JP3724589B2 - エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、有機エレクトロルミネセンス（electroluminescent, ＥＬ）素子の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネセンス素子は、材料のいずれかの側に付着された電極を横切って適切な電圧を印加した際に光を発する材料から作製されている。そのような材料の１つの種類には、本出願人による先の米国特許第5,247,190号に記載された半導体性共役重合体があり、この特許の内容を参考のためにここに援用する。例えば、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）［ＰＰＶ］は、２つの適切な電極の間に電圧を印加することによって、正および負の電荷担体が材料を通過する際に光を発し得る。このような素子のエレクトロルミネセンス効率は、素子に注入されて電子／正孔の対合を形成する電子と正孔とのバランスに依存すると共に、このような電子／正孔の対合が結合して光を放射する効率、すなわちフォトルミネセンス効率に依存する（例えば、N. C. GreenhamとR. H. Friend、Solid State Physics、49, 1, 1995を参照のこと）。したがって、効率的な素子を得るためには、十分に高いフォトルミネセンス効率を有することが重要である。
【０００３】
共役重合体を処理するために使用される幾つかの手法がある。１つの手法は前駆体重合体を使用するものであり、この前駆体重合体は可溶性である。したがって、これは標準的な溶液ベースの処理技術によって容易に被覆することができる（例えば、スピンコーティングおよびブレードコーティング）。その後、適切な熱処理によって前駆体をその場で変換し、共役した不溶性の重合体を得る。他の手法は、後続する変換段階を必要としない、直接可溶性の共役重合体を使用するものである。特定の用途に応じて、ある手法または他の手法が関連するものとなる。前駆体重合体による手法は、直接可溶性である場合に後続する処理が重合体膜の損傷を招く場合に特に重要となり得る。この種の処理としては、例えば、更なる重合体層（例えば、輸送層または異なる色の発光層）による被覆、または頂部電極のパターニングが考えられる。また、変換された前駆体膜は、より良好な熱的安定性を有しており、これは製造の際のみならず、保存および高温での素子の動作のためにも重要である。
【０００４】
可溶性の基の除去または修飾によって前駆体重合体を最終的な形態へと変換する際には、このような変換過程の副生物を膜から除去することが一般に重要である。また、この過程においてこれらが基体と相互作用しないことも重要と考えられる。例えば、これにより有害な不純物が生じて基体から膜へと移動すれば、このようにしてエレクトロルミネセンス素子の性能（ルミネセンス効率および寿命を含む）が影響を受けることとなる。例えば、本発明者らは、インジウムスズ酸化物（indium tin oxide）のような導電性の酸化物基体上で前駆体ＰＰＶ重合体を変換する際に、フォトルミネセンスの消光を観察している。これは、変換副生物の１つ（例えば、ハロゲン化水素）とインジウムスズ酸化物との反応によりＰＰＶ中に放出されたインジウム化合物によって生起し得るものと考えられる。
【０００５】
交換の際の副生物とインジウムスズ酸化物との相互作用に由来する不純物の存在を介した消光を観察したことに加えて、本発明者らは、ある種のＰＰＶ共重合体の増強された変換による有害な効果も観察している。この種の共重合体は、単独重合体の場合と比較して、通常は限定された共役長さを有する。これは通常は励起の制限（exciton confinement）を招き、したがって、フォトルミネセンス効率およびエレクトロルミネセンス効率は高いものとなる。この場合、インジウムスズ酸化物上で変換される際にある種のＰＰＶ共重合体中に存在するインジウム化合物が、変換過程の後も存在するよう設計された基の除去を触媒する可能性があると考えられる。
【０００６】
【発明の解決しようとする課題】
この発明は、このような問題点を克服する素子構造、およびエレクトロルミネセンス素子の製造方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明の１つの観点によれば、エレクトロルミネセンス素子の製造方法であって、
正の電荷担体注入材料からなる陽極を形成し、
ポリピロールおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリスチレン、ポリ（ビニルピリジン）、誘電体材料、炭素、非晶質シリコン、インジウムを含有しない導電性酸化物（酸化スズ、酸化亜鉛、酸化バナジウム、酸化モリブデン、および酸化ニッケルを含む）、および昇華させた有機半導体よりなる群から選択される保護材料により、陽極上に陽極保護層を形成し、
半導体共役重合体である重合体へと前駆体を変換することによって発光層を形成し、
負の電荷担体注入材料からなる陰極を形成する
工程からなることを特徴とするエレクトロルミネセンス素子の製造方法が提供される。
【０００８】
陽極保護層は、発光層が、前駆体から共役重合体への変換の際に酸性の副生物（例えば、ハロゲン化水素）を放出する重合体である場合に、特に有益であることを突き止めた。
【０００９】
本発明の他の観点によれば、エレクトロルミネセンス素子であって、
正の電荷担体注入材料により形成される陽極と、
ポリピロールおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリスチレン、ポリ（ビニルピリジン）、誘電体材料、炭素、非晶質シリコン、インジウムを含有しない導電性酸化物（酸化スズ、酸化亜鉛、酸化バナジウム、酸化モリブデン、および酸化ニッケルを含む）、および昇華させた有機半導体よりなる群から選択される保護材料により陽極上に形成される陽極保護層と、
半導体共役重合体により形成される発光層と、
負の電荷担体注入材料により形成される陰極と
からなることを特徴とするエレクトロルミネセンス素子が提供される。
【００１０】
この発明は、陽極をインジウムスズ酸化物（indium tin oxide、ITO）より形成した場合に特に有用である。しかしながら、酸化スズのような他の材料も適切である。
【００１１】
１つの態様では、ガラスまたはプラスチックの上に付着させた透明導電性材料の層により素子の陽極を形成する。適切な陽極の例には、酸化スズおよびインジウムスズ酸化物が含まれる。典型的な層の厚さは５００〜２０００Åであり、シート抵抗は１０〜１００オーム／平方（square）であり、好ましくは＜３０オーム／平方である。変換された前駆体重合体は、例えば、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）［ＰＰＶ］またはＰＰＶの単独重合体もしくは共重合体誘導体とすることができる。この層の厚さは、１００〜３０００Å、好ましくは５００〜２０００Å、さらに好ましくは１０００〜２０００Åの範囲とすることができる。変換前の前駆体層の厚さは、スピンコート層については１００〜６０００Åの範囲、ブレードコーティングについては２００μｍまでとすることができる。陽極保護層は、前駆体重合体の変換副生物に対するバリアとして作用するよう選択するが、同時に、陽極から発光層への正孔の注入に対するバリアとして作用するものとすべきではなく、この場合、正孔は、陰極から注入された電子と結合して光を放射するものである。導電性の重合体は、下層にある電極の処理、保護、および適切な正孔輸送および注入特性を容易に組み合わせることのできる一般的な種類の材料であり、したがって、これらは良好な候補物質である。１０〜２０００Åの間、好ましくは１０〜５００Åの間の薄層を使用することができ、したがって、層の透明度は高くすることができる。このような層の典型的なシート抵抗は１００〜１０００Ｏｈｍ／平方であるが、１０10Ω／平方を越える程高いものとすることができる。例としては、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、およびこれらの誘導体を含むドープされた共役重合体が含まれる。変換された前駆体材料の他方の側に陰極が載置されて素子構造が完成する。さらに、前記列挙したようなドープされていない共役重合体を使用することもでき、この場合は、素子の製造の際の変換副生物との相互作用によってドーピングがその場で生起する。
【００１２】
さらにこの発明によれば、発光半導体共役重合体への前駆体の変換の効果から有機発光素子の電極を保護するための、有機発光素子の製造における電極保護層の使用方法であって、有機発光素子は第１および第２の電極からなり、発光重合体がこれらの間に配置されることを特徴とする電極保護層の使用方法が提供される。
【００１３】
よって、他の態様では、電極保護層および前駆体重合体は陰極上に付着される。典型的には、アルミニウムもしくは低い仕事関数（work function）の元素を有するアルミニウムの合金、またはいずれかの低い仕事関数の元素もしくは合金のような材料である。この場合、保護層は電子を輸送する必要があるが、透明である必要は必ずしもない。ここでも、導電性の重合体は、陰極保護層として適切な候補物質である。変換された前駆体材料の他方の側に陽極を載置して素子構造が完成する。
【００１４】
さらに他の態様では、前記したような陽極または陰極に対する保護層を設けるが、この場合は、保護層はドープしていない共役重合体とする。ただし、これは陽極または陰極をそれぞれ保護するか否かに応じて正孔または電子について十分な注入特性および輸送移動性を有するものとする。このような保護層の例には、可溶性のＰＰＶ誘導体があるが、代替的に前駆体ＰＰＶまたはＰＰＶ誘導体材料とすることができる。後者の場合、保護層がエレクトロルミネセンス層より遥かに薄い場合は、変換過程の副生物はより容易に除去され、したがって、変換の際の電極との如何なる相互作用も低減される。
【００１５】
さらに他の態様では、前記したような陽極または陰極に対する保護層を設けるが、この場合は、保護層は、蒸着、スパッタリング、または反応性スパッタリングによる薄膜とし、これは陽極または陰極をそれぞれ保護するか否かに応じて正孔または電子について十分な注入特性および輸送移動性を有するものとする。このような保護層の例には、スパッタリングまたは蒸着による炭素の薄層、非晶質シリコンまたはインジウムを含有しない導電性酸化物（酸化スズ、酸化亜鉛、酸化バナジウム、酸化モリブデン、および酸化ニッケルを含む）のスパッタリングによる層、または昇華した（sublimed）有機半導体層がある。
【００１６】
さらに他の態様では、前記したような陽極または陰極に対する保護層を設けるが、この場合は、保護層はドープしていない非共役重合体とする。ただし、これは陽極または陰極をそれぞれ保護するか否かに応じて正孔または電子について十分な注入特性および輸送移動性を有するものとする。この例には、ポリビニルカルバゾールがあり、これは良好な正孔輸送材料であるが、共役重合体ではない。
【００１７】
代替的に、相対的に貧弱な正孔および電子移動性を有する重合体材料の極めて薄い層が、電子電荷担体および正孔電荷担体のバランスと妥協することなく、良好な電極保護体として機能することができる。例としては、ポリスチレンおよびポリ（ビニルピリジン）がある。
【００１８】
さらに他の態様では、前記したような陽極または陰極に対する保護層を設けるが、この場合は、保護層は極めて薄い無機誘電体とする。これは、前駆体変換副生物に対するバリアを与えるものであるが、陽極に接して保護する際に正孔が通り抜ける（tunnel）ことができるように、または陰極に接して保護する際に電子が通り抜けることができるように十分に薄いものとする。
【００１９】
さらに本発明によれば、正の電荷注入材料からなる陽極を形成し、
陽極上に犠牲的な陽極保護層（sacrificial anode protection layer）を形成し、
犠牲層の上に半導体共役重合体への前駆体を付着させ、
前記前駆体を半導体共役重合体へと変換して発光層を形成し、この変換工程の際に、陽極保護層が変換の効果から陽極を保護すると共に、それ自体は消費されるものとし、
負の電荷注入材料からなる陰極を形成する
工程からなることを特徴とするエレクトロルミネセンス素子の製造方法が提供される。
【００２０】
よって、他の態様では、前記したような陽極または陰極に対する保護層を設けるが、この場合は、保護層は犠牲層とする。変換過程の際に、変換副生物によって犠牲層はエッチング除去される。この相互作用に続く生成物は、変換された前駆体共役重合体のフォトルミネセンス効率またはエレクトロルミネセンス効率に対して干渉しないよう選択するものとする。この種の保護層の例には、非化学量論的酸化物膜、例えばシリコンおよびアルミニウム酸化物が含まれ、層の厚さは、変換過程の際の相互作用の程度によって決定される。
【００２１】
さらに本発明によれば、電極と、
変換された有機前駆体から形成された有機発光層と、
有機前駆体の変換の際に電極を保護するように電極と発光層との間に形成された電極保護層と
からなることを特徴とする有機発光素子が提供される。
【００２２】
さらに本発明によれば、電極を付着させ、
電極上に電極保護層を付着させ、
発光材料のための有機前駆体の層を付着させ、
有機前駆体を発光材料へと変換する工程からなり、
有機前駆体の変換の際に、電極保護層により電極を保護することを特徴とする有機発光素子の製造方法が提供される。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明のよりよい理解を図ると共にこれを如何にして有効に実施し得るかを示すために、添付した図面を参照して好適な実施の形態を説明する。
【００２４】
図１Ａは、エレクトロルミネセンス素子の構造を示す。透明なガラスまたはプラスチック材料により形成された基体２は、素子の陽極４を構成する材料により被覆されている。陽極保護層６は、陽極４と発光層８との間に配置されている。
【００２５】
陰極ストリップ１０が設けられ、陽極４と共に素子の発光領域を画成している。
【００２６】
この素子の光を発するための動作（陽極保護層は設けられていない場合）は、本出願人による先行する、参考として掲げる米国特許第５，２４７，１９０号において論じられており、本発明によって影響が及ぶ範囲を除いては、ここではさらに説明しないこととする。
【００２７】
実施例Ｉ
第１の実施例をここに説明する。陽極４を構成するインジウムスズ酸化物を、ｄｃまたはｒｆスパッタリング技術を使用して、研磨したガラス基体２上に付着させる。この種の基体は市販されている。３０Ｏｈｍ／平方の抵抗率および約８５％の透明度であり、１５００Åのオーダーの厚さを有する、薄いシリカバリアおよびインジウムスズ酸化物層を備えたソーダ石灰ガラスを使用することができる。ポリチオフェンを基材とする導電性の重合体系を、陽極保護層６として使用する。ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート（１：１．２の分子比のＰＥＤＴ／ＰＳＳ）は、試供品（Trial Product）ＡＩ ４０７１として、Bayer AG, Leverkusen、ドイツ国から入手可能である。導電性重合体の１００Åの膜を基体上にスピンコートする。ＥＬ層８は、単独重合体ＰＰＶのような前駆体重合体をスピンコートすることによって形成する。この前駆体重合体を用いた場合、１５０℃の窒素中で４時間の変換の際に除去される可溶性の基は、テトラヒドロチオフェンであり、チオフェン塩に対するイオンは臭化物である。したがって、他の副生物は臭化水素であり、これは容易にＩＴＯを攻撃し、フォトルミネセンスを消光させる有害な生成物の膜への放出を生起し得る。ＰＰＶを基材とする前駆体の変換副生物を図２に示すが、この場合、ａ＝０、ａ’＝０である。
【００２８】
陽極保護層がない場合は、ＰＰＶ材料のＰＬ効率の最初の測定値は、熱変換過程の後に、約１３％から最良の場合でも約０．７％へと低下した。更なる測定により、ＰＬ効率は、１０％の範囲から約２〜３％へと低下し得ることが証明された。陽極保護層を用いた最初の測定では、〜３％のＰＬ効率が示された。後の検討により、これは〜５％に増加させ得ることが示された。変換の後に、適切な陰極材料、例えばカルシウムを、共役重合体８の頂部に付着させ、パターン化してストリップ１０を形成する。その後、エポキシ／ガラスによる接触および封入を、グローブボックス中で直ちに行った。保護層を有する素子は、典型的には、保護層６を有さない素子と比較して、有意に改良されたエレクトロルミネセンス効率を有する。
【００２９】
実施例ＩＩ
他の特定の実施例をここに記載する。ＥＬ層の形成までは、最初の工程は実施例Ｉの場合と同様である。この実施例では、アセテートを基材とするＰＰＶ共重合体への前駆体を付着させる。この材料は、極めて高いフォトルミネセンス（ＰＬ）効率を有し、この場合、変換の際に除去される可溶化する基はテストヒドロチオフェンであり、チオフェン塩に対する対イオンは臭化物である。したがって、他の副生物は臭化水素であり、これは容易にＩＴＯを攻撃し、フォトルミネセンスを消光させる有害な生成物の膜への放出を生起し得るものであり、増強された変換を引き起こすものである。陽極保護層６がない場合は、ＰＰＶ材料のＰＬ効率は、熱変換過程（前記したように、窒素中１５０℃で４時間）の後に、約５０〜６０％から最良の場合でも約７％へと劇的に低下した。しかしながら、保護層がある場合は、変換の後に、〜２２％のＰＬ効率が得られる。図２は、変換系を示すが、この場合、ａ≠０、ａ’≠０である。変換の後に、適切な陰極材料、例えばカルシウムを、共役重合体の頂部に付着させる。
【００３０】
表１は、該表１の最後の欄に実施例Ｉおよび実施例ＩＩについてのフォトルミネセント効率を示す。表１の第１および第２の欄は、陽極保護層を使用することなく、それぞれ石英およびインジウムスズ酸化物上に前駆体層をスピンコートした場合のフォトルミネセンス効率についての値を示す。表２は、より良好な統計的な基礎による場合として、より正確な測定値と考えられるものに由来する同等の数字を示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】
この場合に言及した共重合体は、最初はアセテート官能性の〜２０モル％を含有すると測定された。より正確であると考えられるその後の測定により、アセテート官能性の〜４０モル％の含有量が示された。共重合体アセテートレベルの改変により、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ保護層を用いてＩＴＯ上で変換した場合、約３０％のフォトルミネセンス効率に至った。
【００３４】
図３〜図５は、ＰＰＶ共重合体の保護が、ＩＴＯ保護層を用いた場合の増強された変換の最小化をもたらすことを示す。図３Ａは、異なる層の厚さを有する構造により測定したものを示す。図３Ｂは、共通の層の厚さを使用する場合の状況を示す。図３Ｂは、ＵＶ−可視スペクトルが、使用する基体に拘わらず、単独重合体の場合は殆ど変化を示さないことを示す。しかしながら、図４は、ＩＴＯ上で変換した場合は、アセテートを基材とする共重合体について増強された赤色シフトがあることを示す。加えて、ＩＲスペクトルにおいて１７３７cm-1の吸収ピークがあり、これはアセテートカルボニルの吸収に帰属される。この相対強度は、スペクトル中の他のピーク、例えば、重合体の芳香族成分に由来する１５１７cm-1の吸収と対比することができる。したがって、２つのピークの強度の比は、アセテート官能性の相対的な量の尺度を与えるものである。表３は、この比（アセテート：芳香族）は、インジウム層を用いてシリコン上で変換を行った場合に、有意に低減されることを示す。このような結果は、インジウム層を備えたシリコン基体からのインジウム化合物による、アセテートを基材とする共重合体の増強された変換としてのものであり、この過程は、保護層の存在によって低減されるものと解釈される。相対的なフォトルミネセンス効率を、表１および表２に詳細に示す。保護層を含む系の素子性能は、１００ｃｄ／ｍ2の初発輝度、０．２〜０．６１ｍ／Ｗ、および２１ｍ／Ｗまでの効率として纏めることができ、１０〜１００時間、および２０００時間までの輝度の半減期（一定電流または一定電圧駆動）を有する。
【００３５】
【表３】
【００３６】
実施例ＩＩＩ
他の特定の実施例をここに記載する。この実施例では、陽極保護層として使用されるポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート材料を最適化して、ＰＳＳ含有量を増加させることによって有益な寿命性能を与えるものとする以外は、製造工程は実施例ＩＩの場合と同様である。よって、ここでは材料は、１：５のＰＥＤＴ／ＰＳＳの分子比を有する。このような系の素子性能は、１００ｃｄ／ｍ2の初発輝度、０．３〜１．２１ｍ／Ｗ、および２１ｍ／Ｗまでの効率として纏めることができ、〜５００時間、および２０００時間までの半減期を有する。
【００３７】
実施例ＩＶ
実施例ＩＩＩの場合、ＰＰＶ前駆体溶液を用いたＰＥＤＴ／ＰＳＳ保護（１：５の分子比）について有害な相互作用が観察された。これは、ＰＰＶ前駆体溶液中でのＰＥＤＴ／ＰＳＳ層の溶解によるものと考えられ、またこれは、最終的な素子における不均一な発光に至り得る。例えば、素子の製造の際にＰＥＤＴ／ＰＳＳ膜の頂部にＰＰＶをスピンコートした場合、変換後にＰＥＤＴ／ＰＳＳ−ＰＰＶ界面において円形状の不均一性が観察される。この問題は、ＰＰＶ溶液を施す前に、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ層の頂部に薄いポリ（ビニルピリジン）（ＰＶＰ）膜（図１Ｂ中、参照符号７）をスピンコートすることによって克服された。十分に理解されるように、市販のＰＶＰは、これを可溶性とするために、典型的には１０％のポリスチレンの成分を含んでいる。よって、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ系の１００Åの膜を前記したように付着させ、この後に、メタノール中の０．１％ｗ／ｖ溶液から薄いＰＶＰ膜をスピンコートする。素子の残りの部分を通常の様式で製造し、前記概説したような特性を得る（すなわち、１００ｃｄ／ｍ2の初発輝度、０．３〜１．２１ｍ／Ｗの効率であり、〜５００時間の半減期を有する）。しかしながら、発光の均一性は大きく改善されている。ＰＶＰは、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ系とＰＰＶとの間のバリアとして作用することから、この手法を使用してこのＩＴＯ保護層のパターン化を行うこともできる。
【００３８】
実施例Ｖ
更なる特定の実施例をここに記載するが、これはこの種の素子の製造に関するものである。１枚のＩＴＯ被覆ガラスを用意し、これを浄化する。ＩＴＯ被覆ガラス寸法は、１２×１２ｍｍ〜大きくても８０×８０ｍｍとすることができる。その後、ＰＥＤＴ／ＰＳＳのＩＴＯ保護層を基体上にスピンコートして〜１００Åの厚さとする。この後に、０．４〜０．５％の固体含有量の前駆体溶液濃度で、湿潤膜厚さ１００μｍとして、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ層の上にＰＰＶ前駆体溶液をブレードコートする。この場合、素子の均一性は、ＰＰＶ前駆体をスピンコートした場合に得られるものより優れている。代替的に、二重層ＰＰＶ素子を次のようにブレードコートすることができる。すなわち、各層を〜５００〜７００Åの厚さとし、第２の層の付着の前に短い変換（１５０℃で〜２０分）を行う（図１Ｃ中、参照符号９）。変換後、得られる最終変換ＰＰＶ膜は、〜１０００〜１４００Åの厚さとする。この場合、素子の効率および全体的な均一性について有益な効果が観察される。その後、適切な陰極を付着させ、素子を連結接続する。
【００３９】
実施例ＶＩ
他の実施例では、前記した様式でインジウムスズ酸化物によりガラス基体を被覆する。その後、０．１％の濃度にＰＶＰをメタノールに溶解し、１ミクロンのボアサイズで予備ろ過し、インジウムスズ酸化物上に被覆して約１００Åの厚さとする。その後、実施例Ｉを参照して前記論じたＰＰＶ前駆体を頂部にスピンコートし、窒素中１５０℃で４時間変換し、約１０００Åの厚さのＰＰＶの層とする。その後、素子を４８時間デシケータ内に保存した後、アルミニウム／リチウム合金から形成した陰極を頂部にスパッタリングする。
【００４０】
実施例ＶＩＩ
ＴＨＦに溶解して０．１％の濃度としたポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）により陽極保護層を形成した以外は、実施例ＶＩと同様にしてこの実施例のものを形成した。
【００４１】
実施例ＶＩＩＩ
ＴＨＦに溶解して０．１％の濃度としたポリスチレンにより陽極保護層を形成した以外は、実施例ＶＩおよび実施例ＶＩＩと同様にしてこの実施例のものを形成した。
【００４２】
実施例ＩＸ
メタノールに溶解して０．１％の濃度としたポリ（ビニルピリジン）により陽極保護層を形成した以外は、実施例ＶＩ、実施例ＶＩＩおよび実施例ＶＩＩＩと同様にしてこの実施例のものを形成した。
【００４３】
実施例Ｘ
他の実施例では、実施例ＩＩに従って素子を製造するが、カルシウムの代わりにリチウム／アルミニウム合金により陰極を形成する。例えば、１０重量％までのＬｉを含有するリチウム／アルミニウム合金を、共役重合体の頂部にスパッタリングし、１０Å〜１μｍ、好ましくは〜１２００Åの厚さとする。Ｌｉ／Ａｌ合金ターゲットは市販されており、典型的には〜２．５重量％のＬｉを含有し得る。他の安定化元素、例えばＺｒ、Ｍｇ、Ｃｕが存在してもよい。保護層およびリチウムを基材とする陰極を用いて作製した素子は、保護層を用いることなく、例えば、カルシウム電極を使用した素子と比較して、有意に改良されたエレクトロルミネセンス効率を有する。
【００４４】
このように、本発明の種々の実施例について説明したが、それぞれが多層エレクトロルミネセンス素子を提供するものであって、これは、発光層としての変換された前駆体重合体と、前駆体変換過程の際に電極を保護するよう作用する、変換された前駆体重合体とその下の電極との間に載置された電極保護層とを組み込んだものである。少なくとも１つの他の層が存在するが、そのうちの１つは第２の電極である。
【００４５】
前記した実施例は、エレクトロルミネセンス素子の製造方法を示すものであり、この場合、共役重合体材料への前駆体を基体上に付着させる。この基体の上には、電極層と後続する電極保護層との両者を予め付着させておく。その後、後続する１または複数の層を付着させる前に前駆体を最終的な共役重合体の形態へと変換するが、そのうちの少なくとも１つを第２の電極とする。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１Ａ〜図１Ｃは、陽極保護層を組み込んだエレクトロルミネセンス素子の説明図である。
【図２】ＰＰＶへの前駆体の２つの変換経路を示す図である。
【図３】図３Ａおよび図３Ｂは、それぞれ石英、インジウムスズ酸化物、および陽極保護層上で変換されたＰＰＶ単独重合体のＵＶ−可視スペクトルを示すグラフである。
【図４】石英、インジウムスズ酸化物、および陽極保護層上で変換されたＰＰＶ共重合体のＵＶ−可視スペクトルを示すグラフである。
【図５】シリコン、インジウム層を備えるシリコン、およびインジウム層と保護層とを備えるシリコン上で変換されたアセテートを基材とする共重合体のＩＲスペクトルを示す線図である。
【発明の属する技術分野】
この発明は、有機エレクトロルミネセンス（electroluminescent, ＥＬ）素子の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネセンス素子は、材料のいずれかの側に付着された電極を横切って適切な電圧を印加した際に光を発する材料から作製されている。そのような材料の１つの種類には、本出願人による先の米国特許第5,247,190号に記載された半導体性共役重合体があり、この特許の内容を参考のためにここに援用する。例えば、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）［ＰＰＶ］は、２つの適切な電極の間に電圧を印加することによって、正および負の電荷担体が材料を通過する際に光を発し得る。このような素子のエレクトロルミネセンス効率は、素子に注入されて電子／正孔の対合を形成する電子と正孔とのバランスに依存すると共に、このような電子／正孔の対合が結合して光を放射する効率、すなわちフォトルミネセンス効率に依存する（例えば、N. C. GreenhamとR. H. Friend、Solid State Physics、49, 1, 1995を参照のこと）。したがって、効率的な素子を得るためには、十分に高いフォトルミネセンス効率を有することが重要である。
【０００３】
共役重合体を処理するために使用される幾つかの手法がある。１つの手法は前駆体重合体を使用するものであり、この前駆体重合体は可溶性である。したがって、これは標準的な溶液ベースの処理技術によって容易に被覆することができる（例えば、スピンコーティングおよびブレードコーティング）。その後、適切な熱処理によって前駆体をその場で変換し、共役した不溶性の重合体を得る。他の手法は、後続する変換段階を必要としない、直接可溶性の共役重合体を使用するものである。特定の用途に応じて、ある手法または他の手法が関連するものとなる。前駆体重合体による手法は、直接可溶性である場合に後続する処理が重合体膜の損傷を招く場合に特に重要となり得る。この種の処理としては、例えば、更なる重合体層（例えば、輸送層または異なる色の発光層）による被覆、または頂部電極のパターニングが考えられる。また、変換された前駆体膜は、より良好な熱的安定性を有しており、これは製造の際のみならず、保存および高温での素子の動作のためにも重要である。
【０００４】
可溶性の基の除去または修飾によって前駆体重合体を最終的な形態へと変換する際には、このような変換過程の副生物を膜から除去することが一般に重要である。また、この過程においてこれらが基体と相互作用しないことも重要と考えられる。例えば、これにより有害な不純物が生じて基体から膜へと移動すれば、このようにしてエレクトロルミネセンス素子の性能（ルミネセンス効率および寿命を含む）が影響を受けることとなる。例えば、本発明者らは、インジウムスズ酸化物（indium tin oxide）のような導電性の酸化物基体上で前駆体ＰＰＶ重合体を変換する際に、フォトルミネセンスの消光を観察している。これは、変換副生物の１つ（例えば、ハロゲン化水素）とインジウムスズ酸化物との反応によりＰＰＶ中に放出されたインジウム化合物によって生起し得るものと考えられる。
【０００５】
交換の際の副生物とインジウムスズ酸化物との相互作用に由来する不純物の存在を介した消光を観察したことに加えて、本発明者らは、ある種のＰＰＶ共重合体の増強された変換による有害な効果も観察している。この種の共重合体は、単独重合体の場合と比較して、通常は限定された共役長さを有する。これは通常は励起の制限（exciton confinement）を招き、したがって、フォトルミネセンス効率およびエレクトロルミネセンス効率は高いものとなる。この場合、インジウムスズ酸化物上で変換される際にある種のＰＰＶ共重合体中に存在するインジウム化合物が、変換過程の後も存在するよう設計された基の除去を触媒する可能性があると考えられる。
【０００６】
【発明の解決しようとする課題】
この発明は、このような問題点を克服する素子構造、およびエレクトロルミネセンス素子の製造方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明の１つの観点によれば、エレクトロルミネセンス素子の製造方法であって、
正の電荷担体注入材料からなる陽極を形成し、
ポリピロールおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリスチレン、ポリ（ビニルピリジン）、誘電体材料、炭素、非晶質シリコン、インジウムを含有しない導電性酸化物（酸化スズ、酸化亜鉛、酸化バナジウム、酸化モリブデン、および酸化ニッケルを含む）、および昇華させた有機半導体よりなる群から選択される保護材料により、陽極上に陽極保護層を形成し、
半導体共役重合体である重合体へと前駆体を変換することによって発光層を形成し、
負の電荷担体注入材料からなる陰極を形成する
工程からなることを特徴とするエレクトロルミネセンス素子の製造方法が提供される。
【０００８】
陽極保護層は、発光層が、前駆体から共役重合体への変換の際に酸性の副生物（例えば、ハロゲン化水素）を放出する重合体である場合に、特に有益であることを突き止めた。
【０００９】
本発明の他の観点によれば、エレクトロルミネセンス素子であって、
正の電荷担体注入材料により形成される陽極と、
ポリピロールおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリスチレン、ポリ（ビニルピリジン）、誘電体材料、炭素、非晶質シリコン、インジウムを含有しない導電性酸化物（酸化スズ、酸化亜鉛、酸化バナジウム、酸化モリブデン、および酸化ニッケルを含む）、および昇華させた有機半導体よりなる群から選択される保護材料により陽極上に形成される陽極保護層と、
半導体共役重合体により形成される発光層と、
負の電荷担体注入材料により形成される陰極と
からなることを特徴とするエレクトロルミネセンス素子が提供される。
【００１０】
この発明は、陽極をインジウムスズ酸化物（indium tin oxide、ITO）より形成した場合に特に有用である。しかしながら、酸化スズのような他の材料も適切である。
【００１１】
１つの態様では、ガラスまたはプラスチックの上に付着させた透明導電性材料の層により素子の陽極を形成する。適切な陽極の例には、酸化スズおよびインジウムスズ酸化物が含まれる。典型的な層の厚さは５００〜２０００Åであり、シート抵抗は１０〜１００オーム／平方（square）であり、好ましくは＜３０オーム／平方である。変換された前駆体重合体は、例えば、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）［ＰＰＶ］またはＰＰＶの単独重合体もしくは共重合体誘導体とすることができる。この層の厚さは、１００〜３０００Å、好ましくは５００〜２０００Å、さらに好ましくは１０００〜２０００Åの範囲とすることができる。変換前の前駆体層の厚さは、スピンコート層については１００〜６０００Åの範囲、ブレードコーティングについては２００μｍまでとすることができる。陽極保護層は、前駆体重合体の変換副生物に対するバリアとして作用するよう選択するが、同時に、陽極から発光層への正孔の注入に対するバリアとして作用するものとすべきではなく、この場合、正孔は、陰極から注入された電子と結合して光を放射するものである。導電性の重合体は、下層にある電極の処理、保護、および適切な正孔輸送および注入特性を容易に組み合わせることのできる一般的な種類の材料であり、したがって、これらは良好な候補物質である。１０〜２０００Åの間、好ましくは１０〜５００Åの間の薄層を使用することができ、したがって、層の透明度は高くすることができる。このような層の典型的なシート抵抗は１００〜１０００Ｏｈｍ／平方であるが、１０10Ω／平方を越える程高いものとすることができる。例としては、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、およびこれらの誘導体を含むドープされた共役重合体が含まれる。変換された前駆体材料の他方の側に陰極が載置されて素子構造が完成する。さらに、前記列挙したようなドープされていない共役重合体を使用することもでき、この場合は、素子の製造の際の変換副生物との相互作用によってドーピングがその場で生起する。
【００１２】
さらにこの発明によれば、発光半導体共役重合体への前駆体の変換の効果から有機発光素子の電極を保護するための、有機発光素子の製造における電極保護層の使用方法であって、有機発光素子は第１および第２の電極からなり、発光重合体がこれらの間に配置されることを特徴とする電極保護層の使用方法が提供される。
【００１３】
よって、他の態様では、電極保護層および前駆体重合体は陰極上に付着される。典型的には、アルミニウムもしくは低い仕事関数（work function）の元素を有するアルミニウムの合金、またはいずれかの低い仕事関数の元素もしくは合金のような材料である。この場合、保護層は電子を輸送する必要があるが、透明である必要は必ずしもない。ここでも、導電性の重合体は、陰極保護層として適切な候補物質である。変換された前駆体材料の他方の側に陽極を載置して素子構造が完成する。
【００１４】
さらに他の態様では、前記したような陽極または陰極に対する保護層を設けるが、この場合は、保護層はドープしていない共役重合体とする。ただし、これは陽極または陰極をそれぞれ保護するか否かに応じて正孔または電子について十分な注入特性および輸送移動性を有するものとする。このような保護層の例には、可溶性のＰＰＶ誘導体があるが、代替的に前駆体ＰＰＶまたはＰＰＶ誘導体材料とすることができる。後者の場合、保護層がエレクトロルミネセンス層より遥かに薄い場合は、変換過程の副生物はより容易に除去され、したがって、変換の際の電極との如何なる相互作用も低減される。
【００１５】
さらに他の態様では、前記したような陽極または陰極に対する保護層を設けるが、この場合は、保護層は、蒸着、スパッタリング、または反応性スパッタリングによる薄膜とし、これは陽極または陰極をそれぞれ保護するか否かに応じて正孔または電子について十分な注入特性および輸送移動性を有するものとする。このような保護層の例には、スパッタリングまたは蒸着による炭素の薄層、非晶質シリコンまたはインジウムを含有しない導電性酸化物（酸化スズ、酸化亜鉛、酸化バナジウム、酸化モリブデン、および酸化ニッケルを含む）のスパッタリングによる層、または昇華した（sublimed）有機半導体層がある。
【００１６】
さらに他の態様では、前記したような陽極または陰極に対する保護層を設けるが、この場合は、保護層はドープしていない非共役重合体とする。ただし、これは陽極または陰極をそれぞれ保護するか否かに応じて正孔または電子について十分な注入特性および輸送移動性を有するものとする。この例には、ポリビニルカルバゾールがあり、これは良好な正孔輸送材料であるが、共役重合体ではない。
【００１７】
代替的に、相対的に貧弱な正孔および電子移動性を有する重合体材料の極めて薄い層が、電子電荷担体および正孔電荷担体のバランスと妥協することなく、良好な電極保護体として機能することができる。例としては、ポリスチレンおよびポリ（ビニルピリジン）がある。
【００１８】
さらに他の態様では、前記したような陽極または陰極に対する保護層を設けるが、この場合は、保護層は極めて薄い無機誘電体とする。これは、前駆体変換副生物に対するバリアを与えるものであるが、陽極に接して保護する際に正孔が通り抜ける（tunnel）ことができるように、または陰極に接して保護する際に電子が通り抜けることができるように十分に薄いものとする。
【００１９】
さらに本発明によれば、正の電荷注入材料からなる陽極を形成し、
陽極上に犠牲的な陽極保護層（sacrificial anode protection layer）を形成し、
犠牲層の上に半導体共役重合体への前駆体を付着させ、
前記前駆体を半導体共役重合体へと変換して発光層を形成し、この変換工程の際に、陽極保護層が変換の効果から陽極を保護すると共に、それ自体は消費されるものとし、
負の電荷注入材料からなる陰極を形成する
工程からなることを特徴とするエレクトロルミネセンス素子の製造方法が提供される。
【００２０】
よって、他の態様では、前記したような陽極または陰極に対する保護層を設けるが、この場合は、保護層は犠牲層とする。変換過程の際に、変換副生物によって犠牲層はエッチング除去される。この相互作用に続く生成物は、変換された前駆体共役重合体のフォトルミネセンス効率またはエレクトロルミネセンス効率に対して干渉しないよう選択するものとする。この種の保護層の例には、非化学量論的酸化物膜、例えばシリコンおよびアルミニウム酸化物が含まれ、層の厚さは、変換過程の際の相互作用の程度によって決定される。
【００２１】
さらに本発明によれば、電極と、
変換された有機前駆体から形成された有機発光層と、
有機前駆体の変換の際に電極を保護するように電極と発光層との間に形成された電極保護層と
からなることを特徴とする有機発光素子が提供される。
【００２２】
さらに本発明によれば、電極を付着させ、
電極上に電極保護層を付着させ、
発光材料のための有機前駆体の層を付着させ、
有機前駆体を発光材料へと変換する工程からなり、
有機前駆体の変換の際に、電極保護層により電極を保護することを特徴とする有機発光素子の製造方法が提供される。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明のよりよい理解を図ると共にこれを如何にして有効に実施し得るかを示すために、添付した図面を参照して好適な実施の形態を説明する。
【００２４】
図１Ａは、エレクトロルミネセンス素子の構造を示す。透明なガラスまたはプラスチック材料により形成された基体２は、素子の陽極４を構成する材料により被覆されている。陽極保護層６は、陽極４と発光層８との間に配置されている。
【００２５】
陰極ストリップ１０が設けられ、陽極４と共に素子の発光領域を画成している。
【００２６】
この素子の光を発するための動作（陽極保護層は設けられていない場合）は、本出願人による先行する、参考として掲げる米国特許第５，２４７，１９０号において論じられており、本発明によって影響が及ぶ範囲を除いては、ここではさらに説明しないこととする。
【００２７】
実施例Ｉ
第１の実施例をここに説明する。陽極４を構成するインジウムスズ酸化物を、ｄｃまたはｒｆスパッタリング技術を使用して、研磨したガラス基体２上に付着させる。この種の基体は市販されている。３０Ｏｈｍ／平方の抵抗率および約８５％の透明度であり、１５００Åのオーダーの厚さを有する、薄いシリカバリアおよびインジウムスズ酸化物層を備えたソーダ石灰ガラスを使用することができる。ポリチオフェンを基材とする導電性の重合体系を、陽極保護層６として使用する。ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート（１：１．２の分子比のＰＥＤＴ／ＰＳＳ）は、試供品（Trial Product）ＡＩ ４０７１として、Bayer AG, Leverkusen、ドイツ国から入手可能である。導電性重合体の１００Åの膜を基体上にスピンコートする。ＥＬ層８は、単独重合体ＰＰＶのような前駆体重合体をスピンコートすることによって形成する。この前駆体重合体を用いた場合、１５０℃の窒素中で４時間の変換の際に除去される可溶性の基は、テトラヒドロチオフェンであり、チオフェン塩に対するイオンは臭化物である。したがって、他の副生物は臭化水素であり、これは容易にＩＴＯを攻撃し、フォトルミネセンスを消光させる有害な生成物の膜への放出を生起し得る。ＰＰＶを基材とする前駆体の変換副生物を図２に示すが、この場合、ａ＝０、ａ’＝０である。
【００２８】
陽極保護層がない場合は、ＰＰＶ材料のＰＬ効率の最初の測定値は、熱変換過程の後に、約１３％から最良の場合でも約０．７％へと低下した。更なる測定により、ＰＬ効率は、１０％の範囲から約２〜３％へと低下し得ることが証明された。陽極保護層を用いた最初の測定では、〜３％のＰＬ効率が示された。後の検討により、これは〜５％に増加させ得ることが示された。変換の後に、適切な陰極材料、例えばカルシウムを、共役重合体８の頂部に付着させ、パターン化してストリップ１０を形成する。その後、エポキシ／ガラスによる接触および封入を、グローブボックス中で直ちに行った。保護層を有する素子は、典型的には、保護層６を有さない素子と比較して、有意に改良されたエレクトロルミネセンス効率を有する。
【００２９】
実施例ＩＩ
他の特定の実施例をここに記載する。ＥＬ層の形成までは、最初の工程は実施例Ｉの場合と同様である。この実施例では、アセテートを基材とするＰＰＶ共重合体への前駆体を付着させる。この材料は、極めて高いフォトルミネセンス（ＰＬ）効率を有し、この場合、変換の際に除去される可溶化する基はテストヒドロチオフェンであり、チオフェン塩に対する対イオンは臭化物である。したがって、他の副生物は臭化水素であり、これは容易にＩＴＯを攻撃し、フォトルミネセンスを消光させる有害な生成物の膜への放出を生起し得るものであり、増強された変換を引き起こすものである。陽極保護層６がない場合は、ＰＰＶ材料のＰＬ効率は、熱変換過程（前記したように、窒素中１５０℃で４時間）の後に、約５０〜６０％から最良の場合でも約７％へと劇的に低下した。しかしながら、保護層がある場合は、変換の後に、〜２２％のＰＬ効率が得られる。図２は、変換系を示すが、この場合、ａ≠０、ａ’≠０である。変換の後に、適切な陰極材料、例えばカルシウムを、共役重合体の頂部に付着させる。
【００３０】
表１は、該表１の最後の欄に実施例Ｉおよび実施例ＩＩについてのフォトルミネセント効率を示す。表１の第１および第２の欄は、陽極保護層を使用することなく、それぞれ石英およびインジウムスズ酸化物上に前駆体層をスピンコートした場合のフォトルミネセンス効率についての値を示す。表２は、より良好な統計的な基礎による場合として、より正確な測定値と考えられるものに由来する同等の数字を示す。
【００３１】
【表１】
【表２】
この場合に言及した共重合体は、最初はアセテート官能性の〜２０モル％を含有すると測定された。より正確であると考えられるその後の測定により、アセテート官能性の〜４０モル％の含有量が示された。共重合体アセテートレベルの改変により、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ保護層を用いてＩＴＯ上で変換した場合、約３０％のフォトルミネセンス効率に至った。
【００３４】
図３〜図５は、ＰＰＶ共重合体の保護が、ＩＴＯ保護層を用いた場合の増強された変換の最小化をもたらすことを示す。図３Ａは、異なる層の厚さを有する構造により測定したものを示す。図３Ｂは、共通の層の厚さを使用する場合の状況を示す。図３Ｂは、ＵＶ−可視スペクトルが、使用する基体に拘わらず、単独重合体の場合は殆ど変化を示さないことを示す。しかしながら、図４は、ＩＴＯ上で変換した場合は、アセテートを基材とする共重合体について増強された赤色シフトがあることを示す。加えて、ＩＲスペクトルにおいて１７３７cm-1の吸収ピークがあり、これはアセテートカルボニルの吸収に帰属される。この相対強度は、スペクトル中の他のピーク、例えば、重合体の芳香族成分に由来する１５１７cm-1の吸収と対比することができる。したがって、２つのピークの強度の比は、アセテート官能性の相対的な量の尺度を与えるものである。表３は、この比（アセテート：芳香族）は、インジウム層を用いてシリコン上で変換を行った場合に、有意に低減されることを示す。このような結果は、インジウム層を備えたシリコン基体からのインジウム化合物による、アセテートを基材とする共重合体の増強された変換としてのものであり、この過程は、保護層の存在によって低減されるものと解釈される。相対的なフォトルミネセンス効率を、表１および表２に詳細に示す。保護層を含む系の素子性能は、１００ｃｄ／ｍ2の初発輝度、０．２〜０．６１ｍ／Ｗ、および２１ｍ／Ｗまでの効率として纏めることができ、１０〜１００時間、および２０００時間までの輝度の半減期（一定電流または一定電圧駆動）を有する。
【００３５】
【表３】
実施例ＩＩＩ
他の特定の実施例をここに記載する。この実施例では、陽極保護層として使用されるポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート材料を最適化して、ＰＳＳ含有量を増加させることによって有益な寿命性能を与えるものとする以外は、製造工程は実施例ＩＩの場合と同様である。よって、ここでは材料は、１：５のＰＥＤＴ／ＰＳＳの分子比を有する。このような系の素子性能は、１００ｃｄ／ｍ2の初発輝度、０．３〜１．２１ｍ／Ｗ、および２１ｍ／Ｗまでの効率として纏めることができ、〜５００時間、および２０００時間までの半減期を有する。
【００３７】
実施例ＩＶ
実施例ＩＩＩの場合、ＰＰＶ前駆体溶液を用いたＰＥＤＴ／ＰＳＳ保護（１：５の分子比）について有害な相互作用が観察された。これは、ＰＰＶ前駆体溶液中でのＰＥＤＴ／ＰＳＳ層の溶解によるものと考えられ、またこれは、最終的な素子における不均一な発光に至り得る。例えば、素子の製造の際にＰＥＤＴ／ＰＳＳ膜の頂部にＰＰＶをスピンコートした場合、変換後にＰＥＤＴ／ＰＳＳ−ＰＰＶ界面において円形状の不均一性が観察される。この問題は、ＰＰＶ溶液を施す前に、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ層の頂部に薄いポリ（ビニルピリジン）（ＰＶＰ）膜（図１Ｂ中、参照符号７）をスピンコートすることによって克服された。十分に理解されるように、市販のＰＶＰは、これを可溶性とするために、典型的には１０％のポリスチレンの成分を含んでいる。よって、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ系の１００Åの膜を前記したように付着させ、この後に、メタノール中の０．１％ｗ／ｖ溶液から薄いＰＶＰ膜をスピンコートする。素子の残りの部分を通常の様式で製造し、前記概説したような特性を得る（すなわち、１００ｃｄ／ｍ2の初発輝度、０．３〜１．２１ｍ／Ｗの効率であり、〜５００時間の半減期を有する）。しかしながら、発光の均一性は大きく改善されている。ＰＶＰは、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ系とＰＰＶとの間のバリアとして作用することから、この手法を使用してこのＩＴＯ保護層のパターン化を行うこともできる。
【００３８】
実施例Ｖ
更なる特定の実施例をここに記載するが、これはこの種の素子の製造に関するものである。１枚のＩＴＯ被覆ガラスを用意し、これを浄化する。ＩＴＯ被覆ガラス寸法は、１２×１２ｍｍ〜大きくても８０×８０ｍｍとすることができる。その後、ＰＥＤＴ／ＰＳＳのＩＴＯ保護層を基体上にスピンコートして〜１００Åの厚さとする。この後に、０．４〜０．５％の固体含有量の前駆体溶液濃度で、湿潤膜厚さ１００μｍとして、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ層の上にＰＰＶ前駆体溶液をブレードコートする。この場合、素子の均一性は、ＰＰＶ前駆体をスピンコートした場合に得られるものより優れている。代替的に、二重層ＰＰＶ素子を次のようにブレードコートすることができる。すなわち、各層を〜５００〜７００Åの厚さとし、第２の層の付着の前に短い変換（１５０℃で〜２０分）を行う（図１Ｃ中、参照符号９）。変換後、得られる最終変換ＰＰＶ膜は、〜１０００〜１４００Åの厚さとする。この場合、素子の効率および全体的な均一性について有益な効果が観察される。その後、適切な陰極を付着させ、素子を連結接続する。
【００３９】
実施例ＶＩ
他の実施例では、前記した様式でインジウムスズ酸化物によりガラス基体を被覆する。その後、０．１％の濃度にＰＶＰをメタノールに溶解し、１ミクロンのボアサイズで予備ろ過し、インジウムスズ酸化物上に被覆して約１００Åの厚さとする。その後、実施例Ｉを参照して前記論じたＰＰＶ前駆体を頂部にスピンコートし、窒素中１５０℃で４時間変換し、約１０００Åの厚さのＰＰＶの層とする。その後、素子を４８時間デシケータ内に保存した後、アルミニウム／リチウム合金から形成した陰極を頂部にスパッタリングする。
【００４０】
実施例ＶＩＩ
ＴＨＦに溶解して０．１％の濃度としたポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）により陽極保護層を形成した以外は、実施例ＶＩと同様にしてこの実施例のものを形成した。
【００４１】
実施例ＶＩＩＩ
ＴＨＦに溶解して０．１％の濃度としたポリスチレンにより陽極保護層を形成した以外は、実施例ＶＩおよび実施例ＶＩＩと同様にしてこの実施例のものを形成した。
【００４２】
実施例ＩＸ
メタノールに溶解して０．１％の濃度としたポリ（ビニルピリジン）により陽極保護層を形成した以外は、実施例ＶＩ、実施例ＶＩＩおよび実施例ＶＩＩＩと同様にしてこの実施例のものを形成した。
【００４３】
実施例Ｘ
他の実施例では、実施例ＩＩに従って素子を製造するが、カルシウムの代わりにリチウム／アルミニウム合金により陰極を形成する。例えば、１０重量％までのＬｉを含有するリチウム／アルミニウム合金を、共役重合体の頂部にスパッタリングし、１０Å〜１μｍ、好ましくは〜１２００Åの厚さとする。Ｌｉ／Ａｌ合金ターゲットは市販されており、典型的には〜２．５重量％のＬｉを含有し得る。他の安定化元素、例えばＺｒ、Ｍｇ、Ｃｕが存在してもよい。保護層およびリチウムを基材とする陰極を用いて作製した素子は、保護層を用いることなく、例えば、カルシウム電極を使用した素子と比較して、有意に改良されたエレクトロルミネセンス効率を有する。
【００４４】
このように、本発明の種々の実施例について説明したが、それぞれが多層エレクトロルミネセンス素子を提供するものであって、これは、発光層としての変換された前駆体重合体と、前駆体変換過程の際に電極を保護するよう作用する、変換された前駆体重合体とその下の電極との間に載置された電極保護層とを組み込んだものである。少なくとも１つの他の層が存在するが、そのうちの１つは第２の電極である。
【００４５】
前記した実施例は、エレクトロルミネセンス素子の製造方法を示すものであり、この場合、共役重合体材料への前駆体を基体上に付着させる。この基体の上には、電極層と後続する電極保護層との両者を予め付着させておく。その後、後続する１または複数の層を付着させる前に前駆体を最終的な共役重合体の形態へと変換するが、そのうちの少なくとも１つを第２の電極とする。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１Ａ〜図１Ｃは、陽極保護層を組み込んだエレクトロルミネセンス素子の説明図である。
【図２】ＰＰＶへの前駆体の２つの変換経路を示す図である。
【図３】図３Ａおよび図３Ｂは、それぞれ石英、インジウムスズ酸化物、および陽極保護層上で変換されたＰＰＶ単独重合体のＵＶ−可視スペクトルを示すグラフである。
【図４】石英、インジウムスズ酸化物、および陽極保護層上で変換されたＰＰＶ共重合体のＵＶ−可視スペクトルを示すグラフである。
【図５】シリコン、インジウム層を備えるシリコン、およびインジウム層と保護層とを備えるシリコン上で変換されたアセテートを基材とする共重合体のＩＲスペクトルを示す線図である。
Claims (2)
- エレクトロルミネセンス素子であって、
正の電荷担体注入材料により形成される陽極と、
前記陽極上に形成されるとともに、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＴ）とポリスチレンスルホネート（ＰＳＳ）からなり、ＰＳＳ対ＰＥＤＴの分子比が、ＰＥＤＴを１とするときにＰＳＳが１．２以上である層と、
半導体共役重合体により形成される発光層と、
負の電荷担体注入材料により形成される陰極と、
を有することを特徴とするエレクトロルミネセンス素子。 - 請求項１記載の素子において、ＰＳＳ対ＰＥＤＴの分子比は、ＰＥＤＴを１とするときにＰＳＳが５以上であることを特徴とするエレクトロルミネセンス素子。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014136900A1 (ja) | 2013-03-08 | 2014-09-12 | 日立化成株式会社 | イオン性化合物を含有する処理液、有機エレクトロニクス素子、及び有機エレクトロニクス素子の製造方法 |
Families Citing this family (143)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19627071A1 (de) * | 1996-07-05 | 1998-01-08 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen |
| GB9805476D0 (en) | 1998-03-13 | 1998-05-13 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
| KR100697861B1 (ko) * | 1998-03-13 | 2007-03-22 | 캠브리지 디스플레이 테크놀로지 리미티드 | 전장 발광 디바이스들 |
| WO2000006665A1 (en) * | 1998-07-28 | 2000-02-10 | The Dow Chemical Company | Organic electroluminescent devices |
| GB2344688A (en) * | 1998-12-08 | 2000-06-14 | Secr Defence | Organic light emitting diode device |
| US6611096B1 (en) | 1999-09-03 | 2003-08-26 | 3M Innovative Properties Company | Organic electronic devices having conducting self-doped polymer buffer layers |
| US6641933B1 (en) | 1999-09-24 | 2003-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting EL display device |
| US6465824B1 (en) * | 2000-03-09 | 2002-10-15 | General Electric Company | Imager structure |
| JP2002352956A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-12-06 | Mitsubishi Chemicals Corp | 薄膜型発光体及びその製造方法 |
| GB2379317A (en) | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Cambridge Display Tech Ltd | Optoelectronic display operating by photoluminescence quenching |
| FR2825619A1 (fr) * | 2001-10-01 | 2002-12-13 | Oreal | Composition cosmetique destinee a creer un effet optique, comprenant au moins un polymere electroluminescent et/ou electroconducteur |
| ITMI20012075A1 (it) * | 2001-10-08 | 2003-04-08 | Consiglio Nazionale Ricerche | Procedimento per il conferimento e controllo su scale micro e nanomatriche dell'anisotropia di proprieta' strutturali elettriche ottiche ed |
| US7453202B2 (en) | 2001-11-28 | 2008-11-18 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic EL display device having organic soluble derivative layer |
| KR100478522B1 (ko) * | 2001-11-28 | 2005-03-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 화합물 유도체막층을 포함하고 있는 고분자 유기전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| GB0207134D0 (en) | 2002-03-27 | 2002-05-08 | Cambridge Display Tech Ltd | Method of preparation of organic optoelectronic and electronic devices and devices thereby obtained |
| JP5069401B2 (ja) | 2002-05-10 | 2012-11-07 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | ポリマー及びその製造方法 |
| GB0215309D0 (en) | 2002-07-03 | 2002-08-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Combined information display and information input device |
| CN100338791C (zh) * | 2002-08-23 | 2007-09-19 | 波尔伊克两合公司 | 用于过电压保护的有机元件及相关电路 |
| AU2003262545A1 (en) * | 2002-08-23 | 2004-03-11 | Agfa-Gevaert | Layer configuration comprising an electron-blocking element |
| EP1537612B1 (en) | 2002-09-03 | 2010-05-19 | Cambridge Display Technology Limited | Method of forming an optical device |
| EP1416028A1 (en) | 2002-10-30 | 2004-05-06 | Covion Organic Semiconductors GmbH | New method for the production of monomers useful in the manufacture of semiconductive polymers |
| GB0226010D0 (en) | 2002-11-08 | 2002-12-18 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymers for use in organic electroluminescent devices |
| GB0306409D0 (en) | 2003-03-20 | 2003-04-23 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent device |
| GB0306414D0 (en) | 2003-03-20 | 2003-04-23 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymers,their preparations and uses |
| GB0311234D0 (en) | 2003-05-16 | 2003-06-18 | Isis Innovation | Organic phosphorescent material and organic optoelectronic device |
| DE602004013003T2 (de) | 2003-05-30 | 2009-06-18 | Merck Patent Gmbh | Halbleitendes Polymer |
| EP1491568A1 (en) | 2003-06-23 | 2004-12-29 | Covion Organic Semiconductors GmbH | Semiconductive Polymers |
| GB0321781D0 (en) | 2003-09-17 | 2003-10-15 | Toppan Printing Company Ltd | Electroluminescent device |
| US20070248839A1 (en) | 2003-11-10 | 2007-10-25 | Towns Carl R | Dibenzosilol Polymers, Their Preparation and Uses |
| US7605534B2 (en) * | 2003-12-02 | 2009-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element having metal oxide and light-emitting device using the same |
| KR20060110323A (ko) | 2003-12-16 | 2006-10-24 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 소자 및 그 제조 방법 |
| US20090160325A1 (en) * | 2003-12-16 | 2009-06-25 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same |
| GB0329364D0 (en) | 2003-12-19 | 2004-01-21 | Cambridge Display Tech Ltd | Optical device |
| US20050151129A1 (en) * | 2004-01-14 | 2005-07-14 | Rahul Gupta | Deposition of conducting polymers |
| DE102004006583A1 (de) | 2004-02-10 | 2005-09-01 | H.C. Starck Gmbh | Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden |
| CN100358074C (zh) * | 2004-03-22 | 2007-12-26 | 华南理工大学 | 高分子薄膜场发射阴极材料及其制备方法与装置 |
| GB0411582D0 (en) | 2004-05-24 | 2004-06-23 | Cambridge Display Tech Ltd | Metal complex |
| GB0411572D0 (en) | 2004-05-24 | 2004-06-23 | Cambridge Display Tech Ltd | Light-emitting device |
| DE112005001923T5 (de) | 2004-08-10 | 2007-09-27 | Cambridge Display Technology Ltd. | Lichtemissionsvorrichtung |
| EP1627891A1 (en) | 2004-08-11 | 2006-02-22 | Covion Organic Semiconductors GmbH | Polymers for use in organic electroluminescent devices |
| GB0428191D0 (en) * | 2004-12-23 | 2005-01-26 | Cambridge Display Tech Ltd | Digital signal processing methods and apparatus |
| GB0421712D0 (en) * | 2004-09-30 | 2004-11-03 | Cambridge Display Tech Ltd | Multi-line addressing methods and apparatus |
| GB0421710D0 (en) | 2004-09-30 | 2004-11-03 | Cambridge Display Tech Ltd | Multi-line addressing methods and apparatus |
| GB0421711D0 (en) * | 2004-09-30 | 2004-11-03 | Cambridge Display Tech Ltd | Multi-line addressing methods and apparatus |
| EP1653529B1 (en) | 2004-10-11 | 2007-11-21 | Samsung SDI Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
| JP4341529B2 (ja) | 2004-11-05 | 2009-10-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子デバイスの製造方法および電子機器 |
| CN100474651C (zh) * | 2004-11-22 | 2009-04-01 | 财团法人工业技术研究院 | 有机无机发光二极管的制造方法 |
| GB0427266D0 (en) | 2004-12-13 | 2005-01-12 | Cambridge Display Tech Ltd | Phosphorescent OLED |
| US9179518B2 (en) | 2004-12-24 | 2015-11-03 | Cambridge Display Technology Limited | Light emissive device |
| GB0428445D0 (en) | 2004-12-29 | 2005-02-02 | Cambridge Display Tech Ltd | Blue-shifted triarylamine polymer |
| DE112005003872A5 (de) | 2004-12-29 | 2016-03-03 | Cambridge Display Technology Ltd. | Starre Amine |
| US9530968B2 (en) * | 2005-02-15 | 2016-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| GB0503401D0 (en) * | 2005-02-18 | 2005-03-30 | Applied Multilayers Ltd | Apparatus and method for the application of material layer to display devices |
| JP2006269108A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Hitachi Displays Ltd | 有機発光表示装置及びその欠陥画素の修復方法 |
| DE102005015359B4 (de) * | 2005-03-30 | 2010-05-20 | Samsung Mobile Display Co. Ltd., Suwon | Invertierte Schichtstruktur für organische Leuchtdioden und Photolumineszenz-Quenching-Elemente |
| GB0507684D0 (en) | 2005-04-15 | 2005-05-25 | Cambridge Display Tech Ltd | Pulsed driven displays |
| EP1875529A1 (en) | 2005-04-25 | 2008-01-09 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Method of producing a display device |
| EP1724852A3 (en) | 2005-05-20 | 2010-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
| JP5137330B2 (ja) * | 2005-05-20 | 2013-02-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、および電子機器 |
| GB0518968D0 (en) | 2005-09-16 | 2005-10-26 | Cdt Oxford Ltd | Organic light-emitting device |
| CN100443483C (zh) * | 2005-12-08 | 2008-12-17 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及用途 |
| GB0526185D0 (en) | 2005-12-22 | 2006-02-01 | Cambridge Display Tech Ltd | Electronic device |
| GB2433509A (en) | 2005-12-22 | 2007-06-27 | Cambridge Display Tech Ltd | Arylamine polymer |
| GB0526393D0 (en) | 2005-12-23 | 2006-02-08 | Cdt Oxford Ltd | Light emissive device |
| GB2434915A (en) | 2006-02-03 | 2007-08-08 | Cdt Oxford Ltd | Phosphoescent OLED for full colour display |
| US20070241665A1 (en) * | 2006-04-12 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescent element, and manufacturing method thereof, as well as display device and exposure apparatus using the same |
| GB2440934B (en) | 2006-04-28 | 2009-12-16 | Cdt Oxford Ltd | Opto-electrical polymers and devices |
| GB0617167D0 (en) | 2006-08-31 | 2006-10-11 | Cdt Oxford Ltd | Compounds for use in opto-electrical devices |
| CN100519691C (zh) * | 2006-09-29 | 2009-07-29 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 近红外有机电致发光材料与器件及器件的制备方法 |
| GB0620045D0 (en) | 2006-10-10 | 2006-11-22 | Cdt Oxford Ltd | Otpo-electrical devices and methods of making the same |
| GB2448175B (en) | 2007-04-04 | 2009-07-22 | Cambridge Display Tech Ltd | Thin film transistor |
| DE102007024152A1 (de) * | 2007-04-18 | 2008-10-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches optoelektronisches Bauelement |
| KR100813854B1 (ko) * | 2007-04-23 | 2008-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 그 제조방법 |
| GB2450382B (en) | 2007-06-22 | 2009-09-09 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic thin film transistors, organic light-emissive devices and organic light-emissive displays |
| GB2454890B (en) | 2007-11-21 | 2010-08-25 | Limited Cambridge Display Technology | Light-emitting device and materials therefor |
| GB2455747B (en) | 2007-12-19 | 2011-02-09 | Cambridge Display Tech Ltd | Electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques |
| GB2456788B (en) | 2008-01-23 | 2011-03-09 | Cambridge Display Tech Ltd | White light emitting material |
| KR20090092051A (ko) | 2008-02-26 | 2009-08-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
| GB0803950D0 (en) | 2008-03-03 | 2008-04-09 | Cambridge Display Technology O | Solvent for printing composition |
| GB2458454B (en) | 2008-03-14 | 2011-03-16 | Cambridge Display Tech Ltd | Electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques |
| GB2459895B (en) | 2008-05-09 | 2011-04-27 | Cambridge Display Technology Limited | Organic light emissive device |
| US8242487B2 (en) | 2008-05-16 | 2012-08-14 | E I Du Pont De Nemours And Company | Anode for an organic electronic device |
| GB2462410B (en) | 2008-07-21 | 2011-04-27 | Cambridge Display Tech Ltd | Compositions and methods for manufacturing light-emissive devices |
| GB2462122B (en) | 2008-07-25 | 2013-04-03 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent materials |
| GB2462314B (en) | 2008-08-01 | 2011-03-16 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic light-emiting materials and devices |
| GB0814161D0 (en) | 2008-08-01 | 2008-09-10 | Cambridge Display Tech Ltd | Blue-light emitting material |
| GB2462844B (en) | 2008-08-21 | 2011-04-20 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic electroluminescent device |
| GB2463040B (en) | 2008-08-28 | 2012-10-31 | Cambridge Display Tech Ltd | Light-emitting material |
| GB2463077B (en) | 2008-09-02 | 2012-11-07 | Sumitomo Chemical Co | Electroluminescent material and device |
| GB2464111B (en) | 2008-10-02 | 2011-06-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic electroluminescent device |
| EP2192636A1 (en) | 2008-11-26 | 2010-06-02 | Rijksuniversiteit Groningen | Modulatable light-emitting diode |
| JP5759669B2 (ja) * | 2008-12-01 | 2015-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
| JP2012510706A (ja) * | 2008-12-01 | 2012-05-10 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 有機電子デバイス用のアノード |
| CN101418214B (zh) * | 2008-12-08 | 2012-05-02 | 浙江大学 | 一种电致变色材料及其制备方法 |
| US8461758B2 (en) * | 2008-12-19 | 2013-06-11 | E I Du Pont De Nemours And Company | Buffer bilayers for electronic devices |
| GB2466842B (en) | 2009-01-12 | 2011-10-26 | Cambridge Display Tech Ltd | Interlayer formulation for flat films |
| GB2466843A (en) | 2009-01-12 | 2010-07-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Interlayer formulation for flat films |
| GB2469500B (en) | 2009-04-16 | 2012-06-06 | Cambridge Display Tech Ltd | Method of forming a polymer |
| GB0906554D0 (en) | 2009-04-16 | 2009-05-20 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic electroluminescent device |
| GB2469498B (en) | 2009-04-16 | 2012-03-07 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymer and polymerisation method |
| GB2469497B (en) | 2009-04-16 | 2012-04-11 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymers comprising fluorene derivative repeat units and their preparation |
| DE102009022900A1 (de) | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| GB0916700D0 (en) * | 2009-09-23 | 2009-11-04 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle-based materials |
| GB2475247B (en) | 2009-11-10 | 2012-06-13 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic optoelectronic device and method |
| GB2475246B (en) | 2009-11-10 | 2012-02-29 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic opto-electronic device and method |
| GB2480323A (en) | 2010-05-14 | 2011-11-16 | Cambridge Display Tech Ltd | OLED hole transport layer |
| GB2487342B (en) | 2010-05-14 | 2013-06-19 | Cambridge Display Tech Ltd | Host polymer comprising conjugated repeat units and non-conjugated repeat units for light-emitting compositions, and organic light-emitting devices |
| GB2484253B (en) | 2010-05-14 | 2013-09-11 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic light-emitting composition and device |
| GB2499969A (en) | 2010-06-25 | 2013-09-11 | Cambridge Display Tech Ltd | Composition comprising an organic semiconducting material and a triplet-accepting material |
| WO2011161425A1 (en) | 2010-06-25 | 2011-12-29 | Cambridge Display Technonogy Limited | Organic light-emitting device and method |
| JP5029735B2 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-09-19 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| EP2606491A4 (en) | 2010-08-20 | 2015-08-26 | Rhodia Operations | FOILS WITH ELECTRICALLY CONDUCTIVE POLYMERS |
| GB2483269A (en) | 2010-09-02 | 2012-03-07 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic Electroluminescent Device containing Fluorinated Compounds |
| GB2484537A (en) | 2010-10-15 | 2012-04-18 | Cambridge Display Tech Ltd | Light-emitting composition |
| GB2485001A (en) | 2010-10-19 | 2012-05-02 | Cambridge Display Tech Ltd | OLEDs |
| GB2486202A (en) | 2010-12-06 | 2012-06-13 | Cambridge Display Tech Ltd | Adhesion layer for solution-processed transition metal oxides on inert metal contacts of organic thin film transistors. |
| GB2486203A (en) * | 2010-12-06 | 2012-06-13 | Cambridge Display Tech Ltd | Transition metal oxide doped interface by deposition and drying of precursor |
| GB2487207B (en) | 2011-01-12 | 2013-07-31 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescence |
| GB201122316D0 (en) | 2011-12-23 | 2012-02-01 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymer, polymer composition and organic light-emitting device |
| GB2494096B (en) | 2011-01-31 | 2013-12-18 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymer |
| CN103339167B (zh) | 2011-01-31 | 2018-01-12 | 剑桥显示技术有限公司 | 聚合物 |
| GB201105582D0 (en) | 2011-04-01 | 2011-05-18 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic light-emitting device and method |
| GB201107905D0 (en) | 2011-05-12 | 2011-06-22 | Cambridge Display Tech Ltd | Light-emitting material, composition and device |
| GB201110564D0 (en) | 2011-06-22 | 2011-08-03 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymer and optoelectronic device |
| US9493613B2 (en) | 2011-07-04 | 2016-11-15 | Cambridge Display Technology, Ltd. | Organic light emitting composition, device and method |
| GB201111742D0 (en) | 2011-07-08 | 2011-08-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Solution |
| GB201113563D0 (en) | 2011-08-05 | 2011-09-21 | Cambridge Display Tech Ltd | Light emitting polymers and devices |
| GB201210131D0 (en) | 2011-11-02 | 2012-07-25 | Cambridge Display Tech Ltd | Light emitting composition and device |
| GB201200619D0 (en) | 2012-01-16 | 2012-02-29 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymer |
| WO2013114118A2 (en) | 2012-01-31 | 2013-08-08 | Cambridge Display Technology Limited | Polymer |
| GB2505893A (en) | 2012-09-13 | 2014-03-19 | Cambridge Display Tech Ltd | Compounds for use in organic optoelectronic devices |
| CN102881837B (zh) * | 2012-09-28 | 2015-03-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件的封装结构及封装方法、显示装置 |
| GB2508410A (en) | 2012-11-30 | 2014-06-04 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymer and organic electronic device |
| GB2514818B (en) | 2013-06-05 | 2015-12-16 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymer and organic electronic device |
| US20150042883A1 (en) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | Vizio Inc | Transparent FIPEL pixel panels displaying a normal image from the front surface and a reverse image from the back surface |
| GB2526556A (en) * | 2014-05-27 | 2015-12-02 | Robert Murray-Smith | A conformal electroluminescent device |
| KR101633451B1 (ko) | 2015-06-22 | 2016-07-08 | 한국과학기술연구원 | 핵-껍질 구조의 금속산화물 반도체-플러렌 양자점을 이용한 색 변환 발광소자와 그 제조방법 |
| KR102111576B1 (ko) | 2015-08-20 | 2020-05-20 | 주식회사 엘엠에스 | 신규한 화합물 및 이를 포함하는 발광소자 |
| GB2573338A (en) | 2018-05-04 | 2019-11-06 | Sumitomo Chemical Co | Device |
| GB2575089A (en) | 2018-06-28 | 2020-01-01 | Sumitomo Chemical Co | Phosphorescent light-emitting compound |
| GB2579807A (en) | 2018-12-14 | 2020-07-08 | Sumitomo Chemical Co | Composition and organic light-emitting device |
| GB2581141A (en) | 2019-01-31 | 2020-08-12 | Sumitomo Chemical Co | Light-emitting composition |
| CN113130813A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE68925634T2 (de) * | 1988-11-21 | 1996-08-22 | Mitsui Toatsu Chemicals | Lichtemittierendes Element |
| GB8909011D0 (en) * | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
| JPH03222148A (ja) | 1990-01-25 | 1991-10-01 | Alpine Electron Inc | カーオーディオ装置の再生方法 |
| EP0443861B2 (en) | 1990-02-23 | 2008-05-28 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Organic electroluminescence device |
| JPH0541285A (ja) | 1991-08-07 | 1993-02-19 | Ricoh Co Ltd | 電界発光素子 |
| JP3328731B2 (ja) * | 1991-12-05 | 2002-09-30 | 住友化学工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| EP0553950A3 (en) * | 1992-01-07 | 1994-11-23 | Toshiba Kk | Organic electroluminescent device |
| GB9215928D0 (en) * | 1992-07-27 | 1992-09-09 | Cambridge Display Tech Ltd | Manufacture of electroluminescent devices |
| US5652067A (en) * | 1992-09-10 | 1997-07-29 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| JPH06231881A (ja) | 1993-02-08 | 1994-08-19 | Fuji Electric Co Ltd | 有機薄膜発光素子 |
| US5723873A (en) | 1994-03-03 | 1998-03-03 | Yang; Yang | Bilayer composite electrodes for diodes |
| US5759709A (en) * | 1994-03-10 | 1998-06-02 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Polymeric fluorescent substance and organic electroluminescence device |
| DE19507413A1 (de) * | 1994-05-06 | 1995-11-09 | Bayer Ag | Leitfähige Beschichtungen |
| US5558904A (en) | 1994-07-08 | 1996-09-24 | Xerox Corporation | Electroluminescent devices containing a conjugated polymer obtained via halogen precursor route chemistry |
| JP3428152B2 (ja) * | 1994-07-13 | 2003-07-22 | 松下電器産業株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| US5504183A (en) * | 1994-09-12 | 1996-04-02 | Motorola | Organometallic fluorescent complex polymers for light emitting applications |
| TW334474B (en) * | 1995-02-01 | 1998-06-21 | Sumitomo Kagaku Kk | Method for making a polymeric fluorescent substrate and organic electrolumninescent element |
| JP3561549B2 (ja) * | 1995-04-07 | 2004-09-02 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US5719467A (en) * | 1995-07-27 | 1998-02-17 | Hewlett-Packard Company | Organic electroluminescent device |
| JP4124379B2 (ja) * | 1995-08-08 | 2008-07-23 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| US5981092A (en) * | 1996-03-25 | 1999-11-09 | Tdk Corporation | Organic El device |
| FR2748346B1 (fr) * | 1996-05-06 | 1998-07-24 | Pixtech Sa | Realisation d'une anode d'ecran plat de visualisation |
| US5902688A (en) * | 1996-07-16 | 1999-05-11 | Hewlett-Packard Company | Electroluminescent display device |
| GB9624706D0 (en) * | 1996-11-28 | 1997-01-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Light emitting polymer device |
| US6002206A (en) * | 1996-11-28 | 1999-12-14 | Cambridge Display Technology Limited | Organic EL devices and operation thereof |
| GB2320105B (en) * | 1996-12-04 | 2000-07-26 | Cambridge Display Tech Ltd | Tuneable microcavities |
| US5965281A (en) * | 1997-02-04 | 1999-10-12 | Uniax Corporation | Electrically active polymer compositions and their use in efficient, low operating voltage, polymer light-emitting diodes with air-stable cathodes |
| GB9718393D0 (en) * | 1997-08-29 | 1997-11-05 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent Device |
| US5777070A (en) * | 1997-10-23 | 1998-07-07 | The Dow Chemical Company | Process for preparing conjugated polymers |
| JPH11224781A (ja) * | 1998-02-05 | 1999-08-17 | Pioneer Electron Corp | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 |
| US5980281A (en) * | 1998-02-11 | 1999-11-09 | International Business Machines Corporation | Mechanism to assist in insertion or removal of PCI cards |
| WO2000006665A1 (en) | 1998-07-28 | 2000-02-10 | The Dow Chemical Company | Organic electroluminescent devices |
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Cited By (1)
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