JP3795867B2 - エッチング装置、エッチング方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置に係り、特にウェットエッチング装置、ウェットエッチング方法および半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、先端デバイス向けのゲート絶縁膜として高誘電率膜が用いられている。この高誘電率膜は、成膜後に行われる熱処理(アニール)によって膜の緻密化が促進され、エッチングされにくい物性へと変化する。
従来より、被エッチング膜のエッチング処理には、被エッチング膜と薬液とを接触させて、その薬液中に解離したエッチャントによりエッチングするウェットエッチング、又は、プラズマ中で励起されたラジカル及びイオン種を基板に引き込み、被エッチング膜を強制的にエッチングするドライエッチングが用いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、アニール後の高誘電率膜のような緻密な薄膜をウェットエッチングする場合、極めてエッチングレートが低いという問題があった。このため、スループットが著しく低下してしまうという問題があった。
また、ウェットエッチングに代えて緻密な薄膜をドライエッチングする場合、ウェットエッチングよりも高いエッチングレートが得られるが、除去すべきでない下地膜まで連続的にエッチングしてしまうという問題があった。すなわち、ドライエッチングでは下地膜に対するエッチング選択比が十分に得られないという問題があった。
従来、このようなエッチング困難性が、高誘電率膜を先端デバイスに適用する際に大きな障害となっていた。
【0004】
本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたもので、被加工膜の下地膜に対するエッチング選択比が高く、高いエッチングレートを有するエッチング装置およびエッチング方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決する為の手段】
本発明に係るエッチング装置は、基板上の被加工膜であるHfO 2 膜またはHfAlO膜をウェットエッチングするエッチング装置であって、
前記被加工膜上に薬液を供給する薬液供給部と、
前記薬液と対向する面に界面活性剤の層が設けられた光透過窓を有し、該光透過窓を通した紫外光を前記薬液を介して前記被加工膜に照射する紫外光照射部とを備え、
前記紫外光照射部から前記被加工膜を形成する分子の結合エネルギーよりも高いエネルギーを有する前記紫外光を照射することにより前記被加工膜の分子の結合を切断し、この切断された分子を前記薬液によりエッチングすることを特徴とするものである。
【0007】
本発明に係るエッチング装置において、前記紫外光照射部は、前記被加工膜から2mm〜5mm離れた位置に配置されることが好適である。
【0008】
本発明に係るエッチング装置において、前記紫外光照射部は、
前記紫外光を発する光源と、
該光源を収納し、前記被加工膜と対向する面に光透過窓を有する収納部とを備え、
前記薬液供給部は、前記光透過窓と前記被加工膜との隙間の側方に配置され、先端部分が該隙間に差し込まれたノズルを備え、
該ノズルは、前記光源から前記紫外光が発せられる間、連続して前記隙間に薬液を供給するものであることが好適である。
【0010】
本発明に係るエッチング装置において、前記薬液供給部は、前記ノズルに接続された切替バルブと、
前記切替バルブに接続され、前記薬液を供給する配管と、
前記切替バルブに接続され、洗浄液を供給する配管とを更に備えることが好適である。
【0011】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記エッチング装置を用いて被加工膜であるHfO 2 膜またはHfAlO膜をウェットエッチングする工程を含み、
前記被加工膜をウェットエッチングする工程は、
前記被加工膜上に薬液を供給する第1サブステップと、
前記光透過窓を通した紫外光を前記薬液を介して前記被加工膜に照射する第2サブステップとを含み、
前記第2サブステップでは、前記被加工膜を形成する分子の結合エネルギーよりも高いエネルギーを有する紫外光を照射することにより前記被加工膜の分子の結合を切断し、この切断された分子を前記薬液によりエッチングすることを特徴とするものである。
【0012】
本発明に係るエッチング方法は、基板上の被加工膜であるHfO 2 膜またはHfAlO膜をウェットエッチングする方法であって、
前記被加工膜上に薬液を供給する工程と、
前記薬液と対向する面に界面活性剤の層を有する光透過窓を通した紫外光を前記薬液を介して前記被加工膜に照射する工程とを含み、
前記紫外光を照射する工程では、前記被加工膜を形成する分子の結合エネルギーよりも高いエネルギーを有する紫外光を照射することにより前記被加工膜の分子の結合を切断し、この切断された分子を前記薬液によりエッチングすることを特徴とするものである。
【0013】
本発明に係るエッチング方法において、前記薬液を供給する工程と、前記紫外光を照射する工程とを同時に行うことが好適である。
【0014】
本発明に係るエッチング方法において、前記紫外光が前記被加工膜に照射されている間は、常に前記基板の一方の端から薬液の供給を行い、前記基板の他方の端から薬液の排出を行うことで、薬液を供給し続けることが好適である。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図中、同一または相当する部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省略することがある。
【0016】
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1によるエッチング装置を説明するための概略断面図である。詳細には、基板上に形成された被エッチング膜をウェットエッチングするエッチング装置を説明するための図である。
【0017】
図1に示すように、緻密な薄膜である被エッチング膜(被加工膜)が形成された基板11が、回転ステージ5上に回転自在に保持される。詳細には、回転ステージ5上にはピン4が複数設けられており、基板11の端部(側縁部)がこれらのピン4により挟み込まれることにより固定されている。なお、基板11を静電チャックにより保持してもよい。
【0018】
回転ステージ5の中心には回転軸6が設けられ、この回転軸6を中心に回転ステージ5が回転することにより基板11も所望の回転速度で回転する。回転ステージ5は、例えば、薬液塗布時に300〜500rpm程度の回転速度で回転し、乾燥時に2000〜3000rpm程度の回転速度で回転する。
【0019】
また、被エッチング膜は、例えば、ALD(Atomic Layer Deposition)法を用いて成膜した後に、アニール処理(PDA:Post Deposition Annealing)が施されたHfO2膜やHfAlO膜のような高誘電率膜(High−k膜)である。
【0020】
薬液配管7先端に設けられたノズル8から薬液9が、基板11上の被エッチング膜表面に供給される。薬液配管7は、バルブやポンプを介して薬液を貯留する薬液槽に、又は付帯設備の薬液供給ラインに接続されている(図示省略)。
また、薬液9は、例えば、リン酸系ベースのエッチャントを含有するものを用いることができる。なお、所望の特性を得るため、薬液9に、界面活性剤等を添加してもよい。
【0021】
基板11の上方には、薬液9を介して被エッチング膜に紫外光を照射する光源1であるランプを収納したランプハウス2が配置されている。ランプ1としては、例えば、KrCl(波長222nm),Xe2(172nm),Kr2(147nm),Ar2(126nm)エキシマランプ等を用いることができる。ここで、ランプ1は、被エッチング膜を形成する分子の結合エネルギーよりも高いエネルギーで紫外光を照射する。紫外光のエネルギーは、紫外光の照射時間により制御可能であり、照射時間は例えば10sec〜200secである。
また、ランプ1から発せられた紫外光の波長に対して高い透過率を有するように、薬液9の材料や、被エッチング膜上の厚み等が制御される。
【0022】
ランプハウス2の下面には、基板11と同じか、或いはそれ以上のサイズを有する開口が形成されている。この開口は、ランプ1から発せられた紫外光が透過する材質で形成された光透過窓3で覆われている。この光透過窓3は、例えば、石英ガラスで形成された窓(以下「石英ガラス窓」という。)である。
また、石英ガラス窓3により密閉されたランプハウス2の内部は、窒素等の不活性ガスが充填されている。これにより、酸素存在下で吸収される波長を有するランプ1を使用することができる。石英ガラス窓3における紫外光の照度は、例えば、5〜20mW/cm2程度が好適である。
【0023】
ランプハウス2の上面には、該ランプハウス2を上下方向に駆動する駆動部10が設けられている。この駆動部10の駆動により、紫外光を照射する際にはランプハウス2が基板11近傍に配置され、ランプ1からの紫外光を至近距離にある被エッチング膜に作用させることができる。詳細には、基板11表面から2mm〜5mm程度離れた上方に石英ガラス窓3が位置するように、ランプハウス2が配置される。
【0024】
次に、上記エッチング装置の動作、すなわち被エッチング膜のウェットエッチングについて説明する。
先ず、被エッチング膜としてHfO2膜が形成された基板11を、ピン4により回転ステージ5上に固定する。そして、回転軸6を中心に回転ステージ5を回転させることにより基板11を300〜500rpmの回転速度で回転させながら、ノズル8から基板11上にリン酸系ベースのエッチャントを含む薬液9を供給する。その後、薬液9が基板11上に十分に薄くかつ均一に広がった時点で、回転を止める。このとき、薬液9は基板11から流れ去ることなく、基板11全体に所望の厚みで塗布されている。
【0025】
そして、石英ガラス窓3がピン4に干渉せず、基板11表面から2mm〜5mm程度離れた位置となるように、駆動部10によりランプハウス2を下降させ、予め点灯させておいたランプ1から薬液9を介してHfO2膜に紫外光を照射する。このとき、紫外光の光エネルギーがHfO2膜のHf−O結合を切断し、予め塗布しておいた薬液9に含まれるエッチャントによりエッチング反応が進行する。
【0026】
所望のエッチング終了後、ランプ1による紫外光照射を止め、駆動部10によりランプハウス2を上昇させるとともに、別途水洗ノズルから超純水を基板11上に吐出させ、基板11上に残留する薬液9を洗い流す。
その後、回転ステージ5により基板11を2000〜3000rpm程度で回転させることにより、基板11上の超純水を振り切り、乾燥を行う。
【0027】
以上説明したように、本実施の形態1では、緻密な被エッチング膜上に薬液9を供給した後、該被エッチング膜を形成する分子の結合エネルギーを上回る光エネルギーを有する紫外光を薬液9を介して被エッチング膜に照射した。この紫外光の照射により、被エッチング膜を形成する分子の結合が切断され、薬液9と接触する被エッチング膜のエッチングレートが大幅に増大する。すなわち、被エッチング膜の分子結合が最も切断された状態でウェットエッチングすることにより、エッチングレートを大幅に増大させることができる。従って、エッチング処理時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。また、下地膜に対して高いエッチング選択比を有するため、ドライエッチングを用いる場合のように下地膜を連続してエッチングするような問題も発生しない。これにより、先端デバイスに緻密な高誘電率膜を適用することができる。
【0028】
また、本実施の形態1で用いられる薬液9は、ランプ1が有する波長に対して高い透過率を有する。このため、ランプ1から発せられた紫外光が薬液9によりほとんど吸収されず、該紫外光は十分な光エネルギーで被エッチング膜に到達することができる。よって、薬液9による紫外光の光エネルギーのロスを極力低減することが可能である。
【0029】
また、熱交換器やホットプレート等を用いて薬液9や基板11の温度を上げることにより、エッチングレートを更に向上させることができる。しかし、この場合、薬液9の蒸発量が増加することとなり、ランプハウス2下部の石英ガラス窓3の表面に、結露による曇りが生じてしまう可能性がある。この曇りにより紫外光が散乱してしまい、被エッチング膜への紫外光の作用が不十分となる可能性がある。
この対策として、疎水基を有する界面活性剤等を石英ガラス窓3に塗布することが好適である。この界面活性剤の膜により、石英ガラス窓3の結露を防止することができ、紫外光の光エネルギーのロスを防止することが可能となる(後述する実施の形態2についても同様)。
【0030】
また、薬液9を1回供給しただけでは、エッチング中に消費される薬液9中のエッチャントの量が不十分で、途中でエッチング反応が止まってしまう場合も考えられる。このようにエッチャントの供給律速になる場合には、駆動部10によりランプハウス2を一旦基板11近傍から離して(上昇させて)、再度ノズル8から薬液9を供給した後、ランプハウス2を基板11近傍に下降させて紫外光照射を再度行うのがよい。
【0031】
しかし、エッチングのメカニズム上、極めてエッチャントの供給律速になる場合には、薬液供給と紫外光照射とを何回も繰り返す必要があるため、プロセス時間が長くなり、スループットが低下してしまう。また、薬液塗布後に照射される紫外光の光エネルギーが与える熱により薬液9が乾燥してしまい、エッチング後の水洗時に不可逆な状態に変化する場合がある。かかる場合に、有効な手段を後述の実施の形態2として説明する。
【0032】
なお、本実施の形態1では、被エッチング膜が高誘電率膜である場合について説明したが、これに限らず、ウェットエッチングレートが低い膜に対して本発明を適用することができ、特に緻密な薄膜に対して好適である(後述する実施の形態2についても同様)。
【0033】
また、本発明者は、本実施の形態1の比較例として、ランプ1から被エッチング膜に紫外光を最初に照射した後、被エッチング膜上に薬液9の塗布を行った。しかし、この比較例では、本実施の形態1と比較してエッチングレートの増大が僅かであり、所望の効果が得られなかった。
【0034】
実施の形態2.
図2は、本発明の実施の形態2によるエッチング装置を説明するための概略断面図であり、図3は、図2に示したエッチング装置における基板近傍を示す上面図である。
本実施の形態2によるエッチング装置は、上述したように、極めてエッチャントの供給律速になる場合に特に好適である。
【0035】
図2に示すように、被エッチング膜が形成された基板11は、該基板11よりも広い面積を有する板状のステージ12上に保持される。ステージ12上には例えば2〜5mmの高さを有するピン4が複数設けられ、基板11の端部がこれらのピン4により挟み込まれることにより固定されている。
【0036】
実施の形態1と同様に、ランプ1を収納したランプハウス2は、駆動部10により上下方向に移動する。紫外光を照射する際には、基板11表面から2mm〜5mm程度離れた上方に石英ガラス窓3が位置するように、ランプハウス2が配置される。
【0037】
石英ガラス窓3と基板11との隙間には、該隙間の側方に配置されたスリット状のフラットノズル13の先端部分が差し込まれ、フラットノズル13から隙間に薬液9が連続的に供給される。ここで、図3に示すように、ステージ12上には、フラットノズル13と直交し、基板11を挟み込むように一対のガイド16が形成されている。これにより、フラットノズル13から基板11の一端に供給された薬液9は、ガイド16によりその一端と対向する他端の方向(すなわち、フラットノズル13の反対方向)に導かれ、徐々にその隙間を満たしていく。さらに、フラットノズル13から供給された薬液9の過剰分は、フラットノズル13の反対方向から流れ出る。
【0038】
また、フラットノズル13は配管15の一端に接続されている。配管15の他端は、切替バルブ14を介して、薬液用配管15aと超純水用配管15bとに接続されている。すなわち、切替バルブ14の切り替え動作により、フラットノズル13及び配管15が、薬液用配管15a又は超純水用配管15bと接続される。
【0039】
次に、上記エッチング装置の動作、すなわち被エッチング膜のウェットエッチングについて説明する。
先ず、被エッチング膜としてHfO2膜が形成された基板11を、ステージ12上に固定する。
そして、石英ガラス窓3がピン4に干渉せず、基板11表面から2mm〜5mm程度離れた位置となるように、駆動部10によりランプハウス2を下降させる。
【0040】
次に、石英ガラス窓3と基板11との隙間に側方からフラットノズル13の先端部分を差し込み、フラットノズル13から連続的に該隙間に薬液9を供給する。この薬液9の供給と同時に、ランプ1から薬液9を介してHfO2膜に紫外光を照射する。
このとき、紫外光の光エネルギーがHfO2膜のHf−O結合を切断し、フラットノズル13から供給された薬液9に含まれるエッチャントによりエッチング反応が進行する。また、フラットノズル13から供給された薬液9はガイド16によりフラットノズル13の反対側に導かれ上記隙間を徐々に埋めていき、その後上記隙間を満たす。さらに一定流量で薬液9を供給し続けることにより、過剰の薬液9はフラットノズル13の反対側の基板11の外に流出する。これにより、被エッチング膜上には、エッチャントリッチな薬液9が供給される。
【0041】
所望のエッチング終了後、ランプ1による紫外光照射を止める。そして、ランプハウス2の位置はそのままの状態で、切替バルブ14を切り替えて、フラットノズル13から上記隙間に超純水を供給して、基板11上に残留する薬液9を洗い流す。このとき、基板11上に残存する薬液9を洗い流すだけでなく、石英ガラス窓3のように薬液9と接液した部分の洗浄も同時に行われる。
【0042】
以上説明したように、本実施の形態2では、フラットノズル13による薬液9の供給と、ランプ1による紫外光の照射とを同時に行ってウェットエッチングした。従って、実施の形態1と同様の効果が得られる。
さらに、本実施の形態2では、ウェットエッチングの間、すなわちランプ1により紫外光を照射している間に、石英ガラス窓3と基板11との間の隙間に、フラットノズル13により薬液9を連続して供給するようにした。これにより、被エッチング膜上に常にエッチャントリッチな薬液9を供給することができる。従って、実施の形態1よりもエッチングレートを更に増大させることができる。よって、上述した極めてエッチャント供給律速のエッチング反応の場合でも、薬液供給と紫外光照射とを繰り返す必要がなく、プロセス時間が長くなりスループットが低下することを防止することができる。また、薬液9が乾燥して水洗時に不可逆な状態に変化することも防止することができる。
また、本実施の形態2では、切替バルブ14の切替動作により、フラットノズル13から超純水を供給するようにした。これにより、基板11の洗浄だけでなく、フラットノズル13や石英ガラス窓3のような接液部分の洗浄を行うことができる。よって、別途超純水用のノズルを設ける必要がなく、エッチング装置の簡略化およびコスト低減が可能となる。
【0043】
【発明の効果】
本発明によれば、被加工膜の下地膜に対するエッチング選択比が高く、高いエッチングレートを有するエッチング装置およびエッチング方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1によるエッチング装置を説明するための概略断面図である。
【図2】 本発明の実施の形態2によるエッチング装置を説明するための概略断面図である。
【図3】 図2に示したエッチング装置における基板近傍を示す上面図である。
【符号の説明】
1 光源(ランプ)
2 ランプハウス
3 光透過窓(石英ガラス窓)
4 ピン
5 回転ステージ
6 回転軸
7 薬液配管
8 ノズル
9 薬液
10 駆動部
11 基板
12 ステージ
13 フラットノズル
14 切替バルブ
15 配管
15a 薬液用配管
15b 超純水用配管
16 ガイド
Claims (8)
- 基板上の被加工膜であるHfO 2 膜またはHfAlO膜をウェットエッチングするエッチング装置であって、
前記被加工膜上に薬液を供給する薬液供給部と、
前記薬液と対向する面に界面活性剤の層が設けられた光透過窓を有し、該光透過窓を通した紫外光を前記薬液を介して前記被加工膜に照射する紫外光照射部とを備え、
前記紫外光照射部から前記被加工膜を形成する分子の結合エネルギーよりも高いエネルギーを有する前記紫外光を照射することにより前記被加工膜の分子の結合を切断し、この切断された分子を前記薬液によりエッチングすることを特徴とするエッチング装置。 - 請求項1に記載のエッチング装置において、
前記紫外光照射部は、前記被加工膜から2mm〜5mm離れた位置に配置されたことを特徴とするエッチング装置。 - 請求項1又は2に記載のエッチング装置において、
前記紫外光照射部は、
前記紫外光を発する光源と、
該光源を収納し、前記被加工膜と対向する面に光透過窓を有する収納部とを備え、
前記薬液供給部は、前記光透過窓と前記被加工膜との隙間の側方に配置され、先端部分が該隙間に差し込まれたノズルを備え、
該ノズルは、前記光源から前記紫外光が発せられる間、連続して前記隙間に薬液を供給するものであることを特徴とするエッチング装置。 - 請求項3に記載のエッチング装置において、
前記薬液供給部は、前記ノズルに接続された切替バルブと、
前記切替バルブに接続され、前記薬液を供給する配管と、
前記切替バルブに接続され、洗浄液を供給する配管とを更に備えたことを特徴とするエッチング装置。 - 請求項1から4の何れかに記載のエッチング装置を用いて被加工膜であるHfO 2 膜またはHfAlO膜をウェットエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記被加工膜をウェットエッチングする工程は、
前記被加工膜上に薬液を供給する第1サブステップと、
前記光透過窓を通した紫外光を前記薬液を介して前記被加工膜に照射する第2サブステップとを含み、
前記第2サブステップでは、前記被加工膜を形成する分子の結合エネルギーよりも高いエネルギーを有する紫外光を照射することにより前記被加工膜の分子の結合を切断し、この切断された分子を前記薬液によりエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板上の被加工膜であるHfO 2 膜またはHfAlO膜をウェットエッチングする方法であって、
前記被加工膜上に薬液を供給する工程と、
前記薬液と対向する面に界面活性剤の層が設けられた光透過窓を通した紫外光を前記薬液を介して前記被加工膜に照射する工程とを含み、
前記紫外光を照射する工程では、前記被加工膜を形成する分子の結合エネルギーよりも高いエネルギーを有する紫外光を照射することにより前記被加工膜の分子の結合を切断し、この切断された分子を前記薬液によりエッチングすることを特徴とするエッチング方法。 - 請求項6に記載のエッチング方法において、
前記薬液を供給する工程と、前記紫外光を照射する工程とを同時に行うことを特徴とするエッチング方法。 - 請求項6に記載のエッチング方法において、
前記紫外光が前記被加工膜に照射されている間は、常に前記基板の一方の端から薬液の供給を行い、前記基板の他方の端から薬液の排出を行うことで、薬液を供給し続けることを特徴とするエッチング方法。
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