JP3759687B2 - イオナイザ - Google Patents

イオナイザ Download PDF

Info

Publication number
JP3759687B2
JP3759687B2 JP2000007488A JP2000007488A JP3759687B2 JP 3759687 B2 JP3759687 B2 JP 3759687B2 JP 2000007488 A JP2000007488 A JP 2000007488A JP 2000007488 A JP2000007488 A JP 2000007488A JP 3759687 B2 JP3759687 B2 JP 3759687B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ground electrode
ionizer
main body
electrode
discharge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000007488A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001203094A (ja
Inventor
朗 笹倉
泰男 溝腰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2000007488A priority Critical patent/JP3759687B2/ja
Priority to TW089127872A priority patent/TW518641B/zh
Priority to KR10-2001-0002392A priority patent/KR100420979B1/ko
Priority to US09/764,642 priority patent/US6403040B1/en
Publication of JP2001203094A publication Critical patent/JP2001203094A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3759687B2 publication Critical patent/JP3759687B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01TSPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
    • H01T23/00Apparatus for generating ions to be introduced into non-enclosed gases, e.g. into the atmosphere

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Elimination Of Static Electricity (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、一般に、除電を行なうイオナイザに関するものであり、より特定的には、イオナイザとしての能力を落とすことなく、リップルとバランスずれを軽減することができるように改良されたイオナイザに関する。
【0002】
【従来の技術】
図5は、従来のイオナイザの概念図である。イオナイザは、本体1を備える。本体1に、多数の針状の電極2が設けられている。本体1には、通常、接地された金属カバーが設けられている(図示せず)。イオナイザは、除電を目的として使用される。半導体装置の製造工程において、基板3には静電気が発生する。この静電気を除去しないと、素子破壊が生じたり、また、半導体装置にパーティクル状のごみが付着し、歩留まりが低下する。ひいては、生産性が下がる。これを解決するために、イオナイザは、除電を目的とする基板3に、イオン性のものを吹付け、除電を行なっている。
【0003】
従来のイオナイザは、直流、あるいは交流の高電圧を、針状の電極2や細金属線電極に印加し、電極2付近に、コロナ放電を生じさせることにより、空気をイオン化させ、これによって、イオンを発生させるものが主流である。イオナイザの多くは、周囲の環境に左右されずに、コロナ放電を一定に生じさせる。そのため、放電電極2の付近に、接地された、イオンと接触する面積が不変の電極が設けられている。これを接地電極といい、接地電極は、従来においては、金属カバーと一体として形成されている場合が多い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来のイオナイザを、除電を目的として使用する場合、大きく、次の2つの問題点が生じていた。
【0005】
1つは、図5を参照して、イオナイザ10は、通常、プラス、マイナスのイオンを発生させるが、その場合、放電電極2に図6(a)に示すような交流の高電圧が印加されたときに、被除電物である基板3に到達するイオンと、高電圧になった放電電極2による誘導により、基板3の表面電位は、放電電極2の印加に連動し、変動する。
【0006】
プラス、マイナスの印加を交互に行なった場合、基板3の表面電位の変動は、図6(b)に示すように、波状に変動する。以下、この波状の表面電位変位をリップルと表現する。
【0007】
特に、能力の高いイオナイザ10を用いた場合、被除電物(基板)の静電容量が大きい場合は、リップルは小さいが、被除電物の静電容量が小さい場合は、リップルは±数100ボルトの表面電位の変動を生じる。このことは、Q=CV(Q:電荷,C:静電容量,V:電位差)の関係から、容易に理解される。
【0008】
被除電物(基板3)の静電容量が等しい場合でも、図7(a)に示すように、基板3がグラウンドに接触している場合には、静電容量が大きいので、リップルは小さい。しかし、図7(b)に示すように、被除電物である基板3が、グラウンドから浮き上がった場合には、静電容量は小さくなり、リップルは非常に大きなものとなる。リップルが大きくなった場合、すなわち表面電位変位が大きくなり、放電等を生じた場合、素子破壊が生じ、半導体装置の歩留まりが低下する。
【0009】
このように、被除電物の帯電量が小さい場合は、リップルの変動量が大きいと、初期に持つ帯電量以上に、表面電位が上がることになる。
【0010】
もう1つの問題点は、イオナイザを連続使用した場合、放電電極2の劣化や、放電電極2への異物の付着により、プラス、マイナスの放電バランスが崩れる(以下、これをバランスずれという)。放電バランスが崩れた状態で、イオナイザを使用していくと、図8を参照して、被除電物を、プラス、あるいはマイナスに逆帯電させることになる。すなわち、図8を参照して、本来点線の部分は、0ボルトであるべきであるのに、リップル曲線が上に平行移動し、たとえば、100Vプラス側に被除電物が逆帯電する場合がある。特にイオンの発生能力が高いイオナイザについては、このバランスの崩れによって逆帯電した被除電物の静電容量が小さくなった場合には、大きな表面電位が生じることになる。被除電物に大きな表面電位が生じ、放電等を生じた場合は、素子破壊が生じたり、半導体装置にパーティクルが付着し、歩留まりが低下するという問題点を引起こす。
【0011】
この発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、できるだけイオナイザとしての能力を落とすことなく、リップルとバランスずれを軽減することができるように改良されたイオナイザを提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るイオナイザは本体を備える。上記本体に、高電圧印加によりコロナ放電を生じさせることによりイオンを発生させる放電電極が取付けられている。上記放電電極の近傍に、上記イオンと接触し、該イオンの一部を吸収する、接地された接地電極が設けられている。当該イオナイザは、上記接地電極の、上記イオンとの接触する面積を変化させる手段を備える。
また、本体にはボルトが立てられており、接地電極には、上下方向に延びる長穴が設けられており、ボルトに長穴が係合し、それによって、本体に接地電極が上下に可動可能に固定される。さらに、本体には、該本体を覆うとともに、放電電極の放電方向前方が開放されたカバーが設けられており、接地電極は、このカバーを介在させて、ボルトにより本体に固定されている。
【0013】
この発明によれば、接地電極の、イオンとの接触する面積を変化させる手段を備えているので、接地電極の面積を変化させることによって、できるだけイオナイザとしての能力を落とすことなく、リップルとバランスずれを軽減するよう調節することができる。
また、上記本体にはボルトが立てられて、上記接地電極に上下方向に延びる長穴が設けられ、上記ボルトに上記長穴が係合することによって、上記本体に上記接地電極が上下に可動可能に固定されることにより、接地電極が上下に可動可能に固定されるので、接地電極の、イオンとの接触する面積を変化させることができる。
さらに、本体を覆うカバーが設けられ、接地電極がこのカバーを介在させて、本体に固定されていることにより、従来のイオナイザを、そのまま利用し、接地電極を本体に固定することができる。
【0014】
請求項2に記載のイオナイザにおいては、上記接地電極と上記放電電極との距離を変化させる手段をさらに備える。
【0015】
この発明によれば、接地電極と放電電極との距離を変化させる手段を備えるので、接地電極のイオンの一部を吸収する量を調節することができる。
【0018】
請求項に係るイオナイザによれば、上記接地電極と上記本体との間に、上記距離を変化させるためのスペーサが設けられている。
【0019】
この発明によれば、スペーサを設けることにより、接地電極と放電電極との間の距離を変化させることができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図について説明する。
【0023】
実施の形態1
図1は、実施の形態に係るイオナイザの概念図である。本実施の形態では、イオナイザの例として、複数の針状放電電極に高電圧の交流を印加するタイプを用いているが、この発明は、これに限られるものではなく、直流の高電圧を印加するものや、放電電極が細線状のものであってもかまわない。
【0024】
図1を参照して、イオナイザ10は、本体1を備える。本体1に、複数の針状の放電電極2が設けられている。高圧電源3により、放電電極2には、±数kV以上の電圧が交流で印加され、コロナ放電を生じる。本体1の側面に、接地された、接地電極である導電性板4が取付けられている。導電性板4はステンレスで形成されるが、金属であればいずれのものも使用できる。導電性板4には、長穴4aが設けられている。本体1には、ボルト1aが立てられている。長穴4aの開き部分に、ボルト1aは、上下に可動できるように固定されている。説明の簡単化のため、図示するような導電性板4の取付方法を例示したが、上下に可動して、固定できる方法であれば、どのような取付方法でもかまわない。
【0025】
導電性板4の取付位置を上下することによって、イオンの吸収量を調節することができる。除電能力とリップルの測定には、一例として一般的に用いられている静電プレート等が用いられる。この図では、イオンを受けるプレート5aとプレート5aに一定電圧が印加でき、プレート5aの表面電位を測定できる制御部5bとを併せ持つタイプのものを示している。測定した表面電位は、オシロスコープ等の記録計6に取込むことにより、除電時間、リップルを視覚的に見ることができる。
【0026】
次に、動作について説明する。図2は、図1におけるII−II線に沿う断面図である。
【0027】
図2を参照して、針状放電電極2は細線状の放電電極2に高電圧を印加すると、放電電極2はコロナ放電を生じ、電極付近の空気をイオン化する。イオンは周囲の気流、あるいは電界によって被除電物へ到達する。イオナイザ10と被除電物3間に、接地された電極4が存在すると、一部のイオンは被除電物3に到達せず、接地電極4に吸収される。吸収されるイオン量は、接地電極4と放電電極2の距離が近いほど、また、接地電極4とイオンとの接触面積が大きいほど多くなる。吸収されるイオン量が多くなるとリップル、バランスずれ量は減少する。一方、除電能力は低下する。そのため、接地電極4の、イオンとの接触面積を可変させて、調整することによって、イオナイザに必要な除電能力の低下を許容範囲内に抑えながら、リップルとバランスずれ量を低減させることができる。得られた結果を表1に示す。
【0028】
【表1】
Figure 0003759687
【0029】
表1中、比較例1は初期状態を示すものであり、接地電極4を本体に取付けない場合のデータである。リップル幅(V)は200と大きい。また、ずれ量は230(V)と大きい。一方、実施例1では、接地電極(GND)4を下に10mm延長した場合であり、リップル幅とずれ量は、初期状態に比べて減少している。また、実施例2から明らかなように、GNDを下に5mm延長した場合でも、初期状態に比べてリップル幅とずれ量は減少している。
【0030】
なお、プラスイオンの除電時間とマイナスイオンの除電時間は、比較例1が、一番よく、実施例1および2では、比較例に比べて長くなっている。しかし、これは、許容される範囲内のものである。
【0031】
なお、イオナイザの除電時間、リップルを測定する装置は、上述のものに限られるものでなく、どのような測定計でもかまわない。適当な測定計を用いて、除電能力と、リップル、バランスずれの最適な組合せ条件が得られるように、接地電極である導電性板4の位置を決める。なお、一旦最適な導電性板4の位置が確定して、移動の必要性がなくなった場合には、導電性板4の長穴4aを、丸穴にして、使用すればよい。
【0032】
実施の形態2
図3は、実施の形態2に係るイオナイザの断面図である。図中、図1装置と、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明を繰返さない。
【0033】
図3装置が図1装置と異なる点は、本体1と導電性板4との間に、放電電極2と導電性板4との距離を可変にすることができる、スペーサ7が設けられている点である。
【0034】
接地電極4に吸収されるイオン量は、接地電極4と放電電極2との距離が近いほど、多くなる。接地電極4に吸収されるイオン量が多くなると、リップル、バランスずれ量は減少するが、除電能力は低下する。本実施の形態によれば、放電電極2と接地電極4との距離を可変させて調節することによって、必要な除電能力の低下を許容範囲内に抑えながら、リップルとバランスずれ量を低減させることができる。
【0035】
実施の形態3
図4は、実施の形態3に係るイオナイザの断面図である。図中、図1装置と同一または相当する部分には、同一の参照番号を付し、その説明を繰返さない。
【0036】
図4装置では、本体1を覆うようにカバー8が設けられている。カバー8を介在させて、本体1に、接地電極4が取付けられている。カバー8を備えた本体1は、従来のイオナイザである。本実施の形態によれば、従来のイオナイザに、接地電極4を取付けることによって、イオナイザに必要な除電能力の低下を許容範囲内に抑えながら、リップルとバランスずれ量を低減させることができる。
【0037】
なお、上記実施例では半導体装置を製造する場合を例示したが、この発明に係るイオナイザは、除電を必要とする分野(たとえば、フィルム、紙作成、自動車産業)のいずれにも使用できる。
【0038】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施の形態1に係るイオナイザの概念図である。
【図2】 図1におけるII−II線に沿う断面図である。
【図3】 実施の形態2に係るイオナイザの断面図である。
【図4】 実施の形態3に係るイオナイザの断面図である。
【図5】 従来のイオナイザの概念図である。
【図6】 従来のイオナイザのリップルを説明するための図である。
【図7】 従来のイオナイザのリップルを説明するための他の図である。
【図8】 従来のイオナイザのバランスずれを説明するための図である。
【符号の説明】
1 本体、2 放電電極、4 接地電極、1a ボルト、4a 長穴、10 イオナイザ。

Claims (3)

  1. 本体と、
    前記本体に取付けられ、高電圧印加によりコロナ放電を生じさせることによりイオンを発生させる放電電極と、
    前記放電電極の近傍に設けられ、前記イオンと接触し、該イオンの一部を吸収する、接地された接地電極と、
    前記接地電極の、前記イオンとの接触する面積を変化させる手段と、を備え
    前記本体にはボルトが立てられており、前記接地電極には、上下方向に延びる長穴が設けられており、前記ボルトに前記長穴が係合し、それによって、前記本体に前記接地電極が上下に可動可能に固定され、
    さらに、前記本体には、該本体を覆うとともに、前記放電電極の放電方向前方が開放されたカバーが設けられており、前記接地電極は、前記カバーを介在させて、前記ボルトにより前記本体に固定されている、イオナイザ。
  2. 前記接地電極と前記放電電極との距離を変化させる手段をさらに備える、請求項1に記載のイオナイザ。
  3. 前記接地電極と前記本体との間に、前記距離を変化させるためのスペーサが設けられている、請求項2に記載のイオナイザ。
JP2000007488A 2000-01-17 2000-01-17 イオナイザ Expired - Fee Related JP3759687B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000007488A JP3759687B2 (ja) 2000-01-17 2000-01-17 イオナイザ
TW089127872A TW518641B (en) 2000-01-17 2000-12-26 Ionizer
KR10-2001-0002392A KR100420979B1 (ko) 2000-01-17 2001-01-16 전리장치
US09/764,642 US6403040B1 (en) 2000-01-17 2001-01-17 Ionizer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000007488A JP3759687B2 (ja) 2000-01-17 2000-01-17 イオナイザ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001203094A JP2001203094A (ja) 2001-07-27
JP3759687B2 true JP3759687B2 (ja) 2006-03-29

Family

ID=18535873

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000007488A Expired - Fee Related JP3759687B2 (ja) 2000-01-17 2000-01-17 イオナイザ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6403040B1 (ja)
JP (1) JP3759687B2 (ja)
KR (1) KR100420979B1 (ja)
TW (1) TW518641B (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1969435B (zh) * 2004-12-28 2010-11-24 株式会社村田制作所 离子发生单元及离子发生装置
US20070085008A1 (en) * 2005-10-13 2007-04-19 Seagate Technology Llc Ceramic corona discharge emitter tip
JP1659027S (ja) * 2019-07-19 2020-05-11
JP7202575B2 (ja) * 2020-06-17 2023-01-12 株式会社松本技研 電子装置、及び電子装置の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56113157A (en) * 1980-02-13 1981-09-05 Fuji Xerox Co Ltd Corona discharger
JPH0536490A (ja) * 1991-07-29 1993-02-12 Shishido Seidenki Kk 除電装置
JP3002581B2 (ja) 1991-10-22 2000-01-24 シシド静電気株式会社 除電装置
JPH0792766A (ja) * 1993-09-22 1995-04-07 Sharp Corp 帯電装置
KR200175694Y1 (ko) * 1997-05-19 2000-04-15 구자홍 이오나이저 제전 장치
US5949635A (en) * 1997-07-17 1999-09-07 Botez; Dan D. C. Ionizer for static electricity neutralization
KR100232580B1 (ko) * 1997-08-30 1999-12-01 김영남 음극선관의 전자사진식 스크린 제조용 와이어형 코로나 방전전극
KR200159893Y1 (ko) * 1997-08-30 1999-11-01 김영남 음극선관의 스크린제조용 톱니 박판형 코로나 방전전극
KR19990010792U (ko) * 1997-08-30 1999-03-25 김영남 음극선관의 스크린제조용 이중 톱니 박판형 코로나 방전전극
KR100302528B1 (ko) * 1997-08-30 2001-11-22 김영남 음극선관의건식전자사진식스크린제조를위한광전도막대전방법과그대전장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001203094A (ja) 2001-07-27
US6403040B1 (en) 2002-06-11
US20020037243A1 (en) 2002-03-28
KR100420979B1 (ko) 2004-03-02
KR20010076282A (ko) 2001-08-11
TW518641B (en) 2003-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4673416A (en) Air cleaning apparatus
US4689056A (en) Air cleaner using ionic wind
EP0730497B1 (en) A precipitator for an electrostatic filter
US7679026B1 (en) Multi-frequency static neutralization of moving charged objects
US20070159762A1 (en) Corona discharge ionizer
JP2010287579A (ja) 電気絶縁性シートの除電方法、電気絶縁性シートの製造方法、ならびに、電気絶縁性シート
JP3759687B2 (ja) イオナイザ
KR20120095306A (ko) 제전장치 및 방법
KR20090118803A (ko) 액정 패널 기판의 제전장치
US5565717A (en) Devices for manufacturing electrets, and electrets obtained thereby
WO2013187383A1 (ja) 除電装置
JP4396084B2 (ja) 電気絶縁性シートの製造方法
JPH10312878A (ja) ウエブ帯電用装置
JP2894464B2 (ja) イオナイザによる帯電物品の除電制御法
JP3522586B2 (ja) 液晶パネルの製造装置及びその製造方法
KR101175989B1 (ko) 이온 발생 장치용 전극 모듈 및 이를 갖는 이온 발생 장치, 정전기 제거 장치
CN113766722B (zh) 一种对比沿面介质阻挡放电中的阴极层厚度的方法
JP2007115559A (ja) 電気絶縁性シートの除電装置および製造方法
WO2014002960A1 (ja) 除電器
JP2005222925A (ja) 電気絶縁性シートの除電装置および除電方法、電気絶縁性シートの製造方法、ならびに、電気絶縁性シート
Zimon et al. Detachment of Sticking Particles on Application of an Electric Field
Horenstein The Contribution of Surface Potential to Diverse Problems in Electrostatics
KR20110087200A (ko) 액정 패널 기판의 제전 장치
JP2555641B2 (ja) 帯電除電用の放電装置
JP2654071B2 (ja) 交流コロナ放電装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050407

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050419

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050616

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051220

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060104

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100113

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110113

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120113

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130113

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees