JP3803130B2

JP3803130B2 - Polishing apparatus and polishing method

Info

Publication number: JP3803130B2
Application number: JP34479795A
Authority: JP
Inventors: 豊美西; 哲二戸川; 比呂海矢島; 和昭日向; 祥一児玉; 幸男井本; 利一郎青木; 雅子渡瀬; 厚重田; 志朗三島; 義介河野
Original assignee: Ebara Corp; Toshiba Corp
Current assignee: Ebara Corp; Toshiba Corp
Priority date: 1994-12-06
Filing date: 1995-12-06
Publication date: 2006-08-02
Anticipated expiration: 2015-12-06
Also published as: JPH08243916A

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はポリッシング装置及びポリッシング方法に係り、特に半導体ウエハ等の研磨対象物を平坦かつ鏡面状に研磨するポリッシング装置の清浄雰囲気を保持するための構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。特に、０．５μｍ以下の光リソグラフィの場合、焦点間深度が狭くなるためステッパの結像面の平坦度を必要とする。
そこで、半導体ウエハの表面を平坦化することが必要となるが、この平坦化法の１手段としてポリッシング装置により研磨することが行われている。
【０００３】
従来、この種のポリッシング装置は、研磨に砥粒との懸濁液である砥液を使用することからその液のミスト飛散及び付着後の乾燥による砥粒の飛散や、砥液に薬液等を使用した場合には有毒ガスを発生する場合がある。又、ポリッシング装置は比較的大きな動力を使用するための動力駆動部からの発塵が懸念されるため、該装置の設置場所はクリーンルーム外となることがあった。
【０００４】
しかし、ポリッシング処理以外のウエハ処理装置、例えばエッチング処理やスパッタリング処理等の装置はクリーンルーム内に設置されているため、ポリッシング装置をクリーンルーム外へおくことはポリッシング工程が一連の半導体製造工程から外れることとなり、製造工程の完全自動化を妨げるものである。このため近年では、ポリッシング装置全体をケーシングで覆ったうえで、他のウエハ処理装置と同じクリーンルームへ設置されるようになってきた。
【０００５】
この種のポリッシング装置は、装置内部で発生するダストを外へ出さない工夫が必要となり、そのひとつの方法として本出願人により特願平５−３４２８３０号特許出願にてクリーンルームに設置可能なポリッシング装置が提案されている。
【０００６】
また、ポリッシング処理後に砥液が付着したウエハは次のウエハ処理工程のために洗浄されなければならないが、ポリッシング装置がクリーンルーム内へ設置されるようになると、ポリッシング後のウエハをポリッシング装置内で洗浄しクリーンルーム内へ清浄な状態で搬出されることが望ましい。なぜならば、砥液が付着したウエハがクリーンルームを汚染してしまうためである。このため、ポリッシング装置内部に洗浄装置を備えたものが製造されるようになってきた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ポリッシング処理は他のウエハ処理に比べて、処理によって発生する塵埃やミストが非常に多いため、ポリッシング装置をクリーンルーム内に設置した場合、発生する塵埃やミストがクリーンルーム内を汚染するという問題点を有する。
また、ポリッシング装置内に洗浄装置を備えている場合、ポリッシング処理によって発生する塵埃やミストが洗浄装置を汚染するという問題点を有する。
また、ポリッシング装置内に洗浄装置を備えている場合、ポリッシング処理によって発生する塵埃やミストが洗浄されて清浄になったウエハを汚染してしまうという問題点を有する。
更に、ポリッシング装置を構成する大型の部品等を駆動する動力駆動部がポリッシング処理によって発生する汚染物質によって汚染されるという問題点を有する。
【０００８】
又、クリーンルームに設置可能なポリッシング装置では、ポリッシング終了後その場でただちにウエハをブラシで粗洗浄し、その後ロボットがウェットな状態でウエハを受け取り洗浄室に搬入し洗浄機に受け渡す構造が考えられる。一方で、ポリッシングの対象となる膜の種類が多くなるにつれ、ポリッシングの砥液も砥粒濃度の高いもの、酸性やアルカリ性の強いものが使用されるようになってきた。このためウエハを洗浄室内に受け取って洗浄機に受け渡す間にウエハ及びロボットから設置床に滴下した水滴が乾燥し、前記粗洗浄で残っていた砥粒が舞い上がって洗浄後のウエハを汚染したり、ウエハやロボットの付着水から有害なガスが発生するなどの問題が懸念される。
【０００９】
本発明は上述の事情に鑑みなされたもので、メンテナンスが容易で、ポリッシングによって発生する塵埃やミストの汚染を効率的に防止することができ、クリーンルーム内に設置可能なポリッシング装置及びポリッシングによって発生する塵埃やミストの汚染を効率的に防止することができるポリッシング方法を提供することを目的とする。又、洗浄後のウエハの二次汚染がなく有害な発生するガスに安全に対処した、クリーンルーム内に設置可能なポリッシング装置及び洗浄後のウエハの二次汚染がなく有害な発生するガスに安全に対処したポリッシング方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明のポリッシング装置の１態様は、研磨対象物を収納したカセットの受け渡しをするロードアンロードブロックと；該カセットから前記研磨対象物を移動させる搬送ブロックと；前記研磨対象物を研磨する研磨ブロックと；研磨後の前記研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックと；これら全体を覆うように周囲及び天井に壁板を設け、箱状に構成したポリッシング装置であって；前記研磨ブロックを配した第１室と、前記ロードアンロードブロックと前記搬送ブロックと前記洗浄ブロックを配した第２室となるよう隔壁を設け、前記第２室にはカセットの受け渡し口を、該隔壁には前記第１室前記第２室間の研磨対象物の受け渡し穴を設け、前記第２室に、装置の運転をコントロールする制御ブロックを配置したことを特徴とする。
【００１１】
また、前記隔壁の研磨対象物の受け渡し穴に、該穴を開閉するシャッターを設けてもよい。
【００１２】
また、前記隔壁に前記研磨対象物の受け渡し穴とは別に穴を設け、この穴に可動の羽板を取り付けて開口面積調整形のがらりを形成したことを特徴とする。
【００１３】
また、前記２室のうち、研磨ブロックを配置した第１室において、ターンテーブルの下面を境として平面状に隔壁を設け、この第１室を上下に２分割し、この上下２室に貫通する管を設け、各管と各室の間にバルブを設け、このバルブの一端を主管に連絡し、この主管を装置外部に開口するようにしてもよい。
【００１４】
また、ロードアンロードブロックと搬送ブロックと洗浄ブロックと制御ブロックとを配置した前記第２室において、洗浄ブロックの洗浄槽に貫通する管を設け、管と槽の間にバルブを設け、このバルブの一端に管を接続し、この管を装置外部に開口するようにしてもよい。
【００１５】
また、本発明のポリッシング装置の他の態様は、研磨対象物を研磨する研磨ブロックを配した第１室と；研磨後の前記研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックとを配置した第２室を備える箱状のポリッシング装置であって；該ポリッシング装置の天井にファンとフィルタを内蔵したフィルタブロックを配置し；該ポリッシング装置の内部に複数の穴を有するダクトヘッダを配置し；このダクトヘッダと前記フィルタブロックの間を管で連通したことを特徴とする。
また、前記洗浄ブロックは、洗浄槽を有し、該洗浄槽には該洗浄槽内を排気するダクトが取り付けられていることを特徴とする。
また、前記研磨ブロックは、該研磨ブロック内を排気するダクトが取り付けられていることを特徴とする。
【００１６】
また、前記ダクトヘッダの穴に羽板を取り付け、穴の開口面積を調整可能としてもよい。
【００１７】
また、前記フィルタブロック内のファンの空気吸い込み口に、ケミカルフィルタを設けてもよい。
【００１８】
また、前記第２室の天井を解放し、前記ダクトヘッダの下面にファンを取り付け、ファンの吹き出し口を装置の外部に開口するようにしてもよい。
【００１９】
また、ポリッシング装置が配置されたクリーンルーム、前記第２室、前記第１室の順番で内部圧力が高い方から低い方に空気の流れを形成するようにしてもよい。
【００２０】
また、前記研磨対象物を前記第２室を介して前記第１室に導入し、前記第１室で研磨された研磨対象物を第１室から第２室に移送し、前記第２室で洗浄された研磨対象物を第２室からクリーンルームに取出すようにしてもよい。
【００２１】
また、前記洗浄ブロックに、前記第２室における空気の流れに対して反対方向に、清浄度が高くなる順番に複数の洗浄装置を配置するようにしてもよい。
【００２２】
また、本発明のポリッシング装置は、外構ユニットと、該外構ユニット内部を第１室と第２室とに仕切る隔壁と、該隔壁には前記研磨対象物を通過させる第１の開口を有し、研磨布を上表面に貼付したターンテーブルと該ターンテーブル上に研磨対象物を支持し、前記研磨布に押圧するトップリングとを有する研磨ブロックと、該研磨ブロックは前記第１室に配置され、研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックを前記第２室に備え、前記洗浄ブロックは洗浄液を供給しながら研磨対象物を洗浄する洗浄ユニットと、洗浄された研磨対象物を乾燥する乾燥ユニットとからなり、研磨終了後の研磨対象物を前記研磨ブロックから洗浄ブロックに前記第１の開口を通して移送する移送装置と、前記研磨ブロックから排出する空気を排気する手段とからなるようにしてもよい。
【００２３】
また、前記第２室の下部に配置された複数の開口を有するダクトヘッダと、前記第２室の排気を該ダクトを介して排出する排気ファンとを更に備えてもよい。
【００２４】
上述した本発明のポリッシング装置の態様によれば、研磨ブロックが設置された第１室は洗浄ブロック等のその他のブロック部分が設置された第２室を介してクリーンルームに連通されている。換言すれば、第１室とクリーンルームとは直接連通していない。このため、第１室で発生する汚染物質が直接クリーンルームを汚染することがない。
【００２５】
また、研磨ブロックと洗浄ブロック等のその他のブロック部分とが隔壁によって遮断されているため、研磨ブロックで発生する汚染物質が洗浄装置等を汚染することを抑制することができる。
【００２６】
また、研磨ブロックが設置された第１室及びその他のブロック部分が設置された第２室の両室を独立して、且つ、クリーンルーム、第２室、第１室の順に圧力が低くなるよう排気するため、排気に見合った清浄な空気はクリーンルームから供給される。このため、洗浄された清浄なウエハは、ポリッシング装置内の清浄な空気の流れに対して逆行する方向に移送されるため、ポリッシング処理によって発生する塵埃やミストが清浄なウエハを汚染してしまうことがない。
【００２７】
さらに、研磨ブロックを配置した第１室をポリッシング処理部と動力駆動部とに分けそれぞれを独立に排気するようにしたため、動力駆動部がポリッシング処理によって発生する汚染物質によって汚染されることがない。
【００２８】
また、上述した本発明のポリッシング装置の態様によれば、前記洗浄室の天井にウエハの移動範囲にウエハ表面で風速０．３〜０．４ｍ／ｓの清浄な空気を吹き出すＨＥＰＡフィルタとファンを内蔵したフィルタブロックを設け、該洗浄室の床面には吹き降りた空気を回収するための開口面積調整が可能な穴を複数開けた管を設け、このフィルタブロックと管をダクトでつないで空気が循環できるようにし、また、前記ＨＥＰＡフィルタの吸引側にケミカルフィルタの取り付けを可能な構造としている。
【００２９】
従って、洗浄室のウエハ移動範囲に清浄な空気が一様に吹き降りるのでダストの飛散が抑制され、かつそのダストによる研磨対象物の汚染を防ぐことができる。また発生する有害なガスはケミカルフィルタによって除外される。
また、装置が充分に清浄な空気のダウンフローのある所へ設置される場合は、天井が解放となりフィルタブロックが不要で、降下した空気は設置室の床面へ排気される。
【００３０】
【実施例】
以下、本発明に係るポリッシング装置の実施例を図面に基づいて説明する。
【００３１】
図１は、本発明の第１実施例のポリッシング装置５０をクリーンルームに設置した様子を示す。装置５０のカセット受け渡し口１と操作パネル２のある側面３Ａが仕切壁３として清浄度の高いワーキングゾーン４に突出し、その他の側面３Ｂと天井３Ｃが清浄度の低いユーティリティーゾーン５に解放されている。このポリッシング装置５０は、ウエハを収納したカセットの受け渡しをするロードアンロードブロックと、該カセットからウエハを移動させる搬送ブロックと、ウエハを研磨する研磨ブロックと、研磨後のウエハを洗浄する洗浄ブロックと、装置の運転をコントロールする制御ブロックとを共通のベース上に配置して、これら全体を覆うように周囲及び天井に壁板を設け箱状に構成したものである。
【００３２】
図２は装置の内部を示した図である。研磨ブロック６と、それ以外のロードアンロードブロック７、搬送ブロック８、洗浄ブロック９、制御ブロック１０とが隔壁１１によって仕切られ共通ベース１２上に独立して配置されている。
【００３３】
図１に示すカセット受け渡し口１から投入されたカセット１３は、ロードアンロードブロック７のステージ１４に置かれ、センシングセンサ１５によって収納されたウエハ１６の数と収納棚１７の位置が計測（ウエハのマッピング）され、その情報が制御ブロック１０内のコンピュータ１８に記憶される。マッピングを終了すると搬送ブロック８に搭載されたロボット１９のフィンガー２０がウエハ１６を取り出してくる。
【００３４】
カセット１３から取り出されたウエハ１６は、ロボット１９のフィンガー２０に捕捉されたまま隔壁１１のウエハ受け渡し穴２１を通過して、研磨ブロック６のトップリング２２に装着され回転テーブル２３上で研磨される。回転テーブル２３の表面には研磨布が張り付けられており、砥液が流下された状態で回転テーブル２３が回転し、トップリングに装着されたウエハ１６が研磨される。
【００３５】
研磨後のウエハ１６は、ロボット１９によって洗浄ブロック９に移送され、同ブロック内の洗浄槽２４に装着される。洗浄が終了するとウエハ１６は同ブロック内の乾燥槽２５に装着され、水切り乾燥が行われた後ロボット１９によってウエハ１６は洗浄ブロック９から取り出され、カセット１３の収納棚１７に戻される。このようにして一枚のウエハの研磨が終了するが、引き続き残りのウエハが研磨され、全枚数のウエハが処理終了したところでカセット１３が交換される。
【００３６】
本発明のポリッシング装置によれば、半導体ウエハはポリッシングブロックで研磨され、研磨された半導体ウエハがポリッシングブロックから洗浄ブロックに移される。そして、半導体ウエハは洗浄液で洗浄され、乾燥される。それ故、半導体ウエハは洗浄され乾燥された状態で、ポリッシング装置から取出される。
【００３７】
図３はポリッシング装置を側面から内部を見た図である。ポリッシング装置５０は隔壁１１によって仕切られ、研磨ブロック６が配置された第１室２７と、前記のロードアンロードブロック７と、搬送ブロック８と、洗浄ブロック９と、制御ブロック１０とが配置された第２室２６とからなっている。
【００３８】
この第１室２７の回転テーブル２３の周囲には、砥液の飛散防止と回収を行う砥液受け２８が取り付けられ、これが隔壁となって第１室２７を上下２室２７ａ，２７ｂに分けている。上部室２７ａにはダクト２９が開口調整バルブ３０と共に取り付けられ、下部室２７ｂにもダクト３１が開口調整バルブ３２と共に取り付けられている。両ダクトは合流し排気口３３からクリーンルームの排気管（図示しない）に接続される。
【００３９】
ポリッシング中に発生した砥液のミストは、上部室２７ａのダクト２９を通って排気口３３から排気される。また回転テーブル２３の駆動部３４の駆動ベルトからの塵埃は、ダクト３１を通って排気口３３から排気される。隔壁１１には、ウエハ受け渡し穴２１とは別に穴３６を設け、この穴に可動の羽板３５を取り付けて開口面積調整形のがらりを形成する。
【００４０】
上部室２７ａの排気に見合う空気は、まずカセット受け渡し口１から清浄度の高いワーキングゾーン４の空気が第２室２６に流入して、次いでこの空気が隔壁１１に設けられたウエハ受け渡し穴２１及び可動羽板３５によって開口面積が調整された穴３６を通って上部室２７ａに流入する。この流入風量は前記可動羽板３５とバルブ３０によって調整される。
【００４１】
下部室２７ｂの発塵は前記砥液ミストに比べ微量であり、したがって同室の排気量は僅かでよいためバルブ３２を絞り加減とし、同室内を僅かに負圧にしてあり、空気は構成部材間の間隙からの僅かな漏れで補っている。
【００４２】
前述の第２室２６の洗浄ブロック９の洗浄槽２４と乾燥槽２５にはそれぞれダクト３７ａ，３７ｂと開口面積調整バルブ３８，３９が取り付けられ、ダクト３７ａと３７ｂは合流し排気口４０からクリーンルームの排気管（図示しない）に接続される。従って、洗浄槽２４と乾燥槽２５で発生した洗浄水のミストはダクト３７ａと３７ｂを通って排気口４０より排気される。この排気に見合う吸気は、前述の第２室２７の吸気と共通でカセット受け渡し口１からなされ、風量の調整はバルブ３８，３９によって行われる。
【００４３】
隔壁の開口部２１にはシャッター４１が取り付けられ、メンテナンス時等において第１室２７が開けられた後、該第１室２７の塵埃が開口２１より第２室２６側へ逆流しないように該シャッター４１が閉められるようになっている。
【００４４】
尚、可動羽板３５に代えて、穴３６の大きさを調整するようにしてもよく、又、穴３６を開閉するシャッタを更に設けてもよい。又、シャッタに代えて開閉扉を設けるようにしてもよい。
【００４５】
図４はポリッシング装置を上方から見た断面図である。箱状に形成したポリッシング装置の内部は研磨ブロック６、洗浄ブロック９、搬送ブロック８、及び制御ブロック１０等が設置されている。また、研磨ブロック６は仕切壁３を介してワーキングゾーン４から見て奥側に位置している。
【００４６】
図５に基づいてポリッシング装置の清浄な空気の流入流路を説明する。研磨ブロックを配した第１室２７及び洗浄ブロックを含む第２室２６の各室は独立して、且つ、内部の気圧がクリーンルーム４、第２室２６、第１室２７の順に圧力が低くなるように排気されている。排気は図中のダクト３３及びダクト４０によって各室の空気を排気する。このため、クリーンルーム（ワーキングゾーン）４の清浄な空気は、ウエハ受け渡し口から洗浄ブロック等を配した第２室２６に流入し、その一部が第２室内に設けたダクト４０側に流れる。さらに、第２室に流入した清浄な空気の一部は仕切壁１１に設けた開口２１を通過して研磨ブロックを配した第１室２７に流入し、ダクト３３側に流れる。図５に清浄な空気の流れを矢印で示す。
【００４７】
このように、内部の気圧がクリーンルーム、第２室、第１室の順に圧力が低くなるように排気するため、清浄な空気が汚染度の低い側から高い側へ流れ、逆向きの流れは生じない。このため、ポリッシング装置内で発生する汚染物質がクリーンルーム内に流出し汚染することがなく、さらに第１室の汚染度の高い空気が第２室に流出し、洗浄装置等を汚染することがない。
【００４８】
また、ポリッシング装置内の各室の排気、吸気及び気圧を隔壁のもう一つの穴の可動羽板とダクトに設けたバルブによって任意に調整が可能となる。このため、装置内の気流が少ない調整手段で任意にコントロールできる。
【００４９】
さらに、内部を単純な形状に分けているため、装置内の気流の方向が明確となり、排気設計が容易である。また、排気ダクトも単純に構成することができる。このため排気ダクトを複雑な経路に曲げたり管の長さが長くなることによる圧損、および内部の形状が複雑に分割されることによる圧損が小さくなり、高い排気効率が得られる。
【００５０】
次に、図６に基づいてポリッシング装置内のウエハの通過経路を説明する。ウエハはワーキングゾーン４からポリッシング装置内へ搬入され、洗浄ブロック等を配した第２室２６を通過し、研磨ブロックを配した第１室２７に搬送されて研磨される。ポリッシング処理は砥液を用いるため、研磨後のウエハには砥液が付着し汚染されている。研磨後のウエハを清浄な状態にしてクリーンルーム内へ搬出するため、ウエハは第１室から第２室の洗浄装置９ａに搬送される。ここで洗浄されたウエハはさらに高い清浄度に洗浄するため洗浄装置９ｂに搬送される。洗浄されたウエハは洗浄装置９ｂ内で乾燥されて、ワーキングゾーン４へ搬送される。図中の矢印はウエハの流れを示す。
【００５１】
このように、洗浄されたウエハの搬出は前述した清浄な空気の流れに逆行した方向に搬出される。このためウエハは洗浄装置によって清浄になるとともに、清浄な方向へと搬送されるため、洗浄されたウエハが汚染されることなく搬出される。
【００５２】
上述した効果を得るために本発明においては次に述べるような洗浄装置の配置が考慮されている。複数の洗浄工程を個別の洗浄装置で行う場合、洗浄後のウエハの清浄度にしたがって、複数の洗浄装置を清浄な空気の流れと逆行する方向に配置する。即ち、洗浄後のウエハの清浄度を高くする装置ほど清浄な空気の流れの上流側に配置する。例えば、図６において、洗浄装置９ｂは洗浄装置９ａよりウエハを高い清浄度に洗浄するため、清浄な空気の上流側（ワーキングゾーン４側）に設置されている。これにより、複数の洗浄装置間のウエハの搬送にも上述した効果を得ることができる。
【００５３】
図７は、本発明の第２実施例のポリッシング装置５０をクリーンルームに設置した様子を示す。装置５０のカセット受け渡し口１と操作パネル２のある側面３Ａが仕切壁３としてクリーン度の高いワーキングゾーン４に突出し、その他の側面３Ｂと天井３Ｃがクリーン度の低いユーティリティーゾーン５に解放されている。このポリッシング装置５０は、ウエハを収納したカセットの受け渡しをするロードアンロードブロックと、該カセットからウエハを移動させる搬送ブロックと、ウエハを研磨する研磨ブロックと、研磨後のウエハを洗浄する洗浄ブロックと、装置の運転をコントロールする制御ブロックとを共通のベース上に配置して、これら全体を覆うように周囲及び天井に壁板（外溝）を設け箱状に構成したものである。天井３Ｃ上にはフィルタブロック６０が搭載され、ロードアンロードブロックと搬送ブロックと洗浄ブロックと制御ブロックとを収納した洗浄空間の清浄空気を循環させるようになっている。
【００５４】
図８は装置の内部を示した図である。研磨ブロック６とそれ以外のロードアンロードブロック７、搬送ブロック８、洗浄ブロック９、制御ブロック１０とが隔壁１１によって仕切られ共通ベース１２上に独立して配置されている。
【００５５】
図７のカセット受け渡し口１から投入されたカセット１３はロードアンロードブロック７のステージ１４に置かれ、センシングセンサ１５によって収納されたウエハ１６の数と収納棚１７の位置が計測（ウエハのマッピング）され、その情報が制御ブロック１０内のコンピュータ１８に記憶される。マッピングを終了すると搬送ブロック８に搭載されたロボット１９のフィンガー２０がウエハ１６を取り出してくる。
【００５６】
カセット１３から取り出されたウエハ１６は、ロボット１９のフィンガー２０に捕捉されたまま隔壁１１のウエハ受け渡し穴２１を通過して、研磨ブロック６のトップリング２２に装着され回転テーブル２３上で研磨される。回転テーブル２３の表面には研磨布が張り付けられており、砥液が流下された状態で回転テーブル２３が回転し、トップリングに装着されたウエハ１６が研磨される。
【００５７】
研磨後のウエハ１６は、トップリング２２に取り付けた状態で付属の洗浄機（図示せず）で粗洗浄された後、ロボット１９によって洗浄ブロック９に移送され、同ブロック内の洗浄槽２４に装着される。洗浄が終了するとウエハ１６は同ブロック内の乾燥槽２５に装着され、水切りが行われた後ロボット１９によってウエハ１６は洗浄ブロック９から取り出され、カセット１３の収納棚１７に戻される。このようにして一枚のウエハの研磨が終了するが、引き続き残りのウエハが研磨され全枚数が処理終了したところでカセット１３が交換される。
【００５８】
図９はポリッシング装置を側面から内部を見た図である。ポリッシング装置５０は隔壁１１によって仕切られ、前記のロードアンロードブロック７と、搬送ブロック８と、洗浄ブロック９と、制御ブロック１０とが配置された洗浄室（第２室）２６と、研磨ブロック６が配置されたポリッシング室（第１室）２７とからなっている。
【００５９】
研磨中に発生した砥液のミストや発生ガスは、回転テーブル２３の駆動部３４の駆動ベルトの塵埃とともに排気口２９から排気される。また洗浄槽２４と乾燥槽２５で発生した洗浄水のミストは排気口３１より排気される。これらの排気は、図７に示す排気管５１を経て装置５０外へ排出される。これらの排気に見合う空気は、カセット受け渡し口１から、クリーンルーム内の清浄空気が洗浄ブロックを含む第２室２６に流入し、更にフィルタブロック６０の吸気口から流入した空気が第２室２６内に吹き出し、隔壁１１に設けられたウエハ受け渡し穴２１及び開口面積が調整される穴４０から第１室２７に供給される。
【００６０】
フィルタブロック６０にはファン４１が内蔵され、ファン４１の出口側には濾過精度０．１μｍのＨＥＰＡフィルタ４２が、またファン４１の入口側には有害なガスを吸着除去するケミカルフィルタ４３が取り付けられている。フィルタ４２からの清浄な空気はロボット１９の移動範囲と洗浄槽２４及び乾燥槽２５を含む範囲、つまりウエハの移動する範囲に吹き降ろされ、スピードは隣接するウエハ間の相互汚染を防ぐのに有効な０．３〜０．４ｍ／ｓになっている。吹き降ろされた空気の一部は前述した第１室２７へ、また洗浄槽２５及び乾燥槽２６の開口部へ流入して、装置外へ排気され、この排気分を除いて、大部分は装置床面へ降下する。
【００６１】
床面には偏平な箱状の管であるダクトヘッダ４５が取り付けられ、このダクトヘッダ４５には多数の穴４６が設けられ、穴４６には開口面積が調整できる羽板４７が付いている。ダクトヘッダ４５はダクト４８でフィルタブロック６０に接続されている。装置床面に降下した空気は、前記穴４６から吸い込まれ、ダクトヘッダ４５に集められ、ダクト４８を通ってケミカルフィルタ４３に吸い込まれる。
【００６２】
従って、第１室２７から、粗洗浄後ウェットな状態で第２室２６へ入ってきたウエハ１６やロボット１９のフィンガー２０に付着していた砥液を少し含む洗浄液からでる有害なガスは、前記降下する空気と共にケミカルフィルタ４３で濾過され除かれる。また、床面に垂れて乾燥した前記洗浄液からの砥粒も、降下する空気によって飛散が抑えられ、一部は空気と共にフィルタ４２で濾過される。
【００６３】
上述の装置外へ排気される空気の補給、つまりメイクアップエアーはフィルタブロック６０に設けられた羽板４９の付いた開口５３から補給され、カセット受け渡し口１からは僅かに補給されるだけとなっている。第２室２６の空気の降下のスピードはダクトヘッダ４５の羽板４７とメイクアップ用開口５３の羽板４９の調整によってなされる。
【００６４】
図１０は本発明の第３実施例を示す。第２室２６の天井からフィルタブロック６０を取り外し、かつ第２室２６の天井を取り払い解放したもので、ダクトヘッダ４５の下面には排気ファン４１が取り付けられている。これは砥液から有害なガスの発生がなく、装置全体が清浄度の高いクリーンルームに設置された時にクリーンルーム内のダウンフローを利用した場合である。降下する空気は排気ファン４１によって装置外へ排気される。本実施例においても、洗浄室のベースに多数の穴を上面に有する偏平な管（ダクトヘッダ）を配置し、空気は偏平なダクトヘッダ４５を通り、排気ファン４１によって装置外へ排出される。
【００６５】
尚、ダクトヘッダ４５は、必ずしも偏平な管状体でなくても、降下する空気を回収できるものであれば、例えば直方体形状を為したものでもよい。
又、フィルタの濾過精度及びケミカルフィルタの設置の必要性等は、クリーンルームに要求される清浄度及び研磨に用いられる砥液の種類等に応じて適宜選定されるべきものである。
【００６６】
尚、上述した実施例では研磨対象物として半導体ウエハの例について説明したが、例えばガラス基板或いはセラミック基板等の研磨対象物にも同様に適用できるのは勿論のことである。
【００６７】
【発明の効果】
本発明のポリッシング装置及びポリッシング方法によれば、半導体ウエハは研磨ブロックで研磨され、研磨された半導体ウエハが研磨ブロックから洗浄ブロックに移される。そして、半導体ウエハは洗浄され、乾燥される。それ故、半導体ウエハは洗浄され乾燥された状態で、ポリッシング装置から取出される。
そして、下記に列挙する優れた効果が得られる。
（１）研磨ブロックを配置した第１室で発生する汚染物質が直接クリーンルームを汚染することがない。
（２）また、研磨ブロックで発生する汚染物質が洗浄装置等を汚染することを抑制することができる。
（３）また、ポリッシング処理によって発生する塵埃やミストが洗浄装置で洗浄した清浄なウエハを汚染してしまうことがない。
（４）また、動力駆動部がポリッシング処理によって発生する汚染物質によって汚染されることがない。
（５）また、装置内の各室の気流を少ない調整手段で任意に調整することができる。
（６）また、装置内の気流の方向が明確となり、排気設計が容易となる。
（７）さらに、圧力損失が小さくなり、高い排気効率が得られる。
（８）さらに、装置内においてウエハの汚染が確実に抑えられ、かつ有害なガスも除去されるので、使用する砥液の性状が制約されず、結果として多くの種類の膜の研磨に対応でき、しかもクリーンルームに設置が可能なポリッシング装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例のポリッシング装置の設置状態を示す部分透視斜視図。
【図２】図１に示すポリッシング装置の内部斜視図。
【図３】図１に示すポリッシング装置の側面から内部を見た説明図。
【図４】図１に示すポリッシング装置を上方から見た断面図。
【図５】図４における空気の流れを示す説明図。
【図６】図４におけるウエハの流れを示す説明図。
【図７】本発明の第２実施例のポリッシング装置の設置状態を示す部分透視斜視図。
【図８】図７に示すポリッシング装置の内部斜視図。
【図９】図７に示すポリッシング装置の側面から内部を見た説明図。
【図１０】本発明の第３実施例のポリッシング装置の側面から内部を見た説明図。
【符号の説明】
１カセット受け渡し口
２操作パネル
３仕切壁
４ワーキング（クリーン）ゾーン
５ユーティリティゾーン
６研磨ブロック
７ロードアンロードブロック
８搬送ブロック
９洗浄ブロック
１０制御ブロック
１１隔壁
１２共通ベース
２１開口（穴）
２２トップリング
２３回転テーブル
２４洗浄槽
２５乾燥槽
２６第２室
２７第１室
４１ファン
４２フィルタ
４３ケミカルフィルタ
４５ダクトヘッダ
５０ポリッシング装置
６０フィルタブロック[0001]
[Industrial application fields]
The present invention relates to a polishing apparatus and a polishing method, and more particularly to a structure for maintaining a clean atmosphere of a polishing apparatus that polishes a polishing object such as a semiconductor wafer to a flat and mirror surface.
[0002]
[Prior art]
In recent years, as semiconductor devices are highly integrated, circuit wiring is becoming finer and the distance between wirings is becoming narrower. In particular, in the case of photolithography of 0.5 μm or less, the flatness of the imaging surface of the stepper is required because the depth of focus becomes narrow.
Therefore, it is necessary to flatten the surface of the semiconductor wafer, but polishing is performed by a polishing apparatus as one means of this flattening method.
[0003]
Conventionally, since this type of polishing apparatus uses an abrasive liquid that is a suspension with abrasive grains for polishing, the mist of the liquid is scattered and the abrasive grains are scattered by drying after adhering, or a chemical liquid is applied to the abrasive liquid. If used, toxic gas may be generated. Further, since there is a concern about the dust generation from the power drive unit for using a relatively large power in the polishing apparatus, the installation location of the apparatus may be outside the clean room.
[0004]
However, since wafer processing devices other than polishing processing, such as etching processing and sputtering processing devices, are installed in the clean room, putting the polishing device outside the clean room will cause the polishing process to deviate from a series of semiconductor manufacturing processes. This hinders full automation of the manufacturing process. For this reason, in recent years, the entire polishing apparatus is covered with a casing and then installed in the same clean room as other wafer processing apparatuses.
[0005]
This kind of polishing apparatus needs to be devised so as not to let dust generated inside the apparatus go out, and as one of the methods, a polishing apparatus that can be installed in a clean room by the applicant of Japanese Patent Application No. 5-342830. Has been proposed.
[0006]
Also, wafers to which abrasive fluid has adhered after polishing must be cleaned for the next wafer processing step, but when the polishing apparatus is installed in a clean room, the polished wafer is cleaned in the polishing apparatus. It is desirable to carry it out into a clean room in a clean state. This is because the wafer to which the abrasive liquid adheres contaminates the clean room. For this reason, the thing provided with the washing | cleaning apparatus inside polishing apparatus came to be manufactured.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
Since the polishing process generates much more dust and mist due to the process than other wafer processes, when the polishing apparatus is installed in a clean room, the generated dust and mist contaminates the clean room. .
Further, when a cleaning device is provided in the polishing apparatus, there is a problem that dust or mist generated by the polishing process contaminates the cleaning apparatus.
Further, in the case where a cleaning device is provided in the polishing apparatus, there is a problem that dust and mist generated by the polishing process are cleaned to contaminate a cleaned wafer.
Furthermore, there is a problem in that a power drive unit that drives a large component or the like constituting the polishing apparatus is contaminated by a contaminant generated by the polishing process.
[0008]
In addition, a polishing apparatus that can be installed in a clean room may have a structure in which a wafer is roughly cleaned with a brush immediately after the polishing is completed, and then the robot receives the wafer in a wet state and carries it into the cleaning room for delivery to the cleaning machine. . On the other hand, as the number of types of films to be polished increases, polishing abrasives having a high abrasive concentration and those having strong acidity and alkalinity have come to be used. For this reason, while the wafer is received in the cleaning chamber and transferred to the cleaning machine, water droplets dripped onto the installation floor from the wafer and robot dries, and the abrasive grains remaining in the rough cleaning rise and contaminate the cleaned wafer. There are concerns about problems such as generation of harmful gases from wafers and robot adhering water.
[0009]
The present invention has been made in view of the above circumstances, is easy to maintain, can efficiently prevent dust and mist contamination caused by polishing, and is generated by a polishing apparatus and polishing that can be installed in a clean room. An object of the present invention is to provide a polishing method capable of efficiently preventing contamination of dust and mist. In addition, a polishing device that can be safely installed in a clean room without any secondary contamination of the wafer after cleaning and a safe generation of harmful generation gas without secondary contamination of the wafer after cleaning. It is an object of the present invention to provide a polished polishing method.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above-described object, one aspect of the polishing apparatus of the present invention includes a load / unload block that transfers a cassette containing a polishing object; a transport block that moves the polishing object from the cassette; A polishing block for polishing the polishing object; a cleaning block for cleaning the polishing object after polishing; a polishing apparatus having a box-like structure in which wall plates are provided around and on the ceiling so as to cover the whole. A partition is provided so as to be a first chamber in which the polishing block is disposed, and a second chamber in which the load / unload block, the transfer block, and the cleaning block are disposed, and a cassette delivery port is provided in the second chamber, The partition wall is provided with a transfer hole for an object to be polished between the first chamber and the second chamber, and a control block for controlling the operation of the apparatus is disposed in the second chamber. It is characterized in.
[0011]
Further, a shutter for opening and closing the hole may be provided in a delivery hole for the polishing object of the partition wall.
[0012]
Further, the partition wall is provided with a hole separately from the delivery hole for the object to be polished, and a movable slat is attached to the hole to form an opening area-adjusted beam.
[0013]
Of the two chambers, in the first chamber in which the polishing block is arranged, a partition wall is provided in a planar shape with the lower surface of the turntable as a boundary, the first chamber is divided into two vertically and penetrates into the two upper and lower chambers. A tube may be provided, a valve may be provided between each tube and each chamber, one end of the valve may be connected to the main tube, and the main tube may be opened to the outside of the apparatus.
[0014]
Further, in the second chamber in which the load / unload block, the transport block, the cleaning block, and the control block are arranged, a pipe penetrating the cleaning tank of the cleaning block is provided, and a valve is provided between the pipe and the tank. You may make it connect a pipe | tube to one end and open this pipe | tube outside the apparatus.
[0015]
  Another aspect of the polishing apparatus of the present invention includes a first chamber in which a polishing block for polishing a polishing object is disposed; and a second chamber in which a cleaning block for cleaning the polishing object after polishing is disposed. A box-shaped polishing apparatus; a filter block including a fan and a filter is disposed on a ceiling of the polishing apparatus;MultipleA duct header having a plurality of holes is disposed; the duct header and the filter block are connected by a pipe.
  The cleaning block includes a cleaning tank, and a duct for exhausting the cleaning tank is attached to the cleaning tank.
  The polishing block is provided with a duct for exhausting the inside of the polishing block.
[0016]
Further, a slat may be attached to the hole of the duct header so that the opening area of the hole can be adjusted.
[0017]
Further, a chemical filter may be provided at the air suction port of the fan in the filter block.
[0018]
The ceiling of the second chamber may be released, a fan may be attached to the lower surface of the duct header, and the fan outlet may be opened to the outside of the apparatus.
[0019]
Moreover, you may make it form an air flow from the one where internal pressure is high to the low one in order of the clean room where the polishing apparatus is arrange | positioned, the said 2nd chamber, and the said 1st chamber.
[0020]
In addition, the object to be polished is introduced into the first chamber through the second chamber, the object to be polished in the first chamber is transferred from the first chamber to the second chamber, and the second chamber The cleaned polishing object may be taken out from the second chamber to the clean room.
[0021]
  In addition, a plurality of cleaning devices may be arranged in the cleaning block in the order of increasing cleanliness in the opposite direction to the air flow in the second chamber..
[0022]
The polishing apparatus of the present invention has an exterior unit, a partition that partitions the exterior unit into a first chamber and a second chamber, and the partition has a first opening through which the object to be polished passes. A polishing block having a turntable with a polishing cloth affixed to the upper surface, a top ring that supports a polishing object on the turntable and presses against the polishing cloth, and the polishing block is disposed in the first chamber. A cleaning block for cleaning the polished object after polishing is provided in the second chamber, the cleaning block cleaning the polishing object while supplying a cleaning liquid, and drying for drying the cleaned polishing object. And a transfer device for transferring a polishing object after polishing from the polishing block to the cleaning block through the first opening, and means for exhausting air discharged from the polishing block. It may be made from.
[0023]
Moreover, you may further provide the duct header which has several opening arrange | positioned at the lower part of the said 2nd chamber, and the exhaust fan which discharges | emits the exhaust_gas | exhaustion of the said 2nd chamber through this duct.
[0024]
According to the above-described aspect of the polishing apparatus of the present invention, the first chamber in which the polishing block is installed communicates with the clean room via the second chamber in which other block portions such as a cleaning block are installed. In other words, the first room and the clean room are not in direct communication. For this reason, the pollutant generated in the first chamber does not directly contaminate the clean room.
[0025]
In addition, since the polishing block and other block portions such as the cleaning block are blocked by the partition walls, it is possible to suppress contamination generated by the polishing block from contaminating the cleaning device and the like.
[0026]
Further, the first chamber in which the polishing block is installed and the second chamber in which the other block portions are installed are exhausted independently so that the pressure decreases in the order of the clean room, the second chamber, and the first chamber. Therefore, clean air suitable for the exhaust is supplied from the clean room. For this reason, since the cleaned clean wafer is transferred in a direction opposite to the flow of clean air in the polishing apparatus, dust and mist generated by the polishing process may contaminate the clean wafer. There is no.
[0027]
Furthermore, since the first chamber in which the polishing block is arranged is divided into the polishing processing unit and the power driving unit and each is independently evacuated, the power driving unit is not contaminated by contaminants generated by the polishing process.
[0028]
  Further, according to the above-described aspect of the polishing apparatus of the present invention, the HEPA filter and the fan for blowing clean air having a wind speed of 0.3 to 0.4 m / s on the wafer surface to the moving range of the wafer on the ceiling of the cleaning chamber. A built-in filter block is provided, and a hole capable of adjusting the opening area for collecting the air blown down is provided on the floor surface of the cleaning chamber.MultipleAn open pipe is provided, the filter block and the pipe are connected by a duct so that air can circulate, and a chemical filter can be attached to the suction side of the HEPA filter.
[0029]
Accordingly, clean air is uniformly blown into the wafer movement range of the cleaning chamber, so that dust scattering is suppressed and contamination of the object to be polished by the dust can be prevented. In addition, the harmful gas generated is excluded by the chemical filter.
Further, when the apparatus is installed in a place where there is a sufficiently clean air downflow, the ceiling is opened and the filter block is unnecessary, and the lowered air is exhausted to the floor of the installation room.
[0030]
【Example】
Hereinafter, embodiments of a polishing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings.
[0031]
FIG. 1 shows a state where the polishing apparatus 50 according to the first embodiment of the present invention is installed in a clean room. The side surface 3A where the cassette delivery port 1 and the operation panel 2 of the apparatus 50 are located protrudes as a partition wall 3 into the working zone 4 with high cleanliness, and the other side surface 3B and the ceiling 3C are released into the utility zone 5 with low cleanness. . The polishing apparatus 50 includes a load / unload block that transfers a cassette containing wafers, a transfer block that moves the wafers from the cassette, a polishing block that polishes the wafer, and a cleaning block that cleans the polished wafer. The control block for controlling the operation of the apparatus is arranged on a common base, and a wall plate is provided around the ceiling and the ceiling so as to cover the whole, and is configured in a box shape.
[0032]
FIG. 2 is a view showing the inside of the apparatus. The polishing block 6 and the other load / unload block 7, the transport block 8, the cleaning block 9, and the control block 10 are partitioned by the partition wall 11 and arranged independently on the common base 12.
[0033]
1 is placed on the stage 14 of the load / unload block 7, and the number of wafers 16 stored by the sensing sensor 15 and the position of the storage shelf 17 are measured (wafers of the wafers). And the information is stored in the computer 18 in the control block 10. When the mapping is completed, the finger 20 of the robot 19 mounted on the transfer block 8 takes out the wafer 16.
[0034]
The wafer 16 taken out from the cassette 13 passes through the wafer transfer hole 21 of the partition wall 11 while being captured by the fingers 20 of the robot 19, is mounted on the top ring 22 of the polishing block 6, and is polished on the rotary table 23. . A polishing cloth is attached to the surface of the rotary table 23, and the rotary table 23 rotates in a state where the abrasive liquid flows down, and the wafer 16 mounted on the top ring is polished.
[0035]
The polished wafer 16 is transferred to the cleaning block 9 by the robot 19 and mounted in the cleaning tank 24 in the block. When the cleaning is completed, the wafer 16 is mounted in the drying tank 25 in the same block, and after draining and drying, the robot 19 takes out the wafer 16 from the cleaning block 9 and returns it to the storage shelf 17 of the cassette 13. Thus, the polishing of one wafer is completed, but the remaining wafers are continuously polished, and the cassette 13 is replaced when the processing of all the wafers is completed.
[0036]
According to the polishing apparatus of the present invention, the semiconductor wafer is polished by the polishing block, and the polished semiconductor wafer is transferred from the polishing block to the cleaning block. Then, the semiconductor wafer is cleaned with a cleaning liquid and dried. Therefore, the semiconductor wafer is removed from the polishing apparatus after being cleaned and dried.
[0037]
FIG. 3 is a view of the inside of the polishing apparatus as viewed from the side. The polishing apparatus 50 is partitioned by a partition wall 11 and includes a first chamber 27 in which the polishing block 6 is disposed, the load / unload block 7, the transfer block 8, the cleaning block 9, and the control block 10. It consists of the second chamber 26.
[0038]
A polishing liquid receiver 28 for preventing and collecting abrasive liquid is attached around the rotary table 23 in the first chamber 27, and this serves as a partition to divide the first chamber 27 into two upper and lower chambers 27a and 27b. Yes. A duct 29 is attached to the upper chamber 27a together with the opening adjustment valve 30, and a duct 31 is attached to the lower chamber 27b together with the opening adjustment valve 32. Both ducts join together and are connected to the exhaust pipe (not shown) of the clean room through the exhaust port 33.
[0039]
The abrasive mist generated during polishing is exhausted from the exhaust port 33 through the duct 29 of the upper chamber 27a. Further, dust from the drive belt of the drive unit 34 of the rotary table 23 is exhausted from the exhaust port 33 through the duct 31. The partition wall 11 is provided with a hole 36 in addition to the wafer delivery hole 21, and a movable blade 35 is attached to the hole to form an opening area-adjusted type of beam.
[0040]
As for the air suitable for the exhaust of the upper chamber 27a, first, air in the working zone 4 having a high cleanliness flows from the cassette transfer port 1 into the second chamber 26, and then this air is supplied to the wafer transfer hole 21 provided in the partition wall 11 and It flows into the upper chamber 27a through the hole 36 whose opening area is adjusted by the movable blade 35. This inflow air volume is adjusted by the movable blade 35 and the valve 30.
[0041]
The amount of dust generated in the lower chamber 27b is very small compared to the abrasive mist, and therefore the amount of exhaust in the same chamber may be small. Therefore, the valve 32 is throttled and slightly negative in the same chamber, and the air is between the components. It is compensated by a slight leak from the gap.
[0042]
Ducts 37a and 37b and opening area adjusting valves 38 and 39 are attached to the washing tank 24 and the drying tank 25 of the washing block 9 of the second chamber 26, respectively, and the ducts 37a and 37b are joined together from the exhaust port 40 to the clean room. Connected to an exhaust pipe (not shown). Accordingly, the mist of the cleaning water generated in the cleaning tank 24 and the drying tank 25 is exhausted from the exhaust port 40 through the ducts 37a and 37b. The intake corresponding to the exhaust is made from the cassette delivery port 1 in common with the intake of the second chamber 27 described above, and the air volume is adjusted by valves 38 and 39.
[0043]
A shutter 41 is attached to the opening 21 of the partition wall so that the dust in the first chamber 27 does not flow backward from the opening 21 toward the second chamber 26 after the first chamber 27 is opened during maintenance or the like. 41 is closed.
[0044]
Instead of the movable blade 35, the size of the hole 36 may be adjusted, and a shutter for opening and closing the hole 36 may be further provided. An opening / closing door may be provided instead of the shutter.
[0045]
FIG. 4 is a cross-sectional view of the polishing apparatus as viewed from above. A polishing block 6, a cleaning block 9, a transport block 8, a control block 10, and the like are installed inside the box-shaped polishing apparatus. Further, the polishing block 6 is located on the back side when viewed from the working zone 4 through the partition wall 3.
[0046]
The clean air inflow passage of the polishing apparatus will be described with reference to FIG. Each chamber of the first chamber 27 including the polishing block and the second chamber 26 including the cleaning block is independent, and the internal pressure decreases in the order of the clean room 4, the second chamber 26, and the first chamber 27. So that it is exhausted. Exhaust air is exhausted through the duct 33 and the duct 40 in the figure. For this reason, clean air in the clean room (working zone) 4 flows from the wafer transfer port into the second chamber 26 provided with a cleaning block and the like, and a part thereof flows toward the duct 40 provided in the second chamber. Further, a portion of the clean air that has flowed into the second chamber passes through the opening 21 provided in the partition wall 11 and flows into the first chamber 27 in which the polishing block is disposed, and flows toward the duct 33. FIG. 5 shows the flow of clean air with arrows.
[0047]
In this way, since the internal air pressure is exhausted so that the pressure decreases in the order of the clean room, the second chamber, and the first chamber, clean air flows from the low pollution level to the high level, and a reverse flow occurs. Absent. For this reason, the pollutant generated in the polishing apparatus does not flow out into the clean room and is contaminated, and the highly contaminated air in the first chamber does not flow out into the second chamber and contaminates the cleaning device or the like. .
[0048]
Further, the exhaust, intake, and atmospheric pressure of each chamber in the polishing apparatus can be arbitrarily adjusted by a movable vane plate in another hole of the partition wall and a valve provided in the duct. For this reason, it can be arbitrarily controlled by an adjusting means with less airflow in the apparatus.
[0049]
Furthermore, since the interior is divided into simple shapes, the direction of the airflow in the apparatus becomes clear and the exhaust design is easy. Also, the exhaust duct can be simply configured. For this reason, the pressure loss caused by bending the exhaust duct into a complicated path or increasing the length of the tube and the pressure loss caused by complicated division of the internal shape are reduced, and high exhaust efficiency can be obtained.
[0050]
Next, the passage path of the wafer in the polishing apparatus will be described with reference to FIG. The wafer is carried into the polishing apparatus from the working zone 4, passes through the second chamber 26 in which the cleaning block and the like are arranged, is transferred to the first chamber 27 in which the polishing block is arranged, and is polished. Since the polishing process uses an abrasive liquid, the abrasive liquid adheres to the polished wafer and is contaminated. In order to bring the polished wafer into a clean state and carry it out into the clean room, the wafer is transferred from the first chamber to the cleaning device 9a in the second chamber. The wafer cleaned here is transferred to the cleaning device 9b for cleaning with a higher cleanliness. The cleaned wafer is dried in the cleaning device 9 b and transferred to the working zone 4. The arrows in the figure indicate the flow of the wafer.
[0051]
In this manner, the cleaned wafer is unloaded in the direction opposite to the clean air flow described above. Therefore, the wafer is cleaned by the cleaning device and is transported in a clean direction, so that the cleaned wafer is carried out without being contaminated.
[0052]
In order to obtain the above-described effects, the following arrangement of the cleaning device is considered in the present invention. When a plurality of cleaning steps are performed by individual cleaning apparatuses, the plurality of cleaning apparatuses are arranged in a direction opposite to the flow of clean air according to the cleanliness of the wafer after cleaning. That is, an apparatus for increasing the cleanliness of a cleaned wafer is disposed upstream of the clean air flow. For example, in FIG. 6, the cleaning device 9b is installed upstream of clean air (working zone 4 side) in order to clean the wafer with higher cleanliness than the cleaning device 9a. As a result, the above-described effects can be obtained in wafer transfer between a plurality of cleaning apparatuses.
[0053]
FIG. 7 shows a state where the polishing apparatus 50 according to the second embodiment of the present invention is installed in a clean room. The side face 3A of the apparatus 50 with the cassette delivery port 1 and the operation panel 2 protrudes as a partition wall 3 into the working zone 4 having a high cleanness, and the other side face 3B and the ceiling 3C are released to the utility zone 5 having a low cleanness degree. . The polishing apparatus 50 includes a load / unload block that transfers a cassette containing wafers, a transfer block that moves the wafers from the cassette, a polishing block that polishes the wafer, and a cleaning block that cleans the polished wafer. The control block for controlling the operation of the apparatus is arranged on a common base, and wall plates (outer grooves) are provided around the ceiling and the ceiling so as to cover the whole, and is configured in a box shape. A filter block 60 is mounted on the ceiling 3C to circulate clean air in a cleaning space containing a load / unload block, a transport block, a cleaning block, and a control block.
[0054]
FIG. 8 shows the inside of the apparatus. The polishing block 6 and the other load / unload block 7, the transport block 8, the cleaning block 9, and the control block 10 are partitioned by the partition wall 11 and are independently arranged on the common base 12.
[0055]
7 is placed on the stage 14 of the load / unload block 7 and the number of wafers 16 stored by the sensing sensor 15 and the position of the storage rack 17 are measured (wafer mapping). The information is stored in the computer 18 in the control block 10. When the mapping is completed, the finger 20 of the robot 19 mounted on the transfer block 8 takes out the wafer 16.
[0056]
The wafer 16 taken out from the cassette 13 passes through the wafer transfer hole 21 of the partition wall 11 while being captured by the fingers 20 of the robot 19, is mounted on the top ring 22 of the polishing block 6, and is polished on the rotary table 23. . A polishing cloth is attached to the surface of the rotary table 23, and the rotary table 23 rotates in a state where the abrasive liquid flows down, and the wafer 16 mounted on the top ring is polished.
[0057]
The polished wafer 16 is roughly cleaned with an attached cleaning machine (not shown) attached to the top ring 22 and then transferred to the cleaning block 9 by the robot 19 and mounted in the cleaning tank 24 in the block. Is done. When the cleaning is completed, the wafer 16 is mounted in the drying tank 25 in the same block, and after draining, the robot 16 takes out the wafer 16 from the cleaning block 9 and returns it to the storage shelf 17 of the cassette 13. Thus, the polishing of one wafer is completed, but the cassette 13 is replaced when the remaining wafers are continuously polished and all the wafers have been processed.
[0058]
FIG. 9 is a view of the inside of the polishing apparatus as seen from the side. The polishing apparatus 50 is partitioned by a partition wall 11, a cleaning chamber (second chamber) 26 in which the load / unload block 7, the transfer block 8, the cleaning block 9, and the control block 10 are disposed, and the polishing block 6. And a polishing chamber (first chamber) 27 in which is disposed.
[0059]
Mist and generated gas of abrasive liquid generated during polishing are exhausted from the exhaust port 29 together with dust on the drive belt of the drive unit 34 of the rotary table 23. Also, the mist of cleaning water generated in the cleaning tank 24 and the drying tank 25 is exhausted from the exhaust port 31. These exhaust gases are discharged out of the apparatus 50 through an exhaust pipe 51 shown in FIG. The air suitable for these exhaust gases flows from the cassette delivery port 1 into the second chamber 26 where the clean air in the clean room includes the cleaning block, and further, the air flowing from the intake port of the filter block 60 enters the second chamber 26. It is supplied to the first chamber 27 from the blowout, the wafer delivery hole 21 provided in the partition wall 11 and the hole 40 whose opening area is adjusted.
[0060]
A fan 41 is built in the filter block 60, a HEPA filter 42 having a filtration accuracy of 0.1 μm is attached to the outlet side of the fan 41, and a chemical filter 43 for adsorbing and removing harmful gases is attached to the inlet side of the fan 41. ing. The clean air from the filter 42 is blown down to the moving range of the robot 19 and the range including the cleaning tank 24 and the drying tank 25, that is, the moving range of the wafer, and the speed is effective in preventing cross-contamination between adjacent wafers. 0.3 to 0.4 m / s. A part of the blown-down air flows into the first chamber 27 described above and also into the openings of the cleaning tank 25 and the drying tank 26 and is exhausted outside the apparatus. Descent to the floor.
[0061]
A duct header 45, which is a flat box-like tube, is attached to the floor surface. The duct header 45 is provided with a large number of holes 46, and the holes 46 are provided with blades 47 whose opening area can be adjusted. The duct header 45 is connected to the filter block 60 by a duct 48. Air descending to the floor of the apparatus is sucked from the hole 46, collected in the duct header 45, and sucked into the chemical filter 43 through the duct 48.
[0062]
Therefore, the harmful gas emitted from the cleaning liquid containing a little abrasive liquid adhering to the wafer 16 and the finger 20 of the robot 19 entering the second chamber 26 in the wet state after the rough cleaning from the first chamber 27 is It is filtered and removed by the chemical filter 43 together with the descending air. In addition, the abrasive grains from the cleaning liquid that dries on the floor surface are also prevented from being scattered by the descending air, and a part thereof is filtered by the filter 42 together with the air.
[0063]
Replenishment of the air exhausted to the outside of the apparatus, that is, makeup air, is replenished from the opening 53 provided with the wing plate 49 provided in the filter block 60 and only slightly replenished from the cassette delivery port 1. ing. The air descending speed of the second chamber 26 is adjusted by adjusting the wing plate 47 of the duct header 45 and the wing plate 49 of the makeup opening 53.
[0064]
FIG. 10 shows a third embodiment of the present invention. The filter block 60 is removed from the ceiling of the second chamber 26 and the ceiling of the second chamber 26 is removed and released. An exhaust fan 41 is attached to the lower surface of the duct header 45. This is a case where no harmful gas is generated from the abrasive liquid and the down flow in the clean room is used when the entire apparatus is installed in a clean room with high cleanliness. The descending air is exhausted out of the apparatus by the exhaust fan 41. Also in this embodiment, a flat tube (duct header) having a large number of holes on the upper surface is arranged on the base of the cleaning chamber, and air passes through the flat duct header 45 and is exhausted out of the apparatus by the exhaust fan 41.
[0065]
Note that the duct header 45 is not necessarily a flat tubular body, but may have a rectangular parallelepiped shape, for example, as long as it can collect the descending air.
Further, the filtration accuracy of the filter, the necessity of installing the chemical filter, and the like should be appropriately selected according to the cleanliness required for the clean room and the type of abrasive liquid used for polishing.
[0066]
In the above-described embodiment, the example of the semiconductor wafer is described as the object to be polished. However, it is needless to say that the present invention can be similarly applied to an object to be polished such as a glass substrate or a ceramic substrate.
[0067]
【The invention's effect】
According to the polishing apparatus and the polishing method of the present invention, the semiconductor wafer is polished by the polishing block, and the polished semiconductor wafer is transferred from the polishing block to the cleaning block. Then, the semiconductor wafer is cleaned and dried. Therefore, the semiconductor wafer is removed from the polishing apparatus after being cleaned and dried.
And the outstanding effect enumerated below is acquired.
(1) Contaminants generated in the first chamber in which the polishing block is disposed do not directly contaminate the clean room.
(2) Moreover, it can suppress that the contaminant which generate | occur | produces in a grinding | polishing block contaminates a washing | cleaning apparatus etc.
(3) Further, dust and mist generated by the polishing process do not contaminate a clean wafer cleaned by the cleaning device.
(4) Moreover, the power drive unit is not contaminated by contaminants generated by the polishing process.
(5) Moreover, the airflow in each chamber in the apparatus can be arbitrarily adjusted with a small amount of adjusting means.
(6) In addition, the direction of the airflow in the apparatus becomes clear, and the exhaust design becomes easy.
(7) Further, the pressure loss is reduced, and high exhaust efficiency is obtained.
(8) Further, since contamination of the wafer is reliably suppressed in the apparatus and harmful gas is removed, the properties of the abrasive liquid used are not restricted, and as a result, it can cope with polishing of many kinds of films. Moreover, a polishing apparatus that can be installed in a clean room can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a partially transparent perspective view showing an installation state of a polishing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is an internal perspective view of the polishing apparatus shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is an explanatory view of the inside of the polishing apparatus shown in FIG. 1 as viewed from the side.
4 is a cross-sectional view of the polishing apparatus shown in FIG. 1 as viewed from above.
FIG. 5 is an explanatory diagram showing the air flow in FIG. 4;
6 is an explanatory diagram showing the flow of the wafer in FIG. 4. FIG.
FIG. 7 is a partially transparent perspective view showing an installation state of a polishing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
8 is an internal perspective view of the polishing apparatus shown in FIG.
FIG. 9 is an explanatory view of the inside of the polishing apparatus shown in FIG. 7 as viewed from the side.
FIG. 10 is an explanatory view showing the inside from the side of a polishing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Cassette delivery port
2 Operation panel
3 partition walls
4 working (clean) zone
5 Utility Zone
6 Polishing block
7 Load / unload block
8 Transport block
9 Washing block
10 Control block
11 Bulkhead
12 Common base
21 Opening (hole)
22 Top ring
23 Rotating table
24 Washing tank
25 Drying tank
26 Room 2
27 Room 1
41 fans
42 Filter
43 Chemical Filter
45 Duct header
50 Polishing equipment
60 filter blocks

Claims

研磨対象物を収納したカセットの受け渡しをするロードアンロードブロックと；
該カセットから前記研磨対象物を移動させる搬送ブロックと；
前記研磨対象物を研磨する研磨ブロックと；
研磨後の前記研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックと；
これら全体を覆うように周囲及び天井に壁板を設け、箱状に構成したポリッシング装置であって；
前記研磨ブロックを配した第１室と、
前記ロードアンロードブロックと前記搬送ブロックと前記洗浄ブロックを配した第２室となるよう隔壁を設け、
前記第２室にはカセットの受け渡し口を、
該隔壁には前記第１室前記第２室間の研磨対象物の受け渡し穴を設け、
前記第２室に、装置の運転をコントロールする制御ブロックを配置し、
前記ポリッシング装置はクリーンルームに配置され、該クリーンルーム、前記第２室、前記第１室の順番で内部圧力が高い方から低い方に空気の流れを形成したものであることを特徴とするポリッシング装置。A load / unload block for delivering a cassette containing an object to be polished;
A transport block for moving the object to be polished from the cassette;
A polishing block for polishing the polishing object;
A cleaning block for cleaning the object to be polished after polishing;
A polishing apparatus in which a wall plate is provided around and on the ceiling so as to cover the whole, and configured in a box shape;
A first chamber in which the polishing block is disposed;
A partition is provided to be a second chamber in which the load / unload block, the transfer block, and the cleaning block are arranged,
The second chamber has a cassette delivery port,
The partition is provided with a transfer hole for an object to be polished between the first chamber and the second chamber,
In the second chamber, a control block for controlling the operation of the apparatus is arranged ,
The polishing apparatus is disposed in a clean room, and forms a flow of air in the order of the clean room, the second chamber, and the first chamber from the higher internal pressure to the lower one .

研磨対象物を収納したカセットの受け渡しをするロードアンロードブロックと；
該カセットから前記研磨対象物を移動させる搬送ブロックと；
前記研磨対象物を研磨する研磨ブロックと；
研磨後の前記研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックと；
これら全体を覆うように周囲及び天井に壁板を設け、箱状に構成したポリッシング装置であって；
前記研磨ブロックを配した第１室と、
前記ロードアンロードブロックと前記搬送ブロックと前記洗浄ブロックを配した第２室となるよう隔壁を設け、
前記第２室にはカセットの受け渡し口を、
該隔壁には前記第１室前記第２室間の研磨対象物の受け渡し穴を設け、
前記第２室に、装置の運転をコントロールする制御ブロックを配置し、
前記隔壁に前記研磨対象物の受け渡し穴とは別に穴を設け、この穴に可動の羽板を取り付けて開口面積調整形のがらりを形成したことを特徴とするポリッシング装置。 A load / unload block for delivering a cassette containing an object to be polished;
A transport block for moving the object to be polished from the cassette;
A polishing block for polishing the polishing object;
A cleaning block for cleaning the object to be polished after polishing;
A polishing apparatus in which a wall plate is provided around and on the ceiling so as to cover the whole, and configured in a box shape;
A first chamber in which the polishing block is disposed;
A partition is provided to be a second chamber in which the load / unload block, the transfer block, and the cleaning block are arranged,
The second chamber has a cassette delivery port,
The partition is provided with a transfer hole for an object to be polished between the first chamber and the second chamber,
In the second chamber, a control block for controlling the operation of the apparatus is arranged,
The septum is provided separately from the hole and the transfer hole of the polishing object, features and to Lupo Risshingu apparatus that forms a radically opening area adjustable type by attaching the movable blade plate in the hole.

研磨対象物を研磨する研磨ブロックを配した第１室と；
研磨後の前記研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックとを配置した第２室を備える箱状のポリッシング装置であって；
該ポリッシング装置の天井にファンとフィルタを内蔵したフィルタブロックを配置し；
該ポリッシング装置の内部に複数の穴を有するダクトヘッダを配置し；
このダクトヘッダと前記フィルタブロックの間を管で連通し；
前記ポリッシング装置はクリーンルームに配置され、該クリーンルーム、前記第２室、前記第１室の順番で内部圧力が高い方から低い方に空気の流れを形成したものであることを特徴とする；
ポリッシング装置。A first chamber provided with a polishing block for polishing an object to be polished;
A box-shaped polishing apparatus comprising a second chamber in which a cleaning block for cleaning the polished object after polishing is disposed;
Disposing a filter block containing a fan and a filter on the ceiling of the polishing apparatus;
Arranging a duct header having a plurality of holes inside the polishing apparatus;
A pipe is connected between the duct header and the filter block ;
The polishing apparatus is disposed in a clean room, and the air flow is formed in the order of the clean room, the second chamber, and the first chamber from the higher internal pressure to the lower one ;
Polishing device.

前記洗浄ブロックは、洗浄槽を有し、該洗浄槽には該洗浄槽内を排気するダクトが取り付けられていることを特徴とする請求項３記載のポリッシング装置。 The polishing apparatus according to claim 3, wherein the cleaning block has a cleaning tank, and a duct for exhausting the cleaning tank is attached to the cleaning tank.

前記研磨ブロックは、該研磨ブロック内を排気するダクトが取り付けられていることを特徴とする請求項３又は４記載のポリッシング装置。 5. The polishing apparatus according to claim 3, wherein a duct for exhausting the inside of the polishing block is attached to the polishing block.

研磨対象物を研磨した後に、洗浄するポリッシング装置において、
研磨対象物を研磨する研磨ブロックを配した第１室と、
研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックを配した第２室とを有し、
前記第１室においてターンテーブルの下面を境として平面上に隔壁を設けた箱状のポリッシング装置であって、
該ポリッシング装置はクリーンルームに配置され、該ポリッシング装置が設置されたクリーンルーム、前記第２室、前記第１室の順番で内部圧力が低くなるように構成され、前記順番で内部圧力が高い方から低い方に空気の流れを形成したことを特徴とするポリッシング装置。In a polishing apparatus for cleaning after polishing an object to be polished,
A first chamber provided with a polishing block for polishing an object to be polished;
A second chamber provided with a cleaning block for cleaning an object to be polished after polishing,
In the first chamber, a box-shaped polishing apparatus provided with a partition on a plane with the lower surface of the turntable as a boundary,
The polishing apparatus is arranged in a clean room, and is configured such that the internal pressure decreases in the order of the clean room in which the polishing apparatus is installed, the second chamber, and the first chamber, and the internal pressure increases in the order from low to high. A polishing apparatus characterized in that an air flow is formed in the direction .

前記研磨ブロックを配した第１室と前記洗浄ブロックを配した第２室との間に隔壁を設け、該隔壁には両室の研磨対象物の受け渡し穴を設けたことを特徴とする請求項６記載のポリッシング装置。The partition wall is provided between the first chamber in which the polishing block is disposed and the second chamber in which the cleaning block is disposed, and a delivery hole for a polishing object in both chambers is provided in the partition wall. 6. The polishing apparatus according to 6 .

前記第１室において、ターンテーブルの下面を境として平面状に隔壁を設け、この第１室を上下に２分割し、この上下２室に貫通する管をそれぞれ設け、各管を主管に連絡し、この主管を装置外部に開口したことを特徴とする請求項６記載のポリッシング装置In the first chamber, a partition wall is provided in a planar shape with the lower surface of the turntable as a boundary, the first chamber is vertically divided into two, pipes penetrating the upper and lower chambers are provided, and each pipe is connected to the main pipe. 7. A polishing apparatus according to claim 6 , wherein the main pipe is opened outside the apparatus.

研磨対象物を研磨した後に、洗浄するポリッシング装置において、
研磨対象物を収納したカセットの受け渡しをするロードアンロードブロックと、
研磨対象物を研磨する研磨ブロックと、
研磨対象物を移動させる搬送ブロックと、
研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックと、
ポリッシング装置内からポリッシング装置外に排気する排気ダクトとを備え、
ポリッシング装置の天井にファンとケミカルフィルタとを有したフィルタブロックを配置し、前記ポリッシング装置の床面にはダクトヘッダが取り付けられ、該ダクトヘッダに開けられた穴に降下した空気が吸い込まれ、
前記研磨ブロックを配した第１室と前記洗浄ブロックを配した第２室との間に隔壁を設け、該隔壁には両室の研磨対象物の受け渡し穴を設け、
前記第１室において、ターンテーブルの下面を境として平面状に隔壁を設け、この第１室を上下に２分割し、この上下２室に貫通する管をそれぞれ設け、各管を主管に連絡し、この主管を装置外部に開口したことを特徴とするポリッシング装置。In a polishing apparatus for cleaning after polishing an object to be polished,
A load / unload block for delivering a cassette containing a polishing object;
A polishing block for polishing an object to be polished;
A transport block for moving an object to be polished;
A cleaning block for cleaning an object to be polished after polishing;
An exhaust duct that exhausts air from inside the polishing apparatus to the outside of the polishing apparatus,
A filter block having a fan and a chemical filter is arranged on the ceiling of the polishing apparatus, a duct header is attached to the floor surface of the polishing apparatus, and the air that has fallen into a hole opened in the duct header is sucked ,
A partition is provided between the first chamber in which the polishing block is arranged and the second chamber in which the cleaning block is arranged, and the partition is provided with a delivery hole for an object to be polished in both chambers,
In the first chamber, a partition wall is provided in a planar shape with the lower surface of the turntable as a boundary, the first chamber is vertically divided into two, pipes penetrating the upper and lower chambers are provided, and each pipe is connected to the main pipe. A polishing apparatus characterized in that the main pipe is opened outside the apparatus.

前記ダクトヘッダはダクトにより前記フィルタブロックに接続されていることを特徴とする請求項９記載のポリッシング装置。The polishing apparatus according to claim 9, wherein the duct header is connected to the filter block by a duct.

前記ロードアンロードブロックには、ステージ上に載置されたカセットに収納された研磨対象物のマッピングを行うセンサが設置されていることを特徴とする請求項９記載のポリッシング装置。The polishing apparatus according to claim 9, wherein the load / unload block is provided with a sensor for mapping a polishing object stored in a cassette placed on a stage.

前記ポリッシング装置はクリーンルームに配置され、該クリーンルーム、前記第２室、前記第１室の順番で内部圧力が高い方から低い方に空気の流れを形成したものであることを特徴とする請求項９記載のポリッシング装置。The polishing apparatus is disposed in a clean room, the clean room, the second chamber, claim 9, wherein the one in which the internal pressure in the first chamber of the order has a flow of air to lower the higher The polishing apparatus as described.

前記洗浄ブロックは、前記第２室における空気の流れに対して反対方向に、清浄度が高くなる順番に複数の洗浄装置を配置したことを特徴とする請求項１又は３又は６又は９記載のポリッシング装置。The cleaning block, in the opposite direction to the flow of air in the second chamber, according to claim 1 or 3 or 6 or 9, wherein in that a plurality of cleaning devices in the order in which cleanliness is high Polishing device.

半導体ウエハを研磨した後に洗浄するポリッシング方法であって、
半導体ウエハを研磨する研磨ブロックを配した第１室と、研磨後の半導体ウエハを洗浄する洗浄ブロックを配した第２室とを有し、前記第１室においてターンテーブルの下面を境として平面上に隔壁を設けた箱状のポリッシング装置をクリーンルーム内に設置し、前記クリーンルーム、前記第２室、前記第１室の順番で内部圧力が低くなるように排気し、
前記クリーンルーム、前記第２室、前記第１室の順番で内部圧力が高い方から低い方に空気の流れを形成し、
半導体ウエハを研磨ブロックで研磨し、研磨後の半導体ウエハを洗浄ブロックに搬送し、該洗浄ブロックにて研磨後の半導体ウエハを洗浄し乾燥させることを特徴とするポリッシング方法。A polishing method for cleaning a semiconductor wafer after polishing,
A first chamber having a polishing block for polishing a semiconductor wafer; and a second chamber having a cleaning block for cleaning the polished semiconductor wafer. The first chamber is planar on the lower surface of the turntable. A box-shaped polishing apparatus provided with a partition wall is installed in a clean room and exhausted so that the internal pressure becomes lower in the order of the clean room, the second chamber, and the first chamber,
In the order of the clean room, the second chamber, the first chamber, an air flow is formed from the higher internal pressure to the lower one,
A polishing method comprising polishing a semiconductor wafer with a polishing block, transporting the polished semiconductor wafer to a cleaning block, and cleaning and drying the polished semiconductor wafer with the cleaning block.

研磨対象物を収納したカセットの受け渡しをするロードアンロードブロックと、
研磨対象物を研磨する研磨ブロックと、
研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックと、
前記研磨ブロックと前記洗浄ブロックとを区切る隔壁とを有し、
前記研磨ブロックには前記研磨ブロックを更に上下の室に分割する平面状の隔壁を設け、
クリーンルーム、前記洗浄ブロック、前記研磨ブロックの順番で内部圧力が低くなるように構成され、
前記クリーンルーム、前記洗浄ブロック、前記研磨ブロックの順番で内部圧力が高い方から低い方に空気の流れを形成したことを特徴とするポリッシング装置。A load / unload block for delivering a cassette containing a polishing object;
A polishing block for polishing an object to be polished;
A cleaning block for cleaning an object to be polished after polishing;
A partition wall separating the polishing block and the cleaning block;
The polishing block is provided with a planar partition that further divides the polishing block into upper and lower chambers,
It is configured so that the internal pressure becomes lower in the order of the clean room, the cleaning block, and the polishing block ,
A polishing apparatus, wherein an air flow is formed in the order of the clean room, the cleaning block, and the polishing block from the highest internal pressure to the lowest .

前記研磨ブロックの上下に分割されたそれぞれの室に排気ダクトを設けたことを特徴とする請求項１５記載のポリッシング装置。The polishing apparatus according to claim 15 , wherein an exhaust duct is provided in each of the chambers divided above and below the polishing block .

前記それぞれの排気ダクトに開口調整バルブを設けたことを特徴とする請求項１６記載のポリッシング装置。17. The polishing apparatus according to claim 16, wherein an opening adjusting valve is provided in each of the exhaust ducts.

研磨対象物を研磨する研磨ブロックと、
研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックと、
前記研磨ブロックを配置した第１室と前記洗浄ブロックを配置した第２室とを区切る隔壁と、
前記第２室に清浄な空気を吹き降ろすフィルタとファンとを備えたフィルタブロックとを有し、
前記第２室の下部に複数の穴を上面に有する管を配置し、該管と前記フィルタブロックとを連通したポリッシング装置であって、
前記ポリッシング装置はクリーンルームに配置され、該クリーンルーム、前記第２室、前記第１室の順番で内部圧力が高い方から低い方に空気の流れを形成したものであることを特徴とするポリッシング装置。A polishing block for polishing an object to be polished;
A cleaning block for cleaning an object to be polished after polishing;
A partition wall separating the first chamber in which the polishing block is disposed and the second chamber in which the cleaning block is disposed;
A filter block having a filter and a fan for blowing clean air into the second chamber;
A polishing apparatus in which a pipe having a plurality of holes on the upper surface is arranged in the lower part of the second chamber, and the pipe and the filter block communicate with each other.
The polishing apparatus is disposed in a clean room, and forms a flow of air in the order of the clean room, the second chamber, and the first chamber from the higher internal pressure to the lower one .

吹き降ろされる清浄な空気の速度が０．３〜０．４ｍ／ｓであることを特徴とする請求項１８記載のポリッシング装置。The polishing apparatus according to claim 18 , wherein the speed of clean air blown down is 0.3 to 0.4 m / s.

前記洗浄ブロックに配置された洗浄槽、乾燥槽にはそれぞれ排気ダクトが設けられており、吹き降ろされる清浄な空気の一部が装置外へ排気されることを特徴とする請求項１８又は１９に記載のポリッシング装置。The cleaning cleaning tank arranged in the block, a drying chamber and each exhaust duct is provided in the, in claim 18 or 19 part of the clean air Fukiorosa is characterized in that it is exhausted to the outside of the apparatus The polishing apparatus as described.

前記フィルタブロックにはメイクアップエアーを補給する開口が設けられていることを特徴とする請求項１８乃至２０のいずれか１項に記載のポリッシング装置。Polishing device according to any one of claims 18 to 20, characterized in that said filter block is opened to replenish the make-up air is provided.

研磨対象物を研磨する研磨ブロックと、
研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックと、
前記研磨ブロックを配置した第１室と前記洗浄ブロックを配置した第２室とを区切る隔壁と、
前記第２室に清浄な空気を吹き降ろすフィルタとファンとを備えたフィルタブロックとを有し、
前記第２室の下部に複数の穴を上面に有する管を配置し、該管と前記フィルタブロックとを連通し、
前記管に羽板を設け、前記複数の穴の開口面積を調整可能としたことを特徴とするポリッシング装置。A polishing block for polishing an object to be polished;
A cleaning block for cleaning an object to be polished after polishing;
A partition wall separating the first chamber in which the polishing block is disposed and the second chamber in which the cleaning block is disposed;
A filter block having a filter and a fan for blowing clean air into the second chamber;
A pipe having a plurality of holes on the upper surface is arranged at the bottom of the second chamber, and the pipe and the filter block are communicated with each other .
A polishing apparatus characterized in that a blade is provided on the tube so that the opening areas of the plurality of holes can be adjusted .