JP3739091B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3739091B2 JP3739091B2 JP2003099846A JP2003099846A JP3739091B2 JP 3739091 B2 JP3739091 B2 JP 3739091B2 JP 2003099846 A JP2003099846 A JP 2003099846A JP 2003099846 A JP2003099846 A JP 2003099846A JP 3739091 B2 JP3739091 B2 JP 3739091B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- fixing
- electrode
- lead terminal
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/37001—Core members of the connector
- H01L2224/37099—Material
- H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/4005—Shape
- H01L2224/4009—Loop shape
- H01L2224/40095—Kinked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/40247—Connecting the strap to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/41—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of a plurality of strap connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/77—Apparatus for connecting with strap connectors
- H01L2224/7725—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/77272—Oven
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
- H01L2224/842—Applying energy for connecting
- H01L2224/8421—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
- H01L2224/84214—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation using a laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
- H01L2224/848—Bonding techniques
- H01L2224/84801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01054—Xenon [Xe]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置、特に半導体チップの電極とリード端子とを板状接続導体で接続した構造のパワーMOSFET、IGBT等の電力用の半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、パワーMOSFETまたはIGBT等の電力用半導体装置の製造においては、製造コストの低減および接続導体の断線防止のために、高価な金線またはアルミニウム線によるワイヤボンディングの代わりに、Cu等からなる板状接続導体(以下、これをクリップと呼称する)を用いて半導体チップの電極とリード端子とを接続している。
【0003】
この種の半導体装置の製造方法としては、図5に示すものが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
【0004】
この特許文献1に開示された半導体装置の製造方法は、図5に示すように、まず、先端部にベッド102が設けられた第1のリード端子101とこのベッド102に一方端部がそれぞれ近接配置された第2および第3のリード端子103、104とを有するリードフレーム100を用意し、このリードフレーム100の第1のリード端子101のベッド102上に、電極111、112を有する三端子型のダイオードからなる半導体チップ110を高融点半田にて固着する。
【0005】
次に、半導体チップ110の電極111、112上、第2および第3のリード端子103、104の一方端部上にそれぞれ低融点半田を形成する。
【0006】
次いで、第1のクリップ120を、その一方端部が低融点半田を形成した第2のリード端子103の一方端部上に、その他方端部が低融点半田を形成した電極111上に位置するように載置する。これと同様に、第2のクリップ121を、その一方端部が第3のリード端子104の一方端部上に、その他方端部が電極112上に載置する。
【0007】
次に、これを加熱炉、加熱装置等の固着装置まで搬送し、その固着装置において、第1のクリップ120の一方端部を第2のリード端子103に、その他方端部を電極111にそれぞれ半田を介して固着・接続する。また、これと同様に、第2のクリップ121の一方端部を第3のリード端子104の一方端部に、その他方端部を電極112にそれぞれ半田を介して固着・接続している。
【0008】
【特許文献1】
特開平8−148623号公報(3頁−4頁、図2)
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上述した半導体装置の製造方法おいては、クリップを載置する工程と、クリップを電極およびリード端子に固着する工程とが異なるため、載置する工程と固着する工程の間に搬送する工程が介在する。従って、搬送時の振動または他の製造装置との接触等により、いわゆるクリップの位置ズレが発生し、半導体装置の信頼性の低下や組立て工程の歩留の低下が生じ、特に、複雑な構造や、平面でなく段差を有するクリップの場合には、特にその傾向が顕著であるという問題を有している。
【0010】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、半導体装置の信頼性および組立て工程の歩留の向上を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を解決するために、本発明の半導体装置の一態様の製造方法は、複数のリード端子のうちの1つのリード端子に半導体チップを固着する工程と、前記リード端子のうちの他のリード端子に板状接続導体の一方端部を導電性固着部材を介して載置し、且つその他方端部を前記半導体チップの電極上に前記導電性固着部材を介して載置する工程と、この載置工程において、レーザ光を前記板状接続導体の端部に照射することにより前記板状接続導体を前記リード端子および前記電極にそれぞれ固着する工程とを具備することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の一態様の製造方法は、複数のリード端子のうちの1つのリード端子に半導体チップを固着する工程と、前記リード端子のうちの他のリード端子に板状接続導体の一方端部を導電性固着部材を介して載置し、且つその他方端部を前記半導体チップの電極上に前記導電性固着部材を介して載置する工程と、この載置工程において、ランプ光を前記板状接続導体の端部に照射することにより前記板状接続導体を前記リード端子および前記電極にそれぞれ固着する工程とを具備することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の一態様の製造方法は、複数のリード端子のうちの1つのリード端子に半導体チップを固着する工程と、前記リード端子のうちの他のリード端子に板状接続導体の一方端部を導電性固着部材を介して載置し、且つその他方端部を前記半導体チップの電極上に前記導電性固着部材を介して載置する工程と、この載置工程において、レーザ光を前記板状接続導体の端部に照射することにより前記板状接続導体の両端部うちの少なくとも一方を仮固定する工程と、前記仮固定後、固着装置に搬送して、前記板状接続導体と前記リード端子および前記板状接続導体と前記電極をそれぞれ固着する工程とを具備することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の一態様の製造方法は、複数のリード端子のうちの1つのリード端子に半導体チップを固着する工程と、前記リード端子のうちの他のリード端子に板状接続導体の一方端部を導電性固着部材を介して載置し、且つその他方端部を前記半導体チップの電極上に前記導電性固着部材を介して載置する工程と、この載置工程において、ランプ光を前記板状接続導体の端部に照射することにより前記板状接続導体の両端部うちの少なくとも一方を仮固定する工程と、前記仮固定後、固着装置に搬送して、前記板状接続導体と前記リード端子および前記板状接続導体と前記電極をそれぞれ固着する工程とを具備することを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【0013】
(第1の実施の形態)
まず、本発明の第1の実施の形態に係わる半導体装置の製造方法について、図1乃至3を参照して説明する。本実施の形態は、パワーMOSFETを製造する場合の例である。
【0014】
図1はパワーMOSFETの製造工程を示す工程平面図、図2は図1(c)のA−A線に沿う拡大断面図、図3は図1(d)のB−B線に沿う拡大断面図である。
【0015】
図1(a)に示すように、まず、リードフレーム10および半導体チップとしてパワーMOSFETチップ20を用意する。
【0016】
このリードフレーム10は、その長手方向に沿う左右両縁部にサイドフレーム11a、11bを有し、この両サイドフレーム11a、11bのうちの一方のサイドフレーム11aには、第1のリード端子12が内向きに突出するように一体的に形成されている。この第1のリード端子12の先端部には、半導体チップを搭載するためのベッド13が形成されている。また、他方のサイドフレーム11bには、第2および第3のリード端子14、15が内向きに突出するように形成され、その先端部が第1のリード端子12のベッド13と近接して向合うように配置されている。
【0017】
一方、パワーMOSFETチップ20は、その上面にソース電極21およびゲート電極22を、下面にドレイン電極をそれぞれ有する。
【0018】
そして、このリードフレーム10の第1のリード端子12のベッド13上に高融点半田を形成した後に、パワーMOSFETチップ20を搭載し、固着する。
【0019】
なお、このパワーMOSFETチップ20とベッド13との固着は、高融点半田の代わりにBaNi/AuGeまたはTi/AuからなるメタルをパワーMOSFET20下面に形成し、ベッド13に固着させてもよい。
【0020】
次に、図1(b)に示すように、パワーMOSFETチップ20のソース電極21、ゲート電極22上、第2および第3のリード端子14、15の一方端部上にそれぞれ導電性固着部材、例えば融点210℃以下の低融点半田23a、23b、23c、23dを形成する。この低融点半田としては、SnPb系、SnBi系、SnAgCuIn系、およびSnZn系等の共晶半田のいずれでもよい。また、低融点半田の代わりに、半田バンプ、Auバンプ、或いは金属、または導電性接着材を用いてもよい。
【0021】
次いで、図1(c)に示すように、細長い方形状の板状接続導体、例えば銅(Cu)製の第1のクリップ30を、その一方端部が第2のリード端子14の低融点半田23c上に、その他方端部がパワーMOSFETチップ20のソース電極21の低融点半田23a上に位置するように載置する。これと同様に、Cu製の第2のクリップ31を、その一方端部が第3のリード端子15の低融点半田23d上に、その他方端部がパワーMOSFETチップ20のゲート電極22の低融点半田23b上に位置するように載置する。このクリップ30,31は、Cuに限らず、Al(アルミニウム)、またはCu合金箔で形成してもよい。
【0022】
ここで、上記クリップ30、31の供給方法としては、例えば、予め所定形状に曲げ加工された複数のクリップ30,31を異なるパーツフィーダにそれぞれ投入し、各パーツフィーダからクリップを一旦1列状に排出し、さらに、この排出されたクリップを個々に吸着コレット等により吸着保持した状態で、所定位置に移送するといったものが適用できる。また、クリップ30,31の載置時には、画像処理装置で、クリップ30,31の載置状態を認識し、1回の移送毎に第1および第2のクリップ30、31の位置を設定し直すことも可能である。
【0023】
続いて、低融点半田23a、23c上に位置する第1のクリップ30の両端部および低融点半田23b、23d上に位置する第2のクリップ31の両端部に、それぞれレーザ光を照射することにより、第1のクリップ30の端部と第2のリード端子および14ソース電極21間、第2のクリップ31の端部と第3のリード端子15およびゲート電極22間の低融点半田23a、23b、23c、23dをそれぞれ溶融させ、クリップ30、31の一方端部と第2および第3のリード端子14,15、その他方端部とソースおよびゲート電極21、22との双方を合金化させることにより、それぞれ固着・接続する。
【0024】
本実施の形態では、第1および第2のクリップ30、31を載置した後は、移動させることなく、その載置工程において、第1および第2のクリップ30、31を、第1および第2のリード端子14、15とソースおよびゲート電極21、22とに固着・接続しているので、クリップの位置ズレは発生する恐れがない。
【0025】
なお、レーザ光の照射方法としては、図2に示すように、半導体レーザ(LD)を有するレーザ発生装置40、レーザ発生装置40から発生したレーザ光41を誘導する多数本からなる光ファイバー42、レーザ光41を任意の場所に照射するためにレーザ光41の進路を変更(41a或いは41b)させる反射ミラー43からなるレーザ加熱装置を用いて、レーザ光41a、41bを照射する。また、レーザ光源としては、LDの代わりにYAGレーザ、エキシマレーザ、または炭酸ガスレーザ等を用いて間欠的にレーザ光を照射してもよい。
【0026】
更に、この第1および第2のクリップ30、31を第1および第2のリード端子14、15とソースおよびゲート電極21、22とに固着・接続したリードフレーム10を移送して、周知のモールド成形金型により、モールド樹脂50でパワーMOSFETチップ20およびその周辺に覆う。
【0027】
次いで、周知の打ち抜き金型により、第1乃至第3のリード端子12、14、15の所定位置を切断する。以上のような方法により、図1(d)および図3に示すパワーMOSFET1が製造される。
【0028】
本実施の形態のパワーMOSFETの製造方法では、第1および第2のクリップ30、31を、ソース電極21の低融点半田23aと第2のリード端子14の低融点半田23c上、およびゲート電極22の低融点半田23bと第3のリード端子15の低融点半田23d上にそれぞれ載置した後、フレーム10を移動させることなく載置した場所で、レーザ光を照射させて第1および第2のクリップ30、31を固着・接続させているので、クリップの位置ズレが発生する恐れがない。
【0029】
従って、半導体装置の信頼性および組立て工程の歩留の向上が図れる。
【0030】
(第2の実施の形態)
次に、本発明の第2の実施の形態に係わるパワーMOSFETの製造方法について、図4を参照して説明する。図4はパワーMOSFETの製造工程を示す拡大工程断面図である。
【0031】
本実施の形態では、第1の実施の形態におけるクリップの固着・接続方法をランプ加熱に変更した点で異なり、それ以外の構成については同一であり、以下異なる点のみ説明する。
【0032】
ランプ加熱方法としては、図4に示すように、楕円面鏡を有するキセノンランプ60の角度を任意に変更させて、楕円面鏡により集光されたランプ光61、62を第1および第2のクリップ30,31の両端部にそれぞれ照射する。即ち、低融点半田23a、23c上に位置する第1のクリップ30、および低融点半田23b、23d上に位置する第2のクリップ31にランプ光61、62をそれぞれ照射することにより、第1のクリップ30と第2のリード端子14およびソース電極21間、第2のクリップ31と第3のリード端子15およびゲート電極22間の低融点半田23a、23b、23c、23dをそれぞれ溶融させ、第1および第2のクリップ30,31の一方端部と第2および第3のリード端子14、15、その他方端部とソースおよびゲート電極21、22との双方を合金化させることにより、それぞれ固着・接続する。なお、キセノンランプに代えて、ハロゲンランプを用いてもよい。
【0033】
本実施の形態のパワーMOSFETの製造方法では、第1および第2のクリップ30、31を、ソース電極21の低融点半田23aと第2のリード端子14の低融点半田23c上、およびゲート電極22の低融点半田23bと第3のリード端子15の低融点半田23d上にそれぞれ載置した後、フレーム10を移動させることなく載置した場所で、ランプ光を照射させて第1および第2のクリップ30、31を固着・接続させているので、クリップの位置ズレが発生する恐れがない。
【0034】
従って、半導体装置の信頼性および組立て工程の歩留の向上が図れる。
【0035】
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々、変更して実施してもよい。
【0036】
例えば、第1および第2の実施の形態においては、第1および第2のクリップ30、31と第2および第3のリード端子14、15およびソースおよびゲート電極21、22との固着・接続を、その第1および第2のクリップ30,31を載置した後、移動させることなく、その載置工程において実施しているが、第1および第2のクリップ30,31をソースおよびゲート電極21、22上、第1および第2のリード端子14,15上にそれぞれ載置した後に、上述の実施の形態よりも出力を抑制したレーザ光、またはランプ光を照射し、第1および第2のクリップ30,31が移動時に位置ズレしないように、第1および第2のクリップ30、31の両端部のうちの少なくとも一方を仮固定してもよい。或いは、第1および第2のクリップ30、31の両端部のうちの一方の端部のみ、固着・接続しただけでもよい。
【0037】
この場合は、第1および第2のクリップ30,31の少なくとも一方を仮固定、または一方の端部のみを固着したフレーム10を移送し、加熱炉による加熱固着、加熱圧着、或いは超音波併用加熱圧着等の固着装置を用いて第1および第2のクリップ30、31の仮固定部分を、最終的に、それぞれ固着・接続させる。或いは、仮固定、または固着・接続していない他方の端部のみを最終的に固着・接続する。
【0038】
また、上記実施の形態では、パワーMOSFETからなる半導体チップを搭載した半導体装置の製造方法について説明したが、IGBTからなる半導体チップを搭載した半導体装置、数種類の高耐圧デバイスを搭載したパワー半導体モジュール等の製造方法にも適用できる。
【0039】
また、第1および第2の実施形態では、板状のクリップを用いたが、リード端子および電極との接触性を向上させるために、クリップに突起を設けたり、クリップ表面をけがいたり、スリットを設けるたり、或いは多数の穴を設けたりしてもよい。
【0040】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体装置の信頼性および組立て工程の歩留の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態に係わる半導体装置の製造工程を工程順に示す平面図。
【図2】 図1(c)のA−A線に沿う拡大断面図。
【図3】 図1(d)のB−B線に沿う拡大断面図。
【図4】 本発明の第2の実施の形態に係わる半導体装置の製造工程を示す拡大断面図。
【図5】 従来の半導体装置の製造方法を説明するため平面図。
【符号の説明】
1 パワーMOSFET(半導体装置)
10、100 リードフレーム
11a、11b サイドフレーム
12、101 第1のリード端子
13,102 ベッド
14、103 第2のリード端子
15、104 第3のリード端子
20 パワーMOSFETチップ(半導体チップ)
21 ソース電極
22 ゲート電極
23a、23b、23c、23d 低融点半田(導電性固着部材)
30、120 第1のクリップ
31、121 第2のクリップ
50 モールド樹脂
41、41a、41b レーザ光
40 レーザ発生装置
42 光ファイバー
43 反射ミラー
60 キセノンランプ
61、62 ランプ光
110 半導体チップ
111、112 電極
Claims (6)
- 複数のリード端子のうちの1つのリード端子に半導体チップを固着する工程と、
前記リード端子のうちの他のリード端子に板状接続導体の一方端部を導電性固着部材を介して載置し、且つその他方端部を前記半導体チップの電極上に前記導電性固着部材を介して載置する工程と、
この載置工程において、レーザ光を前記板状接続導体の端部に照射することにより前記板状接続導体を前記リード端子および前記電極にそれぞれ固着する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 複数のリード端子のうちの1つのリード端子に半導体チップを固着する工程と、
前記リード端子のうちの他のリード端子に板状接続導体の一方端部を導電性固着部材を介して載置し、且つその他方端部を前記半導体チップの電極上に前記導電性固着部材を介して載置する工程と、
この載置工程において、ランプ光を前記板状接続導体の端部に照射することにより前記板状接続導体を前記リード端子および前記電極にそれぞれ固着する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 複数のリード端子のうちの1つのリード端子に半導体チップを固着する工程と、
前記リード端子のうちの他のリード端子に板状接続導体の一方端部を導電性固着部材を介して載置し、且つその他方端部を前記半導体チップの電極上に前記導電性固着部材を介して載置する工程と、
この載置工程において、レーザ光を前記板状接続導体の端部に照射することにより前記板状接続導体の両端部うちの少なくとも一方を仮固定する工程と、
前記仮固定後、固着装置に搬送して、前記板状接続導体と前記リード端子および前記板状接続導体と前記電極をそれぞれ固着する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 複数のリード端子のうちの1つのリード端子に半導体チップを固着する工程と、
前記リード端子のうちの他のリード端子に板状接続導体の一方端部を導電性固着部材を介して載置し、且つその他方端部を前記半導体チップの電極上に前記導電性固着部材を介して載置する工程と、
この載置工程において、ランプ光を前記板状接続導体の端部に照射することにより前記板状接続導体の両端部うちの少なくとも一方を仮固定する工程と、
前記仮固定後、固着装置に搬送して、前記板状接続導体と前記リード端子および前記板状接続導体と前記電極をそれぞれ固着する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記導電性固着部材は、半田、半田バンプ、Auバンプ、或いは金属から選ばれた1つであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記リード端子は、リードフレームにより構成されてなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003099846A JP3739091B2 (ja) | 2003-04-03 | 2003-04-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003099846A JP3739091B2 (ja) | 2003-04-03 | 2003-04-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004311539A JP2004311539A (ja) | 2004-11-04 |
JP3739091B2 true JP3739091B2 (ja) | 2006-01-25 |
Family
ID=33464142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003099846A Expired - Fee Related JP3739091B2 (ja) | 2003-04-03 | 2003-04-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3739091B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008305902A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007088263A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Toshiba Components Co Ltd | 端子・フレーム構造体 |
JP4842118B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2011-12-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5103863B2 (ja) * | 2006-10-16 | 2012-12-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4894528B2 (ja) * | 2007-01-17 | 2012-03-14 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体素子の配線接合方法 |
JP4985012B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2012-07-25 | 富士電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5090088B2 (ja) * | 2007-07-05 | 2012-12-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009105266A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2011204886A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5615757B2 (ja) * | 2011-04-06 | 2014-10-29 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置、接続子、および、半導体装置の製造方法 |
JP7510764B2 (ja) | 2020-01-30 | 2024-07-04 | ローム株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-04-03 JP JP2003099846A patent/JP3739091B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008305902A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004311539A (ja) | 2004-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6709967B2 (en) | Laser wire bonding for wire embedded dielectrics to integrated circuits | |
JP3885747B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP4102012B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
US6717100B2 (en) | Apparatus and method for laser welding of ribbons | |
US20130273697A1 (en) | Fabrication method of a mixed alloy lead frame for packaging power semiconductor devices | |
JP3739091B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US6710439B2 (en) | Three-dimensional power semiconductor module and method of manufacturing the same | |
JP4722757B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH09102571A (ja) | 電力用半導体装置の製造方法およびリードフレーム | |
KR200482370Y1 (ko) | 반도체 패키지를 위한 클립 구조체 및 이를 이용한 반도체 패키지 | |
JP7368450B2 (ja) | 半導体装置および接合方法 | |
US9136225B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
US9076782B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing same | |
JP4028101B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2954110B2 (ja) | Csp型半導体装置及びその製造方法 | |
KR101644913B1 (ko) | 초음파 용접을 이용한 반도체 패키지 및 제조 방법 | |
JP3570551B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
KR20150129269A (ko) | 반도체 패키지를 위한 클립 구조체 및 이를 이용한 반도체 패키지, 제조 방법 | |
US11316292B2 (en) | Semiconductor power module and method for producing a semiconductor power module | |
US8378468B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2002280479A (ja) | 表面実装型の半導体装置 | |
JP2009224529A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3206716B2 (ja) | 半導体装置及びリードフレーム対 | |
JPH06252326A (ja) | 多端子部品、配線基板、多端子部品の実装構造 | |
JPH04267385A (ja) | 半導体レーザモジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041005 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050415 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050606 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050815 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051005 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051028 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051031 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081111 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091111 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101111 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101111 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111111 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121111 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131111 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |