JP3678749B2 - 粒子ビーム、特にイオンの光学像投影システム - Google Patents
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Description
今日用いられているほとんどのプロジェクション・リソグラフィー法はレジストを照射するために光を採用しているが、マイクロサーキットの構成要素のより小さな構造への要求およびより高い密度への要求は強く、これが、比較的長い波長の光を採用する解決方法における場合のように限定されない他の照射方法を見いだすための探索をするよう導いている。リソグラフィー装置にX線ビームを用いるための大きな努力が払われてきた。一方、たとえば粒子ビーム、特にイオンビームリソグラフィーなどの他の方法は、実際にはある程度、しかしほんの少ししか検討されてこなかった。
マスクとウエーハとの間に設けられた少なくとも2つの集束レンズによって、1つまたは複数の穴の形にマスク上に配置した構造の像をウエーハ上に形成するための粒子源、特にイオン源を持つ、好ましくはリソグラフィーの目的のための粒子ビームの、特にイオンの光学像投影システムについては、ヨーロッパ特許出願93890058.6に次のような設計のものがすでに提案されている。すなわち、2つのチューブ電極とこれらの電極の間に配置された第3の電極とからなる、いわゆる3極格子(グレイテイング)レンズなどの少なくとも1つの集束レンズが設けられている。前記第3の電極は、複数の穴を持つ板(プレート)、好ましくは格子(グレイテイング)として設計されており、このプレート、とりわけ格子は光軸に垂直に配置され、その結果、このプレート、すなわち格子によって、レンズが2つの領域に分けられている。ここで、前記3つの電極には異なる電圧が供給されることが好ましい。中央の電極として格子を持つ3極格子レンズのレンズ領域の1つは正の屈折力を持つことができ、また、第2のレンズ領域は負の屈折力を持つことができる。ここで、負の屈折力(分散領域)を持つレンズ領域の屈折力の絶対値は正の屈折力(集束領域)を持つレンズ領域の屈折力のそれよりも低い。この種の光学像投影システムの場合において、もし、分散領域における3次の像のデイストーション(歪曲)が集束領域のそれより大きいならば、屈折力の絶対量の違いにもかかわらず、像のデイストーション係数をかなりの程度まで補正することができる。
このように、3極格子レンズを使用することによって、各々の場合において、1つの像のデイストーション係数をレンズの像の方程式から消失させることが可能となる。ここで、残存する像のデイストーション係数もまた、たとえばヨーロッパ特許出願EP−89109553、EP−92890165、EP−9280181から知られている静電レンズと比較して小さな値であると仮定している。これはプレート電極あるいはむしろ格子電極を導入することによって達成される。このタイプの電極は静電発散レンズを作ることを可能にするからである。これに加えて、3極格子レンズを有するイオン光学リソグラフィーシステムにおいては、結果として生じるデイストーションを最小のデイストーション位置で減少することもできる。中央の電極として格子を持つ3極レンズを使用すれば、もしも、デイストーションの値が同一の画像フィールドサイズに関係するのであれば、さらに、公知のシステムに関してマスクとウエーハの距離を減少することができる。結局、この投影システムの鮮明度は実質的に増加する。なぜなら、中央電極として格子を持つ3電極レンズは各々の場合に、極めて小さな像のデイストーションしか持たず、したがって、レンズがウエーハとマスクとの間に位置する場合には、像のデイストーションの補正はさほど重大なものではない。
発散および収束レンズの順序が逆になれば、すなわち、もしも、たとえば格子として設計された電極が発散する2極格子レンズの第1の電極を形成し、たとえば収束レンズガフィールドレンズの形でその後に続くのであれば、本質的に、この効果は達成される。用語、「フィールドレンズ」あるいは「イマージョン(液浸)レンズ」は、このケースにおいては、異なる電位に配置されている2つの同軸の、循環的に対称的な電極(たとえば管状電極)の配置にあてはまる。
もしも、一方で、格子の孔およびそれらの間隔がきわめて小さく(マイクロメータのオーダーで)なるように維持され、イオンビームによる照射領域における格子の両側での場の強さが可能な限り同じであれば、プレートの孔によって、あるいはむしろ格子の孔によって生じる干渉を避けることができる。
格子を用いるときの問題は、微細な孔および水平部分のために、格子がきわめて薄く、さらに比較的広い領域をカバーしなければならず、したがって、損傷に対してきわめて敏感であり、その結果、その製造プロセスに関しても、レンズの使用期間中においても一定の監視が必要となる。この目的のためには、格子がこの機械から除去され、洗浄され再度正しい位置に取り付けられなければならない。このそれぞれの際に、その脆さのために損傷を受け、破壊される危険がある。
したがって、本発明の目的はこの問題を回避することである。この目的に対し、本発明は、粒子ビームの、特にイオンの光学像投影システム、好ましくはリソグラフィーの目的のためのシステムを提案するものである。このシステムは、粒子源、特に、マスク箔上に1または複数の透明なスポット、とりわけ孔の形で設けられた構造の像を、ウエーハの前のビーム方向に配置された少なくとも2つの静電レンズを介してウエーハ上に形成するためのイオン源を有する。ここで、前記レンズの少なくとも一方は、1つまたは2つのチューブ電極と、孔を有しビームの光路上に配置されたプレートとによって形成されたいわゆる格子レンズである。プレートは光軸に対して垂直に配置されており、本発明によれば、プレートは、格子レンズの中間電極またはビーム方向に見られるように、第1の電極を形成するマスク箔により形成される。各々の場合において、イオンビームの方向に見られるような後に続く電極とともにマスクは、3次元の像のデイストーションが後続の集束レンズによって最小の残留値に補正されるような発散レンズを形成する。
公知の設計の格子をマスクと置き換えることによって、設けられている要素の1つだけ、すなわち、マスク自身に、その製造中あるいは使用中に最大の精度が要求される。他のすべての実施例の場合においても、同じように高い精度で製造されるべきであるが、同様に高い精度で製造されるべき他の要素については省略される。また、これら第2の要素を適切でないものとするような欠陥の発生が防止される。
本発明の他の実施例において、マスクが3極格子レンズの中間電極の代わりとなっているイオン光学像投影システムは、他の像形成要素として、フィールドレンズあるいは非対称単(シングル)レンズの形での集束レンズを有する。この場合の非対称シングルレンズは、すべての電極が異なる電位となるように設けられた3極レンズであることが理解される。非対称シングルレンズは、等価の像投影特性を持つ発散レンズと較べかなり小さな像のデイストーションを持っているために、用いられている。
その中間電極が現在マスクであるような3極格子レンズにおいて、第1の領域は実際上マスクのための照射レンズに相当し、また、第2の領域は、そのデイストーションがビームの光路上にある後続のレンズによりかなり大きな程度まで補正される発散レンズ(負の屈折力)に相当する。
さらに他の実施例において、マスクは2極格子レンズの第1の電極を形成する。このレンズから、ビーム光路にフィールドレンズ、その後、非対称単レンズが続く。この場合、ウエーハの前の最後のレンズの像デイストーションは、マスクを有する発散レンズのデイストーションによって、および後続のレンズによって補正される。
公知の設計(ヨーロッパ特許出願93890058.6)において格子が置かれている場所に、今、マスクが置かれているという事実によって、格子面は、対物面となっている。マスクの孔は、公知の設計における格子の孔の役割をはたすため、有孔電極レンズ(アパーチャーレンズ)を形成する。しかしながら、マスクは今、像形成の対象物であり、像平面に像が形成されるであろうため、光学の法則によれば、1つの対象ポイントから出射するすべての粒子が1つの像形成ポイントに収束するから、マスクの孔から出る粒子の角度の小さな変化については、結像の際の効果においてかなりの程度まで無視することができる。
本発明によるこの種の設計のさらに他の実施例において、マスクは、2極格子レンズの第1の電極を形成し、ビームの交差するポイント(「クロスオーバー」)がウエーハの前の最後のレンズ前面の、すなわち、フィールドレンズと非対称単レンズとの間の、ビーム方向の電場のない空間に置かれている。さらに本発明の他の実施例においては、いわゆる確率論的空間電荷効果(下記参照)が最小となるよう充分高いエネルギーにイオンを加速するようなフィールドレンズを設けることができる。非対称シングルレンズにおいて、イオンのエネルギーは、必要であればウエーハの位置で要求されるエネルギーに減少させることができる。
以下、本発明を、例示の方法により、図面に基づいて詳細に説明する。
図1aは、交差点(クロスオーバー・ポイント)を持ち、デイストーションの補正を持つ本発明による第1の実施例のイオン・リソグラフィーシステムの構造およびビーム光路の簡略化した側面図であり、
図1bは、クロスオーバー・ポイントのない第1実施例の同様の図であり、
図2は、デイストーションの補正を持つ第2の実施例のイオン・リソグラフィーシステムを示し、
図3aおよび3bは、色欠陥の補正を持つ図1aおよび1bおよび図2に示されているタイプのイオン・リソグラフィーシステムを同様に示し、
図4は、3つの電極を有し中央電極がマスクによって形成されているレンズの軸上の長さ方向の断面図であり、
図5は、同様に、図4に示されているような収束レンズと、ウエーハ前面に配置されたフィールドレンズの形のもう1つのレンズとの組み合わせの軸上の長さ方向の断面図であり、
図6は、マスクが格子電極を形成する2極格子レンズを有するイオンプロジェクション装置の簡略化された軸上の長さ方向の部分断面図であり、
図7は、図6による配置についての、色解像力のデイストーションの進行とウエーハ位置に依存するデイストーションとを示しており、
図8は、ウエーハ前面に補正レンズを有する、図1bのそれと同様の図であり、
図1(aおよびb)によれば、イオン光学像投影システムは、マスクM上に設けられた構造の像をウエーハW上に形成するためのイオン源Qを有している。この構造はマスクMに少なくとも1つの孔があることによって存在する。第1実施例において、図4および図5により詳細に示されているチューブ電極R1,R2としての2つの電極が設けられ、これらのチューブ電極R1,R2の間に配置された第3の電極がマスクMにより形成されている。マスクMはこの像形成システムの光軸に対し垂直に配置されており、レンズを2つの領域PおよびNに分割している。異なる電位U1,U2およびU3がこの3つの電極、すなわち、2つのチューブ電極R1,R2およびマスクMにより形成される電極に与えられている。図面中において、所望のビームが1によって示されており、実際のビームが2によって示されている。
記載された例において、レンズ領域Pは正の屈折力を有し、レンズ領域Nは負の屈折力を有している。しかしながら、3極レンズG3の全屈折力が正となるように、負の屈折力を有するレンズ領域Nの屈折力の絶対量は正の屈折力を有するレンズ領域Pの屈折力よりも小さくなっている。
さらに、図4および図5より、負の屈折力を有するレンズ領域Nのチューブ電極R2が正の屈折力を有するレンズ領域Pのチューブ電極R1のマスクに対向する部分よりも小さな直径(ほぼ半分のサイズ)を有することは明らかである。負の屈折力を有するレンズ領域Nの電極間の電圧比(U3−U0)/(U2−U0)は、同じように、正の屈折力を有するレンズ領域Pの電極間の電圧比(U3−U0)/(U1−U0)より小さい(ほぼ3分の1)。ここで、U0は採用される荷電粒子の運動エネルギーがゼロとなる位置のポテンシャルである。
マスクMの両側で、イオン線ビームによって照射される各領域について可能なかぎり同一の場の強さを与えるために、真剣な努力がなされた。
格子としてのマスクを有する3極格子レンズにおいて、第1の領域は実際上マスクのための照射レンズに相当し、第2の領域はデイストーションが後続の集束レンズL2によってかなりの程度補正される発散レンズ(負の屈折力)に相当する。公知の設計(ヨーロッパ特許出願93890058.6)において格子が配置されている位置にマスクが配置されている事実によって、格子面は今、対物面(オブジェクト・プレーン)となっている。マスクにおける孔は、実際上、格子の孔を形作る。ここで、このマスクの孔は格子の孔の有孔電極レンズと同一の効果を持つ。しかしながら、すでに述べたように、マスクMはオプチカル・カラムに像形成されるべき対象物である。ここで、対象物は像面に像形成される。光学の法則によれば、マスクの孔から出射する粒子の角度の小さな変化は、1つの対物ポイントから出射するすべての粒子が1つの像形成ポイントに収束するから、像を形成する際の効果においてかなりの程度まで無視することができる。
この説明は第2のレンズL2の設計を非対称シングルレンズとして、およびフィールドレンズとしての両方に適用できる。
箔(たとえば、シリコン製の)に形成された孔の形の、像形成されるべき構造を有するマスクは、きわめて小さな仮想的線源サイズ(ほぼ10μm)のイオン源とこれに続く照明装置によって照明される。この照明装置は2つの多極とこの2つの多極の間に配置された質量分離器とを有することができ、ここではダイアグノシス(分析)システムが用いられている。第1実施例における前記マスクは、全体に正の屈折力を有し3つの電極R1,R2,MからなるレンズG3の外側の電極間に配置されている。
特別な実施例(図1a)において、レンズG3は交差領域(クロスオーバー)C、すなわち、その像側焦点背後にイオン源の実像を作りだす。ウエーハWの前に配置された第2の集束レンズL2の物体側焦点は、ほぼクロスオーバーCの位置に配置される。このようにして、すべてのビームは軸にほぼ平行に集束レンズL2を通り、ほぼテレセントリックな像形成システムが得られる。これは、ウエーハWのずれが小さい場合に、像形成のスケールがイオン光軸方向に変化しないという利点がある。
他の実施例(図1b)において、この配置の場合には、マスクの像をクロスオーバーなしに作ることができる。縮小した象を形成する場合には、テレセントリシテイは失われる。これにおいて、きわめて小さな角度(ほぼ6ミリラジアン)がウエーハのところで可能である。テレセントリックシステムを回復するために、本発明により、集束レンズWLをウエーハWの前に直接設けることができる(図8)。この手段によって、ビームは軸にほぼ平行な状態でウエーハに衝突する。本発明によれば、この集束レンズは、単一のほぼチューブ状の電極がウエーハの前に直接配置され、それと較べて少し異なる電位を持つように形成することができる。この電極は、ウエーハとともに、プレート、すなわちウエーハ自身を電極として有し、したがって発散レンズとして機能する、いわゆるウエーハレンズを形成する。これは、イオンがウエーハへの途中で減速されるように、ウエーハの前に置かれた電極の電位が設定されている場合である。格子を持つ3極レンズの具体的な設計において、チューブ電極R1,R2の対向する端部間の距離は135mmに達する。マスクMとして形成された電極は、チューブ電極R1の出口から90mmの距離のところに配置されている。ここで、この出口の直径は600mmに達し、チューブ電極R2の入口の直径は300mmに達する。チューブ電極R2の出口はマスクMとして形成された電極から675mm離れており、チューブ電極R1の入口は中央電極を形成するマスクの前の1350mmのところに設けられている。マスクMに対向するこの出口から585mmの距離のところでは、チューブ電極R1の内径は600から300mmに減少している。
図6に示されている変形の場合において、マスクMは発散格子レンズG2の第1の電極を形成している。その後に収束レンズL1が続き、ビームの光路のウエーハ面の前に設けられ、非対称シングルレンズとして形成される第2の収束レンズL2がさらに続いている。レンズの最後の電極の電位は、続いているレンズの第1の電極のそれと常に同じであるため、これら2つの電極は、図6にも示されているように、各々の場合に物理的に単一電極として形成することができる。したがって、マスクとウエーハ間の全イオン光学的カラムを単一の「マルチ電極レンズ」と、この場合には、異なる屈折領域、すなわちG2,L1およびL2を有する5極レンズとみなすことができる。適切なこととしては、たとえば、線源とウエーハとの間の距離を減少するために、マスクの前に照明レンズ(図6には示されていないレンズなど)を設けることもできる。
マスクMが中間電極を形成する前述の3極レンズに対し、図6に示されているような配置の場合には、マスクの前および後ろの場の強さが異なっており、その結果、ミニレンズ効果(フライズアイズレンズ効果)がマスクの孔に起因して起こる。しかしながら、第2の電極に対向するマスク面での電場の強さがきわめて低いために、また、像形成される対象物がマスクであるが故に、このミニレンズの効果は無視できるほど小さい。電場の中で箔が動くことによって生じるに違いない作用により、マスクMに生じるすべての振動を避けるために、場の強さは低いことが望ましい。これは、マスクMを直ちに取り替え、セットすることを可能にする。図6に示されている配置は、マスク孔の像を2ミリラジアンより良いテレセントリック性を持ってウエーハWの面上に投じることを可能にする。この高いテレセントリック性はウエーハWの面上にほぼ10μmの鮮明度を生じる。したがって、この実施例において、ウエーハが光軸における位置を変えたときでも、像形成のスケールおよび解像度が維持されるだけでなく、特にデイストーションを小さく維持することもできる。
図6に示されている概念の場合において、イオンビームがマスク・フィールド(広がり)のエッジの位置で、1.5°より小さな角度で60x60mm2のマスク構造・フィールド(広がり)に衝突する。3°のバイアスを持つ3μmの厚さのシリコン箔にマスクの孔を形成することができる。このようにして、マスクエッジに起因して生じる影のデイストーションなしに、3μmの厚さのマスク用箔に、たとえば0.45μmの孔幅を持つライン状の格子を達成することができる。ウエーハWとマスクMとの間の距離はたとえば2171.51mmであり、最大径は1180mmである。
本発明による装置は、実施例のそれにかかわりなく以下の特性を持つ。
a)この配置がクロスオーバーを持つ場合、レイ・ビームは一般に、マスクに続き、および/あるいはマスクを含む収束レンズG3N(図1)およびG2およびL1(図2)によって、糸巻き(クッション)型の残存デイストーション(領域A)を経験する。クッション型の残存デイストーションはクロスオーバーの後、変化し、たる型の残存デイストーション(領域B)になる。
図1aおよび2は、ウエーハWの前に配置された収束レンズL2のデイストーション効果によって、ビームは、たる型のデイストーションの領域Bを減少させ、このたる型のデイストーションの領域に隣接するクッション型のデイストーションの領域A’を作り出す付加的な偏りを生じる。図1bを参照すれば、クロスオーバーのない配置の場合において、収束レンズG3Nによって生じるクッション型のデイストーションはレンズL2によって減少し、最終的にたる型のデイストーション(領域B)になる。
1つの面が、ウエーハWの前に配置された集束レンズL2の後に形成される。この面において、マスクとウエーハの間に置かれたレンズによって生じたデイストーションは補正される(最小デイストーション面)。しかしながら、これは3次のデイストーションについてのみ適用され、5次および6次のオーダーのより小さなデイストーションは残る。その結果、デイストーションは完全にはなくならず、重要ではあるが最小に保たれるだけである。ウエーハレンズWLを用いれば(下記参照)、デイストーションをさらに小さくすることに寄与することができる。
図6に提案されている実施例におけるウエーハ位置の、所望の位置に対するビーム方向の偏りによる残存デイストーションの依存性は、実際上、ヨーロッパ特許出願93890058.6に提案されている装置におけるのと同じように増加して進行する。ここで、マスクの像を形成するために2つの3極格子レンズが用いられる(図7)。また、デイストーションの最小値は前述の応用例の場合よりも小さい。これは、高いテレセントリック性とともに、ほぼ10μmの鮮明度をもたらす。この鮮明度は、従来の光の光学要素を用いる像形成方法により得られる鮮明度よりも実質的に良い。たとえば、0.2μm構造のものの製造中に高エネルギーの紫外光(「深紫外線」)を用いるフォトリソグラフィーの場合においては、鮮明度は同様に、たかだか数10μmの範囲内にある。このような低い鮮明度で集積回路を作り得るためには、光の光学要素を用いる場合において、ウエーハの表面を水平にすることが必要であり、このリソグラフィーは最上層(「最上表面への像形成」)においてのみ行われ得る。そして、これには高いコストが予想される。
b)図1bおよび2に示されている配置において、図3aおよび3bから図式的に明らかなように、ウエーハWの前に配置された第2の収束レンズの後ろの所定の像面Eのために2つの収束レンズL1およびL2の効果により、色欠陥のための補正が与えられる。所望のエネルギーE0より小さなエネルギーE0−ΔE0を有するビーム(図3に破線で示されている)は、マスクMを電極として含むレンズG3およびG2+L1内において、所望のエネルギー(実線で示されている)を有するビームよりも大きな程度まで偏向させられる。その結果、このビームは、前記所望のビームよりも軸から離れて、ウエーハWの前に配置されたレンズL2に入る。したがって、このビームはその低いエネルギーにより光軸に関してもどるように大きく偏向させられ、その結果、ウエーハWの前に配置された収束レンズL2の背後の所定距離のところで前記所望のビームと出会う。この面Eにおいて、1次の色欠陥は消滅する。残存デイストーションである2次の色欠陥はここでもまた残る。すなわち、所望のビームからのエネルギーの偏りの2乗に比例するデイストーションが残る。
図1aに示されているような配置の場合において、ウエーハレンズWLは色欠陥を最小にするように用いることができる。
c)3つの関連する面、すなわち、マスクMのガウス像面、最小のデイストーションの面(図1および2)および最小の色欠陥の面(図3)は通常一致しない。しかしながら、レンズおよびイオン光軸上のイオン源の位置を適切に選ぶことにより、ビーム光路をほぼ平行に維持しながら、前記3つの面がレンズL2の出口のところで一致することが可能となる。もしウエーハWが、この3つの面が一致するところに配置されるなら、これは、デイストーションおよび色欠陥の両方とも最小にする効果を持つ。
クロスオーバーを持つ上記のすべての実施例(図1a、図2および図6)において、可能な最高のエネルギーはクロスオーバーの位置で達成される。これは、いわゆる確率論的空間電荷効果が最小となる利点がある。クロスオーバーは、すべての場合に、レンズL2の前に電場のない空間に存在する。
確率論的な粒子の偏向は、たとえば、光学69(1985、第126から134ページ)におけるエイ・バイデンハウゼン、スピアおよびエイチ・ローズによる論文「フォーカスされた粒子ビームにおける確率論的なレイの偏向」の中で議論されている。確率論的空間電荷効果は、像を投影するプロセス中に解像度の欠陥、すなわち、イオンの光学構成要素が達成し得る最大解像度の減少をもたらす。この影響の大きさは、他のことがらの中で、クロスオーバーでのエネルギーに依存し、これは実際、上記論文に次の式が示されている。
δX〜E5/4
ここで、δXは解像度の劣化を示し、Eはクロスオーバーでのイオンのエネルギーを示す。
以下の表は、図6に示されているような本発明によるイオンプロジェクション・リソグラフィー・システムの一実施例についての計算結果を示す。
上記の条件の下で、電位U1とU2を持つ1つのレンズの2つの電極間の電圧比は次のように理解されるべきである。
(U2-U0)/(U1-U0)
ここで、U0は、荷電粒子の運動エネルギーがゼロに等しい位置での電位である。
Claims (8)
- 粒子源を有し、マスク箔上に1または複数の透明なスポットの形で設けられた像を、ウエーハの前のビーム方向に配置された少なくとも2つの静電レンズによって、ウエーハ上に投影するための粒子ビームによる像投影システムであって、前記レンズの少なくとも一方は、1つまたは2つのチューブ電極(R1,R2)と孔を有し、ビームの光路上に配置されたプレートとによって形成された格子レンズであり、前記プレートは、光軸(D)に対して垂直に配置されており、前記プレートは、前記格子レンズにおける粒子ビームの方向における第1のもしくは中間の電極を形成するマスク泊(M)により形成されることを特徴とする粒子ビームによる像投影システム。
- さらにレンズがマスクとウエーハとの間のビーム光路上に配置され、このレンズはチューブ状の電極とプレートからなり、このプレートはウエーハによって形成され、前記チューブ状電極はウエーハの直前に位置していることを特徴とする請求項1に記載の像投影システム。
- 前記マスクが3極格子レンズの中間電極であり、第2のレンズがマスクとウエーハの間に、イマージョン(液浸)レンズとして形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の像投影システム。
- 前記マスクが3極格子レンズの中間電極であり、第2のレンズがマスクとウエーハの間に、非対称シングルレンズとして形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の像投影システム。
- 前記マスクが2極格子レンズの第1の電極であり、このレンズに続いて第2のレンズが2極イマージョン(液浸)レンズとして形成され、そして第3のおよび最後のレンズが、マスクとウエーハの間に、非対称シングルレンズとして形成されていることを特徴とする請求項1に記載の像投影システム。
- 前記イオンのクロスオーバーポイントが電場のない空間に位置していることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の像投影システム。
- 前記クロスオーバーポイントの領域におけるイオンのエネルギーはウエーハ上のそれより高いことを特徴とする請求項6に記載の像投影システム。
- マスクとウエーハの間のビーム光路がクロスオーバーポイントを持たないことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の像投影システム。
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