JP3747897B2 - Manufacturing method of tape carrier for semiconductor device and semiconductor device using the same - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＴＡＢテープをはじめとする両面配線フレキシブルプリント基板｛以下、２メタルＦＰＣ(Flexible Printed Circuit)と略す｝を、半導体パッケージ（半導体装置）を構成する部材として用いる電子部品全般に適用される半導体装置用テープキャリアの製造方法およびそれを用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来技術を携帯電話機等の携帯機器用として用いられているＣＯＦテープを例に上げて説明する。図４は、従来の両面配線構造のＣＯＦテープ（以下、２メタルＣＯＦテープと称す）のスルーホール製造工程の一例を示す断面図である。
【０００３】
まず、（Ａ）に示すポリイミドテープ１０にドリルやパンチングによって、（Ｂ）に示す所定の径の貫通穴１１を形成する。この後、ポリイミドテープ１０との密着性を向上させるために、まず、ニッケルやクロム等をスパッタリングし、その直後に銅をスパッタリングすることによって、（ｃ）に示す数１００Å〜数μｍの厚みの膜である第１のシード層１２を形成し、さらに数μｍの厚みの銅メッキによる第２のシード層１３を形成する。
【０００４】
さらに、全面銅メッキを施すことによって（Ｄ）に示す銅メッキ層１４を形成した後、フォトレジスト塗布、所定パターンの露光、現像、塩化第二鉄溶液や塩化第二銅溶液等の液によりエッチングすることによって、（Ｅ）に示す銅パターン１５を形成するといった、フォトファブリケーションプロセスを適用することにより、スルーホールを形成する。
【０００５】
また、貫通穴を設けず、予めポリイミド表裏両面の全面にスパッタ膜を形成し、この時点で貫通穴加工を行い、さらに、導電性皮膜を付与する処理、および銅メッキ処理を行うことによりスルーホールを完成させる場合もある。
【０００６】
さらには、用いる基材として、上記のようにスパッタリング等の手法ではなく、銅箔上にワニス状のポリイミド樹脂を塗布し、加熱硬化させる方法により製作されたものや、熱可塑性接着剤や熱硬化型接着剤を、予めポリイミドテープに塗布したものと、別途製作された銅箔とをロールラミネート法にて製作されたものを用いる場合もある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の半導体装置用テープキャリア（２メタルＣＯＦテープ）の製造方法においては、次の▲１▼〜▲４▼に記述する問題があった。
【０００８】
▲１▼スパッタリングや真空蒸着にて第１および第２のシード層１２，１３を形成した基材の場合、ポリイミド等の樹脂層（ポリイミドテープ１０）と、その表面に形成された金属膜との密着性が低く、特に１５０℃程度の高温中に長時間放置すると、金属／樹脂界面でのピール強度が極端に低下するという問題がある。
【０００９】
▲２▼ポリイミドテープ１０上には、例えばニッケル／銅の異種金属が積層された状態であり、配線パターン（銅パターン１５）形成後に、無電解錫メッキ処理時に、この異種金属周辺から局所的な電位差による異常析出が発生しやすいという問題がある。
【００１０】
▲３▼一方、キャスティングやロールラミネート法により製作される基材を用いた場合は、上記▲１▼および▲２▼の問題は発生しない。しかし、銅箔として、一般的に電解銅箔または圧延銅箔が用いられるが、現状容易に入手可能な銅箔の厚みは、最小１２μｍが限界である。この厚さの基材に、スルーホール銅メッキにより数μｍの両面メッキを施すことにより、総銅箔厚みから５０μｍ以下のファインピッチの形成は困難であるという問題がある。
【００１１】
▲４▼貫通穴１１の加工をパンチングで行う際、貫通穴１１に発生した図示せぬバリやダレを除去しなければ、その部分にも銅メッキが施され、後工程での銅メッキ脱落によるショート不良、銅メッキの際の電流密度集中による異常析出の原因になるという問題がある。
【００１２】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、銅箔とポリイミド等の樹脂界面の密着強度が高く、無電解錫メッキ時に異種金属の存在による異常析出を発生させることなく、ファインピッチの形成および信頼性の高いスルーホールを形成することができる半導体装置用テープキャリアの製造方法およびそれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、キャスティング法またはロールラミネート法で製造された両面銅箔付き樹脂テープにパンチング法により多数の貫通穴を開けた後、酸系薬品を用いて化学研磨し、前記両面銅箔付き樹脂テープの両面の銅箔を所定の厚みまでエッチング除去した後、両面銅メッキを行うことを特徴としている。
【００１５】
また、前記両面銅箔付き樹脂テープの両面の銅箔を、所定の厚みまでエッチング除去する薬品として、硫酸一過酸化水素および過硫酸ナトリウムの何れか一方、または、塩化第二銅および塩化第二鉄の何れか一方を主成分とした薬品を用いることを特徴としている。
【００１６】
また、前記両面銅箔付き樹脂テープは、キャスティング法またはロールラミネート法で製造されており、その両面の銅箔は、電解銅箔であり、且つその厚みが５〜３５μｍであり、前記エッチング除去厚みが３〜３０μｍであることを特徴としている。
【００１７】
また、前記両面銅箔付き樹脂テープの樹脂部分がポリイミドであり、その厚みが１２〜１２５μｍであることを特徴としている。
【００１８】
また、本発明の半導体装置用テープキャリアを用いた半導体装置は、キャスティング法またはロールラミネート法で製造された両面銅箔付き樹脂テープにパンチング法により多数の貫通穴が開口された材料が、酸系薬品による化学研磨後、前記銅箔が所定の厚みまでエッチング除去され、両面銅メッキが施された半導体装置用テープキャリアを、用いたことを特徴としている。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアを用いた半導体装置の構成を示す断面図である。
【００２１】
この図１に示す半導体装置は、スパッタリング法又は真空蒸着法ではない方法で製造された２層ＣＣＬ(Copper Clad Laminate)材、例えば、下地の銅箔２２が両面に施されたポリイミドフィルム２１に、後工程で銅メッキ２３が施されることによりスルーホール２０となる貫通穴が形成された半導体装置用テープキャリアを用いたものである。このテープキャリアの貫通穴を含む両面に銅メッキ２３が施され、この銅メッキ２３に所定の配線パターンが形成された後、錫メッキ２４が施され、これら下面にスルーホール２０を覆うカバーレイ２５が形成され、上面の所定配線パターン部分にアンダーフィル２６が生成されるようにＬＳＩチップ２７が実装されると共に、上面の所定箇所にディスクリート部品２８が実装され、これ以外の上面にスルーホール２０を覆ってソルダレジスト２９が形成されることにより構成されている。
【００２２】
次に、このような半導体装置に用いられている本実施の形態の特徴要素である半導体装置用テープキャリアの製造方法を説明する。
【００２３】
まず、銅箔１２μｍ／ポリイミド２５μｍ／銅箔１２μｍのキャスティングにより製造された幅１０５ｍｍの基材に、パーフォレーションホールと呼ばれるガイド穴を、金型を用いパンチングを行うことによって形成した。そのパンチングと同時に、Φ０.１５ｍｍの真円状の貫通穴（スルーホール）も同時に形成した。但し、金型のパンチとダイとのクリアランスは、２〜４μｍになるように金型を製作してある。
【００２４】
貫通穴には、図２に示すような銅箔２２のダレ３０およびバリ３１が発生している。このダレ３０およびバリ３１の大きさは、通常の貫通穴加工ではかなり極端な例であり、今回発生したものの大きさは、図２中のａ＝１〜１０μｍ、ｂ＝１〜５μｍであった。
【００２５】
上記パンチング後の基材を硫酸−過酸化水素系溶液中に、基材の片面の銅箔２２が約７μｍ溶解除去できる時間（ここでは約６０秒）浸漬した。全面浸漬することにより、表裏面の銅箔２２がそれぞれ約７μｍ溶解されたことにより、銅箔５μｍ／ポリイミド２５μｍ／銅箔５μｍとなったため、基材の総厚は約３５μｍとなった。
【００２６】
この酸浸漬処理を行つた後、貫通穴を観察した結果、図２に示したようなダレ３０およびバリ３１は、銅箔２２の表面が溶解すると同時に全ての穴から溶解除去されていた。
【００２７】
次に、この基材に、錫−パラジウム系の導電化処理を施す。この導電化処理とは、ポリイミドが絶縁体であることから、電気銅メッキ時に銅メッキが析出するようにするため、ポリイミド表面に導電性の皮膜を形成することをいう。この処理後、さらに硫酸銅系の銅メッキ液を用いて電気銅メッキを行った。この電気銅メッキによって、図３に示すように、貫通穴内壁にも銅メッキ２３が施され、スルーホール２０が形成される。また、銅メッキの条件は、銅メッキ２３の厚さが片面当たり約１０μｍとなるよう設定した。即ち、貫通穴内壁の銅メッキ２３の厚さも同様に約１０μｍ厚さに形成することができ、銅箔２２の表面での厚さも、初期厚７μｍ＋１０μｍ＝１７μｍと目的通りの厚さに仕上げることができた。
【００２８】
上記のように、酸浸漬処理を行いパンチングによるダレ３０およびバリ３１を除去したことにより、スルーホール２０の銅メッキ２３の偏りや、部分的な盛り上がり（バリ、ダレがあることによりその部分に電流集中が発生し針状にメッキが析出する）が無くなり、断面形状的には全く問題は認められなかった。
【００２９】
さらに、銅メッキ２３後の基材の表裏面に、厚さ１０μｍのドライフィルムをロールラミネーターにより両面同時に貼り付け、所定の配線パターンの表裏面露光、現像を実施した。このパターンは、配線ピッチをリード幅Ｌ／スペースＳ＝１０／１０、１５／１５、２０／２０というように、それぞれ５μｍ刻みで変化させた試験用パターンである。
【００３０】
そして、塩化第二鉄系の溶液にて、両面に同時にシャワーを吹き付けることによりドライフィルムの開口部分に露出している銅箔２２を溶解除去し、水酸化ナトリウムなどのアルカリ溶液にてドライフィルムを剥離した。この結果、Ｌ／Ｓ＝２０／２０μｍの配線幅までは正常なリード形成を保っており、４０μｍピッチまでは形成可能であることが確認できた。但し、酸浸漬処理を行う基材の銅箔２２の厚みとしては、酸浸漬除去時間の短縮のため、１２μｍであることが望ましい。
【００３１】
このように、実施の形態の半導体装置用テープキャリアを用いた半導体装置によれば、スパッタや真空蒸着によりポリイミド等の樹脂テープ上に形成された銅箔層を持つ基材ではなく、キャスティングやロールラミネート法により形成された密着強度の高い両面銅箔付き樹脂テープ（ポリイミドフィルム２１）を用い、このテープに、パンチングにより貫通穴を形成した後、酸系の薬液によりパンチングで発生した銅のバリ３１およびダレ３０を除去し、かつ銅箔２２を溶解することにより薄くし、ファインピッチが形成できる厚みにするようにした。
【００３２】
これによって、銅箔とポリイミド等の樹脂界面の密着強度が高く、無電解錫メッキ時に異種金属の存在による異常析出を発生させることなく、ファインピッチの形成および信頼性の高いスルーホールを形成することができる。
【００３３】
この他、基材の樹脂としては、ポリイミドに限定する必要はなく、例えば液晶ポリマーやエポキシ樹脂など全ての有機樹脂テープであれば適用可能である。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、スパッタリング法又は真空蒸着法ではない方法で製造された両面銅箔付き樹脂テープにパンチング法により多数の貫通穴を開けた後、酸系薬品を用いて化学研磨し、前記両面銅箔付き樹脂テープの両面の銅箔を所定の厚みまでエッチング除去した後、両面銅メッキを行うようにしたので、銅箔とポリイミド等の樹脂界面の密着強度が高く、無電解錫メッキ時に異種金属の存在による異常析出を発生させることなく、ファインピッチの形成および信頼性の高いスルーホールを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアを用いた半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】半導体装置用テープキャリアを形成する基材（２層ＣＣＬ材）のパンチングによる貫通穴のダレおよびバリを示す図である。
【図３】半導体装置用テープキャリアにおける銅メッキ後のスルーホールを示す図である。
【図４】従来の両面配線構造のＣＯＦテープのスルーホール製造工程の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１０ ポリイミドテープ
１１ 貫通穴
１２ 第１のシード層
１３ 第２のシード層
１４ 銅メッキ層
１５ 銅パターン
２０ スルーホール
２１ ポリイミドフィルム
２２ 銅箔
２３ 銅メッキ
２４ 錫メッキ
２５ カバーレイ
２６ アンダーフィル
２７ ＬＳＩチップ
２８ ディスクリート部品
２９ ソルダレジスト
３０ ダレ
３１ バリ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention is applied to all electronic components that use a double-sided wiring flexible printed circuit board (hereinafter abbreviated as two-metal FPC (Flexible Printed Circuit)) including a TAB tape as a member constituting a semiconductor package (semiconductor device). The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device tape carrier and a semiconductor device using the same.
[0002]
[Prior art]
The prior art will be described by taking as an example a COF tape used for a portable device such as a cellular phone. FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a through hole manufacturing process for a conventional double-sided wiring structure COF tape (hereinafter referred to as a two-metal COF tape).
[0003]
First, the through-hole 11 having a predetermined diameter shown in (B) is formed in the polyimide tape 10 shown in (A) by drilling or punching. Thereafter, in order to improve the adhesion with the polyimide tape 10, first, nickel, chromium or the like is sputtered, and copper is sputtered immediately thereafter, whereby a film having a thickness of several hundreds of μm to several μm shown in (c). The first seed layer 12 is formed, and a second seed layer 13 is formed by copper plating having a thickness of several μm.
[0004]
Further, after the copper plating layer 14 shown in (D) is formed by performing copper plating on the entire surface, photoresist coating, exposure of a predetermined pattern, development, etching with a liquid such as a ferric chloride solution or a cupric chloride solution Thus, a through hole is formed by applying a photofabrication process such as forming the copper pattern 15 shown in FIG.
[0005]
Also, a through-hole is not formed, and a sputtered film is formed on the entire surface of both sides of the polyimide in advance, through-hole processing is performed at this point, and a process for applying a conductive film and a copper plating process are performed. May be completed.
[0006]
Furthermore, as a base material to be used, not a method such as sputtering as described above, but a method in which a varnish-like polyimide resin is applied on a copper foil and heat-cured, or a thermoplastic adhesive or thermosetting is used. In some cases, a mold adhesive previously applied to a polyimide tape and a copper foil manufactured separately are manufactured by a roll laminating method.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional method for manufacturing a semiconductor device tape carrier (2-metal COF tape) has the following problems (1) to (4).
[0008]
(1) In the case of a base material on which the first and second seed layers 12 and 13 are formed by sputtering or vacuum deposition, a resin layer such as polyimide (polyimide tape 10) and a metal film formed on the surface thereof There is a problem that the peel strength at the metal / resin interface is extremely lowered when the adhesiveness is low, especially when left in a high temperature of about 150 ° C. for a long time.
[0009]
(2) On the polyimide tape 10, for example, a nickel / copper dissimilar metal is laminated, and after forming the wiring pattern (copper pattern 15), during the electroless tin plating process, a local area from the dissimilar metal is locally exposed. There is a problem that abnormal precipitation is likely to occur due to a potential difference.
[0010]
(3) On the other hand, when a base material produced by casting or roll laminating is used, the problems (1) and (2) do not occur. However, although an electrolytic copper foil or a rolled copper foil is generally used as the copper foil, the thickness of a copper foil that is readily available at present is limited to a minimum of 12 μm. There is a problem that it is difficult to form a fine pitch of 50 μm or less from the total copper foil thickness by performing double-sided plating of several μm on the base material of this thickness by through-hole copper plating.
[0011]
(4) When the through hole 11 is processed by punching, if a burr or sag (not shown) generated in the through hole 11 is not removed, the portion is also subjected to copper plating, and the copper plating is dropped in a later process. There are problems such as short-circuit defects and abnormal precipitation due to current density concentration during copper plating.
[0012]
The present invention has been made in view of such points, and has high adhesion strength at the resin interface such as copper foil and polyimide, and does not cause abnormal precipitation due to the presence of dissimilar metals during electroless tin plating. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a tape carrier for a semiconductor device capable of forming a through hole with high formation and reliability, and a semiconductor device using the same.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the manufacturing method of the tape carrier for a semiconductor device of the present invention, after opening a large number of through holes by a punching method on a double-sided copper foil resin tape manufactured by a casting method or a roll laminating method , and chemical polishing with an acid-based chemicals, after etching away both sides of a copper foil of the double-sided copper foil-out resin tape to a predetermined thickness, is characterized by performing the double-sided copper-plated.
[0015]
Further, as a chemical for etching and removing the copper foil on both sides of the resin tape with double-sided copper foil to a predetermined thickness, either one of sulfuric acid hydrogen peroxide and sodium persulfate, or cupric chloride and cupric chloride It is characterized by using a chemical whose main component is any one of iron.
[0016]
The resin tape with double-sided copper foil is manufactured by a casting method or a roll laminating method, the copper foils on both sides are electrolytic copper foils, and the thickness thereof is 5 to 35 μm, and the etching removal thickness Is 3 to 30 μm.
[0017]
Moreover, the resin part of the said resin tape with a double-sided copper foil is a polyimide, The thickness is 12-125 micrometers, It is characterized by the above-mentioned.
[0018]
In addition, the semiconductor device using the tape carrier for a semiconductor device of the present invention is a material in which a large number of through holes are opened by a punching method on a resin tape with a double-sided copper foil manufactured by a casting method or a roll laminating method. It is characterized by using a tape carrier for a semiconductor device in which the copper foil is etched and removed to a predetermined thickness after chemical polishing with a chemical and subjected to double-sided copper plating.
[0019]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0020]
(Embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a semiconductor device using a tape carrier for a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
[0021]
The semiconductor device shown in FIG. 1 has a two-layer CCL (Copper Clad Laminate) material manufactured by a method other than the sputtering method or the vacuum deposition method, for example, a polyimide film 21 having a base copper foil 22 applied on both sides. A tape carrier for a semiconductor device in which a through hole to be the through hole 20 is formed by performing copper plating 23 in a subsequent process is used. Copper plating 23 is applied to both surfaces including the through-holes of the tape carrier, a predetermined wiring pattern is formed on the copper plating 23, and then tin plating 24 is applied. The LSI chip 27 is mounted so that the underfill 26 is generated in the predetermined wiring pattern portion on the upper surface, the discrete component 28 is mounted at a predetermined position on the upper surface, and the through hole 20 is formed on the other upper surface. The solder resist 29 is formed so as to cover it.
[0022]
Next, a method for manufacturing a semiconductor device tape carrier, which is a characteristic element of the present embodiment used in such a semiconductor device, will be described.
[0023]
First, a guide hole called a perforation hole was formed on a base material having a width of 105 mm manufactured by casting of copper foil 12 μm / polyimide 25 μm / copper foil 12 μm by punching using a mold. Simultaneously with the punching, a Φ0.15 mm perfect circular through hole (through hole) was also formed at the same time. However, the die is manufactured so that the clearance between the die punch and the die is 2 to 4 μm.
[0024]
A sagging 30 and a burr 31 of the copper foil 22 as shown in FIG. 2 are generated in the through hole. The size of the sagging 30 and the burr 31 is a fairly extreme example in ordinary through-hole processing, and the size of the one generated this time was a = 1 to 10 μm and b = 1 to 5 μm in FIG. .
[0025]
The base material after punching was immersed in a sulfuric acid-hydrogen peroxide system solution for a time period (about 60 seconds in this case) in which the copper foil 22 on one side of the base material could be removed by about 7 μm. By immersing the entire surface, the copper foils 22 on the front and back surfaces were each dissolved by about 7 μm, resulting in a copper foil of 5 μm / polyimide 25 μm / copper foil of 5 μm, and the total thickness of the base material was about 35 μm.
[0026]
As a result of observing the through holes after this acid immersion treatment, the sagging 30 and burrs 31 as shown in FIG. 2 were dissolved and removed from all the holes at the same time as the surface of the copper foil 22 was dissolved.
[0027]
Next, this base material is subjected to a tin-palladium conductive treatment. This conductive treatment means that a conductive film is formed on the polyimide surface so that copper plating is deposited during electrolytic copper plating since polyimide is an insulator. After this treatment, electrolytic copper plating was further performed using a copper sulfate-based copper plating solution. By this electrolytic copper plating, as shown in FIG. 3, copper plating 23 is also applied to the inner wall of the through hole, and the through hole 20 is formed. The copper plating conditions were set so that the thickness of the copper plating 23 was about 10 μm per side. That is, the thickness of the copper plating 23 on the inner wall of the through hole can be similarly formed to a thickness of about 10 μm, and the thickness on the surface of the copper foil 22 can be finished to the desired thickness of 7 μm + 10 μm = 17 μm. did it.
[0028]
As described above, by performing the acid dipping treatment and removing the sagging 30 and the burrs 31 by punching, unevenness of the copper plating 23 of the through holes 20 and partial bulges (the presence of burrs and sagging causes current to flow in those parts. Concentration occurred and needle-like plating was eliminated), and no problem was observed in terms of cross-sectional shape.
[0029]
Further, a dry film having a thickness of 10 μm was simultaneously attached to the front and back surfaces of the base material after copper plating 23 by a roll laminator, and exposure and development of a predetermined wiring pattern were performed. This pattern is a test pattern in which the wiring pitch is changed in increments of 5 μm, such as lead width L / space S = 10/10, 15/15, and 20/20.
[0030]
Then, in the ferric chloride-based solution, the copper foil 22 exposed at the opening of the dry film is dissolved and removed simultaneously by spraying both sides of the shower, and the dry film is removed with an alkali solution such as sodium hydroxide. It peeled. As a result, it was confirmed that normal lead formation was maintained up to a wiring width of L / S = 20/20 μm, and that formation was possible up to a pitch of 40 μm. However, the thickness of the copper foil 22 of the base material subjected to the acid immersion treatment is desirably 12 μm in order to shorten the acid immersion removal time.
[0031]
Thus, according to the semiconductor device using the tape carrier for a semiconductor device of the embodiment, not a base material having a copper foil layer formed on a resin tape such as polyimide by sputtering or vacuum deposition, but a casting or roll Using a resin tape with double-sided copper foil (polyimide film 21) with high adhesive strength formed by a laminating method, through holes were formed in this tape by punching, and then copper burrs generated by punching with an acid chemical solution 31 Further, the sagging 30 is removed, and the copper foil 22 is dissolved to make it thinner, so that a fine pitch can be formed.
[0032]
As a result, the adhesion strength between the copper foil and the resin interface such as polyimide is high, and fine pitch formation and reliable through-holes are formed without causing abnormal precipitation due to the presence of dissimilar metals during electroless tin plating. Can do.
[0033]
In addition, the base resin is not limited to polyimide, and any organic resin tape such as a liquid crystal polymer or an epoxy resin can be used.
[0034]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, after punching a large number of through holes in a resin tape with a double-sided copper foil produced by a method other than the sputtering method or the vacuum evaporation method, an acid chemical is used. After chemically polishing and removing the copper foil on both sides of the resin tape with double-sided copper foil by etching to a predetermined thickness, the double-sided copper plating is performed, so the adhesive strength of the resin interface such as copper foil and polyimide is high, Fine pitch formation and highly reliable through-holes can be formed without causing abnormal precipitation due to the presence of different metals during electroless tin plating.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a semiconductor device using a tape carrier for a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view showing sagging and burrs of a through hole due to punching of a base material (two-layer CCL material) forming a tape carrier for a semiconductor device.
FIG. 3 is a view showing through-holes after copper plating in a tape carrier for a semiconductor device.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a through hole manufacturing process for a conventional COF tape having a double-sided wiring structure.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Polyimide tape 11 Through-hole 12 1st seed layer 13 2nd seed layer 14 Copper plating layer 15 Copper pattern 20 Through hole 21 Polyimide film 22 Copper foil 23 Copper plating 24 Tin plating 25 Coverlay 26 Underfill 27 LSI chip 28 Discrete parts 29 Solder resist 30 Drain 31 Bali

Claims (5)

キャスティング法またはロールラミネート法で製造された両面銅箔付き樹脂テープにパンチング法により多数の貫通穴を開けた後、酸系薬品を用いて化学研磨し、前記両面銅箔付き樹脂テープの両面の銅箔を所定の厚みまでエッチング除去した後、両面銅メッキを行うことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。 After punching a large number of through holes in a resin tape with double-sided copper foil manufactured by the casting method or roll laminating method , and then chemically polishing with an acid chemical, the copper on both sides of the resin tape with double-sided copper foil A method of manufacturing a tape carrier for a semiconductor device, comprising performing double-sided copper plating after etching the foil to a predetermined thickness. 前記両面銅箔付き樹脂テープの両面の銅箔を、所定の厚みまでエッチング除去する薬品として、硫酸一過酸化水素および過硫酸ナトリウムの何れか一方、または、塩化第二銅および塩化第二鉄の何れか一方を主成分とした薬品を用いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。  As a chemical for etching and removing the copper foil on both sides of the resin tape with double-sided copper foil to a predetermined thickness, either one of sulfuric acid hydrogen peroxide and sodium persulfate, or cupric chloride and ferric chloride 2. The method of manufacturing a tape carrier for a semiconductor device according to claim 1, wherein a chemical containing either one of the main components is used. 前記両面銅箔付き樹脂テープは、キャスティング法またはロールラミネート法で製造されており、その両面の銅箔は、電解銅箔であり、且つその厚みが５〜３５μｍであり、前記エッチング除去厚みが３〜３０μｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。  The resin tape with double-sided copper foil is manufactured by a casting method or a roll laminating method, and the copper foil on both sides is an electrolytic copper foil, the thickness thereof is 5 to 35 μm, and the etching removal thickness is 3 The method for producing a tape carrier for a semiconductor device according to claim 1, wherein the tape carrier is ˜30 μm. 前記両面銅箔付き樹脂テープの樹脂部分がポリイミドであり、その厚みが１２〜１２５μｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。  2. The method of manufacturing a tape carrier for a semiconductor device according to claim 1, wherein the resin portion of the resin tape with double-sided copper foil is polyimide and has a thickness of 12 to 125 [mu] m. キャスティング法またはロールラミネート法で製造された両面銅箔付き樹脂テープにパンチング法により多数の貫通穴が開口された材料が、酸系薬品による化学研磨後、前記銅箔が所定の厚みまでエッチング除去され、両面銅メッキが施された半導体装置用テープキャリアを用いたことを特徴とする半導体装置用テープキャリアを用いた半導体装置。A material with many through holes opened by punching method on a resin tape with double-sided copper foil manufactured by casting method or roll laminating method , after chemical polishing with acid chemicals, the copper foil is etched away to a predetermined thickness A semiconductor device using a tape carrier for a semiconductor device, wherein the tape carrier for a semiconductor device on which double-sided copper plating is applied is used.

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