JP3697199B2 - 太陽電池の製造方法および太陽電池 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、太陽電池の製造方法および太陽電池に関し、特にpin構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層のうち、i型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層を改良した太陽電池の製造方法および太陽電池に係わる。
【0002】
【従来の技術】
pin構造の薄膜結晶シリコン層(微結晶Si層または多結晶Si層)を有する太陽電池においては、発電層であるi型の微結晶Si層または多結晶Si層を高品質化(主に(110)優先配向、低欠陥密度等)することが光電変換効率を向上に有用であることが知られている。(110)優先配向とは、一般にX線回折パターンにおいて(220)面からの回折強度と他の面からの回折強度を比較して判断するが、ここではプラズマCVDにより製膜した薄膜シリコン結晶における主なピークである(220)面と(111)面との回折強度の比を(110)配向比として定義する。
【0003】
ところで、電子技術総合研究所彙報63巻第1号、第2号にはi型の微結晶Si層(i層)をSiH4ガスを原料ガスとしてプラズマCVD装置のチャンバ内に導入して、チャンバ内にプラズマを発生するとともに、雰囲気温度(製膜される被処理基板の温度)を350℃を超える高温にして製膜することにより、そのi層が(110)優先配向を顕著に示すことが開示されている。しかしながら、例えば透明絶縁性基板面から光を入射し、pin構造の薄膜結晶シリコン(微結晶Siまたは多結晶Si)を有するタイプの太陽電池の製造において、前記i層を300℃を超える高温で製膜すると、次のような問題を生じる。
【0004】
すなわち、最も単純な構造の太陽電池は図12に示すように透明絶縁性基板101上に第1透明電極102、p型の微結晶Si層(p層)103、i型微結晶Si層(i層)104、n型微結晶Si層(n層)105、第2透明電極106、さらに裏面電極107を順次形成することにより製造される。前記第1、第2の透明電極102,106は、通常、酸化錫のような金属酸化物が使用されるが、前記i層104を製膜するときに原料ガスであるH2またはSiH4ガスに由来する水素ラジカルがプラズマ中で発生する。この水素ラジカルは、図13に示すように前記p層103を拡散し、さらに下側の第1透明電極102に達すると、還元反応によりその電極材料である金属酸化物の酸素の引き抜きが生じる。前記還元反応は、高温でi層104を製膜した場合に顕著に促進されるため、前記第1透明電極102は透明度が下がり、光の透過性が低下して、光電変換効率の低下が起きる。
【0005】
また、前記透明絶縁性基板101を高温に加熱することにより図14に示すようにp層103からi層104へのp型不純物(例えばボロン等)の拡散が促進されてpi接合界面のi層104側にp型拡散層108が形成されるため、接合界面の電気特性が劣化して漏れ電流が増加し、光電変換効率の低下が起きる。
【0006】
したがって、従来のように(110)優先配向を有するi型微結晶Si層104を製膜するために基板温度を高温にすると、透明電極102の光学的特性の劣化やpi接合界面へのp型拡散層108の生成による電気特性の劣化が生じ、光電変換効率の低下を招く問題を生じる。
【0007】
また、透明絶縁性基板上に裏面電極、第1透明電極、n型の微結晶Si層(n層)、i型微結晶Si層(i層)、p型微結晶Si層(p層)および第2透明電極を順次形成した構造を有し、第2透明電極側から光を入射させる太陽電池においても、i層を前述したように300℃を超える高温で製膜すると、第1透明電極の光透過性の低下、ni接合界面のi層側へのn型不純物層の形成による光電変換効率の低下を招く。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、透明絶縁性基板上に第1透明電極、pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層、第2透明電極および裏面電極を順次形成し、前記透明絶縁性基板側から光を入射させる構造の太陽電池の製造において、少なくともi型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層を従来技術に比べてより低温で、かつ低コストで製膜することによって前記第1透明電極の光透過性の低下、pi接合界面またはni接合界面での電気特性の劣化を招くことなく、前記i型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層を(110)優先配向させることを可能にした太陽電池の製造方法を提供しようとするものである。
【0009】
本発明は、透明絶縁性基板上に裏面電極、第1透明電極、pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層および第2透明電極を順次形成し、前記第2透明電極側から光を入射させる構造の太陽電池の製造において、少なくともi型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層を従来技術に比べてより低温で、かつ低コストで製膜することによって前記第1透明電極の光透過性の低下、pi接合界面またはni接合界面での電気特性の劣化を招くことなく、前記i型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層を(110)優先配向させることを可能にした太陽電池の製造方法を提供しようとするものである。
【0010】
本発明は、(110)優先配向性を示すi型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層を含むpin構造の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層を有する太陽電池を提供しようとするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る太陽電池の製造方法は、透明絶縁性基板上に第1透明電極と、pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層と、第2透明電極と、裏面電極とを順次形成し、前記透明絶縁性基板側から光を入射させる太陽電池を製造するに際し、
反応容器と、この反応容器に原料ガスを供給するためのガス供給手段と、前記反応容器内のガス排出するための排出手段と、前記反応容器内に配置された放電用はしご型電極と、この放電用はしご型電極にグロー放電発生用電力を供給するための電源と、前記反応容器内に前記放電用はしご型電極と離間して平行に配置され、加熱用ヒーターを内蔵した支持電極とを備えるCVD装置を用い、
前記pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層のうち、少なくともi型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層は、前記CVD装置の支持電極に前記透明絶縁性基板を有する被処理物を支持させて加熱し、SiH4とSiH2Cl2、SiHCl3およびSiCl4から選ばれる少なくとも1つの塩素化ケイ素系化合物ガスとH2との混合ガスを前記原料ガスとして前記塩素化ケイ素系化合物ガスが前記SiH 4 と前記塩素化ケイ素系化合物ガスとの合計流量に対して1〜80%の範囲になるように前記ガス供給手段から前記反応容器内に供給し、前記電源からはしご型電極に周波数60MHz以上のグロー放電発生用高周波電力を供給して前記反応容器内にグロー放電を起こしてプラズマを発生させることにより製膜され、かつ塩素を1×10 18 cm -3 〜8×10 20 cm -3 含有することを特徴とするものである。
【0012】
本発明に係る太陽電池の製造方法は、透明絶縁性基板上に裏面電極と、第1透明電極と、pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層と、第2透明電極とを順次形成し、前記第2透明電極側から光を入射させる太陽電池を製造するに際し、
反応容器と、この反応容器に原料ガスを供給するためのガス供給手段と、前記反応容器内のガス排出するための排出手段と、前記反応容器内に配置された放電用はしご型電極と、この放電用はしご型電極にグロー放電発生用高周波電力を供給するための電源と、前記反応容器内に前記放電用はしご型電極と離間して平行に配置され、加熱用ヒーターを内蔵した支持電極とを備えるCVD装置を用い、
前記pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層のうち、少なくともi型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層は、前記CVD装置の支持電極に前記透明絶縁性基板を有する被処理物を支持させて加熱し、SiH4とSiH2Cl2、SiHCl3およびSiCl4から選ばれる少なくとも1つの塩素化ケイ素系化合物ガスとH2との混合ガスを前記原料ガスとして前記塩素化ケイ素系化合物ガスが前記SiH 4 と前記塩素化ケイ素系化合物ガスとの合計流量に対して1〜80%の範囲になるように前記ガス供給手段から前記反応容器内に供給し、前記電源からはしご型電極に周波数60MHz以上のグロー放電発生用電力を供給して前記反応容器内にグロー放電を起こしてプラズマを発生させることにより製膜され、かつ塩素を1×10 18 cm -3 〜8×10 20 cm -3 含有することを特徴とするものである。
【0013】
本発明に係る太陽電池は、透明絶縁性基板上に第1透明電極と、pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層と、第2透明電極と、裏面電極とが順次形成され、前記透明絶縁性基板側から光を入射させる太陽電池において、
前記pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層のうち、少なくともi型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層は、塩素を1×1018cm-3〜8×1020cm-3含有することを特徴とするものである。
【0014】
本発明に係る別の太陽電池は、透明絶縁性基板上に裏面電極と、第1透明電極と、pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層と、第2透明電極とが順次形成され、前記第2透明電極側から光を入射させる太陽電池において、
前記pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層のうち、少なくともi型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層は、塩素を1×1018cm-3〜8×1020cm-3含有することを特徴とするものである。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
【0016】
図1は、以下に説明する実施形態の太陽電池の製造におけるpin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層などの形成に用いられるプラズマCVD装置を示す概略図、図2は図1のCVD装置に組み込まれる放電用はしご型電極を示す斜視図である。
【0017】
接地された反応容器1内には、図2に示す構造の放電用はしご型2が起立して配置されている。図示しない加熱ヒーターを内蔵した陽極3は、前記反応容器1内に前記はしご型電極2と所望距離離間して平行に配置されている。このようなはしご型電極2および陽極3の配置において、それらの対向面を前面、反対側の面を後面と称する。前記陽極3は、被処理基板を保持する機能を有する。
【0018】
高周波電源4は、インピーダンス整合器5を通して前記はしご型電極2に接続されている。原料ガスを供給するためのガス供給管6は、その先端が前記はしご型電極2の背面に位置するように前記反応容器1内に挿入されている。排気管7は、前記陽極3の背面に位置する前記反応容器1の側面に連結され、かつ他端が図示しない真空ポンプのような排気部材に連結されている。
【0019】
(第1実施形態)
本発明に係る透明絶縁性基板側から光を入射するタイプの太陽電池の製造方法を前述した図1および図2に示すプラズマCVD装置を参照して説明する。
【0020】
(第1工程)
透明絶縁性基板上に第1透明電極を形成する。
【0021】
前記透明絶縁性基板は、例えば光透過を示す青板ガラスから作られる。
【0022】
前記第1透明電極は、例えば酸化錫(SnO2)、酸化インジウム錫(ITO)のような金属酸化物から作られる。ここでは、水素による第1透明電極の還元を抑制するため数十nmの厚さの酸化亜鉛膜(図示せず)を第1透明電極上へ形成する。
【0023】
(第2工程)
前述した図1に示すプラズマCVD装置の陽極3に前記第1透明電極が形成された透明絶縁性基板を被処理物8として保持させ、被処理物8をリードを通して接地された反応容器1に接続した後、図示しない真空ポンプを作動して排気管7を通して前記反応容器1内を真空排気する。つづいて、陽極3に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物8の基板を所望温度に加熱する。加熱ヒーターによる加熱温度が十分安定した後、反応容器1内に原料ガスであるSiH4、H2およびp型不純物ガスをガス供給管6を通して導入し、反応容器1内を所定の圧力に制御する。反応容器1内の温度および圧力が十分安定した後、高周波電源4から高周波電力をインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に供給することにより前記放電用はしご型電極2と前記被処理物8の間にプラズマ9を発生させ、前記被処理物8の第1透明電極上にp型の微結晶Si層または多結晶Si層を製膜する。
【0024】
前記p型不純物としては、例えばB2H6等を用いることができる。
【0025】
(第3工程)
p型の微結晶Si層または多結晶Si層を製膜した後、原料ガスの供給を停止し、反応容器1内を真空排気する。つづいて、反応容器1内に原料ガスであるSiH4とSiH2Cl2、SiHCl3およびSiCl4から選ばれる少なくとも1つの塩素化ケイ素系化合物ガスとH2との混合ガスをガス供給管6を通して導入し、反応容器1内の所定の圧力に制御する。反応容器1内の温度および圧力が十分安定した後、高周波電源4から周波数が60MHz以上の高周波電力をインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に供給することにより前記放電用はしご型電極2と前記被処理物8の間にプラズマ9を発生させ、前記被処理物8のp型の微結晶Si層または多結晶Si層上にi型の微結晶Si層または多結晶Si層を製膜する。
【0026】
前記塩素化ケイ素系化合物ガスを原料ガスに添加することによって、前記陽極3の加熱ヒーターによる被処理物の透明絶縁性基板を120〜300℃の比較的低温の加熱条件の下で(110)優先配向性を有するi型の微結晶Si層または多結晶Si層の製膜することが可能になる。なお、この透明絶縁性基板の加熱温度を120℃未満にすると、(110)優先配向性を有するi型の微結晶Si層または多結晶Si層の製膜が困難になる虞がある。一方、透明絶縁性基板の加熱温度が300℃を超える高温にすると、製膜時にSiH4ガスに由来するプラズマ中の水素ラジカルが前記p型の微結晶Si層または多結晶Si層を拡散し、さらに下側の金属酸化物からなる第1透明電極に達して還元し、金属酸化物の酸素の引き抜きが生じて光の透過性が低下して、光電変換効率の低下が起こったり、p型の微結晶Si層または多結晶Si層のp型不純物がpi接合界面に拡散して電気特性の劣化が生じ、光電変換効率の低下を招いたりする虞がある。
【0027】
前記塩素化ケイ素系化合物ガスは、前記SiH4と前記塩素化ケイ素系化合物ガスの合計流量に対して流量比で1〜80%の範囲にて前記反応容器1に供給することが好ましい。前記塩素化ケイ素系化合物ガスの流量比を1%未満にすると、120〜300℃の比較的低温の加熱条件の下では膜質が良好なi型の微結晶Si層または多結晶Si層の製膜することが困難になる。一方、前記塩素化ケイ素系化合物ガスの流量比が80%を超えると、i型微結晶Si層または多結晶Si層がCl、Cl2等にエッチングされ製膜速度が低下する、またi型Si層がアモルファス化する虞がある。より好ましい前記塩素化ケイ素系化合物ガスの流量比は、10%〜40%である。
【0028】
前記塩素化ケイ素系化合物ガスの流量比を1〜80%に設定することにより塩素を1×1018cm-3〜8×1020cm-3含有するi型の微結晶Si層または多結晶Si層を形成することが可能になる。前記i型の微結晶Si層または多結晶Si層中の塩素含有量を1×1018cm-3未満にすると、i型の微結晶Si層または多結晶Si層における(110)優先配向を向上することが困難になる。一方、前記i型の微結晶Si層または多結晶Si層中の塩素含有量が8×1020cm-3を超えると、i型の微結晶Si層または多結晶Si層の膜質を劣化させる虞がある。より好ましいi型の微結晶Si層または多結晶Si層中の塩素含有量は2×1019cm-3〜4×1020cm-3 である。
なお、前記塩素化ケイ素系化合物ガスをSiH4とH2とに混合するにあたり、H2で希釈したガスを使用することを許容する。
【0029】
前記反応容器内にプラズマを発生させる際の圧力は、0.5〜10Torrの範囲、より好ましくは0.5〜3.0Torrの範囲に設定することが望ましい。
【0030】
(第4工程)
i型の微結晶Si層または多結晶Si層を製膜した後、原料ガスの供給を停止し、反応容器1内を真空排気する。つづいて、この反応容器1内に原料ガスであるSiH4、H2およびn型不純物ガス(PH3等)をガス供給管6を通して導入し、反応容器1内の所定の圧力に制御する。反応容器1内の温度および圧力が十分安定した後、高周波電源4から高周波電力をインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に供給することにより前記放電用はしご型電極2と前記被処理物8の間にプラズマ9を発生させ、前記被処理物8のi型の微結晶Si層または多結晶Si層上にn型の微結晶Si層または多結晶Si層を製膜する。この後、前記被処理物をプラズマCVD層の反応容器1から取り出し、前記n型の微結晶Si層または多結晶Si層上に第2透明電極および裏面電極を順次形成して太陽電池を製造する。この太陽電池は、透明絶縁性基板側から太陽光のような光を入射させて前記pin構造の微結晶Si層または多結晶Si層で光電変換させることにより起電される。
【0031】
前記n型不純物ガスとしては、例えばPH3等を用いることができる。
【0032】
前記第2透明電極は、例えば酸化インジウム錫(ITO)、酸化錫から作られる。
【0033】
前記裏面電極は、例えばAlから作られる。
【0034】
なお、前記太陽電池の製造において第1透明電極側からp型、i型、n型の微結晶Si層を順次製膜してpin構造としたが、n型、i型、p型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層を順次製膜してnip構造としてもよい。
【0035】
また、前記第1透明電極と前記pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層との間に、p、i、nの配列が前記微結晶シリコン層または多結晶シリコン層と同様なpin構造またはnip構造を持つアモルファスシリコン層を配置することを許容する。
【0036】
以上、第1実施形態によれば透明絶縁性基板上に第1透明電極、pin構造またはnip構造を持つ微結晶Si層または多結晶Si層、第2透明電極および裏面電極を順次形成し、前記透明絶縁性基板側から光を入射させる構造の太陽電池の製造において、プラズマCVD装置の支持電極に前記透明絶縁性基板を有する被処理物を支持させて加熱し、SiH4とSiH2Cl2、SiHCl3およびSiCl4から選ばれる少なくとも1つの塩素化ケイ素系化合物ガスとH2との混合ガスを原料ガスとしてガス供給手段から前記反応容器内に供給し、前記電源からはしご型電極に周波数60MHz以上のグロー放電発生用電力を供給して前記反応容器内にグロー放電を起こしてプラズマを発生させることによって、p型(またはn型)の微結晶Si層または多結晶Si層を120〜300℃の比較的低温の加熱条件の下で(110)優先配向性を有するi型の微結晶Si層または多結晶Si層を製膜することが可能になる。
【0037】
すなわち、SiH2Cl2のような塩素化ケイ素系ガスを原料ガスの一成分として用いることによって、プラズマ中で塩素化ケイ素系ガスが分解して塩素を発生するため、シリコンの成長表面を水素の代わりに塩素で覆うことが可能になる。塩素は、水素に比べて原子寸法が大きいためにSi層中に取り込まれ難く、(110)配向性を妨げる二次核の発生を抑制することができる。その結果、(110)優先配向性を有するi型の微結晶Si層または多結晶Si層を製膜することが可能になる。
【0038】
したがって、i型の微結晶Si層または多結晶Si層の製膜時にSiH4ガスに由来するプラズマ中の水素ラジカルが前記p型(またはn型)の微結晶Si層または多結晶Si層を拡散し、さらに下側の酸化錫のような金属酸化物からなる第1透明電極に達して還元する反応を抑制することができる。その結果、金属酸化物の酸素の引き抜きを抑制して前記第1透明電極の光の透過性を維持できる。
【0039】
また、i型の微結晶Si層または多結晶Si層の製膜時にp型(またはn型)の微結晶Si層または多結晶Si層とのpi接合界面(またはni接合界面)にp型(またはn型)の不純物が拡散するのを抑制できるため、前記接合界面での電気特性を良好な状態に維持することができる。
【0040】
このように第1実施形態によれば、比較的低温で(110)優先配向性を有するi型の微結晶Si層または多結晶Si層を製膜でき、かつ前記第1透明電極の光の透過性を維持できるとともに、pi接合界面(またはni接合界面)での電気特性を良好な状態に維持することができるため、透明絶縁性基板側から太陽光のような光を入射した際、高い光電変換効率を示す太陽電池を製造することができる。
【0041】
また、第1透明電極、pin構造またはnip構造を持つ微結晶Si層または多結晶Si層、第2透明電極および裏面電極を順次形成し、前記透明絶縁性基板側から光を入射させる構造の太陽電池において、i型の微結晶Si層または多結晶Si層中の塩素量を1×1018〜8×1020cm-3に規定することによって、(110)優先配向性を向上できるため、透明絶縁性基板側から太陽光のような光を入射した際、高い光電変換効率を示す太陽電池を得ることができる。
【0042】
さらに、前記第1透明電極と前記pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層との間に、p、i、nの配列が前記微結晶Si層または多結晶Si層と同様なpin構造またはnip構造を持つアモルファスシリコン層を配置することによって、より一層光電変換効率の高い太陽電池を得ることができる。
【0043】
(第2実施形態)
本発明に係る第2透明電極側から光を入射するタイプの太陽電池の製造方法を前述した図1および図2に示すプラズマCVD装置を参照して説明する。
【0044】
(第1工程)
例えば光透過を示す青板ガラスから作られる透明絶縁性基板上に例えばAlからなる裏面電極を形成した後、この裏面電極上に例えば酸化錫、酸化インジウム錫(ITO)のような金属酸化物から作られる第1透明電極を形成する。
【0045】
(第2工程)
前述した図1に示すプラズマCVD装置の陽極3に前記第1透明電極が形成された透明絶縁性基板を被処理物8として保持させ、被処理物8をリードを通して接地された反応容器1に接続した後、図示しない真空ポンプを作動して排気管7を通して前記反応容器1内のガスを真空排気する。つづいて、陽極3に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物8の基板を所望温度に加熱する。加熱ヒーターによる加熱温度が十分安定した後、反応容器1内に原料ガスであるSiH4、H2および例えばPH3のようなn型不純物ガスをガス供給管6を通して導入し、反応容器1内を所定の圧力に制御する。反応容器1内の温度および圧力が十分安定した後、高周波電源4から高周波電力をインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に供給することにより前記放電用はしご型電極2と前記被処理物8の間にプラズマ9を発生させ、前記被処理物8の第1透明電極上にn型の微結晶Si層または多結晶Si層を製膜する。
【0046】
(第3工程)
n型の微結晶Si層または多結晶Si層を製膜した後、原料ガスの供給を停止し、反応容器1内を真空排気する。つづいて、反応容器1内に原料ガスであるSiH4とSiH2Cl2、SiHCl3およびSiCl4から選ばれる少なくとも1つの塩素化ケイ素系化合物ガスとH2との混合ガスをガス供給管6を通して導入し、反応容器1内の所定の圧力に制御する。反応容器1内の温度および圧力が十分安定した後、高周波電源4から周波数が60MHz以上の高周波電力をインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に供給することにより前記放電用はしご型電極2と前記被処理物8の間にプラズマ9を発生させ、前記被処理物8のn型の微結晶Si層または多結晶Si層上にi型の微結晶Si層または多結晶Si層を製膜する。
【0047】
前記塩素化ケイ素系化合物ガスを原料ガスに添加することによって、前記陽極3の加熱ヒーターによる被処理物の透明絶縁性基板を120〜300℃の比較的低温の加熱条件の下で(110)優先配向性を有するi型の微結晶Si層または多結晶Si層の製膜することが可能になる。なお、この透明絶縁性基板の加熱温度を120℃未満にすると、(110)優先配向性を有するi型の微結晶Si層または多結晶Si層の製膜が困難になる虞がある。一方、透明絶縁性基板の加熱温度が300℃を超える高温にすると、製膜時にSiH4ガスに由来するプラズマ中の水素ラジカルが前記n型の微結晶Si層または多結晶Si層を拡散し、さらに下側の金属酸化物からなる第1透明電極に達して還元し、金属酸化物の酸素の引き抜きが生じて光の透過性が低下して、光電変換効率の低下が起こったり、n型の微結晶Si層または多結晶Si層のn型不純物がni接合界面に拡散して電気特性の劣化が生じ、光電変換効率の低下を招いたりする虞がある。
【0048】
前記塩素化ケイ素系化合物ガスは、前記SiH4と前記塩素化ケイ素系化合物ガスの合計流量に対して流量比で1〜80%の範囲にて前記反応容器1に供給することが好ましい。前記塩素化ケイ素系化合物ガスの流量比を1%未満にすると、120〜300℃の比較的低温の加熱条件の下で膜質が良好なi型の微結晶Si層または多結晶Si層の製膜することが困難になる。一方、前記塩素化ケイ素系化合物ガスの流量比が80%を超えると、i型微結晶Siまたは多結晶Si層がCl、Cl2等にエッチングされ製膜速度が低下する、またi型Si層がアモルファス化する虞がある。より好ましい前記塩素化ケイ素系化合物ガスの流量比は、10%〜40%である。
【0049】
前記塩素化ケイ素系化合物ガスの流量比を1〜80%に設定することにより塩素を1×1018cm-3〜8×1020cm-3含有するi型の微結晶Si層または多結晶Si層を形成することが可能になる。前記i型の微結晶Si層または多結晶Si層中の塩素含有量を1×1018cm-3未満にすると、i型の微結晶Si層または多結晶Si層における(110)優先配向を向上することが困難になる。一方、前記i型の微結晶Si層または多結晶Si層中の塩素含有量が8×1020cm-3を超えると、i型の微結晶Si層または多結晶Si層の膜質を劣化させる虞がある。より好ましいi型の微結晶Si層または多結晶Si層中の塩素含有量は2×1019cm-3〜4×1020cm-3 である。
なお、前記塩素化ケイ素系化合物ガスをSiH4とH2とに混合するにあたり、H2で希釈することを許容する。
【0050】
前記反応容器内にプラズマを発生させる際の圧力は、0.5〜10Torrの範囲、より好ましくは0.5〜3.0Torrの範囲に設定することが望ましい。
【0051】
前記高周波電源から放電用はしご型電極に供給する高周波電力は、60MHz以上の周波数を有することが好ましい。
【0052】
(第4工程)
i型の微結晶Si層または多結晶Si層を製膜した後、原料ガスの供給を停止し、反応容器1内を真空排気する。つづいて、この反応容器1内に原料ガスであるSiH、Hおよび例えばB2H6のようなp型不純物ガスをガス供給管6を通して導入し、反応容器1内の所定の圧力に制御する。反応容器1内の温度および圧力が十分安定した後、高周波電源4から高周波電力をインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に供給することにより前記放電用はしご型電極2と前記被処理物8の間にプラズマ9を発生させ、前記被処理物8のi型の微結晶Si層または多結晶Si層上にp型の微結晶Si層または多結晶Si層を製膜する。この後、前記被処理物をプラズマCVD層の反応容器1から取り出し、前記p型の微結晶Si層または多結晶Si層上に例えば酸化錫、酸化インジウム錫(ITO)のよう金属酸化物からなる第2透明電極を形成して太陽電池を製造する。この太陽電池は、第2透明電極側から太陽光のような光を入射させて前記pin構造の微結晶Si層または多結晶Si層で光電変換させることにより起電される。
【0053】
なお、前記太陽電池の製造において第1透明電極側からn型、i型、p型の微結晶Si層を順次製膜してnip構造としたが、p型、i型、n型の微結晶Si層または多結晶Si層を順次製膜してpin構造としてもよい。
【0054】
また、前記nip構造またはpin構造を持つ微結晶Si層または多結晶Si層と前記第2透明電極との間に、p、i、nの配列が前記微結晶Si層または多結晶Si層と同様なnip構造またはpin構造を持つアモルファスシリコン層を配置することを許容する。
【0055】
以上、第2実施形態によれば透明絶縁性基板上に裏面電極、第1透明電極、nip構造またはpin構造を持つ微結晶Si層または多結晶Si層、第2透明電極を順次形成し、前記第2透明電極側から光を入射させる構造の太陽電池の製造において、プラズマCVD装置の支持電極に前記透明絶縁性基板を有する被処理物を支持させて加熱し、SiH4とSiH2Cl2、SiHCl3およびSiCl4から選ばれる少なくとも1つの塩素化ケイ素系化合物ガスとH2との混合ガスを原料ガスとしてガス供給手段から前記反応容器内に供給し、前記電源からはしご型電極に周波数60MHz以上のグロー放電発生用電力を供給して前記反応容器内にグロー放電を起こしてプラズマを発生させることによって、n型(またはp型)の微結晶Si層または多結晶Si層上に120〜300℃の比較的低温の加熱条件の下で前述した第1実施形態と同様な作用により(110)優先配向性を有するi型の微結晶Si層または多結晶Si層を製膜することができる。
【0056】
したがって、i型の微結晶Si層または多結晶Si層の製膜時にSiH4ガスに由来するプラズマ中の水素ラジカルが前記n型の微結晶Si層または多結晶Si層を拡散し、さらに下側の酸化錫のような金属酸化物からなる第1透明電極に達して還元する反応を抑制することができる。その結果、金属酸化物の酸素の引き抜きを抑制して前記第1透明電極の光の透過性を維持できる。
【0057】
また、i型の微結晶Si層または多結晶Si層の製膜時にn型(またはp型)の微結晶Si層または多結晶Si層とのni接合界面(またはpi接合界面)にn型(またはp型)の不純物が拡散するのを抑制できるため、前記接合界面での電気特性を良好な状態に維持することができる。
【0058】
このように第2実施形態によれば、比較的低温で(110)優先配向性を有するi型の微結晶Si層または多結晶Si層を製膜でき、かつ前記第1透明電極の光の透過性を維持できるとともに、ni接合界面(またはpi接合界面)での電気特性を良好な状態に維持することができるため、第2透明電極側から太陽光のような光を入射した際、高い光電変換効率を示す太陽電池を製造することができる。
【0059】
また、透明絶縁性基板上に裏面電極、第1透明電極、nip構造またはpin構造を持つ微結晶Si層または多結晶Si層および第2透明電極を順次形成し、前記第2透明電極側から光を入射させる構造の太陽電池において、i型の微結晶Si層または多結晶Si層中の塩素量を1×1018〜8×1020cm-3に規定することによって、(110)優先配向性を向上できるため、第2透明電極側から太陽光のような光を入射した際、高い光電変換効率を示す太陽電池を得ることができる。
【0060】
さらに、前記nip構造またはpin構造を持つ微結晶Si層または多結晶Si層と前記第2透明電極との間に、p、i、nの配列が前記微結晶Si層または多結晶Si層と同様なnip構造またはpin構造を持つアモルファスシリコン層を配置することによって、より一層光電変換効率の高い太陽電池を得ることができる。
【0061】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。
【0062】
(実施例1)
この実施例1では、透明絶縁性基板側から光を入射するタイプでpin構造が微結晶Siからなる太陽電池の製造工程を図3を参照して説明する。
【0063】
まず、光透過を有する青板ガラスからなる透明絶縁性基板11上に酸化錫(SnO2)からなる第1透明電極12を形成した。
【0064】
次いで、前述した図1に示すプラズマCVD装置におけるp層製膜用の反応容器1内の陽極3に前記透明電極12が形成された透明絶縁性基板11を被処理物8として保持し、被処理物8をリードを通して接地された反応容器1に接続した後、図示しない真空ポンプを作動して排気管7を通して前記反応容器1内を1×10− 8Torr以下に真空排気した。つづいて、陽極3に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物8の基板を160℃の温度に加熱した。加熱ヒーターによる加熱温度が十分安定した後、反応容器1内に原料ガスであるSiH4、H2およびB2H6をガス供給管6を通して導入し、反応容器1内を500mTorrの圧力に制御した。反応容器1内の温度および圧力が十分安定した後、高周波電源4から周波数100MHzの高周波電力をインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に供給することにより前記放電用はしご型電極2と前記被処理物8の間にプラズマ9を発生させ、前記被処理物8の第1透明電極12上に厚さ30nmのp型微結晶Si層13を製膜した。
【0065】
次いで、p型微結晶Si層13を製膜後、原料ガスの供給を停止し、反応容器1内を真空排気した。つづいて、i層製膜用の反応容器1内に被処理物8を移動し上記製膜と同様の手順でセットした。1×10-7Torr以下に真空排気した後、つづいて、陽極3に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物8の基板を190℃に加熱した。加熱ヒーターによる加熱温度が十分安定した後、反応容器内1に原料ガスであるSiH4とSiH2Cl2とH2との混合ガスをガス供給管6を通して導入した後、反応容器1内の圧力を2Torrに制御した。このとき、前記各ガスの量はSiH4:3〜7sccm、SiH2Cl2(1%水素希釈):50〜200sccm、H2:100〜250sccmとした。また、SiH2Cl2は全Siガスの流量に対して流量比で10〜40%の範囲であった。原料ガスを導入した後、反応容器1内の温度及び圧力を十分安定させた後、高周波電源4からインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に周波数100MHz、70mW/cm2の高周波電力を供給することによりプラズマを発生させ、前記p型微結晶Si層13上に厚さ1500nmのi型微結晶Si層14の製膜した。このi型微結晶Si層14は、塩素を6×1019cm-3含有されていた。
【0066】
次いで、i型微結晶Si層14の製膜後、原料ガスの供給を停止し、反応容器1内を真空排気した。つづいて、n層製膜用の反応容器1内へ被処理物8を移動し同様の手順でセットした。1×10-7Torr以下に真空排気した後、つづいて、陽極3に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物8の基板を160℃に加熱した。加熱ヒーターによる加熱温度が十分安定した後、この反応容器1内に原料ガスであるSiH4、H2およびPH3をガス供給管6を通して導入し、反応容器1内を700mTorrの圧力に制御した。反応容器1内の温度および圧力が十分安定した後、高周波電源4から高周波電力をインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に供給することにより前記放電用はしご型電極2と前記被処理物8の間にプラズマ9を発生させ、前記被処理物8のi型微結晶Si層14上に厚さ30nmのn型微結晶Si層15を製膜した。この後、前記被処理物をプラズマCVD層の反応容器1から取り出し、前記n型微結晶Si層15に酸化インジウム(ITO)からなる第2透明電極16およびAlからなる裏面電極17を順次形成して図3に示す太陽電池を製造した。
【0067】
(比較例1)
反応容器1内に原料ガスであるSiH4(流量:4〜8sccm)およびH2(流量:250〜350sccm)をガス供給管6を通して導入し、反応容器1内の圧力を2Torrに制御し、反応容器1内の温度及び圧力を十分安定させた後、高周波電源4からインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に周波数100MHz、70mW/cm2の高周波電力を供給することによりプラズマを発生させ、前記p型微結晶Si層上に厚さ1500nmのi型微結晶Si層14を製膜した以外、実施例1と同様な方法により太陽電池を製造した。
【0068】
実施例1および比較例1で製膜したi型微結晶Si層の(110)配向比を調べた。その結果を下記表1に示す。
【0069】
【表1】
【0070】
前記表1から明らかなようにSiH2Cl2を全Siガスの流量に対して流量比で10〜40%の範囲で添加した原料ガスを用いて製膜した実施例1のi型微結晶Si層は、SiH2Cl2を添加せずSiH4およびH2からなる原料ガスを用いて製膜した比較例1のi型微結晶Si層に比べて(110)配向比が5倍以上の29の値を示すことがわかる。
【0071】
また、実施例1および比較例1の太陽電池に模擬太陽光(スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、試料温度:室温)をそれらの透明絶縁性基板側から入射し、発電特性を評価した。その結果を図4に示す。
【0072】
図4から明らかなように実施例1の太陽電池は、比較例1の太陽電池に比べて短絡電流が向上されることがわかる。これは、実施例1の太陽電池を構成するi型微結晶Si層の(110)配向比が向上されたためである。
【0073】
(実施例2)
この実施例2では、透明絶縁性基板側から光を入射するタイプでpin構造が多結晶Siからなる太陽電池の製造工程を図5を参照して説明する。
【0074】
まず、光透過を有する青板ガラスからなる透明絶縁性基板11上に酸化錫からなる第1透明電極12を形成した。
【0075】
次いで、前述した図1に示すプラズマCVD装置におけるp層製膜用反応容器1内の陽極3に前記透明電極12が形成された透明絶縁性基板11を被処理物8として保持し、被処理物8をリードを通して接地された反応容器1に接続した後、図示しない真空ポンプを作動して排気管7を通して前記反応容器1内を1×10-8Torr以下に真空排気した。つづいて、陽極3に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物8の基板を180℃の温度に加熱した。加熱ヒーターによる加熱温度が十分安定した後、反応容器1内に原料ガスであるSiH4、H2およびB2H6をガス供給管6を通して導入し、反応容器1内を500mTorrの圧力に制御した。反応容器1内の温度および圧力が十分安定した後、高周波電源4から周波数100MHzの高周波電力をインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に供給することにより前記放電用はしご型電極2と前記被処理物8の間にプラズマ9を発生させ、前記被処理物8の第1透明電極12上に厚さ300nmのp型多結晶Si層18を製膜した。
【0076】
次いで、p型多結晶Si層18を製膜後、原料ガスの供給を停止し、反応容器1内を真空排気した。つづいて、i層製膜用の反応容器1内に被処理物8を移動し上記製膜と同様の手順でセットした。1×10-7Torr以下に真空排気した後、つづいて、陽極3に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物8の基板を210℃に加熱した。加熱ヒーターによる加熱温度が十分安定した後、反応容器内1に原料ガスであるSiH4とSiH2Cl2とH2との混合ガスをガス供給管6を通して導入した後、反応容器1内の圧力を1.0Torrに制御した。このとき、前記各ガスの量はSiH4:5〜10sccm、SiH2Cl2(1%水素希釈):100〜200sccm、H2:100〜200sccmとした。また、SiH2Cl2は全Siガスの流量に対して流量比で10〜30%の範囲であった。原料ガスを導入した後、反応容器1内の温度及び圧力を十分安定させた後、高周波電源4からインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に周波数100MHz、100mW/cm2の高周波電力を供給することによりプラズマを発生させ、前記p型多結晶Si層18上に厚さ1500nmのi型多結晶Si層19を製膜した。このi型多結晶Si層18は、塩素を4×1019cm-3含有されていた。
【0077】
次いで、i型多結晶Si層19の製膜後、原料ガスの供給を停止し、反応容器1内を真空排気した。つづいて、n層製膜用の反応容器1内へ被処理物8を移動し上記製膜と同様の手順でセットした。1×10-7Torr以下に真空排気した後、つづいて、陽極3に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物8の基板を180℃に加熱した。加熱ヒーターによる加熱温度が十分安定した後、この反応容器1内に原料ガスであるSiH4、H2およびPH3をガス供給管6を通して導入し、反応容器1内を700mTorrの圧力に制御した。反応容器1内の温度および圧力が十分安定した後、高周波電源4から高周波電力をインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に供給することにより前記放電用はしご型電極2と前記被処理物8の間にプラズマ9を発生させ、前記被処理物8のi型多結晶Si層19上に厚さ30nmのn型多結晶Si層20を製膜した。この後、前記被処理物をプラズマCVD層の反応容器1から取り出し、前記n型多結晶Si層20に酸化インジウムからなる第2透明電極16およびAlからなる裏面電極17を順次形成して図5に示す太陽電池を製造した。
【0078】
実施例2で製膜したi型多結晶Si層の(110)配向比を調べた結果、実施例1と同様な29の値を示した。
【0079】
また、実施例2の太陽電池に模擬太陽光(スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、照射温度:室温)をその透明絶縁性基板側から入射し、発電特性を評価した。その結果は、実施例1と同様な大きな短絡電流が得られた。
【0080】
(実施例3)
この実施例3では、透明絶縁性基板側から光を入射するタイプでpin構造が微結晶Siからなり、かつタンデム構造を有する太陽電池の製造工程を図6を参照して説明する。
【0081】
まず、光透過を有する青板ガラスからなる透明絶縁性基板11上に酸化錫からなる第1透明電極12を形成した。
【0082】
次いで、前述した図1に示すプラズマCVD装置における反応容器1内の陽極3に前記透明電極12が形成された透明絶縁性基板11を被処理物8として保持し、被処理物8をリードを通して接地された反応容器1に接続した後、図示しない真空ポンプを作動して排気管7を通して前記反応容器1内を1×10-8Torr以下に真空排気した。つづいて、陽極3に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物8の基板を130℃の温度に加熱した。加熱ヒーターによる加熱温度が十分安定した後、反応容器1内に原料ガスであるSiH4、H2およびB2H6をガス供給管6を通して導入し、反応容器1内を100mTorrの圧力に制御した。反応容器1内の温度および圧力が十分安定した後、高周波電源4から周波数13.56MHzの高周波電力をインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に供給することにより前記放電用はしご型電極2と前記被処理物8の間にプラズマ9を発生させ、前記被処理物8の第1透明電極12上に厚さ30nmのp型アモルファスSi層31を製膜した。
【0083】
次いで、p型アモルファスSi層31を製膜後、原料ガスの供給を停止し、反応容器1内を真空排気した。つづいて、i層製膜用の反応容器1内に被処理物8を移動し上記製膜と同様の手順でセットした。1×10-7Torr以下に真空排気した後、つづいて、陽極3に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物8の基板を160℃に加熱した。加熱ヒーターによる加熱温度が十分安定した後、反応容器1内に原料ガスであるSiH4(流量:50sccm)およびH2(流量:50sccm)をガス供給管6を通して導入した後、反応容器1内の圧力を100mTorrに制御した。原料ガスを導入した後、反応容器1内の温度及び圧力を十分安定させた後、高周波電源4からインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に周波数60MHz、200mW/cm2の高周波電力を供給することによりプラズマを発生させ、前記p型アモルファスSi層31上に厚さ300nmのi型アモルファスSi層32の製膜した。
【0084】
次いで、i型アモルファスSi層32の製膜後、原料ガスの供給を停止し、反応容器1内を真空排気した。つづいて、n層製膜用の反応容器1内へ被処理物8を移動し上記製膜と同様の手順でセットした。1×10-7Torr以下に真空排気した後、つづいて、陽極3に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物8の基板を130℃に加熱した。加熱ヒーターによる加熱温度が十分安定した後、この反応容器1内に原料ガスであるSiH4、H2およびPH3をガス供給管6を通して導入し、反応容器1内を100mTorrの圧力に制御した。反応容器1内の温度および圧力が十分安定した後、高周波電源4から高周波電力をインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に供給することにより前記放電用はしご型電極2と前記被処理物8の間にプラズマ9を発生させ、前記被処理物8のi型アモルファスSi層32上に厚さ40nmのn型アモルファスSi層33を製膜した。
【0085】
次いで、n型アモルファスSi層33上に前述した実施例1と同様な方法によりp型微結晶Si層13、i型微結晶Si層14、n型微結晶Si層15、酸化インジウムからなる第2透明電極16およびAlからなる裏面電極17を順次形成して図6に示すタンデム構造の太陽電池を製造した。
【0086】
実施例3の太陽電池に模擬太陽光(スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、照射温度:室温)をその透明絶縁性基板側から入射し、発電特性を評価した。その結果、比較例1を上記タンデムに適用した場合に比べて大きな短絡電流値1.10(相対値)が得られた。
【0087】
(実施例4)
この実施例4では、透明絶縁性基板側から光を入射するタイプでpin構造が多結晶Siからなり、かつタンデム構造を有する太陽電池の製造工程を図7を参照して説明する。
【0088】
まず、光透過を有する青板ガラスからなる透明絶縁性基板11上に酸化錫からなる第1透明電極12を形成した。つづいて、この透明電極12上に実施例3と同様な方法によりp型アモルファスSi層31、i型アモルファスSi層32およびn型アモルファスSi層33を順次製膜した。ひきつづき、n型アモルファスSi層33上に前述した実施例2と同様な方法によりp型多結晶Si層18、i型多結晶Si層19、n型多結晶Si層20、酸化インジウムからなる第2透明電極16およびAlからなる裏面電極17を順次形成して図7に示すタンデム構造の太陽電池を製造した。
【0089】
実施例4の太陽電池に模擬太陽光(スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、照射温度:室温)をその透明絶縁性基板側から入射し、発電特性を評価した。その結果、実施例3と同様に大きな短絡電流値が得られた。
【0090】
(実施例5)
この実施例5では、第2透明電極側から光を入射するタイプでnip構造が微結晶Siからなる太陽電池の製造工程を図8を参照して説明する。
【0091】
まず、光透過を有する青板ガラスからなる透明絶縁性基板41上にAlからなる裏面電極42および酸化亜鉛(ZnO)からなる第1透明電極43を形成した。
【0092】
次いで、前述した図1に示すプラズマCVD装置におけるn層製膜用の反応容器1内の陽極3に前記透明電極43が形成された透明絶縁性基板41を被処理物8として保持し、被処理物8をリードを通して接地された反応容器1に接続した後、図示しない真空ポンプを作動して排気管7を通して前記反応容器1内を1×10-8Torr以下に真空排気した。つづいて、陽極3に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物8の基板を160℃の温度に加熱した。加熱ヒーターによる加熱温度が十分安定した後、反応容器1内に原料ガスであるSiH4、H2およびPH3をガス供給管6を通して導入し、反応容器1内を700mTorrの圧力に制御した。反応容器1内の温度および圧力が十分安定した後、高周波電源4から周波数100MHzの高周波電力をインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に供給することにより前記放電用はしご型電極2と前記被処理物8の間にプラズマ9を発生させ、前記被処理物8の第1透明電極43上に厚さ30nmのn型微結晶Si層44を製膜した。
【0093】
次いで、n型微結晶Si層44を製膜後、原料ガスの供給を停止し、反応容器1内を真空排気した。つづいて、i層製膜用の反応容器1内に被処理物8を移動し上記製膜と同様の手順でセットした。1×10-7Torr以下に真空排気した後、つづいて、陽極3に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物8の基板を190℃に加熱した。加熱ヒーターによる加熱温度が十分安定した後、反応容器内1に反応容器1内に原料ガスであるSiH4とSiH2Cl2とH2との混合ガスをガス供給管6を通して導入した後、反応容器1内の圧力を2.0Torrに制御した。このとき、前記各ガスの量はSiH4:3〜7sccm、SiH2Cl2(1%水素希釈):50〜250sccm、H2:100〜250sccmとした。また、SiH2Cl2は全Siガスの流量に対して流量比で10〜40%の範囲であった。原料ガスを導入した後、反応容器1内の温度及び圧力を十分安定させた後、高周波電源4からインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に周波数100MHz、10Wの高周波電力を供給することによりプラズマを発生させ、前記n型微結晶Si層44上に厚さ1500nmのi型微結晶Si層45の製膜した。このi型微結晶Si層45は、塩素を6×1019cm-3含有されていた。
【0094】
次いで、i型微結晶Si層45の製膜後、原料ガスの供給を停止し、反応容器1内を真空排気した。つづいて、p層製膜用の反応容器1内へ被処理物8を移動し上記製膜と同様の手順でセットした。1×10-7Torr以下に真空排気した後、つづいて、陽極3に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物8の基板を160℃に加熱した。加熱ヒーターによる加熱温度が十分安定した後、この反応容器1内に原料ガスであるSiH4、H2およびB2H6をガス供給管6を通して導入し、反応容器1内を500mTorrの圧力に制御した。反応容器1内の温度および圧力が十分安定した後、高周波電源4から高周波電力をインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に供給することにより前記放電用はしご型電極2と前記被処理物8の間にプラズマ9を発生させ、前記被処理物8のi型微結晶Si層45上に厚さ30nmのp型微結晶Si層46を製膜した。この後、前記被処理物をプラズマCVD層の反応容器1から取り出し、前記p型微結晶Si層46に酸化インジウムからなる第2透明電極47を形成して図8に示す太陽電池を製造した。
【0095】
実施例5で製膜したi型微結晶Si層の(110)配向比を調べた結果、実施例1と同様な29の値を示した。
【0096】
また、実施例5の太陽電池に模擬太陽光(スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、照射温度:室温)をその第2透明電極側から入射し、発電特性を評価した。その結果は、実施例1と同様な大きな短絡電流が得られた。
【0097】
(実施例6)
この実施例6では、第2透明電極側から光を入射するタイプでnip構造が多結晶Siからなる太陽電池の製造工程を図9を参照して説明する。
【0098】
まず、光透過を有する青板ガラスからなる透明絶縁性基板41上にAlからなる裏面電極42および酸化亜鉛(ZnO)からなる第1透明電極43を形成した。
【0099】
次いで、前述した図1に示すプラズマCVD装置におけるn層製膜用の反応容器1内の陽極3に前記透明電極43が形成された透明絶縁性基板41を被処理物8として保持し、被処理物8をリードを通して接地された反応容器1に接続した後、図示しない真空ポンプを作動して排気管7を通して前記反応容器1内を1×10-7Torr以下に真空排気した。つづいて、陽極3に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物8の基板を180℃の温度に加熱した。加熱ヒーターによる加熱温度が十分安定した後、反応容器1内に原料ガスであるSiH4、H2およびPH3をガス供給管6を通して導入し、反応容器1内を700mTorrの圧力に制御した。反応容器1内の温度および圧力が十分安定した後、高周波電源4から周波数100MHzの高周波電力をインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に供給することにより前記放電用はしご型電極2と前記被処理物8の間にプラズマ9を発生させ、前記被処理物8の第1透明電極43上に厚さ300nmのn型多結晶Si層48を製膜した。
【0100】
次いで、n型多結晶Si層48を製膜後、原料ガスの供給を停止し、反応容器1内を真空排気した。つづいて、i層製膜用の反応容器1内へ被処理物8を移動し上記n型微結晶Si層13の製膜と同様にセットした。1×10-7Torr以下に真空排気した後、つづいて、陽極3に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物8の基板を210℃に加熱した。加熱ヒーターによる加熱温度が十分安定した後、反応容器1内に原料ガスであるSiH4とSiH2Cl2とH2との混合ガスをガス供給管6を通して導入した後、反応容器1内の圧力を1.0Torrに制御した。このとき、前記各ガスの量はSiH4:5〜10sccm、SiH2Cl2(1%水素希釈):100〜200sccm、H2:100〜200sccmとした。また、SiH2Cl2は全Siガスの流量に対して流量比で10〜30%の範囲であった。原料ガスを導入した後、反応容器1内の温度及び圧力を十分安定させた後、高周波電源4からインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に周波数100MHz、70mW/cm2の高周波電力を供給することによりプラズマを発生させ、前記n型多結晶Si層48上に厚さ1500nmのi型多結晶Si層49の製膜した。このi型多結晶Si層49は、塩素を4×1019cm-3含有されていた。
【0101】
次いで、i型多結晶Si層49の製膜後、原料ガスの供給を停止し、反応容器1内を真空排気した。つづいて、p層製膜用の反応容器1内へ被処理物8を移動し上記製膜と同様の手順でセットした。1×10-7Torr以下に真空排気した後、つづいて、陽極3に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物8の基板を180℃に加熱した。加熱ヒーターによる加熱温度が十分安定した後、この反応容器1内に原料ガスであるSiH4、H2およびB2H6をガス供給管6を通して導入し、反応容器1内を700mTorrの圧力に制御した。反応容器1内の温度および圧力が十分安定した後、高周波電源4から高周波電力をインピーダンス整合器5を通して放電用はしご型電極2に供給することにより前記放電用はしご型電極2と前記被処理物8の間にプラズマ9を発生させ、前記被処理物8のi型多結晶Si層49上に厚さ30nmのp型多結晶Si層50を製膜した。この後、前記被処理物をプラズマCVD層の反応容器1から取り出し、前記p型多結晶Si層50に酸化インジウムからなる第2透明電極47を形成して図9に示す太陽電池を製造した。
【0102】
実施例6で製膜したi型多結晶Si層の(110)配向比を調べた結果、実施例1と同様な29の値を示した。
【0103】
また、実施例6の太陽電池に模擬太陽光(スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、照射温度:室温)をその第2透明電極側から入射し、発電特性を評価した。その結果は、実施例1と同様な大きな短絡電流が得られた。
【0104】
(実施例7)
この実施例7では、第2透明電極側から光を入射するタイプでnip構造が微結晶Siからなり、かつタンデム構造を有する太陽電池の製造工程を図10を参照して説明する。
【0105】
まず、光透過を有する青板ガラスからなる透明絶縁性基板41上にAlからなる裏面電極42および酸化錫からなる第1透明電極43を形成した。つづいて、この第2透明電極43上に実施例5と同様な方法によりn型微結晶Si層43、i型微結晶Si層44、p型微結晶Si層45を順次形成した。ひきつづき、p型微結晶Si層45上に実施例3と同様な方法によりn型アモルファスSi層51、i型アモルファスSi層52およびp型アモルファスSi層53を順次製膜し、さらに酸化インジウムからなる第2透明電極47を形成して図10に示すタンデム構造の太陽電池を製造した。
【0106】
実施例7の太陽電池に模擬太陽光(スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、照射温度:室温)をその第2透明電極側から入射し、発電特性を評価した。その結果、比較例1を上記タンデムに適用した場合に比べて大きな短絡電流値1.10(相対値)が得られた。
【0107】
(実施例8)
この実施例8では、透明絶縁性基板側から光を入射するタイプでnip構造が多結晶Siからなり、かつタンデム構造を有する太陽電池の製造工程を図11を参照して説明する。
【0108】
まず、光透過を有する青板ガラスからなる透明絶縁性基板41上にAlからなる裏面電極42および酸化錫からなる第1透明電極43を形成した。つづいて、この第2透明電極43上に実施例6と同様な方法によりn型多結晶Si層48、i型多結晶Si層49、p型多結晶Si層50を順次形成した。ひきつづき、p型多結晶Si層50上に実施例3と同様な方法によりn型アモルファスSi層51、i型アモルファスSi層52およびp型アモルファスSi層53を順次製膜し、さらに酸化インジウムからなる第2透明電極47を形成して図11に示すタンデム構造の太陽電池を製造した。
【0109】
実施例8の太陽電池に模擬太陽光(スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、照射温度:室温)をその第2透明電極側から入射し、発電特性を評価した。その結果、実施例7と同様に大きな短絡電流値が得られた。
【0110】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、透明絶縁性基板上に第1透明電極、pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層、第2透明電極および裏面電極を順次形成し、前記透明絶縁性基板側から光を入射させる構造の太陽電池の製造において、少なくともi型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層を従来技術に比べてより低温で、かつ低コストで製膜することによって前記第1透明電極の光透過性の低下、pi接合界面またはni接合界面での電気特性の劣化を招くことなく、前記i型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層を(110)優先配向させることを可能にし、ひいては短絡電流のような発電特性が向上された太陽電池の製造方法を提供することができる。
【0111】
また、本発明によれば透明絶縁性基板上に裏面電極、第1透明電極、pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層および第2透明電極を順次形成し、前記第2透明電極側から光を入射させる構造の太陽電池の製造において、少なくともi型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層を従来技術に比べてより低温で、かつ低コストで製膜することによって前記第1透明電極の光透過性の低下、pi接合界面またはni接合界面での電気特性の劣化を招くことなく、前記i型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層を(110)優先配向させることを可能にし、ひいては短絡電流のような発電特性が向上された太陽電池の製造方法を提供することができる。
【0112】
さらに、本発明によれば(110)優先配向性を示すi型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層を含むpin構造の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層を有し、短絡電流のような発電特性が向上された太陽電池を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の太陽電池を製造したプラズマCVD装置の断面図。
【図2】放電用はしご型電極の平面図。
【図3】本発明の実施例1におけるの太陽電池の構造を示す断面図。
【図4】本発明の実施例1および比較例1における太陽電池の短絡電流を示す特性図。
【図5】本発明の実施例2におけるの太陽電池の構造を示す断面図。
【図6】本発明の実施例3におけるの太陽電池の構造を示す断面図。
【図7】本発明の実施例4におけるの太陽電池の構造を示す断面図。
【図8】本発明の実施例5におけるの太陽電池の構造を示す断面図。
【図9】本発明の実施例6におけるの太陽電池の構造を示す断面図。
【図10】本発明の実施例7におけるの太陽電池の構造を示す断面図。
【図11】本発明の実施例8におけるの太陽電池の構造を示す断面図。
【図12】従来の太陽電池の構造を示す断面図。
【図13】従来の太陽電池の製造工程での問題点を説明するための断面図。
【図14】従来の太陽電池の製造工程での他の問題点を説明するための断面図。
【符号の説明】
1…反応容器、
2…放電用はしご型電極、
3…陽極、
4…高周波電源、
5…整合器、
6…ガス供給管、
7…排気管、
8…被処理物、
9…プラズマ、
11,41…透明絶縁性基板、
12,42…第1透明電極、
13,46…p型微結晶Si層、
14,45…i型微結晶Si層、
15,44…n型微結晶Si層、
16,47…第2透明電極、
17,42…裏面電極、
18,50…p型多結晶Si層、
19,49…i型多結晶Si層、
20,48…n型多微結晶Si層、
31,53…p型アモルファスSi層、
32,52…i型アモルファスSi層、
33,51…n型アモルファスSi層。
Claims (15)
- 透明絶縁性基板上に第1透明電極と、pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層と、第2透明電極と、裏面電極とを順次形成し、前記透明絶縁性基板側から光を入射させる太陽電池を製造するに際し、
反応容器と、この反応容器に原料ガスを供給するためのガス供給手段と、前記反応容器内のガス排出するための排出手段と、前記反応容器内に配置された放電用はしご型電極と、この放電用はしご型電極にグロー放電発生用電力を供給するための電源と、前記反応容器内に前記放電用はしご型電極と離間して平行に配置され、加熱用ヒーターを内蔵した支持電極とを備えるCVD装置を用い、
前記pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層のうち、少なくともi型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層は、前記CVD装置の支持電極に前記透明絶縁性基板を有する被処理物を支持させて加熱し、SiH4とSiH2Cl2、SiHCl3およびSiCl4から選ばれる少なくとも1つの塩素化ケイ素系化合物ガスとH2との混合ガスを前記原料ガスとして前記塩素化ケイ素系化合物ガスが前記SiH 4 と前記塩素化ケイ素系化合物ガスとの合計流量に対して1〜80%の範囲になるように前記ガス供給手段から前記反応容器内に供給し、前記電源からはしご型電極に周波数60MHz以上のグロー放電発生用高周波電力を供給して前記反応容器内にグロー放電を起こしてプラズマを発生させることにより製膜され、かつ塩素を1×10 18 cm -3 〜8×10 20 cm -3 含有することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - さらに前記第1透明電極と前記pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層との間にp、i、nの配列が前記微結晶シリコン層または多結晶シリコン層と同様なpin構造またはnip構造を持つアモルファスシリコン層を配置したことを特徴とする請求項1記載の太陽電池の製造方法。
- 透明絶縁性基板上に裏面電極と、第1透明電極と、pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層と、第2透明電極とを順次形成し、前記第2透明電極側から光を入射させる太陽電池を製造するに際し、
反応容器と、この反応容器に原料ガスを供給するためのガス供給手段と、前記反応容器内のガス排出するための排出手段と、前記反応容器内に配置された放電用はしご型電極と、この放電用はしご型電極にグロー放電発生用高周波電力を供給するための電源と、前記反応容器内に前記放電用はしご型電極と離間して平行に配置され、加熱用ヒーターを内蔵した支持電極とを備えるCVD装置を用い、
前記pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層のうち、少なくともi型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層は、前記CVD装置の支持電極に前記透明絶縁性基板を有する被処理物を支持させて加熱し、SiH4とSiH2Cl2、SiHCl3およびSiCl4から選ばれる少なくとも1つの塩素化ケイ素系化合物ガスとH2との混合ガスを前記原料ガスとして前記塩素化ケイ素系化合物ガスが前記SiH 4 と前記塩素化ケイ素系化合物ガスとの合計流量に対して1〜80%の範囲になるように前記ガス供給手段から前記反応容器内に供給し、前記電源からはしご型電極に周波数60MHz以上のグロー放電発生用電力を供給して前記反応容器内にグロー放電を起こしてプラズマを発生させることにより製膜され、かつ塩素を1×10 18 cm -3 〜8×10 20 cm -3 含有することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - さらに前記pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層と前記第2透明電極との間にp、i、nの配列が前記微結晶シリコン層または多結晶シリコン層と同様なpin構造またはnip構造を持つアモルファスシリコン層を配置したことを特徴とする請求項3記載の太陽電池の製造方法。
- 少なくとも前記i型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層の製膜において、前記支持電極の加熱ヒーターにより120〜300℃の温度に加熱することを特徴とする請求項1または3記載の太陽電池の製造方法。
- 少なくとも前記i型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層の製膜において、前記支持電極の加熱ヒーターにより160〜210℃の温度に加熱することを特徴とする請求項1または3記載の太陽電池の製造方法。
- 前記塩素化ケイ素系化合物ガスは、前記SiH 4 と前記塩素化ケイ素系化合物ガスの合計流量に対して流量比で10〜40%の範囲にて前記反応容器に供給されることを特徴とする請求項1または3記載の太陽電池の製造方法。
- 少なくともi型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層の製膜において、前記反応容器の圧力を0.5〜10Torrの範囲に設定することを特徴とする請求項1または3記載の太陽電池の製造方法。
- 少なくともi型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層の製膜において、前記反応容器の圧力を0.5〜3Torrの範囲に設定することを特徴とする請求項1または3記載の太陽電池の製造方法。
- 透明絶縁性基板上に第1透明電極と、pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層と、第2透明電極と、裏面電極とが順次形成され、前記透明絶縁性基板側から光を入射させる太陽電池において、
前記pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層のうち、少なくともi型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層は、塩素を1×10 18 cm -3 〜8×10 20 cm -3 含有することを特徴とする太陽電池。 - 少なくとも前記i型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層は、塩素を2×10 19 cm -3 〜4×10 20 cm -3 含有することを特徴とする請求項10記載の太陽電池。
- さらに前記第1透明電極と前記pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層との間にp、i、nの配列が前記微結晶シリコン層または多結晶シリコン層と同様なpin構造またはnip構造を持つアモルファスシリコン層を配置したことを特徴とする請求項10記載の太陽電池。
- 透明絶縁性基板上に裏面電極と、第1透明電極と、pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層と、第2透明電極とが順次形成され、前記第2透明電極側から光を入射させる太陽電池において、
前記pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層のうち、少なくともi型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層は、塩素を1×10 18 cm -3 〜8×10 20 cm -3 含有することを特徴とする太陽電池。 - 少なくとも前記i型の微結晶シリコン層または多結晶シリコン層は、塩素を2×10 19 cm -3 〜4×10 20 cm -3 含有することを特徴とする請求項13記載の太陽電池。
- さらに前記pin構造またはnip構造を持つ微結晶シリコン層または多結晶シリコン層と前記第2透明電極との間にp、i、nの配列が前記微結晶シリコン層または多結晶シリコン層と同様なpin構造またはnip構造を持つアモルファスシリコン層を配置したことを特徴とする請求項13記載の太陽電池。
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