JP3717639B2

JP3717639B2 - Optical modulator module

Info

Publication number: JP3717639B2
Application number: JP19951097A
Authority: JP
Inventors: 嘉伸久保田; 康弘大森; 俊博大谷; 知幸伊藤
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1997-07-25
Filing date: 1997-07-25
Publication date: 2005-11-16
Anticipated expiration: 2017-07-25
Also published as: JPH1144867A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に、光源からの光を変調するための光変調器モジュールに関し、更に詳しくは、光パワーのモニタリングを行うための光変調器モジュールの構造に関する。
【０００２】
最近の光ファイバ通信システムにおいては、伝送速度の増大に伴い変調速度も増大している。レーザダイオードの直接強度変調では、波長チャーピングにより波形歪みを引き起こす。この問題を避けるために、外部変調器として使用される光変調器モジュールに対する期待が高まっている。
【０００３】
【従来の技術】
実用的な外部変調器として、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ₃）等の誘電体結晶基板を用いたマッハツェンダ型の光変調器（ＬＮ変調器）が開発されている。光源からの一定強度のキャリア光がＬＮ変調器に供給され、光の干渉を用いたスイッチング動作によって強度変調された光信号が得られる。
【０００４】
ＬＮ変調器チップは、Ｚカットされたリチウムナイオベート結晶からなる誘電体基板の表面に、チタンを熱拡散させて屈折率を高めることによりその両端部近傍でそれぞれ結合された一対の光導波路を形成し、その上にＳｉＯ₂からなるバッファ層を形成し、更にバッファ層の上に光導波路に対応して信号電極（進行波電極）及び接地電極を形成して構成される。
【０００５】
光導波路の一端から入射された信号光は分岐されて一対の光導波路を伝搬する。一方の光導波路上に形成された信号電極に駆動電圧を印加すると、電気光学効果により分岐された双方の信号光に位相差が生じる。
【０００６】
ＬＮ変調器では、これらの信号光を再び結合させて光信号出力として取り出す。一対の光導波路を伝搬する信号光の位相差を例えば０又はπになるように駆動電圧を印加すれば、オン／オフのパルス信号を得ることができる。
【０００７】
しばしば指摘されるＬＮ変調器の欠点は、温度ドリフト、ＤＣドリフトに起因する動作点シフトが生じることである。この動作点シフトに対処するために、ＬＮ変調器から出力される光のパワーがモニタされ、その結果得られる電気信号に基づいて動作点安定化のための制御が行われる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
光変調器が出力する光のパワーをモニタするためには、その一部を光カプラにより分岐し、分岐光を光検出器で受ければよい。しかしこの場合、光変調器から出力される光信号のパワーが小さくなり、また、部品点数が多くなって装置が大型化するという問題がある。
【０００９】
このような点に鑑み、導波路の結合部から放射される放射光（漏洩光）を導波路端面で光検出器を用いてモニタし、光検出器から出力される電気信号の変化に応じて、進行波電極（信号電極）に印加する入力電気信号の直流バイアスを変化させ、光変調器の動作点制御を行う技術が、例えば特開平３−１４５６２３号公報で提案されている。
【００１０】
しかし従来技術では、導波路端面に設けたフォトダイオードを搭載するチップキャリアにより、主信号光の一部が遮られることによる信号光の損失、及びフォトダイオードを搭載するチップキャリアのアライメントに多大の工数が発生していた。
【００１１】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、主信号光に損失を発生させることがなく、又モニタ用チップキャリアのアライメントの工数低減を実現することのできる光変調器モジュールを提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明によると、パッケージと；該パッケージ内に実装された変調器チップであって、電気光学効果を有する基板上に形成されたＹ分岐部及びＹ結合部を含むマッハツェンダ型光導波路と、該Ｙ結合部の下流側に該光導波路の両側に設けられ該Ｙ結合部から放射された放射光を該変調器チップの下方に導くＴｉ高ドープ領域と、該光導波路上に形成された進行波電極及び接地電極とを有する変調器チップと；該変調器チップの端面より放射された該放射光を受光する光検出器を搭載し、該Ｔｉ高ドープ領域により下方に導かれた該放射光に応じて該光検出器が該光導波路より下方の位置となるように前記パッケージ内に実装されたキャリアを備え、前記キャリアは、前記パッケージの底面及び２側面で位置決めされるとともに、前記基板の前記端面内である前記光導波路端面から放射される主信号光の光路を遮らないように切り欠いた構成であることを特徴とする光変調器モジュールが提供される。
【００１３】
光検知器を搭載するキャリアをパッケージの底面及び２側面で位置決めすることにより、キャリアのアライメントの工数低減を図ることができる。また、キャリアに切り欠きを設けたことにより、キャリアが主信号光の一部を遮ることによる主信号光の損失を防止することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１を参照すると、本発明が適用される光変調器モジュールの外観が示されている。この光変調器モジュールは、入力ポート２で受けた光を変調して、変調された光を出力ポート４から出力する。この実施形態では、ポート２及び４はそれぞれ光コネクタである。
【００１６】
この光変調器モジュールは、後述する変調器チップが内蔵されるパッケージ６を有している。パッケージ６の両端には、ポート２及び４をそれぞれパッケージ６と接続するためのピッグテール型のファイバアセンブリ８及び１０が設けられている。符号３，５は光ファイバを示している。
【００１７】
パッケージ６の一方の側面には、高速信号用のコネクタ１２及び１４が設けられており、他方の側面には低速信号用のコネクタ１６が設けられている。パッケージ６を図示しないケース等に固定するために、パッケージ６の底部には金具１８が固定されている。
【００１８】
図２を参照すると、パッケージ６内に内蔵される変調器チップ２０の平面図が示されている。変調器チップ２０は、誘電体チップ２２により提供されるマッハツェンダ型光導波路２４を有している。
【００１９】
誘電体チップ２２は例えばリチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ3 ）からなり、チタン（Ｔｉ）の熱拡散によって光導波路２４を形成している。光導波路２４はＹ分岐部２６と、Ｙ結合部２８を有している。Ｙ分岐部２６とＹ結合部２８の間で光導波路２４は一対の光導波路に分岐されている。
【００２０】
入力端３６に供給された信号光は、Ｙ分岐部２６で光パワーが実質的に二等分されてそれぞれの光導波路で導波される。この導波光はＹ結合部２８で結合されて、出射端３８から出射する。
【００２１】
一対の分岐光導波路を導波する光の位相差に応じて、出力端３８において出力ビームが得られる結合モードと、Ｙ結合部２８から誘電体チップ２２内に光が放射される放射モード（漏洩モード）とが切り換えられる。
【００２２】
分岐された信号光の間の位相を変化させるために、一方の光導波路上には信号電極３０が設けられており、他方の光導波路上及び誘電体チップ２２上には接地電極３２，３４が設けられている。
【００２３】
信号電極３０は進行波型に構成されており、その入力端はコネクタ１２の内部導体に接続され、出力端はコネクタ１４の内部導体に接続されている。また、コネクタ１２及び１４のシールド並びに接地電極３２，３４はパッケージ６を介して接地されている。
【００２４】
電極３０，３２，３４は、例えば金（Ａｕ）の蒸着により形成されている。図示はしないが、誘電体チップ２２と電極３０，３２，３４との間に温度安定化用のＳｉＯ₂バッファ層が設けられている。
【００２５】
Ｙ結合部２８の下流側には、Ｔｉドープ領域４０，４２が設けられている。Ｔｉドープ領域４０，４２は図３に示されるようにＹ結合部２８から放射された放射光を誘電体チップ２２の下方に導くために設けられている。
【００２６】
図３を参照すると、光ファイバ３からの信号光は非球面レンズ７により光導波路２４の入力端３６に結合される。一方、光導波路２４の出力端３８からの信号光ビーム４８は非球面レンズ９により光ファイバ５に結合される。
【００２７】
Ｙ結合部２８から放射された放射光はＴｉドープ領域４０により誘電体チップ２２の下方に導かれ、チップ端面から放射光ビーム５０として放射される。この放射光ビーム５０はチップキャリア４６上に搭載されたモニタ用フォトダイオード（ＰＤ）４４により受光される。
【００２８】
フォトダイオード４４から出力される電気信号の変化に応じて、図示しない信号制御回路により信号電極（進行波電極）３０に印加する電気信号の直流バイアスを変化させ、変調器チップ２０の動作点を制御する。
【００２９】
図４を参照すると、放射光分布に対するモニタ用フォトダイオード４４の受光領域４５の位置関係が示されている。図４において、２４は光導波路を、５０は放射光分布をそれぞれ示している。更に、４６はチップキャリアであり、４５はモニタ用フォトダイオード４４による受光領域を示している。
【００３０】
この図から明らかなように、放射光のモニタ領域４５は変調器チップ２０に対して相対的に下方に配置することができ、この位置で十分な受光感度を得ることができる。
【００３１】
次に、図５及び図６を参照して、本発明の光変調器モジュールの第１実施形態について説明する。パッケージ６の底面上には図２に示した変調器チップ２０が搭載されている。パッケージ６には変調器チップ２０からの出力光を取り出すための開口５２と、チップキャリア４６を搭載する凹部５４が形成されている。
【００３２】
パッケージ６の底面に凹部５４を形成したのは、取り扱い性の観点からチップキャリア４６にはある程度の大きさが必要であるが、このチップキャリア４６に搭載されたフォトダイオードチップ（ＰＤチップ）４４の高さを変調器チップ２０から出力される放射光の受光可能位置に一致させるためである。
【００３３】
チップキャリア４６はセラミックから形成されており、図５に見られるようにその表面上には金パターン５６が蒸着されている。ＰＤチップ４４と金パターン５６は金ワイヤ５８によりボンディング接続され、端子６０と金パターン５６とは金ワイヤ６２でボンディング接続されている。端子６０はコネクタ１６に接続される。
【００３４】
本実施形態では、チップキャリア４６の一部が断面概略台形状となるように、チップキャリア４６に切り欠き４６ａが形成されている。この切り欠き４６ａが形成されているために、変調器チップ２０から出力される主信号光をチップキャリア４６が遮ることがなく、チップキャリアに起因する主信号光の損失が防止される。切り欠き４６ａは主信号光を遮らないような形状であればどのような形状の切り欠きであってもよい。
【００３５】
また、パッケージ６の形状及びサイズに対するチップキャリア４６の形状及びサイズが予め選択されているため、チップキャリア４６はパッケージ６の底面及び２つの側面で位置決めすることができ、チップキャリア４６のアライメント工数を大幅に低減することができる。
【００３６】
図７を参照すると、本発明第２実施形態の平面図が示されている。図８は図７の８−８線断面図である。本実施形態はチップキャリア４６Ａを薄く形成し、変調器チップ２０の実装面とチップキャリア４６Ａの実装面を同一高さに設定した場合にも、チップキャリア４６Ａが変調器チップ２０から出力される主信号光を遮らないようにしたものである。
【００３７】
例えば、変調器チップ２０の高さを約１ｍｍとすると、チップキャリア４６Ａの厚さを約５００μｍ以下にするのが望ましい。チップキャリア４６Ａをこのように薄くすると取り扱い性がある程度阻害されるが、第１実施形態のようにパッケージ６に凹部５４を形成する必要がないので、パッケージ６の構造が簡略化される。
【００３８】
本実施形態においても、チップキャリア４６Ａが変調器チップ２０から出力される主信号光を遮ることがないのに加えて、チップキャリア４６Ａはパッケージ６の底面と２側面で位置決めされるため、チップキャリア４６Ａのアライメント工数を大幅に低減することができる。
【００３９】
図９を参照すると、本発明第３実施形態の平面図が示されている。図１０は図９の１０−１０線断面図である。本実施形態は、開口５２を画成するパッケージ６の側壁６ａを厚く形成し、チップキャリア４６Ｂの幅を約５００μｍ以下としたものである。
【００４０】
このように、パッケージの側壁６ａを厚く形成し、チップキャリア４６Ｂの幅を狭くした場合にも、上述した第１及び第２実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００４１】
【発明の効果】
本発明によれば、モニタ用フォトダイオードを搭載するキャリアの形状に起因する信号光の損失を防止することができ、キャリアをパッケージに搭載するときのアライメント工数の低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光変調器モジュールの外観を示す平面図である。
【図２】変調器チップの平面図である。
【図３】光変調器モジュールの概略構成を示す図である。
【図４】放射光分布に対するモニタ用ＰＤの位置関係を示す図である。
【図５】本発明第１実施形態の平面図である。
【図６】図５の６−６線断面図である。
【図７】本発明第２実施形態の平面図である。
【図８】図７の８−８線断面図である。
【図９】本発明第３実施形態の平面図である。
【図１０】図９の１０−１０線断面図である。
【符号の説明】
６パッケージ
２０変調器チップ
２４光導波路
２６光分岐部
２８光結合部
３０信号電極
３２，３４接地電極
４０，４２Ｔｉドープ領域
４４モニタ用ＰＤチップ
４６チップキャリア
４６ａ切り欠き[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention generally relates to an optical modulator module for modulating light from a light source, and more particularly to the structure of an optical modulator module for monitoring optical power.
[0002]
In recent optical fiber communication systems, the modulation rate has increased with the increase in transmission rate. In direct intensity modulation of a laser diode, waveform chirping causes waveform distortion. In order to avoid this problem, there is an increasing expectation for an optical modulator module used as an external modulator.
[0003]
[Prior art]
As a practical external modulator, a Mach-Zehnder type optical modulator (LN modulator) using a dielectric crystal substrate such as lithium niobate (LiNbO ₃ ) has been developed. Carrier light having a constant intensity from the light source is supplied to the LN modulator, and an optical signal whose intensity is modulated by a switching operation using optical interference is obtained.
[0004]
The LN modulator chip forms a pair of optical waveguides that are coupled in the vicinity of both ends of the dielectric substrate made of Z-cut lithium niobate crystal by thermally diffusing titanium to increase the refractive index. A buffer layer made of SiO ₂ is formed thereon, and a signal electrode (traveling wave electrode) and a ground electrode are formed on the buffer layer corresponding to the optical waveguide.
[0005]
The signal light incident from one end of the optical waveguide is branched and propagates through the pair of optical waveguides. When a driving voltage is applied to a signal electrode formed on one optical waveguide, a phase difference is generated between both signal lights branched by the electro-optic effect.
[0006]
In the LN modulator, these signal lights are combined again and taken out as an optical signal output. If a drive voltage is applied so that the phase difference of the signal light propagating through the pair of optical waveguides becomes, for example, 0 or π, an on / off pulse signal can be obtained.
[0007]
A drawback of the LN modulator often pointed out is that an operating point shift due to temperature drift and DC drift occurs. In order to cope with this operating point shift, the power of the light output from the LN modulator is monitored, and control for stabilizing the operating point is performed based on the electric signal obtained as a result.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
In order to monitor the power of the light output from the optical modulator, a part thereof may be branched by an optical coupler and the branched light may be received by a photodetector. However, in this case, there is a problem that the power of the optical signal output from the optical modulator is reduced, the number of parts is increased, and the apparatus is increased in size.
[0009]
In view of such a point, radiated light (leakage light) radiated from the coupling portion of the waveguide is monitored using a photodetector at the end face of the waveguide, and in response to a change in an electrical signal output from the photodetector. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 3-145623 proposes a technique for controlling the operating point of an optical modulator by changing a DC bias of an input electric signal applied to a traveling wave electrode (signal electrode).
[0010]
However, in the prior art, a large amount of man-hours are required for the loss of signal light due to a part of the main signal light being blocked by the chip carrier mounting the photodiode provided on the end face of the waveguide, and the alignment of the chip carrier mounting the photodiode. Had occurred.
[0011]
The present invention has been made in view of the above points, and the object of the present invention is not to cause loss in the main signal light and to realize reduction in the number of steps for alignment of the monitor chip carrier. It is to provide an optical modulator module that can.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
According to the present invention, package and; and a modulator chip mounted on the package, the Mach-Zehnder type optical waveguide including a Y branch portion formed on the substrate and a Y coupling portion having an electrooptic effect, said Y A Ti highly doped region provided on both sides of the optical waveguide downstream of the coupling portion and guiding the radiated light emitted from the Y coupling portion to the lower side of the modulator chip, and a traveling wave electrode formed on the optical waveguide and a modulator chip having a ground electrode; equipped with the modulator photodetector for receiving the radiation emitted from the end face of the chip, depending on the radiation guided downward by the Ti highly doped region photodetector comprises a carrier that is mounted on the package so that the position below the said optical waveguide Te, the carrier, while being positioned at the bottom and two sides of the package, before the substrate Optical modulator, characterized in that the said optical waveguide end face is within the end surface is configured to cut out so as not to block the light path of the main signal light to be emitted is provided.
[0013]
By positioning the carrier on which the photodetector is mounted on the bottom surface and the two side surfaces of the package, the number of steps for carrier alignment can be reduced. Further, by providing the carrier with a notch, it is possible to prevent loss of the main signal light due to the carrier blocking part of the main signal light.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Referring to FIG. 1, the appearance of an optical modulator module to which the present invention is applied is shown. This optical modulator module modulates the light received at the input port 2 and outputs the modulated light from the output port 4. In this embodiment, ports 2 and 4 are each optical connectors.
[0016]
This optical modulator module has a package 6 in which a modulator chip described later is built. At both ends of the package 6, pigtail type fiber assemblies 8 and 10 for connecting the ports 2 and 4 to the package 6 are provided. Reference numerals 3 and 5 denote optical fibers.
[0017]
High-speed signal connectors 12 and 14 are provided on one side surface of the package 6, and a low-speed signal connector 16 is provided on the other side surface. A metal fitting 18 is fixed to the bottom of the package 6 in order to fix the package 6 to a case or the like (not shown).
[0018]
Referring to FIG. 2, a plan view of the modulator chip 20 incorporated in the package 6 is shown. The modulator chip 20 has a Mach-Zehnder type optical waveguide 24 provided by a dielectric chip 22.
[0019]
Dielectric chip 22 is made of, for example, lithium niobate (LiNbO3), to form a result optical waveguide 24 to the thermal diffusion of titanium (Ti). The optical waveguide 24 has a Y branch portion 26 and a Y coupling portion 28. The optical waveguide 24 is branched into a pair of optical waveguides between the Y branch portion 26 and the Y coupling portion 28.
[0020]
The signal light supplied to the input end 36 is guided by the respective optical waveguides after the optical power is substantially bisected by the Y branch portion 26. The guided light is coupled by the Y coupling portion 28 and exits from the exit end 38.
[0021]
A coupling mode in which an output beam is obtained at the output end 38 in accordance with a phase difference of light guided through the pair of branch optical waveguides, and a radiation mode (leakage) in which light is emitted from the Y coupling portion 28 into the dielectric chip 22. Mode).
[0022]
In order to change the phase between the branched signal lights, a signal electrode 30 is provided on one optical waveguide, and ground electrodes 32 and 34 are provided on the other optical waveguide and on the dielectric chip 22. Is provided.
[0023]
The signal electrode 30 is a traveling wave type, and its input end is connected to the internal conductor of the connector 12 and its output end is connected to the internal conductor of the connector 14. The shields of the connectors 12 and 14 and the ground electrodes 32 and 34 are grounded via the package 6.
[0024]
The electrodes 30, 32, and 34 are formed, for example, by vapor deposition of gold (Au). Although not shown, a SiO ₂ buffer layer for temperature stabilization is provided between the dielectric chip 22 and the electrodes 30, 32, 34.
[0025]
Ti doped regions 40 and 42 are provided on the downstream side of the Y coupling portion 28. Ti doped regions 40 and 42 are provided to guide the radiated light emitted from the Y coupling portion 28 below the dielectric chip 22 as shown in FIG.
[0026]
Referring to FIG. 3, the signal light from the optical fiber 3 is coupled to the input end 36 of the optical waveguide 24 by the aspheric lens 7. On the other hand, the signal light beam 48 from the output end 38 of the optical waveguide 24 is coupled to the optical fiber 5 by the aspheric lens 9.
[0027]
The radiated light radiated from the Y coupling portion 28 is guided below the dielectric chip 22 by the Ti-doped region 40 and radiated as a radiated light beam 50 from the end face of the chip. The emitted light beam 50 is received by a monitoring photodiode (PD) 44 mounted on the chip carrier 46.
[0028]
The operating point of the modulator chip 20 is controlled by changing the DC bias of the electric signal applied to the signal electrode (traveling wave electrode) 30 by a signal control circuit (not shown) according to the change of the electric signal output from the photodiode 44. To do.
[0029]
Referring to FIG. 4, the positional relationship of the light receiving region 45 of the monitoring photodiode 44 with respect to the radiated light distribution is shown. In FIG. 4, 24 indicates an optical waveguide, and 50 indicates a radiation distribution. Reference numeral 46 denotes a chip carrier, and reference numeral 45 denotes a light receiving area by the monitoring photodiode 44.
[0030]
As is clear from this figure, the monitor area 45 of the emitted light can be disposed relatively below the modulator chip 20, and sufficient light receiving sensitivity can be obtained at this position.
[0031]
Next, a first embodiment of the optical modulator module of the present invention will be described with reference to FIGS. The modulator chip 20 shown in FIG. 2 is mounted on the bottom surface of the package 6. The package 6 is formed with an opening 52 for extracting output light from the modulator chip 20 and a recess 54 for mounting the chip carrier 46.
[0032]
The reason why the concave portion 54 is formed on the bottom surface of the package 6 is that the chip carrier 46 needs to have a certain size from the viewpoint of handleability, but the photodiode chip (PD chip) 44 mounted on the chip carrier 46 has a certain size. This is to make the height coincide with the position where the radiation light output from the modulator chip 20 can be received.
[0033]
The chip carrier 46 is made of ceramic, and a gold pattern 56 is deposited on the surface thereof as seen in FIG. The PD chip 44 and the gold pattern 56 are bonded by a gold wire 58, and the terminal 60 and the gold pattern 56 are bonded by a gold wire 62. Terminal 60 is connected to connector 16.
[0034]
In this embodiment, the notch 46a is formed in the chip carrier 46 so that a part of the chip carrier 46 has a substantially trapezoidal cross section. Since the notches 46a are formed, the main signal light output from the modulator chip 20 is not blocked by the chip carrier 46, and loss of the main signal light due to the chip carrier is prevented. The cutout 46a may be any cutout as long as it does not block the main signal light.
[0035]
Further, since the shape and size of the chip carrier 46 with respect to the shape and size of the package 6 are selected in advance, the chip carrier 46 can be positioned on the bottom surface and the two side surfaces of the package 6, and the alignment man-hours of the chip carrier 46 can be reduced. It can be greatly reduced.
[0036]
Referring to FIG. 7, a plan view of the second embodiment of the present invention is shown. 8 is a cross-sectional view taken along line 8-8 in FIG. In the present embodiment, even when the chip carrier 46A is formed thin and the mounting surface of the modulator chip 20 and the mounting surface of the chip carrier 46A are set to the same height, the chip carrier 46A is output from the modulator chip 20. The signal light is not blocked.
[0037]
For example, if the height of the modulator chip 20 is about 1 mm, the thickness of the chip carrier 46A is desirably about 500 μm or less. When the chip carrier 46A is thinned as described above, the handling property is hindered to some extent, but it is not necessary to form the recess 54 in the package 6 as in the first embodiment, so the structure of the package 6 is simplified.
[0038]
Also in this embodiment, since the chip carrier 46A does not block the main signal light output from the modulator chip 20, the chip carrier 46A is positioned on the bottom surface and the two side surfaces of the package 6, so that the chip carrier 46A alignment man-hours can be greatly reduced.
[0039]
Referring to FIG. 9, a plan view of a third embodiment of the present invention is shown. 10 is a cross-sectional view taken along line 10-10 of FIG. In the present embodiment, the side wall 6a of the package 6 that defines the opening 52 is formed thick, and the width of the chip carrier 46B is about 500 μm or less.
[0040]
As described above, even when the package sidewall 6a is formed thick and the width of the chip carrier 46B is narrowed, the same effects as those of the first and second embodiments described above can be obtained.
[0041]
【The invention's effect】
According to the present invention, loss of signal light due to the shape of the carrier on which the monitoring photodiode is mounted can be prevented, and the number of alignment steps when mounting the carrier on the package can be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing an external appearance of an optical modulator module.
FIG. 2 is a plan view of a modulator chip.
FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of an optical modulator module.
FIG. 4 is a diagram showing a positional relationship of a monitor PD with respect to a radiation distribution.
FIG. 5 is a plan view of the first embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view taken along line 6-6 of FIG.
FIG. 7 is a plan view of a second embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view taken along line 8-8 in FIG.
FIG. 9 is a plan view of a third embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view taken along line 10-10 of FIG.
[Explanation of symbols]
6 Package 20 Modulator chip 24 Optical waveguide 26 Optical branching portion 28 Optical coupling portion 30 Signal electrodes 32 and 34 Ground electrodes 40 and 42 Ti doped region 44 PD chip for monitoring 46 Chip carrier 46a Notch

Claims

パッケージと；
該パッケージ内に実装された変調器チップであって、電気光学効果を有する基板上に形成されたＹ分岐部及びＹ結合部を含むマッハツェンダ型光導波路と、該Ｙ結合部の下流側に該光導波路の両側に設けられ該Ｙ結合部から放射された放射光を該変調器チップの下方に導くＴｉ高ドープ領域と、該光導波路上に形成された進行波電極及び接地電極とを有する変調器チップと；
該変調器チップの端面より放射された該放射光を受光する光検出器を搭載し、該Ｔｉ高ドープ領域により下方に導かれた該放射光に応じて該光検出器が該光導波路より下方の位置となるように前記パッケージ内に実装されたキャリアを備え、
前記キャリアは、前記パッケージの底面及び２側面で位置決めされるとともに、前記基板の前記端面内である前記光導波路端面から放射される主信号光の光路を遮らないように切り欠いた構成であることを特徴とする光変調器モジュール。With package;
A modulator chip mounted in the package, the Mach-Zehnder type optical waveguide including a Y-branch portion and a Y-coupling portion formed on a substrate having an electro-optic effect, and the optical waveguide downstream of the Y-coupling portion. A modulator having a Ti highly doped region provided on both sides of a waveguide and guiding radiation emitted from the Y-coupled portion below the modulator chip, and a traveling wave electrode and a ground electrode formed on the optical waveguide With chips;
Equipped with a photodetector for receiving the radiation emitted from the end face of the modulator chip, the photodetector in response to the emitted light guided downward by the Ti highly doped region from said optical waveguide Comprising a carrier mounted in the package to be in a lower position ;
Said carrier while being positioned at the bottom and two sides of the package, a configuration in which notched so as not to block the light path of the main signal light emitted from the optical waveguide end face is within the end face of the substrate An optical modulator module.

前記パッケージの底面は所定深さの凹部を有しており、前記キャリアは該凹部上に実装されていることを特徴とする請求項１記載の光変調器モジュール。 2. The optical modulator module according to claim 1, wherein a bottom surface of the package has a recess having a predetermined depth, and the carrier is mounted on the recess.

前記キャリアはセラミックから形成されていることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の光変調器モジュール。The optical modulator module according to any of claims 1-2 wherein the carrier is characterized in that it is formed of ceramic.