JP3805225B2

JP3805225B2 - Wiring substrate manufacturing method and wet processing system used therefor

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Publication number: JP3805225B2
Application number: JP2001305519A
Authority: JP
Inventors: 忠弘大見; 徹野仲; 幸博金近
Original assignee: Tokuyama Corp
Current assignee: Tokuyama Corp
Priority date: 2001-10-01
Filing date: 2001-10-01
Publication date: 2006-08-02
Anticipated expiration: 2021-10-01
Also published as: JP2003110221A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大型液晶ディスプレー等に用いられる配線基板を製造する方法、及び該方法において好適に使用できるウエット処理システム、更に詳しくはレジスト層を有する基板中間体からリフトオフを行なって配線基板を製造する際のリフトオフ工程で好適に使用できるウエット処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリックス駆動方式の液晶ディスプレーは、高精細画面化が可能で高速応答性に優れるという特長を有しており、広く使用されている。該ＴＦＴ駆動方式の液晶ディスプレーは、一般に上部にＴＦＴ素子や表示電極が載置されて回路が形成された配線基板上に、液晶層、透明電極層、カラーフィルター層、及びガラス基板等から成る透明保護層がこの順で積層された構造を有している。なお、上記配線基板においては、ガラス基板上にゲート線及びソース線が格子状に配置されて多数のマトリックス（画素）が形成されており、各マトリックスにおける両線の交点部にＴＦＴスイッチ素子が該素子のゲート及びソースがそれぞれゲート線及びソース線と接合するように配置され、更に該素子のドレインと表示電極（ＩＴＯ電極）がドレイン線によって接合されている（該配線基板には必要に応じてキャパシタ素子が配置されることもある）。
【０００３】
ところで、このような配線基板におけるゲート線等の導線は、一般に図１に示すように、下記▲１▼〜▲７▼の一連の工程によって形成されている。即ち、▲１▼ガラス基板１上に導線を構成する金属膜２を蒸着法等により形成する工程、▲２▼該金属膜２上にレジスト３を塗布する工程、▲３▼露光・現像を行なった後に未硬化レジストを除去する工程、▲４▼乾燥・熱処理（以下、単にベーキングともいう。）・紫外線照射レジスト硬化処理（以下、単にＵＶキュアともいう。）を行なって導線形状のレジストパターン４を形成する工程、▲５▼表面に露出している金属膜をエッチング除去する工程、▲６▼レジストパターンを剥離し、エッチングされずに残った金属膜からなる導線５を表面に露出させる工程、及び▲７▼洗浄する工程を経て形成されている。このため、導線５が形成された基板の表面は平面ではなく、金属膜がその厚さ分だけ凸状に突き出た構造となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
近年、情報技術の発展に伴い、高品位の大型液晶ディスプレーの開発が望まれており、上記ＴＦＴ駆動型の液晶ディスプレーや有機ＥＬ、無機ＥＬ型の液晶ディスプレーにおいても大型化が望まれている。しかしながら、液晶ディスプレーの大型化を行なうと上記配線基板における導線の総線長が著しく増大し、それに伴って配線抵抗や配線容量が増大するためにゲート線伝搬波形が劣化するという問題が発生する。このため、高品位の大型液晶ディスプレー開発のためには、上記配線基板の配線抵抗を低減する必要がある。
【０００５】
配線抵抗は、導線となる金属膜の断面積を大きくすることにより低減することが可能であるが、金属膜の膜厚を厚くして断面積を増大させた場合には、基板表面と厚膜配線表面との間に段差が生じ、液晶の配向不良の原因となってしまう。また、金属膜の幅を広げて断面積を増大させた場合には、配線容量が増加して配線の電圧を上げるために必要な電流が大きくなってくるので駆動回路への負担が増大したり、開口率が低下して、光透過量が下がりディスプレー全体が暗くなる。また、従来の明るさを保持しようとするとバックライトの明るさを大きくしなければならず、バックライトの消費電力が増大するという問題が生じてしまう。
【０００６】
このような問題は、導線となる金属膜を基板内部埋め込むことにより解決できると考えられる。即ち、金属膜の上面が基板上面とほぼ同一面を形成して露出するようにして基板内部に埋め込めば、金属膜の膜厚を厚くしても配線基板の表面には大きな段差が生じないので、上記のような問題を起こすことなく配線抵抗を低減することが可能となる。しかしながら、この様な埋め込み型の配線基板は未だ実用化されておらず、この様な配線基板を効率よく製造する技術も確立されていない。そこで、本発明は、このような埋め込み型の配線基板を、効率よく製造する方法を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記のような埋め込み型の配線基板は、基板に溝を形成しその内部のみに金属を充填することにより製造方法できると考えられる。例えば、図２に示すように、(1)ガラス基板１にレジスト３ａを塗布した後に(2)露光・現像してから未硬化のレジストを除去して、溝が形成される部分の基板上面が表面に露出するようなレジストパターン４ａを形成し、次いで(3)基板のエッチングを行なって溝６を形成した後に(4)レジスト剥離を行ない、(5)洗浄を行なった後に(6)レジスト剥離された基板の上面全面に蒸着法等により溝がちょうど埋まるようにして金属膜２を形成し、その後(7)該金属膜２上にレジスト３ｂを塗布し(8)露光・現像・未硬化レジスト除去してから(9)ベーキング・ＵＶキュアして溝の上部にのみレジストが残存するようなレジストパターン４ｂを形成し、引続き(10)表面に露出した金属膜をエッチングしてから(11)レジスト剥離を行なって導線５を表面に露出させ、最後に(12)洗浄することにより製造することが可能である。しかしながら、上記方法は、工程数が多く製造コストが高くなったり、リードタイムが長くなったりするばかりでなく、レジスト剥離剥離工程や洗浄工程が多いためこれら工程で使用する薬液量が多く成ってしまうという問題がある。
【０００８】
そこで、本発明者等は、より少ない工程で上記のような埋め込み型配線基板を製造する方法について検討を行なったところ、図３に示すような方法によればより効率的に埋め込み型基板を製造できることに想到した。即ち、前記図２の工程(3)のエッチング工程に引続き、レジスト剥離を行なうことなく(4')洗浄を行ない｛この時、図３(3)に示される溝の上部に軒状にはみ出したレジストパターンのはみ出した部分は水溶液中で超音波を照射することにより除去するのが好ましい。｝、(5')ベーキング・ＵＶキュアを行なった後に、(6')レジストパターン４ａが残存した状態で前記工程(6)と同様にして金属膜２の形成を行ない、次いで(7')上面が金属膜で覆われたレジストパターンを除去（リフトオフ）してから(8')洗浄すれば、より少ない工程で埋め込み型基板を製造することが可能である。
【０００９】
そして、本発明者等は上記方法においては、上記(7')のリフトオフ工程において、特開平１０−１６３１５３号公報や特開平１０−１７７９７８号公報に開示されている特殊なノズルを具備するウエット処理装置を用いれば、該工程の自動化も可能で使用する薬液（ウエット処理液）をリサイクルすればその使用量も大幅に低減することも可能であると考え、該工程にこれら装置を適用することについて検討を行なった。その結果、上記ウエット処理装置で通常使用されている水系のウエット処理液には金属配線の腐食防止のために防食剤が含まれているため、ウエット処理液の回収・再利用は困難であること、水を含有しない有機溶媒をウエット処理液として使用すれば防食剤の添加は不用になるが上記装置に適用した場合には所期の処理性能が達成されないことがあるが特定の表面張力を有する有機溶媒を用いれば所期の処理性能が発揮されるという知見を得、更にこのような有機溶媒を用いたリサイクルシステムを構築することにより本発明を完成するに至った。
【００１０】
即ち、第一の本発明は、
（Ａ）２５℃における表面張力が１８〜７５（dyn/cm）で且つ水の含有量が１０００ｐｐｍ以下である有機溶剤から成るウエット処理液を貯留するためのウエット処理液貯槽と、
（Ｂ） (b1)(i)一端に上記ウエット処理液を導入するための導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後の上記ウエット処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出口を有する排出通路を形成し、該導入通路と該排出通路とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形成するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて開口する開口部を設けて成るノズル構成体と、(ii)該開口部を介して被ウエット処理物に接触したウエット処理液がウエット処理後に、該排出通路外に流れないように被ウエット処理物と接触しているウエット処理液の圧力と大気圧との差を制御するための圧力制御手段と、
を有するウエット処理液供給ノズルと
(b2) 該ウエット処理液供給ノズルと被ウエット処理物とを相対的に移動させるための手段と、
(b3) 前記ウエット処理液貯槽から該ウエット処理液供給ノズルの導入口へウエット処理液を移送するための移送手段と
を具備するウエット処理装置と、
（Ｃ）フィルター、ストレーナー、及び沈殿槽からなる群より選ばれる少なくとも１種の、前記ウエット処理液供給ノズルの排出口から排出されたウエット処理後のウエット処理液から不溶性固体不純物を除去するための不溶性固体不純物を除去手段と、
（Ｄ）前記ウエット処理液供給ノズルの排出口から排出されたウエット処理後のウエット処理液を、該不溶性固体不純物を除去手段を介して前記ウエット処理液貯槽へ移送する移送手段と、
（Ｅ）前記ウエット処理液貯槽内の溶解性不純物の含有量を所定の量以下に制御するための制御装置と
を具備することを特徴とするウエット処理システムである。
【００１１】
上記本発明のウエット処理システムは、前記した特殊なウエット処理液供給ノズルを具備するウエット処理装置を使用しているため、少量のウエット処理液で効率よくリフトオフを行なうことが可能なばかりでなく、処理後のウエット処理液を回収、精製して循環使用するため、環境に優しいシステムであると言える。本発明のウエット処理システムの中でも前記（Ｅ）の制御装置が、蒸留手段、未使用ウエット洗浄液供給手段、及び溶解性不純物濃度測定手段からなるものは、装置構成も簡単で操作も容易である。また、（Ｆ）ウエット処理液と接触する被ウエット処理物の少なくとも近傍における雰囲気中の酸素及び水蒸気濃度をそれぞれ所定値以下に調整するための雰囲気制御手段を具備するものは、有機溶媒処理液の使用に起因する火災や爆発等の事故等を防止することができ、安全に優れるという特徴を有する。
【００１２】
また、第二の本発明は、上面に溝状の凹部を有する板状体からなり該凹部にその上面上面が該板状体の上面と実質的に同一面を形成するように金属が充填されて導線が形成されている配線基板を製造するための基板中間体であって、前記板状体上面の溝状凹部が形成されていない部分の上部に金属層で覆われたレジスト層が形成されている基板中間体から前記本発明のウエット処理システムを用いて上記金属層で覆われたレジスト層を除去することを特徴とする前記配線基板の製造方法である。該方法によれば、ＴＦＴ駆動型の大型液晶ディスプレー及び有機ＥＬや無機ＥＬディスプレーに好適に使用できる配線基板を効率よく製造することができる。該方法においては、リフトオフ後の洗浄・乾燥工程として、アルコールを用いた場合には、より清浄な配線基板を得ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図４、図５及び図６を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら図に示される態様に限定されるものではない。
【００１４】
図４及び図５に代表的な本発明ウエット処理システムの構成要素の配置及びウエット処理液の流れを示す。図４に示されるウエット処理システムは、基本的に、ウエット処理液（以下単に「処理液」ともいう）を貯留するためのウエット処理液貯槽（以下、単に「タンク」ともいう。）１００；ウエット処理装置２００；タンクからウエット処理装置へ処理液を移送するための供給配管６０１；ウエット処理装置２００から使用後の処理液をタンクに移送するための戻り配管６０２；該戻り配管の途中に設置されたフィルター３０１及び３０２；蒸留装置４００、；タンクから該蒸留装置に処理液を供給するための精製供給配管６０３；蒸留装置で精製された処理液をタンクに戻すための精製戻し配管６０４；蒸留釜やライトエンド残等の不純物濃縮液を抜き出すための排出配管６０５；タンクへ未使用の処理液を供給する補給配管６０６；並びに前記供給配管６０１の途中に設置された不純物濃度モニター５００で構成されている。
【００１５】
また、ウエット処理装置２００は窒素ガス等の不活性ガスが供給できる容器７００内に設置されており、例えば不活性ガスを絶えず流通させることにより処理液蒸気が酸素と混合して爆鳴気を作らないようにすると共に系内に水分が混入するのを防止し、被処理物の金属部分が腐食するのを防止できるようになっている。安全のため、上記容器には酸素ガスセンサー８００を設置し容器内の酸素ガス濃度をモニターするのが好適である。また、図５に示すようなウエット処理システムでも図４と同等の処理を行うことが可能である。図５に示されるウエット処理システムは、基本的に、ウエット処理液（処理液）、および回収されたウエット処理後の液を貯留するウエット処理液貯槽（タンク）１００；精製後の処理液を貯留する精製液貯槽１０１；ウエット処理装置２００；精製液貯槽１０１からウエット処理装置へ処理液を移送するための供給配管６０１；ウエット処理装置２００で使用後の処理液をウエット処理装置からタンクに移送するための戻り配管６０２；該戻り配管の途中に設置されたフィルター３０１及び３０２；蒸留装置４００、；タンクから該蒸留装置に処理液を供給するための精製供給配管６０３；蒸留装置で精製された処理液を精製液貯槽１０１に移すための精製液戻し配管６０４；蒸留釜やライトエンド残等の不純物濃縮液を抜き出すための排出配管６０５；精製液貯槽へ未使用の処理液を供給する補給配管６０６；並びに前記供給配管６０１の途中に設置された不純物濃度モニター５００で構成されている。
【００１６】
また、ウエット処理装置２００は窒素ガス等の不活性ガスが供給できる容器７００内に設置されており、例えば不活性ガスを絶えず流通させることにより処理液蒸気が酸素と混合して爆鳴気を作らないようにすると共に系内に水分が混入するのを防止し、被処理物の金属部分が腐食するのを防止できるようになっている。安全のため、上記容器には酸素ガスセンサー８００を設置し容器内の酸素ガス濃度をモニターするのが好適である。
【００１７】
なお、上記ウエット処理装置２００は、図６に示すように、(ｂ1）(i)一端に処理液を導入するための導入口２０１を有する導入通路２０２と一端にウエット処理後の上記処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出口２０３を有する排出通路２０４を形成し、該導入通路と該排出通路とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部２０５を形成するとともに該交差部に、被ウエット処理物９００に向けて開口する開口部２０６を設けて成るノズル構成体２０７と、(ii)該開口部２０６を介して被ウエット処理物９００に接触した処理液がウエット処理後に、該排出通路２０２外に流れないように、被ウエット処理物９００と接触しているウエット処理液の圧力と大気圧との差を制御するための圧力制御手段であるポンプ２０８と、を有するウエット処理液供給ノズル２０９と、(b2)該ウエット処理液供給ノズル２０９と被ウエット処理物９００とを相対的に移動させるための手段である搬送ローラー２１０と、（b3）前記タンクから該ウエット処理液供給ノズルの導入口へタンク内の処理液を移送する移送手段である供給配管６０１（図４及び５には示すが、図６には図示しない。）と、を具備している。
【００１８】
なお、前記ノズル構成体にはリフトオフ効率を高めるために超音波発信素子２１１や多穴体等からなる整流手段２１２、更に超音波の反射を吸収するためのアブソーバー２１３が具設されていてもよい。本発明で使用するウエット処理装置は上記に様な構造を有するものであれば特に限定されず、特開平１０−１６３１５３号公報や特開平１０−１７７９７８号公報に開示されているような公知の装置が制限なく使用できる。このようなウエット処理装置は、現在市販されており、例えば枚葉洗浄用ハイメガソニック洗浄機ＳＷＵＳシャワー（株式会社カイジョー製）等が好適に使用できる。
【００１９】
図４に示すシステムでは、タンク１００から供給配管６０１を通して供給された処理液を用いてウエット処理装置で被処理物、例えば前記したような基板中間体の処理（リフトオフ）を行ない、使用済みの処理液は戻り配管６０２を通ってタンク１００に回収される。この時、処理によって使用済み処理液には金属膜片等の不溶性不純物およびレジスト等の溶解性不純物が含まれるようになるが、該不溶性不純物の大部分は戻り配管６０２に設置されたフィルター３０１及び３０２で取り除かれる。図４には２つのフィルターを直列に配置した（この場合、上流側に目の粗いフィルターを下流側に目の細かいフィルターを配置するのが一般的である）態様を示したが、フィルター数は１以上であれば特に限定されず、又配置方式も直列、並列、又はその組み合わせの何れであってもよく、また、フィルターに替えてストレーナー又は沈殿槽を使用することも可能である。不溶性不純物の大部分はこのフィルターで除去することが可能であるが、微細な不溶性不純物及び溶解性不純物（なお、本発明ではフィルターで除去できない微細な不溶性不純物は溶解性不純物として取り扱う。）は使用済み処理液と共にタンク１００に運ばれる。このためタンク１００内の処理液にはこれら不純物が含まれることになる。その量が少ないうちは処理性能に悪影響は及ぼさないが、処理液の循環使用を繰り返すうちにその含有量は増大し、そのまま繰り返し使用を続けた場合には、処理性能の低下を招く。図４に示すシステムでは、蒸留装置４００、未使用の処理液を供給する補給配管６０６、及び不純物濃度モニター５００を用いて処理液中の溶解性不純物の含有量を所定の量以下に制御し、処理性能の低下を防止している。即ち、タンク内の処理液中の不溶性不純物濃度が予め定めた特定値を越えないように、精製供給配管６０３を通してタンク内の処理液を連続的又は断続的に一部又は全部抜き出して蒸留精製を行なって精製済みの処理液を精製戻し配管６０４を通してタンク１００に戻すと共に排出配管６０５を通して不純物が蒸留によって濃縮された廃液を系外に排出し、処理液が不足した場合には補給配管６０６を通して未使用の処理液をタンク１００に供給することにより処理液中の溶解性不純物の含有量を所定の量以下に制御している。なお、不純物濃度モニターとしては、処理液の電気伝導度あるいは比抵抗から不純物濃度を求めるようなタイプものが好適に使用できる。
【００２０】
本発明のウエット処理システムにおいては、ウエット処理液として２５℃における表面張力が１８〜７５（dyn/cm）で且つ水の含有量が１０００ｐｐｍ以下である有機溶剤から成るウエット処理液を使用することが重要である。有機溶剤系のウエット処理液を使用した場合においても有機溶剤が１０００ｐｐｍを越える水分を含有する場合には、防食剤を添加しないと被処理物における金属部分が腐食するおそれがある。また、表面張力が７５dyn/cmを越える有機溶剤は入手が非常に困難であり、更に表面張力が１８dyn/cm未満の有機溶剤を用いた場合には、ウエット処理液の圧力と大気圧のバランスが保つのが困難となり、ウエット処理装置からウエット処理液がこぼれてしまい前記したようなウエット処理装置を用いてリフトオフを行なうことが実質的に不可能となる。即ち、本発明のウエット処理システムで用いるウエット処理装置のノズルでは、一方の端部からウエット処理液を連続して供給し、他端から処理後のウエット処理液を連続して吸い上げるが、この時に漏れを起こさないようにするためには、供給と排出の流れを２つの平面（ノズルと基板）の端部近傍（液空気と接する部分）で制御してウエット処理液の圧力と大気圧との差を適度にバランスさせる必要がある。この場合、用いるウエット処理液の粘性や表面張力が変わっても、ノズルと基板との距離（ギャップ）を調整することに両者の圧力バランスをとることは可能であるが、ウエット処理液の表面張力が１８dyn/cm未満の場合には、このようなギャップの調整により圧力バランスをとることが非常に困難となる。本発明者等が枚葉洗浄用ハイメガソニック洗浄機ＳＷＵＳシャワー（株式会社カイジョー製）を用いて検討を行なったところ、ペルフルオロヘキサン（表面張力：13.8dyn/cm）、トリフルオロ酢酸（表面張力：15.6dyn/cm）、ヘキサメチルジシロキサン（表面張力：17.0dyn/cm）、及びモノエチルエーテル(17.1dyn/cm)を用いた場合には、ギャップを調整しても実用的な使用条件では液漏れを防止することができなかった。
【００２１】
表面張力が１８〜７５（dyn/cm）の有機溶剤としては、例えば、エタノール(24.1dyn/cm：以下単位同じ)、プロパノール(22.9)、ブタノール(27.2)等のアルコール類、アセトン(26.3)、メチルエチルケトン(26.8)、シクロヘキサノン(37.7)、メチルイソアミルケトン(34.5)、２−ヘプタノン(28.8)、メチルイソブチルケトン(25.4)等のケトン類、エチレングリコール(50.2)、ジエチレングリコール(47.0)、プロピレングリコール(36.5)等のグリコール類；ｎ−ブチルエーテル(21.99)、ジオキサン(36.2)のような環式エーテル；乳酸エチル(30.7)、酢酸メチル(28.0)、酢酸エチル(26.3)、酢酸ブチル(27.6)等のエステル類；エチレングリコールモノメチルエーテルアセタート(31.8)、エチレングリコールモノエチルエーテルアセタート(33.8)プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(26.4)、Ｎ−メチル−２−ピロリドン(41.0)、３−メトキシプロピオン酸メチル(30.9)等が例示されるので、これらの中から処理する被処理物に使用されている基板やレジストの材質に応じて好適なものを適宜選択して使用すればよい。これら有機溶剤は一般に工業的に入手可能である。水分含有が１０００ｐｐｍ以下の溶剤が入手可能な場合には、そのまま使用して何ら差支えないが、水分含有量が不明の場合には、カールフィッシャー法等により水分量を測定し、その量が１０００ｐｐｍを越える場合には脱水処理を行なってから使用すればよい。
【００２２】
なお、本発明で使用するウエット処理液は、上記した条件を満足するものであれば特に限定されなず、安定剤や防食剤等の添加剤が添加されたものも使用可能であるが、蒸留における精製効率が高いという観点から、防食剤を含有しないことが好適である。更に、本発明においては、前記したウエット処理装置の性能を十分発揮でき、精製・回収効率が高いことから、ウエット処理液としては２５℃における表面張力が２０〜５５（dyn/cm）で且つ水の含有量が１０００ｐｐｍ以下であり、更に防食剤を含有しない有機溶剤を使用するのが特に好適である。
【００２３】
本発明のウエット処理システムは、前記図３の工程(7’)のリフトオフ処理に相当する処理、即ち、上面に溝状の凹部を有する板状体からなり該凹部にその上面上面が該板状体の上面と実質的に同一面を形成するように金属が充填されて導線が形成されている配線基板｛図３（８’）に示される基板｝を製造するための基板中間体であって、前記板状体上面の溝状凹部が形成されていない部分の上部に金属層で覆われたレジスト層が形成されている基板中間体から上記金属層で覆われたレジスト層を除去して上記配線基板を製造する方法におけるリフトオフ工程（即ち、上記金属層で覆われたレジスト層を除去する工程）に好適に使用できる。
【００２４】
ここで、代表的な上記基板中間体としては、前記図３の工程(７’)に示されるような基板中間体（以下、３図基板中間体ともいう。）を示すことができるが、当該３図基板中間体に限らず上記のような条件を満足するものであれば特に制限なく使用できる。なお、３図基板中間体は、図２及び図３の説明として前記したような方法で作製される。このとき、使用する基板、レジスト、金属膜、エッチング剤等の各種材料としては公知の材料が制限なく使用でき、また露光・現像方法、ベーキング・ＵＶキュア方法、金属膜の製膜方法も使用する材料に応じて公知の方法が制限なく使用できる。例えば、ＴＦＴ駆動型の大型液晶ディスプレー用配線基板の基板中間体においては、基板材料としては、ソーダ・ライム・ガラス、ホウケイ酸ガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス、シリカガラス、多成分ガラス等が、レジスト材料としてはポジ型感光性樹脂、ネガ型感光性樹脂が、金属膜材料としては、アルミニウム、クロム、銅、ニッケル、チタン、金、銀等が一般的に使用されており、本発明においてもこのような材料が使用できる。
【００２５】
また、上記方法においては、リフトオフ工程終了後、アルコールを用いた洗浄・乾燥工程を行なうこともできる。この時、アルコールとしては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等が好適に使用できる。また、この洗浄・乾燥工程は、現在市販されている、例えば枚葉洗浄用ハイメガソニック洗浄機ＳＷＵＳシャワー（株式会社カイジョー製）やHC-4シリーズ（芝浦メカトロニクス株式会社製）等を用いて好適に行なうことができるが、該装置においても本発明のウエット処理システムと同様にして洗浄液であるアルコールをリサイクルするのが好適である。
【００２６】
【発明の効果】
本発明のウエット処理システムによれば、従来一般的に用いられているウエット処理装置に比べて処理液の使用量を大幅に低減できることが知られている特殊なノズルを有する前記ウエット処理装置を用いて、処理液として非水系の有機溶剤を用いてリフトオフ工程を行なうことが可能となる。さらに、本発明で使用する処理液は水の含有量が厳しく管理されているので、防食剤を添加しなくても被処理物の金属部分を腐食させることがない。また、本発明のウエット処理システムでは、使用後の処理液を精製しながらリサイクルするので、更に処理液の使用量を低減することができる。このように本発明のウエット処理システムは、有機廃液の排出量の極めて少ない省資源・環境対応型のウエット処理システムであると言える。
【００２７】
また、本発明のウエット処理装置は、ＴＦＴ駆動型の大型液晶ディスプレーに好適に使用できる埋め込み型の配線基板を効率よく製造できる図３に示すような製造法のリフトオフ工程に好適に使用できる。図３に示す製造方法自体が図２に示すようなリフトオフ工程を含まない製造方法と比べて、工程が省略されており、製造時間や製造コストの点で有利な製造方法であると言えるが、本発明のウエット処理装置を用いる本発明の製造方法は、上記したような本発明のウエット処理システムのメリットと相俟って、更に効率化されており、工業的に優れた製法であると言える。
【図面の簡単な説明】
【図１】本図は、従来のＴＦＴ駆動型の液晶ディスプレーに使用されている配線基板を製造する際の工程の模式図である。
【図２】本図は、ＴＦＴ駆動型の大型液晶ディスプレーに好適と考えられる埋め込み型配線基板を製造する方法であって、リフトオフ工程を含まない方法における工程の模式図である。
【図３】本図は、ＴＦＴ駆動型の大型液晶ディスプレーに好適と考えられる埋め込み型配線基板を製造する方法であって、リフトオフ工程を含む方法における工程の模式図である。
【図４】本図は、代表的な本発明ウエット処理システムにおける各構成要素の配置及びウエット処理液の流れを示す。
【図５】本図は、代表的な本発明ウエット処理システムにおける各構成要素の配置及びウエット処理液の流れを示す。
【図６】本図は、本発明のウエット処理システムで使用する代表的なウエット処理装置の断面図である。
【符号の説明】
１：ガラス基板
２：金属膜
３、３ａ、３ｂ：レジスト
４、４ａ、４ｂ：レジストパターン
５：導線
６：溝
１００：ウエット処理液貯槽（タンク）
１０１：精製液貯槽
２００：ウエット処理装置２００
２０１：導入口
２０２：導入通路
２０３：排出口
２０４：排出通路
２０５：交差部
９００：被ウエット処理物
２０６：開口部
２０７：ノズル構成体
２０８：ポンプ
２０９：ウエット処理液供給ノズル
２１０：搬送ローラー
２１１：超音波発信素子
２１２：整流手段２１２
２１３：アブソーバー２１３
３０１、３０２：フィルター
４００：蒸留装置４００
５００：不純物濃度モニター５００
６０１：供給配管６０１
６０２：戻り配管６０２
６０３：精製供給配管６０３
６０４：精製戻し配管６０４
６０５：排出配管
６０６：補給配管６０７
７００：容器
８００：酸素ガスセンサー
９００：被処理物[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board used for a large-sized liquid crystal display, etc., and a wet processing system that can be suitably used in the method, and more specifically, to manufacture a wiring board by performing lift-off from a substrate intermediate having a resist layer. The present invention relates to a wet processing system that can be suitably used in a lift-off process.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art An active matrix liquid crystal display using a thin film transistor (TFT) is widely used because it has a feature that a high-definition screen can be obtained and high-speed response is excellent. The TFT-driven liquid crystal display is generally a transparent substrate composed of a liquid crystal layer, a transparent electrode layer, a color filter layer, a glass substrate, etc. on a wiring substrate on which a TFT element and a display electrode are placed and a circuit is formed. The protective layer has a structure in which these layers are laminated in this order. In the wiring board, gate lines and source lines are arranged in a lattice pattern on a glass substrate to form a large number of matrices (pixels), and TFT switch elements are formed at intersections of both lines in each matrix. The gate and the source of the element are arranged so as to be joined to the gate line and the source line, respectively, and the drain of the element and the display electrode (ITO electrode) are joined by the drain line (the wiring board is provided as necessary) Capacitor element may be arranged).
[0003]
By the way, as shown in FIG. 1, the conductors such as the gate lines in such a wiring board are generally formed by a series of steps (1) to (7) below. That is, (1) a step of forming a metal film 2 constituting a conducting wire on the glass substrate 1 by vapor deposition or the like, (2) a step of applying a resist 3 on the metal film 2, and (3) exposure and development. And (4) drying / heat treatment (hereinafter also simply referred to as baking) / ultraviolet irradiation resist curing treatment (hereinafter also simply referred to as UV cure) to remove the uncured resist, and then conducting wire-shaped resist pattern 4 (5) a step of removing the metal film exposed on the surface by etching; (6) a step of stripping the resist pattern and exposing the conductive wire 5 made of the metal film left unetched to the surface; And (7) formed through a cleaning step. For this reason, the surface of the board | substrate with which the conducting wire 5 was formed is not a plane, but has the structure where the metal film protruded convexly by the thickness.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In recent years, with the development of information technology, development of high-quality large-sized liquid crystal displays is desired, and the above-described TFT drive type liquid crystal display, organic EL, and inorganic EL type liquid crystal displays are also desired to be enlarged. However, when the size of the liquid crystal display is increased, the total length of the conductive wires in the wiring board is remarkably increased, and accordingly, the wiring resistance and the wiring capacity are increased, so that a problem of deterioration of the gate line propagation waveform occurs. For this reason, in order to develop a high-quality large-sized liquid crystal display, it is necessary to reduce the wiring resistance of the wiring board.
[0005]
Wiring resistance can be reduced by increasing the cross-sectional area of the metal film to be a conductor, but if the cross-sectional area is increased by increasing the thickness of the metal film, the substrate surface and the thick film A level difference is generated between the wiring surface and the liquid crystal alignment failure. In addition, when the width of the metal film is increased and the cross-sectional area is increased, the wiring capacity increases and the current required to increase the wiring voltage increases, so the load on the drive circuit increases. The aperture ratio decreases, the amount of light transmission decreases, and the entire display becomes dark. Also, if the conventional brightness is to be maintained, the brightness of the backlight must be increased, resulting in a problem that the power consumption of the backlight increases.
[0006]
It is considered that such a problem can be solved by embedding a metal film serving as a conductive wire inside the substrate. That is, if the upper surface of the metal film is embedded in the substrate so that the upper surface of the metal film is almost the same as the upper surface of the substrate, a large step does not occur on the surface of the wiring substrate even if the thickness of the metal film is increased. The wiring resistance can be reduced without causing the above problems. However, such an embedded wiring board has not yet been put into practical use, and a technique for efficiently manufacturing such a wiring board has not been established. Therefore, an object of the present invention is to provide a method for efficiently manufacturing such an embedded wiring board.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
It is considered that the embedded wiring board as described above can be manufactured by forming a groove in the substrate and filling only the inside with a metal. For example, as shown in FIG. 2, (1) after applying a resist 3a to a glass substrate 1, (2) removing the uncured resist after exposure / development, The resist pattern 4a is formed so as to be exposed on the surface, and then (3) the substrate is etched to form the groove 6, (4) the resist is removed, (5) the cleaning is performed, and (6) the resist is removed. A metal film 2 is formed on the entire upper surface of the substrate by vapor deposition or the like so that the groove is filled, and then (7) a resist 3b is applied on the metal film 2 (8) exposure / development / uncured resist After removing (9) baking and UV curing to form a resist pattern 4b in which the resist remains only on the upper part of the groove, and then (10) etching the metal film exposed on the surface and then (11) resist Strip the lead wire 5 so that it is exposed on the surface. It can be produced by the (12) wash. However, the above-mentioned method has many processes, increases the manufacturing cost, and leads to a long lead time. Also, since there are many resist stripping and removing processes and cleaning processes, the amount of chemicals used in these processes increases. There is a problem.
[0008]
Therefore, the present inventors examined a method for manufacturing the embedded wiring board as described above with fewer steps, and according to the method shown in FIG. 3, the embedded type substrate is manufactured more efficiently. I came up with what I can do. That is, following the etching process of step (3) in FIG. 2, the resist is not removed and (4 ′) cleaning is carried out {At this time, it protrudes into an eave shape above the groove shown in FIG. 3 (3). The protruding portion of the resist pattern is preferably removed by irradiating ultrasonic waves in an aqueous solution. }, (5 ') After baking and UV curing, (6') The metal film 2 is formed in the same manner as in step (6) with the resist pattern 4a remaining, and then (7 ') the upper surface If the resist pattern covered with the metal film is removed (lifted off) and then washed (8 ′), the embedded substrate can be manufactured with fewer steps.
[0009]
In the above-described method, the present inventors, in the above (7 ′) lift-off step, perform a wet process including a special nozzle disclosed in JP-A-10-163153 and JP-A-10-177978. If equipment is used, it is possible to automate the process, and if the chemical solution (wet treatment liquid) to be used is recycled, the amount of use can be greatly reduced. A study was conducted. As a result, the water-based wet processing liquid normally used in the above-mentioned wet processing apparatus contains an anticorrosive agent for preventing corrosion of metal wiring, and therefore it is difficult to collect and reuse the wet processing liquid. If an organic solvent that does not contain water is used as a wet treatment solution, the addition of an anticorrosive agent is unnecessary, but when it is applied to the above apparatus, the desired treatment performance may not be achieved, but it has a specific surface tension. The inventor has obtained the knowledge that the desired processing performance can be exhibited by using an organic solvent, and has further completed the present invention by constructing a recycling system using such an organic solvent.
[0010]
That is, the first invention is
(A) a wet treatment liquid storage tank for storing a wet treatment liquid comprising an organic solvent having a surface tension at 25 ° C. of 18 to 75 (dyn / cm) and a water content of 1000 ppm or less;
(B) (b1) (i) An introduction passage having an introduction port for introducing the wet treatment liquid at one end, and a discharge port for discharging the wet treatment liquid after the wet treatment to the outside of the wet treatment system at one end A discharge passage having a cross section is formed by crossing the introduction passage and the discharge passage at each other end, and an opening is formed at the intersection to open toward the workpiece. A nozzle structure comprising: (ii) a wet process in which the wet process liquid that has contacted the wet process object through the opening does not flow out of the discharge passage after the wet process. Pressure control means for controlling the difference between the pressure of the liquid and atmospheric pressure;
A wet processing liquid supply nozzle having
(b2) means for relatively moving the wet processing liquid supply nozzle and the material to be wet processed;
(b3) transfer means for transferring the wet treatment liquid from the wet treatment liquid storage tank to the inlet of the wet treatment liquid supply nozzle;
A wet processing apparatus comprising:
(C) At least one selected from the group consisting of a filter, a strainer, and a sedimentation tank, for removing insoluble solid impurities from the wet treatment liquid after the wet treatment discharged from the discharge port of the wet treatment liquid supply nozzle. Means for removing insoluble solid impurities;
(D) transfer means for transferring the wet treatment liquid after the wet treatment discharged from the discharge port of the wet treatment liquid supply nozzle to the wet treatment liquid storage tank via the insoluble solid impurities removal means;
(E) a control device for controlling the content of soluble impurities in the wet treatment liquid storage tank to a predetermined amount or less;
A wet processing system.
[0011]
Since the wet processing system of the present invention uses the wet processing apparatus including the special wet processing liquid supply nozzle described above, not only can the lift-off be performed efficiently with a small amount of wet processing liquid, It can be said that it is an environment-friendly system because the wet treatment liquid after treatment is collected, purified and recycled. Among the wet processing systems of the present invention, when the control device (E) comprises a distillation means, an unused wet cleaning liquid supply means, and a soluble impurity concentration measurement means, the apparatus configuration is simple and the operation is easy. In addition, (F) those equipped with an atmosphere control means for adjusting the oxygen and water vapor concentrations in the atmosphere at least in the vicinity of the object to be wet contacted with the wet treatment liquid to a predetermined value or less, respectively, Accidents such as fires and explosions due to use can be prevented, and the safety is excellent.
[0012]
The second aspect of the present invention comprises a plate-like body having a groove-like recess on the upper surface, and the recess is filled with metal so that the upper surface of the upper surface is substantially flush with the upper surface of the plate-like body. A substrate intermediate for manufacturing a wiring substrate on which conductive wires are formed, and a resist layer covered with a metal layer is formed on the upper portion of the upper surface of the plate-like body where no groove-like recess is formed. The method for producing a wiring board according to claim 1, wherein the resist layer covered with the metal layer is removed from the substrate intermediate using the wet processing system of the present invention. According to this method, it is possible to efficiently produce a wiring board that can be suitably used for a TFT-driven large-sized liquid crystal display and an organic EL or inorganic EL display. In this method, when alcohol is used as a cleaning / drying process after lift-off, a cleaner wiring board can be obtained.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to FIGS. 4, 5, and 6, but the present invention is not limited to the modes shown in these drawings.
[0014]
4 and 5 show the arrangement of components of a typical wet processing system of the present invention and the flow of the wet processing liquid. The wet processing system shown in FIG. 4 basically has a wet processing liquid storage tank (hereinafter also simply referred to as “tank”) 100 for storing a wet processing liquid (hereinafter also simply referred to as “processing liquid”); Processing apparatus 200; supply pipe 601 for transferring the processing liquid from the tank to the wet processing apparatus; return pipe 602 for transferring the used processing liquid from the wet processing apparatus 200 to the tank; installed in the middle of the return pipe Filters 301 and 302; distillation apparatus 400; purification supply pipe 603 for supplying the treatment liquid from the tank to the distillation apparatus; purification return pipe 604 for returning the treatment liquid purified by the distillation apparatus to the tank; Discharge pipe 605 for extracting impurity concentrate such as light end residue and the like; replenishment pipe 606 for supplying unused processing liquid to the tank; and It is composed of an impurity concentration monitor 500 installed in the middle of the serial supply pipe 601.
[0015]
The wet processing apparatus 200 is installed in a container 700 capable of supplying an inert gas such as nitrogen gas. For example, the inert gas is continuously circulated to mix the processing liquid vapor with oxygen to create a squealing gas. In addition, it is possible to prevent moisture from entering the system and prevent the metal portion of the object to be corroded from being corroded. For safety, it is preferable to install an oxygen gas sensor 800 in the container and monitor the oxygen gas concentration in the container. Further, even a wet processing system as shown in FIG. 5 can perform the same processing as in FIG. The wet processing system shown in FIG. 5 basically stores a wet processing liquid (processing liquid) and a wet processing liquid storage tank (tank) 100 for storing the recovered wet processing liquid; and stores the purified processing liquid. Purified liquid storage tank 101; wet processing apparatus 200; supply pipe 601 for transferring the processing liquid from the purified liquid storage tank 101 to the wet processing apparatus; processing liquid after use in the wet processing apparatus 200 is transferred from the wet processing apparatus to the tank Return pipe 602; filters 301 and 302 installed in the middle of the return pipe; distillation apparatus 400; purification supply pipe 603 for supplying a treatment liquid from a tank to the distillation apparatus; treatment purified by the distillation apparatus Purified liquid return pipe 604 for transferring the liquid to the purified liquid storage tank 101; drain for extracting impurity concentrated liquid such as distillation kettle and light end residue It is composed of an impurity concentration monitor 500 installed in the middle of and the supply pipe 601; piping 605; purified solution replenishing pipe for supplying fresh processing solution to the tank 606.
[0016]
The wet processing apparatus 200 is installed in a container 700 capable of supplying an inert gas such as nitrogen gas. For example, the inert gas is continuously circulated to mix the processing liquid vapor with oxygen to create a squealing gas. In addition, it is possible to prevent moisture from entering the system and prevent the metal portion of the object to be corroded from being corroded. For safety, it is preferable to install an oxygen gas sensor 800 in the container and monitor the oxygen gas concentration in the container.
[0017]
As shown in FIG. 6, the wet processing apparatus 200 includes (b1) (i) an introduction passage 202 having an introduction port 201 for introducing the treatment liquid at one end and the treatment liquid after the wet treatment at one end. A discharge passage 204 having a discharge port 203 for discharging to the outside of the wet processing system is formed, and the introduction passage and the discharge passage intersect each other at each other end to form an intersection 205 and at the intersection A nozzle structure 207 provided with an opening 206 that opens toward the workpiece to be wet 900, and (ii) the treatment liquid that has come into contact with the workpiece 900 through the opening 206 after the wet treatment, A pump 208 that is a pressure control means for controlling the difference between the pressure of the wet treatment liquid in contact with the workpiece to be treated 900 and the atmospheric pressure so as not to flow out of the discharge passage 202. A wet processing liquid supply nozzle 209, (b2) a transport roller 210 as a means for relatively moving the wet processing liquid supply nozzle 209 and the wet processing object 900, and (b3) the wet from the tank. A supply pipe 601 (shown in FIGS. 4 and 5 but not shown in FIG. 6), which is a transfer means for transferring the processing liquid in the tank to the inlet of the processing liquid supply nozzle, is provided.
[0018]
The nozzle structure may be provided with a rectifying means 212 made up of an ultrasonic transmission element 211, a multi-hole body or the like in order to increase lift-off efficiency, and an absorber 213 for absorbing the reflection of ultrasonic waves. . The wet processing apparatus used in the present invention is not particularly limited as long as it has the above-described structure, and is a known apparatus as disclosed in JP-A-10-163153 and JP-A-10-177978. Can be used without limitation. Such a wet processing apparatus is currently commercially available, and for example, a single-wafer high-megasonic cleaning machine SWUS shower (manufactured by Kaijo Corporation) can be suitably used.
[0019]
In the system shown in FIG. 4, the processing liquid supplied from the tank 100 through the supply pipe 601 is used to perform processing (lift-off) of an object to be processed, for example, a substrate intermediate as described above by using a wet processing apparatus. The liquid is collected in the tank 100 through the return pipe 602. At this time, the used processing liquid contains insoluble impurities such as metal film pieces and soluble impurities such as resist, etc., due to the processing. Most of the insoluble impurities are filter 301 installed in the return pipe 602 and Removed at 302. FIG. 4 shows a mode in which two filters are arranged in series (in this case, a coarse filter is generally arranged on the upstream side and a fine filter is arranged on the downstream side). It is not particularly limited as long as it is 1 or more, and the arrangement method may be any of series, parallel, or a combination thereof, and a strainer or a sedimentation tank may be used instead of the filter. Although most of the insoluble impurities can be removed by this filter, fine insoluble impurities and soluble impurities (in the present invention, fine insoluble impurities that cannot be removed by the filter are treated as soluble impurities). It is carried to the tank 100 together with the spent processing liquid. For this reason, the processing liquid in the tank 100 contains these impurities. When the amount is small, the processing performance is not adversely affected. However, the content of the processing liquid increases as the processing solution is repeatedly used, and when the processing solution is repeatedly used as it is, the processing performance is deteriorated. In the system shown in FIG. 4, the content of soluble impurities in the treatment liquid is controlled to a predetermined amount or less using the distillation apparatus 400, the supply pipe 606 for supplying an unused treatment liquid, and the impurity concentration monitor 500. Prevents degradation of processing performance. That is, a part or all of the processing liquid in the tank is extracted continuously or intermittently through the purification supply pipe 603 so that the insoluble impurity concentration in the processing liquid in the tank does not exceed a predetermined specific value. Then, the purified processing liquid is returned to the tank 100 through the purification return pipe 604, and the waste liquid in which impurities are concentrated by distillation is discharged out of the system through the discharge pipe 605. By supplying the used processing liquid to the tank 100, the content of the soluble impurities in the processing liquid is controlled to a predetermined amount or less. As the impurity concentration monitor, a monitor that can determine the impurity concentration from the electrical conductivity or specific resistance of the treatment liquid can be suitably used.
[0020]
In the wet treatment system of the present invention, a wet treatment solution comprising an organic solvent having a surface tension at 25 ° C. of 18 to 75 (dyn / cm) and a water content of 1000 ppm or less is used as the wet treatment solution. is important. Even when an organic solvent-based wet processing solution is used, if the organic solvent contains water exceeding 1000 ppm, the metal portion in the workpiece may be corroded unless an anticorrosive is added. In addition, it is very difficult to obtain an organic solvent having a surface tension exceeding 75 dyn / cm, and when an organic solvent having a surface tension of less than 18 dyn / cm is used, the balance between the pressure of the wet treatment liquid and the atmospheric pressure is balanced. It becomes difficult to maintain, and the wet processing liquid spills from the wet processing apparatus, making it virtually impossible to perform lift-off using the above-described wet processing apparatus. That is, in the nozzle of the wet processing apparatus used in the wet processing system of the present invention, the wet processing liquid is continuously supplied from one end and the processed wet processing liquid is continuously sucked up from the other end. In order to prevent leakage, the flow of supply and discharge is controlled near the ends of the two planes (nozzle and substrate) (the part in contact with the liquid air) to control the pressure of the wet processing liquid and the atmospheric pressure. The difference needs to be balanced appropriately. In this case, even if the viscosity or surface tension of the wet processing liquid used changes, it is possible to balance the pressure between the two by adjusting the distance (gap) between the nozzle and the substrate. Is less than 18 dyn / cm, it is very difficult to balance the pressure by adjusting the gap. When the present inventors studied using a high-megasonic cleaning machine SWUS shower (manufactured by Kaijo Corporation) for single wafer cleaning, perfluorohexane (surface tension: 13.8 dyn / cm), trifluoroacetic acid (surface tension: 15.6) dyn / cm), hexamethyldisiloxane (surface tension: 17.0 dyn / cm), and monoethyl ether (17.1 dyn / cm), even if the gap is adjusted, the liquid leaks under practical conditions of use. Could not be prevented.
[0021]
Examples of the organic solvent having a surface tension of 18 to 75 (dyn / cm) include, for example, ethanol (24.1 dyn / cm: the same unit), alcohols such as propanol (22.9) and butanol (27.2), acetone (26.3), Ketones such as methyl ethyl ketone (26.8), cyclohexanone (37.7), methyl isoamyl ketone (34.5), 2-heptanone (28.8), methyl isobutyl ketone (25.4), ethylene glycol (50.2), diethylene glycol (47.0), propylene glycol (36.5) ); Cyclic ethers such as n-butyl ether (21.99) and dioxane (36.2); esters such as ethyl lactate (30.7), methyl acetate (28.0), ethyl acetate (26.3), butyl acetate (27.6) Class: ethylene glycol monomethyl ether acetate (31.8), ethylene glycol monoethyl ether acetate (33.8) propylene glycol monomethyl ether acetate (26.4), N-methyl-2-pyrrolidone (41.0), methyl 3-methoxypropionate (30.9) and the like. What is necessary is just to select and use a suitable thing suitably according to a material. These organic solvents are generally industrially available. If a solvent with a water content of 1000 ppm or less is available, it can be used as it is, but if the water content is unknown, the water content is measured by the Karl Fischer method, etc., and the amount is 1000 ppm. When exceeding, it should be used after dehydration.
[0022]
The wet treatment liquid used in the present invention is not particularly limited as long as it satisfies the above-mentioned conditions, and a liquid to which additives such as stabilizers and anticorrosives are added can be used. From the viewpoint of high purification efficiency, it is preferable not to contain an anticorrosive agent. Furthermore, in the present invention, since the performance of the above-described wet processing apparatus can be sufficiently exhibited and the purification and recovery efficiency is high, the wet processing liquid has a surface tension at 25 ° C. of 20 to 55 (dyn / cm) and water. It is particularly preferable to use an organic solvent having a content of 1000 ppm or less and further containing no anticorrosive.
[0023]
The wet processing system of the present invention is a process corresponding to the lift-off process in step (7 ′) of FIG. 3, that is, a plate-like body having a groove-like recess on the upper surface, and the upper surface on the upper surface of the recess. A substrate intermediate for manufacturing a wiring board {substrate shown in FIG. 3 (8 ')} in which a conductive wire is formed by filling a metal so as to form a surface substantially the same as the upper surface of the body. Removing the resist layer covered with the metal layer from the substrate intermediate in which the resist layer covered with the metal layer is formed on the upper part of the upper surface of the plate-like body where no groove-like recess is formed. It can be suitably used in a lift-off process (that is, a process of removing the resist layer covered with the metal layer) in the method for manufacturing a wiring board.
[0024]
Here, as the representative substrate intermediate, a substrate intermediate as shown in the step (7 ′) of FIG. 3 (hereinafter, also referred to as “3 substrate intermediate”) can be shown. Not only the substrate intermediate in FIG. 3 but also any material that satisfies the above conditions can be used without particular limitation. Note that the 3 FIG. Substrate intermediate is produced by the method as described above with reference to FIG. 2 and FIG. At this time, known materials can be used without limitation as various materials such as a substrate, a resist, a metal film, and an etching agent to be used, and an exposure / development method, a baking / UV curing method, and a metal film forming method are also used. A known method can be used without limitation depending on the material. For example, in the substrate intermediate of the TFT drive type large-sized liquid crystal display wiring board, the substrate materials include soda-lime glass, borosilicate glass, low alkali glass, alkali-free glass, silica glass, multi-component glass, etc. In general, a positive photosensitive resin and a negative photosensitive resin are used as resist materials, and aluminum, chromium, copper, nickel, titanium, gold, silver, and the like are generally used as metal film materials. Such materials can also be used.
[0025]
Moreover, in the said method, the washing | cleaning and drying process using alcohol can also be performed after completion | finish of a lift-off process. At this time, methanol, ethanol, isopropyl alcohol or the like can be suitably used as the alcohol. In addition, this cleaning / drying process is suitably performed using a commercially available high-megasonic cleaning machine SWUS shower (manufactured by Kaijo Corporation), HC-4 series (manufactured by Shibaura Mechatronics Corporation), etc. In this apparatus, it is preferable to recycle alcohol as a cleaning liquid in the same manner as the wet processing system of the present invention.
[0026]
【The invention's effect】
According to the wet processing system of the present invention, the above-described wet processing apparatus having a special nozzle that is known to be able to significantly reduce the amount of processing liquid used as compared with a conventionally used wet processing apparatus is used. Thus, the lift-off process can be performed using a non-aqueous organic solvent as the treatment liquid. Furthermore, since the water content of the treatment liquid used in the present invention is strictly controlled, the metal portion of the object to be treated is not corroded without adding an anticorrosive agent. Further, in the wet processing system of the present invention, since the used processing solution is recycled while being purified, the amount of the processing solution used can be further reduced. Thus, it can be said that the wet processing system of the present invention is a resource-saving / environment-friendly wet processing system that emits very little organic waste liquid.
[0027]
Further, the wet processing apparatus of the present invention can be suitably used in a lift-off process of a manufacturing method as shown in FIG. 3 in which an embedded wiring board that can be suitably used for a TFT-driven large-sized liquid crystal display can be efficiently manufactured. Although the manufacturing method itself shown in FIG. 3 is omitted compared to a manufacturing method that does not include a lift-off process as shown in FIG. 2, it can be said that the manufacturing method is advantageous in terms of manufacturing time and manufacturing cost. The manufacturing method of the present invention using the wet processing apparatus of the present invention, combined with the merits of the wet processing system of the present invention as described above, is more efficient and can be said to be an industrially superior manufacturing method. .
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view of a process for manufacturing a wiring substrate used in a conventional TFT drive type liquid crystal display.
FIG. 2 is a schematic diagram of a process in a method of manufacturing an embedded wiring board that is considered suitable for a TFT-driven large-sized liquid crystal display, and does not include a lift-off process.
FIG. 3 is a schematic view of a process in a method including a lift-off process, which is a method of manufacturing an embedded wiring board that is considered to be suitable for a TFT-driven large-sized liquid crystal display.
FIG. 4 shows the arrangement of components and the flow of wet processing liquid in a typical wet processing system of the present invention.
FIG. 5 shows the arrangement of components and the flow of wet processing liquid in a typical wet processing system of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view of a typical wet processing apparatus used in the wet processing system of the present invention.
[Explanation of symbols]
1: Glass substrate
2: Metal film
3, 3a, 3b: resist
4, 4a, 4b: resist pattern
5: Conductor
6: Groove
100: Wet processing liquid storage tank (tank)
101: Purified liquid storage tank
200: Wet processing apparatus 200
201: introduction port
202: Introduction passage
203: Discharge port
204: Discharge passage
205: Intersection
900: Wet process object
206: opening
207: Nozzle structure
208: Pump
209: Wet processing liquid supply nozzle
210: Transport roller
211: Ultrasonic transmission element
212: Rectifying means 212
213: Absorber 213
301, 302: Filter
400: distillation apparatus 400
500: Impurity concentration monitor 500
601: Supply piping 601
602: Return pipe 602
603: Purification supply piping 603
604: Purification return pipe 604
605: Discharge piping
606: Supply pipe 607
700: Container
800: Oxygen gas sensor
900: Object to be processed

Claims

（Ａ）２５℃における表面張力が１８〜７５（dyn/cm）で且つ水の含有量が１０００ｐｐｍ以下である有機溶剤から成るウエット処理液を貯留するためのウエット処理液貯槽と、（Ｂ）一端に上記ウエット処理液を導入するための導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後の上記ウエット処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出口を有する排出通路を形成し、該導入通路と該排出通路とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形成するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて開口する開口部を設けて成るノズル構成体と、該開口部を介して被ウエット処理物に接触したウエット処理液がウエット処理後に、該排出通路外に流れないように、被ウエット処理物と接触しているウエット処理液の圧力と大気圧との差を制御するための圧力制御手段とを有するウエット処理液供給ノズルと、該ウエット処理液供給ノズルと被ウエット処理物とを相対的に移動させるための手段と、前記ウエット処理液貯槽から該ウエット処理液供給ノズルの導入口へウエット処理液を移送するための移送手段とを具備するウエット処理装置と、（Ｃ）フィルター、ストレーナー、及び沈殿槽からなる群より選ばれる少なくとも１種の、前記ウエット処理液供給ノズルの排出口から排出されたウエット処理後のウエット処理液から不溶性固体不純物を除去するための不溶性固体不純物を除去手段と、（Ｄ）前記ウエット処理液供給ノズルの排出口から排出されたウエット処理後のウエット処理液を、該不溶性固体不純物を除去手段を介して前記ウエット処理液貯槽へ移送する移送手段と、（Ｅ）前記ウエット処理液貯槽内の溶解性不純物の含有量を所定の量以下に制御するための制御装置とを具備することを特徴とするウエット処理システム。(A) a wet treatment liquid storage tank for storing a wet treatment liquid comprising an organic solvent having a surface tension at 25 ° C. of 18 to 75 (dyn / cm) and a water content of 1000 ppm or less, and (B) one end Forming an introduction passage having an introduction port for introducing the wet treatment liquid into one end and a discharge passage having a discharge port for discharging the wet treatment liquid after the wet treatment to the outside of the wet treatment system at one end, A nozzle structure in which a passage and the discharge passage are crossed at each other end to form an intersection, and an opening that opens toward the workpiece is provided at the intersection, and the opening The pressure of the wet treatment liquid in contact with the wet treatment object and the atmospheric pressure is set so that the wet treatment liquid that has contacted the wet treatment object does not flow outside the discharge passage after the wet treatment. A wet process liquid supply nozzle having pressure control means for controlling the wet process liquid, a means for relatively moving the wet process liquid supply nozzle and the object to be wet processed, and the wet process liquid storage tank. A wet processing apparatus comprising a transfer means for transferring a wet processing liquid to the inlet of the liquid supply nozzle; and (C) at least one wet processing selected from the group consisting of a filter, a strainer, and a precipitation tank. Removing means for removing insoluble solid impurities from the wet-treated liquid after the wet treatment discharged from the discharge port of the liquid supply nozzle; and (D) discharged from the discharge port of the wet-treatment liquid supply nozzle. The wet processing liquid after the wet processing is transferred to the wet processing liquid storage tank through the means for removing the insoluble solid impurities. Wet treatment system for the feed means, characterized by comprising a control device for controlling the following (E) a predetermined amount of the content of soluble impurities of the wet processing liquid storage tank.

前記（Ｅ）の制御装置が、蒸留手段、未使用ウエット洗浄液供給手段、及び溶解性不純物濃度測定手段からなることを特徴とする請求項１記載のウエット処理システム。2. The wet processing system according to claim 1, wherein the control device of (E) comprises a distillation means, an unused wet cleaning liquid supply means, and a soluble impurity concentration measurement means.

（Ｆ）ウエット処理液と接触する被ウエット処理物の少なくとも近傍における雰囲気中の酸素及び水蒸気濃度をそれぞれ所定値以下に調整するための雰囲気制御手段を具備することを特徴とする請求項１又は２に記載のウエット処理システム。(F) An atmosphere control means is provided for adjusting the oxygen and water vapor concentrations in the atmosphere at least in the vicinity of the object to be wet contacted with the wet treatment liquid, respectively, to a predetermined value or less. The wet processing system according to 1.

上面に溝状の凹部を有する板状体からなり該凹部にその上面が該板状体の上面と実質的に同一面を形成するように金属が充填されて導線が形成されている配線基板を製造するための基板中間体であって、前記板状体上面の溝状凹部が形成されていない部分の上部に金属層で覆われたレジスト層が形成されている基板中間体から請求項１乃至３の何れかのウエット処理システムを用いて上記金属層で覆われたレジスト層を除去することを特徴とする前記配線基板の製造方法。A wiring board comprising a plate-like body having a groove-like recess on the upper surface and filled with metal so that the upper surface of the recess is substantially flush with the upper surface of the plate-like body. A substrate intermediate for manufacturing, comprising: a substrate intermediate in which a resist layer covered with a metal layer is formed on a portion of the upper surface of the plate-like body where no groove-like recess is formed. 3. The method for manufacturing a wiring board according to claim 3, wherein the resist layer covered with the metal layer is removed using any one of the wet processing systems.

請求項１乃至３の何れかのウエット処理装置を用いて上記金属層で覆われたレジスト層を除去した後、アルコールを用いて基板を洗浄・乾燥することを特徴とする請求項４に記載の製造方法。5. The substrate according to claim 4, wherein after removing the resist layer covered with the metal layer using the wet processing apparatus according to claim 1, the substrate is cleaned and dried using alcohol. Production method.