JP3696021B2

JP3696021B2 - Light irradiation device

Info

Publication number: JP3696021B2
Application number: JP2000011191A
Authority: JP
Inventors: 則明坂本; 義幸小林
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2000-01-20
Filing date: 2000-01-20
Publication date: 2005-09-14
Anticipated expiration: 2020-01-20
Also published as: JP2001203396A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光照射装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
まず光を大量に照射する必要がある場合、一般には電灯等が用いられている。しかし、軽薄短小および省電力を目的として、図９の様にプリント基板１に光素子２を実装させる場合がある。
【０００３】
この光素子は、半導体で形成された発光ダイオード（Light Emitting Diode）が主ではあるが、他に半導体レーザ等も考えられる。
【０００４】
この発光ダイオード２は、２本のリード３，４が用意され、一方のリード３には、発光ダイオードチップ５の裏面（アノード電極またはカソード電極）が半田等で固着され、他方のリード４は、前記チップ表面の電極（カソード電極またはアノード電極）と金属細線６を介して電気的に接続されている。また前記リード３，４、チップ５および金属細線６を封止する透明な樹脂封止体７がレンズも兼ねて形成されている。
【０００５】
一方、プリント基板１には、前記発光ダイオード２に電源を供給するために電極８，９が設けられ、ここに設けられたスルーホールに前記リード３、４が挿入され、半田等を介して前記発光ダイオード２が固着、実装されている。
【０００６】
例えば、特開平９−２５２６５１号公報には、この発光ダイオードを用いた光照射装置が説明されている。
【０００７】
しかしながら、前述した光半導体素子２は、樹脂封止体７、リード３，４等が組み込まれたパッケージで成るため、実装された基板１のサイズが大きく、重量が重くなる欠点があった。また基板自身の放熱性が劣るため、全体として温度上昇を来す問題があった。そのため、半導体チップ自身も温度上昇し、駆動能力が低下する問題があった。
【０００８】
また発光ダイオード５は、チップの側面からも光が発光し、基板１側にも向かう光が存在する。しかし基板１がプリント基板でなるため、全ての光を上方に発射させる効率の高い発射ができない問題もあった。
【０００９】
そのため、図１０の如き構造が考えられた。これは、特願平１１−１６２５０８号で既に出願されているものである。
【００１０】
この構造は、金属基板１１を採用することにより、実装される発光ダイオード１５の温度上昇を防止するものである。
【００１１】
そして、電極３０と電極３１との間に発光ダイオード１５…を直列接続させ、発光ダイオード１５…に通過する電流値を一定にさせた構造である。
【００１２】
電極３０、電極３１との間には、１０枚の電極が形成され、電極３２に発光ダイオードのカソード電極（またはアノード電極）と成るチップ裏面を固着し、アノード電極（またはカソード電極）と電極３０を金属細線１７で接続している。また電極３３に二番目の発光ダイオードのチップ裏面を固着し、チップ表面の電極と電極３２を金属細線３４で接続している。つまりカソード電極（またはアノード電極）となるチップ裏面が固着された電極は、次の発光ダイオードのアノード電極（またはカソード電極）から延在された金属細線と接続されている。この接続形態を繰り返して直列接続が実現されている。また、銅箔から成る電極を反射板とするため、表面にはＮｉが被覆され、更には基板全域を実質反射板とするために、右の電極３０から左の電極３１までの１２個の電極で実質完全に覆われるようにパターニングされている。
【００１３】
この構造によれば、発光ダイオード１５から発生する熱は、金属基板１１を介して放熱され、発光ダイオード１５の駆動電流をより大きく取れるメリットを有する。更には、金属基板１１がＮｉで被覆され、レンズ１９を形成しているため、発光ダイオード１５から発光される光を効率よく上方に発射できる特徴を有している。
【００１４】
図１１は、前記レンズの具体的構造を示すものである。レンズは、流動性のある樹脂を固化して形成するため、また凸状に形成するため、前記流れ防止手段２０をリング状に形成し、このリング状の流れ防止手段２０の中に前記樹脂を塗布して形成していた。また発光ダイオード１５からの光を効率よく集めるために、第１のレンズ２１の上に第２のレンズ２２を形成していた。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した構成では、一枚の金属基板１１に実装される発光ダイオード１５…毎に流れ防止手段２０がディスペンサで塗布されて形成され、更にこの流れ防止手段２０の中にレンズを構成する樹脂がディスペンサで塗布されて硬化されるため、この工程に要する時間が非常に長くなる問題を有していた。
【００１６】
また発光ダイオード１５…の中の一つが故障した際、基板１１全体を取り替えなくては成らない問題があった。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前述の課題に鑑みて成され、第１に、基板上に実装された光半導体素子と、前記光半導体素子を封止し且つレンズとなる透明樹脂とを有する光照射装置に於いて、前記光半導体素子を、前記透明樹脂も含めて個別部品で構成することで解決するものである。
【００１８】
第２に、基板上に設けられた第１の電極および第２の電極と、
前記第１の電極に裏面のカソード電極またはアノード電極が電気的に接続され、前記第２の電極に表のアノード電極またはカソード電極が電気的に接続された複数の光半導体素子と、
前記光半導体素子から発射される光を集光させるレンズとを備えた光照射装置に於いて、
前記レンズは前記光半導体素子を封止して個別部品として構成され、前記レンズの裏面には、前記カソード電極またはアノード電極と電気的に接続された第１の導電電極、前記アノード電極またはカソード電極と電気的に接続された第２の導電電極が露出され、
前記第１の導電電極と前記第１の電極、前記第２の導電電極と前記第２の電極が固着されていることで解決するものである。
【００１９】
第３に、基板上に設けられた第１の電極および第２の電極と、
前記第１の電極に裏面のカソード電極またはアノード電極が電気的に接続され、前記第２の電極に表のアノード電極またはカソード電極が電気的に接続された複数の光半導体素子と、
前記光半導体素子から発射される光を集光させるレンズとを備えた光照射装置に於いて、
前記レンズは前記光半導体素子および前記光半導体素子の光を上方に反射するカップ状の反射手段とを封止して個別部品として構成され、裏面には、前記カソード電極またはアノード電極と電気的に接続された第１の導電電極、前記アノード電極またはカソード電極と電気的に接続された第２の導電電極が露出され、
前記第１の導電電極と前記第１の電極、前記第２の導電電極と前記第２の電極が固着されていることで解決するものである。
【００２０】
個別部品として用意することで、光照射装置の製造時間が大幅に短縮できる。また基板に実装された光半導体素子の中で何個か破壊しても、個別部品で用意してあるために、破壊した光半導体素子それぞれを個別に取り替えることができる。
【００２１】
また反射手段も一緒に個別部品の中に組み込むことで、本光照射装置の製造工程を大幅に簡略する事ができる。
【００２２】
第４に、前記反射手段は、前記カソード電極またはアノード電極と電気的に接続された第１の反射電極、前記アノード電極またはカソード電極と電気的に接続された第２の反射電極により構成され、
前記第１の反射電極は、第１の導電電極と固着され、前記第２の反射電極は、第２の導電電極と固着されることで解決するものである。
【００２３】
第５に、前記反射手段は、前記カソード電極またはアノード電極と電気的に接続された第１の反射電極、前記アノード電極またはカソード電極と電気的に接続された第２の反射電極により構成され、
前記第１の反射電極および前記第２の反射電極は、前記レンズから露出されていることで解決するものである。
【００２４】
第６に、前記個別部品の側面は、位置認識のために水平面を有することで解決するものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本光照射装置は、アノード電極とカソード電極を有する光半導体素子が複数個基板上に実装されたものであり、前記光半導体素子が並列接続された光照射装置と直列接続された光照射装置に大別される。
【００２６】
まず図７を参照しながら、光半導体素子である発光ダイオード１５が並列接続された光照射装置について説明する。この構造は、第１の電極１３と第２の電極１４で、混成集積回路基板１１の殆ど全域を被覆している構造であり、この２つの電極１３、１４の間に発光ダイオード１５が並列接続されている。
【００２７】
前述した混成集積回路基板１１は、Ａｌ、ＣｕまたはＦｅ等が考えられ、混成集積回路基板として前記金属材料を用いた理由は、以下の事からである。第１に、光半導体素子から発生する熱を効率良く外部に放出する事ができる点である。光半導体素子の温度上昇を防止でき、駆動能力を向上できる特徴を有する。第２に、基板の平坦性、平滑性から、上方に向かって発光される光以外の光を効率よく反射させて上方へ向かわせる事ができる点である。更に第３に、実装上のビス止め孔加工、放物面等の加工等に優れる点である。
【００２８】
本発明では、加工性、軽量性が考慮されてＡｌが採用されている。この場合、その表面は、絶縁性向上から、陽極酸化により酸化物が形成され、この上に絶縁性樹脂１２が形成されている。また前記酸化膜は省略されても良いし、酸化物の代わりに別の無機物からなる絶縁膜で被覆されても良い。また混成集積回路基板１１は、導電性を有するため、この上に設けられる第１の電極１３、第２の電極１４との短絡を考慮し全面に絶縁性樹脂１２が被着され、スリットＳＬは、実質１ｍｍ以下で形成されている。
【００２９】
また電極１３、１４は、例えばＣｕより成り、配線、ランド、ボンデイング用のパッド、外部リード用の固着パッド等として機能している。そして、第１の電極１３と第２の電極１４の間に、本発明の個別部品として用意された発光ダイオード１５が固着される。尚、この個別部品の発光ダイオード１５については、後述する。この発光ダイオード１５の裏面は、カソードタイプとアノードタイプの２種類があり、図７は、カソードタイプである。これは直流電源の向きを変えるだけで、裏面がアノードタイプの光半導体素子も実装可能である。
【００３０】
ここで金属基板は、照射装置として機能させるため、発光ダイオード１５を複数個点在させている。
【００３１】
また発光ダイオードの駆動回路は、別の基板で実現しているが、前記駆動回路を金属基板１１に形成しても良い。この場合、基板の周辺、特に角部およびその近傍に配線、ランド、ボンデイング用のパッド、外部との電気的接続パッド等がパターニングされ、配線間はチップコンデンサ、チップ抵抗および印刷抵抗等の部品、トランジスタ、ダイオード、ＩＣ等が設けられる。ここでは、パッケージされた素子が実装されても良いが、ベアチップの方が、放熱性、実装面積の点から優れる。
【００３２】
この回路素子は半田や銀ペースト等を介して電気的に固着され、あるいは印刷抵抗がスクリーン印刷等で形成されている。また中には、前記半導体チップと配線を電気的に接続するため、チップ上の電極とボンディング用パッドとの間には金属細線が採用される。また、パッドには、必要があれば、半田を介して外部リードが電気的に接続されている。また実装上の問題から、基板の両側に少なくとも２個のビス止め孔が設けられても良い。
【００３３】
また金属基板１１上のＣｕのパターンは、絶縁性のフレキシブルシートに貼り合わされ、このフレキシブルシートを混成集積回路基板に貼り合わされても良い。
【００３４】
前述したとおり、金属基板１１の全面には絶縁性樹脂１２の膜が被着され、金属基板１１を二分するように二つの電極１３、１４が設けられ、表面にはＮｉが被着されている。Ｃｕの酸化防止、およびＣｕの酸化により光反射効率が低下するため、比較的酸化されにくく、光反射性に優れ、また金属細線とのボンディング性が考慮され、光沢性のあるＮｉが採用される。この構造により、金属基板１１全域は、光反射板として活用される。
【００３５】
よって、個別部品として用意された発光ダイオード１５に所定の電圧が加わり、発光ダイオード１５に電流が流れると、発光ダイオード１５は発光し、光反射板となる金属基板からの反射光も含めて、上方に光を放つことが可能となる。
【００３６】
以上、図７は、第１の電極１３と第２の電極１４との間に、発光ダイオード１５…が並列接続されているものである。しかし第２の電極１４表面がＮｉを採用しているため、この並列タイプは、金属細線１７のコンタクト抵抗がばらつく問題がある。従って、数ある発光ダイオード１５の内、コンタクト抵抗の少ない発光ダイオードに電流が集中し、特定の発光ダイオードが異常に明るかったり、また破壊に至ったりする問題があった。
【００３７】
そのため図８のように、直列接続構造が考えられた。電極３０と電極３１との間に個別部品である発光ダイオード１５…を直列接続させ、発光ダイオード１５…に通過する電流値を一定にさせている。
【００３８】
電極３０、電極３１との間には、１０枚の電極が形成され、電極３２に発光ダイオードのカソード電極（またはアノード電極）を電気的に接続し、アノード電極（またはカソード電極）を電極３０に電気的に接続している。また電極３３に二番目の発光ダイオードのカソード電極（またはアノード電極）を電気的に接続し、アノード電極（またはカソード電極）を電極３２に電気的に接続している。つまりカソード電極（またはアノード電極）となる個別部品裏面の電極が固着された基板上の電極は、次の発光ダイオードのアノード電極（またはカソード電極）となる個別部品の電極が接続されている。この接続形態を繰り返して直列接続が実現されている。この場合も、銅箔から成る電極を反射板とするため、表面にはＮｉが被覆され、基板全域を実質反射板とするために、右の電極３０から左の電極３１までの１２個の電極で完全に覆われるようにパターニングされている。もちろんそれぞれがパターン的に分離されるように若干の隙間（スリットＳＬ）が形成されている。
【００３９】
この構造によれば、直列接続された発光ダイオードのそれぞれに流れる電流は、理論的には同じ値を取るので、全ての発光ダイオードは、同じように光る。
【００４０】
以上、並列接続と直列接続の接続形態を説明したが、従来は、図１１で説明したように、金属基板１１の上に、流れ防止手段２０を形成した後、この流れ防止手段２０の中にレンズ２１、２２の透明樹脂を塗布して形成していた。しかし発光ダイオード１５の数が多く、しかも金属基板１１のサイズが大きいため、製造工程が非常に長くなる問題があった。
【００４１】
本発明は、この点に考慮し、図１〜図５の如き個別部品を用意することで、前記製造時間の短縮を実現した。前もって、個別部品で用意されていれば、図７、図８のように、電極１４，１５、または電極３０…が形成された金属基板の上に前記個別部品を実装すれば完了するため、光照射装置を短時間で製造することができる。
【００４２】
では、図１を説明する。尚図１ａは、平面図であり、図１ｂは、Ａ−Ａ線の断面図である。符号５０は、光半導体素子５２の裏面が固着される第１の導電電極であり、符号５３は、光半導体素子５２の表面と接続された金属細線５４が接続される第２の導電電極である。この第１の導電電極５０、第２の導電電極５３、光半導体素子５２および金属細線５４は、光半導体素子５２から発射される光を透過する樹脂５５で被覆され、個別部品の光半導体装置５６となる。この光半導体装置５６の裏面は、前記第１の導電電極５０、第２の導電電極５３の裏面が露出し、樹脂５５は、光半導体素子５２の光をできるだけ多く集光し上方に発射させるために上に凸のレンズ形状となっている。従って図１ａに示すように、上から見ると実質円形状をしている。
【００４３】
図２は、図１の樹脂５５に平面形状を持たせたものである。この平面は、金属基板に対して垂直な面で形成されており、こうすることにより、個別部品を保持する実装装置は、この面を位置認識できるため、実装基板への実装精度を高めることができる。尚、これ以外は、図１と実質同じ構成であるため、これ以降の説明は省略する。
【００４４】
図３は、実装装置の部品保持手段が保持しやすいように、金属基板に対して垂直な面を４つ設けたものである。光半導体素子５２を封止する部分は、直方体で構成され、この上に例えば半球状のレンズ５５が一体で構成されている。
【００４５】
図４は、光半導体素子５２の光を集光し、上方に発射させる目的で反射手段ＲＦを採用したものである。尚、図４ａは、平面図であり、図４ｂと図４ｃは、図４ａのＡ−Ａ線に対応する断面図であり、封止体から露出される電極が若干異なるものである。また図４ｄは、反射手段ＲＦの構造を説明する斜視図である。
【００４６】
まず反射手段ＲＦは、カップ状の形をしており、光半導体素子５２の側面から発射される光を上方に反射させるために、反射手段ＲＦの側面は傾斜している。そして反射手段ＲＦの中に前記光半導体素子５２を実装し、反射手段ＲＦを電極として活用するため、反射手段ＲＦは、第１の反射電極６０と第２の反射電極６１の２つで構成される。そして第１の反射電極６０は、光半導体素子の裏面がロウ材、導電ペースト等で電気的に固着され、前記第２の反射電極６１は、光半導体素子の表面の電極と接続された金属細線５４が電気的に接続されている。
【００４７】
この様に、第１の反射電極６０、第２の反射電極６１を電気的に分離し、全体をカップ状に構成することで、反射手段ＲＦも含めて個別部品とすることができる。
【００４８】
図４ｂは、第１の導電電極５０、第２の導電電極５３が個別部品の裏面から露出しており、第１の導電電極５０の上に第１の反射電極６０がロウ材や導電ペースト等で電気的に固着され、第２の導電電極５３の上に第２の反射電極６１が電気的に固着されている。
【００４９】
一方、図４ｃは、第１の導電電極５０と第２の導電電極５３が省略され、第１の反射電極６０と第２の反射電極６１が個別部品の裏面から露出されているものである。
【００５０】
図４では、金属細線５４の接続部分と反射面が一体で構成されているため、電気的分離をする必要があり反射面にスリットが設けられている。しかしこのスリットは、反射面として寄与しないため、発光強度が低下する問題を有する。
【００５１】
図５は、前記問題を考慮しスリットを反射面から取り除いたものである。つまり、反射手段ＲＦの底面に於いて、パッド電極７０をアイランド状に形成し、このパッド電極７０に金属細線５４を接続したものである。このようにすれば、反射手段ＲＦの反射面にはスリットが形成されないため、その分反射効率を高めることができる。
【００５２】
尚、図４、図５に於いて、反射手段ＲＦの裏面に樹脂を設けず、外部雰囲気に露出させる構造を採用すれば、反射面を介して光半導体素子の熱を放出させることができる。
【００５３】
最後に図６を用いて、実装方法を説明する。符号５６は、図３の個別部品（光半導体装置）であり、第１の光半導体装置５６ａの第１の導電電極５０と第２の導電電極５３が、金属基板１１上の電極８０、８１に接続される。また第２の光半導体装置５６ｂの第１の導電電極５０と第２の導電電極５３が、金属基板１１上の電極８１、８２に接続される。更には、第３の光半導体装置５６ｂの第１の導電電極５０と第２の導電電極５３が、金属基板１１上の電極８２、８３に接続される。また基板上のスリットＳＬの間隔よりも第１の導電電極５０、第２の導電電極５３の間隔の方を広く形成し、短絡を防止している。
【００５４】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、金属基板の上に光半導体素子をマトリックス状に配置して、光照射装置として使用するので、前記光半導体素子を個別部品として用意し、これを固着した構造とすることにより、製造工程が簡略され、製造時間を大幅に短縮することができる。
【００５５】
また個別部品に位置認識用の面を形成することによって、実装装置によるマウントの精度を高めることができる。
【００５６】
また、レンズ、反射手段を一体で形成できるため、殆どの光を上方に発射でき、発光効率の優れた光照射装置を実現できる。
【００５７】
更に、従来では、基板上に実装された複数の光半導体装置の中で１個でも故障したら、基板全体を取り替える必要があったが、本発明では、光半導体装置を個別部品としているため、金属基板上の該当する光半導体装置のみを取り替えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の個別部品を説明する図である。
【図２】本発明の個別部品を説明する図である。
【図３】本発明の個別部品を説明する図である。
【図４】本発明の個別部品を説明する図である。
【図５】本発明の個別部品を説明する図である。
【図６】個別部品の実装構造を説明する図である。
【図７】個別部品の実装構造を説明する図である。
【図８】個別部品の実装構造を説明する図である。
【図９】従来の光照射装置を説明する図である。
【図１０】従来の光照射装置を説明する図である。
【図１１】従来の光半導体素子の実装構造を説明する図である。
【符号の説明】
１１金属基板
１３第１の電極
１４第２の電極
１５発光ダイオード
１９レンズ
５０第１の導電電極
５２光半導体素子
５３第２の導電電極
６０第１の反射電極
６１第２の反射電極
７０パッド電極
ＲＦ反射手段[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a light irradiation apparatus.
[0002]
[Prior art]
First, when it is necessary to irradiate a large amount of light, an electric lamp or the like is generally used. However, the optical element 2 may be mounted on the printed circuit board 1 as shown in FIG.
[0003]
The optical element is mainly a light emitting diode formed with a semiconductor, but a semiconductor laser or the like is also conceivable.
[0004]
The light emitting diode 2 is provided with two leads 3 and 4, the back surface (anode electrode or cathode electrode) of the light emitting diode chip 5 is fixed to one lead 3 with solder or the like, and the other lead 4 is The chip surface electrode (cathode electrode or anode electrode) is electrically connected via a fine metal wire 6. A transparent resin sealing body 7 that seals the leads 3 and 4, the chip 5, and the fine metal wires 6 is also formed as a lens.
[0005]
On the other hand, the printed circuit board 1 is provided with electrodes 8 and 9 for supplying power to the light-emitting diode 2, and the leads 3 and 4 are inserted into through holes provided therein, and the above-mentioned leads are connected via solder or the like. The light emitting diode 2 is fixed and mounted.
[0006]
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-252651 describes a light irradiation apparatus using this light emitting diode.
[0007]
However, since the above-described optical semiconductor element 2 is formed of a package in which the resin sealing body 7, the leads 3, 4 and the like are incorporated, there is a drawback that the size of the mounted substrate 1 is large and the weight is increased. Further, since the heat dissipation of the substrate itself is inferior, there is a problem that the temperature rises as a whole. For this reason, the temperature of the semiconductor chip itself also rises, and there is a problem that the driving capability is lowered.
[0008]
The light emitting diode 5 emits light also from the side surface of the chip, and there is light traveling toward the substrate 1 side. However, since the substrate 1 is a printed circuit board, there is a problem that it is not possible to emit with high efficiency to emit all light upward.
[0009]
Therefore, the structure as shown in FIG. 10 was considered. This has already been filed in Japanese Patent Application No. 11-162508.
[0010]
This structure prevents the temperature rise of the light emitting diode 15 to be mounted by using the metal substrate 11.
[0011]
The light emitting diodes 15 are connected in series between the electrode 30 and the electrode 31, and the current value passing through the light emitting diodes 15 is made constant.
[0012]
Ten electrodes are formed between the electrode 30 and the electrode 31, and a chip back surface serving as a cathode electrode (or anode electrode) of the light emitting diode is fixed to the electrode 32, and the anode electrode (or cathode electrode) and the electrode 30 are fixed. Are connected by a thin metal wire 17. The back surface of the chip of the second light emitting diode is fixed to the electrode 33, and the electrode on the chip surface and the electrode 32 are connected by a thin metal wire 34. That is, the electrode to which the back surface of the chip to be the cathode electrode (or anode electrode) is fixed is connected to the thin metal wire extending from the anode electrode (or cathode electrode) of the next light emitting diode. A series connection is realized by repeating this connection form. Further, in order to use an electrode made of copper foil as a reflector, the surface is coated with Ni, and further, to form a substantially reflector over the entire substrate, twelve electrodes from the right electrode 30 to the left electrode 31 are used. And patterned so as to be substantially completely covered.
[0013]
According to this structure, the heat generated from the light emitting diode 15 is dissipated through the metal substrate 11, and there is an advantage that a larger driving current of the light emitting diode 15 can be obtained. Furthermore, since the metal substrate 11 is covered with Ni to form the lens 19, the light emitted from the light emitting diode 15 can be efficiently emitted upward.
[0014]
FIG. 11 shows a specific structure of the lens. In order to form the lens by solidifying a fluid resin, or to form a convex shape, the flow prevention means 20 is formed in a ring shape, and the resin is placed in the ring-shaped flow prevention means 20. It was formed by coating. Further, the second lens 22 is formed on the first lens 21 in order to efficiently collect the light from the light emitting diode 15.
[0015]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described configuration, the flow preventing means 20 is formed by applying a dispenser for each of the light emitting diodes 15 mounted on the single metal substrate 11, and the resin constituting the lens in the flow preventing means 20 is formed. Is applied by a dispenser and cured, and thus the time required for this step is very long.
[0016]
In addition, when one of the light emitting diodes 15 fails, there is a problem that the entire substrate 11 must be replaced.
[0017]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems. First, in a light irradiation apparatus having an optical semiconductor element mounted on a substrate and a transparent resin that seals the optical semiconductor element and becomes a lens. In this case, the optical semiconductor element is constituted by individual parts including the transparent resin.
[0018]
Second, a first electrode and a second electrode provided on the substrate;
A plurality of optical semiconductor elements in which a cathode electrode or an anode electrode on the back surface is electrically connected to the first electrode, and an anode electrode or a cathode electrode on the front surface is electrically connected to the second electrode;
In a light irradiation apparatus comprising a lens for condensing light emitted from the optical semiconductor element,
The lens is configured as an individual part by sealing the optical semiconductor element, and on the back surface of the lens, a first conductive electrode electrically connected to the cathode electrode or the anode electrode, the anode electrode or the cathode electrode A second conductive electrode electrically connected to the first electrode is exposed;
The problem is solved by fixing the first conductive electrode and the first electrode, and the second conductive electrode and the second electrode.
[0019]
Third, a first electrode and a second electrode provided on the substrate;
A plurality of optical semiconductor elements in which a cathode electrode or an anode electrode on the back surface is electrically connected to the first electrode, and an anode electrode or a cathode electrode on the front surface is electrically connected to the second electrode;
In a light irradiation apparatus comprising a lens for condensing light emitted from the optical semiconductor element,
The lens is configured as an individual part by sealing the optical semiconductor element and a cup-shaped reflecting means for reflecting light of the optical semiconductor element upward, and the rear surface is electrically connected to the cathode electrode or the anode electrode. A first conductive electrode connected, a second conductive electrode electrically connected to the anode electrode or the cathode electrode is exposed;
The problem is solved by fixing the first conductive electrode and the first electrode, and the second conductive electrode and the second electrode.
[0020]
By preparing as individual parts, the manufacturing time of the light irradiation device can be greatly shortened. Further, even if some of the optical semiconductor elements mounted on the substrate are destroyed, each of the destroyed optical semiconductor elements can be individually replaced because they are prepared as individual parts.
[0021]
Also, by incorporating the reflecting means together into the individual parts, the manufacturing process of the present light irradiation device can be greatly simplified.
[0022]
Fourth, the reflecting means is constituted by a first reflecting electrode electrically connected to the cathode electrode or anode electrode, a second reflecting electrode electrically connected to the anode electrode or cathode electrode,
The first reflective electrode is fixed to the first conductive electrode, and the second reflective electrode is fixed to the second conductive electrode.
[0023]
Fifth, the reflecting means is composed of a first reflecting electrode electrically connected to the cathode electrode or anode electrode, a second reflecting electrode electrically connected to the anode electrode or cathode electrode,
The first reflective electrode and the second reflective electrode are solved by being exposed from the lens.
[0024]
Sixth, the side surfaces of the individual parts are solved by having a horizontal plane for position recognition.
[0025]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
This light irradiation device is a device in which a plurality of optical semiconductor elements having an anode electrode and a cathode electrode are mounted on a substrate, and the light irradiation device connected in series with the light irradiation device in which the optical semiconductor elements are connected in parallel. Broadly divided.
[0026]
First, a light irradiation apparatus in which light emitting diodes 15 as optical semiconductor elements are connected in parallel will be described with reference to FIG. In this structure, the first electrode 13 and the second electrode 14 cover almost the entire area of the hybrid integrated circuit board 11, and the light emitting diode 15 is connected in parallel between the two electrodes 13 and 14. Has been.
[0027]
The hybrid integrated circuit board 11 may be Al, Cu, Fe, or the like, and the reason why the metal material is used as the hybrid integrated circuit board is as follows. First, heat generated from the optical semiconductor element can be efficiently released to the outside. The optical semiconductor element has features that can prevent a temperature rise and improve driving ability. Second, because of the flatness and smoothness of the substrate, light other than light emitted upward can be efficiently reflected and directed upward. Thirdly, it is excellent in processing of screw fixing holes on mounting, processing of paraboloids, and the like.
[0028]
In the present invention, Al is adopted in consideration of workability and lightness. In this case, an oxide is formed on the surface by anodic oxidation for improving the insulating property, and the insulating resin 12 is formed thereon. The oxide film may be omitted, or may be covered with an insulating film made of another inorganic material instead of the oxide. In addition, since the hybrid integrated circuit board 11 has conductivity, an insulating resin 12 is deposited on the entire surface in consideration of a short circuit with the first electrode 13 and the second electrode 14 provided thereon, and the slit SL is formed. , Substantially 1 mm or less.
[0029]
The electrodes 13 and 14 are made of Cu, for example, and function as wirings, lands, bonding pads, fixed pads for external leads, and the like. A light emitting diode 15 prepared as an individual component of the present invention is fixed between the first electrode 13 and the second electrode 14. The individual light emitting diode 15 will be described later. There are two types of the back surface of the light emitting diode 15; a cathode type and an anode type. FIG. 7 shows a cathode type. By simply changing the direction of the direct current power source, an optical semiconductor element having an anode back surface can be mounted.
[0030]
Here, the metal substrate is interspersed with a plurality of light emitting diodes 15 in order to function as an irradiation device.
[0031]
In addition, the drive circuit for the light emitting diode is realized by another substrate, but the drive circuit may be formed on the metal substrate 11. In this case, wiring, lands, pads for bonding, pads for electrical connection to the outside, etc. are patterned around the substrate, particularly corners and the vicinity thereof, and parts between the wiring such as chip capacitors, chip resistors and printing resistors, Transistors, diodes, ICs and the like are provided. Here, a packaged element may be mounted, but the bare chip is superior in terms of heat dissipation and mounting area.
[0032]
This circuit element is electrically fixed via solder, silver paste or the like, or a printing resistor is formed by screen printing or the like. Further, in order to electrically connect the semiconductor chip and the wiring, a thin metal wire is employed between the electrode on the chip and the bonding pad. Further, if necessary, external leads are electrically connected to the pads via solder. Further, at least two screwing holes may be provided on both sides of the substrate due to mounting problems.
[0033]
The Cu pattern on the metal substrate 11 may be bonded to an insulating flexible sheet, and the flexible sheet may be bonded to the hybrid integrated circuit substrate.
[0034]
As described above, a film of the insulating resin 12 is deposited on the entire surface of the metal substrate 11, two electrodes 13 and 14 are provided so as to bisect the metal substrate 11, and Ni is deposited on the surface. . Since light reflection efficiency is lowered by Cu oxidation prevention and Cu oxidation, it is relatively difficult to oxidize, has excellent light reflectivity, and is considered to be bonded to a fine metal wire, and glossy Ni is adopted. . With this structure, the entire area of the metal substrate 11 is utilized as a light reflecting plate.
[0035]
Therefore, when a predetermined voltage is applied to the light-emitting diode 15 prepared as an individual component and a current flows through the light-emitting diode 15, the light-emitting diode 15 emits light, including reflected light from the metal substrate serving as a light reflecting plate. It is possible to emit light.
[0036]
7 shows that the light emitting diodes 15 are connected in parallel between the first electrode 13 and the second electrode 14. However, since the surface of the second electrode 14 employs Ni, this parallel type has a problem that the contact resistance of the metal thin wire 17 varies. Accordingly, among the many light emitting diodes 15, current concentrates on the light emitting diodes having a small contact resistance, and there is a problem that the specific light emitting diodes are abnormally bright or are destroyed.
[0037]
Therefore, a serial connection structure was considered as shown in FIG. The light emitting diodes 15..., Which are individual components, are connected in series between the electrode 30 and the electrode 31, and the current value passing through the light emitting diodes 15 is made constant.
[0038]
Ten electrodes are formed between the electrode 30 and the electrode 31. The cathode electrode (or anode electrode) of the light emitting diode is electrically connected to the electrode 32, and the anode electrode (or cathode electrode) is connected to the electrode 30. Electrically connected. The cathode 33 (or anode electrode) of the second light emitting diode is electrically connected to the electrode 33, and the anode electrode (or cathode electrode) is electrically connected to the electrode 32. In other words, the electrode on the substrate to which the electrode on the back surface of the individual component serving as the cathode electrode (or anode electrode) is fixed is connected to the electrode of the individual component serving as the anode electrode (or cathode electrode) of the next light emitting diode. A series connection is realized by repeating this connection form. Also in this case, 12 electrodes from the right electrode 30 to the left electrode 31 are used so that the electrode is made of copper foil and the surface is coated with Ni. It is patterned so as to be completely covered with. Of course, a slight gap (slit SL) is formed so as to be separated in a pattern.
[0039]
According to this structure, the current flowing through each of the light emitting diodes connected in series theoretically takes the same value, so that all the light emitting diodes shine in the same manner.
[0040]
As described above, the connection form of the parallel connection and the series connection has been described. Conventionally, as described with reference to FIG. 11, after the flow prevention means 20 is formed on the metal substrate 11, The transparent resin for the lenses 21 and 22 was applied. However, since the number of the light emitting diodes 15 is large and the size of the metal substrate 11 is large, there is a problem that the manufacturing process becomes very long.
[0041]
In consideration of this point, the present invention realizes the shortening of the manufacturing time by preparing individual parts as shown in FIGS. If the individual parts are prepared in advance, as shown in FIGS. 7 and 8, the individual parts are mounted on the metal substrate on which the electrodes 14, 15, or electrodes 30 are formed. An irradiation apparatus can be manufactured in a short time.
[0042]
Now, FIG. 1 will be described. 1a is a plan view, and FIG. 1b is a cross-sectional view taken along line AA. Reference numeral 50 denotes a first conductive electrode to which the back surface of the optical semiconductor element 52 is fixed, and reference numeral 53 denotes a second conductive electrode to which a thin metal wire 54 connected to the front surface of the optical semiconductor element 52 is connected. . The first conductive electrode 50, the second conductive electrode 53, the optical semiconductor element 52, and the thin metal wire 54 are covered with a resin 55 that transmits light emitted from the optical semiconductor element 52, and an optical semiconductor device 56 that is an individual component. It becomes. The back surface of the optical semiconductor device 56 exposes the back surfaces of the first conductive electrode 50 and the second conductive electrode 53, and the resin 55 collects as much light as possible from the optical semiconductor element 52 and emits it upward. The lens is convex upward. Therefore, as shown in FIG. 1a, it is substantially circular when viewed from above.
[0043]
FIG. 2 shows the resin 55 shown in FIG. 1 having a planar shape. This plane is formed by a surface perpendicular to the metal substrate. By doing so, the mounting apparatus that holds the individual components can recognize the position of this surface, so that the mounting accuracy on the mounting substrate can be improved. it can. In addition, since it is the structure substantially the same as FIG. 1 except this, description after this is abbreviate | omitted.
[0044]
FIG. 3 shows four surfaces that are perpendicular to the metal substrate so that the component holding means of the mounting apparatus can be easily held. A portion that seals the optical semiconductor element 52 is configured as a rectangular parallelepiped, and a hemispherical lens 55 is integrally formed thereon, for example.
[0045]
FIG. 4 employs the reflection means RF for the purpose of concentrating the light of the optical semiconductor element 52 and emitting it upward. 4A is a plan view, and FIGS. 4B and 4C are cross-sectional views corresponding to the line AA in FIG. 4A, with the electrodes exposed from the sealing body being slightly different. FIG. 4d is a perspective view for explaining the structure of the reflecting means RF.
[0046]
First, the reflecting means RF has a cup shape, and the side surface of the reflecting means RF is inclined in order to reflect light emitted from the side surface of the optical semiconductor element 52 upward. In order to mount the optical semiconductor element 52 in the reflection means RF and use the reflection means RF as an electrode, the reflection means RF is composed of two parts, a first reflection electrode 60 and a second reflection electrode 61. The The first reflective electrode 60 has the back surface of the optical semiconductor element electrically fixed with a brazing material, a conductive paste or the like, and the second reflective electrode 61 is a thin metal wire connected to the electrode on the surface of the optical semiconductor element. 54 is electrically connected.
[0047]
In this way, the first reflective electrode 60 and the second reflective electrode 61 are electrically separated, and the whole is configured in a cup shape, whereby individual components including the reflection means RF can be obtained.
[0048]
In FIG. 4b, the first conductive electrode 50 and the second conductive electrode 53 are exposed from the back surface of the individual component, and the first reflective electrode 60 is formed on the first conductive electrode 50 with a brazing material, a conductive paste, or the like. The second reflective electrode 61 is electrically fixed on the second conductive electrode 53.
[0049]
On the other hand, in FIG. 4c, the first conductive electrode 50 and the second conductive electrode 53 are omitted, and the first reflective electrode 60 and the second reflective electrode 61 are exposed from the back surface of the individual component.
[0050]
In FIG. 4, since the connection part of the metal fine wire 54 and the reflecting surface are integrally formed, it is necessary to perform electrical separation, and a slit is provided on the reflecting surface. However, since this slit does not contribute as a reflecting surface, there is a problem that the emission intensity is lowered.
[0051]
In FIG. 5, the slit is removed from the reflecting surface in consideration of the above problem. That is, the pad electrode 70 is formed in an island shape on the bottom surface of the reflecting means RF, and the fine metal wire 54 is connected to the pad electrode 70. In this way, since no slit is formed on the reflection surface of the reflection means RF, the reflection efficiency can be increased accordingly.
[0052]
In FIGS. 4 and 5, if a structure in which the resin is not provided on the back surface of the reflecting means RF and exposed to the external atmosphere is employed, the heat of the optical semiconductor element can be released through the reflecting surface.
[0053]
Finally, the mounting method will be described with reference to FIG. Reference numeral 56 denotes an individual component (optical semiconductor device) in FIG. 3, and the first conductive electrode 50 and the second conductive electrode 53 of the first optical semiconductor device 56 a are connected to the electrodes 80 and 81 on the metal substrate 11. Connected. In addition, the first conductive electrode 50 and the second conductive electrode 53 of the second optical semiconductor device 56 b are connected to the electrodes 81 and 82 on the metal substrate 11. Furthermore, the first conductive electrode 50 and the second conductive electrode 53 of the third optical semiconductor device 56 b are connected to the electrodes 82 and 83 on the metal substrate 11. Further, the interval between the first conductive electrode 50 and the second conductive electrode 53 is formed wider than the interval between the slits SL on the substrate to prevent a short circuit.
[0054]
【The invention's effect】
As is clear from the above description, since the optical semiconductor elements are arranged in a matrix on the metal substrate and used as a light irradiation device, the optical semiconductor elements are prepared as individual parts and fixed to the structure. By doing so, the manufacturing process is simplified, and the manufacturing time can be greatly shortened.
[0055]
Further, by forming a surface for position recognition on the individual component, the mounting accuracy by the mounting apparatus can be increased.
[0056]
In addition, since the lens and the reflecting means can be integrally formed, most of the light can be emitted upward, and a light irradiation device with excellent luminous efficiency can be realized.
[0057]
Further, conventionally, if even one of the plurality of optical semiconductor devices mounted on the substrate fails, the entire substrate has to be replaced. However, in the present invention, since the optical semiconductor device is an individual component, Only the corresponding optical semiconductor device on the substrate can be replaced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram illustrating individual parts of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating individual parts of the present invention.
FIG. 3 is a diagram illustrating individual parts of the present invention.
FIG. 4 is a diagram illustrating individual parts of the present invention.
FIG. 5 is a diagram illustrating individual parts of the present invention.
FIG. 6 is a diagram illustrating a mounting structure of individual components.
FIG. 7 is a diagram illustrating a mounting structure of individual components.
FIG. 8 is a diagram illustrating a mounting structure of individual components.
FIG. 9 is a diagram illustrating a conventional light irradiation apparatus.
FIG. 10 is a diagram illustrating a conventional light irradiation apparatus.
FIG. 11 is a diagram illustrating a conventional mounting structure of an optical semiconductor element.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Metal substrate 13 1st electrode 14 2nd electrode 15 Light emitting diode 19 Lens 50 1st conductive electrode 52 Optical semiconductor element 53 2nd conductive electrode 60 1st reflective electrode 61 2nd reflective electrode 70 Pad electrode RF Reflection means

Claims

少なくとも表面に絶縁膜が形成された平坦な金属基板と、
前記絶縁膜上に形成され、前記金属基板のほぼ全領域を覆い且つそれぞれはパターン的に分離される隙間だけ離間された前記金属基板の一領域から他の領域に渡って入り組んで設けられた平坦な第１の電極および第２の電極と、
光半導体素子の各電極が接続される第１および第２の導電電極と前記光半導体素子から発射される光を透過しこれらを一体に被覆する樹脂で構成された個別部品の光半導体装置とよりなり、
前記樹脂より裏面を露出させた個別部品の前記光半導体装置の第１の導電電極と前記第１の電極、前記第２の導電電極と前記第２の電極が固着されていることを特徴とした光照射装置。 A flat metal substrate having an insulating film formed on at least the surface;
A flat surface formed on the insulating film, covering almost the entire area of the metal substrate, and intricately extending from one region of the metal substrate to another region separated by a pattern-separated gap. A first electrode and a second electrode,
From the first and second conductive electrodes to which the respective electrodes of the optical semiconductor element are connected, and the optical semiconductor device of an individual part composed of a resin that transmits and integrally covers the light emitted from the optical semiconductor element Become
The first conductive electrode and the first electrode, and the second conductive electrode and the second electrode of the optical semiconductor device of the individual component with the back surface exposed from the resin are fixed . Light irradiation device.

少なくとも表面に絶縁膜が形成された平坦な金属基板と、
前記絶縁膜上に形成され、前記金属基板のほぼ全領域を覆い且つそれぞれはパターン的に分離される隙間だけ離間された前記金属基板の一領域から他の領域に渡って入り組んで設けられた平坦な第１の電極および第２の電極と、
光半導体素子の一方の電極が固着される第１の導電電極、他方の電極が金属細線を介して接続される第２の導電電極、前記光半導体素子から発射される光を透過し前記光半導体素子、第１の導電電極、第２の導電電極および金属細線を一体に被覆する樹脂で構成された個別部品の光半導体装置とよりなり、
前記樹脂より裏面を露出させた光半導体装置の第１の導電電極と前記第１の電極、前記第２の導電電極と前記第２の電極が固着されていることを特徴とし光照射装置。 A flat metal substrate having an insulating film formed on at least the surface;
A flat surface formed on the insulating film, covering almost the entire area of the metal substrate, and intricately extending from one region of the metal substrate to another region separated by a pattern-separated gap. A first electrode and a second electrode,
A first conductive electrode to which one electrode of the optical semiconductor element is fixed; a second conductive electrode to which the other electrode is connected via a thin metal wire; and the optical semiconductor that transmits light emitted from the optical semiconductor element An optical semiconductor device of an individual part composed of a resin that integrally covers the element, the first conductive electrode, the second conductive electrode, and the fine metal wire;
The light irradiation apparatus, wherein the first conductive electrode and the first electrode, and the second conductive electrode and the second electrode of the optical semiconductor device whose back surface is exposed from the resin are fixed.

少なくとも表面に絶縁膜が形成された平坦な金属基板と、
前記絶縁膜上に形成され、前記金属基板のほぼ全領域を覆い且つそれぞれはパターン的に分離される隙間だけ離間された前記金属基板の一領域から他の領域に渡って入り組んで設けられた平坦な第１の電極および第２の電極と、
光半導体素子の一方の電極が固着される第１の導電電極、他方の電極が金属細線を介して接続される第２の導電電極、前記光半導体素子の光を上方に反射するカップ状の反射手段および前記光を透過し前記光半導体素子、第１の導電電極、第２の導電電極、金属細線および反射手段を一体に被覆する樹脂で構成された個別部品の光半導体装置とよりなり、
前記樹脂より裏面を露出させた光半導体装置の第１の導電電極と前記第１の電極、前記第２の導電電極と前記第２の電極が固着されていることを特徴とした光照射装置。 A flat metal substrate having an insulating film formed on at least the surface;
A flat surface formed on the insulating film, covering almost the entire area of the metal substrate, and intricately extending from one region of the metal substrate to another region separated by a pattern-separated gap. A first electrode and a second electrode,
A first conductive electrode to which one electrode of the optical semiconductor element is fixed, a second conductive electrode to which the other electrode is connected through a thin metal wire, and a cup-shaped reflection that reflects light of the optical semiconductor element upward And an optical semiconductor device of an individual part composed of a resin that integrally transmits the optical semiconductor element, the first conductive electrode, the second conductive electrode, the metal thin wire, and the reflection means, which transmits the light.
The light irradiation apparatus characterized in that the first conductive electrode and the first electrode, and the second conductive electrode and the second electrode of the optical semiconductor device with the back surface exposed from the resin are fixed.

前記反射手段は、前記カソード電極またはアノード電極と電気的に接続された第１の反射電極、前記アノード電極またはカソード電極と電気的に接続された第２の反射電極により構成され、
前記第１の反射電極は、第１の導電電極と固着され、前記第２の反射電極は第２の導電電極と固着されることを特徴とする請求項３に記載の光照射装置。The reflecting means includes a first reflecting electrode electrically connected to the cathode electrode or the anode electrode, a second reflecting electrode electrically connected to the anode electrode or the cathode electrode,
The light irradiation apparatus according to claim 3, wherein the first reflective electrode is fixed to the first conductive electrode, and the second reflective electrode is fixed to the second conductive electrode.

前記反射手段は、前記カソード電極またはアノード電極と電極的に接続された第１の反射電極と、前記アノード電極またはカソード電極と電気的に接続された第２の反射電極により構成され、
前記第１の反射電極および前記第２の反射電極は、前記レンズから露出されていることを特徴とした請求項３記載の光照射装置。The reflecting means includes a first reflecting electrode that is electrode-connected to the cathode electrode or the anode electrode, and a second reflecting electrode that is electrically connected to the anode electrode or the cathode electrode,
The light irradiation apparatus according to claim 3, wherein the first reflective electrode and the second reflective electrode are exposed from the lens.

前記個別部品の側面は、位置認識のために水平面を有する請求項１から請求項５のいずれかに記載の光照射装置。 The light irradiation device according to claim 1, wherein a side surface of the individual component has a horizontal surface for position recognition.