JP3619752B2 - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に外部端子としてボール電極が設けられる半導体装置における未接合のボール電極のスクリーニングに適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
以下に説明する技術は、本発明を研究、完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
半導体集積回路が形成された半導体チップを有する半導体装置において、外部端子として半田などからなるボール電極（半田ボール）が設けられ、かつ半導体チップを支持するチップ支持基板（例えば、テープ基板など）を備えたものの一例として、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれるチップサイズもしくは半導体チップより僅かに大きい程度の小形の半導体パッケージが知られている。
【０００４】
前記ＣＳＰの主な組み立て工程は、半導体チップ（ペレット）をテープ基板にマウントするぺ付け工程、半導体チップの表面電極とテープ基板の接続端子とを接続するワイヤボンディング工程、半導体チップを樹脂封止するモールド工程、外部端子である半田ボールをテープ基板の所定箇所に整列させて配置するボール付け工程、半田ボールをテープ基板のバンプランドに接続するリフロー工程、多数個取り基板を個片に切断するテープカット工程などである。
【０００５】
なお、外部端子として半田ボールが設けられた種々のＣＳＰについては、例えば、株式会社プレスジャーナル１９９８年７月２７日発行、「月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ １９９８年増刊号、’９９半導体組立・検査技術」、２５〜５２頁に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記した技術のＣＳＰの組み立てにおいては、リフロー工程で半田ボールをテープ基板のバンプランドに接続する際に、バンプランドと半田ボールとの間に異物が入り込んでいると、半田とバンプランドとの合金層形成が阻害され、その結果、このような半田ボールは、バンプランドに未接合状態となる。
【０００７】
これにより、未接合状態で後工程に流れると、後工程の途中で半田ボールが欠落して、その結果、半田ボール未接合による不良が後工程で発見されることが問題となる。
【０００８】
つまり、半田ボール未接合による不良品が後工程に流出すると、後工程での作業効率が低下することが問題となる。
【０００９】
さらに、半田ボール未接合による不良品が客先に流出する場合があり、その結果、製品の信頼性が低下することが問題となる。
【００１０】
本発明の目的は、ボール電極未接合による不良品の後工程への流出防止と製品の信頼性向上を図る半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１３】
すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップを有した半導体装置本体に複数のボール電極を設ける工程と、前記ボール電極のうち前記半導体装置本体に接合していない未接合のボール電極を移動させることが可能な移動力を付与する移動力付与手段を用い、前記移動力付与手段によって前記ボール電極に前記移動力を付与して前記未接合のボール電極を除去する工程とを有し、前記移動力付与手段によって前記未接合のボール電極をスクリーニングするものである。
【００１４】
本発明によれば、ボール電極未接合による不良品を自工程で収束させることができ、その結果、ボール電極未接合による不良品の後工程への流出を防止することができる。
【００１５】
また、ボール電極未接合による不良品の後工程への流出を防止できるため、ボール電極が後工程の途中で欠落することが無くなり、その結果、ボール電極未接合による不良品の客先への流出を防止できる。したがって、製品の信頼性を向上できる。
【００１６】
さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップを有した半導体装置本体のチップ支持基板に複数の半田ボールを配置する工程と、リフローによって前記半導体装置本体の前記チップ支持基板に複数の前記半田ボールを設ける工程と、前記半田ボールのうち前記チップ支持基板に接合していない未接合の半田ボールを移動させることが可能な移動力を付与するとともに半田より柔らかい材料からなる移動力付与手段である導電性の弾性シート部材を用い、前記リフロー後、前記弾性シート部材をそれぞれの前記半田ボールに接触させて前記移動力を付与して前記未接合の半田ボールを除去する工程とを有し、前記リフロー後、前記弾性シート部材によって前記未接合の半田ボールを除去するスクリーニング工程を有するものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１８】
図１は本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法の一例を示す製造プロセスフロー図と各工程に対応する断面図、図２は図１に示す半導体装置の製造方法によって組み立てられる半導体装置の一例であるＣＳＰの構造を示す断面図、図３は図１に示す半導体装置の製造方法におけるスクリーニング工程でのスクリーニング方法の一例を示す図であり、（ａ）はスクリーニング時の全体斜視図、（ｂ），（ｃ），（ｄ）は（ａ）のＡ部の状態を拡大して示す側面図、図４は図３に示す弾性シート部材の構造の一例を示す斜視図、図５は図４に示す弾性シート部材を用いたスクリーニング状態の一例を示す側面図である。
【００１９】
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、外部端子としてボール電極である半田ボール３が設けられる構造の半導体装置の組み立てに関するものであり、半導体装置本体のチップ支持基板にリフローによって接合させようとした半田ボール３のうち、チップ支持基板のバンプランド２ｇと半田ボール３との間に異物などが介在して未接合となった半田ボール３（以降、この半田ボール３を未接合半田ボール３ｂと呼ぶ）を、リフロー後のスクリーニング工程（図１に示すステップＳ８）で除去するものであり、本実施の形態の半導体装置は、前記スクリーニング工程における半田ボール３のスクリーニングが行われて組み立てられたものである。
【００２０】
なお、本実施の形態では、半田ボール３が設けられる半導体装置の一例として、図２に示すように、チップサイズもしくは半導体チップ１より僅かに大きい程度の小形の半導体パッケージであるＣＳＰ７を取り上げて説明する。
【００２１】
まず、図２に示すＣＳＰ７の構造について説明すると、主面１ｂに半導体集積回路が形成された半導体チップ１を支持するチップ支持基板であるテープ基板２と、半導体チップ１の表面電極であるパッド１ａとこれに対応するテープ基板２の接続端子２ｃとを接続するボンディング用のワイヤ４と、テープ基板２のチップ支持面２ａと反対側の面（以降、この面を裏面２ｂという）に外部端子としてエリアアレイ配置で設けられた複数の半田ボール３と、テープ基板２と半導体チップ１との間に配置されたダイボンド材５と、半導体チップ１およびワイヤ４を樹脂封止して形成された封止部６とからなる。
【００２２】
なお、テープ基板２には、例えば、ポリイミドなどからなるテープ基材２ｆ上に銅箔材などによって形成されたバンプランド２ｇや配線リード２ｅおよび接続端子２ｃが設けられており、そのうち接続端子２ｃはワイヤ４との接続用に露出し、バンプランド２ｇや配線リード２ｅは絶縁膜であるレジスト膜２ｄによって覆われている。
【００２３】
また、半導体チップ１をテープ基板２に固定しているダイボンド材５は、例えば、絶縁性の接着層であるが、導電性のペースト材などを用いてもよい。
【００２４】
さらに、半導体チップ１の表面電極であるパッド１ａは、ワイヤ４を介してテープ基板２のチップ支持面２ａに形成された接続端子２ｃと接続され、さらに、テープ基板２において、この接続端子２ｃと、外部端子である半田ボール３が搭載されたバンプランド２ｇとが配線リード２ｅによって接続されている。
【００２５】
また、半導体チップ１は、例えば、シリコンによって形成されるとともに、ダイボンド材５によってテープ基板２のチップ支持面２ａに固定されている。
【００２６】
なお、封止部６を形成するモールド樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂などである。
【００２７】
また、ワイヤ４は、例えば、金線などである。
【００２８】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法を、図１に示す製造プロセスフロー図にしたがって説明する。
【００２９】
なお、本実施の形態では、複数のテープ基板２が繋がって形成された図３に示す多連のテープ状の多数個取り基板８を用いて個々のＣＳＰ７を製造する場合を説明する。
【００３０】
まず、主面１ｂに所望の半導体集積回路が形成された半導体チップ１を準備し、さらに、半導体チップ１を支持可能なチップ支持面２ａを個々に備えた複数のテープ基板２が形成された多連のテープ状の多数個取り基板８を準備する。
【００３１】
続いて、テープ基板２のチップ支持面２ａのほぼ中央部にダイボンド材５を塗布してチップ固定用の接着層を形成し、その後、図１のステップＳ１に示すぺ付け（ダイボンディングあるいはチップマウントともいう）を行う。
【００３２】
ここでは、ダイボンド材５上に半導体チップ１を載置し、加熱などを行って、ダイボンド材５と半導体チップ１の裏面１ｃとを接合する。
【００３３】
その後、半導体チップ１のパッド１ａと、これに対応するテープ基板２に形成された接続端子２ｃとをボンディング用のワイヤ４を用いたワイヤボンディングによって接続する（ステップＳ２）。
【００３４】
さらに、ワイヤボンディング後、ステップＳ３に示すモールドによる樹脂封止を行って封止部６を形成する。
【００３５】
なお、モールドの際には、例えば、エポキシ系の熱硬化性のモールド樹脂などを用い、トランスファモールドによって樹脂封止を行う。
【００３６】
さらに、モールド後、封止部６の表面に製品番号などのマーク１２を付す（ステップＳ４）。
【００３７】
その後、半導体チップ１を有したＣＳＰ本体（半導体装置本体）７ａのテープ基板２に複数の半田ボール３を配置する。
【００３８】
ここでは、多数個取り基板８のテープ基板２の裏面２ｂを上方に向け、そこに、半田ボール３を供給して、ステップＳ５に示すボール付けを行う。
【００３９】
その際、所定位置にマトリクス状に複数の貫通孔が形成されたマスク部材などを用いて複数の半田ボール３をテープ基板２の裏面２ｂ上の所定箇所に整列させて配置する。
【００４０】
なお、各半田ボール３には、フラックスを塗布し、このフラックスによって半田ボール３を仮固定する（転写する）。ここで、フラックスは、半田の酸化皮膜を除去するとともに、再酸化を防止して表面の清浄度を保つものである。
【００４１】
続いて、ＣＳＰ本体７ａのテープ基板２に複数の半田ボール３を設けるステップＳ６に示すリフローを行う。
【００４２】
ここでは、それぞれの半田ボール３がフラックスによって仮固定された多連のテープ状の多数個取り基板８を図示しないリフロー炉などに通し、これによって、半田を溶融して半田ボール３とバンプランド２ｇとを接続する。
【００４３】
続いて、テープ基板２の裏面２ｂに設けられた各半田ボール３を洗浄し、これによって、半田ボール３の表面に付いたフラックスを取り除く（ステップＳ７）。
【００４４】
その後、本実施の形態の半導体装置の製造方法では、ボール電極である半田ボール３のスクリーニングを行う（ステップＳ８）。
【００４５】
すなわち、ステップＳ６のリフロー工程とステップＳ７のフラックス洗浄工程とを終えた多数個取り基板８上のＣＳＰ本体７ａに設けられた半田ボール３のうち、テープ基板２のバンプランド２ｇに接合していない未接合半田ボール３ｂ（未接合のボール電極）をスクリーニングによって取り除くものである。
【００４６】
未接合半田ボール３ｂは、例えば、リフローによる半田接続を行う際に、テープ基板２のバンプランド２ｇと半田ボール３との間に異物などが入り込んでいると、半田とバンプランド２ｇとの合金層形成が阻害され、その結果、正常に接合されずに未接合状態（この状態は、見かけ上ではバンプランド２ｇ上に配置されているが、極小さな荷重によって動く程度に配置された状態のこと）となってしまった半田ボール３のことである。
【００４７】
ステップＳ８に示すスクリーニング工程において、本実施の形態では、まず、未接合半田ボール３ｂを移動させることが可能な移動力を付与するとともに、半田より柔らかい材料からなる移動力付与手段である導電性の弾性シート部材９を準備する。
【００４８】
この弾性シート部材９は、例えば、ゴムシートなどであり、その厚さは、２〜３ｍｍ程度のものである。
【００４９】
また、弾性シート部材９は、半田より柔らかい材質の部材によって形成されていることが望ましく、これにより、図５に示すような良品半田ボール（良品のボール電極）３ａに与える外傷を低減できる。
【００５０】
さらに、弾性シート部材９は、導電性の部材によって形成されていることが望ましく、これにより、半田ボール３における帯電を防止できる。
【００５１】
また、弾性シート部材９には、その先端に、図４に示すような複数のスリット９ｂが形成されていることが望ましく、これにより、未接合半田ボール３ｂと良品半田ボール３ａとにほぼ均等に荷重（移動力）を付与できる。
【００５２】
スクリーニングにおいては、図３（ａ）に示すように、弾性シート部材９を多数個取り基板８に対してほぼ平行に移動（スライド）させ、これによって、テープ基板２の裏面２ｂに設けられた全ての半田ボール３に弾性シート部材９を接触（干渉）させて横からの剪断力（移動力）を与えることができるように、スクレーパ方式を用いることが望ましい。
【００５３】
その際、図３（ｂ）に示すように、まず、弾性シート部材９を半田ボール３の横に配置し、続いて、図３（ｃ）に示すように、弾性シート部材９をスライドさせることにより、弾性シート部材９が半田ボール３に接触して撓み９ａが形成され、これにより、半田ボール３に移動力を付与する。
【００５４】
移動力が付与された半田ボール３が、図３（ｄ）に示すように、未接合半田ボール３ｂであれば、弾性シート部材９の撓み９ａの作用によってテープ基板２上で移動し、この移動により、未接合半田ボール３ｂを除去できる（欠落させることができる）。
【００５５】
また、移動力が付与された半田ボール３が、リフローによってテープ基板２のバンプランド２ｇに適切に取り付けられた（接合した）図５に示すような良品半田ボール３ａ（良品のボール電極）であれば、半田接合による接続強度が高いため、図３（ｃ）に示す弾性シート部材９の撓み９ａが作用してもテープ基板２上で移動することはなく、したがって、除去されることはない。
【００５６】
これにより、図１のステップＳ８に示すスクリーニング工程において、未接合半田ボール３ｂのみを除去することができる。
【００５７】
なお、図３（ａ）に示すようなスクレーパ方式による弾性シート部材９の移動については、作業者が、案内治具などを用いて手動で行ってもよく、あるいは、スクレーパ方式の機構を備えたボール電極スクリーニング用の専用装置などを用いて自動で行ってもよい。
【００５８】
スクリーニング工程後、多連のテープ状の多数個取り基板８においてそれぞれのＣＳＰ領域を切断して個々のＣＳＰ７に切断分離するテープカット（ステップＳ９）を行う。
【００５９】
すなわち、切断・個片化を行って、図２に示すようなＣＳＰ７を製造することができる。
【００６０】
本実施の形態の半導体装置（ＣＳＰ７）の製造方法によれば、以下のような作用効果が得られる。
【００６１】
すなわち、弾性シート部材９（移動力付与手段）によって半田ボール３に移動力を付与して未接合半田ボール３ｂ（未接合のボール電極）を除去することにより、半田ボール未接合による不良品を自工程（スクリーニングを含む半田ボール取り付け工程）で収束させることができ、その結果、半田ボール未接合による不良品の後工程への流出を防止することができる。
【００６２】
さらに、半田ボール未接合による不良品の後工程への流出を防止できるため、半田ボール３が後工程の途中で欠落することが無くなり、その結果、半田ボール未接合による不良品の客先への流出を防止できる。したがって、製品（ＣＳＰ７）の信頼性を向上できる。
【００６３】
また、半田ボール未接合による不良品の後工程への流出を防止できるため、前記同様、半田ボール３が後工程の途中で欠落することが無くなり、その結果、後工程での半田ボール欠落による作業効率の低下を阻止することができる。
【００６４】
したがって、ＣＳＰ７（半導体装置）の製造工程の作業効率の向上を図ることができる。
【００６５】
また、弾性シート部材９を導電性の部材とすることにより、半田ボール３における帯電を防止することができ、これによって、ＣＳＰ７（製品）の静電破壊の発生を防ぐことができる。
【００６６】
さらに、移動力付与手段を半田より柔らかい弾性シート部材９とすることにより、半田ボール３に外傷が形成されるのを防ぐことができる。これにより、ＣＳＰ７の品質低下を防ぐことができる。
【００６７】
また、本実施の形態のように、移動力付与手段が弾性シート部材９である際に、この弾性シート部材９の先端に複数のスリット９ｂを形成することにより、未接合半田ボール３ｂ（未接合のボール電極）と良品半田ボール３ａ（良品のボール電極）とに均等に荷重を加えることができる。
【００６８】
その結果、未接合半田ボール３ｂを確実に除去することができ、これにより、スクリーニング精度を高めることができる。
【００６９】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００７０】
例えば、前記実施の形態では、移動力付与手段として弾性シート部材９を用いた場合を説明したが、前記移動力付与手段は、図６、図７および図８に示す変形例のものなどであってもよい。
【００７１】
まず、図６に示す変形例の移動力付与手段は、回転自在なローラ１０であり、図６（ａ），（ｂ）に示すように、ローラ１０を回転させて半田ボール３に接触させて移動力を半田ボール３に付与してスクリーニングを行うものである。
【００７２】
なお、ローラ１０は、半田より柔らかく、かつ導電性の部材によって形成されていることが望ましい。
【００７３】
図６に示すように、前記移動力付与手段としてローラ１０を用いることにより、ローラ１０は半田ボール３との接触箇所が周囲全面に亘るため、弾性シート部材９と比較して移動力付与手段としての長寿命化を図ることができる。
【００７４】
さらに、ローラ１０の場合には、半田ボール３に対して移動力を横からだけでなく、ローラ１０の潰れ１０ａによって斜め上方から付与できるため、半田ボール３との接触箇所が摩耗しても半田ボール３への押し付け力を低下させることなくスクリーニングを行うことができる。
【００７５】
これにより、スクリーニング精度の低下を防止できる。
【００７６】
また、図７に示す変形例の移動力付与手段は、半田ボール３に非接触方式で移動力を付与するボール吸引手段１１の場合であり、テープ基板２の裏面２ｂと対向する箇所に配置したボール吸引手段１１によって吸引力による移動力を半田ボール３に付与して、未接合半田ボール３ｂのみを吸引離脱させてスクリーニングするものである。
【００７７】
さらに、図８に示す変形例の移動力付与手段は、ボール吸引手段１１と同様に、半田ボール３に非接触方式で移動力を付与する半導体装置本体（ＣＳＰ本体７ａ）の表裏反転手段であり、スクリーニング時に、ＣＳＰ本体７ａの表裏を反転させてＣＳＰ本体７ａにおけるテープ基板２の裏面２ｂを下方に向けることにより、引力による移動力を半田ボール３に付与して未接合半田ボール３ｂのみを自然落下させてスクリーニングするものである。
【００７８】
なお、前記移動力付与手段として、図７に示すボール吸引手段１１または図８に示す半導体装置本体の表裏反転手段を用いることにより、非接触方式でスクリーニングを行うことが可能になり、したがって、良品半田ボール３ａ（良品のボール電極）に対してのスクリーニングの影響を最小限に留めることができる。
【００７９】
すなわち、スクリーニングによる良品半田ボール３ａの変形を防ぐことができる。
【００８０】
また、前記実施の形態では、スクレーパ方式の移動力付与手段として弾性シート部材９を用いた場合を説明したが、スクレーパ方式の他の移動力付与手段として、導電性を有した比較的柔らかい材料によって形成された部材であれば、刷毛やブラシなどの形状の部材であってもよい。
【００８１】
また、前記実施の形態では、ボール電極が半田ボール３の場合について説明したが、前記ボール電極は、例えば、金や銅などのボール電極であってもよい。
【００８２】
なお、前記実施の形態では、半導体装置（ＣＳＰ７）に用いられるチップ支持基板がポリイミドテープなどからなる薄膜のテープ基板２の場合を説明したが、前記チップ支持基板は、ガラス入りエポキシ樹脂などによって形成された基板であってもよい。
【００８３】
また、前記実施の形態では、複数のテープ基板２を有した多連のテープ状の多数個取り基板８から個々の半導体装置（ＣＳＰ７）を製造する場合について説明したが、前記多連のテープ状の多数個取り基板８は必ずしも使用しなくてもよく、予めＣＳＰ７の１個分に切断分離されたテープ基板２を準備して、このテープ基板２を用い、かつボール電極のスクリーニングを行ってＣＳＰ７を製造してもよい。
【００８４】
さらに、前記実施の形態では、半導体装置がＣＳＰ７の場合について説明したが、前記半導体装置は、外部端子としてボール電極を有した半導体装置であれば、ＣＳＰ７以外のＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）や、半導体ウェハ状態で再配線を形成してボール電極が設けられた後にダイシングされて製造されたウェハレベルパッケージなどの半導体装置であってもよい。
【００８５】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００８６】
（１）．移動力付与手段によってボール電極に移動力を付与して未接合のボール電極を除去することにより、ボール電極未接合による不良品を自工程で収束させることができ、その結果、ボール電極未接合による不良品の後工程への流出を防止することができる。
【００８７】
（２）．前記（１）により、ボール電極が後工程の途中で欠落することが無くなり、その結果、ボール電極未接合による不良品の客先への流出を防止でき、したがって、製品の信頼性を向上できる。
【００８８】
（３）．前記（１）により、ボール電極が後工程の途中で欠落することが無くなり、その結果、後工程でのボール電極欠落による作業効率の低下を阻止することができる。したがって、半導体装置の製造工程の作業効率の向上を図ることができる。
【００８９】
（４）．移動力付与手段を半田より柔らかい弾性シート部材とすることにより、ボール電極である半田ボールに外傷が形成されるのを防ぐことができる。これにより、製品の品質低下を防ぐことができる。
【００９０】
（５）．移動力付与手段が弾性シート部材である際に、この弾性シート部材に複数のスリットを形成することにより、未接合のボール電極と良品のボール電極とに均等に荷重を加えることができ、その結果、スクリーニング精度を高めることができる。
【００９１】
（６）．移動力付与手段としてボール吸引手段を用いたり、もしくは、半導体装置本体の表裏反転手段を行うことにより、非接触方式でスクリーニングを行うことが可能になり、したがって、スクリーニングによる良品のボール電極の変形を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法の一例を示す製造プロセスフロー図と各工程に対応する断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法によって組み立てられる半導体装置の一例であるＣＳＰの構造を示す断面図である。
【図３】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は図１に示す半導体装置の製造方法におけるスクリーニング工程でのスクリーニング方法の一例を示す図であり、（ａ）はスクリーニング時の全体斜視図、（ｂ），（ｃ），（ｄ）は（ａ）のＡ部の状態を拡大して示す側面図である。
【図４】図３に示す弾性シート部材の構造の一例を示す斜視図である。
【図５】図４に示す弾性シート部材を用いたスクリーニング状態の一例を示す側面図である。
【図６】（ａ），（ｂ） は図３に示す移動力付与手段（弾性シート部材）に対する変形例であるローラを用いた際のスクリーニング状態を示す側面図である。
【図７】図３に示す移動力付与手段（弾性シート部材）に対する変形例であるボール吸引手段を用いた際のスクリーニング状態を示す側面図である。
【図８】図３に示す移動力付与手段（弾性シート部材）に対する変形例である半導体装置本体の表裏反転手段を用いた際のスクリーニング状態を示す側面図である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ
１ａ パッド
１ｂ 主面
１ｃ 裏面
２ テープ基板（チップ支持基板）
２ａ チップ支持面
２ｂ 裏面
２ｃ 接続端子
２ｄ レジスト膜
２ｅ 配線リード
２ｆ テープ基材
２ｇ バンプランド
３ 半田ボール（ボール電極）
３ａ 良品半田ボール（良品のボール電極）
３ｂ 未接合半田ボール（未接合のボール電極）
４ ワイヤ
５ ダイボンド材
６ 封止部
７ ＣＳＰ（半導体装置）
７ａ ＣＳＰ本体（半導体装置本体）
８ 多数個取り基板
９ 弾性シート部材（移動力付与手段）
９ａ 撓み
９ｂ スリット
１０ ローラ（移動力付与手段）
１０ａ 潰れ
１１ ボール吸引手段（移動力付与手段）
１２ マーク[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a manufacturing technique of a semiconductor device, and more particularly to a technique effective when applied to screening of unbonded ball electrodes in a semiconductor device provided with ball electrodes as external terminals.
[0002]
[Prior art]
The technology described below has been studied by the present inventors in researching and completing the present invention, and the outline thereof is as follows.
[0003]
A semiconductor device having a semiconductor chip on which a semiconductor integrated circuit is formed includes a ball electrode (solder ball) made of solder or the like as an external terminal, and a chip support substrate (for example, a tape substrate) that supports the semiconductor chip. As an example, a chip size called a CSP (Chip Size Package) or a small semiconductor package that is slightly larger than a semiconductor chip is known.
[0004]
The main assembly process of the CSP includes a mounting process of mounting a semiconductor chip (pellet) on a tape substrate, a wire bonding process of connecting a surface electrode of the semiconductor chip and a connection terminal of the tape substrate, and resin-sealing the semiconductor chip. A molding process, a ball attaching process in which solder balls as external terminals are arranged and arranged at predetermined locations on a tape substrate, a reflow process in which solder balls are connected to bump lands of the tape substrate, and a tape for cutting a multi-piece substrate into individual pieces Such as a cutting process.
[0005]
Various CSPs provided with solder balls as external terminals are disclosed in, for example, Press Journal, Inc. on July 27, 1998, “Monthly Semiconductor World 1998 Special Issue, '99 Semiconductor Assembly / Inspection Technology”, 25 -52 pages.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the assembly of the CSP of the technique described above, when a solder ball is connected to the bump land of the tape substrate in the reflow process, if foreign matter enters between the bump land and the solder ball, As a result, such a solder ball is not bonded to the bump land.
[0007]
As a result, when a non-bonded state flows to the post-process, the solder ball is lost during the post-process, and as a result, a defect due to the solder ball non-bonding being found in the post-process becomes a problem.
[0008]
That is, if a defective product due to solder ball non-joining flows out to the post-process, there is a problem that work efficiency in the post-process decreases.
[0009]
Furthermore, a defective product due to solder ball non-joining may flow out to the customer, resulting in a problem that the reliability of the product is lowered.
[0010]
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents outflow of defective products due to unbonded ball electrodes to the subsequent process and improves product reliability.
[0011]
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
Of the inventions disclosed in this application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
[0013]
That is, the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention includes a step of providing a plurality of ball electrodes on a semiconductor device body having a semiconductor chip, and an unjoined ball electrode that is not joined to the semiconductor device body among the ball electrodes. Using a moving force applying unit that applies a moving force that can be moved, and removing the unbonded ball electrode by applying the moving force to the ball electrode by the moving force applying unit, The unbonded ball electrode is screened by the moving force applying means.
[0014]
According to the present invention, defective products due to unbonded ball electrodes can be converged in the own process, and as a result, outflow of defective products due to unbonded ball electrodes to the subsequent process can be prevented.
[0015]
In addition, since it is possible to prevent the defective product from flowing out to the post-process due to the unbonded ball electrode, the ball electrode is not lost during the post-process. Can be prevented. Therefore, the reliability of the product can be improved.
[0016]
Furthermore, the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of arranging a plurality of solder balls on a chip support substrate of a semiconductor device body having a semiconductor chip, and a plurality of the chip support substrates of the semiconductor device body by reflow. A step of providing a solder ball; and a moving force applying means for applying a moving force capable of moving an unbonded solder ball not bonded to the chip support substrate among the solder balls and made of a material softer than solder. Using a conductive elastic sheet member, and after the reflow, the elastic sheet member is brought into contact with each solder ball to apply the moving force and remove the unbonded solder ball, After the reflow, a screening step of removing the unbonded solder balls by the elastic sheet member is provided.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiments, and the repetitive description thereof will be omitted.
[0018]
FIG. 1 is a manufacturing process flow chart showing an example of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and cross-sectional views corresponding to the respective steps. FIG. 2 is a diagram of a semiconductor device assembled by the method for manufacturing a semiconductor device shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a structure of a CSP as an example, FIG. 3 is a view showing an example of a screening method in a screening step in the method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1, (a) is an overall perspective view during screening, b), (c), and (d) are side views showing an enlarged state of the A portion of (a), FIG. 4 is a perspective view showing an example of the structure of the elastic sheet member shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a side view showing an example of a screening state using the elastic sheet member shown in FIG.
[0019]
The method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment relates to the assembly of a semiconductor device having a structure in which solder balls 3 that are ball electrodes are provided as external terminals, and is intended to be joined to the chip support substrate of the semiconductor device body by reflow. Among the solder balls 3, the solder balls 3 that have become unbonded due to the presence of foreign matter between the bump lands 2 g of the chip support substrate and the solder balls 3 (hereinafter, the solder balls 3 are referred to as unbonded solder balls 3 b. Are removed in the screening process after reflow (step S8 shown in FIG. 1), and the semiconductor device of the present embodiment is assembled by screening the solder balls 3 in the screening process. It is.
[0020]
In the present embodiment, as an example of the semiconductor device provided with the solder balls 3, a CSP 7 which is a small semiconductor package having a chip size or slightly larger than the semiconductor chip 1 will be described as shown in FIG. To do.
[0021]
First, the structure of the CSP 7 shown in FIG. 2 will be described. A tape substrate 2 that is a chip support substrate that supports a semiconductor chip 1 having a semiconductor integrated circuit formed on the main surface 1b, and a pad 1a that is a surface electrode of the semiconductor chip 1. And a bonding wire 4 that connects the corresponding connecting terminal 2c of the tape substrate 2 and a surface opposite to the chip support surface 2a of the tape substrate 2 (hereinafter, this surface is referred to as a back surface 2b) as external terminals. Sealing formed by resin-sealing a plurality of solder balls 3 provided in an area array arrangement, a die bond material 5 disposed between the tape substrate 2 and the semiconductor chip 1, and the semiconductor chip 1 and the wire 4 Part 6.
[0022]
The tape substrate 2 is provided with bump lands 2g, wiring leads 2e, and connection terminals 2c formed of a copper foil material or the like on a tape base material 2f made of polyimide or the like, for example. The bump land 2g and the wiring lead 2e are exposed for connection with the wire 4, and are covered with a resist film 2d which is an insulating film.
[0023]
The die bonding material 5 that fixes the semiconductor chip 1 to the tape substrate 2 is, for example, an insulating adhesive layer, but a conductive paste material or the like may be used.
[0024]
Furthermore, the pad 1a which is the surface electrode of the semiconductor chip 1 is connected to a connection terminal 2c formed on the chip support surface 2a of the tape substrate 2 via the wire 4, and further, the connection terminal 2c and The bump land 2g on which the solder ball 3 as an external terminal is mounted is connected by the wiring lead 2e.
[0025]
The semiconductor chip 1 is formed of, for example, silicon and is fixed to the chip support surface 2 a of the tape substrate 2 by a die bond material 5.
[0026]
The mold resin that forms the sealing portion 6 is, for example, a thermosetting epoxy resin.
[0027]
Moreover, the wire 4 is a gold wire etc., for example.
[0028]
Next, a method for manufacturing the semiconductor device of the present embodiment will be described with reference to a manufacturing process flow chart shown in FIG.
[0029]
In the present embodiment, a case will be described in which individual CSPs 7 are manufactured using the multiple tape-like multi-piece substrate 8 shown in FIG. 3 formed by connecting a plurality of tape substrates 2.
[0030]
First, a semiconductor chip 1 having a desired semiconductor integrated circuit formed on the main surface 1b is prepared, and a plurality of tape substrates 2 each having a chip support surface 2a capable of supporting the semiconductor chip 1 are formed. A series of tape-shaped multi-piece substrate 8 is prepared.
[0031]
Subsequently, a die-bonding material 5 is applied to substantially the center of the chip support surface 2a of the tape substrate 2 to form an adhesive layer for fixing the chip. Thereafter, the attachment (die bonding or chip mount) shown in step S1 of FIG. (Also called).
[0032]
Here, the semiconductor chip 1 is mounted on the die bond material 5, and heating is performed to bond the die bond material 5 and the back surface 1 c of the semiconductor chip 1.
[0033]
Thereafter, the pads 1a of the semiconductor chip 1 and the corresponding connection terminals 2c formed on the tape substrate 2 are connected by wire bonding using the bonding wires 4 (step S2).
[0034]
Further, after wire bonding, resin sealing with a mold shown in step S3 is performed to form the sealing portion 6.
[0035]
In the case of molding, for example, an epoxy thermosetting mold resin or the like is used, and resin sealing is performed by transfer molding.
[0036]
Further, after the molding, a mark 12 such as a product number is attached to the surface of the sealing portion 6 (step S4).
[0037]
Thereafter, a plurality of solder balls 3 are arranged on the tape substrate 2 of the CSP main body (semiconductor device main body) 7 a having the semiconductor chip 1.
[0038]
Here, the back surface 2b of the tape substrate 2 of the multi-piece substrate 8 is directed upward, the solder balls 3 are supplied thereto, and ball attachment shown in step S5 is performed.
[0039]
At that time, a plurality of solder balls 3 are arranged at predetermined positions on the back surface 2b of the tape substrate 2 using a mask member or the like in which a plurality of through holes are formed in a matrix at predetermined positions.
[0040]
A flux is applied to each solder ball 3, and the solder ball 3 is temporarily fixed (transferred) by this flux. Here, the flux removes the oxide film of the solder and prevents reoxidation to keep the surface clean.
[0041]
Subsequently, the reflow shown in step S6 in which a plurality of solder balls 3 are provided on the tape substrate 2 of the CSP main body 7a is performed.
[0042]
Here, a plurality of tape-shaped multi-chip substrate 8 in which each solder ball 3 is temporarily fixed by a flux is passed through a reflow furnace or the like (not shown), whereby the solder is melted and solder balls 3 and bump lands 2g. And connect.
[0043]
Subsequently, each solder ball 3 provided on the back surface 2b of the tape substrate 2 is washed, thereby removing the flux attached to the surface of the solder ball 3 (step S7).
[0044]
Thereafter, in the method of manufacturing the semiconductor device of the present embodiment, screening of the solder balls 3 that are ball electrodes is performed (step S8).
[0045]
That is, of the solder balls 3 provided on the CSP main body 7a on the multi-chip substrate 8 after the reflow process in step S6 and the flux cleaning process in step S7, it is not joined to the bump land 2g of the tape substrate 2. Unbonded solder balls 3b (unbonded ball electrodes) are removed by screening.
[0046]
The unbonded solder ball 3b is, for example, an alloy layer of solder and bump land 2g when foreign matters enter between the bump land 2g of the tape substrate 2 and the solder ball 3 when performing solder connection by reflow. Formation is hindered, and as a result, it is not properly bonded and is not bonded (this state is apparently disposed on the bump land 2g, but is disposed so as to move by a very small load) It is the solder ball 3 that has become.
[0047]
In the screening step shown in step S8, in the present embodiment, first, a conductive force that is a moving force applying means made of a material softer than the solder is applied in addition to applying a moving force capable of moving the unbonded solder ball 3b. An elastic sheet member 9 is prepared.
[0048]
The elastic sheet member 9 is, for example, a rubber sheet or the like, and has a thickness of about 2 to 3 mm.
[0049]
Further, the elastic sheet member 9 is preferably formed of a material softer than the solder, so that the damage to the non-defective solder ball (non-defective ball electrode) 3a as shown in FIG. 5 can be reduced.
[0050]
Furthermore, it is desirable that the elastic sheet member 9 is formed of a conductive member, which can prevent the solder ball 3 from being charged.
[0051]
Further, it is desirable that the elastic sheet member 9 has a plurality of slits 9b as shown in FIG. 4 formed at the tip thereof, so that the unbonded solder balls 3b and the non-defective solder balls 3a are substantially evenly distributed. A load (moving force) can be applied.
[0052]
In the screening, as shown in FIG. 3A, the elastic sheet member 9 is moved (slid) substantially in parallel with the multi-piece substrate 8, whereby all of the elastic sheet members 9 provided on the back surface 2 b of the tape substrate 2. It is desirable to use a scraper method so that the elastic sheet member 9 can be brought into contact (interference) with the solder ball 3 to give a shearing force (moving force) from the side.
[0053]
At that time, as shown in FIG. 3B, first, the elastic sheet member 9 is arranged beside the solder ball 3, and then the elastic sheet member 9 is slid as shown in FIG. 3C. As a result, the elastic sheet member 9 comes into contact with the solder ball 3 to form a bend 9a, thereby applying a moving force to the solder ball 3.
[0054]
If the solder ball 3 to which the moving force is applied is an unjoined solder ball 3b as shown in FIG. 3 (d), it moves on the tape substrate 2 by the action of the bending 9a of the elastic sheet member 9, and this movement Thus, the unbonded solder ball 3b can be removed (can be omitted).
[0055]
Further, the solder ball 3 to which the moving force is applied is a non-defective solder ball 3a (non-defective ball electrode) as shown in FIG. 5 which is appropriately attached (bonded) to the bump land 2g of the tape substrate 2 by reflow. For example, since the connection strength by soldering is high, even if the bending 9a of the elastic sheet member 9 shown in FIG. 3C acts, it does not move on the tape substrate 2 and is therefore not removed.
[0056]
Thereby, only the unbonded solder ball 3b can be removed in the screening step shown in step S8 of FIG.
[0057]
In addition, about the movement of the elastic sheet member 9 by a scraper system as shown to Fig.3 (a), an operator may carry out manually using a guide jig etc., or the scraper system mechanism was provided. It may be performed automatically using a dedicated device for ball electrode screening.
[0058]
After the screening process, a tape cut (step S9) is performed in which each CSP region is cut and separated into individual CSPs 7 in the multi-tape multi-piece substrate 8 in a multiple tape form.
[0059]
That is, CSP7 as shown in FIG. 2 can be manufactured by cutting and dividing.
[0060]
According to the manufacturing method of the semiconductor device (CSP 7) of the present embodiment, the following operational effects can be obtained.
[0061]
That is, by applying a moving force to the solder ball 3 by the elastic sheet member 9 (moving force applying means) and removing the unbonded solder ball 3b (unbonded ball electrode), the defective product due to the unbonded solder ball is removed. It is possible to converge in the process (solder ball mounting process including screening), and as a result, it is possible to prevent outflow of defective products to the subsequent process due to unbonded solder balls.
[0062]
Further, since it is possible to prevent the defective product from flowing out to the subsequent process due to the solder ball not being joined, the solder ball 3 is not lost in the middle of the subsequent process. The outflow can be prevented. Therefore, the reliability of the product (CSP 7) can be improved.
[0063]
In addition, since it is possible to prevent the defective product from flowing out to the subsequent process due to the solder ball not being joined, the solder ball 3 is not lost during the subsequent process as described above. A decrease in efficiency can be prevented.
[0064]
Therefore, it is possible to improve the working efficiency of the manufacturing process of the CSP 7 (semiconductor device).
[0065]
Further, by using the elastic sheet member 9 as a conductive member, it is possible to prevent the solder ball 3 from being charged, thereby preventing electrostatic breakdown of the CSP 7 (product).
[0066]
Furthermore, by using the elastic sheet member 9 softer than the solder as the moving force applying means, it is possible to prevent the solder balls 3 from being damaged. Thereby, quality degradation of CSP7 can be prevented.
[0067]
Further, when the moving force applying means is the elastic sheet member 9 as in the present embodiment, a plurality of slits 9b are formed at the tip of the elastic sheet member 9, thereby unbonded solder balls 3b (unbonded) Load) and a good solder ball 3a (good ball electrode).
[0068]
As a result, the unbonded solder balls 3b can be reliably removed, thereby improving the screening accuracy.
[0069]
As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments of the invention. However, the present invention is not limited to the embodiments of the invention, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. It goes without saying that it is possible.
[0070]
For example, in the above-described embodiment, the case where the elastic sheet member 9 is used as the moving force applying means has been described. However, the moving force applying means may be modified examples shown in FIG. 6, FIG. 7, and FIG. May be.
[0071]
First, the moving force applying means of the modification shown in FIG. 6 is a rotatable roller 10, and as shown in FIGS. 6A and 6B, the roller 10 is rotated and brought into contact with the solder ball 3. Screening is performed by applying a moving force to the solder balls 3.
[0072]
The roller 10 is preferably made of a conductive member that is softer than solder.
[0073]
As shown in FIG. 6, by using the roller 10 as the moving force applying means, the roller 10 is in contact with the solder ball 3 over the entire surrounding surface, so that the moving force applying means is compared with the elastic sheet member 9. It is possible to extend the service life.
[0074]
Further, in the case of the roller 10, the moving force can be applied to the solder ball 3 not only from the side but also from the oblique upper side by the crushing 10 a of the roller 10. Screening can be performed without reducing the pressing force on the ball 3.
[0075]
Thereby, the fall of screening accuracy can be prevented.
[0076]
The moving force applying means of the modification shown in FIG. 7 is the case of the ball suction means 11 that applies a moving force to the solder ball 3 in a non-contact manner, and is arranged at a location facing the back surface 2b of the tape substrate 2. A moving force by a suction force is applied to the solder balls 3 by the ball suction means 11, and only the unbonded solder balls 3b are sucked and separated for screening.
[0077]
Furthermore, the moving force applying means of the modification shown in FIG. 8 is a front / back reversing means of the semiconductor device main body (CSP main body 7a) that applies a moving force to the solder balls 3 in a non-contact manner, similarly to the ball suction means 11. At the time of screening, the front and back of the CSP main body 7a are reversed and the back surface 2b of the tape substrate 2 in the CSP main body 7a is directed downward, so that the moving force due to the attractive force is applied to the solder balls 3 and only the unbonded solder balls 3b are natural. It is to drop and screen.
[0078]
Incidentally, by using the ball suction means 11 shown in FIG. 7 or the front / back reversing means of the semiconductor device main body shown in FIG. 8 as the moving force applying means, it becomes possible to perform screening in a non-contact manner, and therefore, non-defective products The influence of screening on the solder balls 3a (good ball electrodes) can be minimized.
[0079]
That is, the deformation of the non-defective solder ball 3a due to screening can be prevented.
[0080]
In the above embodiment, the case where the elastic sheet member 9 is used as the scraper type moving force applying means has been described. However, the other moving force applying means of the scraper type is made of a relatively soft material having conductivity. As long as it is a formed member, it may be a member having a shape such as a brush or a brush.
[0081]
In the above embodiment, the case where the ball electrode is the solder ball 3 has been described. However, the ball electrode may be a ball electrode such as gold or copper.
[0082]
In the above embodiment, the case where the chip support substrate used in the semiconductor device (CSP 7) is a thin film tape substrate 2 made of polyimide tape or the like has been described. However, the chip support substrate is formed of glass-filled epoxy resin or the like. It may be a substrate.
[0083]
In the above-described embodiment, the case where individual semiconductor devices (CSPs 7) are manufactured from the multiple tape-shaped multiple substrate 8 having a plurality of tape substrates 2 has been described. The multiple substrate 8 is not necessarily used, and a tape substrate 2 previously cut and separated into one piece of the CSP 7 is prepared, the tape substrate 2 is used, and the ball electrode is screened to obtain the CSP 7. May be manufactured.
[0084]
Furthermore, in the above-described embodiment, the case where the semiconductor device is CSP 7 has been described. However, if the semiconductor device is a semiconductor device having a ball electrode as an external terminal, a BGA (Ball Grid Array) other than CSP 7 or a semiconductor device is used. It may be a semiconductor device such as a wafer level package manufactured by dicing after forming a rewiring in a wafer state and providing a ball electrode.
[0085]
【The invention's effect】
Of the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.
[0086]
(1). By applying a moving force to the ball electrode by the moving force applying means and removing the unbonded ball electrode, defective products due to the unbonded ball electrode can be converged by the own process. Outflow of defective products to the subsequent process can be prevented.
[0087]
(2). According to the above (1), the ball electrode is not lost during the post-process, and as a result, it is possible to prevent the defective product from flowing out to the customer due to the unbonded ball electrode, thereby improving the reliability of the product.
[0088]
(3). According to the above (1), the ball electrode is not missing during the subsequent process, and as a result, it is possible to prevent a reduction in work efficiency due to the missing ball electrode in the subsequent process. Therefore, it is possible to improve the working efficiency of the semiconductor device manufacturing process.
[0089]
(4). By making the moving force applying means an elastic sheet member softer than the solder, it is possible to prevent the wound from being formed on the solder ball as the ball electrode. Thereby, quality degradation of a product can be prevented.
[0090]
(5). When the moving force applying means is an elastic sheet member, by forming a plurality of slits in the elastic sheet member, it is possible to apply a load evenly to the unjoined ball electrode and the non-defective ball electrode. , Screening accuracy can be increased.
[0091]
(6). Screening can be performed in a non-contact manner by using a ball suction means as the moving force imparting means, or by performing a front / back reversing means of the semiconductor device body. Can be prevented.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a manufacturing process flow chart showing an example of a method for manufacturing a semiconductor device in an embodiment of the present invention, and a cross-sectional view corresponding to each step.
2 is a cross-sectional view showing a structure of a CSP which is an example of a semiconductor device assembled by the method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1;
3 (a), (b), (c), and (d) are diagrams showing an example of a screening method in a screening step in the semiconductor device manufacturing method shown in FIG. (B), (c), (d) is the side view which expands and shows the state of the A section of (a).
4 is a perspective view showing an example of the structure of the elastic sheet member shown in FIG. 3. FIG.
5 is a side view showing an example of a screening state using the elastic sheet member shown in FIG. 4. FIG.
6A and 6B are side views showing a screening state when using a roller that is a modification of the moving force applying means (elastic sheet member) shown in FIG.
7 is a side view showing a screening state when a ball suction means which is a modification of the moving force applying means (elastic sheet member) shown in FIG. 3 is used.
8 is a side view showing a screening state when using a front / back reversing means of a semiconductor device body which is a modification of the moving force applying means (elastic sheet member) shown in FIG. 3;
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor chip 1a Pad 1b Main surface 1c Back surface 2 Tape substrate (chip support substrate)
2a Chip support surface 2b Back surface 2c Connection terminal 2d Resist film 2e Wiring lead 2f Tape base 2g Bump land 3 Solder ball (ball electrode)
3a Good solder ball (good ball electrode)
3b Unbonded solder ball (unbonded ball electrode)
4 Wire 5 Die bond material 6 Sealing part 7 CSP (semiconductor device)
7a CSP body (semiconductor device body)
8 Multiple substrate 9 Elastic sheet member (moving force applying means)
9a Deflection 9b Slit 10 Roller (Moving force applying means)
10a Collapse 11 Ball suction means (moving force applying means)
12 mark

Claims (5)

外部端子として複数のボール電極が設けられる半導体装置の製造方法であって、
半導体チップを有した半導体装置本体に複数の前記ボール電極を設ける工程と、
前記ボール電極のうち前記半導体装置本体に接合していない未接合のボール電極を移動させることが可能な移動力を付与する移動力付与手段を用い、前記移動力付与手段によって前記ボール電極に前記移動力を付与して前記未接合のボール電極を除去する工程とを有し、
前記移動力付与手段によって前記未接合のボール電極をスクリーニングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。A method of manufacturing a semiconductor device in which a plurality of ball electrodes are provided as external terminals,
Providing a plurality of the ball electrodes on a semiconductor device body having a semiconductor chip;
Of the ball electrodes, using a moving force applying means for applying a moving force capable of moving an unbonded ball electrode that is not bonded to the semiconductor device body, the moving force applying means moves the ball electrode to the ball electrode. And applying a force to remove the unbonded ball electrode,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the unbonded ball electrode is screened by the moving force applying means. 外部端子としてボール電極である複数の半田ボールが設けられる半導体装置の製造方法であって、
半導体チップを有した半導体装置本体に複数の前記半田ボールを設ける工程と、
前記半田ボールのうち前記半導体装置本体に接合していない未接合の半田ボールを移動させることが可能な移動力を付与する移動力付与手段を用い、前記移動力付与手段を前記半田ボールに接触させて前記移動力を付与して前記未接合の半田ボールを除去する工程とを有し、
前記移動力付与手段によって前記未接合の半田ボールをスクリーニングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。A method of manufacturing a semiconductor device in which a plurality of solder balls that are ball electrodes are provided as external terminals,
Providing a plurality of the solder balls on a semiconductor device body having a semiconductor chip;
Of the solder balls, a moving force applying means for applying a moving force capable of moving an unbonded solder ball not bonded to the semiconductor device body is used, and the moving force applying means is brought into contact with the solder ball. And applying the moving force to remove the unbonded solder balls,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the unbonded solder balls are screened by the moving force applying means. 外部端子としてボール電極である複数の半田ボールが設けられる半導体装置の製造方法であって、
半導体チップを有した半導体装置本体のチップ支持基板に複数の前記半田ボールを配置する工程と、
リフローによって前記半導体装置本体の前記チップ支持基板に複数の前記半田ボールを設ける工程と、
前記半田ボールのうち前記チップ支持基板に接合していない未接合の半田ボールを移動させることが可能な移動力を付与するとともに半田より柔らかい材料からなる移動力付与手段である導電性の弾性シート部材を用い、前記リフロー後、前記弾性シート部材をそれぞれの前記半田ボールに接触させて前記移動力を付与して前記未接合の半田ボールを除去する工程とを有し、
前記リフロー後、前記弾性シート部材によって前記未接合の半田ボールを除去するスクリーニング工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。A method of manufacturing a semiconductor device in which a plurality of solder balls that are ball electrodes are provided as external terminals,
Placing a plurality of the solder balls on a chip support substrate of a semiconductor device body having a semiconductor chip; and
Providing a plurality of the solder balls on the chip support substrate of the semiconductor device body by reflow; and
A conductive elastic sheet member which is a moving force applying means made of a material softer than solder while applying a moving force capable of moving an unbonded solder ball not bonded to the chip support substrate among the solder balls. And after the reflow, the step of bringing the elastic sheet member into contact with each of the solder balls and applying the moving force to remove the unbonded solder balls,
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a screening step of removing the unbonded solder balls by the elastic sheet member after the reflow. 外部端子としてボール電極である複数の半田ボールが設けられる半導体装置の製造方法であって、
半導体チップを有した半導体装置本体に複数の前記半田ボールを設ける工程と、
前記半田ボールのうち前記半導体装置本体に接合していない未接合の半田ボールを移動させることが可能な移動力を付与する移動力付与手段である導電性のローラを用い、前記ローラを回転させて前記半田ボールに接触させて前記移動力を付与して、前記未接合の半田ボールを除去する工程とを有し、
前記ローラによって前記未接合の半田ボールをスクリーニングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。A method of manufacturing a semiconductor device in which a plurality of solder balls that are ball electrodes are provided as external terminals,
Providing a plurality of the solder balls on a semiconductor device body having a semiconductor chip;
Using a conductive roller as a moving force applying means for applying a moving force capable of moving an unbonded solder ball not bonded to the semiconductor device body among the solder balls, the roller is rotated. A step of removing the unbonded solder balls by applying the moving force in contact with the solder balls;
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the unbonded solder balls are screened by the roller. 外部端子としてボール電極である複数の半田ボールが設けられる半導体装置の製造方法であって、
半導体チップを有した半導体装置本体に複数の前記半田ボールを設ける工程と、
前記半田ボールのうち前記半導体装置本体に接合していない未接合の半田ボールを移動させることが可能な移動力を付与する移動力付与手段であるボール吸引手段を用い、前記ボール吸引手段によって前記半田ボールを吸引して前記移動力を付与して前記未接合の半田ボールを除去する工程とを有し、
前記ボール吸引手段によって前記未接合の半田ボールをスクリーニングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。A method of manufacturing a semiconductor device in which a plurality of solder balls that are ball electrodes are provided as external terminals,
Providing a plurality of the solder balls on a semiconductor device body having a semiconductor chip;
Of the solder balls, a ball suction means which is a moving force applying means for applying a moving force capable of moving an unbonded solder ball that is not bonded to the semiconductor device main body is used. A step of sucking a ball and applying the moving force to remove the unbonded solder ball,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the unbonded solder balls are screened by the ball suction means.
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