JP3649265B2

JP3649265B2 - Thin film vapor deposition equipment

Info

Publication number: JP3649265B2
Application number: JP21133997A
Authority: JP
Inventors: 由紀夫福永; 邦明堀江; 弘行篠崎; 究塚本; 光直柴崎; 浩幸上山; 武司村上
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 1997-07-22
Filing date: 1997-07-22
Publication date: 2005-05-18
Anticipated expiration: 2017-07-22
Also published as: JPH1143773A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に、チタン酸バリウム／ストロンチウム等の高誘電体又は強誘電体薄膜を基板上に気相成長させる薄膜気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体産業における集積回路の集積度の向上はめざましく、現状のメガビットオーダから、将来のギガビットオーダを睨んだＤＲＡＭの研究開発が行われている。かかるＤＲＡＭの製造のためには、小さな面積で大容量が得られるキャパシタ素子が必要である。このような大容量素子の製造に用いる誘電体薄膜として、誘電率が１０以下であるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜に替えて、誘電率が２０程度である五酸化タンタル(Ｔa₂Ｏ₅)薄膜、あるいは誘電率が３００程度であるチタン酸バリウム(ＢaＴiＯ₃)、チタン酸ストロンチウム(ＳrＴiＯ₃)又はこれらの混合物であるチタン酸バリウムストロンチウム等の金属酸化物薄膜材料が有望視されている。
【０００３】
このような金属酸化物薄膜を基板上に気相成長させる際には、気密な成膜室の内部に配置したサセプタ（加熱保持部）上に基板を載置し、このサセプタの内部に内蔵されたヒータ等の加熱手段によって基板を所定温度に加熱しつつ、成膜室の内部に設置したシャワヘッドから原料ガスと反応ガス（酸素含有ガス）との混合ガスを基板Ｗに向けて噴射する薄膜気相成長装置が用いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記のような成膜原料の特徴として、気化後の気相維持温度範囲が狭く、気化温度より下がると凝結し、上がると分解してしまうことが挙げられる。これに対して、発明者らは反応室の内壁面を所定の温度（略気化温度）に維持制御しつつ成膜を行なう方法を提案し（特開平９−２８９６号公報）、その結果反応生成物の発生は効果的に抑制できるが、全くゼロにできる訳でなく、微細な生成物が少なからず発生付着してしまうことが判明した。
【０００５】
そこで、上記原料に対して熱分析を行った結果、例えばＢＳＴ・ＳＢＴ等の液体原料では、３種が同時に気相状態を維持できる明確で完全な温度範囲は存在せず、一部は凝結または分解してしまうことが分かった。そして、分解した原料は洗浄が困難である一方、凝結した原料は洗浄が比較的容易であることも分かった。そこで一部凝結を許容しながらも、高温での分解は避ける方法を採用することにより、上記問題の現実的な解決を図った。
【０００６】
この発明は上記に鑑み、成膜室内の壁面において成膜原料の高温での分解を避け、基板上に均一で品質の高い成膜処理を安定に行うことができるような薄膜気相成長装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、全体がほぼ筒状の気密な成膜室に、基板を保持し加熱する保持加熱手段と、該保持加熱手段を少なくとも成膜位置と搬送位置の間で昇降させる昇降機構と、成膜室の頂部より基板に向けて成膜原料ガスを噴射するガス噴射ヘッドと、成膜室の側壁の前記搬送位置に対応する高さに開口する基板搬送口と、成膜室の側壁の前記成膜位置と搬送位置の間の高さに開口する排気口とが設けられた薄膜気相成長装置において、成膜位置にある基板保持加熱手段の周囲を取り囲んで排気ガスの流路の一部を形成した略円筒状の断熱部材が設けられ、前記断熱部材には、内部に熱媒体を流通させる流路が形成されていて、外部からの熱媒体供給によりそれ自体を所定の温度に制御する温度制御手段が設けられ、前記断熱部材は、前記成膜室に脱着可能に設けられていることを特徴とする薄膜気相成長装置である。
【０００８】
これにより、断熱部材が保持加熱手段からの熱の輻射を抑制し、成膜室の内壁等が原料の分解温度以上に加熱されるのを防止する。従って、原料がこれらの箇所で分解して付着することが防止される。これらの箇所に原料が凝結した場合には、所定の方法で洗浄してこれを除去し、装置の稼動を継続する。前記断熱部材は、石英、ステンレス、セラミックス等の断熱材により形成するのが好ましい。
【０００９】
ここで、前記温度制御手段は、例えば、前記断熱部材に形成された媒体流路と、外部にて所定の温度に制御された媒体を供給する熱媒体供給手段とを有するように構成する。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、前記成膜室の外壁を所定の温度以下に冷却する冷却手段を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜気相成長装置である。前記成膜室には、排気口より下部で且つ搬送口より上部に前記断熱部材を支持するための支持部材を設けるとよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施の形態を示すもので、この薄膜気相成長装置は、全体がほぼ筒状の気密な成膜室１０に、基板Ｗを保持し加熱する基板保持加熱手段１２と、該基板保持加熱手段１２を少なくとも成膜位置（上限）と搬送位置（下限）の間で昇降させる昇降機構１４と、成膜室１０の頂部より基板Ｗに向けて成膜原料ガスを噴射するガス噴射ヘッド１６と、成膜室１０の側壁１８の搬送位置に対応する高さに開口する基板搬送口２０と、成膜室１０の側壁１８の成膜位置と搬送位置の間の高さに開口する排気口２２とが設けられて構成されている。排気口２２と基板搬送口２０はそれぞれ周方向所定の位置に１つづつが設けられている。
【００１２】
基板保持加熱手段１２は、内部にヒータ（加熱手段、図示略）を有する円板状のサセプタ２４と、これを昇降機構１４に連結する支柱２６を有している。サセプタ２４の基板外側の縁部にはここでの反応による付着を防止する環状の防着板２８が取り付けられている。ガス噴射ヘッド１６は、基板Ｗよりやや大きい円板状で複数のノズル孔３０が均等に分散配置されたノズル盤３２を有し、また、この例では内部に原料ガスと反応ガス（例えば酸化ガス）の混合空間を有しているとともに、ノズル孔３０や混合空間を熱媒体により所定温度に維持するためのジャケット（温度制御手段）３４が設けられている。
【００１３】
成膜室１０は、円筒状の側壁１８と、中央に基板昇降機構１４を取り付ける開口部が形成された底板３６と、天板を兼ねるガス噴射ヘッド１６及び、側壁１８とヘッドの間のテーパ部を形成するテーパブロック３８から気密に構成され、必要箇所にはシール部材であるＯリング４０やベローズ４２が配され、搬送口２０には図示しないゲートが設けられている。この例では、側壁１８や底板３６には温度制御手段である熱媒体流路は形成されていない。
【００１４】
成膜室１０には、基板保持加熱手段１２の昇降経路を取り囲むように筒状の断熱部材４４が設けられている。この断熱部材は、石英、ステンレス、セラミックス等の断熱材により、その下部に張り出して取り付けられた環状板４６と一体に構成されている。そして、成膜室１０の側壁１８内面の、排気口より下部で且つ搬送口より上部の位置に形成された環状突起４８に載せられて取り付けられている。従って、頂部のシャワヘッド１６とテーパブロック３８を取り外すことにより、これを持ち上げて簡単に成膜室１０からの除去や交換等が行える。
【００１５】
以上のように構成した薄膜気相成長装置の作用を説明する。サセプタ２４を、図１において２点鎖線で示す搬送位置に置いて、これに基板搬送口２０より基板Ｗを置き、昇降機構１４によりこれを図１に示す成膜位置まで上昇させる。サセプタ２４により基板Ｗを成膜温度まで昇温し、熱媒体により所定温度に維持されたシャワヘッド１６より原料ガスと反応ガスの混合ガスを噴射する。
【００１６】
噴射された原料ガスと反応ガスは基板Ｗ上で反応して成膜し、反応済みガスは基板Ｗ上を放射状に流れて成膜室１０の側壁１８と断熱部材４４により形成された排気流路Ｐに流れ、排気口２２より排気される。ここで、断熱部材４４及び環状板４６により反応ガスの流路が限定され、サセプタ２４の裏側や成膜室１０下部の昇降機構１４等には流れにくくなっているので、これらの箇所での付着やそれに起因する汚染等が防止される。
【００１７】
成膜反応の間、断熱部材４４が保持加熱手段１２からの熱の輻射を抑制し、成膜室１０の側壁１８等が原料の分解温度以上に加熱されるのを防止する。従って、原料がこれらの箇所で分解して付着することが防止される。これらの箇所に原料が凝結した場合には、成膜室１０の頂部のシャワヘッド１６やテーパブロック３８を外して、所定の方法で洗浄してこれらの箇所を除去し、装置の稼動を継続する。
【００１８】
図２に示すのは、この発明の第２の実施の形態の薄膜気相成長装置である。この実施の形態では、断熱部材４４を単純な筒状とし、成膜室１０の側壁１８内面に設けた支持板５０の環状溝５２に着脱自在に取り付けている。この実施の形態では、形状が単純・コンパクトになるため、断熱部材４４の製作が容易になるばかりでなく、除去や交換も一層容易となる。特に、成膜条件に応じて断熱部材４４の材質を変更する場合に便利である。
【００１９】
図３に示すのは、この発明の他の実施の形態であり、ここでは、断熱部材４４の内部にオイル等の熱媒体を流通させる流路５４が形成されている。これには、成膜室１０の側壁１８を挿通して、外部の供給手段より所定温度の熱媒体を供給する熱媒体供給配管５６及び戻り配管が連通して設けられている。この実施の形態においては、加熱保持部材から受ける輻射熱を熱媒体で吸収するので、成膜室１０の側壁１８の温度上昇抑制機能がより高い。
【００２０】
図４に示すのは、この発明のさらに他の実施の形態であり、ここでは、側壁１８や昇降フランジ６０が保持加熱手段１２によって加熱されるのを極力防止するために、冷却手段を構成する側壁１８のジャケット５８及び底板３６に固定される昇降フランジ６０にもジャケット５９が形成されているものである。これにより、断熱部材４４の遮熱機能に加え、より確実に成膜室１０の内壁の温度を成膜反応以下に保つ機能が確保されている。更には、シール部品の耐久性や作業者の安全性等の向上にも寄与している。
【００２１】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、断熱部材が保持加熱手段からの熱の輻射を抑制し、成膜室の内壁等が原料の分解温度以上に加熱されるのを防止する。従って、原料がこれらの箇所で分解して付着することが防止され、基板上に均一で品質の高い成膜処理を安定に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の薄膜気相成長装置を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の薄膜気相成長装置を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態の薄膜気相成長装置を示す断面図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態の薄膜気相成長装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１０成膜室
１２サセプタ（基板保持加熱手段）
１４昇降機構
１６ガス噴射ヘッド
１８側壁
２０基板搬送口
２２排気口
３０噴射ノズル
３２ノズル盤
４４断熱部材
５９ジャケット
６０昇降フランジ
Ｐ流路
Ｍ混合空間
Ｗ基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention particularly relates to a thin film vapor phase growth apparatus for vapor phase growing a high dielectric or ferroelectric thin film such as barium titanate / strontium on a substrate.
[0002]
[Prior art]
In recent years, the degree of integration of integrated circuits in the semiconductor industry has been remarkably improved, and research and development of DRAMs with a gigabit order in the future from the current megabit order has been conducted. In order to manufacture such a DRAM, a capacitor element capable of obtaining a large capacity in a small area is required. As a dielectric thin film used for manufacturing such a large-capacity element, a tantalum pentoxide (Ta ₂ O ₅ ) thin film having a dielectric constant of about 20 instead of a silicon oxide film or a silicon nitride film having a dielectric constant of 10 or less. Alternatively, metal oxide thin film materials such as barium titanate (BaTiO ₃ ) having a dielectric constant of about 300, strontium titanate (SrTiO ₃ ), or a mixture thereof, such as barium strontium titanate, are promising.
[0003]
When vapor-depositing such a metal oxide thin film on a substrate, the substrate is placed on a susceptor (heating holding unit) arranged in an airtight film forming chamber and is built in the susceptor. A thin film in which a mixed gas of a source gas and a reactive gas (oxygen-containing gas) is jetted toward the substrate W from a shower head installed in the film forming chamber while the substrate is heated to a predetermined temperature by a heating means such as a heater. A vapor phase growth apparatus is used.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, as a characteristic of the film forming raw material as described above, the vapor phase maintenance temperature range after vaporization is narrow, and it is condensed when it falls below the vaporization temperature and decomposes when it rises. On the other hand, the inventors have proposed a method of forming a film while maintaining and controlling the inner wall surface of the reaction chamber at a predetermined temperature (substantially vaporization temperature) (Japanese Patent Laid-Open No. 9-2896). It was found that the generation of objects can be effectively suppressed, but it cannot be completely reduced to zero, and a small amount of fine products are generated and adhered.
[0005]
Therefore, as a result of performing a thermal analysis on the raw material, there is no clear and complete temperature range in which three kinds of liquid raw materials such as BST / SBT can simultaneously maintain a gas phase state, and some of the raw materials are condensed or It turns out that it breaks down. It was also found that the decomposed raw material is difficult to clean, while the condensed raw material is relatively easy to clean. Therefore, a practical solution to the above problem has been made by adopting a method that avoids decomposition at high temperatures while allowing partial condensation.
[0006]
In view of the above, the present invention provides a thin-film vapor phase growth apparatus capable of stably performing uniform and high-quality film formation processing on a substrate while avoiding decomposition of a film formation raw material at a high temperature on a wall surface in a film formation chamber. The purpose is to provide.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
According to the first aspect of the present invention, a holding heating unit that holds and heats the substrate in a generally cylindrical airtight film forming chamber, and the holding heating unit is moved up and down at least between the film forming position and the transfer position. Elevating mechanism, gas injection head for injecting a film forming source gas from the top of the film formation chamber toward the substrate, a substrate transfer port opened to a height corresponding to the transfer position on the side wall of the film formation chamber, and film formation in the thin-film vapor deposition apparatus in which an opening for the exhaust port and is provided at a height between said film forming position and transport position of the side wall of the chamber, the exhaust gas enclose take around the substrate holding heating means at the film formation position A substantially cylindrical heat insulating member that forms a part of the flow path is provided, and the heat insulating member is provided with a flow path through which a heat medium is circulated. A temperature control means for controlling to a predetermined temperature is provided, and the heat insulating member is It is a thin film vapor deposition apparatus according to claim is provided detachably in KiNarumaku chamber.
[0008]
Thereby, the heat insulating member suppresses the radiation of heat from the holding heating means, and the inner wall of the film forming chamber is prevented from being heated above the decomposition temperature of the raw material. Therefore, the raw material is prevented from being decomposed and attached at these locations. When the raw material condenses in these places, it is washed and removed by a predetermined method, and the operation of the apparatus is continued. The heat insulating member is preferably formed of a heat insulating material such as quartz, stainless steel, or ceramics.
[0009]
Here, the temperature control means includes, for example, a medium flow path formed in the heat insulating member and a heat medium supply means for supplying a medium controlled to a predetermined temperature outside.
[0010]
The invention described in 請 Motomeko 2 is a thin-film vapor deposition apparatus according to 請 Motomeko 1 you further comprising a cooling means for cooling the outer wall of the deposition chamber to below a predetermined temperature. A support member for supporting the heat insulating member may be provided in the film formation chamber below the exhaust port and above the transfer port.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention. This thin-film vapor phase growth apparatus holds a substrate W in a substantially cylindrical airtight film forming chamber 10 and heats the substrate W. Means 12, a raising / lowering mechanism 14 for raising and lowering the substrate holding and heating means 12 at least between a film forming position (upper limit) and a transfer position (lower limit), and a film forming source gas from the top of the film forming chamber 10 toward the substrate W Between the film forming position and the transfer position of the side wall 18 of the film forming chamber 10, the substrate transfer port 20 opened to a height corresponding to the transfer position of the side wall 18 of the film forming chamber 10, An exhaust port 22 that opens to a height is provided. One exhaust port 22 and one substrate transport port 20 are provided at predetermined positions in the circumferential direction.
[0012]
The substrate holding / heating means 12 includes a disk-shaped susceptor 24 having a heater (heating means, not shown) therein, and a column 26 for connecting the susceptor 24 to the elevating mechanism 14. At the outer edge of the substrate of the susceptor 24, an annular deposition preventing plate 28 for preventing adhesion due to reaction here is attached. The gas injection head 16 has a nozzle plate 32 having a disk shape slightly larger than the substrate W and in which a plurality of nozzle holes 30 are evenly distributed, and in this example, a raw material gas and a reactive gas (for example, an oxidizing gas) are contained therein. ) And a jacket (temperature control means) 34 for maintaining the nozzle hole 30 and the mixing space at a predetermined temperature with a heat medium.
[0013]
The film forming chamber 10 includes a cylindrical side wall 18, a bottom plate 36 in which an opening for attaching the substrate lifting mechanism 14 is formed at the center, a gas jet head 16 that also serves as a top plate, and a tapered portion between the side wall 18 and the head. The O-ring 40 and the bellows 42, which are seal members, are disposed at necessary portions, and the transfer port 20 is provided with a gate (not shown). In this example, the side wall 18 and the bottom plate 36 are not formed with a heat medium flow path as temperature control means.
[0014]
In the film forming chamber 10, a cylindrical heat insulating member 44 is provided so as to surround the elevating path of the substrate holding heating means 12. The heat insulating member is integrally formed with an annular plate 46 that is protruded and attached to the lower part of the heat insulating material such as quartz, stainless steel, or ceramics. The inner surface of the side wall 18 of the film forming chamber 10 is mounted on an annular protrusion 48 formed at a position below the exhaust port and above the transfer port. Therefore, by removing the top shower head 16 and the taper block 38, they can be lifted and removed from the film forming chamber 10 or exchanged easily.
[0015]
The operation of the thin film vapor phase growth apparatus configured as described above will be described. The susceptor 24, at the transfer position indicated by the two-dot chain line in FIG. 1, this position the substrate W from the substrate transfer port 20 is raised to the deposition position shown in Figure 1 by the lifting mechanism 14. The substrate W is heated to the film forming temperature by the susceptor 24, and a mixed gas of the source gas and the reactive gas is sprayed from the shower head 16 maintained at a predetermined temperature by the heat medium.
[0016]
The injected source gas and the reactive gas react to form a film on the substrate W, and the reacted gas flows radially on the substrate W and is formed by the side wall 18 of the film forming chamber 10 and the heat insulating member 44. It flows into P and is exhausted from the exhaust port 22. Here, the flow path of the reaction gas is limited by the heat insulating member 44 and the annular plate 46 and is difficult to flow to the back side of the susceptor 24, the elevating mechanism 14 below the film forming chamber 10, and the like. Contamination and the like resulting from it are prevented.
[0017]
During the film formation reaction, the heat insulating member 44 suppresses the radiation of heat from the holding heating means 12 and prevents the side walls 18 and the like of the film formation chamber 10 from being heated above the decomposition temperature of the raw material. Therefore, the raw material is prevented from being decomposed and attached at these locations. When the raw material condenses in these places, the shower head 16 and the taper block 38 at the top of the film forming chamber 10 are removed, and these places are removed by cleaning by a predetermined method, and the operation of the apparatus is continued. .
[0018]
FIG. 2 shows a thin film vapor phase growth apparatus according to a second embodiment of the present invention. In this embodiment, the heat insulating member 44 has a simple cylindrical shape and is detachably attached to the annular groove 52 of the support plate 50 provided on the inner surface of the side wall 18 of the film forming chamber 10. In this embodiment, since the shape is simple and compact, not only the heat insulating member 44 is easily manufactured, but also removal and replacement are further facilitated. In particular, it is convenient when changing the material of the heat insulating member 44 according to the film forming conditions.
[0019]
FIG. 3 shows another embodiment of the present invention, in which a flow path 54 through which a heat medium such as oil flows is formed inside the heat insulating member 44. This is provided with a heat medium supply pipe 56 and a return pipe which are inserted through the side wall 18 of the film forming chamber 10 and supply a heat medium having a predetermined temperature from an external supply means. In this embodiment, since the radiant heat received from the heat holding member is absorbed by the heat medium, the function of suppressing the temperature rise of the side wall 18 of the film forming chamber 10 is higher.
[0020]
FIG. 4 shows still another embodiment of the present invention. Here, in order to prevent the side wall 18 and the elevating flange 60 from being heated by the holding heating means 12 as much as possible, the cooling means is configured. A jacket 59 is also formed on the jacket 58 of the side wall 18 and the elevating flange 60 fixed to the bottom plate 36. Thereby, in addition to the heat shielding function of the heat insulating member 44, the function of more reliably maintaining the temperature of the inner wall of the film forming chamber 10 below the film forming reaction is ensured. Furthermore, it contributes to the improvement of the durability of the sealing parts and the safety of workers.
[0021]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the heat insulating member suppresses heat radiation from the holding and heating means, and the inner wall of the film forming chamber is prevented from being heated above the decomposition temperature of the raw material. Therefore, it is possible to prevent the raw material from being decomposed and adhered at these places, and to perform a uniform and high quality film forming process on the substrate stably.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a thin film vapor phase growth apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a thin film vapor phase growth apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a sectional view showing a thin film vapor phase growth apparatus according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a sectional view showing a thin film vapor phase growth apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
10 Deposition chamber 12 Susceptor (Substrate holding and heating means)
14 Lifting mechanism 16 Gas injection head 18 Side wall 20 Substrate transport port 22 Exhaust port 30 Injection nozzle 32 Nozzle panel 44 Heat insulation member 59 Jacket 60 Lifting flange P Flow path M Mixing space W Substrate

Claims

全体がほぼ筒状の気密な成膜室に、基板を保持し加熱する保持加熱手段と、該保持加熱手段を少なくとも成膜位置と搬送位置の間で昇降させる昇降機構と、成膜室の頂部より基板に向けて成膜原料ガスを噴射するガス噴射ヘッドと、成膜室の側壁の前記搬送位置に対応する高さに開口する基板搬送口と、成膜室の側壁の前記成膜位置と搬送位置の間の高さに開口する排気口とが設けられた薄膜気相成長装置において、
成膜位置にある基板保持加熱手段の周囲を取り囲んで排気ガスの流路の一部を形成した略円筒状の断熱部材が設けられ、
前記断熱部材には、内部に熱媒体を流通させる流路が形成されていて、外部からの熱媒体供給によりそれ自体を所定の温度に制御する温度制御手段が設けられ、
前記断熱部材は、前記成膜室に脱着可能に設けられていることを特徴とする薄膜気相成長装置。A holding heating means for holding and heating the substrate in a substantially cylindrical airtight film forming chamber, a lifting mechanism for raising and lowering the holding heating means at least between the film forming position and the transfer position, and the top of the film forming chamber A gas injection head for injecting a film forming raw material gas toward the substrate, a substrate transfer port opened to a height corresponding to the transfer position on the side wall of the film forming chamber, and the film forming position on the side wall of the film forming chamber. In the thin film vapor phase growth apparatus provided with an exhaust port opening at a height between the transfer positions,
Substantially cylindrical insulating member which forms a part of the flow path of the exhaust gas enclose take around the substrate holding heating means at the film formation position is provided,
The heat insulating member is formed with a flow path through which a heat medium flows, and is provided with temperature control means for controlling itself to a predetermined temperature by supplying the heat medium from the outside.
The thin-film vapor phase growth apparatus , wherein the heat insulating member is detachably provided in the film forming chamber .

前記成膜室の外壁を所定の温度以下に冷却する冷却手段を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜気相成長装置。Thin film vapor deposition apparatus according to 請 Motomeko 1 further comprising a cooling means for cooling the outer wall of the deposition chamber to below a predetermined temperature.