JP3702899B2 - 電気光学装置、その製造方法及び電子機器 - Google Patents
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Description
以下、スイッチング素子としてTFD(Thin Film Diode)素子を備えたアクティブマトリクス方式であって、電気光学物質として液晶を用い、さらに、太陽光や室内光等といった外部光を利用する反射型の液晶装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明する。
一方、第2TFD素子132は、データ線11の側から見ると第1金属膜13a、絶縁膜13b及び第2金属膜13cがこの順に積層された構成となり、第1TFD素子131とは反対のダイオードスイッチング特性を有する。
ところで、引回し配線16が外気に晒されることを防止するための手段として、例えば、素子基板10上の引回し配線16をその全長にわたって覆うように、樹脂材料等から成る絶縁層を形成することもできる。但し、この場合には、この絶縁層を形成するための工程が不可欠となるため、その分だけ製造コストが高くなってしまう。これに対し、本実施形態によれば、引回し配線16がシール材30によって覆われるようになっており、上記のような絶縁層を形成するための独立した工程は不要であるので、製造コストの増大を伴うことなく上記の効果を得ることができる。
次に、電気光学装置の製造方法について説明する。まず、図3の素子基板10上に設けられるデータ線11、TFD素子13等といった各要素の製造方法について説明する。図9及び図10は、素子基板10上における1つの表示ドット50の製造方法を工程順に示している。また、図11は、素子基板10上の引回し配線16の製造方法を工程順に示している。
図6に示した先の実施形態では、対向基板20上の走査線25が素子基板10上の引回し線16と導通する構成を例示したが、これに代えて、図14に示すような構成を採用できる。なお、図14において図6に示した構成要素と同じ構成要素については同一の符号を付すことにする。
(電気光学装置の第3実施形態)
図6に示した実施形態においては、シール材30のうち引回し配線16を覆う辺の幅を、他の辺の幅と比較して広くした構成を採った。しかしながら、引回し配線16を覆う辺を他の辺と同一の幅としても、両基板10,20を貼り合わせることができ、且つ引回し配線16のうち当該辺と略同一方向に延在する部分を覆うことができるのであれば、必ずしもこれらの辺の幅を異ならせる必要はない。
図11に示した液晶装置の製造方法の実施形態においては、引回し配線16が形成された素子基板10上にシール材30を形成する構成としたが、これに代えて、対向基板20上にシール材30を形成し、このシール材30を介して素子基板10と対向基板20とを貼り合わせるようにしてもよい。要は、両基板10,20がシール材30を介して貼り合わされた状態において、当該シール材30の辺が、当該辺と略同一方向に延在する引回し配線16の一部を覆うようになっていれば良い。
図6に示した実施形態においては、TFD素子13が形成された素子基板10が観察側に位置し、走査線25が形成された対向基板20が背面側に位置する構成を例示したが、これとは逆に、素子基板10が背面側に位置し、対向基板20が観察側に位置する構成としても良い。この場合には、図3において反射層21を、対向基板20上ではなくて素子基板10上に形成すれば良い。
次に、本発明に係る液晶装置を用いた電子機器について説明する。図16(a)は、本発明をモバイル型のパーソナルコンピュータ、すなわち可搬型のパーソナルコンピュータ、いわゆるノート型パーソナルコンピュータに適用した場合、特にその表示部として適用した場合を示している。
以下、パッシブマトリクス方式で半透過反射型でカラー表示を行う液晶装置に本発明を適用した場合の実施形態を説明する。図17は、本発明に係る電気光学装置の一例である液晶装置の一実施形態を示している。図18は、図17に示す液晶装置における表示領域の一部分を拡大して示している。図19は、図18におけるN−N´線に従って液晶装置の断面構造を示している。図20は、図17において矢印Sで示す上下導通部を拡大して示している。また、図21は、図20のT−T´線に従って配線部分の断面構造を示している。
これに対して、本実施形態では、導通部304a及び非導通部304bはともに液晶封止のために機能するので、液晶の封止に必要となるシール材の幅である0.5mmをこれらの導通部304a及び非導通部304bで分け合うことにした。具体的には、上下導通の信頼性を確保することを考慮した上で、図20に示すように、例えば導通微304aの幅S1を0.2mmとし、非導通部304bの幅S2を0.3mmとした。
図23は、電気光学装置の一例であるアクティブマトリクス方式のEL(Electro Luminescence)装置110に本発明を適用した場合の実施形態を示している。また、図24は、図23におけるY−Y´線に従ってEL装置110の断面構造を示している。
ハウジング104の材質は、ガラス、ポリマー等といった絶縁性物質が好ましい。例えば、硼硅酸塩ガラス、石英等といった非晶質ガラス、結晶化ガラス、セラミックスガラス、有機系樹脂(例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂等)、シリコーン系樹脂等とすることができる。また、接着剤105が絶縁性物質であるならば、ステンレス合金等といった金属材料を用いることもできる。
EL層は非常に薄いため、それを形成する面に段差が存在すると発光不良を起こす場合がある。従って、第2層間絶縁膜244によってTFTによる段差を平坦化することは、後にその上に形成されるEL層を正常に機能させることに関して重要である。
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
10 素子基板(第1基板)
10a 張出し領域
10b 配線境界
11 データ線
11a 主配線
11b 補助配線
11c 第2金属膜、
12 画素電極
13 TFD素子(薄膜ダイオード)
13a 第1金属膜
13b 絶縁膜
13c 第2金属膜
16,161,162 引回し配線
16a 導通部
16b 延在部
17 外部接続端子
20 対向基板(第2基板)
21 反射層
22 カラーフィルタ
23 遮光層
24 オーバーコート層
25 走査線
25a 導通部
26 配向膜
30 シール材(被覆層)
32 導電粒子
35 液晶
40a 第1YドライバIC
40b 第2YドライバIC
41 XドライバIC
50 表示ドット
51 液晶表示要素
56 配向膜
57 周辺遮光層
105 接着剤(被覆層)
110 EL装置(電気光学装置)
112,113,114 配線
131 第1TFD素子
132 第2TFD素子
181 第1配線層
182 第2配線層
183 第3配線層
301 液晶装置(電気光学装置)
304 シール材
304a 導通部
304 非導通部
311 コモン電極
314 配線
Claims (2)
- 第1基板と、
前記第1基板に、接着剤によって固着されたハウジングと、
前記第1基板と前記ハウジングの間に配置されたEL素子と、
前記第1基板の一辺に沿って配設された配線とを備え、
前記接着剤は、前記EL素子を囲み、
前記配線は、前記接着剤の前記一辺の延在方向と略同一方向に延びる一辺で、前記接着剤に被覆されており、
前記配線は、第1配線層と、当該第1配線層に積層され当該第1配線層よりもイオン化傾向の高い導電材料からなる第2配線層とを有し、
前記第1配線層は、前記接着剤の外側の縁よりも内側の領域及び前記接着剤の外側の縁よりも外側の領域の両方にわたって設けられ
前記第2配線層は、前記接着剤の外側の縁よりも内側の領域に設けられていることを特徴とする電気光学装置。 - 前記第2配線層は、前記ハウジングによって外部から遮蔽された領域に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
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