JP3806043B2 - 光導波路デバイス - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信システムにおいて用いて好適の、光導波路デバイスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年のデータ伝送速度の高速化に伴って、光通信システム分野においては、データ信号を電気信号から光信号に変調するための光導波路デバイスについての開発が活発に行なわれている。
図3は、上述のごとき光変調を行なうための従来の光導波路デバイス100が適用された光変調器110を示す模式図であり、この図3に示す光変調器110は、光導波路デバイス100に、後述するRF信号発生源106a,106bおよびバイアス用の電源107a,107bを接続して構成されたものである。
【0003】
この図3に示す光導波路デバイス100は、LiNbO3(ニオブ酸リチウム)を結晶軸方向のZ軸に平行となるようにカットした基板101Z上に、光が入射される側のY分岐導波路102a,直線導波路102b,102cおよび光が出射される側のY分岐導波路102dをそなえてなるマッハツェンダ型の光導波路102が形成されている。
【0004】
さらに、103a,103bはそれぞれ、直線導波路102b,102c上に形成された信号電極であり、これらの信号電極103a,103bは、それぞれ別個のRF(Radio Frequency)信号発生源106a,106bに接続されて、これらRF信号発生源106a,106bからの互いに位相が反転したRF信号を変調信号として印加するものである。
【0005】
さらに、104a,104bは、それぞれの信号電極103a,103bとは別個に設けられたバイアス電極であって、バイアス電極104aは、直流電圧(+V0)を発生する電源107aに接続されて信号電極103aに印加されるマイクロ波に対してDC(Direct Current)バイアス成分としての電圧を与えるもので、バイアス電極104bは、直流電圧(−V0)を発生する電源107bに接続されて信号電極103bに印加されるマイクロ波に対してDCバイアス成分としての電圧を与えるものである。
【0006】
また、105は接地電極であり、この接地電極105は、上述の信号電極103a,103bおよびバイアス電極104a,104bにて供給される電圧に対する基準となる接地電位を与えるためのものであって、これらの電極103a,103b,104a,104bの形成領域に対して所定の間隔をあけるように形成されている。
【0007】
これにより、各バイアス電極104a,104bには、接地電極105の電位を基準として、それぞれ相互に絶対値が同一で符号が反転した電圧(−V0および+V0)が印加されるようになっており、信号電極103a,103bに応じたDCドリフト成分を除去するようになっている。
上述の図3のごとき、それぞれの直線導波路102b,102c上に信号電極103a,103bを形成したデュアル電極構造の場合は、それぞれの直線導波路102b,102cにおける波長チャープを出射側のY分岐導波路102dにおいて相殺することができるので、変調データとしてのパルス波形の歪を抑制できる点において、長距離伝送用の光変調器として有用である。
【0008】
また、図4は、光変調を行なうための従来の光導波路デバイス100が適用された第2の光変調器210を示す模式図である。この図4に示す光導波路デバイス200は、LiNbO3(ニオブ酸リチウム)を結晶軸方向のX軸に平行となるようにカットした基板101X上に、上述の図よりも分岐幅の狭いマッハツェンダ型の光導波路202を形成したものである。なお、光導波路202は、光が入射される側のY分岐導波路202a,直線導波路202b,202cおよび光が出射される側のY分岐導波路202dをそなえて構成されている。
【0009】
この図4に示す光導波路デバイス200においては、図3に示すものと、電圧を印加した場合の電界方向の相違から、単一の信号電極203およびバイアス電極204を、直線導波路202b,202cの形成面上に、当該直線導波路202b,202cの間に沿って平行するように形成されており、これにより、信号電極203では上述の図3の場合と同様、それぞれの直線導波路202b,202cにおける波長チャープを相殺できるようになっている。
【0010】
なお、205は接地電極、206は信号電極203に接続されたRF信号発生源、207はバイアス電極204に接続された電源である。
ただし、図4に示すような結晶軸方向のX軸に平行な基板101Xを用いた場合には、マイクロ波と光の速度整合を取ることが困難であり、高速化されたデータを変調する際には図3に示す構成の光導波路デバイスを用いて、光変調器を構成することが一般的である。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の図3に示すような構成の光導波路デバイスを用いて光変調器を構成する場合には、直線導波路102b,102c上の信号電極103a,103bの長さをある程度確保しなければならない関係上、バイアス電極104a,104bの長さを比較的短くせざるを得ない。
【0012】
動作点電圧と電極の長さの積はデバイスの特性から一定値に特定されることから、長さの短いバイアス電極104a,104bに対しては駆動電圧、即ち電源107a,107bの駆動電圧を比較的大きなものに設定しなければならず、更にはデュアル電極構造の場合には、このような比較的大きな駆動電圧を供給する電源を複数準備しなければないという課題がある。
【0013】
本発明はこのような課題に鑑み創案されたもので、印加される駆動電圧を低減させるようにした、光導波路デバイスを提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
このため、第1の発明の光導波路デバイスは、Z軸カットされた電気光学効果を有する基板と、第1および第2の光導波路を含む干渉型光導波路と、該第1および該第2の光導波路上にそれぞれ形成され、互いに位相が反転された信号が印加される第1および第2の信号電極と、それぞれ第1および第2の電位が与えられた第1および第2の電位供給用電極部と、該第1および該第2の光導波路上にそれぞれ形成され、それぞれ該第1および該第2の電位供給用電極部に接続された第1および第2の導波路上電極部と、該第1および該第2の導波路上電極の両側の近傍にそれぞれ設けられ、それぞれ該第2および該第1の電位供給用電極部に接続された、2つの第1および第2の電位差形成用電極と、を備えたことを特徴としている。
【0015】
また、第2の発明の光導波路デバイスは、Z軸カットされた電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成されて、複数の光導波路上を伝播する光について干渉させる干渉型光導波路と、該干渉型光導波路をなす各光導波路上に形成された信号電極と、該各信号電極において印加する信号成分をバイアスするためのバイアス電極とをそなえ、該バイアス電極が、第1の電位が与えられる第1電位供給用電極部と、第1の電位と異なる第2の電位が与えられる第2電位供給用電極部と、上記の各光導波路上における信号電極の後段に、上記複数の光導波路の順に応じて上記の第1および第2電位供給用電極部からの電位が交互に供給されるように形成された導波路上電極部と、一方の電位供給用電極部からの電位を供給する導波路上電極部の両側の近傍のそれぞれに、他方の電位供給用電極部からの電位を供給する2つの電位差形成用電極部と、をそなえて構成されたことを特徴としている。
【0016】
また、上述の第2の発明の光導波路デバイスにおいては、該バイアス電極が、該並列な複数の光導波路のうちで隣接する光導波路に供給される互いの電位を相補させることにより、上記隣接する光導波路には、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧が印加されるように構成することができる。
【0017】
さらに、上述の第1および第2の発明の光導波路デバイスにおいては、該第1および第2電位供給用電極部にて与えられる第1および第2の電位のいずれか一方を、接地電位としたり、該第1および第2電位供給用電極部にて与えられる第1および第2の電位を、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電位とすることとしてもよい。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照することにより、本発明の実施の形態を説明する。
[a]第1実施形態の説明
図1は本発明の第1実施形態にかかる光導波路デバイス10が適用された光変調器11−1を示す模式図であり、この図1に示す光変調器11−1は、本発明にかかる特徴的な構成を有する光導波路デバイス10に、後述するRF信号発生源6a,6bおよびバイアス用の電源7を接続して構成されたものである。
【0019】
ここで、この図1に示す光導波路デバイス10は、基板1Zをそなえるとともに、基板1Z上に、光導波路2,信号電極3a,3b,バイアス電極4および接地電極5が形成されて構成されたものである。
基板1Zは、前述の図3の場合と同様、電気光学効果を有する材料であるLiNbO3(ニオブ酸リチウム)を結晶軸方向のZ軸に平行となるようにカットしたもので、この基板1Z上には、光が入射される側のY分岐導波路2a,直線導波路2b,2cおよび光が出射される側のY分岐導波路2dをそなえてなるマッハツェンダ型の光導波路2が形成されている。
【0020】
換言すれば、上述の光導波路2は、基板1Z上に形成されて、並列な複数の光導波路(2本の直線導波路2b,2c)上を伝播する光についてY分岐導波路2dにおいて干渉させる干渉型光導波路として機能する。
さらに、信号電極3a,3bはそれぞれ、直線導波路2b,2c上に形成されたものである。信号電極3aは、干渉型光導波路2をなす並列な2つの導波路のうちの一方の光導波路としての直線導波路2b上に形成された第1信号電極として、信号電極3bは他方の光導波路としての直線導波路2c上に形成された第2信号電極として、それぞれ機能する。これにより、図1に示す光導波路デバイス10についても、前述の図3の場合と同様に、直線導波路2b,2c上に信号電極3a,3bを形成したデュアル電極の構造を構成するようになっている。
【0021】
また、これらの信号電極3a,3bは、それぞれ互いに位相が反転したRF信号を発生するRF(Radio Frequency)信号発生源6a,6bに接続されて、これらRF信号発生源6a,6bからのRF信号を光変調用の信号として印加するものである。
さらに、バイアス電極4は各信号電極3a,3bにおいて印加する信号成分をバイアスするためのものであって、第1バイアス電極4aと第2バイアス電極4bとをそなえて構成されている。
【0022】
また、第1および第2バイアス電極4a,4bは、マッハツェンダ型の光導波路2を構成する直線導波路2b,2cにそれぞれ印加されるバイアス電圧が互いに異なるような櫛形状の電極構造を有している。
具体的には、第1バイアス電極部4aとしては、第1の電位(V=0,接地電位)が与えられる第1電位供給用電極部4a−1と、直線導波路2b上における第1信号電極3aの後段に、第1電位供給用電極部4a−1からの電位が供給されるように形成された第1導波路上電極部4a−2と、後述の第2導波路上電極部4b−2を挟むように形成され、第1電位供給用電極部4a−1からの電位を供給する少なくとも2つの第2電位差形成用電極部4a−31,4a−32と、をそなえて構成されている。
【0023】
また、第2バイアス電極部4bとしては、上述の第1の電位と異なる第2の電位(V=V0)が与えられる第2電位供給用電極部4b−1と、直線導波路2c上における第2信号電極3bの後段に、第2電位供給用電極部4b−1からの電位が供給されるように形成された第2導波路上電極部4b−2と、第1導波路上電極部4a−2を挟むように形成され、第2電位供給用電極部4b−1からの電位を供給する少なくとも2つの第1電位差形成用電極部4b−31,4b−32と、をそなえて構成されている。
【0024】
すなわち、バイアス電極部4aの第1電位供給用電極部4a−1が上述の櫛形をなす幹として、第1導波路上電極部4a−2および2つの第2電位差形成用電極部4a−31,4a−32が上述の櫛形をなす肢としてそれぞれ構成され、バイアス電極部4bの第2電位供給用電極部4b−1が櫛形をなす幹として、第2導波路上電極部4b−2および2つの第1電位差形成用電極部4b−31,4b−32により、上述の櫛形をなす肢としてそれぞれ構成される。
【0025】
ここで、第1電位供給用電極部4a−1には、第1の電位としての接地電位(V=0)を供給するようになっている。これにより、第1バイアス電極4aを構成する第1導波路上電極部4a−2および第2電位差形成用電極部4a−3の電位についても、接地電位とすることができるようになっている。
また、第2電位供給用電極部4b−1はV=V0を供給する電源7が接続されるようになっており、第2の電位としてのV=V0が印加されるようになっている。これにより、第2バイアス電極4bを構成する第2導波路上電極部4b−2および第1電位差形成用電極部4b−31,4b−32の電位についても、V=V0とすることができるようになっている。
【0026】
これにより、第1導波路上電極部4a−2の電位としては接地電位であるが、当該第1導波路上電極部4a−2を挟むように形成された2つの第2電位差形成用電極部4b−31,4b−32の電位がV=V0であるため、直線導波路2bに印加されるバイアス電圧としては、第1導波路上電極部4a−2および第2電位差形成用電極部4b−31,4b−32の電位差であるV=−V0とすることができる。
【0027】
さらに、第2導波路上電極部4b−2の電位としてはV=V0であるが、当該第2導波路上電極部4b−2を挟むように形成された2つの第1電位差形成用電極部4a−31,4a−32の電位が接地電位であるため、直線導波路2cに印加されるバイアス電圧としては、第2導波路上電極部4b−2および第1電位差形成用電極部4a−31,4a−32の電位差であるV=V0とすることができる。
【0028】
換言すれば、上記の第1および第2バイアス電極4a,4bによって、互いの電位を相補させることにより、それぞれの直線導波路2b,2cには絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧を印加することができるのである。
なお、接地電極5は、信号電極3a,3bに印加された電圧に起因する電界が主として及ぶ範囲にのみ形成されて、上述のバイアス電極4に印加された電圧に起因する電界が及ぶ範囲には形成されないようになっている。
【0029】
上述の構成により、本発明の第1実施形態にかかる光導波路デバイス10が適用された光変調器11−1では、第1バイアス電極4aは接地され、第2バイアス電極4bには電源7からの電圧V=V0が与えられているが、第1および第2バイアス電極4a,4b間の電位が相補されることにより、直線導波路2bに対してはV=−V0の電位差をバイアス電圧として得ることができ、直線導波路2cに対してはV=V0の電位差をバイアス電圧として得ることができる。
【0030】
このように、本発明の第1実施形態にかかる光導波路デバイスによれば、直線導波路2b,2c上に信号電極3a,3bを形成したデュアル電極の構造を構成した場合においても、バイアス用に単一の電源7を用いるのみで、バイアス電極4では絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧を印加することができるので、準備すべき電源の数を減らすことができるとともに、光通信システム運用コストの低減に寄与できる利点がある。
【0031】
なお、上述の第1実施形態においては、第1電位供給用電極部4a−1にて与えられる第1の電位を接地電位とし、第2電位供給用電極部4b−1にて与えられる第2の電位をV=V0としているが、本発明によれば、第1電位供給用電極部4a−1にて与えられる第1の電位をV=V0とし、第2電位供給用電極部4b−1にて与えられる第2の電位を接地電位とすることも、もちろん可能である。
【0032】
[b]第2実施形態の説明
図2は本発明の第2実施形態にかかる光導波路デバイスを適用した光変調器11−2を示す模式図であり、この図2に示す光変調器11−2は、前述の第1実施形態におけるものに比して、第1および第2電位供給用電極部4a−1,4b−1のそれぞれに別個の電源7a,7bが接続されて、それぞれの第1および第2電位供給用電極部4a−1,4b−1にて与えられる第1および第2の電位が、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電位とするようになっている点が異なり、光導波路デバイス10の構成としては前述の第1実施形態の場合と同様である。なお、図2中、図1と同一の符号は、基本的に同様の部分を示している。
【0033】
ここで、第1および第2電位供給用電極部4a−1,4b−1のそれぞれに接続される電源7a,7bは、互いに相補の(絶対値が同一で符号は反転した値の)電圧を発生するものであるが、それぞれの電源7a,7bで発生する電圧値の絶対値としては、前述の第1実施形態の場合における電源7の半分の値を発生するようになっている。この場合においては、電源7aはV=−V0/2の電圧値を発生し、電源7bはV=+V0/2の電圧値を発生するようになっている。
【0034】
これにより、第1導波路上電極部4a−2の電位としてはV=−V0/2であるが、当該第1導波路上電極部4a−2を挟むように形成された2つの第2電位差形成用電極部4b−31,4b−32の電位がV=+V0/2となるため、直線導波路2bに印加されるバイアス電圧としては、第1導波路上電極部4a−2および第2電位差形成用電極部4b−31,4b−32の電位差であるV=−V0とすることができる。
【0035】
さらに、第2導波路上電極部4b−2の電位としてはV=+V0/2であるが、当該第2導波路上電極部4b−2を挟むように形成された2つの第1電位差形成用電極部4a−31,4a−32の電位がV=−V0/2であるため、直線導波路2cに印加されるバイアス電圧としては、第2導波路上電極部4b−2および第1電位差形成用電極部4a−31,4a−32の電位差であるV=+V0とすることができる。
【0036】
換言すれば、上記の第1および第2バイアス電極4a,4bによって、互いの電位を相補させることにより、それぞれの直線導波路2b,2cには絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧を印加することができるのである。
上述の構成により、本発明の第2実施形態にかかる光導波路デバイス10が適用された光変調器11−2では、第1バイアス電極4aには電源7aからの電圧V=−V0/2が与えられ、第2バイアス電極4bには電源7bからの電圧V=+V0/2が与えられているが、第1および第2バイアス電極4a,4b間の電位が相補されることにより、直線導波路2bに対してはV=−V0の電位差をバイアス電圧として得ることができ、直線導波路2cに対してはV=+V0の電位差をバイアス電圧として得ることができる。
【0037】
このように、本発明の第2実施形態にかかる光導波路デバイスによれば、直線導波路2b,2c上に信号電極3a,3bを形成したデュアル電極の構造を構成した場合のごとく、電源の個数を減らさないで光変調器を構成する場合においても、従来よりのバイアス電極用の電源よりも発生する電圧値を半減させながら、バイアス電圧値としては同様の電圧を与えることができるので、光通信システム運用コストの低減に寄与できる利点がある。
【0038】
なお、上述の第2実施形態においては、第1電位供給用電極部4a−1にて与えられる第1の電位をV=−V0/2とし、第2電位供給用電極部4b−1にて与えられる第2の電位をV=+V0/2としているが、本発明によれば、第1電位供給用電極部4a−1にて与えられる第1の電位をV=+V0/2とし、第2電位供給用電極部4b−1にて与えられる第2の電位をV=−V0/2とすることも、もちろん可能である。
【0039】
[c]第3実施形態の説明
図5は、本発明の第3実施形態にかかる光導波路デバイスを適用した光変調器を示す模式図であり、この図5に示す光変調器11−3は、前述の第1,第2実施形態におけるものに比して、第1導波路上電極4a−2の近傍には(2つではなく)単一の第1電位差形成用電極部4b−33が設けられ、第2導波路上電極4b−2の近傍にも単一の第2電位差形成用電極部4a−33が設けられている点が異なる。なお、図5中、図1,図2と同一の符号は、基本的に同様の部分を示している。
【0040】
このように構成された第3実施形態にかかる光導波路デバイスにおいても、前述の第1,第2実施形態の場合と同様、従来よりのバイアス電極用の電源よりも発生する電圧値を半減させながら、バイアス電圧値としては同様の電圧を与えることができるので、光通信システム運用コストの低減に寄与できる利点がある。
[d]その他
上述の各実施形態においては、干渉型光導波路として、マッハツェンダ型の光導波路を適用した場合について詳述したが、本発明によれば、これ以外の公知の干渉型光導波路に適用することも、もちろん可能である。
【0041】
上述の各実施形態においては、マッハツェンダ型の光変調器をなす2本の直線導波路2b,2c上の各信号電極3a,3bにおいて印加される信号成分をバイアスするためのバイアス電極4として適用した場合について詳述したが、本発明によればこれに限定されず、3本以上の並列な光導波路の各信号電極において印加される信号成分をバイアスするバイアス電極としても、同様に適用することができる。
【0042】
この場合においても、バイアス電極は、前述の各実施形態の場合と同様の第1および第2電位供給用電極部をそなえるとともに、3本以上の並列な光導波路をなす各光導波路上における信号電極の後段に、当該3本以上の光導波路の並列順に応じて第1および第2電位供給用電極部からの電位が交互に供給されるように形成された櫛肢状の導波路上電極部と、一方の電位供給用電極部からの電位を供給する導波路上電極部を挟むように、他方の電位供給用電極部からの電位を供給する少なくとも櫛肢状の電位差形成用電極部と、をそなえて構成する。
【0043】
これにより、バイアス電極においては、3本以上の並列な光導波路のうちで隣接する光導波路に供給される互いの電位を相補させることにより、隣接する光導波路には、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧を印加することができるのである。
さらには、少なくとも、Z軸カットされた電気光学効果を有する基板と、上述の干渉型光導波路と、干渉型光導波路をなす各光導波路を伝播する光に対し上記電気光学効果のための電圧を印加するための集中定数型電極をそなえてなる光導波路デバイスに対しても、集中定数型光電極として上述の各実施形態におけるバイアス電極と同様に構成することにより、本発明を適用することが可能である。
【0044】
また、上述したような態様による実施以外にも、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが可能である。
さらに、上述した各実施形態によって、本発明の光導波路デバイスを製造することは可能である。
(付記1) Z軸カットされた電気光学効果を有する基板と、
該基板上に形成されて、並列な複数の光導波路上を伝播する光について干渉させる干渉型光導波路と、
該干渉型光導波路をなす各光導波路を伝播する光に対し上記電気光学効果のための電圧を印加するための集中定数型電極とをそなえ、
該集中定数型電極が、該並列な複数の光導波路のうちで隣接する光導波路に供給される互いの電位を相補させることにより、上記隣接する光導波路には、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧が印加されるように構成されたことを特徴とする、光導波路デバイス。
【0045】
(付記2) Z軸カットされた電気光学効果を有する基板と、
該基板上に形成されて、並列な複数の光導波路上を伝播する光について干渉させる干渉型光導波路と、
該干渉型光導波路をなす各光導波路上に形成された信号電極と、
該各信号電極において印加する信号成分をバイアスするためのバイアス電極とをそなえ、
該バイアス電極が、該並列な複数の光導波路のうちで隣接する光導波路に供給される互いの電位を相補させることにより、上記隣接する光導波路には、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧が印加されるように構成されたことを特徴とする、光導波路デバイス。
【0046】
(付記3) 該バイアス電極が、第1の電位が与えられる第1電位供給用電極部と、
該第1の電位と異なる第2の電位が与えられる第2電位供給用電極部と、
上記の各光導波路上における信号電極の後段に、上記複数の光導波路の並列順に応じて上記の第1および第2電位供給用電極部からの電位が交互に供給されるように形成された導波路上電極部と、
一方の電位供給用電極部からの電位を供給する導波路上電極部を挟むように、他方の電位供給用電極部からの電位を供給する電位差形成用電極部と、
をそなえて構成されたことを特徴とする、付記2記載の光導波路デバイス。
【0047】
(付記4) 該第1および第2電位供給用電極部にて与えられる第1および第2の電位のいずれか一方が、接地電位であることを特徴とする、付記3記載の光導波路デバイス。
(付記5) 該第1および第2電位供給用電極部にて与えられる第1および第2の電位が、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電位であることを特徴とする、付記3記載の光導波路デバイス。
【0048】
(付記6) Z軸カットされた電気光学効果を有する基板と、
該基板上に形成されて、並列な2つの導波路上を伝播する光について干渉させる干渉型光導波路と、
上記の干渉型光導波路をなす並列な2つの導波路のうちの一方の光導波路上に形成された第1信号電極と、
上記の干渉型光導波路をなす並列な2つの導波路のうちの他方の光導波路上に形成された第2信号電極と、
該第1信号電極において印加する信号成分をバイアスするための第1バイアス電極と、
該第2信号電極において印加する信号成分をバイアスするための第2バイアス電極とをそなえ、
上記の第1および第2バイアス電極が、互いの電位を相補させることにより、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧が印加されるように構成されたことを特徴とする、光導波路デバイス。
【0049】
(付記7) 該バイアス電極が、第1の電位が与えられる第1電位供給用電極部と、
該第1の電位と異なる第2の電位が与えられる第2電位供給用電極部と、
上記一方の光導波路上における第1信号電極の後段に、該第1電位供給用電極部からの電位が供給されるように形成された第1導波路上電極部と、
上記他方の光導波路上における第2信号電極の後段に、該第2電位供給用電極部からの電位が供給されるように形成された第2導波路上電極部と、
該第1導波路上電極部を挟むように形成され、該第2電位供給用電極部からの電位を供給する第1電位差形成用電極部と、
該第2導波路上電極部を挟むように形成され、該第1電位供給用電極部からの電位を供給する第2電位差形成用電極部と、
をそなえて構成されたことを特徴とする、付記6記載の光導波路デバイス。
【0050】
(付記8) 該干渉型光導波路が、マッハツェンダ型の光導波路であることを特徴とする、付記1,2または6記載の光導波路デバイス。
【0051】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の光導波路デバイスによれば、以下の作用効果ないし利点がある。
【0052】
1.単一の電源を用いるのみで、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧を印加することができ、準備すべき電源の数を減らすことができるとともに、光通信システム運用コストの低減に寄与できる利点がある。
2.電源の個数を減らさないで光変調器を構成する場合においても、従来よりの電源よりも発生する電圧値を半減させながら、電圧値としては同様の電圧を与えることができるので、光通信システム運用コストの低減に寄与できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態にかかる光導波路デバイスを示す模式図である。
【図2】本発明の第2実施形態にかかる光導波路デバイスを示す模式図である。
【図3】従来の光導波路デバイスを示す模式図である。
【図4】従来の光導波路デバイスを示す模式図である。
【図5】本発明の第3実施形態にかかる光導波路デバイスを示す模式図である。
【符号の説明】
1X,1Z,101X,101Z 基板
2,102,202 マッハツェンダ型の光導波路
3a,3b,103a,103b,203 信号電極
4,104,204 バイアス電極
4a 第1バイアス電極
4a−1 第1電位供給用電極部
4a−2 第1導波路上電極部
4a−31,4a−32 第2電位差形成用電極部
4b 第2バイアス電極
4b−1 第2電位供給用電極部
4b−2 第2導波路上電極部
4b−31,4b−32 第1電位差形成用電極部
5,105,205 接地電極
6a,6b,106a,106b,206 RF信号発生源
7,7a,7b,107b,207 電源
10,100,200 光導波路デバイス
11−1,11−2,110,210 光変調器
Claims (5)
- Z軸カットされた電気光学効果を有する基板と、
第1および第2の光導波路を含む干渉型光導波路と、
該第1および該第2の光導波路上にそれぞれ形成され、互いに位相が反転された信号が印加される第1および第2の信号電極と、
それぞれ第1および第2の電位が与えられた第1および第2の電位供給用電極部と、
該第1および該第2の光導波路上にそれぞれ形成され、それぞれ該第1および該第2の電位供給用電極部に接続された第1および第2の導波路上電極部と、
該第1および該第2の導波路上電極の両側の近傍にそれぞれ設けられ、それぞれ該第2および該第1の電位供給用電極部に接続された、2つの第1および第2の電位差形成用電極と、を備えたことを特徴とする、光導波路デバイス。 - Z軸カットされた電気光学効果を有する基板と、
該基板上に形成されて、複数の光導波路上を伝播する光について干渉させる干渉型光導波路と、
該干渉型光導波路をなす各光導波路上に形成された信号電極と、
該各信号電極において印加する信号成分をバイアスするためのバイアス電極とをそなえ、
該バイアス電極が、第1の電位が与えられる第1電位供給用電極部と、
該第1の電位と異なる第2の電位が与えられる第2電位供給用電極部と、
上記の各光導波路上に、上記複数の光導波路の順に応じて上記の第1および第2電位供給用電極部からの電位が交互に供給されるように形成された導波路上電極部と、
一方の電位供給用電極部からの電位を供給する導波路上電極部の両側の近傍のそれぞれに、他方の電位供給用電極部からの電位を供給する2つの電位差形成用電極部と、をそなえて構成されたことを特徴とする、光導波路デバイス。 - 請求項2記載の光導波路デバイスであって、該バイアス電極が、該並列な複数の光導波路のうちで隣接する光導波路に供給される互いの電位を相補させることにより、上記隣接する光導波路には、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧が印加されるように構成されたことを特徴とする、光導波路デバイス。
- 該第1および第2電位供給用電極部にて与えられる第1および第2の電位のいずれか一方が、接地電位であることを特徴とする、請求項1ないし請求項3いずれか1項に記載の光導波路デバイス。
- 該第1および第2電位供給用電極部にて与えられる第1および第2の電位が、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電位であることを特徴とする、請求項1ないし請求項3いずれか1項に記載の光導波路デバイス。
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