JP3716856B2 - 光学記録媒体 - Google Patents
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Description
光学記録媒体の一例としては光ディスクを挙げることができる。
一般に、光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い記録層に、1μm程度に収束したレーザー光を照射し、高密度の情報を記録するものである。その光ディスクの中でも最近注目を集めているものに、書き込み型コンパクトディスク(CD−R)がある。CD−Rは通常、案内溝を有するプラスチック基板上に色素を主成分とする記録層、金属反射膜、保護膜を順次積層して構成される。情報の記録は、照射されたレーザー光エネルギーの吸収によって、その箇所の記録層、反射層または基板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成することにより行われ、また、記録された情報の再生は、レーザー光により変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読み取ることにより行われる。したがって、光学記録媒体としてはレーザー光のエネルギーを効率よく吸収する必要があり、レーザー吸収色素が用いられる。
すなわち本発明は、基板上にレーザーによる情報の書き込み及び/又は読み取りが可能な記録層が設けられた光学記録媒体において、該記録層が下記一般式(I)
ピークとを含む複数の吸収ピークを有し、前記記録層で反射率変化を生じて情報を記録する記録光の波長と前記記録層の複数の吸収ピークの内の所定のサブ吸収ピークに対応した波長とが実質的に等しい場合を除く)、及び、少なくとも基板上に記録層が設けられており、レーザー照射により熱的変化を生じさせることにより情報の書き込みが行われる光学記録媒体において、該記録層が上記一般式(I)(式中、R 1 〜R 4 は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香環又は複素環を表わし(但し、R 1 〜R 4 のうち、いずれかはピリジン環であるが、R 1 〜R 4 のすべてがピリジン環である場合を除く。)、X 1 〜
X 8 はそれぞれ独立して水素原子又はハロゲン原子を表わし、Mは水素原子又は金属を表
わす。)で示されるポルフィリン系化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体、をその要旨とする。
本発明におけるポルフィリン系化合物は400〜500nmの青色光領域にモル吸光係数が大きく、シャープな吸収(Soret帯)を有し、青色レーザーでの記録に適する。またポルフィリン化合物の中では合成が比較的容易であることから、安価な光記録媒体を提供することができる。さらに高い光安定性、耐熱性を有し、安定性が要求される光記録媒体に好適である。
前記一般式(I)において、R1〜R4で表わされる置換されていてもよい芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、インデン環、アズレン環、フルオレン環等が、複素環としては、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピラン環、ベンゾフラン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンズイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、キノリン環、クマリン環、キノキサリン環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェノチアジン環等が挙げられるが、特にピリジン環、チオフェン環が好ましい。
ノイル基等の炭素数2〜21の直鎖または分岐のアルキルカルボニル基;ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等の炭素数2〜20の直鎖または分岐のアルケニル基又は対応するアルケニルオキシ基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数3〜10のシクロアルケニル基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子;ホルミル基;ヒドロキシル基;カルボキシル基;ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数1〜20のヒドロキシアルキル基;メトキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニル基、sec−ブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、n−ヘキシルオキシカルボニル基等の置換されていてもよい炭素数2〜21の直鎖または分岐のアルコキシカルボニル基;メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカルボニルオキシ基、トリフルオロエチルカルボニルオキシ基、tert−ブチルカルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、n−ペンチルカルボニルオキシ基、n−ヘキシルカルボニルオキシ基等の置換されていてもよい炭素数2〜21の直鎖または分岐のアルキルカルボニルオキシ基;ニトロ基;シアノ基;アミノ基;メチルアミノ基、エチルアミノ基、n−プロピルアミノ基、n−ブチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−n−プロピルアミノ基、ジ−iso−プロピルアミノ基、ジ−n−ブチルアミノ基、ジ−sec−ブチルアミノ基等の直鎖または分岐の炭素数1〜20のアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基;トリメチルアミノ基、トリエチルアミノ基等の炭素数3〜9のトリアルキルアミノ基;メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、n−プロポキシエチル基、n−プロポキシプロピル基、イソプロポキシメチル基、イソプロポキシエチル基等の炭素数2〜21の直鎖または分岐のアルコキシアルキル基;メトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルエチル基、n−プロポキシカルボニルエチル基、n−プロポキシカルボニルプロピル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基等の炭素数3〜22の直鎖または分岐のアルコキシカルボニルアルキル基;メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、n−ブチルチオ基、tert−ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、n−ペンチルチオ基、n−ヘキシルチオ基等の炭素数1〜20の直鎖または分岐のアルキルチオ基;メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フルオロエチルスルホニル基、n−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、n−ブチルスルホニル基、tert−ブチルスルホニル基、sec−ブチルスルホニル基、n−ペンチルスルホニル基、n−ヘキシルスルホニル基等の置換されていてもよい炭素数1〜20の直鎖または分岐のアルキルスルホニル基;置換基を有していてもよいフェニル基;置換基を有していてもよいフェノキシ基;置換基を有していてもよいフェニルチオ基;−CR5=C(CN)R6(R5は水素原子、または炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基を表わし、R6はシアノ基または前記炭素数2〜7の直鎖または分岐のアルコキシカルボニル基、炭素数2〜7の直鎖または分岐のフッ化アルコキシカルボニル基を表わす。);トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロ−n−プロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、パーフルオロ−n−ブチル基、パーフルオロ−tert−ブチル基、パーフルオロ−sec−ブチル基、パーフルオロ−n−ペンチル基、パーフルオロ−n−ヘキシル基等の炭素数1〜20の直鎖または分岐のフルオロアルキル基;トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、ヘプタフルオロ−n−プロポキシ基、ヘプタフルオロイソプロポキシ基、パーフルオロ−n−ブトキシ基、パーフルオロ−tert−ブトキシ基、パーフルオロ−sec−ブトキシ基、パーフルオロ−n−ペンチルオキシ基、パーフルオロ−n−ヘキシルオキシ基、ブロモドデシルオキシ基等炭素数1〜20の直鎖または分岐のハロアルコキシ基;トリフルオロメチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、ヘプタフルオロ−n−プロピルチオ基、ヘプタフルオロイソプロピルチオ基、パーフルオロ−n−ブチルチオ基、パーフルオロ−tert−ブチルチオ基、パーフルオロ−sec−ブチルチオ基、パーフルオロ−n−ペンチルチオ基、パーフルオロ−n−ヘキシルチオ基等の炭素数1〜20の直鎖または分岐のハロアルキルチオ基等が挙げられ、置換数は1個でも複数でも構わない。また上記芳香環がピリジン環等の場合、上記置換基の置換位置はオルト位、またはメタ位が好ましい。
また、上記R1〜R4がピロール環、ピリジン環等の窒素含有複素環の場合、上記置換基は窒素原子を四級化する形で導入されていてもよい。その場合の対イオンはアニオンであれば特に制限されないが、トリアルキルアミノ基の対イオンと同様のアニオン等が挙げられる。
前記一般式(I)において、Mとしては水素原子、または金属原子が挙げられる。金属原子としては、Mg、Al、Si、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Ba、Pr、Eu、Yb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、Th等一般にポルフィリン系化合物に配位する能力のある金属なら特に制限はない。特に、Mg、Al、Si、Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Pd、In、Sn、Pb等が好ましい。また、Fe、In、Sn等の金属の場合は、軸配位子としてF-、Cl-、B-、I-等のハロゲンイオン;OR-、NCS-、N3 -、OH-、CN-、CH3COO-、CF3COO-、BF4 -、PF6 -、ClO4 -、トシルオキシ、フェノキシ等のアニオン;ピリジン、イミダゾール等の塩基;NO、CO、O2等のガス;水を有していてもよい。ここでRはメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基、sec−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基等の炭素数1〜10の直鎖または分岐のアルキル基を表わす。
前記一般式(I)で示されるポルフィリン系化合物の無金属体は例えば下記一般式(II)で示されるアルデヒド誘導体と下記一般式(III)で示されるピロール誘導体をプロピオン酸等の有機溶媒中で加熱することにより合成することが出来る。アルデヒド誘導体を2種類以上用いると混合物が得られるのでカラム等で分離、精製を行なうことにより、所定の置換体が得られる。
上記方法にて合成した無金属ポルフィリン化合物を酢酸、N,N−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、エーテル、クロロホルム、ピリジン等の有機溶媒中でハロゲン化物、酢酸
塩、金属アセチルアセトナート錯体、金属カルボニル錯体等の金属塩と加熱することにより中心金属Mを導入したポルフィリン系化合物が合成される。
本発明の光学記録媒体は、基本的には、少なくとも基板と前記ポルフィリン系化合物を含む記録層とから構成されるものであるが、さらに必要に応じて基板上に下引き層を設けることができる。
記録層の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等一般に行われている薄膜形成法で成膜することができるが、量産性、コスト面からスピナー法が好ましい。
また、記録層の安定や耐光性向上のために、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物(たとえば、アセチルアセトナート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等のキレート)等や、記録感度向上のために金属系化合物等の記録感度向上剤を含有していてもよい。ここで金属系化合物とは、遷移金属等の金属が原子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれるものを言い、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメチン系錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロリン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキシム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯体、メタロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有機金属化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定されないが、遷移金属であることが好ましい。
、その箇所の記録層、反射層または基板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形を伴いピットが形成されるならば特に制限されない。
ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法、特にスピナー法等の塗布方法により記録層を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない溶媒なら特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコール、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、n−ヘキサン、n−オクタン等の炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、n−ブチルシクロヘキサン、t−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の炭化水素系溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系溶媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶媒等が挙げられる。
金属反射層は、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等によって成膜される。なお、金属反射層と記録層の間に層間の密着力を向上させるため、または、反射率を高める等の目的で中間層を設けてもよい。
また、接着層を介して貼りあわせ両面記録型光記録媒体としてもよいし、記録層を基板の両面に設けてもよいし、片面に設けてもよい。
本発明の光学記録媒体に使用されるレーザー光は高密度記録のため波長は短いほど好ましいが、特に350nm〜530nmのレーザー光が好ましい。かかるレーザーの代表例としては、中心波長410nm、545nmのレーザーが挙げられる。
実施例1
(a)ポルフィリン化合物の合成
イソニコチンアルデヒド10.7g(100mmol)のプロピオン酸350ml溶液を撹拌、還流し、その中へピロール6.71g(100mmol)をゆっくり滴下した。1時間還流後、放冷して析出する結晶をろ別し、アルミナカラムで精製すると下記構造式(V)で示される5,10,15,20−テトラ(4−ピリジル)ポルフィリン1.79g(収率11.6%)が得られた。
す。
構造式(V)で示されるポルフィリン化合物の1重量%オクタフルオロペンタノール溶液を調製し、ろ過して、溶解液を得た。この溶液を直径120mm、厚さ1.2mmの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布した。塗布後、100℃で30分間乾燥した。次に、この塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚1000Åの銀膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み5μmの保護層を形成した。
得られた光記録媒体の488nmにおける反射率は55%であった。
(c)光記録法
上記光記録媒体に、中心波長488nmのアルゴンレーザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成することが出来た。
(a)ポルフィリン化合物の合成
イソニコチンアルデヒド4.07g(38mmol)、p−トルアルデヒド13.5g(112mmol)のプロピオン酸500ml溶液を撹拌、還流し、その中へピロール10.1g(150mmol)をゆっくり滴下した。1時間還流後、放冷して析出する結晶をろ別し、シリカゲルカラムで精製すると下記構造式(VI)で示される5,10,15−トリ(4−トリル)−20−(4−ピリジル)ポルフィリン0.50g(収率2.0%)が得られた。
す。
構造式(VII)で示されるポルフィリン化合物の1重量%オクタフルオロペンタノール溶液を用い、実施例1と同様にポリカーボネート樹脂基板上に塗布し、次いで反射層、保護層を形成した。
塗布膜の最大吸収波長は435nmであった。塗布膜の可視部吸収スペクトルを図4に示す。
得られた光記録媒体の488nmにおける反射率は60%であった。
(c)光記録法
上記光記録媒体に、中心波長488nmのアルゴンレーザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成することが出来た。
(a)ポルフィリン化合物の合成
構造式(VI)で示される化合物0.13g(0.20mmol)、ファルネシルブロミド0.48g(1.68mmol)、N,N−ジメチルホルムアミド120mlの混合溶液を窒素雰囲気下で3時間加熱、還流した。放冷後、溶媒を減圧下除去し、シリカゲルカラムで精製すると、下記構造式(VIII)で示される5,10,15−トリ(4−トリル)−20−〔4−N−ファルネシルピリジル〕ポルフィリン、ブロミド0.019g(収率10.2%)が得られた。
す。
構造式(VIII) で示されるポルフィリン化合物の1重量%オクタフルオロペンタノール溶液を用い、実施例1と同様にポリカーボネート樹脂基板上に塗布し、次いで反射層、保護層を形成した。
塗布膜の最大吸収波長は433nmであった。塗布膜の可視部吸収スペクトルを図6に示す。
得られた光記録媒体の488nmにおける反射率は62%であった。
(c)光記録法
上記光記録媒体に、中心波長488nmのアルゴンレーザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成することが出来た。
(a)ポルフィリン化合物の合成
構造式(VI)で示される化合物0.13g(0.20mmol)、11−ブロモウンデカン酸メチル0.56g(2.0mmol)、N,N−ジメチルホルムアミド120mlの混合溶液を窒素雰囲気下で3時間加熱、還流した。放冷後、溶媒を減圧下除去し、シリカゲルカラムで精製すると、下記構造式(IX)で示される5,10,15−トリ(4−トリル)−20−〔4−(10−カルボメトキシ)デシルピリジル〕ポルフィリン、ブロミド0.16g(収率85.4%)が得られた。
構造式(IX)で示されるポルフィリン化合物の1重量%オクタフルオロペンタノール溶液を用い、実施例1と同様にポリカーボネート樹脂基板上に塗布し、次いで反射層、保護層を形成した。
塗布膜の最大吸収波長は436nmであった。
得られた光記録媒体の488nmにおける反射率は60%であった。
(c)光記録法
上記光記録媒体に、中心波長488nmのアルゴンレーザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成することが出来た。
(a)ポルフィリン化合物の合成
ニコチンアルデヒド10.7g(100mmol)のプロピオン酸350ml溶液を撹拌、還流し、ピロール6.71g(100mmol)をゆっくり滴下した。1時間還流後、放冷して析出する結晶をろ別し、アルミナカラムで精製すると下記構造式(X)で示される5,10,15,20−テトラ(3−ピリジル)ポルフィリン1.85g(収率12.0%)が得られた。
構造式(X)で示されるポルフィリン化合物の1重量%オクタフルオロペンタノール溶
液を用い、実施例1と同様にポリカーボネート樹脂基板上に塗布し、次いで反射層、保護層を形成した。
塗布膜の最大吸収波長は431nmであった。
得られた光記録媒体の488nmにおける反射率は55%であった。
(c)光記録法
上記光記録媒体に、中心波長488nmのアルゴンレーザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成することが出来た。
(a)ポルフィリン化合物の合成
イソニコチンアルデヒド8.14g(76mmol)、p−トルアルデヒド9.0g(76mmol)のプロピオン酸500ml溶液を撹拌、還流し、ピロール10.1g(150mmol)をゆっくり滴下した。1時間還流後、放冷して析出する結晶をろ別し、アルミナカラムで精製すると下記構造式(XI)で示される5,10−ジ(4−トリル)−15,20−ジ(4−ピリジル)ポルフィリン及び(XII)で示される5,15−ジ(4−トリル)−10,20−ジ(4−ピリジル)ポルフィリン1.38g(収率5.7%)が得られた。
構造式(XI),(XII) で示されるポルフィリン化合物(混合物)の1重量%オクタフルオロペンタノール溶液を用い、実施例1と同様にポリカーボネート樹脂基板上に塗布し、次いで反射層、保護層を形成した。
塗布膜の最大吸収波長は430nmであった。
得られた光記録媒体の488nmにおける反射率は56%であった。
(c)光記録法
上記光記録媒体に、中心波長488nmのアルゴンレーザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成することが出来た。
(a)ポルフィリン化合物の合成
ニコチンアルデヒド4.07g(38mmol)、p−トルアルデヒド13.5g(112mmol)のプロピオン酸500ml溶液を撹拌、還流し、ピロール10.1g(150mmol)をゆっくり滴下した。1時間還流後、放冷して析出する結晶をろ別し、シ
リカゲルカラムで精製すると下記構造式(XIII)で示される5,10,15−トリ(4−トリル)−20−(3−ピリジル)ポルフィリン0.79g(収率3.2%)が得られた。
構造式(XIV)で示されるポルフィリン化合物の1重量%オクタフルオロペンタノール溶液を使用し、実施例1と同様にポリカーボネート樹脂基板上に塗布し、次いで反射層、保護層を形成した。
塗布膜の最大吸収波長は433nmであった。
得られた光記録媒体の488nmにおける反射率は65%であった。
(c)光記録法
上記光記録媒体に、中心波長488nmのアルゴンレーザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成することが出来た。
(a)ポルフィリン化合物の合成
ピコリンアルデヒド4.07g(38mmol)、p−トルアルデヒド13.5g(112mmol)のプロピオン酸500ml溶液を撹拌、還流し、ピロール10.1g(150mmol)をゆっくり滴下した。1時間還流後、放冷して析出する結晶をろ別し、シリカゲルカラムで精製すると下記構造式(XV)で示される5,10,15−トリ(4−トリル)−20−(2−ピリジル)ポルフィリン0.88g(収率3.6%)が得られた。
構造式(XVI)で示されるポルフィリン化合物の1重量%オクタフルオロペンタノール溶液を使用し、実施例1と同様にポリカーボネート樹脂基板上に塗布し、次いで反射層、保護層を形成した。
塗布膜の最大吸収波長は430nmであった。
得られた光記録媒体の488nmにおける反射率は64%であった。
(c)光記録法
上記光記録媒体に、中心波長488nmのアルゴンレーザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成することが出来た。
(a)ポルフィリン化合物の合成
イソニコチンアルデヒド4.07g(38mmol)、2−チオフェンカルボキシアルデヒド12.6g(112mmol)のプロピオン酸500ml溶液を撹拌、還流し、ピロール10.1g(150mmol)をゆっくり滴下した。1時間還流後、放冷して析出する結晶をろ別し、シリカゲルカラムで精製すると下記構造式(XVII)で示される5,10,15−トリ(2−チエニル)−20−(4−ピリジル)ポルフィリン0.37g(収率1.5%)が得られた。
構造式(XVIII)で示されるポルフィリン化合物の1重量%オクタフルオロペンタノール溶液を用い、実施例1と同様にポリカーボネート樹脂基板上に塗布し、次いで反射層、保護層を形成した。
塗布膜の最大吸収波長は439nmであった。
得られた光記録媒体の488nmにおける反射率は62%であった。
(c)光記録法
上記光記録媒体に、中心波長488nmのアルゴンレーザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成することが出来た。
実施例1と同様にして表−1に示す化合物を合成した。その最大吸収波長、分子吸光係数(ε)を示す。
得られた光学記録媒体に、中心波長488nmのアルゴンレーザーを用いて記録を行ったところ、いずれも良好な記録ピットを形成することが出来た。
Claims (6)
- 少なくとも基板上にレーザーによる情報の書き込み及び/または読み取りが可能な記録層が設けられた光学記録媒体の書き込み方法において、該記録層が下記一般式(I)で示されるポルフィリン系化合物を含有しており、情報の書き込みが該記録層の熱的変形により行われることを特徴とする光学記録媒体の書き込み方法(但し、前記記録層の光の吸収スペクトルが最大吸収ピークと前記最大吸収ピークよりも小さい少なくとも1つのサブ吸収ピ
ークとを含む複数の吸収ピークを有し、前記記録層で反射率変化を生じて情報を記録する記録光の波長と前記記録層の複数の吸収ピークの内の所定のサブ吸収ピークに対応した波長とが実質的に等しい場合を除く)。
- 書き込み及び読み取りのレーザー波長がともに350nm〜530nmであることを特徴とする請求項1に記載の光学記録媒体の書き込み方法。
- 一般式(I)において、R 1 〜R 4 は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香環又は複素環を表わし(但し、R 1 〜R 4 のうちいずれか1つがピリジン環である。)、X 1 〜X 8 は、それぞれ独立して、水素原子又はハロゲン原子を表わし、Mは、水素原子又は金属を表わすことを特徴とする請求項4又は5に記載の光学記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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