufacturing method of heat sink for semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は半導体装置用放熱板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a heat sink for a semiconductor device.
従来の半導体装置用放熱板の製造方法としては、金属製プレートを切削加工やプレス加工により形成しているものがあった(例えば、特許文献1参照)。 As a conventional method for manufacturing a heat sink for a semiconductor device, there is a method in which a metal plate is formed by cutting or pressing (see, for example, Patent Document 1).
図2は、前記特許文献1に記載された従来の半導体装置用放熱板の製造方法を示すものである。
FIG. 2 shows a conventional method of manufacturing a heat sink for a semiconductor device described in
図2において、金属製プレート101の一面側に突出する凸部102をプレス加工によって形成し、凸部102の第一主面103に形成された平坦面に、半導体素子(図示せず)が搭載される半導体装置用放熱板を製造する際に、凸部102を金属製プレート101の一面側に突出させた後、平坦部を備えた金属製プレート101の凸部102に対応する凹部104が形成されたパンチ105と、平坦部を備えたダイ106との間に、パンチ105の凹部104の底面と金属製プレート101の凸部102の第一主面103とを当接させると共に、パンチ105の凹部104形成面と金属製プレート101の凸部102形成面との間にクリアランスを設けて挟み込み、次いで、パンチ105とダイ106とによって挟み込まれた金属製プレート101を加圧しつつ加熱処理を施して金属製プレート101の凸部102の第一主面103を平坦化していた。
しかしながら、前記従来の構成では、金属製プレート101に凸部102を形成する時および凸部102の第一主面103に平坦面を形成する時に、パンチ105、ダイ106に油層が発生し、その状態でプレス加工された場合、金属製プレート101側に発生しているバリが壁となり、ダイ106に油層が抱き込まれた状態となり、その油層により放熱板表面に荒れが発生し、後に搭載される半導体素子(図示せず)の搭載に悪い影響を与えるという課題を有していた。
However, in the conventional configuration, when the convex portion 102 is formed on the
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、放熱板表面に荒れを発生させる事のない半導体装置用放熱板の製造方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-described conventional problems, and an object thereof is to provide a method of manufacturing a heat sink for a semiconductor device that does not cause a rough surface on the heat sink.
前記従来の課題を解決するために、本発明の半導体装置用放熱板の製造方法は、金属製プレートにプレス加工を加えて半導体装置用放熱板を製造する方法において、第一ダイと第一パンチにより金属製プレートのバリ除去を行うバリ除去工程と、金属製プレートの第一主面の裏面に勾配部を形成する勾配形成工程と、金属製プレートの第一主面に段差を形成する段差形成工程とからなる半導体装置用放熱板の製造方法である。 In order to solve the above-described conventional problems, a method for manufacturing a heat sink for a semiconductor device according to the present invention includes: a first die and a first punch in a method for manufacturing a heat sink for a semiconductor device by pressing a metal plate; A deburring process for removing burrs on the metal plate, a gradient forming process for forming a gradient portion on the back surface of the first main surface of the metal plate, and a step formation for forming a step on the first main surface of the metal plate The manufacturing method of the heat sink for semiconductor devices which consists of a process .
本構成によって、第一ダイと金属製プレートの間で起こる油層による金属製プレートの表面荒れを防ぐことができる。 With this configuration, it is possible to prevent the metal plate from being roughened by the oil layer that occurs between the first die and the metal plate.
以上のように、本発明の半導体装置用放熱板の製造方法によれば、第一ダイと金属製プレートとの間に発生する油層を除去しながら放熱板を形成することができる。 As mentioned above, according to the manufacturing method of the heat sink for semiconductor devices of this invention, a heat sink can be formed, removing the oil layer which generate | occur | produces between a 1st die | dye and metal plates.
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態における半導体装置用放熱板の製造方法の工程フローに沿った断面図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a cross-sectional view along a process flow of a method for manufacturing a semiconductor device heat sink in an embodiment of the present invention.
図1において、1は銅合金からなる金属製プレート、2は金属製プレート1をプレス加工した段差部、3は金属製プレート1の凹形状を形成する第一主面、4は面取りを行う第一ダイ、5は金属プレート1よりも大きな平坦部を備えた第一パンチ、6は第一ダイ4の底部、7は金属製プレート1に発生したバリ、8は金属製プレート1の平坦部を先行して押え込むブランクホルダー、9は第二パンチ、10は第二ダイである。
In FIG. 1, 1 is a metal plate made of a copper alloy, 2 is a stepped portion formed by pressing the
詳細な構成を下記に説明する。 A detailed configuration will be described below.
一対の第一パンチ5と第一ダイ4に金属製プレート1を載置する(図1(a))。このとき、バリ7を下側とし第一ダイ4上に金属製プレート1を載置する。
The
第一パンチ5と第一ダイ4とにより勾配形成加工を行い勾配部11を備えた中間加工物を成形する(図1(b)(c))。このとき第一ダイ4には、平坦部を備えた第一ダイ底面6を有している。さらに第一ダイ底面6から開口部に向けて勾配部11が施されている。この勾配部11は金属製プレート1に発生しているバリ7を除去すると共に、金属製プレート1にバリ7とは逆方向に勾配部11と平坦部とを形成するものである。
A gradient forming process is performed by the
中間加工物の勾配加工側を第二ダイ10側に載置し、ブランクホルダー8で中間加工物に与圧を加える(図1(d))。このとき、ブランクホルダー8は中間加工物に中央から当接させる。これにより、油の逃げは中間加工物の中央から進み、中間加工物の勾配部との相乗効果により表面荒れの原因となる油層を除去するものである。
The gradient machining side of the intermediate workpiece is placed on the
第二パンチ9で中間加工物に段差加工を加える(図1(e))。 Step processing is applied to the intermediate workpiece with the second punch 9 (FIG. 1 (e)).
上記製造方法により製造された半導体装置用放熱板である(図1(f))。 It is the heat sink for semiconductor devices manufactured by the said manufacturing method (FIG.1 (f)).
プレス加工による金属製プレートの成形方法として有用であり、特に半導体装置用放熱板の製造方法に適している。 It is useful as a method for forming a metal plate by press working, and is particularly suitable for a method for manufacturing a heat sink for a semiconductor device.
1 金属製プレート
2 段差部
3 第一主面
4 第一ダイ
5 第一パンチ
6 第一ダイ底面
7 バリ
8 ブランクホルダー
9 第二パンチ
10 第二ダイ
11 勾配部
101 金属製プレート
102 凸部
103 第一主面
104 凹部
105 パンチ
106 ダイ
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