JP3773458B2 - Substrate processing method and apparatus - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板(以下、単に基板と称する)に所定の処理を施す基板処理方法及びその装置に係り、特に高誘電率材料を含む膜材料が被着された基板を処理する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年における半導体分野においては、トランジスタ等の素子の微細化により多くの機能を備えるLSIが発展している。そのため回路の動作速度が高められてきているが、その過程においてゲート酸化絶縁膜の薄膜化が限界に達しつつある。つまり、薄膜化に伴うリーク電流の増大が大きな問題となっている。
【0003】
そこで、この問題を解決するために従来からゲート絶縁膜に用いられてきた酸化膜に代えて、誘電率が高くリーク電流を低く抑えることが可能な新材料として高誘電率材料が注目を集めている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、高誘電率材料であって半導体分野において利用可能な材料としては、アルミニウムやハフニウム等の金属酸化物があるが、これらは従来から用いられているエッチングや洗浄のための処理液では処理できないという問題がある。そのため、従来の材料にとってかわる有望な高誘電率材料が検討されているにもかかわらず、その利用が促進されていないのである。
【0005】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、高誘電率材料を用いた基板を好適に処理することができる基板処理方法及びその装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記の問題を解決するために次のような知見を得た。
すなわち、高誘電率材料を選択的に処理することができ、かつ、処理したことにより高誘電率材料による基板の汚染が生じないことを条件に種々の実験を行った結果、硫酸を含む処理液を加熱することにより上記の条件を満たすことを見出したのである。このような知見に基づく本発明は次のように構成されている。
【0007】
すなわち、請求項1に記載の発明は、硫酸を含む処理液を150〜180℃の範囲で加熱し、この処理液で、アルミニウムAl、ハフニウムHf、ジルコニウムZrのいずれか一つを含む酸化物またはケイ酸塩またはアルミン酸塩である高誘電率材料を含む膜材料が被着された基板を処理することを特徴とするものである。
【0008】
(作用・効果)本発明者等は、硫酸を含む処理液を加熱し、その加熱した処理液によって高誘電率材料を処理する実験を行った結果、一定温度を超えるあたりから、アルミニウムAl、ハフニウムHf、ジルコニウムZrのいずれか一つを含む酸化物またはケイ酸塩またはアルミン酸塩である高誘電率材料を処理することができることを見出した。そこで、150〜180℃の範囲で加熱した処理液を用いて高誘電率材料を処理することにより、高誘電率材料を選択的に処理することができ、しかも基板の汚染が生じないことを確認した。このように硫酸を含む処理液を150〜180℃の範囲で加熱した上で処理に用いることにより、高誘電率材料を用いた基板を好適に処理することができる。
【0009】
具体的には、Al 2 O 3 ,HfSi x O y ,HfO 2 ,HfSi x O y ,ZrAl x O y ,ZrO 2 などが例示される。
【0010】
また、上記の処理液における硫酸濃度は、種々の実験により、20〜100重量%の範囲にあることが好ましい(請求項2)。
【0011】
(削除)
【0012】
(削除)
【0013】
また、上記の基板処理方法を実施するには、請求項3に記載のように、アルミニウムAl、ハフニウムHf、ジルコニウムZrのいずれか一つを含む酸化物またはケイ酸塩またはアルミン酸塩である高誘電率材料を含む膜材料が被着された基板を処理する基板処理装置において、基板を収容して処理を施すための処理槽と、前記処理槽に硫酸を含む処理液を供給する処理液配管と、前記処理液を150〜180℃の範囲で加熱するための加熱手段と、を備えていることが好ましい。
【0014】
(作用・効果)処理槽には処理液配管を通して硫酸を含む処理液を供給して処理を施すが、その処理液を加熱手段によって150〜180℃の範囲で加熱することにより、アルミニウムAl、ハフニウムHf、ジルコニウムZrのいずれか一つを含む酸化物またはケイ酸塩またはアルミン酸塩である高誘電率材料を被着された基板を好適に処理することができる。
【0015】
また、請求項5に記載のように、前記加熱手段は、前記処理液配管に配設されていることが好ましい。
【0016】
(作用・効果)硫酸を含む処理液を加熱するには、処理液配管に加熱手段を配設して、処理液配管を流通する処理液を加熱する。これにより、処理槽に貯留した処理液を加熱する方式に比較して効率的に加熱することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
<基板処理方法>
図1は、本発明方法による実験結果を示すグラフである。
このグラフは、高誘電率材料を含む膜材料が被着された基板をエッチング処理する実験を行い、その結果であるエッチングレートをグラフ化したものである。エッチング処理には、硫酸を含む処理液を用い、その処理液の加熱温度を変えながら温度ごとにエッチングレートを測定した。
【0018】
具体的な加熱温度は、23℃、150℃、160℃、170℃、180℃である。なお、加熱温度の上限が180℃となっているのは、実験装置における加熱限度に起因する。
【0019】
実験における処理液中の硫酸濃度は96重量%であるが、20〜100重量%の範囲であれば同様の効果を奏する。硫酸濃度が20重量%未満では、エッチングレートが遅くなり過ぎて実用範囲外となる。
【0020】
サンプルとしては、高誘電率材料を被着する手法として有機金属原料化学気相成長法(MO CVD)法を用いたものと、原子層化学気相成長(AL CVD)法を用いたものとがある。高誘電率材料としては、ジルコニウムZrと、ハフニウムHfを用いた。具体的には、MO CVD法によるZrO2と、AL CVD法によるZrO2と、MO CVD法によるHfO2とHfSiOxとである。
【0021】
なお、上記の高誘電率材料の比較の対象としては、従来から用いられている熱酸化膜と、アモルファスシリコンにPインプラントしたものと、アモルファスシリコンとの三種類を用いた。
【0022】
図1のグラフから明らかなように、硫酸を含む処理液を加熱してゆくと、100℃あたり、さらに150℃を越えるあたりから高誘電率材料(図中のhigh-kで示すグループ)に対するエッチングレートが高くなることがわかる。それに対して従来の材料(図中にRef.で示すグループ)では、処理液を加熱しても高誘電率材料ほどにはエッチングレートが高くならないことがわかる。
【0023】
つまり、ゲート絶縁酸化膜として高誘電率材料を用いた場合に、基板に使用されている従来の材料に対しては処理液による作用が極めて少ないことを示し、上記処理液による選択的な処理が可能であることを示す。また、処理液には硫酸を含むので、有機物等が完全に除去できるとともに、高誘電率材料が溶け出すことによる基板の汚染は生じない。
【0024】
上記の実験結果から、処理液の加熱温度がほぼ100〜200℃の範囲においてエッチングレートが適切であり実用範囲にあることがわかる。したがって、硫酸を20〜100重量%の範囲で含む処理液を100〜200℃、好ましくは150〜180℃の範囲で加熱して、高誘電材料を含む膜材料が被着された基板の処理に使用すると好適に処理を行うことができる。
【0025】
次に、図2を参照して上述した基板処理方法による処理の具体例について簡単に説明する。なお、図2は、本発明方法よる具体的な処理の説明に供する図であり、図2(a)はエッチング前を示し、図2(b)はドライエッチング後を示し、図2(c)は処理液によるエッチング後を示す。
【0026】
基板Wは、Siの上部に高誘電率材料(High−k)HK、ゲート電極としてPoly−Si、PSGが既に形成されているものとする。さらに、その上部には、マスク(レジスト)Mが選択的に形成されているものとする。なお、処理液には硫酸が含まれているので、マスクMとしては硫酸に耐性を有するPoly−Si,SiO2,SiNを含む材料が好ましい。
【0027】
図2(a)に示すように、マスクMを形成した状態の基板Wをドライエッチングする。これにより、図2(b)に示すように、マスクMで被覆されていない部分のPSGがエッチングされているとともに、高誘電率材料(High−k)HKが厚み方向の途中までドライエッチングされる。
【0028】
最後に、ドライエッチング後の基板Wを上記範囲に加熱した処理液中に浸漬させる。これにより図2(c)に示すように、残存されている高誘電率材料(High−k)HKが処理液によってエッチングされて除去される。
【0029】
<基板処理装置>
次に、上述した基板処理方法を好適に実施することができる基板処理装置について図3を参照しながら説明する。なお、図3は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【0030】
この基板処理装置は、保持アーム11と、処理槽13と、処理液配管15とを備えている。保持アーム11は、処理を施すための複数枚の基板Wを保持し、処理槽13の上方と、図3に示す浸漬位置(処理位置)との間を昇降可能に構成されている。処理槽13は、その底部に、処理液を注入する注入管17を備えている。また、その上部周囲には、溢れた処理液を回収して排出する回収槽19を備えている。注入管17には、処理液配管15が連通接続されている。
【0031】
処理液配管15は、フィルタ21と、本発明における加熱手段に相当する加熱器23と、第1供給配管25と、第2供給配管27とを備えている。フィルタ21は処理液中のパーティクル等を除去するものであり、加熱器23は処理液を所定の温度に昇温調節する。第1供給配管25には、純水供給源29が配備され、その流量と開閉を制御する制御弁31が取り付けられている。第2供給配管27には、処理液供給源33が配備され、その流量と開閉を制御する制御弁35が取り付けられている。なお、処理液供給源33に貯留されている処理液は、既に上記の硫酸濃度となるように調整されている。
【0032】
制御部37は、制御弁31,35の開閉とともに流量を制御する。また、制御部37は、加熱器23を制御し、処理液配管15を流れる処理液を上記加熱温度に加熱する。また、必要に応じて、制御部37は制御弁31,35を制御して、処理液の濃度を調整する。
【0033】
このように構成された基板処理装置では、制御部37が制御弁35を開放して、所定濃度の処理液を処理液配管15に供給する。処理液配管15に供給された処理液は、加熱器23により所定温度となるように加熱された後、処理槽13に供給される。処理液が処理槽13を満たし、回収槽19に溢れた後、処理槽13の上方に待機していた保持アーム11が基板Wを保持したまま図3に示す浸漬位置にまで下降する。所定時間が経過した後、制御部37は制御弁35を閉止するとともに、制御弁31を開放して純水を処理槽13に供給する。これにより基板Wに対する処理が停止されるとともに、純水洗浄処理が行われる。
【0034】
このように構成された基板処理装置によると、上述した基板処理方法を好適に実施することができ、高誘電材料を含む膜材料が被着された基板Wを好適に処理することができる。
【0035】
<第1の変形例>
次に、図4を参照して基板処理装置の変形例について説明する。
なお、上述した基板処理装置と同じ構成のものについては同符号を付して詳細な説明については省略する。
【0036】
上記の基板処理装置は、処理槽13から回収槽19に溢れた処理液が排出されているが、この変形例に示した装置では回収槽19に溢れた処理液が循環するようになっている。
【0037】
具体的には、処理液配管15Aが注入管17と回収槽19とに連通接続されている。処理液配管15Aには、さらに制御弁39と、混合部41と、ポンプ43とが配備されている。制御弁39は、制御部37の制御の下で処理液配管15Aの流通や流量を制御する。混合部41は、純水供給源29からの純水と、処理液供給源33からの処理液とを処理液配管15Aに注入する。ポンプ43は、処理液配管15A中の処理液や純水を循環させる。
【0038】
このような第1変形例に示す構成の基板処理装置であっても、上述した基板処理装置と同様の効果を得ることができる。
【0039】
<第2の変形例>
次に、図5を参照して基板処理装置のもう一つの変形例について説明する。
なお、上記の装置と同じ構成のものについては同符号を付して詳細な説明については省略する。
【0040】
この装置は、処理液配管15Aに加熱器が設けられておらず、上記装置よりも貯留量が大きめにされた回収槽19Aにヒータ45が配備されている。したがって、回収槽19A内に溢れた処理液がヒータ45によって加熱されて、上記の加熱範囲となるように制御部37によって制御されるようになっている。加熱された処理液はポンプ43によって処理液配管15Aを流通され、処理槽13と回収槽19Aの間を循環する。
【0041】
このように構成された装置は、上記装置と同様の効果を奏することができる。また、上述した装置に比較して加熱の効率が悪いものの、処理液配管15Aの構成を簡易化することができるという利点がある。
【0042】
なお、上述した装置は、複数枚の基板Wを一括して処理するバッチ処理を例に採って説明したが、本発明は枚葉式であっても適用できる。
【0043】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、硫酸を含む処理液を150〜180℃の範囲で加熱した上で処理に用いることにより、アルミニウムAl、ハフニウムHf、ジルコニウムZrのいずれか一つを含む酸化物またはケイ酸塩またはアルミン酸塩である高誘電率材料を用いた基板を好適に処理できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明方法による実験結果を示すグラフである。
【図2】 本発明方法による具体的な処理の説明に供する図であり、(a)はエッチング前を示し、(b)はドライエッチング後を示し、(c)は処理液によるエッチング後を示す。
【図3】 実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図4】 基板処理装置の第1の変形例を示す図である。
【図5】 基板処理装置の第2の変形例を示す図である。
【符号の説明】
W … 基板
Si … シリコン
HK … 高誘電率材料(High−k)を含む膜材料
M … マスク
13 … 処理槽
15 … 処理液配管
19 … 回収槽
23 … 加熱器(加熱手段)
29 … 純水供給源
31 … 制御弁
33 … 処理液供給源
35 … 制御弁
37 … 制御部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing method and apparatus for performing a predetermined process on a glass substrate (hereinafter simply referred to as a substrate) for a semiconductor wafer or a liquid crystal display device, and in particular, a film material containing a high dielectric constant material is deposited. TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
[0002]
[Prior art]
In the semiconductor field in recent years, LSIs having many functions have been developed by miniaturization of elements such as transistors. Therefore, the operation speed of the circuit has been increased, but in the process, the reduction in the thickness of the gate oxide insulating film is reaching its limit. In other words, an increase in leakage current accompanying the reduction in thickness is a big problem.
[0003]
Therefore, in order to solve this problem, high dielectric constant materials have attracted attention as a new material that has a high dielectric constant and can suppress leakage current, instead of the oxide film that has been used for the gate insulating film. Yes.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
That is, as a material having a high dielectric constant and usable in the semiconductor field, there are metal oxides such as aluminum and hafnium. However, these cannot be processed with conventionally used processing solutions for etching and cleaning. There is a problem. Therefore, despite the investigation of promising high dielectric constant materials that replace conventional materials, their use has not been promoted.
[0005]
This invention is made | formed in view of such a situation, Comprising: It aims at providing the substrate processing method and apparatus which can process the board | substrate using a high dielectric constant material suitably.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The present inventors have obtained the following knowledge in order to solve the above problems.
That is, as a result of various experiments conducted under the condition that the high dielectric constant material can be selectively treated and the substrate is not contaminated by the treatment, a treatment liquid containing sulfuric acid is obtained. It was found that the above-mentioned conditions are satisfied by heating. The present invention based on such knowledge is configured as follows.
[0007]
That is, in the invention described in claim 1, the treatment liquid containing sulfuric acid is heated in a range of 150 to 180 ° C., and the treatment liquid contains an oxide containing any one of aluminum Al, hafnium Hf, and zirconium Zr, or The substrate is treated with a film material including a high dielectric constant material which is silicate or aluminate .
[0008]
(Operation and Effect) The present inventors have, as a result of experiment for processing the high dielectric constant material by the treatment liquid by heating the treating solution containing sulfuric acid, and the heated, from around exceeding a certain temperature, aluminum Al, hafnium It has been found that high dielectric constant materials that are oxides or silicates or aluminates containing any one of Hf and zirconium Zr can be processed. Therefore, it is confirmed that the high dielectric constant material can be selectively treated by processing the high dielectric constant material using the treatment liquid heated in the range of 150 to 180 ° C., and the substrate is not contaminated. did. Thus, the board | substrate using a high dielectric constant material can be processed suitably by using for a process, after heating the process liquid containing a sulfuric acid in the range of 150-180 degreeC.
[0009]
Specifically, Al 2 O 3 , HfSi x O y , HfO 2 , HfSi x O y , ZrAl x O y , ZrO 2 and the like are exemplified.
[0010]
Moreover, it is preferable that the sulfuric acid concentration in said process liquid exists in the range of 20-100 weight% by various experiment (Claim 2).
[0011]
(Delete)
[0012]
(Delete)
[0013]
In order to carry out the substrate processing method described above, as described in claim 3 , an oxide, silicate, or aluminate containing any one of aluminum Al, hafnium Hf, and zirconium Zr is used. In a substrate processing apparatus for processing a substrate coated with a film material including a dielectric constant material, a processing tank for storing the substrate and performing processing, and a processing liquid pipe for supplying a processing liquid containing sulfuric acid to the processing tank And a heating means for heating the treatment liquid in a range of 150 to 180 ° C.
[0014]
(Operation / Effect) The treatment tank is supplied with a treatment solution containing sulfuric acid through a treatment solution pipe, and the treatment solution is heated in the range of 150 to 180 ° C. by a heating means to obtain aluminum Al, hafnium. A substrate coated with a high dielectric constant material that is an oxide, silicate, or aluminate containing any one of Hf and zirconium Zr can be suitably processed.
[0015]
Moreover, it is preferable that the said heating means is arrange | positioned in the said process liquid piping as described in Claim 5 .
[0016]
(Operation / Effect) In order to heat the treatment liquid containing sulfuric acid, a heating means is provided in the treatment liquid pipe, and the treatment liquid flowing through the treatment liquid pipe is heated. Thereby, it can heat efficiently compared with the system which heats the processing liquid stored in the processing tank.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
<Substrate processing method>
FIG. 1 is a graph showing experimental results by the method of the present invention.
This graph is a graph of the etching rate as a result of an experiment in which a substrate coated with a film material containing a high dielectric constant material is etched. For the etching process, a processing solution containing sulfuric acid was used, and the etching rate was measured for each temperature while changing the heating temperature of the processing solution.
[0018]
Specific heating temperatures are 23 ° C., 150 ° C., 160 ° C., 170 ° C., and 180 ° C. The upper limit of the heating temperature is 180 ° C. due to the heating limit in the experimental apparatus.
[0019]
The sulfuric acid concentration in the treatment liquid in the experiment is 96% by weight, but the same effect is obtained if it is in the range of 20 to 100% by weight. If the sulfuric acid concentration is less than 20% by weight, the etching rate becomes too slow and falls outside the practical range.
[0020]
Samples include those using the organic metal source chemical vapor deposition (MO CVD) method and those using the atomic layer chemical vapor deposition (AL CVD) method for depositing a high dielectric constant material. is there. Zirconium Zr and hafnium Hf were used as the high dielectric constant material. Specifically, the ZrO 2 by MO CVD method, and ZrO 2 by AL CVD method is a HfO 2 and HfSiO x by MO CVD method.
[0021]
In addition, as a comparison target of the above-described high dielectric constant materials, three types were used: a conventionally used thermal oxide film, an amorphous silicon P-implanted material, and amorphous silicon.
[0022]
As is apparent from the graph of FIG. 1, when the treatment liquid containing sulfuric acid is heated, etching of high dielectric constant materials (groups indicated by high-k in the figure) starts at around 100 ° C. and further above 150 ° C. You can see that the rate is higher. On the other hand, it can be seen that the etching rate of the conventional material (the group indicated by Ref. In the figure) is not as high as that of the high dielectric constant material even when the treatment liquid is heated.
[0023]
In other words, when a high dielectric constant material is used as the gate insulating oxide film, it shows that the effect of the processing liquid is extremely small compared to the conventional material used for the substrate, and the selective processing by the processing liquid is performed. Indicates that it is possible. Further, since the treatment liquid contains sulfuric acid, organic substances and the like can be completely removed, and the substrate is not contaminated by the high dielectric constant material melting out.
[0024]
From the above experimental results, it can be seen that the etching rate is appropriate and within the practical range when the heating temperature of the treatment liquid is in the range of about 100 to 200 ° C. Accordingly, the treatment liquid containing sulfuric acid in the range of 20 to 100% by weight is heated in the range of 100 to 200 ° C., preferably in the range of 150 to 180 ° C., to treat the substrate on which the film material containing the high dielectric material is deposited. When used, processing can be suitably performed.
[0025]
Next, a specific example of processing by the substrate processing method described above will be briefly described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram for explaining specific processing by the method of the present invention. FIG. 2 (a) shows before etching, FIG. 2 (b) shows after dry etching, and FIG. 2 (c). Indicates after etching with the treatment liquid.
[0026]
In the substrate W, a high dielectric constant material (High-k) HK and Poly-Si and PSG as gate electrodes are already formed on top of Si. Further, a mask (resist) M is selectively formed on the upper portion. Since the treatment liquid contains sulfuric acid, the mask M is preferably a material containing Poly-Si, SiO 2 , SiN having resistance to sulfuric acid.
[0027]
As shown in FIG. 2A, the substrate W on which the mask M is formed is dry-etched. As a result, as shown in FIG. 2B, the PSG in the portion not covered with the mask M is etched, and the high dielectric constant material (High-k) HK is dry-etched halfway in the thickness direction. .
[0028]
Finally, the substrate W after dry etching is immersed in a processing solution heated to the above range. Thereby, as shown in FIG. 2C, the remaining high dielectric constant material (High-k) HK is etched away by the treatment liquid.
[0029]
<Substrate processing equipment>
Next, a substrate processing apparatus capable of suitably implementing the above-described substrate processing method will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram illustrating a schematic configuration of the substrate processing apparatus according to the embodiment.
[0030]
The substrate processing apparatus includes a holding
[0031]
The
[0032]
The
[0033]
In the substrate processing apparatus configured as described above, the
[0034]
According to the substrate processing apparatus configured as described above, the above-described substrate processing method can be preferably performed, and the substrate W on which the film material including the high dielectric material is deposited can be preferably processed.
[0035]
<First Modification>
Next, a modified example of the substrate processing apparatus will be described with reference to FIG.
In addition, about the thing of the same structure as the substrate processing apparatus mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected and detailed description is abbreviate | omitted.
[0036]
In the substrate processing apparatus, the processing liquid overflowing from the
[0037]
Specifically, the
[0038]
Even the substrate processing apparatus having the configuration shown in the first modification can obtain the same effects as those of the substrate processing apparatus described above.
[0039]
<Second Modification>
Next, another modification of the substrate processing apparatus will be described with reference to FIG.
The same components as those in the above apparatus are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
[0040]
In this apparatus, a heater is not provided in the processing
[0041]
The device configured as described above can achieve the same effect as the above device. In addition, although the heating efficiency is lower than that of the above-described apparatus, there is an advantage that the configuration of the processing
[0042]
The above-described apparatus has been described by taking as an example a batch process for collectively processing a plurality of substrates W, but the present invention can also be applied to a single wafer type.
[0043]
【The invention's effect】
As is clear from the above description, according to the present invention, any one of aluminum Al, hafnium Hf, and zirconium Zr is used by heating the treatment liquid containing sulfuric acid in the range of 150 to 180 ° C. A substrate using a high dielectric constant material which is an oxide, silicate, or aluminate containing one can be suitably processed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a graph showing experimental results according to the method of the present invention.
FIGS. 2A and 2B are diagrams for explaining specific processing by the method of the present invention, in which FIG. 2A shows before etching, FIG. 2B shows after dry etching, and FIG. 2C shows after etching with a processing solution; .
FIG. 3 is a diagram illustrating a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
FIG. 4 is a view showing a first modification of the substrate processing apparatus.
FIG. 5 is a view showing a second modification of the substrate processing apparatus.
[Explanation of symbols]
W ... Substrate Si ... Silicon HK ... Film material containing high dielectric constant material (High-k) M ...
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記処理液は、20〜100重量%の硫酸濃度であることを特徴とする基板処理方法。The substrate processing method according to claim 1,
The substrate treatment method, wherein the treatment liquid has a sulfuric acid concentration of 20 to 100% by weight.
基板を収容して処理を施すための処理槽と、
前記処理槽に硫酸を含む処理液を供給する処理液配管と、
前記処理液を150〜180℃の範囲で加熱するための加熱手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus for processing a substrate on which a film material containing a high dielectric constant material which is an oxide, silicate or aluminate containing any one of aluminum Al, hafnium Hf, and zirconium Zr is applied.
A processing tank for accommodating and processing the substrate;
A treatment liquid pipe for supplying a treatment liquid containing sulfuric acid to the treatment tank;
A heating means for heating the treatment liquid in a range of 150 to 180 ° C . ;
A substrate processing apparatus comprising:
前記処理液は、20〜100重量%の硫酸濃度であることを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 3 ,
The substrate processing apparatus, wherein the processing liquid has a sulfuric acid concentration of 20 to 100% by weight.
前記加熱手段は、前記処理液配管に配設されていることを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 3 or 4 ,
The substrate processing apparatus, wherein the heating means is disposed in the processing liquid pipe.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002074291A JP3773458B2 (en) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | Substrate processing method and apparatus |
US10/382,611 US6941956B2 (en) | 2002-03-18 | 2003-03-05 | Substrate treating method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003273066A JP2003273066A (en) | 2003-09-26 |
JP3773458B2 true JP3773458B2 (en) | 2006-05-10 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2002074291A Expired - Fee Related JP3773458B2 (en) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | Substrate processing method and apparatus |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3773458B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI282814B (en) * | 2002-09-13 | 2007-06-21 | Daikin Ind Ltd | Etchant and etching method |
US9966282B2 (en) | 2014-09-30 | 2018-05-08 | Shibaura Mechatronics Corporation | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP6587865B2 (en) * | 2014-09-30 | 2019-10-09 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003273066A (en) | 2003-09-26 |
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A621 | Written request for application examination |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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