JP3745078B2 - 画像形成装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は画像形成装置に係わり、特に複数の電子放出素子を形成した基板と画像形成部材を形成した基板とをスペーサを介して対向させた構造を有する画像形成装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
奥行きの薄い平面型ディスプレイは省スペースかつ軽量であることから、ブラウン管型ディスプレイに置き変わるものとして注目される。現在平面型ディスプレイには液晶型、プラズマ発光型、マルチ電子源を用いたものがある。プラズマ発光型およびマルチ電子源ディスプレイは視野角が大きく、画質がブラウン管並みであるために高品位な画像の表示が可能である。
【0003】
図16は多数の微小な電子源を使用したディスプレイの断面模式図であり、51がガラスからなるリアプレート52上に形成された電子源、54は蛍光体等が形成されたガラスからなるフェースプレートである。電子源は高密度化が可能な円錐状あるいは針状の先端から電子を電界放出させる電界放出型電子放出素子あるいは表面伝導型電子放出素子などの冷陰極型電子放出素子が開発されている。この図16は電子源を駆動するための配線は省略してある。ディスプレイの表示面積が大きくなるにしたがい、内部の真空と外部の大気圧差による基板の変形を抑えるためリアプレートおよびフェースプレートを厚くする必要がある。これはディスプレイの重量を増加させるのみならず、斜めから見たときに画像のひずみをもたらす。そこで、比較的薄いガラス板を使用して大気圧を支えるためリアプレートとフェースプレートとの間はスペーサあるいはリブと呼ばれる構造支持体が用いられる。電子源が形成されたリアプレートと蛍光体が形成されたフェースプレートとの間は通常サブミリないし数ミリに保たれ、前述したように内部は高真空に保持されている。
【0004】
電子源からの放出電子を加速するために電子源と蛍光体との間には数百V以上の高電圧が不図示のアノード電極(メタルバック)に印加されている。すなわち、蛍光体と電子源との間には電界強度にして1kV/mmを越える強電界が印加されるため、スペーサ部での放電が懸念される。また、スペーサは近傍電子源から放出された電子の一部が当たることにより、あるいは放出電子によりイオン化した正イオンがスペーサに付着することにより帯電をひきおこす。スペーサの帯電により電子源から放出された電子はその軌道を曲げられ、蛍光体上の正規な位置とは異なる場所に到達し、表示画像を前面ガラスを介して見たとき、スペーサ近傍の画像がゆがんで表示される。
【0005】
この問題点を解決するために、スペーサに微小電流が流れるようにして帯電を除去する提案がなされている(特開昭57-118355号公報、特開昭61-124031号公報)。そこでは絶縁性のスペーサの表面に高抵抗薄膜を形成することにより、スペーサ表面に微小電流が流れるようにしている。ここで用いられている帯電防止膜は酸化スズ、あるいは酸化スズと酸化インジウム混晶薄膜や金属膜である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来例に使用された酸化スズ等の薄膜はガスセンサに応用されるほど酸素等のガスに敏感なため雰囲気でその抵抗値が変化しやすい。また、これらの材料や金属膜は比抵抗が小さいために高抵抗化するには島状に成膜したり、極めて薄膜化する必要がある。
【0007】
すなわち、従来の高抵抗膜は成膜の再現性が難しかったり、ディスプレイ作製工程でのフリット封着やベーキング(ディスプレイ内を真空にひきながら加熱する工程)といった熱工程で抵抗値が変化しやすいという課題がある。
【0008】
本発明は上記従来スペーサの課題を克服し、安定性が高く、再現性が良いスペーサを用いた画像形成装置を提供するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段および作用】
本発明の画像形成装置は、複数の電子放出素子を形成した基板と画像形成部材を形成した基板とをスペーサを介して対向させた構造を有する画像形成装置において、該スペーサは基材表面に熱処理を施した酸化物サーメット膜が被覆されたスペーサであって、前記酸化物サーメット膜は貴金属を含むことを特徴とする。
【0010】
本発明に用いることができる電子放出素子としては、熱電子型と冷陰極型の2種類が知られている。 冷陰極型電子放出素子には既に説明した電界放出型(以下FE型と略す)、表面伝導型電子放出素子(以下SCEと略す)や、金属/絶縁層/金属型(以下MIM型と略す)等がある。本発明における電子放出素子の方式は特に限定されないが、特に冷陰極型が好適に用いられる。
【0011】
SCE型の例としては、M.I.Elinson、Radio Eng. Electron Pys.、10、(1965)等がある。SCE型は基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等によるSnO2薄膜を用いたもの、Au薄膜によるもの[G.Dittmer:"Thin Solid Films"、9、317(1972)] 、In2O3/SnO2薄膜によるもの[M.Hartwell and C.G.Fonstad:"IEEE Trans. ED Conf."、519(1975)]、カーボン薄膜によるもの[荒木久 他:真空、第26巻、第1号、22頁(1983)]等が報告されている。また、後述する実施形態で説明するような電子放出部等に微粒子膜を用いたものもある。FE型の例としてはW.P.Dyke&W.W.Dolan、"Field emission"、Advance in Electron Physics、8、89(1956) あるいはC.A.Spindt,"PHYSICAL Properties of thin-film field emission cathodes with molybdenium cones",J.Appl.Phys.,47,5248(1976)等が知られている。MIM型の例としてはC.A.Mead、"The tunnel-emission amplifier、J.Appl.Phys.、32、646(1961)等が知られている。
【0012】
帯電防止膜は絶縁性基材の表面を導電性膜で被覆することにより、絶縁性基材表面に蓄積した電荷を除去するものであり、通常、帯電防止膜の表面抵抗(シート抵抗Rs)が1012Ω以下であることが必要である。さらに、十分な帯電防止効果を得るためにはより低い抵抗値であればよく1011Ω以下であることが好ましく、より低抵抗であれば除電効果が向上する。
【0013】
帯電防止膜を上記ディスプレイのスペーサに適応した場合においては、スペーサの表面抵抗値Rsは帯電防止および消費電力からその望ましい範囲に設定される。シート抵抗の下限はスペーサにおける消費電力により制限される。低抵抗であるほどスペーサに蓄積する電荷を速やかに除去することが可能となるが、スペーサで消費される電力が大きくなる。スペーサに使用する帯電防止膜としては比抵抗が小さい金属膜よりは半導電性の材料であることが好ましい。その理由は比抵抗が小さい材料を用いた場合、表面抵抗Rsを所望の値にするためには帯電防止膜の厚みを極めて薄くしなければならないからである。薄膜材料の表面エネルギーおよび基板との密着性や基板温度によっても異なるが、一般的に10nmより小さい薄膜は島状となり、抵抗が不安定で成膜再現性に乏しい。
【0014】
従って、比抵抗値が金属導電体より大きく、絶縁体よりは小さい範囲にある半導電性材料が好ましいのであるが、これらは抵抗温度係数が負の材料が多い。抵抗温度係数が負であると、スペーサ表面で消費される電力による温度上昇で抵抗値が減少し、さらに発熱し温度が上昇しつづけ、過大な電流が流れる、いわゆる熱暴走を引き起こす。しかし、発熱量すなわち消費電力と放熱がバランスした状況では熱暴走は発生しない。また、帯電防止膜材料の抵抗温度係数(TCR)の絶対値が小さければ熱暴走しずらい。
【0015】
TCRが−1%の帯電防止膜を用いた条件でスペーサ1平方cm当たりの消費電力がおよそ0.1Wを越えるようになるとスペーサに流れる電流が増加しつづけ、熱暴走状態となることが実験で認められた。これはもちろんスペーサ形状とスペーサ間に印加される電圧Vaおよび帯電防止膜の抵抗温度係数により左右されるが、以上の条件から、消費電力が1平方cmあたり0.1Wを越えないRsの値は10×Va2Ω以上である。すなわち、スペーサ上に形成した帯電防止膜のシート抵抗Rsは10×Va2Ωから1011Ωの範囲に設定されることが望ましい。
【0016】
上述したように絶縁性基材上に形成された帯電防止膜の厚みtは10nm以上が望ましい。一方膜厚tが1μmを超えると膜応力が大きくなって膜はがれの危険性が高まり、また成膜時間が長くなるため生産性が悪い。従って、膜厚は10nm〜1μm、さらに好適には20〜500nmであることが望ましい。
【0017】
比抵抗ρはシート抵抗Rsと膜厚tの積であり、以上に述べたRsとtの好ましい範囲から、帯電防止膜の比抵抗ρは10-7×Va2Ωm〜105Ωmであることが望ましい。さらにシート抵抗と膜厚のより好ましい範囲を実現するためには、ρは(2×10-7)Va2Ωm〜5×104Ωmとするのが良い。
【0018】
ディスプレイにおける電子の加速電圧Vaは100V以上であり、CRTに通常用いられる高速電子用蛍光体を平面型ディスプレイに用いた場合に十分な輝度を得るためには1kV以上の電圧を要する。Va=1kVの条件においては、帯電防止膜の比抵抗は0.1Ωm〜105Ωmが好ましい範囲である。
【0019】
本発明者らは、以上に述べた帯電防止膜の特性を実現する材料を鋭意検討した結果、酸化物サーメット膜が帯電防止膜として極めて優れていることを見いだした。酸化物サーメットとは酸化物と金属との混合体であり、酸化物は絶縁的な材料が良い。金属元素はその酸化物の生成エネルギが前記酸化物の生成エネルギよりも大きいことが望ましい。酸化物と金属がこの条件を満たす場合、金属が安定に酸化物中に存在し、画像形成装置の製造工程で受ける熱の影響が小さく、抵抗値の安定性が良い。
【0020】
前記条件に適する酸化物としては、酸化シリコン、アルミナ、酸化タンタル等がある。金属は特に限定されないが、貴金属、クロム、モリブデン、クロム合金であるニクロム等が適する。なかでもクロムは熱工程の影響を受けにくい金属である。画像形成装置への組込み前に予め安定化処理(熱処理)をすることにより抵抗の安定性をさらに向上することができる。酸化物が酸化シリコンの場合については、二酸化シリコンよりは酸素不足の酸化シリコンのほうが良好な安定性を示した。
【0021】
酸化物サーメット膜の抵抗値は酸化物と金属の組成を制御することにより、低抵抗から絶縁体まで広く変化させることができ上記スペーサとして好ましい範囲である比抵抗が0.1〜105 Ωmの帯電防止膜を作製することが可能である。さらに、画像形成装置のスペーサの形状や動作条件に合わせて、最適な抵抗値に調整することができる。
【0022】
また、酸化物サーメットの抵抗温度係数は一般に負であるが、組成を選択することによりその絶対値を1%より小さく熱暴走しにくくできる。
【0023】
酸化物サーメット膜はスパッタ法、反応性スパッタ法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、イオンアシスト蒸着法等の薄膜形成手段により絶縁性部材上に形成することができる。たとえばスパッタ法の場合は、酸化物および金属のターゲットをガス中でスパッタすることにより形成される。あらかじめ酸化物と金属を組成を調整して化合物としたターゲットを用いることも可能である。
【0024】
なお、画像形成装置用のスペーサとしては、例えばPCT/US94/00602 において、導電性のあるスペーサで、かつ2次電子放出効率が1に近いものを用いて、極力スペーサの電位変化を抑えようとすることが記載されている。ここでは導電性のあるスペーサとして、シート抵抗が109〜1014Ω/□、層厚が0.05〜20μm、材質がクロム酸化物,銅酸化物等の酸化物を用いることが記載されている。
【0025】
しかし、PCT/US94/00602には酸化物サーメットを用いることについては記載がなく、上記の酸化物をスペーサ用の帯電防止膜として用いると、帯電防止膜として望ましい比抵抗に制御するのが容易ではなく、またディスプレイ作製中での酸化雰囲気中でのフリット封着工程、あるいは真空処理工程といった熱工程で抵抗値が変化し、抵抗値の制御が難しい。本発明に用いる酸化物サーメットは抵抗値を酸化物と金属の組成を変えることで制御可能であり、また膜厚を厚くすることもできるので、膜全体の抵抗値の大幅な変化を抑えることができる。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の帯電防止膜およびその帯電防止膜を用いたスペーサを備えた画像形成装置について図面を用いて具体的に述べる。
【0027】
図1はスペーサ10を中心とした画像形成装置の断面模式図である。図2はスペーサの断面構成を示す図である。図1において、1は電子源、2はリアプレート、3は側壁、7はフェースプレートであり、リアプレート2,側壁3,フェースプレート7により表示パネルの内部を真空に維持するための気密容器(外囲器8)を形成している。
【0028】
スペーサ10は絶縁性基材10aの表面に本発明に係わる帯電防止膜10cが形成されている。スペーサ10は外囲器8内を真空にすることにより大気圧を受けて、真空外囲器8が破損あるいは変形するのを避けるために設けられる。スペーサ10の材質、形状、配置、配置本数は外囲器8の形状ならびに熱膨張係数等、外囲器の受ける大気圧、熱等を考慮して決定される。スペーサの形状には、平板型、十字型、L字型等があり、また図14(a),(b)のように基板に各電子源又は複数の電子源に対応して穴を開けた形状、すなわちマトリクス状またはライン状に穴を開けた形状でもよく、適宜設定される。スペーサ10の利用は、画像形成装置が大型化するにしたがって効果が顕著になる。
【0029】
絶縁性基材10aはフェースプレート7およびリアプレート2にかかる大気圧を支持する必要からガラス、セラミクス等の機械的強度が高く耐熱性の高い材料が適する。フェースプレート、リアプレートの材質としてガラスを用いた場合、画像形成装置作製工程中の熱応力を抑えるために、スペーサ絶縁性基材10aはできるだけこれらの材質と同じものか、同様の熱膨張係数の材料であることが望ましい。
【0030】
絶縁性基材10aにソーダガラス等アルカリイオンを含むガラスを使用した場合、例えばNaイオンにより帯電防止膜の導電性等を変化させるおそれがあるが、窒化Si、酸化Al等の Naブロック層10bを絶縁性基材10aと帯電防止膜10cの中間に形成することでNa等アルカリイオンの帯電防止膜10cへの侵入を抑制することができる。
【0031】
帯電防止膜10cは酸化物サーメット膜である。比抵抗値は酸化物サーメット膜中に含まれる金属元素比により異なるので一概に規定できないが、上述のディスプレイ用として好ましい比抵抗が得られる比率は金属がCrの場合で5vol.%〜45vol.%である。クロム以外の貴金属、モリブデン等の比率も同様の範囲が好ましい。
【0032】
スペーサ10はメタルバック6および電子源を駆動するためのX方向配線9(詳しくは後述する)と電気的に接続することにより、スペーサ10の両端にはほぼ加速電圧Vaが印加される。本例ではスペーサは配線上と接続されているが別途形成した電極に接続させてもよい。さらに、フェースプレート7とリアプレート2との間に電子ビームの整形あるいは基板絶縁部の帯電防止を目的とした中間電極板(グリッド電極等)を設置した構成においては、スペーサが中間電極板等を貫通してもよいし、中間電極板等を介して別々に接続してもよい。
【0033】
Al,Au等良導電性である電極11をスペーサの両端に形成すると、帯電防止膜とフェースプレート上の電極およびリアプレート上の電極との電気的接続の向上に効果がある。
【0034】
次に、上記スペーサ10を用いた画像形成装置の基本構成について説明する。図3は、上記スペーサを用いた表示パネルの斜視図であり、内部構造を示すためにパネルの1部を切り欠いて示している。
【0035】
図3において、図1と同様に、2はリアプレート、3は側壁、7はフェースプレートであり、リアプレート2、側壁3、フェースプレート7により表示パネルの内部を真空に維持するための気密容器(外囲器8)を形成している。気密容器を組み立てるにあたっては、各部材の接合部に十分な強度と気密性を保持させるため封着する必要があるが、たとえばフリットガラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気中で、摂氏400〜500度で10分以上焼成することにより封着するが、窒素雰囲気中で行った方が好ましい。気密容器内部を真空に排気する方法については後述する。
【0036】
リアプレート2には、基板13が固定されているが、該基板上には冷陰極型電子放出素子1がN×M個形成されている(N,Mは2以上の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定される。たとえば、高品位テレビジョンの表示を目的とした画像形成装置においては、N=3000,M=1000以上の数を設定することが望ましい。)。前記N×M個の冷陰極型電子放出素子は、M本のX方向配線9とN本のY方向配線12により単純マトリクス配線されている。前記、冷陰極型電子放出素子1、X方向配線9、Y方向配線12、基板13によって構成される部分をマルチ電子ビーム源と呼ぶ。なお、マルチ電子ビーム源の製造方法や構造については、後で詳しく述べる。
【0037】
本実施形態例においては、気密容器のリアプレート2にマルチ電子ビーム源の基板13を固定する構成としたが、マルチ電子ビーム源の基板13が十分な強度を有するものである場合には、気密容器のリアプレートとしてマルチ電子ビーム源の基板13自体を用いてもよい。
【0038】
また、フェースプレート7の下面には、蛍光膜5が形成されている。本実施形態例はカラー画像形成装置であるため、蛍光膜5の部分にはCRTの分野で用いられる赤、緑、青、の3原色の蛍光体が塗り分けられている。各色の蛍光体は、たとえば図4(a)に示すようにストライプ状に塗り分けられ、蛍光体のストライプの間には黒色体5bが設けてある。黒色体5bを設ける目的は、電子ビームの照射位置に多少のずれがあっても表示色にずれが生じないようにすることや、外光の反射を防止して表示コントラストの低下を防ぐことなどである。黒色体5bには、黒鉛を主成分として用いたが、上記の目的に適するものであればこれ以外の材料を用いても良い。又は黒色体5bを導電性としても良い。
【0039】
また、3原色の蛍光体の塗り分け方は前記図4(a)に示したストライプ状の配列に限られるものではなく、たとえば図4(b)に示すようなデルタ状配列や、それ以外の配列であってもよい。
【0040】
なお、モノクロームの表示パネルを作成する場合には、単色の蛍光体材料を蛍光膜5に用いればよく、また黒色導電材料は必ずしも用いなくともよい。
【0041】
また、蛍光膜5のリアプレート側の面には、CRTの分野では公知のメタルバック6を設けてある。メタルバック6を設けた目的は、蛍光膜5が発する光の一部を鏡面反射して光利用率を向上させることや、負イオンの衝突から蛍光膜5を保護することや、電子ビーム加速電圧を印加するための電極として作用させることや、蛍光膜5を励起した電子の導電路として作用させることなどである。メタルバック6は、蛍光膜5をフェースプレート基板4上に形成した後、蛍光膜表面を平滑化処理し、その上にAlを真空蒸着する方法により形成した。なお、蛍光膜5に低加速電圧用の蛍光体材料を用いた場合には、メタルバック6は用いない場合がある。
【0042】
また、本実施形態例では用いなかったが、加速電圧の印加用や蛍光膜の導電性向上等を目的として、フェースプレート基板4と蛍光膜5との間に、たとえばITOを材料とする透明電極を設けてもよい。
【0043】
また、Dx1〜DxmおよびDy1〜DynおよびHvは、当該表示パネルと不図示の電気回路とを電気的に接続するために設けた気密構造の電気接続用端子である。Dx1〜Dxmはマルチ電子ビーム源のX方向配線と、Dy1〜Dynはマルチ電子ビーム源のY方向配線と、Hvはフェースプレートのメタルバック6と電気的に接続している。
【0044】
また、気密容器内部を真空に排気するには、気密容器を組み立てた後、不図示の排気管と真空ポンプとを接続し、気密容器内を10-5[Pa]程度の圧力まで排気する。その後、排気管を封止するが、気密容器内の圧力を維持するために、封止の直前あるいは封止後に気密容器内の所定の位置にゲッター膜(不図示)を形成する。ゲッター膜とは、たとえばBaを主成分とするゲッター材料をヒーターもしくは高周波加熱により加熱し蒸着して形成した膜であり、該ゲッター膜の吸着作用により気密容器内は10-3ないしは10-5[Pa]の圧力に維持される。
【0045】
次に、前記実施形態例の表示パネルに用いたマルチ電子ビーム源の製造方法について説明する。本実施形態の画像形成装置に用いるマルチ電子ビーム源は、冷陰極型電子放出素子を単純マトリクス配線した電子源であれば、冷陰極型電子放出素子の材料や形状あるいは製法に制限はない。したがって、たとえば表面伝導型電子放出素子やFE型、あるいはMIM型などの冷陰極型電子放出素子を用いることができる。
【0046】
ただし、表示画面が大きくてしかも安価な画像形成装置が求められる状況のもとでは、これらの冷陰極型電子放出素子の中でも、表面伝導型電子放出素子が特に好ましい。すなわち、FE型ではエミッタコーンとゲート電極の相対位置や形状が電子放出特性を大きく左右するため、極めて高精度の製造技術を必要とするが、これは大面積化や製造コストの低減を達成するには不利な要因となる。また、MIM型では、絶縁層と上電極の膜厚を薄くてしかも均一にする必要があるが、これも大面積化や製造コストの低減を達成するには不利な要因となる。その点、表面伝導型電子放出素子は、比較的製造方法が単純なため、大面積化や製造コストの低減が容易である。また、本発明者らは、表面伝導型電子放出素子の中でも、電子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜から形成したものがとりわけ電子放出特性に優れ、しかも製造が容易に行えることを見いだしている。したがって、高輝度で大画面の画像形成装置のマルチ電子ビーム源に用いるには、最も好適であると言える。そこで、上記実施形態例の表示パネルにおいては、電子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜から形成した表面伝導型電子放出素子を用いた。そこで、まず好適な表面伝導型電子放出素子について基本的な構成と製法および特性を説明し、その後で多数の素子を単純マトリクス配線したマルチ電子ビーム源の構造について述べる。
〔表面伝導型電子放出素子の好適な素子構成と製法〕
電子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜から形成する表面伝導型電子放出素子の代表的な構成には、平面型と垂直型の2種類があげられる。
(平面型の表面伝導型電子放出素子)
まず最初に、平面型の表面伝導型電子放出素子の素子構成と製法について説明する。
【0047】
図5(a)は、平面型の表面伝導型電子放出素子の構成を説明するための平面図、図5(b)は図5(a)の断面図である。図中、13は基板、14と15は素子電極、16は導電性薄膜、17は通電フォーミング処理により形成した電子放出部、18は通電活性化処理により形成した薄膜である。
【0048】
基板13としては、たとえば、石英ガラスや青板ガラスをはじめとする各種ガラス基板や、アルミナをはじめとする各種セラミクス基板、あるいは上述の各種基板上にたとえばSiO2を材料とする絶縁層を積層した基板、などを用いることができる。
【0049】
また、基板13上に基板面と平行に対向して設けられた素子電極14と15は、導電性を有する材料によって形成されている。たとえば、Ni,Cr,Au,Mo,W,Pt,Ti,Cu,Pd,Ag等をはじめとする金属、あるいはこれらの金属の合金、あるいはIn2O3 −SnO2をはじめとする金属酸化物、ポリシリコンなどの半導体、などの中から適宜材料を選択して用いればよい。電極を形成するには、たとえば真空蒸着などの製膜技術とフォトリソグラフィー、エッチングなどのパターニング技術を組み合わせて用いれば容易に形成できるが、それ以外の方法(たとえば印刷技術)を用いて形成してもさしつかえない。
【0050】
素子電極14と15の形状は、当該電子放出素子の応用目的に合わせて適宜設計される。一般的には、電極間隔Lは通常は数十nmから数十μmの範囲から適当な数値を選んで設計されるが、なかでも画像形成装置に応用するために好ましいのは数μmより数十μmの範囲である。また、素子電極の厚さdについては、通常は数十nmから数μmの範囲から適当な数値が選ばれる。
【0051】
また、導電性薄膜16の部分には、微粒子膜を用いる。ここで述べた微粒子膜とは、構成要素として多数の微粒子を含んだ膜(島状の集合体も含む)のことをさす。微粒子膜を微視的に調べれば、通常は、個々の微粒子が離間して配置された構造か、あるいは微粒子が互いに隣接した構造か、あるいは微粒子が互いに重なり合った構造が観測される。
【0052】
微粒子膜に用いた微粒子の粒径は、数nmの1/10から数百nmの範囲に含まれるものであるが、なかでも好ましいのは1nmから20nmの範囲のものである。また、微粒子膜の膜厚は、以下に述べるような諸条件を考慮して適宜設定される。すなわち、素子電極14あるいは15と電気的に良好に接続するのに必要な条件、後述する通電フォーミングを良好に行うのに必要な条件、微粒子膜自身の電気抵抗を後述する適宜の値にするために必要な条件、などである。具体的には、数nmの1/10から数百nmの範囲のなかで設定するが、なかでも好ましいのは1nmから50nmの間である。
【0053】
また、微粒子膜を形成するのに用いられうる材料としては、たとえば、Pd,Pt,Ru,Ag,Au,Ti,In,Cu,Cr,Fe,Zn,Sn,Ta,W,Pb,などをはじめとする金属や、PdO,SnO2 ,In2 O3 ,PbO,Sb2 O3 ,などをはじめとする酸化物や、HfB2 ,ZrB2 ,LaB6 ,CeB6 ,YB4 ,GdB4 ,などをはじめとする硼化物や、TiC,ZrC,HfC,TaC,SiC,WC,などをはじめとする炭化物や、TiN,ZrN,HfN,などをはじめとする窒化物や、Si,Ge,などをはじめとする半導体や、カーボン、などがあげられ、これらの中から適宜選択される。
【0054】
以上述べたように、導電性薄膜16を微粒子膜で形成したが、そのシート抵抗値については、103から107[オーム/□]の範囲に含まれるよう設定した。
【0055】
なお、導電性薄膜16と素子電極14および15とは、電気的に良好に接続されるのが望ましいため、互いの一部が重なりあうような構造をとっている。その重なり方は、図5の例においては、下から、基板、素子電極、導電性薄膜の順序で積層したが、場合によっては下から基板、導電性薄膜、素子電極、の順序で積層してもさしつかえない。
【0056】
また、電子放出部17は、導電性薄膜16の一部に形成された亀裂状の部分であり、電気的には周囲の導電性薄膜よりも高抵抗な性質を有している。亀裂は、導電性薄膜16に対して、後述する通電フォーミングの処理を行うことにより形成する。亀裂内には、数nmの1/10から数十nmの粒径の微粒子を配置する場合がある。なお、実際の電子放出部の位置や形状を精密かつ正確に図示するのは困難なため、図5においては模式的に示した。
【0057】
また、薄膜18は、炭素もしくは炭素化合物よりなる薄膜で、電子放出部17およびその近傍を被覆している。薄膜18は、通電フォーミング処理後に、後述する通電活性化の処理を行うことにより形成する。
【0058】
薄膜18は、単結晶グラファイト、多結晶グラファイト、非晶質カーボン、のいずれかか、もしくはその混合物であり、膜厚は50nm以下とするが、30nm以下とするのがさらに好ましい。
【0059】
なお、実際の薄膜18の位置や形状を精密に図示するのは困難なため、図5においては模式的に示した。
【0060】
以上、好ましい素子の基本構成を述べたが、実施形態例においては以下のような素子を用いた。
【0061】
すなわち、基板13には青板ガラスを用い、素子電極14と15にはNi薄膜を用いた。素子電極の厚さdは100nm、電極間隔Lは2μmとした。
【0062】
微粒子膜の主要材料としてPdもしくはPdOを用い、微粒子膜の厚さは約10nm、幅Wは10nmとした。
【0063】
次に、好適な平面型の表面伝導型電子放出素子の製造方法について説明する。図6(a)〜(d)は、表面伝導型電子放出素子の製造工程を説明するための断面図で、各構成部材において図4の構成部材と同一なものは同一符号を付する。
1) まず、図6(a)に示すように、基板13上に素子電極14および15を形成する。形成するにあたっては、あらかじめ基板13を洗剤、純水、有機溶剤を用いて十分に洗浄後、素子電極の材料を堆積させる(堆積する方法としては、たとえば、蒸着法やスパッタ法などの真空成膜技術を用ればよい。)。その後、堆積した電極材料を、フォトリソグラフィー・エッチング技術を用いてパターニングし、一対の素子電極14,15を形成する。
2) 次に、図6(b)に示すように、導電性薄膜16を形成する。形成するにあたっては、まず素子電極14,15が形成された基板13に有機金属溶液を塗布して乾燥し、加熱焼成処理して微粒子膜を成膜した後、フォトリソグラフィー・エッチングにより所定の形状にパターニングする。ここで、有機金属溶液とは、導電性薄膜に用いる微粒子の材料を主要元素とする有機金属化合物の溶液である。具体的には、本実施形態例では主要元素としてPdを用いた。また、実施形態例では塗布方法として、ディッピング法を用いたが、それ以外のたとえばスピンナー法やスプレー法を用いてもよい。
【0064】
また、微粒子膜で作られる導電性薄膜の成膜方法としては、本実施形態例で用いた有機金属溶液の塗布による方法以外の、たとえば真空蒸着法やスパッタ法、あるいは化学的気相堆積法などを用いる場合もある。
3) 次に、図6(c)に示すように、フォーミング用電源19から素子電極14と素子電極15との間に適宜の電圧を印加し、通電フォーミング処理を行って、電子放出部17を形成する。
【0065】
通電フォーミング処理とは、微粒子膜で作られた導電性薄膜16に通電を行って、その一部を適宜に破壊、変形、もしくは変質せしめ、電子放出を行うのに好適な構造に変化させる処理のことである。微粒子膜で作られた導電性薄膜のうち電子放出を行うのに好適な構造に変化した部分(すなわち電子放出部17)においては、薄膜に適当な亀裂が形成されている。なお、電子放出部17が形成される前と比較すると、形成された後は素子電極14と素子電極15の間で計測される電気抵抗は大幅に増加する。
【0066】
通電方法をより詳しく説明するために、図7に、フォーミング用電源19から印加する適宜の電圧波形の一例を示す。微粒子膜で作られた導電性薄膜をフォーミングする場合には、パルス状の電圧が好ましく、本実施形態例の場合には同図に示したようにパルス幅T1の三角波パルスをパルス間隔T2で連続的に印加した。その際には、三角波パルスの波高値Vpfを、順次昇圧した。また、電子放出部17の形成状況をモニターするためのモニターパルスPmを適宜の間隔で三角波パルスの間に挿入し、その際に流れる電流を電流計20で計測した。
【0067】
実施形態例においては、たとえば10-3Pa程度の真空雰囲気下において、たとえばパルス幅T1を1ミリ秒、パルス間隔T2を10ミリ秒とし、波高値Vpfを1パルスごとに0.1Vずつ昇圧した。そして、三角波を5パルス印加するたびに1回の割りで、モニターパルスPmを挿入した。フォーミング処理に悪影響を及ぼすことがないように、モニターパルスの電圧Vpmは0.1Vに設定した。そして、素子電極14と素子電極15の間の電気抵抗が1×106オームになった段階、すなわちモニターパルス印加時に電流計20で計測される電流が1×10-7A以下になった段階で、フォーミング処理にかかわる通電を終了した。
【0068】
なお、上記の方法は、本実施形態例の表面伝導型電子放出素子に関する好ましい方法であり、たとえば微粒子膜の材料や膜厚、あるいは素子電極間隔Lなど表面伝導型電子放出素子の設計を変更した場合には、それに応じて通電の条件を適宜変更するのが望ましい。
4) 次に、図6(d)に示すように、活性化用電源21から素子電極14と素子電極15の間に適宜の電圧を印加し、通電活性化処理を行って、電子放出特性の改善を行う。
【0069】
通電活性化処理とは、前記通電フォーミング処理により形成された電子放出部17に適宜の条件で通電を行って、その近傍に炭素もしくは炭素化合物を堆積せしめる処理のことである。図6(d)においては、炭素もしくは炭素化合物よりなる堆積物を部材18として模式的に示した。なお、通電活性化処理を行うことにより、行う前と比較して、同じ印加電圧における放出電流を典型的には100倍以上に増加させることができる。
【0070】
具体的には、10-1ないし10-4Paの範囲内の真空雰囲気中で、電圧パルスを定期的に印加することにより、真空雰囲気中に存在する有機化合物を起源とする炭素もしくは炭素化合物を堆積させる。堆積物18は、単結晶グラファイト、多結晶グラファイト、非晶質カーボン、のいずれかか、もしくはその混合物であり、膜厚は50nm以下、より好ましくは30nm以下である。
【0071】
通電方法をより詳しく説明するために、図8(a)に、活性化用電源21から印加する適宜の電圧波形の一例を示す。本実施形態例においては、一定電圧の矩形波を定期的に印加して通電活性化処理を行ったが、具体的には,矩形波の電圧Vacは14V,パルス幅T3は1ミリ秒,パルス間隔T4は10ミリ秒とした。なお、上述の通電条件は、本実施形態例の表面伝導型電子放出素子に関する好ましい条件であり、表面伝導型電子放出素子の設計を変更した場合には、それに応じて条件を適宜変更するのが望ましい。
【0072】
図6(d)に示す22は該表面伝導型電子放出素子から放出される放出電流Ieを捕捉するためのアノード電極で、直流高電圧電源23および電流計24が接続されている。なお、基板13を、表示パネルの中に組み込んでから活性化処理を行う場合には、表示パネルの蛍光面をアノード電極22として用いる。
【0073】
活性化用電源21から電圧を印加する間、電流計24で放出電流Ieを計測して通電活性化処理の進行状況をモニターし、活性化用電源21の動作を制御する。電流計24で計測された放出電流Ieの一例を図8(b)に示すが、活性化電源21からパルス電圧を印加しはじめると、時間の経過とともに放出電流Ieは増加するが、やがて飽和してほとんど増加しなくなる。このように、放出電流Ieがほぼ飽和した時点で活性化用電源21からの電圧印加を停止し、通電活性化処理を終了する。
【0074】
なお、上述の通電条件は、本実施形態例の表面伝導型電子放出素子に関する好ましい条件であり、表面伝導型電子放出素子の設計を変更した場合には、それに応じて条件を適宜変更するのが望ましい。
【0075】
以上のようにして、図6(e)に示す平面型の表面伝導型電子放出素子を製造した。
(垂直型の表面伝導型電子放出素子)
図9は電子放出部もしくはその周辺を微粒子膜から形成した表面伝導型電子放出素子のもうひとつの代表的な構成、すなわち垂直型の表面伝導型電子放出素子である。図9は、垂直型の基本構成を説明するための模式的な断面図であり、図中の25は基板、26と27は素子電極、28は段差形成部材、29は微粒子膜を用いた導電性薄膜、30は通電フォーミング処理により形成した電子放出部、31は通電活性化処理により形成した薄膜である。
【0076】
垂直型が先に説明した平面型と異なる点は、片方の素子電極26が段差形成部材28上に設けられており、導電性薄膜29が段差形成部材28の側面を被覆している点にある。したがって、前記図5の平面型における素子電極間隔Lは、垂直型においては段差形成部材28の段差高Lsとして設定される。なお、基板25、素子電極26および27、微粒子膜を用いた導電性薄膜29、については、前記平面型の説明中に列挙した材料を同様に用いることが可能である。また、段差形成部材28には、たとえばSiO2のような電気的に絶縁性の材料を用いる。
〔画像形成装置に用いた表面伝導型電子放出素子の特性〕
以上、平面型と垂直型の表面伝導型電子放出素子について素子構成と製法を説明したが、次に画像形成装置に用いた素子の特性について述べる。
【0077】
図10に、画像形成装置に用いた素子の(放出電流Ie)対(素子印加電圧Vf)特性、および(素子電流If)対(素子印加電圧Vf)特性の典型的な例を示す。なお、放出電流Ieは素子電流Ifに比べて著しく小さく、同一尺度で図示するのが困難であるうえ、これらの特性は素子の大きさや形状等の設計パラメータを変更することにより変化するものであるため、2本のグラフは各々任意単位で図示した。
【0078】
画像形成装置に用いた素子は、放出電流Ieに関して以下に述べる3つの特性を有している。
【0079】
第一に、ある電圧(これを閾値電圧Vthと呼ぶ)以上の大きさの電圧を素子に印加すると急激に放出電流Ieが増加するが、一方、閾値電圧Vth未満の電圧では放出電流Ieはほとんど検出されない。すなわち、放出電流Ieに関して、明確な閾値電圧Vthを持った非線形素子である。
【0080】
第二に、放出電流Ieは素子に印加する電圧Vfに依存して変化するため、電圧Vfで放出電流Ieの大きさを制御できる。
【0081】
第三に、素子に印加する電圧Vfに対して素子から放出される電流Ieの応答速度が速いため、電圧Vfを印加する時間の長さによって素子から放出される電子の電荷量を制御できる。
【0082】
以上のような特性を有するため、表面伝導型電子放出素子を画像形成装置に好適に用いることができた。たとえば多数の素子を表示画面の画素に対応して設けた画像形成装置において、第一の特性を利用すれば、表示画面を順次走査して表示を行うことが可能である。すなわち、駆動中の素子には所望の発光輝度に応じて閾値電圧Vth以上の電圧を適宜印加し、非選択状態の素子には閾値電圧Vth未満の電圧を印加する。駆動する素子を順次切り替えてゆくことにより、表示画面を順次走査して表示を行うことが可能である。
【0083】
また、第二の特性または第三の特性を利用することにより、発光輝度を制御することができるため、諧調表示を行うことが可能である。
〔多数素子を単純マトリクス配線したマルチ電子ビーム源の構造〕
次に、上述の表面伝導型電子放出素子を基板上に配列して単純マトリクス配線したマルチ電子ビーム源の構造について述べる。
【0084】
図11に示すのは、前記図5の表示パネルに用いたマルチ電子ビーム源の平面図である。基板上には、前記図5で示したものと同様な表面伝導型電子放出素子が配列され、これらの素子はX方向配線電極9とY方向配線電極12により単純マトリクス状に配線されている。X方向配線電極9とY方向配線電極12の交差する部分には、電極間に絶縁層(不図示)が形成されており、電気的な絶縁が保たれている。図11のA−A’に沿った断面図を図12に示す。
【0085】
なお、このような構造のマルチ電子源は、あらかじめ基板上にX方向配線電極9、Y方向配線電極12、電極間絶縁層(不図示)、および表面伝導型電子放出素子の素子電極と導電性薄膜を形成した後、X方向配線電極9およびY方向配線電極12を介して各素子に給電通電フォーミング処理と通電活性化処理を行うことにより製造した。
【0086】
【実施例】
以下、本発明の具体的な実施例について図面を用いて説明する。
(参考例1)
以下、図1を用いて説明する。本参考例では、まず、未フォーミングの複数の表面伝導型電子源1をリアプレート2に形成した。リアプレート2として清浄化した青板ガラスを用い、これに図12に示した表面伝導型電子放出素子を160個×720個マトリクス状に形成した。素子電極14、15はNiスパッタ膜であり、X方向配線9、Y方向配線12はスクリーン印刷法により形成したAg配線である。導電性薄膜16はPdアミン錯体溶液を焼成したPdO微粒子膜である。
【0087】
画像形成部材であるところの蛍光膜5は図4(a)に示すように、各色蛍光体5aがY方向にのびるストライプ形状を採用し、黒色体5bとしては各色蛍光体5a間だけでなく、X方向にも設けることでY方向の画素間を分離しかつスペーサー10を設置するための部分を加えた形状を用いた。先に黒色体(導電体)5bを形成し、その間隙部に各色蛍光体5aを塗布して蛍光膜5を作成した。ブラックストライプ(黒色体5b)の材料として通常よく用いられている黒鉛を主成分とする材料を用いた。ガラス基板4に蛍光体5aを塗布する方法はスラリー法を用いた。
【0088】
また、蛍光膜5より内面側(電子源側)に設けられるメタルバック6は、蛍光膜5の作成後、蛍光膜5の内面側表面の平滑化処理(通常フィルミングと呼ばれる)を行い、その後、Alを真空蒸着することで作成した。フェースプレート7には、更に蛍光膜5の導電性を高めるため、蛍光膜5より外面側(ガラス基板と蛍光膜の間)に透明電極が設けられる場合もあるが、本参考例ではメタルバックのみで十分な導電性が得られたので省略した。
【0089】
スペーサ10は清浄化したソーダライムガラスからなる絶縁性基材10a(高さ3.8mm、板厚200μm、長さ20mm)上に、Naブロック層10bとして窒化シリコン膜を0.5μm成膜し、その上にSiOとCrの酸化物サーメット膜10cをスパッタ法により形成し成膜した。
【0090】
本参考例で用いたCr−SiO膜はスパッタリング装置を用いてアルゴン雰囲気中でCrとSiOのターゲットを同時スパッタすることにより成膜した。スパッタ装置については図13のようになっている。図13において、41は成膜室、42はスペーサ部材、43,44はそれぞれCr,SiOのターゲット、45,47はターゲット43,44にそれぞれ高周波電圧を印加するための高周波電源、46,48はマッチングボックス、49はアルゴンを導入するための導入管である。
【0091】
成膜室41にアルゴンを0.5Pa程度導入し、それぞれのターゲットにかける電力を変化することにより組成の調節を行い、種々の抵抗値のスペーサを作製した。作製したCr−SiO膜は次の6種類である。なお、比抵抗の値は後述する500℃で1時間の熱処理後の値を示す。
(1)Crターゲットに8W,SiOターゲットに500Wを投入し、約46分成膜した。膜厚は80nm,比抵抗は2.1×105Ωmであった。
(2)Crターゲットに22W,SiOターゲットに500Wを投入し、約44分成膜した。膜厚は80nm,比抵抗は1.0×104Ωmであった。
(3)Crターゲットに18W,SiOターゲットに500Wを投入し、約45分成膜した。膜厚は80nm,比抵抗は1.5×104Ωmであった。
(4)Crターゲットに30W,SiOターゲットに500Wを投入し、約41分成膜した。膜厚は80nm,比抵抗は5.0×103Ωmであった。
(5)Crターゲットに40W,SiOターゲットに500Wを投入し、約29分成膜した。膜厚は80nm,比抵抗は2.1×103Ωmであった。
(6)Crターゲットに55W,SiOターゲットに500Wを投入し、約22分成膜した。膜厚は80nm,比抵抗は2.0×102Ωmであった。
【0092】
さらに、表1は作製したスペーサの組成と比抵抗値を示している。
【0093】
【表1】
スペーサ10は、X方向配線及びメタルバックとの接続を確実にするためにその接続部にAlによる電極11を設けた。この電極11はX方向配線からフェースプレートに向かって50μm、メタルバックからリアプレートに向かって300μmの範囲で外囲器8内に露出するスペーサ10の4面を完全に被覆した。ただし、電極11が無くても十分な電気的接続が取れる場合には電極11を配さなくてもよい。スペーサ10は画像形成装置組込み前に500℃で1時間熱処理した。以上のように作製したスペーサ10を等間隔でフェースプレート7上に固定した。
【0094】
その後、電子源1の3.8mm上方にフェースプレート7を支持枠3を介し配置し、リアプレート2、フェースプレート7、支持枠3及びスペーサ10の接合部を固定した。
【0095】
リアプレート2と支持枠3の接合部及びフェースプレート7と支持枠3の接合部はフリットガラスを塗布し(スペーサとフェースプレート7との接合部には導電性フリットを用いた)、スペーサ表面の酸化物サーメット(Cr−SiO膜)が酸化されないように窒素中で430℃で10分以上焼成することで封着した。
【0096】
スペーサ10はフェースプレート7側では黒色体5b(線幅300μm)上に、Auを被覆シリカ球を含有した導電性フリットガラスを用いることにより、帯電防止膜とフェースプレートとの導通を確保した。なお、メタルバックとスペーサとが当接する領域においてはメタルバックの一部を除去した。
【0097】
以上のようにして完成した外囲器8内の雰囲気を排気管を通じ真空ポンプにて排気し、十分な真空度に達した後、容器外端子Dx1〜DxmとDy1〜Dynを通じ電子放出素子1の素子電極14,15間に電圧を印加し、導電性薄膜16を通電処理(フォーミング処理)することにより電子放出部17を形成した。フォーミング処理は、図7に示した波形の電圧を印加することにより行った。
【0098】
次に排気管を通してアセトンを0.1Paとなるように真空容器に導入し、容器外端子Dx1〜DxmとDy1〜Dynに電圧パルスを定期的に印加することにより、炭素、あるいは炭素化合物を堆積する通電活性化処理を行った。通電活性化は図8に示すような波形を印加することにより行った。
【0099】
次に、容器全体を200℃に加熱しつつ10時間真空排気した後、10-4Pa程度の圧力で、排気管をガスバーナーで熱することで溶着し外囲器8の封止を行った。
【0100】
最後に、封止後の圧力を維持するために、ゲッター処理を行った。
【0101】
以上のように完成した画像形成装置において、各電子放出素子1には、容器外端子Dx1〜Dxm,Dy1〜Dynを通じ走査信号及び変調信号を不図示の信号発生手段よりそれぞれ印加することにより電子を放出させ、メタルバック6には、高圧端子Hvを通じて高圧を印加することにより放出電子ビームを加速し、蛍光膜5に電子を衝突させ、蛍光体を励起・発光させることで画像を表示した。なお、高圧端子Hvへの印加電圧Vaは1kV〜5kV、素子電極14,15間への印加電圧Vfは14Vとした。
【0102】
スペーサ10について帯電防止膜10cの抵抗値および性能を表1に示す。Cr30%以下の画像形成装置は5kVまで印加することができたが、Cr40%については抵抗値が小さく高いVaを印加することができなかったために、相対的に輝度不足であった。また、Cr5%では、除電不足のためにスペーサ近傍の電子源からの電子ビームはスペーサ側に引き寄せられており、その部分の画像にゆがみを生じた。
【0103】
抵抗温度係数はCr10%の組成で−0.3%であった。
(参考例2)
参考例1のSiOに代わり酸化物にアルミナ(酸化アルミニウム)を使用して成膜方法については参考例1と同様にスペーサを作製した。金属はCrを用いて表1に示した金属組成および膜厚の違う8種類のスペーサを作製した。
【0104】
本参考例で用いたCr−アルミナ膜はスパッタリング装置を用いてアルゴン雰囲気中でCrとアルミナのターゲットを同時スパッタすることにより成膜した。スパッタ装置については図13の装置を用いた。成膜室41にアルゴンを0.7Pa程度導入し、それぞれのターゲットにかける電力を変化することにより組成の調節を行い、種々の抵抗値のスペーサを作製した。なお、比抵抗の値は後述する500℃で1時間の熱処理後の値を示す。
(1)Crターゲットに5W,アルミナターゲットに500Wを投入し、約55分成膜した。膜厚は80nm,比抵抗は2.0×107Ωmであった。
(2)Crターゲットに8W,アルミナターゲットに500Wを投入し、約54分成膜した。膜厚は80nm,比抵抗は2.1×105Ωmであった。
(3)Crターゲットに9W,アルミナターゲットに500Wを投入し、約54分成膜した。膜厚は80nm,比抵抗は6.8×104Ωmであった。
(4)Crターゲットに12W,アルミナターゲットに500Wを投入し、約50分成膜した。膜厚は80nm,比抵抗は4.0×104Ωmであった。
(5)Crターゲットに14W,アルミナターゲットに500Wを投入し、約42分成膜した。膜厚は80nm,比抵抗は2.2×104Ωmであった。
(6)Crターゲットに20W,アルミナターゲットに500Wを投入し、約36分成膜した。膜厚は80nm,比抵抗は4.0×103Ωmであった。
(7)Crターゲットに33W,アルミナターゲットに500Wを投入し、約27分成膜した。膜厚は20nm,比抵抗は8.4×102Ωmであった。
(8)Crターゲットに45W,アルミナターゲットに500Wを投入し、約20分成膜した。膜厚は10nm,比抵抗は7.5×101Ωmであった。
【0105】
これらのスペーサを500℃、1時間熱処理後、参考例1と同じく作製したリアプレート、フェースプレートおよび枠とともに封着し、画像形成装置を作製し、参考例1と同様の評価を行った。
【0106】
なお、高圧端子Hvへの印加電圧Vaは1kV〜5kV、素子電極14,15間への印加電圧Vfは14Vとした。
【0107】
Crが2vol.%のスペーサ入り表示装置においてはスペーサ近傍の電子ビームがスペーサに引き寄せられ正常な画像表示ができない。Cr4%のサンプルはスペーサに最も近い電子源からの電子ビームのみスペーサに引き付けられていたが離れた電子源からの電子ビームは正常である。Crが30vol.%まで正常な画像を再現したが、45%のサンプルはビームがスペーサに引き寄せられていた。この原因はスペーサの抵抗が熱処理により不均一になったためと考えられる。
【0108】
Cr−アルミナ(Crが5〜10%程度)の抵抗温度係数は約−0.3%であった。Crの好ましい組成範囲(5vol.%〜45vol.%)で抵抗温度係数は−0.1〜−0.3%程度となる。
(実施例1)
参考例2のCrに代わりPtを用いた。成膜方法については参考例2と同様である。本実施例で用いたPt−アルミナ膜はスパッタリング装置を用いてアルゴン雰囲気中でPtとアルミナのターゲットを同時スパッタすることにより成膜した。スパッタ装置については図13の装置を用いた。成膜室41にアルゴンを0.3Pa程度導入し、それぞれのターゲットにかける電力を変化することにより組成の調節を行い、種々の抵抗値のスペーサを作製した。なお、比抵抗の値は参考例2と同様に熱処理後の値を示す。
(1)Ptターゲットに20W,アルミナターゲットに500Wを投入し、約55分成膜した。膜厚は80nm,比抵抗は8.5×105Ωmであった。
(2)Ptターゲットに27W,アルミナターゲットに500Wを投入し、約53分成膜した。膜厚は200nm,比抵抗は3.2×105Ωmであった。
(3)Ptターゲットに32W,アルミナターゲットに500Wを投入し、約48分成膜した。膜厚は200nm,比抵抗は5.1×104Ωmであった。
(4)Ptターゲットに40W,アルミナターゲットに500Wを投入し、約38分成膜した。膜厚は200nm,比抵抗は2.5×104Ωmであった。
【0109】
組成および抵抗値と評価結果を表1に示した。
【0110】
このスペーサ10を用いた画像形成装置において、Ptが4vol.%のスペーサを組込んだサンプルではスペーサ近傍の電子ビームが曲げられわずかに画像の乱れが観察されたが、Ptが6vol.%以上のサンプルではビームずれがなく良好な画像を再現した。
(実施例2及び参考例3)
酸化物として酸化タンタル、金属に金およびモリブデンを用いた酸化物サーメット帯電防止膜としたスペーサを作製し、これを用いた画像形成装置を参考例1と同様に作製した。酸化物サーメット膜は酸化TaとAuあるいはMoを電子ビーム蒸着法により絶縁性基板上に成膜した(Auは実施例2、Moは参考例3である)。
【0111】
電子ビーム蒸着装置の概略的な構成を図15に示す。図15に示すように、真空ポンプ65で真空チャンバ61内を圧力10-3Pa台とし、基板温度を250℃程度に加熱して、酸化物及び金属にそれぞれ電子ビームを照射して蒸発させてスペーサ62を作製する。
【0112】
組成、抵抗値および再生画像の結果を表1に示す。いずれのサンプルも電子ビームのゆがみがみられず、良好な画像を再現した。
(比較例)
比較例として前記と同様な方法で導電膜にSiOとCrの酸化物サーメット膜の代わりにSnO2 を用いた(as depo抵抗値6.7×108Ω、膜厚5nm)。スパッタ装置としては図13に示した装置を用い、金属ターゲットの代わりにSnO2ターゲットを用いてスパッタを行なった。スパッタガスはアルゴンで圧力は0.5Pa、投入電圧は500Wで5分成膜を行なった。
【0113】
各組立工程において導電膜10cの抵抗値が大きく変動した。全組立工程通過後には比抵抗は5.2×103Ωm、抵抗値で1.8×106 Ωになり、Vaを1kVまで印加することができなかった。すなわち、ディスプレイ作製工程で抵抗が大きく変化し、かつその変化量が一定でないため、工程終了後の抵抗のバラツキが大きくなり制御性に乏しい。また、このSnO2 の比抵抗値では膜厚を1nm以下と極めて薄くしなければならず、さらに抵抗の制御性は難しい。
【0114】
【発明の効果】
以上説明したように、また本発明の画像形成装置によれば、素子基板とフェースプレート間に配置された絶縁性部材表面に、酸化物サーメット膜を帯電防止膜として用いることで、スペーサ近傍でのビームの乱れが抑制され、本来発光するべき蛍光***置に電子ビームが衝突するため良好な画像表示が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の帯電防止膜を用いた画像形成装置のスペーサ近傍の概略断面図である。
【図2】 スペーサの断面構成を示す図である。
【図3】 本発明の実施形態例である画像形成装置の、表示パネルの一部を切り欠いて示した斜視図である。
【図4】 表示パネルのフェースプレートの蛍光体配列を例示した平面図である。
【図5】 マルチ電子ビーム源の基板の平面図及び断面図である。
【図6】 平面型表面伝導型電子放出素子の形成工程図である。
【図7】 電子ビーム源のフォーミング形成印加パルス波形図である。
【図8】 通電活性化工程の印加パルス波形図である。
【図9】 垂直型表面伝導型電子放出素子の断面図である。
【図10】 表面伝導型電子放出素子の素子電圧と素子電流、放出電流の関係を示す特性図である。
【図11】 単純マトリクス配線図である。
【図12】 平面型表面伝導型電子放出素子の断面図である。
【図13】 スパッタ装置の概略的構成図である。
【図14】 本発明で用いるスペーサの他の形態を示す斜視図である。
【図15】 電子ビーム蒸着装置の概略的な構成を示す図である。
【図16】 多数の微小な電子源を使用したディスプレイの断面模式図である。
【符号の説明】
1 電子源(電子放出素子)
2 リアプレート
3 側壁
4 ガラス基板
5 蛍光膜
6 メタルバック
7 フェースプレート
8 外囲器
9 X方向配線
10 スペーサ
10a 絶縁性基材
10b Naブロック層
10c 帯電防止膜
11 良導電性の電極
12 Y方向配線
13 基板
Claims (10)
- 複数の電子放出素子を形成した基板と画像形成部材を形成した基板とをスペーサを介して対向させた構造を有する画像形成装置において、
該スペーサは基材表面に熱処理を施した酸化物サーメット膜が被覆されたスペーサであって、前記酸化物サーメット膜は貴金属を含むことを特徴とする画像形成装置。 - 前記酸化物サーメット膜を構成する酸化物はアルミナである請求項1記載の画像形成装置。
- 前記酸化物サーメット膜を構成する酸化物が酸化シリコンである請求項1記載の画像形成装置。
- 前記酸化物サーメット膜を構成する酸化物が酸化タンタルである請求項1記載の画像形成装置。
- 前記酸化物サーメット膜は、膜厚が20nm〜1μm、電子の加速電圧をVaとしたときの比抵抗が10-7×Va2Ωm〜105Ωm、負の抵抗温度係数でその絶対値が1%以下であること特徴とする請求項1〜4のいずれかの請求項に記載の画像形成装置。
- 前記基材がNaを含有するガラスからなる絶縁性基材であり、前記絶縁性基材と前記酸化物サーメット膜との間に窒化シリコン膜を設けたことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかの請求項に記載の画像形成装置。
- 前記スペーサの両端部間で電位差を生ずるように該両端部に電圧が印加されてなる請求項1〜請求項6のいずれかの請求項に記載の画像形成装置。
- 前記画像形成部材を形成した基板に、放出された電子を加速する加速電極が設けられ、前記スペーサの一方の端部が該加速電極に電気的に接続されている請求項7に記載の画像形成装置。
- 前記複数の電子放出素子を形成した基板に電子放出素子の駆動用配線が設けられ、前記スペーサの一方の端部が該駆動用配線に電気的に接続されている請求項7又は請求項8に記載の画像形成装置。
- 前記電子放出素子が表面伝導型電子放出素子である請求項1〜請求項9のいずれかの請求項に記載の画像形成装置。
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