JP3716555B2

JP3716555B2 - Multi-cut wire saw work cutting method

Info

Publication number: JP3716555B2
Application number: JP15255497A
Authority: JP
Inventors: 健一中浦
Original assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Current assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date: 1997-06-10
Filing date: 1997-06-10
Publication date: 2005-11-16
Anticipated expiration: 2017-06-10
Also published as: JPH10340868A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はマルチ切断ワイヤソーの被加工物切断方法に係り、特に種類の異なる複数の被加工物を同時に切断するマルチ切断ワイヤソーの被加工物切断方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
インゴットの切断装置の一つとしてワイヤソーがある。ワイヤソーは、高速走行するワイヤ列にインゴットを押し付け、その接触部にスラリを供給することによりインゴットを多数のウェーハに切断する装置である。
このワイヤソーでは、通常、一回の切断に対して一本のインゴットを切断するが、近年、その切断効率を上げるために、マルチ切断と呼ばれる多数本のインゴットを同時に切断する切断方法が採用されている。
【０００３】
マルチ切断は、図７に示すように、複数本のインゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃ（図では３本）をスライスベースＳａ、Ｓｂ、Ｓｃを介してマウンティングプレートＭに直列状態で接着し、これをワイヤソーに装着することによって複数本同時に切断する切断方法である。この方法によれば、複数本のインゴットをまとめて切断することができるため、効率的にインゴットを切断することができる。
【０００４】
ところで、ワイヤソーでインゴットを切断すると、その切断されるウェーハは全てスライスベースに接着された状態で切り出される。したがって、ワイヤソーによる切断後は、そのスライスベースに接着されたウェーハを全てスライスベースから剥離して枚葉化する必要がある。
従来の剥離方法としては、切断したウェーハを熱水中に浸漬させることによってウェーハをスライスベースから剥離する方法（自然剥離法）があり、この場合、一度に全てのウェーハがスライスベースから剥離し、熱水槽内に設置したカセット内に回収されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の剥離方法でマルチ切断したウェーハを剥離すると、一度に全てのウェーハが剥離されてしまうため、剥離したウェーハがカセット内で混入し、各ロット間の区別が付かなくなってしまうという問題があった。
本発明は、このような事情を鑑みてなされたもので、種類の異なる複数の被加工物をワイヤソーで切断する場合に、切断後に各種のウェーハを混合させることなく回収することができるマルチ切断ワイヤソーの被加工物切断方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記目的を達成するために、種類の異なる被加工物をスライスベースを介してマウンティングプレートに直列状態で接着し、そのマウンティングプレートをワークフィードテーブルに装着し、該ワークフィードテーブルを走行するワイヤ列に向けて送り出すことにより前記複数の被加工物を前記ワイヤ列に押し当てて多数のウェーハに切断するマルチ切断ワイヤソーの被加工物切断方法において、前記複数の被加工物の間を仕切る仕切材をスライスベースを介して前記マウンティングプレートに接着し、該マウンティングプレートを前記ワークフィードテーブルに装着して、前記複数の被加工物を前記仕切材ごと同時に切断し、切断後、前記マウンティングプレートを前記ワークフィードテーブルから取り外して、切断された全てのウェーハ及び仕切材を熱水又は薬液中に浸漬させて前記スライスベースから同時に剥離し、前記スライスベースから剥離した仕切材によって、前記スライスベースから剥離したウェーハを種類別に仕切ることを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、各被加工物の間に設置された仕切材は、被加工物とともに走行するワイヤ列によって切断される。そして、切断後にウェーハとともに熱水又は薬液中に浸漬されることにより、そのウェーハとともにスライスベースから剥離される。したがって、剥離後もウェーハは、この仕切材によって仕切られた状態にあるため、種類が異なるウェーハ同志の区別が付かなくなることはない。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下添付図面に従って本発明に係るマルチ切断ワイヤソーの被加工物切断方法の好ましい実施の形態について詳説する。
まず、ワイヤソーの構成について説明する。ワイヤソーは、所定ピッチで張架さたワイヤ列を高速走行させ、その高速走行するワイヤ列にスラリ（砥粒に液体を加えた懸濁状の加工液）を供給しながら被加工物を押し付けることにより、被加工物を多数枚のウェーハに切断する。
【０００９】
図１はワイヤソーの全体構成図である。同図に示すように、ワイヤリール１２に巻かれたワイヤ１４は、複数のガイドローラ１６、１６、…で形成されるワイヤ走行路を通って３本の溝付きローラ１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃに巻き掛けられる。そして、この３本の溝付きローラ１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃでワイヤ列２０を形成したのち、該ワイヤ列２０を挟んで左右対称に形成された他方側のワイヤ走行路を通って図示しないワイヤリールに巻き取られる。
【００１０】
前記ワイヤ列２０の両側に形成されるワイヤ走行路には、それぞれワイヤ案内装置２２、ダンサローラ２４及びワイヤ洗浄装置２６が配設されている（一方側のみ図示）。ワイヤ案内装置２２は、ワイヤリール１２からワイヤ１４を一定ピッチでガイドし、また、ダンサローラ２４は、走行するワイヤ１４に一定の張力を付与する。また、ワイヤ洗浄装置２６は、加工時に付着したスラリをワイヤ１４から除去する。
【００１１】
前記一対のワイヤリール１２及び３本のうち１本の溝付ローラ１８Ｃには、それぞれモータ（図示せず）が連結されており、前記ワイヤ１４は、このモータを駆動することにより前記一対のワイヤリール１２間を高速走行する。
前記ワイヤ列２０の上方には、ワイヤ列２０に対して垂直に昇降移動するワークフィードテーブル２８が設置されている。このワークフィードテーブル２８の下部には、被加工物であるインゴットＩを保持する保持装置３０が設けられており、インゴットＩは、この保持装置３０の下部にマウンティングプレートを介して装着される。
【００１２】
以上のように構成されたワイヤソー１０において、インゴットＩは次のように切断される。まず、インゴットＩ（ここでは、１本）が取り付けられたマウンティングプレートをワークフィードテーブル２８の保持装置３０に装着する。装着後、モータを駆動してワイヤを高速走行させる。次に、ワークフィードテーブル２８をワイヤ列２０に向けて下降させ、高速走行するワイヤ列２０にインゴットＩを押し当てる。そして、そのインゴットＩとワイヤ列２０の接触部に図示しないノズルからスラリを供給する。これにより、インゴットＩはスラリ中に含有される砥粒のラッピング作用でウェーハに切断される。
【００１３】
ところで、上記例は１本のインゴットＩを切断する場合の切断例であり、３本のインゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃを切断する場合（マルチ切断する場合）は、次のように行う。
図７に示すように、３本のインゴットＩａ、Ｉｂ、ＩｃをスライスベースＳａ、Ｓｂ、Ｓｃを介してマウンティングプレートＭに直列状態で接着する。そして、そのマウンティングプレートＭをワークフィードテーブル２８の保持装置３０に装着する。この後の工程は前述した１本のインゴットＩを切断する場合と同様である。すなわち、ワークフィードテーブル２８をワイヤ列２０に向けて下降させ、高速走行するワイヤ列２０にインゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃを押し当てる。これにより、３本のインゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃは、同時に多数枚のウェーハに切断される。
【００１４】
しかし、上記切断方法では、切断後に自然剥離法でウェーハを剥離した場合に、剥離されたウェーハがカセット内で混入し、各ロット間の区別がつかなくなってしまうという欠点がある（前述）。
そこで、本発明では切断後に自然剥離によって枚葉化したウェーハの各ロット間の区別がつくように、次のようにインゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃを切断する。
【００１５】
図２に示すように、まず、３本のインゴットＩａ、Ｉｂ、ＩｃをスライスベースＳａ、Ｓｂ、Ｓｃを介してマウンティングプレートＭに直列状態で接着する。そして、そのマウンティングプレートＭに接着した各インゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃの間を仕切材Ｐ₁、Ｐ₂で仕切る。
この仕切材Ｐ₁、Ｐ₂は、切断するインゴットＩａ〜Ｉｃと同径のドーナツ状に形成されており、ワイヤソーで切断した場合に５〜１０枚程度のウェーハが切断される厚さで形成されている。なお、ドーナツ状としたのは、ウェーハに切断した場合にインゴットＩａ〜Ｉｃから切断したウェーハと区別がつくようにするためである。
【００１６】
また、この仕切材Ｐ₁、Ｐ₂は、切断するインゴットＩａ〜Ｉｂと同一又は類似の素材を用いて成形する。すなわち、たとえば切断するインゴットＩａ〜Ｉｂがシリコンインゴットである場合はシリコン、又は、同じ脆性材料であるガラスやセラミックス等を用いて成形する。
また、この仕切材Ｐ₁、Ｐ₂は、前記各インゴットＩａ〜Ｉｃと同様にスライスベースを介してマウンティングプレートＭに接着する。なお、ここでは、図２に示すように、インゴットＩａとインゴットＩｂとの間を仕切る仕切材Ｐ₁（以下、「第１ダミーインゴット」という。）は、スライスベースＳａに接着し、インゴットＩｂとインゴットＩｃとの間を仕切る仕切材（以下、「第２ダミーインゴット」という。）は、スライスベースＳｃに接着する。
【００１７】
以上のようにダミーインゴットＰ₁、Ｐ₂で各インゴット間を仕切ったインゴットＩａ〜Ｉｂをワイヤソー１０で切断する。すなわち、図３（ａ）に示すように、インゴットＩａ〜Ｉｃ及びダミーインゴットＰ₁、Ｐ₂を接着しマウンティングプレートＭをワークフィードテーブルの保持装置３０に装着する。そして、ワークフィードテーブ１をワイヤ列２０に向けて下降させ、高速走行するワイヤ列２０にインゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃ及びダミーインゴットＰ₁、Ｐ₂を押し当てる。
【００１８】
これにより、図３（ｂ）に示すように、３本のインゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃ及びダミーインゴットＰ₁、Ｐ₂は多数枚のウェーハに同時に切断される。なお、以下、同図に示すように、インゴットＩａから切断されたウェーハを「ウェーハＷａ」、インゴットＩｂから切断されたウェーハを「ウェーハＷｂ」、インゴットＩｃから切断されたウェーハを「ウェーハＷｃ」と記載する。そして、ダミーインゴットＰ₁から切断されたウェーハを「ダミーウェーハＷ_P1」、ダミーインゴットＰ₂から切断されたウェーハを「ダミーウェーハＷ_P2」と記載する。また、単に「ウェーハＷ」と記載するときは、これら全てのウェーハを指すものとする。
【００１９】
以上のようにして切断されたウェーハＷは、スライスベースに接着された状態にあるので、ワイヤソーから取り出したのち、スライスベースから剥離して枚葉化する必要がある。この剥離工程は、自然剥離法により次のように行う。
まず、ウェーハＷをスライスベースから剥離する剥離装置４０の構成について説明する。
【００２０】
図４に示すように、前記剥離装置４０は、熱水（約９０℃前後）が貯留された熱水槽４２を有している。この熱水槽４２内には、ウェーハＷを回収するカセット４４が設置されており、該カセット４４は、図示しないロック手段によって槽内の所定の位置に固定されている。
前記熱水槽４２の背面部には、角柱状に形成されたコラム４６が垂直に立設されている。このコラム４６の正面には一対のガイドレール４８、４８が敷設されており、該ガイドレール４８、４８上をスライダ５０がスライド自在に支持されている。また、前記コラム４６の正面には、ガイドレール４８に沿って油圧シリンダ５２が配設されており、この油圧シリンダ５２のロッドに前記スライダ５０が連結されている。したがって、前記スライダ５０は、この油圧シリンダ５２を駆動することによりガイドレール４８に沿って昇降移動する。
【００２１】
前記スライダ５０の両端部には、Ｌ字状に形成された一対の保持アーム５４、５４が固着されており、この保持アーム５４、５４にマウンティングプレートＭの両端部に形成された突起部が載置される。そして、これにより、マウンティングプレートＭが剥離装置４０に装着される。
なお、前記のごとく剥離装置４０にマウンティングプレートＭが装着されると、そのマウンティングプレートＭに接着されているウェーハＷは熱水槽４２の真上に位置する。そして、この状態で油圧シリンダ５２を駆動してスライダ５０を下降させることにより、熱水槽４２内のカセット４４に収納された状態で熱水中に浸漬される。
【００２２】
以上のように構成された剥離装置４０は、次のようにしてスライスベースからウェーハＷを剥離する。
まず、オペレータが、ワイヤソー１０で切断したウェーハＷを剥離装置４０に装着する。すなわち、ウェーハＷが接着されているマウンティングプレートＭを剥離装置４０の保持アーム５４、５４に載置する。
【００２３】
図５（ａ）には、ウェーハＷを剥離装置４０に装着した状態が示されており、この状態から油圧シリンダ５２を駆動してウェーハＷを下降させる。そして、図５（ｂ）に示すように、ウェーハＷを熱水中に浸漬させる。なお、このとき、ウェーハＷは、カセット４４内に収納され、熱水槽４２の底面から所定高さ浮いた状態にある。
【００２４】
前記のごとくウェーハＷを熱水中に浸漬させてしばらくすると、そのウェーハＷとスライスベースＳとを接着する接着剤が熱軟化し、ウェーハＷは、その自重によってスライスベースＳから落下する。そして、その落下したウェーハＷは、カセット４４内に収納される。
全てのウェーハＷが剥離したところで、オペレータが、油圧シリンダ５２を駆動してスライダ５０を上昇させる。なお、図５（ｃ）に示すように、このときスライダ５０には、マウンティングプレートＭとそのマウンティングプレートＭに接着されたスライスベースＳａ、Ｓｂ、Ｓｃだけが残された状態で引き上げられる。そして、そのスライダ５０を引き上げたのち、オペレータは、熱水槽４２からカセット４４ごとウェーハＷを取り出す。
【００２５】
図６は、熱水槽４２から取り出したカセット４４の状態を示しており、同図に示すように、スライスベースから剥離したウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃは、それぞれのロット間をダミーウェーハＷ_P1、Ｗ_P2によって仕切られた状態でカセット４４内に収納されている。
したがって、オペレータは、このダミーウェーハＷ_P1、Ｗ_P2を確認することにより、そこがロット間の境目であることを認識することができる。そして、このダミーウェーハＷ_P1、Ｗ_P2は、他のウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃと異なりドーナツ状に切断されているので、オペレータは容易に捜し出すことができる。
【００２６】
このように、本実施の形態のワイヤソーの被加工物切断方法によれば、切断後に熱水中に浸漬させて自然剥離させたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃが、互いにカセット４４で混入して区別が付かなくなるということはない。
なお、本実施の形態では、ダミーインゴットＰ₁、Ｐ₂の形状をドーナツ状としたが、ウェーハに切断されたときに、他のウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃと区別することができる形状であれば、これに限定されるものではない。たとえば、断面六角形や八角形のように断面多角形状に形成したり、多数の孔を開けた形状に形成してもよい。
【００２７】
また、色彩によって他のウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃによって区別を付けるようにしてもよい。
ただし、切断抵抗、熱変形等を考慮すれば、切断対象であるインゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃと近似した形状であり、同質あるいは類似の素材で形成するのが好ましい。
【００２８】
また、本実施の形態では、剥離したウェーハをオペレータが回収する例で説明したが、ウェーハを自動で回収する場合は、次のようにして行う。
すなわち、ウェーハＷを自動回収する場合は、カセット４４内のウェーハＷを吸着パッド等を用いて一枚ずつカセット４４内から回収するが、この時、カセット４４から取り出したウェーハを一枚一枚ＣＣＤカメラ等で撮像する。そして、その撮像データを画像処理することによって、ダミーウェーハＷ_P1、Ｗ_P2を検出する。このダミーウェーハＷ_P1、Ｗ_P2が検出されれば、そこがロット間の境目であるので、それ以降に回収されるウェーハは、種類が異なるウェーハであることを認識することができる。したがって、ここで、回収カセット等を変えることにより、自動回収においても、各種類ごとにウェーハを混入させることなく回収することができる。
【００２９】
また、本実施の形態では、ウェーハを熱水中に浸漬させて、ウェーハとスライスベースとを接着する接着剤を熱軟化させることによりウェーハをスライスベースから剥離するようにしたが、この他、切断後のウェーハを薬液（例えば酢酸）中に浸漬させることにより、ウェーハをスライスベースから剥離するようにしてもよい。
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、種類の異なる複数の被加工物をワイヤソーで切断する場合に、切断後に各種のウェーハを混合させることなく回収することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ワイヤソーの全体構成図
【図２】インゴット及びダミーインゴットの取付方法を説明する説明図
【図３】インゴットの切断方法を説明する説明図
【図４】剥離装置の構成を示す正面図
【図５】ウェーハの剥離方法を説明する説明図
【図６】ウェーハの回収状況を説明する説明図
【図７】マルチ切断による切断方法を説明する説明図
【符号の説明】
１０…ワイヤソー
２０…ワイヤ列
２８…ワークフィードテーブル
４０…剥離装置
４２…熱水槽
４４…カセット
Ｉ…インゴット
Ｉａ〜Ｉｃ…インゴット
Ｍ…マウンティングプレート
Ｐ₁…第１ダミーインゴット
Ｐ₂…第２ダミーインゴット
Ｓａ〜Ｓｃ…スライスベース
Ｗ…ウェーハ
Ｗａ〜Ｗｃ…ウェーハ
Ｗ_P1、Ｗ_P2…ダミーウェーハ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a workpiece cutting method for a multi-cut wire saw, and more particularly to a workpiece cutting method for a multi-cut wire saw that simultaneously cuts a plurality of different types of workpieces.
[0002]
[Prior art]
One of ingot cutting devices is a wire saw. A wire saw is a device that cuts an ingot into a large number of wafers by pressing the ingot against a wire train traveling at high speed and supplying slurry to the contact portion.
In this wire saw, one ingot is usually cut for one cutting, but recently, in order to increase the cutting efficiency, a cutting method called multi-cutting that simultaneously cuts a large number of ingots has been adopted. Yes.
[0003]
As shown in FIG. 7, in the multi-cutting, a plurality of ingots Ia, Ib, and Ic (three in the figure) are bonded in series to the mounting plate M via the slice bases Sa, Sb, and Sc, and this is connected to the wire saw. This is a cutting method in which a plurality of pieces are cut at the same time by being attached to the. According to this method, since a plurality of ingots can be cut together, the ingot can be cut efficiently.
[0004]
By the way, when the ingot is cut with a wire saw, all the wafers to be cut are cut out in a state of being bonded to the slice base. Therefore, after cutting with a wire saw, it is necessary to peel off all the wafers bonded to the slice base from the slice base to form a single wafer.
As a conventional peeling method, there is a method of peeling the wafer from the slice base by immersing the cut wafer in hot water (natural peeling method). In this case, all the wafers are peeled from the slice base at once, It was collected in a cassette installed in the hot water tank.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, when a wafer that has been multi-cut by the conventional peeling method is peeled off, all the wafers are peeled at once, so that the peeled wafer is mixed in the cassette and the lots cannot be distinguished from each other. was there.
The present invention has been made in view of such circumstances. When a plurality of workpieces of different types are cut with a wire saw, the multi-cut wire saw can be collected without mixing various wafers after cutting. An object of the present invention is to provide a workpiece cutting method.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above-mentioned object, according to the present invention, different types of workpieces are bonded in series to a mounting plate via a slice base, the mounting plate is attached to a work feed table, and the work feed table is run. In a multi-cut wire saw workpiece cutting method in which the plurality of workpieces are pressed against the wire rows and cut into a plurality of wafers by feeding them toward the wire row to be partitioned, the plurality of workpieces are partitioned A partition material is bonded to the mounting plate via a slice base, the mounting plate is attached to the work feed table, the plurality of workpieces are cut together with the partition material, and after cutting, the mounting plate is All removed from the work feed table and cut The wafer and the partition member is immersed in hot water or chemical solution simultaneously peeled from the slice base, the partition member which is peeled off from the slice base, and wherein the partitioning the wafer peeled from the slice base by type.
[0007]
According to this invention, the partition material installed between each workpiece is cut | disconnected by the wire row | line | wire which drive | works with a workpiece. Then, by being immersed in hot water or a chemical solution together with the wafer after cutting, the wafer is peeled off from the slice base together with the wafer. Therefore, since the wafer is in a state of being partitioned by the partition member even after peeling, the wafers of different types will not be distinguished from each other.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
A preferred embodiment of a multi-cut wire saw work cutting method according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
First, the configuration of the wire saw will be described. A wire saw moves a wire train stretched at a predetermined pitch at a high speed, and presses a workpiece while supplying slurry (a suspension processing liquid in which a liquid is added to abrasive grains) to the wire train traveling at a high speed. The workpiece is cut into a number of wafers.
[0009]
FIG. 1 is an overall configuration diagram of a wire saw. As shown in the figure, the wire 14 wound around the wire reel 12 is wound around three grooved rollers 18A, 18B, 18C through a wire travel path formed by a plurality of guide rollers 16, 16,. It is hung. Then, after forming the wire row 20 by the three grooved rollers 18A, 18B, and 18C, the wire row 20 is formed on the other side of the wire running path formed symmetrically with the wire row 20 interposed therebetween. It is wound up.
[0010]
A wire guide device 22, a dancer roller 24, and a wire cleaning device 26 are disposed on the wire travel paths formed on both sides of the wire row 20 (only one side is shown). The wire guide device 22 guides the wire 14 from the wire reel 12 at a constant pitch, and the dancer roller 24 applies a constant tension to the traveling wire 14. Further, the wire cleaning device 26 removes the slurry adhered during the processing from the wire 14.
[0011]
A motor (not shown) is connected to each of the pair of wire reels 12 and one of the three grooved rollers 18C, and the wire 14 is driven by driving the motor. It runs at high speed between the reels 12.
Above the wire row 20, a work feed table 28 that moves up and down vertically with respect to the wire row 20 is installed. A holding device 30 that holds an ingot I that is a workpiece is provided below the work feed table 28, and the ingot I is attached to the lower portion of the holding device 30 via a mounting plate.
[0012]
In the wire saw 10 configured as described above, the ingot I is cut as follows. First, the mounting plate to which the ingot I (here, one) is attached is mounted on the holding device 30 of the work feed table 28. After mounting, the motor is driven to run the wire at high speed. Next, the work feed table 28 is lowered toward the wire row 20 and the ingot I is pressed against the wire row 20 that travels at a high speed. Then, slurry is supplied from a nozzle (not shown) to the contact portion between the ingot I and the wire row 20. As a result, the ingot I is cut into a wafer by the lapping action of the abrasive grains contained in the slurry.
[0013]
By the way, the above example is a cutting example in the case of cutting one ingot I. When three ingots Ia, Ib, and Ic are cut (in the case of multi-cutting), the following is performed.
As shown in FIG. 7, three ingots Ia, Ib, and Ic are bonded in series to a mounting plate M through slice bases Sa, Sb, and Sc. Then, the mounting plate M is mounted on the holding device 30 of the work feed table 28. The subsequent steps are the same as those for cutting the single ingot I described above. That is, the work feed table 28 is lowered toward the wire row 20 and the ingots Ia, Ib, and Ic are pressed against the wire row 20 that travels at a high speed. As a result, the three ingots Ia, Ib, and Ic are simultaneously cut into a large number of wafers.
[0014]
However, the above-described cutting method has a drawback that when the wafer is peeled off by the natural peeling method after cutting, the peeled wafer is mixed in the cassette and the lots cannot be distinguished from each other (described above).
Therefore, in the present invention, the ingots Ia, Ib, and Ic are cut as follows so that the lots of wafers separated into pieces by natural peeling after cutting can be distinguished.
[0015]
As shown in FIG. 2, first, three ingots Ia, Ib, and Ic are bonded in series to the mounting plate M via the slice bases Sa, Sb, and Sc. Then, the ingots Ia, Ib, and Ic bonded to the mounting plate M are partitioned by partition members P ₁ and P ₂ .
The partition members P ₁ and P ₂ are formed in a donut shape having the same diameter as the ingots Ia to Ic to be cut, and are formed with such a thickness that about 5 to 10 wafers are cut when cut with a wire saw. ing. The donut shape is used to distinguish the wafer from the ingots Ia to Ic when it is cut into wafers.
[0016]
Further, the partition members P ₁ and P ₂ are formed using the same or similar material as the ingots Ia to Ib to be cut. That is, for example, when the ingots Ia to Ib to be cut are silicon ingots, the ingots Ia to Ib are formed using silicon or glass or ceramics that are the same brittle material.
Further, the partition members P ₁ and P ₂ are bonded to the mounting plate M through the slice base in the same manner as the ingots Ia to Ic. Here, as shown in FIG. 2, the partition material P ₁ (hereinafter referred to as “first dummy ingot”) that partitions between the ingot Ia and the ingot Ib is bonded to the slice base Sa, and the ingot Ib A partition material (hereinafter referred to as “second dummy ingot”) for partitioning from the ingot Ic is bonded to the slice base Sc.
[0017]
As described above, the ingots Ia to Ib in which the ingots are partitioned by the dummy ingots P ₁ and P ₂ are cut by the wire saw 10. That is, as shown in FIG. 3A, the ingots Ia to Ic and the dummy ingots P ₁ and P ₂ are bonded, and the mounting plate M is mounted on the work feed table holding device 30. Then, the work feed table 1 is lowered toward the wire row 20 and the ingots Ia, Ib, Ic and the dummy ingots P ₁ and P ₂ are pressed against the wire row 20 that runs at high speed.
[0018]
As a result, as shown in FIG. 3B, the three ingots Ia, Ib, and Ic and the dummy ingots P ₁ and P ₂ are simultaneously cut into a large number of wafers. Hereinafter, as shown in the figure, a wafer cut from the ingot Ia is referred to as “wafer Wa”, a wafer cut from the ingot Ib is referred to as “wafer Wb”, and a wafer cut from the ingot Ic is referred to as “wafer Wc”. Describe. The wafer cut from the dummy ingot P _{1 is referred} to as “dummy wafer W _P1 ”, and the wafer cut from the dummy ingot P _{2 is referred} to as “dummy wafer W _P2 ”. In addition, when simply described as “wafer W”, all of these wafers are indicated.
[0019]
Since the wafer W cut as described above is in a state of being bonded to the slice base, it is necessary to separate the wafer W from the slice base and then separate into single wafers. This peeling process is performed by the natural peeling method as follows.
First, the configuration of the peeling apparatus 40 that peels the wafer W from the slice base will be described.
[0020]
As shown in FIG. 4, the peeling device 40 has a hot water tank 42 in which hot water (about 90 ° C.) is stored. A cassette 44 for collecting the wafers W is installed in the hot water tank 42, and the cassette 44 is fixed at a predetermined position in the tank by a lock means (not shown).
A column 46 formed in a prismatic shape is erected vertically on the back surface of the hot water tank 42. A pair of guide rails 48, 48 are laid on the front surface of the column 46, and a slider 50 is slidably supported on the guide rails 48, 48. A hydraulic cylinder 52 is disposed along the guide rail 48 on the front surface of the column 46, and the slider 50 is connected to a rod of the hydraulic cylinder 52. Therefore, the slider 50 moves up and down along the guide rail 48 by driving the hydraulic cylinder 52.
[0021]
A pair of holding arms 54, 54 formed in an L shape are fixed to both ends of the slider 50, and projections formed on both ends of the mounting plate M are mounted on the holding arms 54, 54. Placed. Thus, the mounting plate M is attached to the peeling device 40.
As described above, when the mounting plate M is mounted on the peeling device 40, the wafer W bonded to the mounting plate M is positioned directly above the hot water tank 42. In this state, the hydraulic cylinder 52 is driven to lower the slider 50, so that the hydraulic cylinder 52 is immersed in the hot water while being stored in the cassette 44 in the hot water tank 42.
[0022]
The peeling apparatus 40 configured as described above peels the wafer W from the slice base as follows.
First, the operator attaches the wafer W cut by the wire saw 10 to the peeling device 40. That is, the mounting plate M to which the wafer W is bonded is placed on the holding arms 54 and 54 of the peeling device 40.
[0023]
FIG. 5A shows a state in which the wafer W is mounted on the peeling device 40. From this state, the hydraulic cylinder 52 is driven to lower the wafer W. Then, as shown in FIG. 5B, the wafer W is immersed in hot water. At this time, the wafer W is housed in the cassette 44 and is in a state of being floated by a predetermined height from the bottom surface of the hot water tank 42.
[0024]
As described above, after the wafer W is immersed in the hot water for a while, the adhesive that bonds the wafer W and the slice base S is thermally softened, and the wafer W falls from the slice base S due to its own weight. Then, the dropped wafer W is stored in the cassette 44.
When all the wafers W have been separated, the operator drives the hydraulic cylinder 52 to raise the slider 50. As shown in FIG. 5C, at this time, the slider 50 is pulled up with only the mounting plate M and the slice bases Sa, Sb, Sc adhered to the mounting plate M remaining. Then, after lifting the slider 50, the operator takes out the wafer W together with the cassette 44 from the hot water tank 42.
[0025]
FIG. 6 shows the state of the cassette 44 taken out from the hot water tank 42. As shown in FIG. 6, the wafers Wa, Wb, Wc separated from the slice base are dummy wafers W _P1 , Wb between the respective lots. It is stored in the cassette 44 in a state of being partitioned by _P2 .
Therefore, the operator can recognize that this is the boundary between lots by checking the dummy wafers W _P1 and W _P2 . Since the dummy wafers W _P1 and W _P2 are cut in a donut shape unlike the other wafers Wa, Wb and Wc, the operator can easily find them.
[0026]
As described above, according to the wire saw workpiece cutting method of the present embodiment, the wafers Wa, Wb, Wc, which are naturally separated after being cut in hot water after cutting, are mixed in the cassette 44 and distinguished from each other. It won't be lost.
In the present embodiment, the shapes of the dummy ingots P ₁ and P ₂ are donut-shaped, but any shape that can be distinguished from other wafers Wa, Wb, and Wc when cut into wafers. However, the present invention is not limited to this. For example, it may be formed into a polygonal cross section such as a hexagonal cross section or an octagonal cross section, or a shape having a large number of holes.
[0027]
Moreover, you may make it distinguish with another wafer Wa, Wb, Wc by a color.
However, considering cutting resistance, thermal deformation, and the like, the shape is similar to the ingots Ia, Ib, and Ic to be cut, and it is preferable to form the same or similar material.
[0028]
In the present embodiment, an example in which an operator collects a peeled wafer has been described. However, when a wafer is automatically collected, it is performed as follows.
That is, when the wafers W are automatically collected, the wafers W in the cassette 44 are collected from the cassette 44 one by one using a suction pad or the like. At this time, the wafers taken out from the cassette 44 one by one CCD Take an image with a camera. Then, the dummy wafers W _P1 and W _P2 are detected by _performing image processing on the imaging data. If the dummy wafers W _P1 and W _P2 are detected, this is the boundary between lots, so that it is possible to recognize that the wafers collected after that are different types of wafers. Therefore, by changing the collection cassette or the like here, even in automatic collection, it is possible to collect without mixing wafers for each type.
[0029]
In this embodiment, the wafer is detached from the slice base by immersing the wafer in hot water and thermally softening the adhesive that bonds the wafer and the slice base. You may make it peel a wafer from a slice base by immersing a latter wafer in a chemical | medical solution (for example, acetic acid).
[0030]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, when a plurality of different types of workpieces are cut with a wire saw, various wafers can be collected without being mixed after cutting.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an overall configuration diagram of a wire saw. FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating a method for attaching an ingot and a dummy ingot. FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating an ingot cutting method. FIG. 4 is a front view illustrating a configuration of a peeling device. FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining a wafer peeling method. FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining a wafer recovery state. FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining a cutting method by multi-cutting.
10 ... wire saw 20 ... wire row 28 ... work feed table 40 ... peeling apparatus 42 ... hot water bath 44 ... cassette I ... ingot Ia to Ic ... ingot M ... Mounting plate P ₁ ... first dummy ingot P ₂ ... second dummy ingot Sa ~ Sc ... Slice base W ... Wafer Wa ~ Wc ... Wafer W _P1 , W _P2 ... Dummy wafer

Claims

種類の異なる被加工物をスライスベースを介してマウンティングプレートに直列状態で接着し、そのマウンティングプレートをワークフィードテーブルに装着し、該ワークフィードテーブルを走行するワイヤ列に向けて送り出すことにより前記複数の被加工物を前記ワイヤ列に押し当てて多数のウェーハに切断するマルチ切断ワイヤソーの被加工物切断方法において、
前記複数の被加工物の間を仕切る仕切材をスライスベースを介して前記マウンティングプレートに接着し、
該マウンティングプレートを前記ワークフィードテーブルに装着して、前記複数の被加工物を前記仕切材ごと同時に切断し、
切断後、前記マウンティングプレートを前記ワークフィードテーブルから取り外して、切断された全てのウェーハ及び仕切材を熱水又は薬液中に浸漬させて前記スライスベースから同時に剥離し、
前記スライスベースから剥離した仕切材によって、前記スライスベースから剥離したウェーハを種類別に仕切ることを特徴とするマルチ切断ワイヤソーの被加工物切断方法。A plurality of types of workpieces are bonded in series to a mounting plate via a slice base, the mounting plate is mounted on a work feed table, and the work feed table is sent out toward a wire row that travels. In a workpiece cutting method of a multi-cut wire saw that presses a workpiece against the wire row and cuts into a plurality of wafers,
Adhering a partition material that partitions between the plurality of workpieces to the mounting plate via a slice base,
The mounting plate is attached to the work feed table, and the plurality of workpieces are simultaneously cut together with the partition material,
After cutting, the mounting plate is removed from the work feed table, and all the cut wafers and partition materials are immersed in hot water or a chemical solution and simultaneously peeled from the slice base,
A workpiece cutting method for a multi-cutting wire saw, wherein the wafer peeled from the slice base is partitioned according to type by a partition material peeled from the slice base.

前記仕切材は、前記被加工物と同一又は類似の素材を用いて断面形状が異なる形状で形成されていることを特徴とする請求項１記載のマルチ切断ワイヤソーの被加工物切断方法。2. The workpiece cutting method for a multi-cut wire saw according to claim 1, wherein the partition member is formed in a shape having a different cross-sectional shape using the same or similar material as the workpiece.