JP3621558B2 - 迷放射低減回路 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、陰極線管における迷放射を低減するための迷放射低減回路に関するものであり、特に通常の「ラン」又は「オン」の動作モードから、「スタンバイ」又は「オフ」の動作モードへの遷移によりある種の目に見えるアーティファクト（例えば、残光現象）が発現することのないよう対策のとられたテレビジョン受信機に適用されるものに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
テレビジョン受信機が「オン」モードから「スタンバイ」モード又はオフに切り換えられる時、ゴースト像が、使用された陰極線管（以下ＣＲＴと略す）のいくつかに出現することがある。この現象は迷放射又は残光と呼ばれ、通常電子マウント、すなわち電子銃，のグリッド１又はグリッド２で流れを止められ、陽極電圧（極高電圧のためＥＨＴと呼ぶ）によって加速されて、ＣＲＴの蛍光体に衝突する微粒子、言い換えれば不純物によって引き起こされる。現在のＣＲＴ製造工程によっては、これらの微粒子を完全に除去することは不可能である。ＣＲＴ製造業者は、テレビジョン受信機がオンからスタンバイに切り換えられるとき、ＥＨＴ電圧が直ちに特定のレベル（例えば、１８ｋＶ）にまで放電されれば、迷放射は抑制されることを通常保証する。
【０００３】
テレビジョン受信機を「スタンバイ」モード，又はオフへ切り換えたあと、ＥＨＴ電圧を放電する２つの方法が公知である。
ＥＰ−ＯＳ ０ ５２１ ３７８ Ａ は、高電圧源、偏向回路、陰極ドライバ増幅器、及び受信機の動作モードを制御するための制御回路を有するキネスコープを含む、テレビジョン装置を開示している。制御回路からのターンオフ指令信号に応答する第１のトランジスタは、高電圧源を動作不能とし、制御された速さで偏向回路のターンオフを始める。同時に、ターンオフ指令に応答する第２の手段は、それからの高電圧を放電するために、上記キネスコープの電子銃の少なくとも１つに「ターンオンドライブ」信号を印加する。それゆえターンオフの間に、高電圧は、ディスプレイのラスターが崩壊するにつれてキネスコープから流出し、これにより、完全に放電されたキネスコープを得る安全性の特徴や、キネスコープのスポット焼けを回避し、キネスコープの残光を防止するといった特徴を与える。
【０００４】
ＵＳ−ＰＳ ５，２６６，８７０ は、システムのパワーオンに際し、システム電源電圧を印加し、一定電圧で充電するための、及びシステムのパワーオフに際し、充電された電圧を放電するための充電及び放電部を備え、また、システムのパワーオンに際し、陰極線管の高電圧ユニットとグランドの間に開路を形成し、システムのパワーオフに際して閉路を形成して、陰極線管内に残っている高電圧を放電するためのスイッチング部を備えた、陰極線管を有するシステム用の迷放射防止回路を開示しており、この回路はシステムの回路基板に設けられている。
迷放射を防ぐための上記方法は、余分な回路構成部分を必要とし、複雑さとコストを増すという欠点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
さらに、現在用いられている最も一般的かつ困難でない方法は、後に図６により説明されるが、フライバック（以下ＦＢＴと呼ぶ）にブリーダ抵抗器を取り付けて、ＥＨＴ電圧変換器を放電するものである。
【０００６】
図６は、「オン」モードから「スタンバイ」モードへの変換において陽極Ａに印加される高電圧ＥＨＴを放電するための、ＣＲＴ陽極Ａと、フォーカス抵抗器ＲＦとスクリーン抵抗器ＲＳとからなる抵抗チェーンとの間の、陰極線管ＣＲＴにおけるブリーダ抵抗器ＲＢＬの公知の配列を示す。ブリーダ抵抗器ＲＢＬは、約４００Ｍオームのオーダーのものである。
【０００７】
このようなブリーダ抵抗器を用いることにたとえ長所があっても、ブリーダ抵抗器をＦＴＢに取り付けるのにかかる費用は、主な欠点の１つである。
それゆえ、この発明の目的は、信頼性のある、コストを節約する迷放射低減回路を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明（請求項１）に係る迷放射低減回路は、ドライバ変圧器、及び電子ビームの水平偏向を制御するための出力トランジスタ（ＴＬ０２）を有し、上記出力トランジスタ（ＴＬ０２）は、高電圧（ＥＨＴ）、上記出力トランジスタ（ＴＬ０２）を制御するためのそのベースがＨパルスに接続されている制御トランジスタ（ＴＬ０１）、及びスタンバイ回路（ＴＲ１６，ＲＬ０２，ＴＲ１７，ＣＬ０３，ＲＬ０６，ＲＬ０５）に接続されている迷放射低減回路において、上記Ｈパルスは、回路が通常動作からスタンバイ動作又はオフモードに切り換わる時に微分されるようにしたものであり、この発明の請求項１の特徴により上述の目的が、解決される。
【０００９】
また、この発明（請求項２）に係る迷放射低減回路は、請求項１に記載の迷放射低減回路において、上記微分は、上記Ｈパルス，及び上記制御トランジスタ（ＴＬ０１）のベースに接続される、第１のキャパシタ（ＣＬ０１）によって行われるようにしたものである。
【００１０】
また、この発明（請求項３）に係る迷放射低減回路は、請求項２に記載の迷放射低減回路において、上記迷放射低減回路はさらに、上記第１のキャパシタ（ＣＬ０１）に対し並列に配列される、ダイオード手段（ＤＬ０１）及び第２のキャパシタ手段（ＣＬ０２）を含むようにしたものである。
【００１１】
また、この発明（請求項４）に係る迷放射低減回路は、請求項３に記載の迷放射低減回路において、上記第１のキャパシタ（ＣＬ０１）は、上記第２のキャパシタ（ＣＬ０２）よりも容量値が小さいようにしたものである。
【００１２】
また、この発明（請求項５）に係る迷放射低減回路は、請求項３又は４に記載の迷放射低減回路において、上記ダイオード（ＤＬ０１）は、トランジスタ（ＴＲ１６）及び抵抗器（ＲＬ０２）からなる上記スタンバイ回路によって、バイアスをかけられるようにしたものである。
【００１３】
また、この発明（請求項６）に係る迷放射低減回路は、請求項１ないし５のいずれか１つに記載の迷放射低減回路において、上記Ｈラインは、スイッチ（ＴＲ１７）で接地することができるようにしたものである。
【００１４】
また、この発明（請求項７）に係る迷放射低減回路は、請求項６に記載の迷放射低減回路において、上記スイッチはトランジスタ（ＴＲ１７）で実現され、Ｈラインを接地するようにしたものである。
【００１５】
また、この発明（請求項８）に係る迷放射低減回路は、上記請求項１ないし７のいずれか１つに記載の迷放射低減回路において、上記ダイオード（ＤＬ０１）は、上記スタンバイトランジスタ（ＴＲ１６）が開いている時に、電位Ｐ_１ でバイアスをかけられるようにしたものである。
【００１６】
また、この発明（請求項９）に係る迷放射低減回路は、請求項７に記載の迷放射低減回路において、上記接地用トランジスタ（ＴＲ１７）のベースは、抵抗器（ＲＬ０５，ＲＬ０６）を通って上記電位Ｐ_１ に接続されるようにしたものである。
【００１７】
また、この発明（請求項１０）に係る迷放射低減回路は、請求項９に記載の迷放射低減回路において、上記電位Ｐ_１ は約２２Ｖであり、上記制御トランジスタ（ＴＬ０１）のベースは、約２４Ｖである電位Ｐ_２ でバイアスをかけられるようにしたものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
この発明の概要は、ドライバ変圧器、及び電子ビームの水平偏向を制御するための水平出力トランジスタ（以下ＨＯＴと呼ぶ）を有する迷放射低減回路からなり、ＨＯＴトランジスタは、高電圧、ＨＯＴを制御するための，そのベースがＨパルスに接続された制御トランジスタ、及びスタンバイ回路に接続されており、ここで、回路が通常動作からスタンバイ動作に切り換わる時、Ｈパルスは微分される。
【００１９】
低コストの迷放射低減回路を達成するために、Ｈパルスの微分がキャパシタにより好ましく行われ、上記キャパシタは、Ｈパルス及び制御トランジスタのベースに接続される。
【００２０】
さらに、迷放射低減回路は、ダイオード手段と、第１のキャパシタに対し並列に配列される第２のキャパシタ手段を含み、その結果、Ｈパルスは動作モード、すなわち「オン」モードであるか，又は「スタンバイ」モードであるかによって、直接ダイオードを通って、或いは第２のキャパシタにより形成されるバイパスを通って通り抜けることができる。第１のキャパシタは、第２のキャパシタよりも小さいことが好ましい。さらに、ダイオードは、スタンバイトランジスタと抵抗器とからなるスタンバイ回路を介してバイアスをかけられ、もしスタンバイトランジスタが開いているならば、ダイオードは電位Ｐ_１ によるバイアスをかけられるのが好ましい。
【００２１】
さらに、迷放射低減回路のＨパルスラインはスイッチで接地することができ、上記スイッチは接地用トランジスタで実現され、Ｈラインを接地する。接地用トランジスタのベースは、抵抗器を介して電位Ｐ_１ に接続されるのが好ましい。
【００２２】
さらに、制御トランジスタのベースは電位Ｐ_２ でバイアスされ、バイアス用電位Ｐ_１ は約２２Ｖであり、電位Ｐ_２ は約２４Ｖであるのが好ましい。
【００２３】
この発明の主な利点は、陽極電圧用のブリーダよりも安価な方法で、残光の問題を解決することにある。必要とされる付加的な構成部分は、１つのトランジスタ、５つの抵抗器、及び２つのキャパシタで、それにかかる費用は０．５ ＵＳドル以下であり、ＦＢＴに設置されるブリーダ抵抗器にかかる費用１．５ ＵＳドル以上よりも低い。さらに、回路設計は非常に簡単で、そのため容易に適用できる。そのような回路は、多少の変更でもって、現在のシャシーの多くに用いることができる。
【００２４】
さらに、それはスタンバイからオンへのソフトスタートをもたらし、ＨＯＴのターンオン時間は徐々に増大し、電圧及び電流ストレスは低くなる。オンからスタンバイへの切り換え遷移時に、ターンオン時間は徐々に低減され、ＨＯＴ電圧及び電流は徐々に低減される。従って、ＨＯＴの信頼性は改善される。これは、上述した抵抗器及びキャパシタを用いた、接地用トランジスタの段階的なスイッチオン及びオフ動作によって達成される。
【００２５】
実施の形態１．
この発明の好ましい実施形態を、添付した図面を参照して述べる。好ましい実施の形態は、独立クレームの主題である。
【００２６】
この発明の他の肯定的な効果は、テレビジョン受信機がオンからスタンバイに切り換えられる瞬間に、図１のトランジスタＴＲ１６がオフに切り換えられ、キャパシタＣＬ０３（トランジスタＴＲ１７のベース−エミッタ間に接続されている）がポイントＰで電位Ｐ_１ によって充電され、その時定数は抵抗器ＲＬ０２、抵抗器ＲＬ０６及びキャパシタＣＬ０３によって決定され、その結果トランジスタＴＲ１７がその後、ゆっくりとオンに切り換えられることにある。
【００２７】
以下、図２，３及び４の垂直軸は任意の単位で測定された電圧を示し、水平軸は任意の単位における時間を示す。
【００２８】
図２は、通常動作の間、すなわち、印加されたＨパルスが、キャパシタＣＬ０２よりも小さい容量値を有する上部キャパシタＣＬ０１を通り抜ける時の、制御トランジスタＴＬ０１のベース電圧Ｕｂを示す。
【００２９】
図３は、その上部に、微分されたＨパルス（ｄＨ）を示す。図３の対応する下部においては、元々のＨパルスが描写されている。言い換えれば、図３の上部の波形は、テレビジョン受信機がスタンバイに切り換えられ、トランジスタＴＲ１６がオフに切り換えられる時、Ｈパルスが微分されることを示している。下部のパルスは、本発明の回路に入力され、トランジスタＴＬ０１のベースを駆動するために処理される前の、ビデオＩＣからの元々のＨパルスである。
【００３０】
図４はＨＯＴコレクタ電圧Ｖｃの包絡線を示し、それは、図４で描写されるように、受信機がスタンバイに切り換えられた後に、低い電圧に低減される。
【００３１】
図５は最後に、Ｈパルスの振幅を低下する効果を示し、これはまた、ＨＯＴトランジスタのためのさらに短いターンオン時間を与えている。蓄えられたエネルギはさらに低減され、より低いトランジスタＴＬ０２のコレクタ電圧を与えるので、トランジスタＴＬ０２は結局、より低いピーク電圧でオフに切り換えられる。一方、受信機はスタンバイからオンに切り換えられ、トランジスタＴＲ１７（図５の右部分）は、トランジスタＴＲ１６がオンである間、キャパシタンスＣＬ０３が値ＲＬ０５／ＣＬ０３の時定数によって放電されるので、徐々にオフに切り換えられる。これはＨＯＴトランジスタのターンオン時間を次第に増やし、同時にＨＯＴトランジスタに少ない電圧及び電流ストレスを与えるソフトスタート効果をもたらす。それゆえ、この発明はその主目的を果たしている、すなわち、迷放射を使用しているというだけではなく、さらにＨＯＴトランジスタのそのスイッチング遷移での信頼性を高めている。
【００３２】
【発明の効果】
以上のように、この発明に係る迷放射低減回路によれば、ドライバ変圧器、及び電子ビームの水平偏向を制御するための出力トランジスタ（ＴＬ０２）を有し、上記出力トランジスタ（ＴＬ０２）は、高電圧（ＥＨＴ）、上記出力トランジスタ（ＴＬ０２）を制御するためのそのベースがＨパルスに接続されている制御トランジスタ（ＴＬ０１）、及びスタンバイ回路（ＴＲ１６，ＲＬ０２，ＴＲ１７，ＣＬ０３，ＲＬ０６，ＲＬ０５）に接続されている迷放射低減回路において、上記Ｈパルスは、回路が通常動作からスタンバイ動作又はオフモードに切り換わる時に微分されるようにしたので、低コストで迷放射低減回路を実現できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の好ましい実施の形態１による回路を示す図である。
【図２】実施の形態１における，通常動作の間の制御トランジスタのベース電圧を示す図である。
【図３】実施の形態１における，Ｈパルス，及び対応する誘導パルスを示す図である。
【図４】実施の形態１における，テレビジョン受信機がスタンバイに切り換えられた後の、低電圧に低減されたＨＯＴコレクタ電圧の包絡線を示す図である。
【図５】実施の形態１の，通常動作モード、及び接地用トランジスタが部分的にオンであるモードにおける、接地用トランジスタのコレクタ電圧、制御トランジスタのベース電圧、及びＨＯＴのターンオン時間を示す図である。
【図６】フライバックトランスにブリーダ抵抗器を取り付けた公知の迷放射低減回路を示す図である。
【符号の説明】
ＴＬ０２ 出力トランジスタ
ＥＨＴ 高電圧
ＴＬ０１ 制御トランジスタ
ＴＲ１６，ＲＬ０１，ＴＲ１７，ＣＬ０３，ＲＬ０６，ＲＬ０５ スタンバイ回路
ＣＬ０１ 第１のキャパシタ
ＣＬ０２ 第２のキャパシタ
ＤＬ０１ ダイオード手段
ＴＲ１６ スタンバイトランジスタ
ＲＬ０２ 抵抗器
ＴＲ１７ 接地用トランジスタ
Ｐ_１ 電位
Ｐ_２ 電位
ＲＬ０５ 抵抗器
ＲＬ０６ 抵抗器

Claims (10)

1. ドライバ変圧器、及び電子ビームの水平偏向を制御するための出力トランジスタ（ＴＬ０２）を有し、上記出力トランジスタ（ＴＬ０２）は、高電圧（ＥＨＴ）、上記出力トランジスタ（ＴＬ０２）を制御するためのそのベースがＨパルスに接続されている制御トランジスタ（ＴＬ０１）、及びスタンバイ回路（ＴＲ１６，ＲＬ０２，ＴＲ１７，ＣＬ０３，ＲＬ０６，ＲＬ０５）に接続されている迷放射低減回路において、上記Ｈパルスは、回路が通常動作からスタンバイ動作又はオフモードに切り換わる時に微分されることを特徴とする、迷放射低減回路。
2. 請求項１に記載の迷放射低減回路において、上記微分は、上記Ｈパルス，及び上記制御トランジスタ（ＴＬ０１）のベースに接続される、第１のキャパシタ（ＣＬ０１）によって行われることを特徴とする迷放射低減回路。
3. 請求項２に記載の迷放射低減回路において、上記迷放射低減回路はさらに、上記第１のキャパシタ（ＣＬ０１）に対し並列に配列される、ダイオード手段（ＤＬ０１）及び第２のキャパシタ手段（ＣＬ０２）を含むことを特徴とする迷放射低減回路。
4. 請求項３に記載の迷放射低減回路において、上記第１のキャパシタ（ＣＬ０１）は、上記第２のキャパシタ（ＣＬ０２）よりも容量値が小さいことを特徴とする迷放射低減回路。
5. 請求項３又は４に記載の迷放射低減回路において、上記ダイオード（ＤＬ０１）は、トランジスタ（ＴＲ１６）及び抵抗器（ＲＬ０２）からなる上記スタンバイ回路によって、バイアスをかけられることを特徴とする迷放射低減回路。
6. 請求項１ないし５のいずれか１つに記載の迷放射低減回路において、上記Ｈラインは、スイッチ（ＴＲ１７）で接地することができることを特徴とする迷放射低減回路。
7. 請求項６に記載の迷放射低減回路において、上記スイッチはトランジスタ（ＴＲ１７）で実現され、Ｈラインを接地することを特徴とする迷放射低減回路。
8. 上記請求項１ないし７のいずれか１つに記載の迷放射低減回路において、上記ダイオード（ＤＬ０１）は、上記スタンバイトランジスタ（ＴＲ１６）が開いている時に、電位Ｐ_１ でバイアスをかけられることを特徴とする迷放射低減回路。
9. 請求項７に記載の迷放射低減回路において、上記接地用トランジスタ（ＴＲ１７）のベースは、抵抗器（ＲＬ０５，ＲＬ０６）を通って上記電位Ｐ_１ に接続されることを特徴とする迷放射低減回路。
10. 請求項９に記載の迷放射低減回路において、上記電位Ｐ_１ は約２２Ｖであり、上記制御トランジスタ（ＴＬ０１）のベースは、約２４Ｖである電位Ｐ_２ でバイアスをかけられることを特徴とする迷放射低減回路。

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