JP3751178B2 - Transceiver - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、互いに中心周波数の異なる送信フィルタと受信フィルタとを有する送受信機に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、携帯電話などの高周波無線機では、送信と受信に異なる周波数を用いている。この場合においても、送受信で１つのアンテナを使用するため、デュプレクサが必要になってくる。デュプレクサは、主に、送信フィルタと受信フィルタとから構成されている。
【０００３】
送信フィルタは、送信帯域を通過させ、パワーアンプでの受信帯域での信号が外に漏れないように受信帯域で減衰を得るように構成され、受信フィルタは、受信帯域を通過させ、パワーアンプからの送信信号が受信用の低雑音増幅器を飽和させないように、送信帯域で減衰を得るように構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年の携帯電話では、この受信帯域と送信帯域の周波数軸上での間隔が狭くなっているため、十分な送受信分離、即ち、送信フィルタでの受信帯域での減衰と受信フィルタでの送信帯域での減衰を実現するために、送信フィルタ及び受信フィルタの段数を多くしたり、フィルタを構成する共振器を大きくしてＱを高くするなどの対応が必要になってきた。
【０００５】
これらの手法は、いずれもデュプレクサの大型化や構成の複雑化を招き、送受信機の製造コストの高価格化を引き起こすおそれがある。
【０００６】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、簡単な構成で十分な送受信分離を実現することができ、送受信機自体の小型化、構造の簡略化並びに製造コストの低廉化を図ることができる送受信機を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る送受信機は、送信フィルタと該送信フィルタに接続された送信アンテナとを有する送信部と、受信フィルタと該受信フィルタに接続された受信アンテナとを有する受信部とが１つの誘電体基板中に一体的に形成され、前記送信部における前記送信フィルタと送信アンテナは、前記誘電体基板上、平面的に互いに分離された領域に形成され、前記受信部における前記受信フィルタと受信アンテナは、前記誘電体基板上、平面的に互いに分離された領域に形成され、前記送信部と前記受信部との間に空隙が形成され、少なくとも前記空隙の内周面にシールド電極が形成され、前記送信フィルタと前記受信フィルタは、前記空隙を間に挟んで互いに対向する位置に形成されていることを特徴とする。
この場合、前記誘電体基板内のうち、前記送信フィルタの上部に形成された第１内層アース電極は、前記空隙の内壁に形成された前記シールド電極に接続され、前記誘電体基板内のうち、前記受信フィルタの上部に形成された第２内層アース電極は、前記空隙の内壁に形成された前記シールド電極に接続されていてもよい。
【０００８】
即ち、送信アンテナと受信アンテナを別個に設け、送信アンテナと送信フィルタからなる送信部と、受信アンテナと受信フィルタからなる受信部とを誘電体基板に一体に設けるようにしている。
【０００９】
これにより、送信帯域と受信帯域の間に１０ｄＢ以上のアイソレーションを得ることができる。このアイソレーションの確保によって各フィルタに要求される減衰特性が緩やかになり、送信フィルタ及び受信フィルタを小型化できる。その結果、簡単な構成で十分な送受信分離を実現することができ、送受信機自体の小型化、構造の簡略化並びに製造コストの低廉化を図ることができる。
前記送信部と前記受信部との間にシールド電極を形成するようにしたので、送信フィルタと受信フィルタとの間のシールド性を強化することができる。
また、誘電体シートを積層して前記誘電体基板を形成する場合においては、誘電体シートに対して垂直方向にシールド電極を挿入することは困難性が伴うが、各フィルタの間に空隙を形成し、少なくとも前記空隙の内周面にシールド電極を形成することによって、各フィルタ間にシールド電極を容易に形成することができる。
【００１１】
前記構成において、前記送信フィルタの直上に誘電体層を介して送信アンテナを形成し、前記受信フィルタの直上に誘電体層を介して受信アンテナを形成するようにしてもよい。この場合、送受信機自体の小型化を有効に図ることができる。
【００１４】
次に、本発明に係る送受信機は、送信フィルタと該送信フィルタに接続された送信アンテナとを有する送信部と、第１受信フィルタと該第１受信フィルタに接続された第１受信アンテナとを有する第１受信部と、第２受信フィルタと該第２受信フィルタに接続された第２受信アンテナとを有する第２受信部とが１つの誘電体基板中に一体的に形成され、前記送信部における前記送信フィルタと送信アンテナは、前記誘電体基板上、平面的に互いに分離された領域に形成され、前記第１受信部における前記第１受信フィルタと前記第１受信アンテナは、前記誘電体基板上、平面的に互いに分離された領域に形成され、前記第２受信部における前記第２受信フィルタと前記第２受信アンテナは、前記誘電体基板上、平面的に互いに分離された領域に形成され、前記送信部と前記第１受信部及び前記第２受信部との間に第１空隙が形成され、前記第１受信部と前記第２受信部との間に第２空隙が形成され、前記第１空隙及び前記第２空隙の各内周面にそれぞれシールド電極が形成され、前記送信部の前記送信フィルタと前記第１受信部の前記第１受信フィルタは、前記第１空隙を間に挟んで互いに対向する位置に形成され、前記送信部の前記送信フィルタと前記第２受信部の前記第２受信フィルタは、前記第１空隙を間に挟んで互いに対向する位置に形成されていることを特徴とする。
この場合、前記誘電体基板内のうち、前記送信フィルタの上部に形成された内層アース電極は、前記第１空隙の内壁に形成された前記シールド電極に接続され、前記誘電体基板内のうち、前記第１受信フィルタ及び前記第２受信フィルタの上部に形成された内層アース電極は、前記第２空隙の内壁に形成された前記シールド電極に接続されていてもよい。
【００１５】
この発明においても、簡単な構成で十分な送受信分離を実現することができ、送受信機自体の小型化、構造の簡略化並びに製造コストの低廉化を図ることができる。
【００１６】
そして、前記構成において、前記受信部の後段に、感度に応じていずれかの受信フィルタを選択するためのスイッチング手段を接続することが好ましい。
【００１８】
また、前記構成において、前記送信フィルタの直上に誘電体層を介して送信アンテナを形成し、前記受信フィルタの直上に誘電体層を介して受信アンテナを形成するようにしてもよい。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る送受信機のいくつかの実施の形態例を図１〜図１９を参照しながら説明する。
【００２９】
まず、第１の実施の形態に係る送受信機１０Ａは、図１に示すように、複数枚の板状の誘電体層が積層、焼成されて構成された誘電体基板１２に、送信フィルタ部１４と該送信フィルタ部１４に接続された送信アンテナ部１６とを有する送信部１８と、受信フィルタ部２０と該受信フィルタ部２０に接続された受信アンテナ部２２とを有する受信部２４とが一体的に形成されて構成されている。この実施の形態では、送信部１８が左側に配置され、受信部２４が右側に配置された例を示している。
【００３０】
送信フィルタ部１４は、３本の片端開放型の１／４波長共振素子３０ａ〜３０ｃがそれぞれ平行に形成された構成を有し、送信アンテナ部１６は、誘電体基板１２の上面に電極膜により形成されたアンテナ３２を有する。
【００３１】
受信フィルタ部２０は、３本の片端開放型の１／４波長共振素子３４ａ〜３４ｃがそれぞれ平行に形成された構成を有し、受信アンテナ部２２は、誘電体基板１２の上面に電極膜により形成されたアンテナ３６を有する。
【００３２】
具体的には、前記誘電体基板１２は、図２に示すように、上から順に、第１〜第７の誘電体層Ｓ１〜Ｓ７が積み重ねられて構成されている。これら第１〜第７の誘電体層Ｓ１〜Ｓ７は１枚あるいは複数枚の層にて構成される。
【００３３】
前記送信部１８における送信アンテナ部１６と送信フィルタ部１４は、誘電体基板１２上の、平面的に互いに分離された領域に形成され、前記受信部２４における受信アンテナ部２２と受信フィルタ部２０も、誘電体基板１２上の、平面的に互いに分離された領域に形成されている。
【００３４】
例えば、図１に示すように、左の領域の外側寄りに送信アンテナ部１６が形成され、左の領域の中央寄りに送信フィルタ部１４が形成され、右の領域の外側寄りに受信アンテナ部２２が形成され、右の領域の中央寄りに受信フィルタ部２０が形成されている。
【００３５】
更に、前記送信アンテナ部１６及び受信アンテナ部２２は、第１の誘電体層Ｓ１の上面に形成され、送信フィルタ部１４及び受信フィルタ部２０は、第２の誘電体層Ｓ２から第７の誘電体層Ｓ７にかけて形成されている。
【００３６】
また、図１に示すように、誘電体基板１２の外周面のうち、例えばその正面の中央から左寄りの部分に送信側入力端子４０が形成され、同じく中央から右寄りの部分に受信側出力端子４２が形成され、これら各種端子４０及び４２を除く外側面及び下面のうち、送信フィルタ部１４及び受信フィルタ部２０に対応した部分にアース電極４４が形成されている。もちろん、これら各種端子４０及び４２とアース電極４４との間には、絶縁をとるための領域が確保されている。
【００３７】
そして、この第１の実施の形態に係る送受信機１０Ａを配線基板４６に実装したとき、送信側入力端子４０と送信側配線４８とが電気的に接続され、受信側出力端子４２と受信側配線５０とが電気的に接続され、誘電体基板１２の下面（アース電極４４）と図示しない接地線とが電気的に接続されるようになっている。
【００３８】
また、この第１の実施の形態に係る送受信機１０Ａにおいては、図２に示すように、第４の誘電体層Ｓ４の一主面に送信側の３本の共振素子（第１〜第３の共振素子３０ａ〜３０ｃ）と、受信側の３本の共振素子（第１〜第３の共振素子３４ａ〜３４ｃ）がそれぞれ平行に形成されている。これら共振素子３０ａ〜３０ｃ並びに３４ａ〜３４ｃは、各一方の端部が開放とされ、各他方の端部がアース電極４４に短絡されている。
【００３９】
前記第４の誘電体層Ｓ４の上層に位置する第３の誘電体層Ｓ３の一主面には、送信側の出力用電極６０と受信側の入力用電極６２とが形成されている。送信側の出力用電極６０は、一端がスルーホール６４を介して送信アンテナ部１６におけるアンテナ３２の一端に接続され、かつ、前記送信側の第１の共振素子３０ａと容量結合されるように形成されている。受信側の入力用電極６２は、一端がスルーホール６６を介して受信アンテナ部２２におけるアンテナ３６の一端に接続され、かつ、前記送信側の第３の共振素子３４ｃと容量結合されるように形成されている。
【００４０】
また、前記第３の誘電体層Ｓ３の一主面には、アース電極４４、送信側入力端子４０、受信側出力端子４２等に対して電位的にフローティング状態とされた２つの結合調整電極（送信側の第１の結合調整電極６８と、受信側の第１の結合調整電極７０）が形成されている。
【００４１】
送信側の第１の結合調整電極６８は、送信側の第２の共振素子３０ｂに対向する第１の電極本体６８ａと送信側の第３の共振素子３０ｃに対向する第２の電極本体６８ｂとが、その間に形成されたリード電極６８ｃによって電気的に接続された形状を有する。
【００４２】
受信側の第１の結合調整電極７０は、受信側の第１の共振素子３４ａに対向する第１の電極本体７０ａと受信側の第２の共振素子３４ｂに対向する第２の電極本体７０ｂとが、その間に形成されたリード電極７０ｃによって電気的に接続された形状を有する。
【００４３】
また、前記第３の誘電体層Ｓ３の一主面には、送信側の３本の共振素子３０ａ〜３０ｃの各開放端に対向してそれぞれ３つの内層アース電極７２ａ〜７２ｃが形成され、受信側の３本の共振素子３４ａ〜３４ｃの各開放端に対向してそれぞれ３つの内層アース電極７４ａ〜７４ｃが形成されている。
【００４４】
前記第３の誘電体層Ｓ３の上層に位置する第２の誘電体層Ｓ２の一主面のうち、送信フィルタ部１４と受信フィルタ部２０に対応した部分に、外側面のアース電極４４に接続された内層アース電極７６が形成されている。この内層アース電極７６には、スルーホール６４及び６６の周辺部分や送信側入力端子４０及び受信側出力端子４２の近傍部分が電極の未形成部分となっており、これらスルーホール６４及び６６や各種端子４０及び４２との絶縁が確保されている。
【００４５】
前記第４の誘電体層Ｓ４の下層に位置する第５の誘電体層Ｓ５の一主面には、送信側の入力用電極８０と受信側の出力用電極８２とが形成されている。送信側の入力用電極８０は、一端がＬ字状のリード電極８４を介して送信側入力端子４０に接続され、かつ、前記送信側の第３の共振素子３０ｃと容量結合されるように形成されている。受信側の出力用電極８２は、一端がＬ字状のリード電極８６を通じて受信側出力端子４２に接続され、かつ、前記受信側の第１の共振素子３４ａと容量結合されるように形成されている。
【００４６】
また、前記第５の誘電体層Ｓ５の一主面には、アース電極４４、送信側入力端子４０、受信側出力端子４２等に対して電位的にフローティング状態とされた２つの結合調整電極（送信側の第２の結合調整電極８８と、受信側の第２の結合調整電極９０）が形成されている。
【００４７】
送信側の第２の結合調整電極８８は、送信側の第１の共振素子３０ａに対向する第１の電極本体８８ａと送信側の第２の共振素子３０ｂに対向する第２の電極本体８８ｂとが、その間に形成されたリード電極８８ｃによって電気的に接続された形状を有する。
【００４８】
受信側の第２の結合調整電極９０は、受信側の第２の共振素子３４ｂに対向する第１の電極本体９０ａと受信側の第３の共振素子３４ｃに対向する第２の電極本体９０ｂとが、その間に形成されたリード電極９０ｃによって電気的に接続された形状を有する。
【００４９】
また、前記第５の誘電体層Ｓ５の一主面には、送信側の３本の共振素子３０ａ〜３０ｃの各開放端に対向してそれぞれ３つの内層アース電極９２ａ〜９２ｃが形成され、受信側の３本の共振素子３４ａ〜３４ｃの各開放端に対向してそれぞれ３つの内層アース電極９４ａ〜９４ｃが形成されている。
【００５０】
更に、この第１の実施の形態に係る送受信機１０Ａは、図１に示すように、送信フィルタ部１４と受信フィルタ部２０との間に空隙１００が形成され、図３に示すように、前記空隙１００の周面に沿ってアース電極４４が形成されている。もちろん、前記空隙１００を埋めるようにアース電極４４を構成する電極材を充填するようにしてもよい。
【００５１】
前記空隙１００の作り方としては、例えば図２に示すように、送信フィルタ部１４と受信フィルタ部２０が形成される第１〜第７の誘電体層Ｓ１〜Ｓ７の各層に対して、打抜きパンチによる打抜き加工によって打抜き孔１００ａ〜１００ｇを設けた後、これら打抜き孔１００ａ〜１００ｇの周面に電極材を印刷することによって実現することができる。
【００５２】
第１〜第７の誘電体層Ｓ１〜Ｓ７に対する打抜き孔１００ａ〜１００ｇの形成位置は、図２に示すように、送信フィルタ部１４が形成される部分と受信フィルタ部２０が形成される部分との間であることが好ましい。
【００５３】
第１の実施の形態に係る送受信機１０Ａは、基本的には以上のように構成されるものであるが、ここで、各電極の電気的な結合について図４の等価回路図を参照しながら説明する。
【００５４】
まず、送信部１８においては、送信側入力端子４０と接地間に第１〜第３の共振素子３０ａ〜３０ｃによる３つの共振器１０２ａ〜１０２ｃがそれぞれ並列に接続され、更に、これら隣接する共振器１０２ａ〜１０２ｃ同士は互いに誘導結合され、これにより、等価回路上では、隣接する共振器１０２ａ〜１０２ｃ間にそれぞれインダクタンスＬ１及びＬ２が挿入されたかたちとなる。
【００５５】
一方、受信部２４においては、受信側出力端子４２と接地間に第１〜第３の共振素子３４ａ〜３４ｃによる３つの共振器１０４ａ〜１０４ｃがそれぞれ並列に接続され、更に、これら隣接する共振器１０４ａ〜１０４ｃ同士は互いに誘導結合され、これにより、等価回路上では、隣接する共振器１０４ａ〜１０４ｃ間にそれぞれインダクタンスＬ３及びＬ４が挿入されたかたちとなる。
【００５６】
そして、送信側の第１の共振素子３０ａと第２の共振素子３０ｂ間には、送信側の第２の結合調整電極８８による合成容量Ｃ１が形成され、送信側の第２の共振素子３０ｂと第３の共振素子３０ｃ間には、送信側の第１の結合調整電極６８による合成容量Ｃ２が形成される。即ち、各共振器１０２ａ〜１０２ｃ間には、インダクタンスＬ１と容量Ｃ１によるＬＣ並列共振回路と、インダクタンスＬ２と容量Ｃ２によるＬＣ並列共振回路が接続されたかたちとなる。
【００５７】
受信側の第１の共振素子３４ａと第２の共振素子３４ｂ間には、受信側の第１の結合調整電極７０による合成容量Ｃ３が形成され、受信側の第２の共振素子３４ｂと第３の共振素子３４ｃ間には、受信側の第２の結合調整電極９０による合成容量Ｃ４が形成される。即ち、各共振器１０４ａ〜１０４ｃ間には、インダクタンスＬ３と容量Ｃ３によるＬＣ並列共振回路と、インダクタンスＬ４と容量Ｃ４によるＬＣ並列共振回路が接続されたかたちとなる。
【００５８】
また、送信側の第１〜第３の共振素子３０ａ〜３０ｃの各開放端と対応する内層アース電極（７２ａ、９２ａ）、（７２ｂ、９２ｂ）及び（７２ｃ、９２ｃ）との間にはそれぞれ容量（合成容量）Ｃ５〜Ｃ７が形成され、受信側の第１〜第３の共振素子３４ａ〜３４ｃの各開放端と対応する内層アース電極（７４ａ、９４ａ）、（７４ｂ、９４ｂ）及び（７４ｃ、９４ｃ）との間にはそれぞれ容量（合成容量）Ｃ８〜Ｃ１０が形成される。
【００５９】
また、送信側の第１の共振素子３０ａと送信アンテナ部１６との間には静電容量Ｃ１１が形成され、送信側の第３の共振素子３０ｃと送信側入力端子４０との間には静電容量Ｃ１２が形成され、受信側の第３の共振素子３４ｃと受信アンテナ部２２との間には静電容量Ｃ１３が形成され、受信側の第１の共振素子３４ａと受信側出力端子４２との間には静電容量Ｃ１４が形成される。
【００６０】
そして、受信部２４における受信側出力端子４２の後段には、アンプ１１０、フィルタ１１２及びアンプ１１４を介して信号処理回路１１６に接続される。この信号処理回路１１６は、例えば受信アンテナ部２２にて受信された信号に含まれる各種コードを抽出してそれらのコードに応じた信号処理を行うように構成されている。
【００６１】
また、この信号処理回路１６で処理されて送信用に変換された信号は、該信号処理回路１６の後段に接続されたアンプ１１８、フィルタ１２０及びアンプ１２２を介して送信部１８における送信側入力端子４０に供給されるようになっている。この送信信号は、送信フィルタ部１４を介して送信アンテナ部１６から空中に放射されることなる。
【００６２】
このように、第１の実施の形態に係る送受信機１０Ａにおいては、送信アンテナ部１６と受信アンテナ部２２とを別個に設け、送信アンテナ部１６と送信フィルタ部１４からなる送信部１８と、受信アンテナ部２２と受信フィルタ部２０からなる受信部２４とを１つの誘電体基板１２に一体に設けるようにしたので、送信帯域と受信帯域の間に１０ｄＢ以上のアイソレーションを得ることができる。
【００６３】
このアイソレーションの確保によって各フィルタ部１４及び２０に要求される減衰特性が緩やかになり、送信フィルタ部１４及び受信フィルタ部２０を小型化できる。その結果、簡単な構成で十分な送受信分離を実現することができ、送受信機１０Ａ自体の小型化、構造の簡略化並びに製造コストの低廉化を図ることができる。
【００６４】
特に、この実施の形態においては、送信フィルタ部１４と受信フィルタ部２０間に空隙１００を設け、該空隙１００の周面あるいは空隙１００を埋めるようにアース電極４４を形成するようにしたので、送信フィルタ部１４と受信フィルタ部２０間のシールド性を強化することができる。
【００６５】
次に、第１の実施の形態に係る送受信機１０Ａの第１の変形例について図５〜図７を参照しながら説明する。なお、図１〜図４と対応するものについては同符号を付してその重複説明を省略する。
【００６６】
この第１の変形例に係る送受信機１０Ａａは、図５及び図７に示すように、第１の実施の形態に係る送受信機１０Ａ（図１参照）とほぼ同じ構成を有するが、送信フィルタ部１４の直上に送信アンテナ部１６が形成され、受信フィルタ部２０の直上に受信アンテナ部２２が形成されている点で異なる。
【００６７】
この第１の変形例に係る送受信機１０Ａａでは、図５に示すように、誘電体基板１２の外周面のうち、送信側入力端子４０及び受信側出力端子４２を除く外側面及び下面にアース電極４４が形成されている。もちろん、これら各種端子４０及び４２とアース電極４４との間には、絶縁をとるための領域が確保されている。
【００６８】
また、図６に示すように、第２の誘電体層Ｓ２の一主面に形成される内層アース電極７６は、送信アンテナ部１６と送信フィルタ部１４との間、及び受信アンテナ部２２と受信フィルタ部２０との間に介在するように形成され、この場合も、スルーホール６４及び６６の周辺部分や送信側入力端子４０及び受信側出力端子４２の近傍部分が内層アース電極７６の未形成部分となっており、スルーホール６４及び６６や各種端子４０及び４２との絶縁が確保されている。
【００６９】
この第１の変形例に係る送受信機１０Ａａにおいては、送信フィルタ部１４の直上に送信アンテナ部１６を形成し、受信フィルタ部２０の直上に受信アンテナ部２２を形成するようにしたので、更に送受信機１０Ａａ自体の小型化を図ることができる。
【００７０】
次に、第１の実施の形態に係る送受信機１０Ａの第２の変形例について図８〜図１０を参照しながら説明する。なお、図１〜図４と対応するものについては同符号を付してその重複説明を省略する。
【００７１】
この第２の変形例に係る送受信機１０Ａｂは、図８に示すように、第１の実施の形態に係る送受信機１０Ａ（図１参照）とほぼ同じ構成を有するが、１つの送信部１８と２つの受信部（第１及び第２の受信部１３０及び１３２）を有する点で異なる。この第２の変形例では、送信部１８が誘電体基板１２の左側に配置され、第１の受信部１３０が右側の正面寄りに形成され、第２の受信部１３２が右側の背面寄りに形成された例を示す。
【００７２】
また、この第２の変形例では、第１及び第２の受信部１３０及び１３２を設けた点で特徴があるため、送信部１８についての説明は省略し、第１及び第２の受信部１３０及び１３２の構成を主体に説明する。
【００７３】
第１の受信部１３０は、３本の片端開放型の１／４波長共振素子１３４ａ〜１３４ｃがそれぞれ平行に形成された構成を有する第１の受信フィルタ部１３６と、誘電体基板１２の上面に電極膜により形成されたアンテナ１３８からなる第１の受信アンテナ部１４０とを有して構成されている。
【００７４】
第２の受信部１３２は、３本の片端開放型の１／４波長共振素子１４２ａ〜１４２ｃ（図９参照）がそれぞれ平行に形成された構成を有する第２の受信フィルタ部１４４と、誘電体基板１２の上面に電極膜により形成されたアンテナ１４６からなる第２の受信アンテナ部１４８とを有して構成されている。
【００７５】
そして、この第２の変形例に係る送受信機１０Ａｂは、図８に示すように、誘電体基板１２の外周面のうち、例えばその正面の中央から左寄りの部分に送信側入力端子４０が形成され、同じく中央から右寄りの部分に第１の受信側出力端子１５０が形成され、背面の中央から右寄りの部分に第２の受信側出力端子１５２が形成され、これら各種端子４０、１５０及び１５２を除く外側面及び下面のうち、送信フィルタ部１４並びに第１及び第２の受信フィルタ部１３６及び１４４に対応した部分にアース電極４４が形成されている。もちろん、これら各種端子４０、１５０及び１５２とアース電極４４との間には、絶縁をとるための領域が確保されている。
【００７６】
そして、この第２の変形例に係る送受信機１０Ａｂを配線基板４６に実装したとき、送信側入力端子４０と送信側配線４８とが電気的に接続され、第１の受信側出力端子１５０と第１の受信側配線１５４とが電気的に接続され、第２の受信側出力端子１５２と第２の受信側配線（図示せず）とが電気的に接続され、誘電体基板１２の下面（アース電極）と図示しない接地線とが電気的に接続されるようになっている。
【００７７】
また、この第２の変形例に係る送受信機１０Ａｂにおいては、図９に示すように、第４の誘電体層Ｓ４の一主面に、第１の受信側の３本の共振素子１３４ａ〜１３４ｃと、第２の受信側の３本の共振素子１４２ａ〜１４２ｃがそれぞれ平行に形成されている。これら共振素子１３４ａ〜１３４ｃ並びに１４２ａ〜１４２ｃは、各一方の端部が開放とされ、各他方の端部がアース電極４４に短絡されている。
【００７８】
第３の誘電体層Ｓ３の一主面には、第１の受信側の出力用電極１６０と第２の受信側の出力用電極１６２が形成されている。第１の受信側の出力用電極１６０は、一端がスルーホール１６４を介して第１の受信アンテナ部１４０におけるアンテナ１３８の一端に接続され、かつ、前記第１の受信側の第３の共振素子１３４ｃと容量結合されるように形成されている。第２の受信側の出力用電極１６２は、一端がスルーホール１６６を介して第２の受信アンテナ部１４８におけるアンテナ１４６の一端に接続され、かつ、前記第２の受信側の第３の共振素子１４２ｃと容量結合されるように形成されている。
【００７９】
また、前記第３の誘電体層Ｓ３の一主面には、アース電極４４、送信側入力端子４０、第１及び第２の受信側出力端子１５０及び１５２等に対して電位的にフローティング状態とされた２つの結合調整電極（第１の受信側の第１の結合調整電極１６８と、第２の受信側の第１の結合調整電極１７０）が形成されている。
【００８０】
また、前記第２の誘電体層Ｓ２の一主面のうち、送信フィルタ部１４並びに第１及び第２の受信フィルタ部１３６及び１４４に対応した部分に、外側面のアース電極４４に接続された内層アース電極７６が形成されている。この内層アース電極７６には、スルーホール６４、１６４及び１６６の周辺部分や、送信側入力端子４０並びに第１及び第２の受信側出力端子１５０及び１５２の近傍部分が電極の未形成部分となっており、これらスルーホール６４、１６４及び１６６や各種端子４０、１５０及び１５２との絶縁が確保されている。
【００８１】
第５の誘電体層Ｓ５の一主面には、第１の受信側の出力用電極１７２と第２の受信側の出力用電極１７４が形成されている。第１の受信側の出力用電極１７２は、一端がＬ字状のリード電極１７６を通じて第１の受信側出力端子１５０に接続され、かつ、前記第１の受信側の第１の共振素子１３４ａと容量結合されるように形成され、第２の受信側の出力用電極１７４は、一端がＬ字状のリード電極１７８を通じて第２の受信側出力端子１５２に接続され、かつ、前記第２の受信側の第１の共振素子１４２ａと容量結合されるように形成されている。
【００８２】
また、前記第５の誘電体層Ｓ５の一主面には、アース電極４４、送信側入力端子４０、第１及び第２の受信側出力端子１５０及び１５２等に対して電位的にフローティング状態とされた２つの結合調整電極（第１の受信側の第２の結合調整電極１８０と、第２の受信側の第２の結合調整電極１８２）が形成されている。
【００８３】
更に、この第２の変形例に係る送受信機１０Ａｂは、図８に示すように、送信フィルタ部１８と第１の受信フィルタ部１３０と第２の受信フィルタ部１３２との間に例えばＴ字状の空隙１９０が形成され、前記空隙１９０の周面に沿ってアース電極４４が形成されている。もちろん、前記空隙１９０を埋めるようにアース電極４４を構成する電極材を充填するようにしてもよい。
【００８４】
前記空隙１９０の作り方としては、例えば図９に示すように、第１〜第７の誘電体層Ｓ１〜Ｓ７の各層に対して、打抜きパンチによる打抜き加工によって打抜き孔１９０ａ〜１９０ｇを設けた後、これら打抜き孔１９０ａ〜１９０ｇの周面に電極材を印刷することによって実現することができる。
【００８５】
第２の変形例に係る送受信機１０Ａｂは、基本的には以上のように構成されるものであるが、ここで、各電極の電気的な結合について図１０の等価回路図を参照しながら説明する。この場合も、第１及び第２の受信部１３０及び１３２を主体に説明する。
【００８６】
第１の受信部１３０においては、第１の受信側出力端子１５０と接地間に第１〜第３の共振素子１３４ａ〜１３４ｃによる３つの共振器２００ａ〜２００ｃがそれぞれ並列に接続され、更に、これら隣接する共振器２００ａ〜２００ｃ同士は互いに誘導結合され、これにより、等価回路上では、隣接する共振器２００ａ〜２００ｃ間にそれぞれインダクタンスＬ２１及びＬ２２が挿入されたかたちとなる。
【００８７】
また、第２の受信部１３２においても、第２の受信側出力端子１５２と接地間に第１〜第３の共振素子１４２ａ〜１４２ｃによる３つの共振器２０２ａ〜２０２ｃがそれぞれ並列に接続され、更に、これら隣接する共振器２０２ａ〜２０２ｃ同士は互いに誘導結合され、これにより、等価回路上では、隣接する共振器２０２ａ〜２０２ｃ間にそれぞれインダクタンスＬ２３及びＬ２４が挿入されたかたちとなる。
【００８８】
第１の受信側の第１の共振素子１３４ａと第２の共振素子１３４ｂ間には、第１の受信側の第１の結合調整電極１６８による合成容量Ｃ２５が形成され、第１の受信側の第２の共振素子１３４ｂと第３の共振素子１３４ｃ間には、受信側の第２の結合調整電極１８０による合成容量Ｃ２６が形成される。即ち、各共振器２００ａ〜２００ｃ間には、インダクタンスＬ２１と容量Ｃ２５によるＬＣ並列共振回路と、インダクタンスＬ２２と容量Ｃ２６によるＬＣ並列共振回路が接続されたかたちとなる。
【００８９】
また、第２の受信側の第１の共振素子１４２ａと第２の共振素子１４２ｂ間には、第２の受信側の第１の結合調整電極１７０による合成容量Ｃ２８が形成され、第２の受信側の第２の共振素子１４２ｂと第３の共振素子１４２ｃ間には、第２の受信側の第２の結合調整電極１８２による合成容量Ｃ２７が形成される。即ち、各共振器２０２ａ〜２０２ｃ間には、インダクタンスＬ２３と容量Ｃ２７によるＬＣ並列共振回路と、インダクタンスＬ２４と容量Ｃ２８によるＬＣ並列共振回路が接続されたかたちとなる。
【００９０】
第１の受信側の第３の共振素子１３４ｃと第１の受信アンテナ部１４０との間には静電容量Ｃ２９が形成され、第１の受信側の第１の共振素子１３４ａと第１の受信側出力端子１５０との間には静電容量Ｃ３０が形成される。また、第２の受信側の第３の共振素子１４２ｃと第２の受信アンテナ部１４８との間には静電容量Ｃ３１が形成され、第２の受信側の第１の共振素子１４２ａと第２の受信側出力端子１５２との間には静電容量Ｃ３２が形成される。
【００９１】
そして、第１の受信部１３０及び第２の受信部１３２の後段には、第１の受信部１３０からの受信信号と第２の受信部１３２からの受信信号を、信号処理回路１６における図示しないスイッチング制御回路からのスイッチング制御信号の属性（電圧レベル、電流レベル、周波数等）に基づいて選択的に切り換えるスイッチング回路２０４が接続されている。
【００９２】
このスイッチング回路２０４における第１の固定端子２０６には、第１の受信部１３０がアンプ２０８を介して接続され、スイッチング回路２０４の第２の固定端子２１０には、第２の受信部１３２がアンプ２１２を介して接続され、スイッチング回路２０４の可動接点２１４には、フィルタ２１６及びアンプ２１８を介して信号処理回路１６が接続されている。このスイッチング回路２０４は、例えばＦＥＴなどの半導体素子で構成することができる。
【００９３】
そして、信号処理回路１６におけるスイッチング制御回路は、入力された受信信号の感度が高い方を選択するようにスイッチング制御信号の属性を変化させて、スイッチング回路２０４の可動接点２１４を切り換えるように構成されている。
【００９４】
このように、第２の変形例に係る送受信機１０Ａｂにおいては、１つの送信部１８と２つの受信部１３０及び１３２とを誘電体基板１２中に一体的に形成するようにしたので、簡単な構成で十分な送受信分離を実現することができ、送受信機１０Ａｂ自体の小型化、構造の簡略化並びに製造コストの低廉化を図ることができる。しかも、第１及び第２の受信部１３０及び１３２の後段に、感度に応じていずれかの受信部１３０又は１３２を選択するためのスイッチング回路２０４を接続するようにしたので、受信感度の向上をも図ることができる。
【００９５】
なお、この第２の変形例に係る送受信機１０Ａｂは、２つの受信部１３０及び１３２を設けるようにしたが、その他、３つ以上の受信部を設け、これら受信部の後段に、受信部を選択的に切り換えるマルチプレクサを設けるようにしてもよい。
【００９６】
次に、第１の実施の形態に係る送受信機１０Ａの第３の変形例について図１１及び図１２を参照しながら説明する。なお、図８〜図１０と対応するものについては同符号を付してその重複説明を省略する。
【００９７】
この第３の変形例に係る送受信機１０Ａｃは、図１１に示すように、第２の変形例に係る送受信機１０Ａｂ（図８参照）とほぼ同じ構成を有するが、送信フィルタ部１４の直上に送信アンテナ部１６が形成され、第１の受信フィルタ部１３６の直上に第１の受信アンテナ部１４０が形成され、第２の受信フィルタ部１４４の直上に第１の受信アンテナ部１４８が形成されている点で異なる。
【００９８】
この第３の変形例に係る送受信機１０Ａｃでは、図１１に示すように、誘電体基板１２の外周面のうち、送信側入力端子４０並びに第１及び第２の受信側出力端子１５０及び１５２を除く外側面及び下面にアース電極４４が形成されている。もちろん、これら各種端子４０、１５０及び１５２とアース電極４４との間には、絶縁をとるための領域が確保されている。
【００９９】
また、図１２に示すように、第２の誘電体層Ｓ２の一主面に形成される内層アース電極７６は、送信アンテナ部１６と送信フィルタ部１４との間、並びに第１の受信アンテナ部１４０と第１の受信フィルタ部１３６との間、及び第２の受信アンテナ部１４８と第２の受信フィルタ部１４４との間に介在するように形成され、この場合も、少なくともスルーホール６４、１６４及び１６６の周辺部分が内層アース電極７６の未形成部分となっており、スルーホール６４、１６４及び１６６との絶縁が確保されている。
【０１００】
この第３の変形例に係る送受信機１０Ａｃにおいては、複数の受信フィルタ部１３６及び１４４並びに複数の受信アンテナ部１４０及び１４８を有する送受信機１０Ａｃの小型化を更に図ることができる。
【０１０１】
次に、第２の実施の形態に係る送受信機１０Ｂについて図１３及び図１４を参照しながら説明する。
【０１０２】
この第２の実施の形態に係る送受信機１０Ｂは、図１３に示すように、３本の片端開放型の１／４波長共振素子３０ａ〜３０ｃがそれぞれ平行に形成された構成を有する送信フィルタ部１４と該送信フィルタ部１４に接続された送信アンテナ部１６とが第１の誘電体基板２３０中に一体的に形成された送信素子２３２と、３本の片端開放型の１／４波長共振素子３４ａ〜３４ｃがそれぞれ平行に形成された構成を有する受信フィルタ部２０と該受信フィルタ部２０に接続された受信アンテナ部２２とが第２の誘電体基板２３４中に一体的に形成された受信素子２３６とを有して構成されている。
【０１０３】
送信素子２３２は、図１３上、左の領域に送信アンテナ部１６が形成され、右の領域に送信フィルタ部１４が形成されており、第１の誘電体基板２３０の外周面のうち、例えば右側面に送信側入力端子４０が形成され、該送信側入力端子４０を除く外側面及び下面のうち、送信フィルタ部１４に対応した部分にアース電極４４が形成されている。もちろん、送信側入力端子４０とアース電極４４との間には、絶縁をとるための領域が確保されている。
【０１０４】
受信素子２３６は、図１３上、右の領域に受信アンテナ部２２が形成され、左の領域に送信フィルタ部２０が形成されており、第２の誘電体基板２３４の外周面のうち、例えば左側面に受信側出力端子４２が形成され、該受信側出力端子４２を除く外側面及び下面のうち、受信フィルタ部２０に対応した部分にアース電極４４が形成されている。もちろん、受信側出力端子４２とアース電極４４との間には、絶縁をとるための領域が確保されている。
【０１０５】
そして、この第２の実施の形態に係る送受信機１０Ｂを配線基板４６に実装したとき、送信素子２３２の送信側入力端子４０と送信側配線４８とが電気的に接続され、受信素子２３６の受信側出力端子４２と受信側配線５０とが電気的に接続され、第１及び第２の誘電体基板２３０及び２３４の下面（アース電極４４）と図示しない接地線とが電気的に接続されるようになっている。
【０１０６】
送信素子２３２及び受信素子２３６の内部構造は、図１４に示すように、第１の実施の形態に係る送受信機１０Ａの送信部１８及び受信部２４と同様の構成となっているため、対応する部材に同符号を付して重複説明を省略する。
【０１０７】
この第２の実施の形態に係る送受信機１０Ｂにおいても、簡単な構成で十分な送受信分離を実現することができ、送受信機１０Ｂ自体の小型化、構造の簡略化並びに製造コストの低廉化を図ることができる。
【０１０８】
また、図１５の第１の変形例に係る送受信機１０Ｂａに示すように、送信素子２３２において、送信フィルタ部１４の直上に送信アンテナ部１６を形成し、受信素子２３６において、受信フィルタ部２０の直上に受信アンテナ部２２を形成するようにしてもよい。この場合、送信素子２３２及び受信素子２３６のサイズを小型化できるため、該送受信機１０Ｂを実装した通信機器等の小型化を図ることができる。
【０１０９】
また、図１６の第２の変形例に係る送受信機１０Ｂｂに示すように、１つの送信素子２３２と、２つの受信素子（第１及び第２の受信素子２４０及び２４２）を有して構成するようにしてもよい。この場合、第１の実施の形態に係る送受信機１０Ａの変形例１０Ａａと同様に、第１及び第２の受信素子２４０及び２４２の後段にスイッチング回路２０４を接続することにより、感度の高い受信素子を選択することができる。
【０１１０】
また、図１７の第３の変形例に係る送受信機１０Ｂｃに示すように、図１６に示す第２の変形例に係る送受信機１０Ｂｂにおいて、送信素子２３２における送信フィルタ部１４の直上に送信アンテナ部１６を形成し、第１の受信素子２４０における第１の受信フィルタ部１３６の直上に第１の受信アンテナ部１４０を形成し、第２の受信素子２４２における第２の受信フィルタ部１４４の直上に第２の受信アンテナ部１４８を形成するようにしてもよい。この場合、複数の受信素子２４０及び２４２を有する通信機器等の更なる小型化を図ることができる。
【０１１１】
次に、第３の実施の形態に係る送受信機１０Ｃについて図１８を参照しながら説明する。
【０１１２】
この第３の実施の形態に係る送受信機１０Ｃは、図１８に示すように、第１の送信側誘電体基板２５０に形成され、かつ、３本の片端開放型の１／４波長共振素子３０ａ〜３０ｃがそれぞれ平行に形成された構成を有する送信フィルタ素子２５２と、第２の送信側誘電体基板２５４の上面に送信アンテナ３２が形成された構成を有する送信アンテナ素子２５６とが第１のストリップライン２５８で電気的に接続されてなる送信素子２６０と、第１の受信側誘電体基板２６２に形成され、３本の片端開放型の１／４波長共振素子３４ａ〜３４ｃがそれぞれ平行に形成された構成を有する受信フィルタ素子２６４と、第２の受信側誘電体基板２６６の上面に受信アンテナ３６が形成された構成を有する受信アンテナ素子２６８とが第２のストリップライン２７０で電気的に接続されてなる受信素子２７２とを有して構成されている。
【０１１３】
図１８上、送信素子２６０における送信アンテナ素子２５６は、第１の送信側誘電体基板２５４の外周面のうち、例えば右側面にアンテナ端子２７４が形成されている。
【０１１４】
送信素子２６０における送信フィルタ素子２５２は、第２の送信側誘電体基板２５０の外周面のうち、例えば左側面に送信側出力端子２７６が形成され、右側面に送信側入力端子２７８が形成され、これら各種端子を除く外側面及び下面にアース電極４４が形成されている。
【０１１５】
一方、受信素子２７２における受信アンテナ素子２６８は、第２の受信側誘電体基板２６６の外周面のうち、例えば左側面にアンテナ端子２８０が形成されている。
【０１１６】
受信素子２７２における受信フィルタ素子２６４は、第２の受信側誘電体基板２６２の外周面のうち、例えば右側面に受信側入力端子２８２が形成され、左側面に受信側出力端子２８４が形成され、これら各種端子を除く外側面及び下面にアース電極４４が形成されている。
【０１１７】
そして、この第３の実施の形態に係る送受信機１０Ｃを配線基板４６に実装したとき、送信アンテナ素子２５６のアンテナ端子２７４と送信フィルタ素子２５２の送信側入力端子２７６とが第１のストリップライン２５８によって電気的に接続され、送信フィルタ素子２５２の送信側出力端子２７８と送信側配線４８とが電気的に接続される。
【０１１８】
また、受信アンテナ素子２６８のアンテナ端子２８０と受信フィルタ素子２６４の受信側出力端子２８２とが第２のストリップライン２７０によって電気的に接続され、受信フィルタ素子２６４の受信側入力端子２８４と受信側配線５０とが電気的に接続される。
【０１１９】
更に、第１及び第２の送信側誘電体基板２５０の下面（アース電極４４）と図示しない接地線とが電気的に接続され、第１及び第２の受信側誘電体基板２６２の下面（アース電極４４）と図示しない接地線とが電気的に接続される。
【０１２０】
この第３の実施の形態に係る送受信機１０Ｃにおいても、簡単な構成で十分な送受信分離を実現することができ、送受信機１０Ｃ自体の小型化、構造の簡略化並びに製造コストの低廉化を図ることができる。
【０１２１】
また、図１９の変形例に係る送受信機１０Ｃａに示すように、１つの送信素子２６０と２つの受信素子（第１及び第２の受信素子２９０及び２９２）を有して構成するようにしてもよい。この場合、第１の受信素子２９０は、第１の受信アンテナ素子２９４と第１の受信フィルタ素子２９６で構成され、第２の受信素子２９２は、第２の受信アンテナ素子２９８と第２の受信フィルタ素子３００で構成されることになる。
【０１２２】
この変形例に係る送受信機１０Ｃａにおいても、第１の実施の形態に係る送受信機１０Ａの変形例１０Ａａと同様に、２つの受信素子２９０及び２９２の後段にスイッチング回路２０４を接続して、感度の高い受信素子を選択するようにしてもよい。
【０１２３】
なお、この発明に係る送受信機は、上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【０１２４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る送受信機によれば、簡単な構成で十分な送受信分離を実現することができ、送受信機自体の小型化、構造の簡略化並びに製造コストの低廉化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係る送受信機の構成を示す斜視図である。
【図２】第１の実施の形態に係る送受信機の構成を示す分解斜視図である。
【図３】第１の実施の形態に係る送受信機の構成を示す縦断面図である。
【図４】第１の実施の形態に係る送受信機の等価回路をその後段に接続される信号処理系と共に示す図である。
【図５】第１の実施の形態に係る送受信機の第１の変形例の構成を示す斜視図である。
【図６】第１の実施の形態に係る送受信機の第１の変形例の構成を示す分解斜視図である。
【図７】第１の実施の形態に係る送受信機の第１の変形例の構成を示す縦断面図である。
【図８】第１の実施の形態に係る送受信機の第２の変形例の構成を示す斜視図である。
【図９】第１の実施の形態に係る送受信機の第２の変形例の構成を示す分解斜視図である。
【図１０】第１の実施の形態に係る送受信機の第２の変形例の等価回路をその後段に接続される信号処理系と共に示す図である。
【図１１】第１の実施の形態に係る送受信機の第３の変形例の構成を示す斜視図である。
【図１２】第１の実施の形態に係る送受信機の第３の変形例の構成を示す分解斜視図である。
【図１３】第２の実施の形態に係る送受信機の構成を示す斜視図である。
【図１４】第２の実施の形態に係る送受信機の構成を示す分解斜視図である。
【図１５】第２の実施の形態に係る送受信機の第１の変形例の構成を示す斜視図である。
【図１６】第２の実施の形態に係る送受信機の第２の変形例の構成を示す斜視図である。
【図１７】第２の実施の形態に係る送受信機の第３の変形例の構成を示す斜視図である。
【図１８】第３の実施の形態に係る送受信機の構成を示す斜視図である。
【図１９】第３の実施の形態に係る送受信機の変形例の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０Ａ、１０Ａａ〜１０Ａｃ、１０Ｂ、１０Ｂａ〜１０Ｂｃ、１０Ｃ、１０Ｃａ…送受信機
１２…誘電体基板 １４…送信フィルタ部
１６…送信アンテナ部 １８…送信部
２０…受信フィルタ部 ２２…受信アンテナ部
２４…受信部 １００…空隙
１１６…信号処理回路 １３０…第１の受信部
１３２…第２の受信部 １３６…第１の受信フィルタ部
１４０…第１の受信アンテナ部 １４４…第２の受信フィルタ部
１４８…第２の受信アンテナ部 １９０…空隙
２０４…スイッチング回路 ２３０…第１の誘電体基板
２３２…送信素子 ２３４…第２の誘電体基板
２３６…受信素子 ２４０…第１の受信素子
２４２…第２の受信素子 ２５０…第１の送信側誘電体基板
２５２…送信フィルタ素子 ２５４…第２の送信側誘電体基板
２５６…送信アンテナ素子 ２６０…送信素子
２６２…第１の受信側誘電体基板 ２６４…受信フィルタ素子
２６６…第２の受信側誘電体基板 ２６８…受信アンテナ素子
２７２…受信素子[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a transceiver having a transmission filter and a reception filter having different center frequencies.
[0002]
[Prior art]
In general, a high frequency radio such as a mobile phone uses different frequencies for transmission and reception. Even in this case, a duplexer is necessary because one antenna is used for transmission and reception. The duplexer mainly includes a transmission filter and a reception filter.
[0003]
The transmission filter is configured to pass through the transmission band and obtain attenuation in the reception band so that the signal in the reception band at the power amplifier does not leak outside, and the reception filter passes through the reception band and from the power amplifier. The transmission signal is attenuated in the transmission band so as not to saturate the low noise amplifier for reception.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in recent cellular phones, since the interval between the reception band and the transmission band on the frequency axis is narrow, sufficient transmission / reception separation, that is, attenuation in the reception band in the transmission filter and transmission in the reception filter In order to realize the attenuation in the band, it has become necessary to increase the number of stages of the transmission filter and the reception filter, or increase the resonator constituting the filter to increase the Q.
[0005]
Any of these methods may increase the size and complexity of the duplexer, and may increase the manufacturing cost of the transceiver.
[0006]
The present invention has been made in view of the above problems, and can achieve sufficient transmission / reception separation with a simple configuration, reducing the size of the transmitter / receiver itself, simplifying the structure, and reducing the manufacturing cost. An object of the present invention is to provide a transceiver that can be realized.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The transceiver according to the present invention includes a transmission unit having a transmission filter and a transmission antenna connected to the transmission filter, and a reception unit having a reception filter and a reception antenna connected to the reception filter.OneIntegrally formed in the dielectric substrateThe transmission filter and the transmission antenna in the transmission unit are formed on the dielectric substrate in a region separated from each other in a plane, and the reception filter and the reception antenna in the reception unit are on the dielectric substrate on a plane. Are formed in regions separated from each other, a gap is formed between the transmission unit and the reception unit, a shield electrode is formed at least on the inner peripheral surface of the gap, and the transmission filter and the reception filter are: Formed at positions facing each other with the gap in between.It is characterized by that.
In this case, the first inner layer ground electrode formed on the transmission filter in the dielectric substrate is connected to the shield electrode formed on the inner wall of the gap, and in the dielectric substrate, The second inner layer ground electrode formed on the reception filter may be connected to the shield electrode formed on the inner wall of the gap.
[0008]
That is, a transmission antenna and a reception antenna are provided separately, and a transmission unit including a transmission antenna and a transmission filter and a reception unit including a reception antenna and a reception filter are integrally provided on the dielectric substrate.
[0009]
Thereby, an isolation of 10 dB or more can be obtained between the transmission band and the reception band. By securing this isolation, the attenuation characteristic required for each filter becomes gradual, and the transmission filter and the reception filter can be reduced in size. As a result, sufficient transmission / reception separation can be realized with a simple configuration, and the transceiver itself can be miniaturized, the structure can be simplified, and the manufacturing cost can be reduced.
Since the shield electrode is formed between the transmission unit and the reception unit, the shielding property between the transmission filter and the reception filter can be enhanced.
In addition, when forming the dielectric substrate by laminating dielectric sheets, it is difficult to insert a shield electrode in a direction perpendicular to the dielectric sheet, but a gap is formed between the filters. Then, by forming the shield electrode at least on the inner peripheral surface of the gap, the shield electrode can be easily formed between the filters.
[0011]
in frontIn the above configuration, a transmission antenna may be formed directly above the transmission filter via a dielectric layer, and a reception antenna may be formed directly above the reception filter via a dielectric layer. In this case, it is possible to effectively reduce the size of the transceiver itself.
[0014]
Next, a transceiver according to the present invention includes a transmission unit having a transmission filter and a transmission antenna connected to the transmission filter;A first receiving unit having a first receiving filter and a first receiving antenna connected to the first receiving filter; a second receiving unit having a second receiving filter and a second receiving antenna connected to the second receiving filter;With the receiverOneIntegrally formed in the dielectric substrateThe transmission filter and the transmission antenna in the transmission unit are formed in a region separated from each other on the dielectric substrate in a plane, and the first reception filter and the first reception antenna in the first reception unit are: The second receiving filter and the second receiving antenna in the second receiving unit are separated from each other in a plane on the dielectric substrate. A first gap is formed between the transmitter, the first receiver, and the second receiver, and a second gap is formed between the first receiver and the second receiver. A shield electrode is formed on each inner circumferential surface of the first gap and the second gap, and the transmission filter of the transmission unit and the first reception filter of the first reception unit are configured as the first gap. With each other in between Is formed at a position toward said second reception filter of the transmitting filter and the second reception unit of the transmission unit, in between the first gap is formed at a position facing each otherIt is characterized by.
In this case, an inner layer ground electrode formed on the transmission filter in the dielectric substrate is connected to the shield electrode formed on an inner wall of the first gap, and in the dielectric substrate, An inner layer ground electrode formed on the first reception filter and the second reception filter may be connected to the shield electrode formed on the inner wall of the second gap.
[0015]
Also in the present invention, sufficient transmission / reception separation can be realized with a simple configuration, and the transceiver itself can be reduced in size, the structure can be simplified, and the manufacturing cost can be reduced.
[0016]
And in the said structure, it is preferable to connect the switching means for selecting any receiving filter according to a sensitivity after the said receiving part.
[0018]
In the above configuration, a transmission antenna may be formed directly above the transmission filter via a dielectric layer, and a reception antenna may be formed directly above the reception filter via a dielectric layer.
[0028]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, some embodiments of the transceiver according to the present invention will be described with reference to FIGS.
[0029]
First, as shown in FIG. 1, the
[0030]
The
[0031]
The
[0032]
Specifically, as shown in FIG. 2, the
[0033]
The
[0034]
For example, as shown in FIG. 1, the
[0035]
Further, the
[0036]
Further, as shown in FIG. 1, a transmission-
[0037]
When the
[0038]
Further, in the
[0039]
A transmission-
[0040]
In addition, on one main surface of the third dielectric layer S3, two coupling adjustment electrodes (in a potential floating state with respect to the
[0041]
The first
[0042]
The first
[0043]
Further, three inner
[0044]
Of the main surface of the second dielectric layer S2 located above the third dielectric layer S3, a portion corresponding to the
[0045]
A transmission-
[0046]
In addition, on one main surface of the fifth dielectric layer S5, two coupling adjustment electrodes (potentially floating with respect to the
[0047]
The second
[0048]
The second
[0049]
Further, three inner
[0050]
Furthermore, in the
[0051]
For example, as shown in FIG. 2, the
[0052]
As shown in FIG. 2, the formation positions of the punched
[0053]
The
[0054]
First, in the
[0055]
On the other hand, in the receiving
[0056]
A combined capacitance C1 is formed between the
[0057]
Between the
[0058]
Further, there is a capacitance between each open end of the first to
[0059]
In addition, a capacitance C11 is formed between the
[0060]
Then, a downstream side of the reception
[0061]
Further, the signal processed by the
[0062]
As described above, in the
[0063]
By securing this isolation, the attenuation characteristics required for the
[0064]
In particular, in this embodiment, the
[0065]
Next, a first modification of the
[0066]
The transceiver 10Aa according to the first modification has substantially the same configuration as the
[0067]
In the transceiver 10 </ b> Aa according to the first modification, as shown in FIG. 5, ground electrodes are provided on the outer and lower surfaces of the outer peripheral surface of the
[0068]
Further, as shown in FIG. 6, the inner
[0069]
In the transceiver 10Aa according to the first modification, the
[0070]
Next, a second modification of the
[0071]
As shown in FIG. 8, the transceiver 10Ab according to the second modification has substantially the same configuration as the
[0072]
The second modification is characterized in that the first and second receiving
[0073]
The
[0074]
The
[0075]
In the transceiver 10Ab according to the second modification, as shown in FIG. 8, the transmission-
[0076]
And
[0077]
In the transceiver 10Ab according to the second modification, as shown in FIG. 9, three
[0078]
On one main surface of the third dielectric layer S3, a first receiving-
[0079]
Further, one main surface of the third dielectric layer S3 is in a floating state with respect to the
[0080]
In addition, the main surface of the second dielectric layer S2 is connected to the
[0081]
A first reception-
[0082]
Further, one main surface of the fifth dielectric layer S5 is in a floating state with respect to the
[0083]
Further, as shown in FIG. 8, the transceiver 10Ab according to the second modification has, for example, a T-shape between the
[0084]
For example, as shown in FIG. 9, after forming the
[0085]
The transceiver 10Ab according to the second modification is basically configured as described above. Here, the electrical coupling of the electrodes will be described with reference to the equivalent circuit diagram of FIG. To do. In this case as well, the first and second receiving
[0086]
In the
[0087]
Also in the
[0088]
Between the
[0089]
In addition, a combined capacitor C28 formed by the first
[0090]
A capacitance C29 is formed between the first receiving-side
[0091]
In the subsequent stage of the
[0092]
A
[0093]
Then, the switching control circuit in the
[0094]
As described above, in the transceiver 10Ab according to the second modified example, the
[0095]
Note that the transceiver 10Ab according to the second modification is provided with the two receiving
[0096]
Next, a third modification of the
[0097]
As shown in FIG. 11, the transceiver 10Ac according to the third modification has almost the same configuration as the transceiver 10Ab (see FIG. 8) according to the second modification, but just above the
[0098]
In the transceiver 10Ac according to the third modification, as shown in FIG. 11, the transmission
[0099]
Also, as shown in FIG. 12, the inner
[0100]
In the transceiver 10Ac according to the third modification, the transceiver 10Ac having the plurality of
[0101]
Next, a
[0102]
As shown in FIG. 13, the
[0103]
In the
[0104]
In the receiving
[0105]
When the
[0106]
As shown in FIG. 14, the internal structure of the transmitting
[0107]
Also in the
[0108]
Further, as shown in the transceiver 10Ba according to the first modification of FIG. 15, in the
[0109]
Further, as shown in the transceiver 10Bb according to the second modification example of FIG. 16, the transmitter / receiver 10Bb includes one transmitting
[0110]
Further, as shown in the transceiver 10Bc according to the third modification of FIG. 17, in the transceiver 10Bb according to the second modification shown in FIG. 16, the transmission antenna unit is directly above the
[0111]
Next, a transceiver 10C according to the third embodiment will be described with reference to FIG.
[0112]
As shown in FIG. 18, the transceiver 10C according to the third embodiment is formed on a first transmission-
[0113]
In FIG. 18, the transmitting
[0114]
The
[0115]
On the other hand, the receiving
[0116]
The
[0117]
When the transceiver 10C according to the third embodiment is mounted on the
[0118]
The
[0119]
Furthermore, the lower surface (ground electrode 44) of the first and second transmission-side
[0120]
Also in the transceiver 10C according to the third embodiment, sufficient transmission / reception separation can be realized with a simple configuration, and the transceiver 10C itself is downsized, simplified in structure, and reduced in manufacturing cost. be able to.
[0121]
Further, as shown in the transceiver 10Ca according to the modification of FIG. 19, the transmitter 10Ca may be configured to have one transmitting
[0122]
Also in the transceiver 10Ca according to this modification, as in the modification 10Aa of the
[0123]
The transmitter / receiver according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can of course adopt various configurations without departing from the gist of the present invention.
[0124]
【The invention's effect】
As described above, according to the transceiver according to the present invention, sufficient transmission / reception separation can be realized with a simple configuration, and the transceiver itself can be miniaturized, the structure can be simplified, and the manufacturing cost can be reduced. be able to.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a transceiver according to a first embodiment.
FIG. 2 is an exploded perspective view showing a configuration of a transceiver according to the first embodiment.
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a transceiver according to the first embodiment.
FIG. 4 is a diagram showing an equivalent circuit of the transceiver according to the first embodiment together with a signal processing system connected to the subsequent stage.
FIG. 5 is a perspective view showing a configuration of a first modification of the transceiver according to the first embodiment.
FIG. 6 is an exploded perspective view showing a configuration of a first modification of the transceiver according to the first embodiment.
FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a first modification of the transceiver according to the first embodiment.
FIG. 8 is a perspective view showing a configuration of a second modification of the transceiver according to the first embodiment.
FIG. 9 is an exploded perspective view showing a configuration of a second modification of the transceiver according to the first embodiment.
FIG. 10 is a diagram showing an equivalent circuit of a second modification of the transceiver according to the first embodiment, together with a signal processing system connected to the subsequent stage.
FIG. 11 is a perspective view showing a configuration of a third modification of the transceiver according to the first embodiment.
FIG. 12 is an exploded perspective view showing a configuration of a third modification of the transceiver according to the first embodiment.
FIG. 13 is a perspective view showing a configuration of a transceiver according to the second embodiment.
FIG. 14 is an exploded perspective view showing a configuration of a transceiver according to a second embodiment.
FIG. 15 is a perspective view showing a configuration of a first modification of the transceiver according to the second embodiment.
FIG. 16 is a perspective view showing a configuration of a second modification of the transceiver according to the second embodiment.
FIG. 17 is a perspective view showing a configuration of a third modification of the transceiver according to the second embodiment.
FIG. 18 is a perspective view showing a configuration of a transceiver according to a third embodiment.
FIG. 19 is a perspective view showing a configuration of a modified example of the transceiver according to the third embodiment.
[Explanation of symbols]
10A, 10Aa-10Ac, 10B, 10Ba-10Bc, 10C, 10Ca ... transceiver
12 ...
16 ... Transmitting
20 ...
24 ... Receiving
116: Signal processing circuit 130: First receiving unit
132: second reception unit 136: first reception filter unit
140: first reception antenna unit 144: second reception filter unit
148 ... second receiving
204: switching circuit 230: first dielectric substrate
232: Transmitting element 234: Second dielectric substrate
236 ... receiving
242 ... second receiving
252: Transmission filter element 254: Second transmission-side dielectric substrate
256 ... Transmitting
262... First reception-
266 ... second receiving-
272 ... receiving element
Claims (7)
前記送信部における前記送信フィルタと送信アンテナは、前記誘電体基板上、平面的に互いに分離された領域に形成され、
前記受信部における前記受信フィルタと受信アンテナは、前記誘電体基板上、平面的に互いに分離された領域に形成され、
前記送信部と前記受信部との間に空隙が形成され、少なくとも前記空隙の内周面にシールド電極が形成され、
前記送信フィルタと前記受信フィルタは、前記空隙を間に挟んで互いに対向する位置に形成されていることを特徴とする送受信機。A transmission unit having a transmission filter and a transmission antenna connected to the transmission filter, and a reception unit having a reception filter and a reception antenna connected to the reception filter are integrally formed in one dielectric substrate. ,
The transmission filter and the transmission antenna in the transmission unit are formed in regions separated from each other on the dielectric substrate in a plane,
The reception filter and the reception antenna in the reception unit are formed in regions separated from each other in a plane on the dielectric substrate,
A gap is formed between the transmitter and the receiver, and a shield electrode is formed at least on the inner peripheral surface of the gap,
The transmitter / receiver is characterized in that the transmission filter and the reception filter are formed at positions facing each other with the gap therebetween .
前記誘電体基板内のうち、前記送信フィルタの上部に形成された第１内層アース電極は、前記空隙の内壁に形成された前記シールド電極に接続され、The first inner layer ground electrode formed on the transmission filter in the dielectric substrate is connected to the shield electrode formed on the inner wall of the gap,
前記誘電体基板内のうち、前記受信フィルタの上部に形成された第２内層アース電極は、前記空隙の内壁に形成された前記シールド電極に接続されていることを特徴とする送受信機。A transmitter / receiver characterized in that a second inner layer ground electrode formed on the reception filter in the dielectric substrate is connected to the shield electrode formed on the inner wall of the gap.
前記送信フィルタの直上に誘電体層を介して送信アンテナが形成され、
前記受信フィルタの直上に誘電体層を介して受信アンテナが形成されていることを特徴とする送受信機。The transceiver according to claim 1,
A transmission antenna is formed directly above the transmission filter via a dielectric layer,
A transceiver, wherein a receiving antenna is formed directly above the receiving filter via a dielectric layer.
第１受信フィルタと該第１受信フィルタに接続された第１受信アンテナとを有する第１受信部と、
第２受信フィルタと該第２受信フィルタに接続された第２受信アンテナとを有する第２受信部とが１つの誘電体基板中に一体的に形成され、
前記送信部における前記送信フィルタと送信アンテナは、前記誘電体基板上、平面的に互いに分離された領域に形成され、
前記第１受信部における前記第１受信フィルタと前記第１受信アンテナは、前記誘電体基板上、平面的に互いに分離された領域に形成され、
前記第２受信部における前記第２受信フィルタと前記第２受信アンテナは、前記誘電体基板上、平面的に互いに分離された領域に形成され、
前記送信部と前記第１受信部及び前記第２受信部との間に第１空隙が形成され、
前記第１受信部と前記第２受信部との間に第２空隙が形成され、
前記第１空隙及び前記第２空隙の各内周面にそれぞれシールド電極が形成され、
前記送信部の前記送信フィルタと前記第１受信部の前記第１受信フィルタは、前記第１空隙を間に挟んで互いに対向する位置に形成され、前記送信部の前記送信フィルタと前記第２受信部の前記第２受信フィルタは、前記第１空隙を間に挟んで互いに対向する位置に形成されていることを特徴とする送受信機。A transmission unit having a transmission filter and a transmission antenna connected to the transmission filter;
A first receiving unit having a first receiving filter and a first receiving antenna connected to the first receiving filter;
A second receiving section having a second receiving filter and a second receiving antenna connected to the second receiving filter is integrally formed in one dielectric substrate ;
The transmission filter and the transmission antenna in the transmission unit are formed in regions separated from each other on the dielectric substrate in a plane,
The first reception filter and the first reception antenna in the first reception unit are formed in a region separated from each other in plan on the dielectric substrate,
The second reception filter and the second reception antenna in the second reception unit are formed in a region separated from each other in plan on the dielectric substrate,
A first gap is formed between the transmitter, the first receiver, and the second receiver,
A second gap is formed between the first receiver and the second receiver;
A shield electrode is formed on each inner peripheral surface of the first gap and the second gap,
The transmission filter of the transmission unit and the first reception filter of the first reception unit are formed at positions facing each other with the first gap interposed therebetween, and the transmission filter of the transmission unit and the second reception filter The transmitter / receiver is characterized in that the second receiving filter is formed at a position facing each other with the first gap in between .
前記誘電体基板内のうち、前記送信フィルタの上部に形成された内層アース電極は、前記第１空隙の内壁に形成された前記シールド電極に接続され、Of the dielectric substrate, the inner layer ground electrode formed on the transmission filter is connected to the shield electrode formed on the inner wall of the first gap,
前記誘電体基板内のうち、前記第１受信フィルタ及び前記第２受信フィルタの上部に形成された内層アース電極は、前記第２空隙の内壁に形成された前記シールド電極に接続さIn the dielectric substrate, an inner layer ground electrode formed on the first receiving filter and the second receiving filter is connected to the shield electrode formed on the inner wall of the second gap. れていることを特徴とする送受信機。Transmitter / receiver characterized by that.
前記第１受信部及び前記第２受信部の後段に、前記第１受信フィルタ及び前記第２受信フィルタのうち、感度に応じていずれかの受信フィルタを選択するためのスイッチング手段が接続されることを特徴とする送受信機。The transceiver according to claim 4 or 5 ,
Switching means for selecting one of the first reception filter and the second reception filter according to sensitivity is connected to the subsequent stage of the first reception unit and the second reception unit. A transceiver characterized by.
前記送信フィルタの直上に誘電体層を介して前記送信アンテナが形成され、
前記第１受信フィルタの直上に誘電体層を介して前記第１受信アンテナが形成され、
前記第２受信フィルタの直上に誘電体層を介して前記第２受信アンテナが形成されていることを特徴とする送受信機。The transceiver according to claim 4 or 5 ,
The transmission antenna is formed directly above the transmission filter via a dielectric layer,
The first reception antenna is formed directly above the first reception filter via a dielectric layer ,
2. The transceiver according to claim 1, wherein the second receiving antenna is formed directly above the second receiving filter via a dielectric layer .
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