JP3720294B2 - Gas supply apparatus and method - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばＣＶＤ装置等の半導体製造装置にガスを供給するガス供給装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
半導体素子の製造過程においては通常、ポリシリコン膜及びドープトガラス膜（例えばＰＳＧ）等の成膜工程が含まれており、かかる成膜工程においては、ＰＨ3又はＡｓＨ3などのドーピングガスが使用される。そして、各成膜工程は通常、別個の半導体製造装置（例えばＣＶＤ装置）で行われ、各半導体製造装置ごとにドーピングガスの供給装置が設置されている。
【０００３】
図３は、従来のガス供給装置を示す概略構成図である。図３に示すように、ガス供給装置は、半導体製造装置１０４ａ〜１０４ｃごとに別個に設置されており、ガス供給装置は一般に、ドーピングガスとバランスガスとを混合してなる混合ガスを貯留したガスシリンダ１００と、ガスシリンダ１００に配管１０１を介して接続される流量調整装置１０２とで構成されている。ガスシリンダ１００は毒性の強いドーピングガスを含むため、シリンダーキャビネット１０３に収納されるのが通常である。そして、上記ガス供給装置においては、ガスシリンダ１００内の特定のドーピングガス濃度を有する混合ガスが、シリンダーキャビネット１０３から配管１０１及び流量調整装置１０２を経てそのままの濃度で半導体製造装置１０４に供給される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した従来のガス供給装置は、以下に示す課題を有する。
【０００５】
即ち半導体工場において多数の半導体製造装置１０４が設置される場合には、各半導体製造装置１０４ごとに、必要とするドーピングガス濃度やドーピングガスの種類も異なるのが通常である。このため、各ガス供給装置ごとにドーピングガス濃度やドーピングガスの種類の異なるガスシリンダを用意する必要があり、これに応じた数のシリンダーキャビネット１０３を設置する必要がある。ここで、シリンダーキャビネット１０３は、毒性の強いドーピングガスを安全且つ安定して供給する機能を有するため、一般に極めて高価である。従って、上記のようにシリンダキャビネット１０３を多数設置すると、多大な設備コストがかかる。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、複数の半導体製造装置にドーピングガスを供給する場合に、設備コストを十分に低減することができるガス供給装置及び方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、複数の半導体製造装置にドーピングガスを供給するガス供給装置であって、前記複数の半導体製造装置内において使用する最大のドーピングガス濃度よりも大きい濃度を有する少なくとも１種類のドーピングガスを貯留する少なくとも１つの第１ガスシリンダと、少なくとも１種類の希釈ガスを貯留する少なくとも１つの第２ガスシリンダと、前記第１ガスシリンダからの前記ドーピングガスと前記第２ガスシリンダからの前記希釈ガスの流量比を調整して混合し、個々の半導体製造装置ごとに異なる濃度又は種類のドーピングガスを供給することが可能な流量調整手段とを備え、前記少なくとも１つの第１ガスシリンダは前記複数の半導体製造装置に接続されていることを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、流量調整手段により、第１ガスシリンダから供給されるドーピングガスと、第２ガスシリンダから供給される希釈ガスを任意の流量比に調整して混合できるので、個々の半導体製造装置ごとに異なる濃度又は異なる種類のドーピングガスを供給する場合に、第１ガスシリンダの設置数を半導体製造装置の設置数よりも少なくすることができ、ひいては第１ガスシリンダを収納するシリンダーキャビネットの設置数を少なくすることができる。
【０００９】
また、本発明は、複数の半導体製造装置にドーピングガスを供給するガス供給方法であって、前記複数の半導体製造装置で使用しうる最大のドーピングガス濃度よりも大きい濃度の少なくとも１種類のドーピングガスと、少なくとも１種類の希釈ガスの流量比を調整して混合し、前記少なくとも１種類のドーピングガスを前記複数の半導体装置に供給して個々の半導体製造装置ごとに異なる濃度又は種類のドーピングガスを供給することを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、ドーピングガスと希釈ガスが、流量比を調整されて混合されるため、個々の半導体製造装置ごとに異なる濃度又は異なる種類のドーピングガスを供給する場合に、ドーピングガスを収納するガスシリンダの設置数を半導体製造装置の設置数よりも少なくすることができ、ひいては上記ガスシリンダを収納するシリンダーキャビネットの設置数を少なくすることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００１２】
図１は、本発明のガス供給装置の一実施形態を示す概略構成図である。本実施形態では、３台の半導体製造装置（ＣＶＤ装置等の成膜装置）１ａ〜１ｃにドーピングガスを供給する場合を例にして説明する。
【００１３】
図１に示すように、ガス供給装置２は、第１ガスシリンダ３ａを収納するシリンダーキャビネット３を備えており、第１ガスシリンダ３ａには、例えばドーピングガスとしてのホスフィン（ＰＨ3）が貯留されている。
【００１４】
ドーピングガスの濃度は、半導体製造装置１内で使用する最大のドーピングガス濃度よりも大きい濃度である。つまり、半導体製造装置１ａ〜１ｃのそれぞれにおいては通常、使用するドーピングガス濃度が予め決まっており、その濃度は半導体製造装置１ａ〜１ｃ同士でそれぞれ異なっている。例えばドーピングガス濃度が半導体製造装置１ａでは１％であり、半導体製造装置１ｂでは３％であり、半導体製造装置１ｃでは５％である場合のごとくである。この場合、最大のドーピングガス濃度は５％であるから、ドーピングガスシリンダ３ａ内に貯留するドーピングガスの濃度は５％よりも大きい濃度にすることとなる。第１ガスシリンダ３ａ内のドーピングガス濃度をこのような濃度にすることで、当該濃度よりも低い濃度の範囲内で、任意の濃度のドーピングガスを半導体製造装置１ａ〜１ｃに供給することが可能となる。
【００１５】
半導体製造装置１ａ〜１ｃ内で使用されるドーピングガス濃度は一般に低いため（通常は大きくても５％）、第１ガスシリンダ３ａ内のドーピングガス濃度は１０％あれば十分であり、５０％あればより十分であるが、第１ガスシリンダ３ａ内のドーピングガス濃度は１００％であることが好適である。この場合、第１ガスシリンダ３ａ内にドーピングガスとバランスガス（例えば水素ガス又は窒素ガスなど）との混合ガスを貯留する場合と異なり、ドーピングガスを特定の濃度に安定化させるためにドーピングガスとバランスガスを混合した後しばらく時間を置く必要が無く、また、濃度分析を行う必要も無い。このため、ガスメーカに発注しても、ドーピングガスシリンダ３ａを直ちに且つより安価に入手することが可能となる。
【００１６】
第１ガスシリンダ３ａは、ドーピングガス導入ライン４を介してガスパネル５ａ〜５ｃに接続されている。
【００１７】
また、ガス供給装置２は、第２ガスシリンダ６，７を備えており、第２ガスシリンダ６には窒素ガスが貯留され、第２ガスシリンダ７には、水素ガスが貯留されている。第２ガスシリンダ６は、窒素ガス導入ライン８を介してガスパネル５ａ〜５ｃに接続され、第２ガスシリンダ７は、水素ガス導入ライン９を介してガスパネル５ａ〜５ｃに接続されている。
【００１８】
そして、ガスパネル５ａ〜５ｃはそれぞれ、混合ガス供給ライン１０ａ〜１０ｃを介して半導体製造装置１ａ〜１ｃに接続されている。
【００１９】
図２は、ガスパネル５ａの内部構成図である。図２に示すように、ガスパネル５ａの内部においては、ドーピングガス導入ライン４、水素ガス導入ライン９及び窒素ガス導入ライン８は、１つの混合ガス供給ライン１０ａに接続されており、ドーピングガス導入ライン４、水素ガス導入ライン９及び窒素ガス導入ライン８には、それぞれマスフローコントローラ１１ａ〜１１ｃが接続されている。従って、ドーピングガスと、水素ガス又は窒素ガスとの流量比を調整して混合し、混合ガス供給ライン１１ａを経て半導体製造装置１ａに混合ガスを供給することが可能となっている。
【００２０】
ここで、マスフロコントローラ１１ａ〜１１ｃは制御装置１４に接続されており、制御装置１４は、半導体製造装置１ａから出力される制御信号に基づいて、マスフローコントローラ１１ａ〜１１ｃを通るガスの流量及びマスフローコントローラ１１ａ〜１１ｃ同士のガス流量の比を制御するようになっている。
【００２１】
また、ドーピングガス導入ライン４、水素ガス導入ライン９及び窒素ガス導入ライン８には、マスフローコントローラ１１ａ〜１１ｃの上流側および下流側にそれぞれ、ライン中のごみを除去するフィルタ１２ａ〜１２ｃ、開閉弁１３ａ〜１３ｃが設置されている。
【００２２】
なお、図２は、ガスパネル５ａの内部構成について示したものであるが、ガスパネル５ｂ，５ｃも同様の内部構成を有し、こうしたガスパネル５ａ〜５ｃによって本発明のガス供給装置に用いる流量調整手段が構成されている。
【００２３】
次に、前述したガス供給装置２を用いたガス供給方法について説明する。
【００２４】
ここでは、半導体製造装置１ａ〜１ｃごとに濃度の異なるドーピングガスを供給する場合について説明する。このとき、希釈ガスとしては、水素ガスを用いることとする。
【００２５】
まず、図１に示すように、第１ガスシリンダ３ａからドーピングガス導入ライン４を経てホスフィン（ＰＨ3）をガスパネル５ａ〜５ｃのそれぞれに導入する。一方、第２ガスシリンダ７から水素ガス導入ライン７を経て水素ガスをガスパネル５ａ〜５ｃのそれぞれに導入する。
【００２６】
そして、例えばガスパネル５ａにおいては、図２に示すように、開閉弁１３ｃを閉じ、開閉弁１３ａ，１３ｂを開いておき、マスフローコントローラ１１ａ、１１ｂによりホスフィンと水素ガスの流量比を調整する。このとき、半導体製造装置１ａからホスフィンと水素ガスとの流量比に関する制御信号が制御装置１４に出力され、制御装置１４によりマスフローコントローラ１１ａ、１１ｂが制御される。
【００２７】
この結果、半導体製造装置１ａが必要とするホスフィン濃度を持つ混合ガスが混合ガス供給ライン１０ａを通して半導体製造装置１ａに供給される。
【００２８】
一方、上記と同様にして、半導体製造装置１ｂには、半導体製造装置１ａに供給するホスフィン濃度と異なるホスフィン濃度の混合ガスがガスパネル５ｂから混合ガス供給ライン１０ｂを経て供給され、半導体製造装置１ｃには、上記半導体製造装置１ａ，１ｂに供給するホスフィン濃度と異なるホスフィン濃度の混合ガスがガスパネル５ｃから混合ガス供給ライン１０ｃを経て供給される。
【００２９】
このように、本実施形態のガス供給方法によれば、第１ガスシリンダ３ａから排出されたドーピングガスを、第２ガスシリンダ７からの希釈ガスで希釈することにより任意のドーピングガス濃度の混合ガスを得ることができる。このため、半導体製造装置１ａ〜１ｃごとに異なる濃度のドーピングガスを供給する場合に、従来のようにドーピングガスシリンダ３ａの設置数を半導体製造装置１ａ〜１ｃの設置数と同じくする必要は無く、第１ガスシリンダ３ａの設置数を半導体製造装置１ａ〜１ｃの設置数よりも少なくすることができ、これに伴って、第１ガスシリンダ３ａを収納するシリンダーキャビネット３の設置数を少なくすることができる。ここで、シリンダーキャビネット３は、毒性の強いドーピングガスを安全且つ安定して供給する機能を有するため、一般に極めて高価である。このため、複数の半導体製造装置１ａ〜１を設置する場合に、上記のごとくシリンダーキャビネット３の設置数を少なくすることで設備コストを十分に低減することができる。
【００３０】
本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば上記ガス供給方法では、ホスフィンを水素ガスで希釈しているが、水素ガスに代えて窒素ガスで希釈してもよく、水素と窒素ガスとの混合ガスで希釈してもよい。また、上記実施形態では、ホスフィンを使用しているが、ホスフィンに代えてアルシン（ＡｓＨ3）、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）、セレン化水素（Ｈ2Ｓｅ）、三フッ化ホウ素（ＢＦ3）又はゲルマン（ＧｅＨ4）等を使用してもよく、また、これらの２種以上を併用することもできる。この場合、第１ガスシリンダ３ａは、ドーピングガスの種類に応じた数だけ設置される。
【００３１】
また、上記実施形態では、ドーピングガスを３台の半導体製造装置１ａ〜１ｃに供給する場合について説明しているが、これに限定されるものではない。要するに、半導体製造装置は複数であればよい。但し、半導体製造装置の設置数が多いほど本発明は効果的である。
【００３２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のガス供給装置及びガス供給方法によれば、ドーピングガスと希釈ガスが流量比を調整されて混合され、個々の半導体製造装置ごとに異なる濃度又は異なる種類のドーピングガスを供給する場合に、ドーピングガスを貯留するガスシリンダの設置数を半導体製造装置の設置数よりも少なくすることが可能となり、ひいてはこれを収納するシリンダーキャビネットの設置数を少なくすることができる。よって、設備コストを十分に低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のガス供給装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】図１のガスパネルの内部構成図である。
【図３】従来のガス供給装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１ａ〜１ｃ…半導体製造装置、２…ガス供給装置、３ａ…第１ガスシリンダ、５ａ〜５ｃ…ガスパネル（流量調整手段）、６，７…第２ガスシリンダ。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a gas supply apparatus and method for supplying a gas to a semiconductor manufacturing apparatus such as a CVD apparatus.
[0002]
[Prior art]
In the process of manufacturing a semiconductor element, a film forming process such as a polysilicon film and a doped glass film (for example, PSG) is usually included, and a doping gas such as PH 3 or AsH 3 is used in the film forming process. . Each film forming step is usually performed by a separate semiconductor manufacturing apparatus (for example, a CVD apparatus), and a doping gas supply apparatus is installed for each semiconductor manufacturing apparatus.
[0003]
FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a conventional gas supply apparatus. As shown in FIG. 3, the gas supply apparatus is installed separately for each of the semiconductor manufacturing apparatuses 104a to 104c, and the gas supply apparatus generally stores a mixed gas formed by mixing a doping gas and a balance gas. The cylinder 100 and a flow rate adjusting device 102 connected to the gas cylinder 100 via a pipe 101 are configured. Since the gas cylinder 100 contains a highly toxic doping gas, it is usually stored in the cylinder cabinet 103. In the gas supply apparatus, the mixed gas having a specific doping gas concentration in the gas cylinder 100 is supplied from the cylinder cabinet 103 to the semiconductor manufacturing apparatus 104 at the same concentration through the pipe 101 and the flow rate adjustment apparatus 102. .
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, the above-described conventional gas supply apparatus has the following problems.
[0005]
That is, when a large number of semiconductor manufacturing apparatuses 104 are installed in a semiconductor factory, the required doping gas concentration and the kind of doping gas are usually different for each semiconductor manufacturing apparatus 104. For this reason, it is necessary to prepare gas cylinders having different doping gas concentrations and types of doping gas for each gas supply device, and it is necessary to install a number of cylinder cabinets 103 according to this. Here, since the cylinder cabinet 103 has a function of supplying a highly toxic doping gas safely and stably, it is generally very expensive. Therefore, if a large number of cylinder cabinets 103 are installed as described above, a large facility cost is required.
[0006]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a gas supply apparatus and method capable of sufficiently reducing the equipment cost when supplying a doping gas to a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses. And
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problems, the present invention is a gas supply device that supplies a doping gas to a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses, and has a concentration higher than the maximum doping gas concentration used in the plurality of semiconductor manufacturing apparatuses. At least one first gas cylinder storing at least one type of doping gas, at least one second gas cylinder storing at least one type of dilution gas, the doping gas from the first gas cylinder, and the second A flow rate adjusting means capable of adjusting and mixing the flow rate ratio of the dilution gas from the gas cylinder and supplying a different concentration or type of doping gas for each semiconductor manufacturing apparatus, and the at least one first 1 gas cylinder, characterized in that it is connected to the plurality of semiconductor manufacturing apparatuses.
[0008]
According to the present invention, the doping gas supplied from the first gas cylinder and the dilution gas supplied from the second gas cylinder can be adjusted to be mixed at an arbitrary flow rate ratio and mixed by the flow rate adjusting means. When supplying different concentrations or different types of doping gas for each apparatus, the number of first gas cylinders installed can be made smaller than the number of semiconductor manufacturing apparatuses installed, and as a result, a cylinder cabinet for housing the first gas cylinders can be provided. The number of installations can be reduced.
[0009]
The present invention is also a gas supply method for supplying a doping gas to a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses, wherein at least one doping gas having a concentration higher than a maximum doping gas concentration usable in the plurality of semiconductor manufacturing apparatuses. And adjusting the flow ratio of at least one type of dilution gas , supplying the at least one type of doping gas to the plurality of semiconductor devices, and providing different concentrations or types of doping gas for each semiconductor manufacturing apparatus. It is characterized by supplying.
[0010]
According to the present invention, since the doping gas and the dilution gas are mixed with the flow ratio adjusted, the doping gas is stored when supplying different concentrations or different types of doping gas for each semiconductor manufacturing apparatus. The number of gas cylinders installed can be made smaller than the number of semiconductor manufacturing apparatuses installed, and consequently the number of cylinder cabinets for storing the gas cylinders can be reduced.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
[0012]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a gas supply device of the present invention. In the present embodiment, a case where a doping gas is supplied to three semiconductor manufacturing apparatuses (deposition apparatuses such as CVD apparatuses) 1a to 1c will be described as an example.
[0013]
As shown in FIG. 1, the gas supply device 2 includes a cylinder cabinet 3 that houses a first gas cylinder 3a, and phosphine (PH 3 ) as a doping gas, for example, is stored in the first gas cylinder 3a. ing.
[0014]
The doping gas concentration is higher than the maximum doping gas concentration used in the semiconductor manufacturing apparatus 1. That is, in each of the semiconductor manufacturing apparatuses 1a to 1c, the doping gas concentration to be used is usually determined in advance, and the concentration differs among the semiconductor manufacturing apparatuses 1a to 1c. For example, the doping gas concentration is 1% in the semiconductor manufacturing apparatus 1a, 3% in the semiconductor manufacturing apparatus 1b, and 5% in the semiconductor manufacturing apparatus 1c. In this case, since the maximum doping gas concentration is 5%, the concentration of the doping gas stored in the doping gas cylinder 3a is higher than 5%. By setting the doping gas concentration in the first gas cylinder 3a to such a concentration, a doping gas having an arbitrary concentration can be supplied to the semiconductor manufacturing apparatuses 1a to 1c within a concentration range lower than the concentration. It becomes.
[0015]
Since the doping gas concentration used in the semiconductor manufacturing apparatuses 1a to 1c is generally low (usually 5% at most), it is sufficient that the doping gas concentration in the first gas cylinder 3a is 10%, 50% However, it is preferable that the doping gas concentration in the first gas cylinder 3a is 100%. In this case, unlike the case where a mixed gas of a doping gas and a balance gas (for example, hydrogen gas or nitrogen gas) is stored in the first gas cylinder 3a, the doping gas is used to stabilize the doping gas at a specific concentration. There is no need to wait for a while after mixing the balance gas, and there is no need to perform concentration analysis. For this reason, even if an order is made from a gas manufacturer, the doping gas cylinder 3a can be obtained immediately and at a lower cost.
[0016]
The first gas cylinder 3 a is connected to the gas panels 5 a to 5 c via the doping gas introduction line 4.
[0017]
Further, the gas supply device 2 includes second gas cylinders 6 and 7, nitrogen gas is stored in the second gas cylinder 6, and hydrogen gas is stored in the second gas cylinder 7. The second gas cylinder 6 is connected to the gas panels 5 a to 5 c via the nitrogen gas introduction line 8, and the second gas cylinder 7 is connected to the gas panels 5 a to 5 c via the hydrogen gas introduction line 9.
[0018]
The gas panels 5a to 5c are connected to the semiconductor manufacturing apparatuses 1a to 1c via the mixed gas supply lines 10a to 10c, respectively.
[0019]
FIG. 2 is an internal configuration diagram of the gas panel 5a. As shown in FIG. 2, in the gas panel 5a, the doping gas introduction line 4, the hydrogen gas introduction line 9, and the nitrogen gas introduction line 8 are connected to one mixed gas supply line 10a. Mass flow controllers 11a to 11c are connected to the line 4, the hydrogen gas introduction line 9, and the nitrogen gas introduction line 8, respectively. Therefore, it is possible to adjust the flow rate ratio of the doping gas and the hydrogen gas or nitrogen gas, mix them, and supply the mixed gas to the semiconductor manufacturing apparatus 1a via the mixed gas supply line 11a.
[0020]
Here, the mass flow controllers 11a to 11c are connected to the control device 14, and the control device 14 performs the flow rate and mass flow of gas passing through the mass flow controllers 11a to 11c based on a control signal output from the semiconductor manufacturing apparatus 1a. The ratio of gas flow rates between the controllers 11a to 11c is controlled.
[0021]
Further, the doping gas introduction line 4, the hydrogen gas introduction line 9 and the nitrogen gas introduction line 8 include filters 12a to 12c and open / close valves for removing dust in the upstream and downstream sides of the mass flow controllers 11a to 11c, respectively. 13a-13c are installed.
[0022]
FIG. 2 shows the internal configuration of the gas panel 5a. The gas panels 5b and 5c also have the same internal configuration, and the flow rate used for the gas supply device of the present invention by these gas panels 5a to 5c. Adjustment means is configured.
[0023]
Next, a gas supply method using the gas supply device 2 described above will be described.
[0024]
Here, a case where doping gases having different concentrations are supplied to each of the semiconductor manufacturing apparatuses 1a to 1c will be described. At this time, hydrogen gas is used as the dilution gas.
[0025]
First, as shown in FIG. 1, phosphine (PH 3 ) is introduced into each of the gas panels 5a to 5c from the first gas cylinder 3a through the doping gas introduction line 4. On the other hand, hydrogen gas is introduced from the second gas cylinder 7 through the hydrogen gas introduction line 7 into each of the gas panels 5a to 5c.
[0026]
For example, in the gas panel 5a, as shown in FIG. 2, the on-off valve 13c is closed, the on-off valves 13a and 13b are opened, and the flow rate ratio of phosphine and hydrogen gas is adjusted by the mass flow controllers 11a and 11b. At this time, a control signal related to the flow rate ratio of phosphine and hydrogen gas is output from the semiconductor manufacturing apparatus 1a to the control apparatus 14, and the control apparatus 14 controls the mass flow controllers 11a and 11b.
[0027]
As a result, a mixed gas having a phosphine concentration required by the semiconductor manufacturing apparatus 1a is supplied to the semiconductor manufacturing apparatus 1a through the mixed gas supply line 10a.
[0028]
On the other hand, in the same manner as described above, a mixed gas having a phosphine concentration different from the phosphine concentration supplied to the semiconductor manufacturing apparatus 1a is supplied to the semiconductor manufacturing apparatus 1b from the gas panel 5b through the mixed gas supply line 10b. A gas mixture having a phosphine concentration different from the phosphine concentration supplied to the semiconductor manufacturing apparatuses 1a and 1b is supplied from the gas panel 5c via the gas mixture supply line 10c.
[0029]
As described above, according to the gas supply method of this embodiment, the doping gas discharged from the first gas cylinder 3a is diluted with the dilution gas from the second gas cylinder 7 to thereby mix the mixed gas having an arbitrary doping gas concentration. Can be obtained. For this reason, when supplying doping gas of a different concentration for each of the semiconductor manufacturing apparatuses 1a to 1c, it is not necessary to make the number of the doping gas cylinders 3a the same as the number of the semiconductor manufacturing apparatuses 1a to 1c as in the prior art. The number of installed first gas cylinders 3a can be made smaller than the number of installed semiconductor manufacturing apparatuses 1a to 1c, and accordingly, the number of installed cylinder cabinets 3 for housing the first gas cylinders 3a can be reduced. it can. Here, since the cylinder cabinet 3 has a function of supplying a highly toxic doping gas safely and stably, it is generally very expensive. For this reason, when installing several semiconductor manufacturing apparatus 1a-1, an installation cost can fully be reduced by reducing the installation number of the cylinder cabinet 3 as mentioned above.
[0030]
The present invention is not limited to the embodiment described above. For example, in the above gas supply method, phosphine is diluted with hydrogen gas, but it may be diluted with nitrogen gas instead of hydrogen gas, or may be diluted with a mixed gas of hydrogen and nitrogen gas. In the above embodiment, phosphine is used, but arsine (AsH 3 ), diborane (B 2 H 6 ), hydrogen selenide (H 2 Se), boron trifluoride (BF 3 ) instead of phosphine. Alternatively, germane (GeH 4 ) or the like may be used, and two or more of these may be used in combination. In this case, the first gas cylinders 3a are installed in a number corresponding to the type of doping gas.
[0031]
Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where doping gas is supplied to the three semiconductor manufacturing apparatuses 1a-1c, it is not limited to this. In short, there may be a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses. However, the greater the number of semiconductor manufacturing apparatuses installed, the more effective the present invention.
[0032]
【The invention's effect】
As described above, according to the gas supply apparatus and gas supply method of the present invention, the doping gas and the dilution gas are mixed with the flow ratio adjusted, and different concentrations or different types of doping gases are used for each semiconductor manufacturing apparatus. In the case of supply, the number of gas cylinders for storing doping gas can be made smaller than the number of semiconductor manufacturing apparatuses, and the number of cylinder cabinets for storing them can be reduced. Therefore, the facility cost can be sufficiently reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a gas supply device of the present invention.
FIG. 2 is an internal configuration diagram of the gas panel of FIG.
FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing an example of a conventional gas supply device.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a-1c ... Semiconductor manufacturing apparatus, 2 ... Gas supply apparatus, 3a ... 1st gas cylinder, 5a-5c ... Gas panel (flow volume adjustment means), 6, 7 ... 2nd gas cylinder.

Claims (4)

複数の半導体製造装置にドーピングガスを供給するガス供給装置であって、
前記複数の半導体製造装置内において使用する最大のドーピングガス濃度よりも大きい濃度を有する少なくとも１種類のドーピングガスを貯留する少なくとも１つの第１ガスシリンダと、
少なくとも１種類の希釈ガスを貯留する少なくとも１つの第２ガスシリンダと、
前記第１ガスシリンダからの前記ドーピングガスと前記第２ガスシリンダからの前記希釈ガスの流量比を調整して混合し、個々の半導体製造装置ごとに異なる濃度又は種類のドーピングガスを供給することが可能な流量調整手段と、
を備え、前記少なくとも１つの第１ガスシリンダは前記複数の半導体製造装置に接続されていることを特徴とするガス供給装置。A gas supply device for supplying a doping gas to a plurality of semiconductor manufacturing devices,
At least one first gas cylinder storing at least one type of doping gas having a concentration higher than a maximum doping gas concentration used in the plurality of semiconductor manufacturing apparatuses;
At least one second gas cylinder storing at least one type of dilution gas;
Adjusting and mixing the flow rate ratio of the doping gas from the first gas cylinder and the dilution gas from the second gas cylinder, and supplying a different concentration or kind of doping gas for each semiconductor manufacturing apparatus. Possible flow adjustment means;
Wherein the at least one first gas cylinder gas supply system, characterized in that it is connected to the plurality of semiconductor manufacturing apparatuses. 前記第1ガスシリンダにおけるドーピングガスの濃度が１００％であることを特徴とする請求項１に記載のガス供給装置。  The gas supply apparatus according to claim 1, wherein the concentration of the doping gas in the first gas cylinder is 100%. 複数の半導体製造装置にドーピングガスを供給するガス供給方法であって、
前記複数の半導体製造装置で使用しうる最大のドーピングガス濃度よりも大きい濃度を有する少なくとも１種類のドーピングガスと、少なくとも１種類の希釈ガスの流量比を調整して混合し、前記少なくとも１種類のドーピングガスを前記複数の半導体装置に供給して個々の半導体製造装置ごとに異なる濃度又は種類のドーピングガスを供給することを特徴とするガス供給方法。A gas supply method for supplying a doping gas to a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses,
And at least one doping gas having a greater density than the maximum doping gas concentration that may be used in the plurality of semiconductor manufacturing devices, and mixed to adjust the flow rate ratio of at least one diluent gas, wherein the at least one A gas supply method comprising supplying a doping gas to the plurality of semiconductor devices and supplying a doping gas having a different concentration or type for each semiconductor manufacturing apparatus. 前記希釈ガスと混合するドーピングガスの濃度が１００％であることを特徴とする請求項１に記載のガス供給方法。  The gas supply method according to claim 1, wherein the concentration of the doping gas mixed with the dilution gas is 100%.
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