JP3683132B2

JP3683132B2 - Discharge lamp device

Info

Publication number: JP3683132B2
Application number: JP21789399A
Authority: JP
Inventors: 昇山本; 泰聡堀井; 健二米今; 悟市小田; 知幸市川
Original assignee: Koito Manufacturing Co Ltd; Denso Corp
Current assignee: Koito Manufacturing Co Ltd; Denso Corp
Priority date: 1999-07-30
Filing date: 1999-07-30
Publication date: 2005-08-17
Anticipated expiration: 2019-07-30
Also published as: JP2001043987A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、自動車の前照灯に用いられる高圧放電灯を点灯させる放電灯装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、高圧放電灯（以下、ランプという）の点灯装置（以下、バラストという）においては、ランプの点灯始動時に、スタータトランスを用いて高電圧パルスを得、この高電圧パルスによりランプの電極間に絶縁破壊による放電を生じさせてアーク放電を形成し、その後、安定点灯に移行させるようにしている。
【０００３】
本発明者らは、このようなバラストとして、以下に示すものを試作し、検討を行った。図４は、そのバラスト２００の電気的な回路構成を示しており、図５は、バラスト２００の組付け構造を示している。以下、図４、図５を用いてバラスト２００についての説明を行う。
【０００４】
まず、図４に基づいてバラスト２００の回路構成を説明する。
【０００５】
バラスト２００は、直流電源である車載バッテリ１に接続されており、点灯スイッチＳＷがオンされると、自動車用前照灯として用いられるランプ２に電力供給を行うように構成されている。このバラスト２００は、フィルタ回路３、直流電源回路としてのＤＣ−ＤＣコンバータ４、点灯補助回路５、インバータ回路６、始動回路７などの回路機能部を有している。
【０００６】
フィルタ回路３は、コンダクタ３１とコンデンサ３２によって構成されており、ＤＣ−ＤＣコンバータ４が発生する電磁波ノイズを除去する役割を果たす。
【０００７】
ＤＣ−ＤＣコンバータ４は、バッテリ１側に配された１次巻線４１ａとランプ２側に配された２次巻線４１ｂを有するフライバックトランス４１と、１次巻線４１ａに接続されたスイッチング素子としてのＭＯＳトランジスタ４２と、２次巻線４１ｂに接続された整流用のダイオード４３と、出力平滑用のコンデンサ４４、及びコンデンサ４５から構成され、バッテリ電圧ＶＢを昇圧した昇圧電圧を出力する。すなわち、ＭＯＳトランジスタ４２がオンすると、１次巻線４１ａに１次電流が流れて１次巻線４１ａにエネルギーが蓄えられ、ＭＯＳトランジスタ４２がオフすると、１次巻線４１ａのエネルギーが２次巻線４１ｂを介して放出される。そして、このような動作を繰り返すことにより、ダイオード４３と平滑用コンデンサ４４の接続点から高電圧を出力する。
【０００８】
点灯補助回路５は、コンデンサ５１と抵抗５２から構成され、点灯スイッチＳＷがオンした後にランプ２への印加電圧と同じ電圧にコンデンサ５１が充電されると共に、ランプ２の電極間での絶縁破壊によりランプ両端間の電圧が低下すると、コンデンサ５１に充電された電荷をランプ２を介して放電させることにより速やかにアーク放電に移行させる。
【０００９】
インバータ回路６は、ランプ２を交流（矩形波）点灯させるもので、Ｈブリッジ回路６１とブリッジ駆動回路６２、６３から構成されている。Ｈブリッジ回路６１は、Ｈブリッジ状に配置された半導体スイッチング素子を成すＭＯＳトランジスタ６１ａ〜６１ｄからなる。ブリッジ駆動回路６２、６３は、制御回路１０からの制御信号によって、ＭＯＳトランジスタ６１ａ、６１ｄとＭＯＳトランジスタ６１ｂ、６１ｃを交互にオンオフ駆動する。この結果、ランプ２の放電電流の向きが交互に切り替わり、ランプ２の印加電圧（放電電圧）の極性が反転してランプ２が交流点灯する。
【００１０】
始動回路７は、Ｈブリッジ回路６１の中点電位とバッテリ１の負極端子との間に配置され、１次巻線７１ａと２次巻線７１ｂを有する高電圧発生用トランス７１、ダイオード７２、抵抗７４、コンデンサ７５、及び一方向性半導体素子であるサイリスタ７６から構成されている。なお、高電圧発生用トランス７１の１次巻線７１ａはコンデンサ７５に接続され、２次巻線７１ｂはＨブリッジ回路６１とランプ２との間に設けられている。
【００１１】
そして、この始動回路７は、ランプ２の点灯始動時にランプ２に高電圧パルスを印加してランプ２を点灯させる。すなわち、点灯スイッチＳＷがオンすると、ＭＯＳトランジスタ６１ａ、６１ｄとＭＯＳトランジスタ６１ｂ、６１ｃが交互にオンオフ駆動され、ＭＯＳトランジスタ６１ｂ、６１ｃがオンの時にコンデンサ７５が充電され、ＭＯＳトランジスタ６１ｂ、６１ｃがオフの時にサイリスタ７６がオンするよう制御回路１０にてサイリスタ７６のゲート信号が制御される。
【００１２】
サイリスタ７６にゲート信号が印加されると、コンデンサ７５が高電圧発生用トランス７１の１次巻線７１ａを介して放電し、高電圧発生用トランス７１の２次巻線７１ｂに高電圧パルスが発生する。この高電圧パルスがランプ２に印加され、ランプ２の電極間で絶縁破壊し、ランプ２を点灯始動させる。
【００１３】
上記したＭＯＳトランジスタ４２、ブリッジ回路６２、６３、サイリスタ７６は、制御回路１０によって制御される。この制御回路１０には、ＤＣ−ＤＣコンバータ４の間のランプ電圧（すなわちインバータ回路６に印加される電圧）ＶＬ及びインバータ回路６からバッテリ１の負極側に流れるＩＬなどが入力されている。なお、電流ＩＬは電流検出抵抗８により電圧として検出される。
【００１４】
また、ＭＯＳトランジスタ９は逆接保護用の素子であり、取り替え時にバッテリ１が逆接続された場合に、回路機能部内に逆電圧が印加されないようにする。
【００１５】
制御回路１０は、ＭＯＳトランジスタ４２をＰＷＭ信号によってオンオフさせるＰＷＭ制御回路、ランプ電圧ＶＬをサンプルホールドするサンプルホールド回路、サンプルホールドされたランプ電圧ＶＬとランプ電流ＩＬに基づいてランプ電力を所望値に制御するランプパワー制御回路と、Ｈブリッジを制御するＨブリッジ制御回路を備えている。
【００１６】
また、サイリスタ７６のゲートはゲート回路１１の端子４０１に接続されている。このゲート回路１１は、端子４０２において制御回路１０と接続されており、この端子４０２を通じて送られてくる制御回路１０からの信号に基づいてサイリスタ７６のゲート信号を出力するようになっている。なお、ゲート回路１１は、端子４０３においてアース接続されている。
【００１７】
上記構成のバラスト２００の点灯動作について説明する。
【００１８】
点灯スイッチＳＷがオンすると、図４に示す各部に電源が供給される。そして、ＰＷＭ制御回路によってＭＯＳトランジスタ４２がＰＷＭ制御される。その結果、フライバックトランス４１の作動によってバッテリ電圧ＶＢを昇圧した電圧がＤＣ−ＤＣコンバータ４から出力される。また、Ｈブリッジ制御回路によって、Ｈブリッジ回路６１におけるＭＯＳトランジスタ６１ａ〜６１ｄが対角線の関係で交互にオンオフされる。これにより、ＤＣ−ＤＣコンバータ４から出力された電圧が，Ｈブリッジ回路６１を介して始動回路７のコンデンサ７５に供給され、コンデンサ７５が充電される。
【００１９】
この後、ゲート回路１１は、Ｈブリッジ制御回路から出力されるＭＯＳトランジスタ６１ａ〜６１ｄの切替タイミングを知らせる信号に基づいて、サイリスタ７６にゲート信号を出力し、サイリスタ７６をオンさせる。そして、サイリスタ７６がオンすると、コンデンサ７５が放電し、トランス７１を通じて、ランプ２に高電圧パルスが印加される。その結果、ランプ２が電極間で絶縁破壊し、点灯始動する。
【００２０】
この後、Ｈブリッジ回路６１によりランプ２への放電電圧の極性（放電電流の向き）を交互に切り替えることで、ランプ２が交流点灯される。そして、ランプパワー制御回路により、ランプ電流ＩＬとランプ電圧ＶＬ（サンプルホールド回路によってサンプルホールドされたもの）とに基づいて、ランプ電力が所定値なるように制御される。これにより、ランプ２が安定点灯する。
【００２１】
なお、サンプルホールド回路は、Ｈブリッジ回路６１の切替タイミングに同期してその切替時に発生する過渡電圧をマスクし、過渡電圧発生時以外のランプ電圧ＶＬをサンプリングしてホールドする。
【００２２】
図７にゲート回路１１の構成の詳細を示す。ゲート制御ＩＣ４１６は、トランジスタ４１０、４１１に対して互いに異なるレベルのゲート信号を出力し、例えばトランジスタ４１０をオンさせる時には、トランジスタ４１１をオフさせるようになっている。このゲート制御ＩＣ４１６は、サイリスタ７６を導通させる場合にはトランジスタ４１０がオン、トランジスタ４１１がオフとなるよう作動する。このため、端子４０１の電位は、図示しない定電圧源に接続された端子４１７を電流供給源として抵抗４１３及び抵抗４１４によって分圧された電位となる。これにより、サイリスタ７６のゲートにハイレベル信号（ゲート電流）が出力され、サイリスタ７６をオンさせるようになっている。なお、コンデンサ４１５は、トランジスタ４１１の寄生容量が発生する高周波ノイズを除去し、この高周波ノイズによってサイリスタ７６がオンしてしまうのを防止するためのものである。
【００２３】
次に、上記構成のバラストの２００の組付け構造について説明する。
【００２４】
バラスト２００は、図５に示すように、上記回路構成が配置されたバスバーケース２０を、カバー部材２１及びベース２２によって覆い、カバー部材２１及びベース２２をネジ２３によって固定することによって構成される。
【００２５】
バスバーケース２０の表面には、上記回路構成の各部を電気的に接続するターミナル２４がインサート形成されている。このターミナル２４のパターン構成を図６に示す。
【００２６】
上記回路構成において、Ｈブリッジ回路６１、制御回路１０、ゲート回路１１、ＭＯＳトランジスタ９、４２、ダイオード４３、７２、抵抗８、５２、７４という半導体装置として形成可能な部分は、ハイブリッドＩＣ（以下、ＨＩＣという）１００としてＩＣ化されて一体形成される（図４参照）。そして、その他の部分（本回路構成では、トランス４１、７１やコンデンサ３２、４４、４５、５１、７５、及びサイリスタ７６）がＨＩＣ１００とは別体で構成される。
【００２７】
このため、ＨＩＣ１００とその他の部分とをターミナル２４にて電気的に接続させることによって上記回路構成が構成される。これにより、上記図４に示す回路機能部が形成される。
【００２８】
具体的には、ＨＩＣ１００とターミナル２４との電気的接続は、ＨＩＣ１００をバスバーケース２０内に収容したのち、ＨＩＣ１００の各端子１２ａ〜１２ｋとターミナル２４とをＡｌワイヤ等でワイヤボンディングすることによって行われ、ＨＩＣ１００以外のその他の部分については、その他の部分をバスバーケース２０内に収容したのち、その他の部分の端子をターミナル２４に溶接、はんだ付け等することによって行っている。
【００２９】
そして、図６に示すターミナル２４の部分２４ａ及び部分２４ｂはそれぞれ、図５に示すバスバーケース２０に固定されたグロメット内に配設された出力線２５、２６に接続されており、この出力線２５、２６を介してランプ２に接続される。
【００３０】
また、ターミナル２４はバッテリ１の正極側と接続される端子２７ａと、負極側（すなわちアース側）に接続される端子２７ｂとを有しており、端子２７ｂはバラスト２００のアースを取るアース接続部２７ｃに接続されている。そして、ターミナル２４の端子２７ａ、２７ｂは、バスバーケース２０に形成されたコネクタ部２８よりバスバーケース２０の外部に引き出されており、このコネクタ部２８においてバッテリ１に接続された配線と接続される。
【００３１】
上記したネジ２３は、このアース接続部２７ｃにおいてバスバーケース２０とベース２２とをネジ締め固定し、アース接続部２７ｃとベース２２とをアース接続している。なお、カバー２１及びベース２２は、これらに収納される回路機能部を放射ノイズから保護すべく、金属で構成されている。
【００３２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは上記試作したバラスト２００について鋭意検討を行った。
【００３３】
上記構成においては、始動回路７を構成するサイリスタ７６のカソード端子をアース接続する必要がある。この場合、アース接続される端子の共通化を図るという観点から、回路構成中の他の部位にアース接続される配線が存在するのであれば、このアース接続される配線にサイリスタ７６のカソード端子から引き出される配線を連結することが好ましい。
【００３４】
上記構成においては、ＤＣ−ＤＣコンバータ４を構成するコンデンサ４５の負極側がアースに接続されるため、配線Ｐを構成するターミナル２４を介して、サイリスタ７６のカソード端子をコンデンサ４５の負極側端子に電気的に接続したのち、ターミナル２４の端子１２ｃにおいて、ＨＩＣ１００のアース接続される配線パターン１００ａ（図４参照）に接続している。
【００３５】
図６中に、ターミナル２４に接続されるコンデンサ４５、サイリスタ７６の電気的配線状態を示す。
【００３６】
上述したように、端子１２ｃにおいて、ＨＩＣ１００はターミナル２４とワイヤボンディングで接続される。このように構成されたものでは、点灯時にサイリスタ７６のゲート回路１１がゲート信号を出力していないにも関わらずサイリスタ７６が導通してしまう誤動作が起こり、点灯できないことがあるという問題が生じた。
【００３７】
これは、スイッチＳＷのオンによりＤＣ−ＤＣコンバータ４が作動開始し、ＭＯＳトランジスタ４２がスイッチング作動を行うと、コンデンサ４５がスイッチングに応じて充放電を行い、その充放電電流によって図４のＡ、Ｂ間で電位差が生じるからであり、充放電電流が負極性になるとＢ点電位に対してＡ点電位が負電圧になって、サイリスタ７６を導通させてしまうのである。
【００３８】
つまり、Ｂ点電位に対してＡ点電位が負電圧になった時、サイリスタ７６のカソード電位はＡ点の電位、ゲート回路１１の基準電位はＢ点の電位となっているため、ゲート端子電圧に対しカソード端子電圧が低くなってゲート電流が流れ、サイリスタ７６が導通するのである。
【００３９】
なお、このときには、図７に示すゲート駆動ＩＣ４１６によってトランジスタ４１０がオフ、トランジスタ４１１がオン状態とされているが、Ｂ点電位に対しＡ点電位が負電圧になると、端子４０３からコンデンサ４１５、抵抗４１４、トランジスタ４１１の寄生ダイオード４１２及び抵抗４１３を介し、端子４０１、端子１２ｊを経て、サイリスタ７６のゲート電流がカソードに向かって流れ込む。
【００４０】
本発明は上記点に鑑みて、ランプを始動するための始動回路にスイッチング素子として用いられるサイリスタの誤作動を防止することを目的とする。
【００４１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、スイッチング素子（４２）及びゲート回路（１１）が共にハイブリッドＩＣ基板（１００）上に形成され、コンデンサ（４５）の負極側端子は第１の配線部材（２４）に接続されたのち、第１の端子（１２ｃ）を介してハイブリッドＩＣ基板に接続されており、サイリスタ（７６）のカソード端子は第２の配線部材（２４）に接続されたのち、第１の端子とは異なる第２の端子（１２ｍ）を介してハイブリッドＩＣ基板に接続されており、第１、第２の端子は、ハイブリッドＩＣ基板上にて電気的に接続されていることを特徴としている。
【００４２】
このように、コンデンサの負極側端子が接続される第１の端子と、サイリスタのカソード端子が接続される第２の端子を別々に設けることによって、第１の端子とコンデンサの負極側端子との接続部において生じる電位差によって、サイリスタのカソード端子がゲート端子よりも低電位になることを防止することができる。これにより、サイリスタのカソード端子がゲート端子よりも低電位となることによるサイリスタの誤作動を防止することができる。
【００４３】
請求項２に記載の発明においては、コンデンサ（４５）の負極側端子は第１の端子（１２ｃ）を介してハイブリッドＩＣ基板（１００）に接続され、スイッチング素子（４２）との電気的接続が成されており、サイリスタのカソード端子は第１の端子とは異なる第２の端子（１２ｍ）を介してハイブリッドＩＣ基板に接続され、ハイブリッドＩＣ基板上に形成されたアースに接続される部位に電気的接続が成されていることを特徴としている。
【００４４】
このように、コンデンサの負極側端子が接続される第１の端子と、サイリスタのカソード端子が接続される第２の端子を別々に設け、さらに第２の端子を介してハイブリッドＩＣ基板上のアースに接続される部位に電気的に接続されるようにすれば、サイリスタのカソード端子をアース接続されるゲート端子と同等の電位にすることができる。これにより、サイリスタの誤作動を防止することができる。
【００４５】
また、請求項１、２に記載の発明では、ゲート回路のうちアース接続される第３の端子（４０３）からアースに向けて延設された第１の配線パターン（１００ｂ）に、第２の端子から延設された第２の配線パターン（１００ｃ）が接続され、第２の配線パターンを含むカソード端子からアースに至るまでの電気配線は、スイッチング素子をオンにしたときにおけるＤＣ−ＤＣコンバータの電流経路となる第３の配線パターンを通過しないようになっていることを特徴としている。
【００４７】
このように、カソード端子からアースに至るまでの電気配線を、高周波ノイズを含む大電流が流れるＤＣ−ＤＣコンバータの電流経路を通過しないように構成することで、カソード端子が高周波ノイズの影響を受けないようにすることができる。
【００４８】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【００４９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図１に本発明の一実施形態を適用したバラストの回路構成を示し、図２に図１に示すバラストの組付け構造を示す。また、図３に図２に示すバラストのターミナルのパターン構成を示す。なお、図１〜図３において、上述した図４〜図６に示すものと同じ符号を付したものは、同一もしくは均等のものであることを示している。
【００５０】
以下、これらの図に基づいて本実施形態におけるバラストの構成について説明する。ただし、本実施形態におけるバラストは上述した図４〜図６に示したものと概ね同様の構成を有しているため、異なる部分についてのみ説明する。なお、本実施形態に示すバラストのゲート回路は図７に示すものと同じ構成となっている。
【００５１】
この実施形態においては、図１に示ように、サイリスタ７６のカソード端子は、ＨＩＣ１００の端子（第２の端子）１２ｍに接続されている。一方、コンデンサ４５の負極側端子は端子（第１の端子）１２ｃを介してＨＩＣ１００に接続されている。このように、サイリスタ７６のカソード端子が接続される端子１２ｍとコンデンサ４５の負極側端子が接続される端子１２ｃを２つに分けて構成し、それぞれ別々にＨＩＣ１００と接続されるようにしている。
【００５２】
また、端子１２ｍは、ＨＩＣ１００内に配設された配線パターンを介して、Ｃ点においてゲート回路１１をアース接続する配線パターン１００ｂに電気的に接続されている。
【００５３】
すなわち、ゲート回路１１のアース端子４０３から引き出された配線パターン１００ｂは、ＭＯＳトランジスタ９を介してアースに接続されているが、このアース端子４０３からＭＯＳトランジスタ９に至るまでの間に位置するＣ点において、端子１２ｍまで延設される配線パターンが接続されている。
【００５４】
このように、ほとんど電流が流れないゲート回路１１のアース端子４０３から引き出される配線パターン１００ｂにサイリスタ７６のカソード端子を接続しているため、サイリスタ７６のカソード端子の電位がゲート回路１１のアース端子４０３の電位と同等となるようにできる。
【００５５】
図３に示すターミナル２４のパターンで見てみると、サイリスタ７６のカソード端子が接続される端子１２ｍと、コンデンサ４５の負極側が接続される端子１２ｃとが分断されている。そして、端子１２ｃと端子１２ｍは、ターミナル２４の下方に配置されるＨＩＣ１００（図３では図示していない）内の配線パターン１００ａ〜１００ｃを介して電気的に接続された状態となっている（図１、図２参照）。
【００５６】
このような構成においては、ゲート回路の端子４０３とサイリスタ７６のカソード端子とが同電位となるため、ランプ２の点灯時にサイリスタ７６のゲート回路１１がゲート信号を出力していないにも関わらずサイリスタ７６が導通してしまう誤動作を防止することができる。従って、確実にランプ２の点灯を行うことができる。
【００５７】
また、スイッチＳＷのオンによりＤＣ−ＤＣコンバータ４が作動開始し、ＭＯＳトランジスタ９がスイッチング作動すると、コンデンサ４５はスイッチングに応じて充放電を行い、その充放電電流によって図２の点Ａ、Ｂ間に電位差を発生させるが、サイリスタ７６のカソード端子がＣ点に接続されゲート回路１１の基準電位となる端子４０３もＣ点に接続されているため、点Ａ、Ｂ間の電位差の影響を何ら受けることはない。
【００５８】
なお、ＨＩＣ１００内においてアース接続される部位は他にもあり、例えば端子１２ｃと点Ｂの間において、サイリスタ７６のカソード端子に接続される配線パターン１００ｃを接続することも可能であると考えられる。しかしながら、この端子１２ｃと点Ｂの間は、図１の矢印で示したように、トランス４１の１次巻線４１ａ、ＭＯＳトランジスタ４２、コンデンサ４５を通じて流れる多大な電流の経路となっており、この多大な電流に含まれる高周波ノイズの影響を受け易い箇所であるため、上記構成を採用するのが適しているといえる。
【００５９】
（他の実施形態）
上記実施形態では、ＨＩＣ１００として全てが１枚の基板で構成されたものを示したが、図８に示すようにしてもよい。
【００６０】
図８（ａ）は、スイッチング素子としてのＭＯＳトランジスタ４２をパワーブロック状態にして、回路基板とは別置きした形態を示す。なお、４２ａはシリコンチップ、４２ｂは窒化アルミ（ＡｌＮ）基板、４２ｃはアルミワイヤである。１００ａはハイブリッドＩＣのアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）基板、２２は金属アースである。
【００６１】
シリコンチップ４２ａは窒化アルミ基板４２ｂにはんだ付けされ、窒化アルミ基板４２ｂは接着剤により金属ケース２２に接着される。アルミナ基板１００ａは、金属ケース２２に接着剤にて接着される。
【００６２】
ＭＯＳトランジスタ４２が形成されたシリコンチップ４２ａの表面にあるソース電極とゲート電極部には、それぞれアルミワイヤの超音波ボンディングにより接続し、他方をアルミナ基板１００ａ上のボンディングパッド部に超音波ボンディングにより接続している。ドレイン電極はチップ横に配置したボンディングパッド部とアルミナ基板１００ａ上のボンディングパッド部とをアルミワイヤの超音波ボンディングにより接続している。
【００６３】
図８（ｂ）は、ＭＯＳトランジスタ４２をパワーブロック状態にして回路基板上に搭載した形態を示す。４２ｂは過渡熱を吸収するためのヒートシンクで、銅またはモリブデンなどの金属材料である。その他の符号は図６（ａ）と同じである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態におけるバラスト２００の回路構成を示す図である。
【図２】図１に示すバラスト２００の組付け構造を示す図である。
【図３】図２に示すバラスト２００のターミナル２４のパターン構成を示す図である。
【図４】本発明者らが試作したバラスト２００の回路構成を示す図である。
【図５】図４に示すバラスト２００の組付け構造を示す図である。
【図６】図５に示すバラスト２００のターミナル２４のパターン構成を示す図である。
【図７】図４に示すゲート回路１１の回路構成の詳細を示す図である。
【図８】他の実施形態におけるＨＩＣ１００の構造を示した図である。
【符号の説明】
１…バッテリ、２…ランプ、４…ＤＣ−ＤＣコンバータ、６…インバータ回路、
６１…Ｈブリッジ回路、７…始動回路、９…ＭＯＳトランジスタ、
１０…制御回路、１１…ゲート回路、１２ａ〜１２ｂ及び４０１〜４０３…端子。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a discharge lamp device for lighting a high pressure discharge lamp used for a headlamp of an automobile.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in a lighting device (hereinafter referred to as a ballast) for a high pressure discharge lamp (hereinafter referred to as a lamp), a high voltage pulse is obtained using a starter transformer at the start of lighting of the lamp, and this high voltage pulse causes a gap between the electrodes of the lamp. An electric discharge is generated due to a dielectric breakdown to form an arc discharge, and then the state is shifted to stable lighting.
[0003]
The inventors of the present invention made a prototype of the following ballast and examined it. FIG. 4 shows an electrical circuit configuration of the ballast 200, and FIG. 5 shows an assembly structure of the ballast 200. Hereinafter, the ballast 200 will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
[0004]
First, the circuit configuration of the ballast 200 will be described with reference to FIG.
[0005]
The ballast 200 is connected to an in-vehicle battery 1 that is a direct current power source, and is configured to supply power to a lamp 2 that is used as an automotive headlamp when the lighting switch SW is turned on. The ballast 200 includes circuit function units such as a filter circuit 3, a DC-DC converter 4 serving as a DC power supply circuit, a lighting auxiliary circuit 5, an inverter circuit 6, and a starting circuit 7.
[0006]
The filter circuit 3 is composed of a conductor 31 and a capacitor 32, and serves to remove electromagnetic wave noise generated by the DC-DC converter 4.
[0007]
The DC-DC converter 4 includes a flyback transformer 41 having a primary winding 41a disposed on the battery 1 side and a secondary winding 41b disposed on the lamp 2 side, and switching connected to the primary winding 41a. The device includes a MOS transistor 42 as an element, a rectifying diode 43 connected to the secondary winding 41b, an output smoothing capacitor 44, and a capacitor 45, and outputs a boosted voltage obtained by boosting the battery voltage VB. That is, when the MOS transistor 42 is turned on, a primary current flows through the primary winding 41a and energy is stored in the primary winding 41a. When the MOS transistor 42 is turned off, the energy of the primary winding 41a is changed to the secondary winding. Released through line 41b. By repeating such an operation, a high voltage is output from the connection point between the diode 43 and the smoothing capacitor 44.
[0008]
The auxiliary lighting circuit 5 is composed of a capacitor 51 and a resistor 52, and after the lighting switch SW is turned on, the capacitor 51 is charged to the same voltage as the voltage applied to the lamp 2, and due to dielectric breakdown between the electrodes of the lamp 2. When the voltage between both ends of the lamp decreases, the electric charge charged in the capacitor 51 is discharged through the lamp 2 to quickly shift to arc discharge.
[0009]
The inverter circuit 6 turns on the lamp 2 with alternating current (rectangular wave), and includes an H bridge circuit 61 and bridge drive circuits 62 and 63. The H bridge circuit 61 includes MOS transistors 61a to 61d that form semiconductor switching elements arranged in an H bridge shape. The bridge drive circuits 62 and 63 alternately turn on and off the MOS transistors 61a and 61d and the MOS transistors 61b and 61c according to a control signal from the control circuit 10. As a result, the direction of the discharge current of the lamp 2 is alternately switched, the polarity of the applied voltage (discharge voltage) of the lamp 2 is reversed, and the lamp 2 is turned on by alternating current.
[0010]
The starting circuit 7 is disposed between the midpoint potential of the H-bridge circuit 61 and the negative terminal of the battery 1, and includes a high voltage generating transformer 71 having a primary winding 71a and a secondary winding 71b, a diode 72, a resistor 74, a capacitor 75, and a thyristor 76, which is a unidirectional semiconductor element. The primary winding 71 a of the high-voltage generating transformer 71 is connected to the capacitor 75, and the secondary winding 71 b is provided between the H bridge circuit 61 and the lamp 2.
[0011]
The starting circuit 7 applies a high voltage pulse to the lamp 2 when the lamp 2 is started to light up, thereby lighting the lamp 2. That is, when the lighting switch SW is turned on, the MOS transistors 61a and 61d and the MOS transistors 61b and 61c are alternately turned on and off. When the MOS transistors 61b and 61c are turned on, the capacitor 75 is charged, and the MOS transistors 61b and 61c are turned off. The control circuit 10 controls the gate signal of the thyristor 76 so that the thyristor 76 is sometimes turned on.
[0012]
When a gate signal is applied to the thyristor 76, the capacitor 75 is discharged through the primary winding 71a of the high voltage generating transformer 71, and a high voltage pulse is generated in the secondary winding 71b of the high voltage generating transformer 71. To do. This high voltage pulse is applied to the lamp 2, causing a dielectric breakdown between the electrodes of the lamp 2, and starting the lamp 2.
[0013]
The MOS transistor 42, the bridge circuits 62 and 63, and the thyristor 76 are controlled by the control circuit 10. The control circuit 10 is input with a lamp voltage (that is, a voltage applied to the inverter circuit 6) VL between the DC-DC converter 4 and an IL that flows from the inverter circuit 6 to the negative electrode side of the battery 1. The current IL is detected as a voltage by the current detection resistor 8.
[0014]
The MOS transistor 9 is an element for reverse connection protection, and prevents reverse voltage from being applied in the circuit function section when the battery 1 is reversely connected at the time of replacement.
[0015]
The control circuit 10 controls the lamp power to a desired value based on the PWM control circuit that turns on and off the MOS transistor 42 by the PWM signal, the sample hold circuit that samples and holds the lamp voltage VL, and the sampled and held lamp voltage VL and the lamp current IL. A lamp power control circuit for controlling the H bridge, and an H bridge control circuit for controlling the H bridge.
[0016]
The gate of the thyristor 76 is connected to the terminal 401 of the gate circuit 11. The gate circuit 11 is connected to the control circuit 10 at a terminal 402 and outputs a gate signal of the thyristor 76 based on a signal from the control circuit 10 sent through the terminal 402. Note that the gate circuit 11 is grounded at a terminal 403.
[0017]
The lighting operation of the ballast 200 having the above configuration will be described.
[0018]
When the lighting switch SW is turned on, power is supplied to each unit shown in FIG. The MOS transistor 42 is PWM controlled by the PWM control circuit. As a result, a voltage obtained by boosting the battery voltage VB by the operation of the flyback transformer 41 is output from the DC-DC converter 4. Further, the MOS transistors 61a to 61d in the H bridge circuit 61 are alternately turned on and off in a diagonal relationship by the H bridge control circuit. As a result, the voltage output from the DC-DC converter 4 is supplied to the capacitor 75 of the starting circuit 7 via the H bridge circuit 61, and the capacitor 75 is charged.
[0019]
Thereafter, the gate circuit 11 outputs a gate signal to the thyristor 76 based on a signal indicating the switching timing of the MOS transistors 61a to 61d output from the H bridge control circuit, and turns on the thyristor 76. When the thyristor 76 is turned on, the capacitor 75 is discharged, and a high voltage pulse is applied to the lamp 2 through the transformer 71. As a result, the lamp 2 breaks down between the electrodes and starts lighting.
[0020]
Thereafter, the polarity of the discharge voltage to the lamp 2 (the direction of the discharge current) is alternately switched by the H bridge circuit 61 so that the lamp 2 is turned on by alternating current. Then, the lamp power control circuit controls the lamp power to be a predetermined value based on the lamp current IL and the lamp voltage VL (sampled and held by the sample and hold circuit). Thereby, the lamp 2 is lit stably.
[0021]
The sample hold circuit masks the transient voltage generated at the time of switching in synchronization with the switching timing of the H-bridge circuit 61, and samples and holds the ramp voltage VL other than when the transient voltage is generated.
[0022]
FIG. 7 shows details of the configuration of the gate circuit 11. The gate control IC 416 outputs different levels of gate signals to the transistors 410 and 411. For example, when the transistor 410 is turned on, the transistor 411 is turned off. The gate control IC 416 operates so that the transistor 410 is turned on and the transistor 411 is turned off when the thyristor 76 is turned on. For this reason, the potential of the terminal 401 is a potential divided by the resistor 413 and the resistor 414 using the terminal 417 connected to a constant voltage source (not shown) as a current supply source. As a result, a high level signal (gate current) is output to the gate of the thyristor 76, and the thyristor 76 is turned on. Note that the capacitor 415 is for removing high-frequency noise generated by the parasitic capacitance of the transistor 411 and preventing the thyristor 76 from being turned on by the high-frequency noise.
[0023]
Next, an assembly structure of the above-configured ballast 200 will be described.
[0024]
As shown in FIG. 5, the ballast 200 is configured by covering the bus bar case 20 in which the circuit configuration is arranged with a cover member 21 and a base 22, and fixing the cover member 21 and the base 22 with screws 23.
[0025]
On the surface of the bus bar case 20, a terminal 24 that electrically connects each part of the circuit configuration is formed as an insert. The pattern configuration of the terminal 24 is shown in FIG.
[0026]
In the above circuit configuration, the H-bridge circuit 61, the control circuit 10, the gate circuit 11, the MOS transistors 9 and 42, the diodes 43 and 72, and the resistors 8, 52, and 74 can be formed as a hybrid IC (hereinafter, referred to as a hybrid IC) HIC) 100 is integrated into an IC (see FIG. 4). The other parts (in this circuit configuration, transformers 41 and 71, capacitors 32, 44, 45, 51 and 75, and thyristor 76) are configured separately from the HIC 100.
[0027]
For this reason, the circuit configuration is configured by electrically connecting the HIC 100 and other portions at the terminal 24. As a result, the circuit function unit shown in FIG. 4 is formed.
[0028]
Specifically, the electrical connection between the HIC 100 and the terminal 24 is performed by housing the HIC 100 in the bus bar case 20 and then wire bonding the terminals 12a to 12k of the HIC 100 and the terminal 24 with an Al wire or the like. The other parts other than the HIC 100 are performed by accommodating the other parts in the bus bar case 20 and then welding or soldering the terminals of the other parts to the terminal 24.
[0029]
6 are connected to output lines 25 and 26 disposed in the grommet fixed to the bus bar case 20 shown in FIG. 5, respectively. , 26 to the lamp 2.
[0030]
The terminal 24 has a terminal 27a connected to the positive electrode side of the battery 1 and a terminal 27b connected to the negative electrode side (that is, the ground side). 27c. The terminals 27 a and 27 b of the terminal 24 are drawn out of the bus bar case 20 from the connector portion 28 formed in the bus bar case 20, and are connected to the wiring connected to the battery 1 in the connector portion 28.
[0031]
The above-described screw 23 fastens and fixes the bus bar case 20 and the base 22 at the ground connection portion 27c, and connects the ground connection portion 27c and the base 22 to the ground. Note that the cover 21 and the base 22 are made of metal in order to protect the circuit function units housed therein from radiation noise.
[0032]
[Problems to be solved by the invention]
The present inventors diligently studied the prototype ballast 200 described above.
[0033]
In the above configuration, it is necessary to ground the cathode terminal of the thyristor 76 constituting the starting circuit 7. In this case, from the viewpoint of sharing the grounded terminal, if there is a wiring to be grounded at another part in the circuit configuration, the grounding wiring is connected to the cathode terminal of the thyristor 76. It is preferable to connect the drawn wiring.
[0034]
In the above configuration, since the negative electrode side of the capacitor 45 constituting the DC-DC converter 4 is connected to the ground, the cathode terminal of the thyristor 76 is electrically connected to the negative electrode side terminal of the capacitor 45 via the terminal 24 constituting the wiring P. After the connection, the terminal 12c of the terminal 24 is connected to the wiring pattern 100a (see FIG. 4) connected to the ground of the HIC 100.
[0035]
FIG. 6 shows the electrical wiring state of the capacitor 45 and the thyristor 76 connected to the terminal 24.
[0036]
As described above, in the terminal 12c, the HIC 100 is connected to the terminal 24 by wire bonding. In such a configuration, a malfunction occurs in which the thyristor 76 becomes conductive even though the gate circuit 11 of the thyristor 76 does not output a gate signal when the light is turned on, and there is a problem that lighting may not be performed. .
[0037]
This, DC-DC converter 4 starts operation by turning on the switch SW, the MOS transistor 42 performs switching operation, were charged and discharged capacitors 45 in response to the switching, in FIG. 4 by the charge and discharge currents A, This is because a potential difference is generated between B. When the charge / discharge current becomes negative, the A point potential becomes a negative voltage with respect to the B point potential, and the thyristor 76 is made conductive.
[0038]
That is, when the A point potential becomes a negative voltage with respect to the B point potential, the cathode potential of the thyristor 76 is the potential of the A point, and the reference potential of the gate circuit 11 is the potential of the B point. On the other hand, the cathode terminal voltage is lowered, the gate current flows, and the thyristor 76 becomes conductive.
[0039]
At this time, the transistor 410 is turned off and the transistor 411 is turned on by the gate driving IC 416 shown in FIG. 7, but when the potential at the point A becomes negative with respect to the potential at the point B, the capacitor 415, the resistance 414, the gate current of the thyristor 76 flows toward the cathode via the terminal 401 and the terminal 12j via the parasitic diode 412 and the resistor 413 of the transistor 411.
[0040]
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to prevent malfunction of a thyristor used as a switching element in a starting circuit for starting a lamp.
[0041]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, both the switching element (42) and the gate circuit (11) are formed on the hybrid IC substrate (100), and the negative terminal of the capacitor (45) is the first terminal. After being connected to one wiring member (24), it is connected to the hybrid IC substrate via the first terminal (12c), and the cathode terminal of the thyristor (76) is connected to the second wiring member (24). After that, it is connected to the hybrid IC board through a second terminal (12m) different from the first terminal, and the first and second terminals are electrically connected on the hybrid IC board. It is characterized by having.
[0042]
In this way, by separately providing the first terminal to which the negative terminal of the capacitor is connected and the second terminal to which the cathode terminal of the thyristor is connected, the first terminal and the negative terminal of the capacitor are provided. It is possible to prevent the cathode terminal of the thyristor from becoming lower than the gate terminal due to the potential difference generated in the connection portion. As a result, it is possible to prevent the thyristor from malfunctioning due to the cathode terminal of the thyristor having a lower potential than the gate terminal.
[0043]
In the invention according to claim 2, the negative electrode side terminal of the capacitor (45) is connected to the hybrid IC substrate (100) via the first terminal (12c), and electrical connection with the switching element (42) is achieved. The cathode terminal of the thyristor is connected to the hybrid IC board via a second terminal (12m) different from the first terminal, and is electrically connected to a portion connected to the ground formed on the hybrid IC board. It is characterized by a general connection.
[0044]
In this way, the first terminal to which the negative electrode side terminal of the capacitor is connected and the second terminal to which the cathode terminal of the thyristor is connected are separately provided, and further, the ground on the hybrid IC substrate is provided via the second terminal. If it is electrically connected to the portion connected to the thyristor, the cathode terminal of the thyristor can be set to the same potential as the gate terminal connected to the ground. Thereby, malfunction of the thyristor can be prevented.
[0045]
In the first and second aspects of the invention, the second wiring pattern (100b) extending from the third terminal (403) connected to the ground in the gate circuit to the ground is connected to the second wiring pattern (100b). The second wiring pattern (100c) extending from the terminal is connected , and the electrical wiring from the cathode terminal including the second wiring pattern to the ground is the same as that of the DC-DC converter when the switching element is turned on. It is characterized by not passing through the third wiring pattern serving as a current path.
[0047]
In this way, by configuring the electrical wiring from the cathode terminal to the ground so that it does not pass through the current path of the DC-DC converter through which a large current containing high-frequency noise flows, the cathode terminal is affected by the high-frequency noise. Can not be.
[0048]
In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.
[0049]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments shown in the drawings will be described below. FIG. 1 shows a circuit configuration of a ballast to which an embodiment of the present invention is applied, and FIG. 2 shows an assembly structure of the ballast shown in FIG. FIG. 3 shows a pattern configuration of the ballast terminal shown in FIG. 1 to 3, the same reference numerals as those shown in FIGS. 4 to 6 described above denote the same or equivalent ones.
[0050]
Hereinafter, the structure of the ballast in this embodiment is demonstrated based on these figures. However, since the ballast in this embodiment has the structure substantially the same as what was shown in FIGS. 4-6 mentioned above, only a different part is demonstrated. The ballast gate circuit shown in this embodiment has the same configuration as that shown in FIG.
[0051]
In this embodiment, as shown in FIG. 1, the cathode terminal of the thyristor 76 is connected to the terminal (second terminal) 12 m of the HIC 100. On the other hand, the negative electrode side terminal of the capacitor 45 is connected to the HIC 100 via a terminal (first terminal) 12c. In this way, the terminal 12m to which the cathode terminal of the thyristor 76 is connected and the terminal 12c to which the negative electrode side terminal of the capacitor 45 is connected are divided into two parts, and each is connected to the HIC 100 separately.
[0052]
Further, the terminal 12m is electrically connected to a wiring pattern 100b that grounds the gate circuit 11 at a point C via a wiring pattern disposed in the HIC 100.
[0053]
That is, the wiring pattern 100b drawn from the ground terminal 403 of the gate circuit 11 is connected to the ground through the MOS transistor 9, but is located between the ground terminal 403 and the MOS transistor 9. , A wiring pattern extending to the terminal 12m is connected.
[0054]
As described above, since the cathode terminal of the thyristor 76 is connected to the wiring pattern 100 b drawn from the ground terminal 403 of the gate circuit 11 through which almost no current flows, the potential of the cathode terminal of the thyristor 76 is set to the ground terminal 403 of the gate circuit 11. It can be made equal to the potential.
[0055]
Looking at the pattern of the terminal 24 shown in FIG. 3, the terminal 12m to which the cathode terminal of the thyristor 76 is connected and the terminal 12c to which the negative electrode side of the capacitor 45 is connected are divided. The terminal 12c and the terminal 12m are electrically connected via the wiring patterns 100a to 100c in the HIC 100 (not shown in FIG. 3) disposed below the terminal 24 (see FIG. 1, see FIG.
[0056]
In such a configuration, since the terminal 403 of the gate circuit and the cathode terminal of the thyristor 76 are at the same potential, the thyristor 76 does not output a gate signal when the lamp 2 is lit even though the gate circuit 11 does not output a gate signal. It is possible to prevent a malfunction in which 76 is conducted. Therefore, the lamp 2 can be reliably turned on.
[0057]
When the switch SW is turned on and the DC-DC converter 4 starts operating and the MOS transistor 9 performs switching operation, the capacitor 45 charges and discharges according to switching, and the charging / discharging current causes a point between points A and B in FIG. However, since the terminal 403 serving as the reference potential of the gate circuit 11 is also connected to the point C, the cathode terminal of the thyristor 76 is connected to the point C, and thus is affected by the potential difference between the points A and B. There is nothing.
[0058]
There are other parts that are grounded in the HIC 100. For example, it is considered that the wiring pattern 100c connected to the cathode terminal of the thyristor 76 can be connected between the terminal 12c and the point B. However, between the terminal 12c and the point B, as shown by the arrow in FIG. 1, there is a path for a large amount of current flowing through the primary winding 41a of the transformer 41, the MOS transistor 42, and the capacitor 45. It can be said that it is suitable to adopt the above configuration because it is a part that is easily affected by high-frequency noise contained in a large amount of current.
[0059]
(Other embodiments)
In the above-described embodiment, the HIC 100 is composed of a single substrate, but may be configured as shown in FIG.
[0060]
FIG. 8A shows a configuration in which the MOS transistor 42 as a switching element is placed in a power block state and is placed separately from the circuit board. 42a is a silicon chip, 42b is an aluminum nitride (AlN) substrate, and 42c is an aluminum wire. 100a is an alumina (Al ₂ O ₃ ) substrate of the hybrid IC, and 22 is a metal ground.
[0061]
The silicon chip 42a is soldered to the aluminum nitride substrate 42b, and the aluminum nitride substrate 42b is bonded to the metal case 22 with an adhesive. The alumina substrate 100a is bonded to the metal case 22 with an adhesive.
[0062]
The source electrode and the gate electrode portion on the surface of the silicon chip 42a on which the MOS transistor 42 is formed are connected to each other by ultrasonic bonding of aluminum wire, and the other is connected to the bonding pad portion on the alumina substrate 100a by ultrasonic bonding. doing. The drain electrode connects the bonding pad portion disposed on the side of the chip and the bonding pad portion on the alumina substrate 100a by ultrasonic bonding of an aluminum wire.
[0063]
FIG. 8B shows a mode in which the MOS transistor 42 is mounted on a circuit board in a power block state. Reference numeral 42b denotes a heat sink for absorbing transient heat, which is a metal material such as copper or molybdenum. Other symbols are the same as those in FIG.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a ballast 200 according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing an assembly structure of the ballast 200 shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is a diagram showing a pattern configuration of a terminal 24 of the ballast 200 shown in FIG.
FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of a ballast 200 prototyped by the inventors.
5 is a view showing an assembly structure of the ballast 200 shown in FIG.
6 is a diagram showing a pattern configuration of a terminal 24 of the ballast 200 shown in FIG. 5. FIG.
7 is a diagram showing details of the circuit configuration of the gate circuit 11 shown in FIG. 4; FIG.
FIG. 8 is a diagram showing the structure of an HIC 100 in another embodiment.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Battery, 2 ... Lamp, 4 ... DC-DC converter, 6 ... Inverter circuit,
61 ... H bridge circuit, 7 ... starting circuit, 9 ... MOS transistor,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Control circuit, 11 ... Gate circuit, 12a-12b and 401-403 ... Terminal.

Claims

直流電源からの電圧を昇圧するトランス（４１）と、前記トランスの１次巻線（４１ａ）に直列接続されたスイッチング素子（４２）と、直列接続された前記トランス及び前記スイッチング素子に並列接続されたコンデンサ（４５）とを有してなり、前記昇圧した昇圧電圧を出力するＤＣ−ＤＣコンバータ（４）と、
サイリスタ（７６）を有し、高圧放電灯（２）の点灯始動時に前記サイリスタをオンさせ、前記ＤＣ−ＤＣコンバータが出力した昇圧電圧に基づいて、高電圧パルスを前記高圧放電灯に印加する始動回路（７）と、
前記サイリスタをオンさせるゲート信号を発生させるゲート回路（１１）と、を備え、
前記スイッチング素子及び前記ゲート回路が共にハイブリッドＩＣ基板（１００）上に形成され、
前記コンデンサの負極側端子は第１の配線部材（２４）に接続されたのち、第１の端子（１２ｃ）を介して前記ハイブリッドＩＣ基板に接続されており、
前記サイリスタのカソード端子は第２の配線部材（２４）に接続されたのち、前記第１の端子とは異なる第２の端子（１２ｍ）を介して前記ハイブリッドＩＣ基板に接続されており、
前記第１、第２の端子が、前記ハイブリッドＩＣ基板上にて電気的に接続されている放電灯装置であって、
前記ゲート回路はアース接続される第３の端子（４０３）を有し、
前記ハイブリッドＩＣ基板には、前記第３の端子からアースに向けて延設された第１の配線パターン（１００ｂ）が備えられていると共に、前記第２の端子から延設され前記第１の配線パターンに接続された第２の配線パターン（１００ｃ）が備えられており、
前記コンデンサの負極側に接続された前記第１の端子と前記スイッチング素子とがハイブリッドＩＣ基板上に形成された第３の配線パターン（１００ａ）を介して電気的接続が成されており、
前記ＤＣ−ＤＣコンバータは、前記スイッチング素子をオンさせたときに、前記トランス、前記スイッチング素子、前記第３の配線パターン、及び前記コンデンサの順に流れる電流経路を形成するようになっており、
前記第２の配線パターンを含む前記カソード端子から前記アースに至るまでの電気配線は、前記第３の配線パターンを通過しないようになっていることを特徴とする放電灯装置。A transformer (41) for boosting a voltage from a DC power source, a switching element (42) connected in series to a primary winding (41a) of the transformer, the transformer connected in series and the switching element are connected in parallel. A DC-DC converter (4) that outputs the boosted voltage.
Start having a thyristor (76), turning on the thyristor at the start of lighting of the high pressure discharge lamp (2), and applying a high voltage pulse to the high pressure discharge lamp based on the boosted voltage output from the DC-DC converter Circuit (7);
A gate circuit (11) for generating a gate signal for turning on the thyristor,
The switching element and the gate circuit are both formed on a hybrid IC substrate (100),
After the negative electrode side terminal of the capacitor is connected to the first wiring member (24), it is connected to the hybrid IC substrate via the first terminal (12c),
After the cathode terminal of the thyristor is connected to the second wiring member (24), it is connected to the hybrid IC substrate via a second terminal (12m) different from the first terminal,
The first and second terminals are discharge lamp devices electrically connected on the hybrid IC substrate ,
The gate circuit has a third terminal (403) connected to ground;
The hybrid IC substrate includes a first wiring pattern (100b) extending from the third terminal toward the ground, and extends from the second terminal to the first wiring. A second wiring pattern (100c) connected to the pattern is provided;
The first terminal connected to the negative electrode side of the capacitor and the switching element are electrically connected via a third wiring pattern (100a) formed on a hybrid IC substrate,
The DC-DC converter is configured to form a current path that flows in the order of the transformer, the switching element, the third wiring pattern, and the capacitor when the switching element is turned on.
The discharge lamp device according to claim 1, wherein electrical wiring from the cathode terminal including the second wiring pattern to the ground does not pass through the third wiring pattern .

直流電源からの電圧を昇圧するトランス（４１）と、前記トランスの１次巻線（４１ａ）に直列接続されたスイッチング素子（４２）と、直列接続された前記トランス及び前記スイッチング素子に並列接続されたコンデンサ（４５）とを有してなり、前記昇圧した昇圧電圧を出力するＤＣ−ＤＣコンバータ（４）と、
サイリスタ（７６）を有し、高圧放電灯（２）の点灯始動時に前記サイリスタをオンさせ、前記ＤＣ−ＤＣコンバータが出力した昇圧電圧に基づいて、高電圧パルスを前記高圧放電灯に印加する始動回路（７）と、
前記サイリスタをオンさせるゲート信号を発生させるゲート回路（１１）と、を備え、
前記スイッチング素子及び前記ゲート回路が共にハイブリッドＩＣ基板（１００）上に形成され、
前記コンデンサの負極側端子は第１の端子（１２ｃ）を介して前記ハイブリッドＩＣ基板に接続され、前記スイッチング素子との電気的接続が成されており、前記サイリスタのカソード端子は前記第１の端子とは異なる第２の端子（１２ｍ）を介して前記ハイブリッドＩＣ基板に接続され、ハイブリッドＩＣ基板上に形成されたアースに接続される部位に電気的接続が成されている放電灯装置であって、
前記ゲート回路はアース接続される第３の端子（４０３）を有し、
前記ハイブリッドＩＣ基板には、前記第３の端子から前記アースに向けて延設された第１の配線パターン（１００ｂ）が備えられていると共に、前記第２の端子から延設され前記第１の配線パターンに接続された第２の配線パターン（１００ｃ）が備えられており、
前記コンデンサの負極側に接続された前記第１の端子と前記スイッチング素子とがハイブリッドＩＣ基板上に形成された第３の配線パターン（１００ａ）を介して電気的接続が成されており、
前記ＤＣ−ＤＣコンバータは、前記スイッチング素子をオンさせたときに、前記トランス、前記スイッチング素子、前記第３の配線パターン、及び前記コンデンサの順に流れる電流経路を形成するようになっており、
前記第２の配線パターンを含む前記カソード端子から前記アースに至るまでの電気配線は、前記第３の配線パターンを通過しないようになっていることを特徴とする放電灯装置。A transformer (41) for boosting a voltage from a DC power source, a switching element (42) connected in series to a primary winding (41a) of the transformer, the transformer connected in series and the switching element are connected in parallel. A DC-DC converter (4) that outputs the boosted voltage.
Start which has a thyristor (76), turns on the thyristor at the start of lighting of the high pressure discharge lamp (2), and applies a high voltage pulse to the high pressure discharge lamp based on the boosted voltage output from the DC-DC converter Circuit (7);
A gate circuit (11) for generating a gate signal for turning on the thyristor,
The switching element and the gate circuit are both formed on a hybrid IC substrate (100),
The negative electrode side terminal of the capacitor is connected to the hybrid IC substrate via a first terminal (12c), and is electrically connected to the switching element, and the cathode terminal of the thyristor is the first terminal A discharge lamp device that is connected to the hybrid IC board via a second terminal (12m) different from the above and is electrically connected to a portion connected to the ground formed on the hybrid IC board. ,
The gate circuit has a third terminal (403) connected to ground;
The hybrid IC substrate is provided with a first wiring pattern (100b) extending from the third terminal toward the ground and extending from the second terminal. A second wiring pattern (100c) connected to the wiring pattern is provided;
The first terminal connected to the negative electrode side of the capacitor and the switching element are electrically connected via a third wiring pattern (100a) formed on a hybrid IC substrate,
The DC-DC converter is configured to form a current path that flows in the order of the transformer, the switching element, the third wiring pattern, and the capacitor when the switching element is turned on.
The discharge lamp device according to claim 1, wherein electrical wiring from the cathode terminal including the second wiring pattern to the ground does not pass through the third wiring pattern .