JP3602943B2 - Semiconductor wafer grinding machine - Google Patents

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JP3602943B2
JP3602943B2 JP20023197A JP20023197A JP3602943B2 JP 3602943 B2 JP3602943 B2 JP 3602943B2 JP 20023197 A JP20023197 A JP 20023197A JP 20023197 A JP20023197 A JP 20023197A JP 3602943 B2 JP3602943 B2 JP 3602943B2
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  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、砥石を用いて厚み加工処理を施すなど半導体ウエハの表面を加工するための半導体ウエハの研削装置に関し、特に半導体ウエハを固定するステージに特徴を有する半導体ウエハの研削装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図７および図８は、従来の半導体ウエハの研削装置のステージおよびワークを示す図である。半導体ウエハ１は、リング３に張り渡された粘着シート２上に粘着支持される。半導体ウエハ１、リング３および粘着シート２から成るワーク４は、表面が平坦なステージ５に乗載される。ワーク４がステージ５に乗載された状態で、ステージ５に対向する方向から砥石を接触させて、半導体ウエハ１を研削する。このとき、ステージ５に設けられた吸引部６から吸気することで、粘着シート２を介して半導体ウエハ１を吸着する。
【０００３】
なお、半導体ウエハ１とほぼ同じ面積の吸引部６を設けることで、またはリング３の内径をほぼ半導体ウエハ１の外径に合わせたものを使用することで、なるべく吸引部６を半導体ウエハ１で覆うことができるようにしている。吸引部６の大部分を半導体ウエハ１で覆うことで、その隙間から空気が流入するリークを抑制して、半導体ウエハ１を確実に固定している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
図８のように平坦なステージ５上にワーク４を配置すると、研削するための砥石がリング３に接触してしまうことがある。つまり、比較的大きな砥石では、ステージ５に対向する方向から半導体ウエハ１に砥石を接触させるだけで、リング３にも接触する。また、比較的小さな砥石であっても摩擦を与えるために大きな動きをするとリング３に接触する。砥石がリング３に接触すると、実際に研削の対象としたい半導体ウエハ１を研削できないことがあり、リング３が研削の妨げになる。その場合、半導体ウエハ１に対して正確に厚み加工することは難しい。
【０００５】
また、図９に示すように、図８と同じ粘着シート２、リング３およびステージ５に対して、半導体ウエハ１とは形状が異なり、面積が小さい半導体ウエハ１ａを使用すると、吸引部６および半導体ウエハ１の隙間からのリークによって、流入する空気量が増大するので、吸着力が低下してしまう。吸着力が充分でないときは、研削時の半導体ウエハ１ａが安定にステージ５上に固定されず、正確な厚み加工処理が難しくなる。
【０００６】
本発明の目的は、砥石がフレームに接触せず、大きさや形状が異なる半導体ウエハでもステージに強固に固定することで、正確な厚み加工を実現できる半導体ウエハの研削装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体ウエハの表面を研削する砥石と、
前記半導体ウエハを載置する伸縮自在のシート、および該シートを張り渡すリング状のフレームから成るウエハ保持部材と、
前記砥石に対向して配置され、フレームを乗載するための周縁ステージ部、および断面形状が台形であってその上底が周縁ステージ部の乗載面よりも高い多孔質セラミックから成る中央ステージ部から成るステージとを備え、
前記周縁ステージ部は、フレームを個別に吸着して固定する複数の吸気孔が設けられていることを特徴とする半導体ウエハの研削装置である。
【０００８】
本発明に従えば、中央ステージ部は周縁ステージ部よりも砥石に近いので、フレームを周縁ステージ部に乗載しようとすると、シートは中央ステージ部によって砥石側に押し出されて引き伸ばされる。シートに支持された半導体ウエハは、中央ステージ部の上底部分に配置されるので、フレームよりも砥石に近くなり、研削時に砥石が半導体ウエハだけでなくフレームにも接触してしまう事態が回避され、正確な厚み加工が可能である。
【０００９】
また中央ステージ部は、多孔質セラミックから成り、吸気されることによって、中央ステージ部の表面に粘着シートおよび半導体ウエハを支持するとともに吸着することができる。
【００１０】
さらに周縁ステージ部は、吸着孔を利用して、フレームだけを吸着するので、フレームは強固に固定される。このとき、シートを介してフレームに連結する半導体ウエハは、シートが引き伸ばされることによって、フレームに対して強固に固定される。よって、半導体ウエハは周辺ステージおよび中央ステージ部に対しても、しっかりと固定されることになり、研削の精度を向上することができる。また、異なる大きさ、形状の半導体ウエハについても、フレームは強固に固定されているので、中央ステージ部に強固に固定することができる。
【００１１】
また本発明は、前記中央ステージ部上に、複数の貫通孔が全面にわたって形成された弾性材料から成る弾性部材を備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明に従えば、半導体ウエハの研削面に対向する面はシートを介して弾性部材に当接するので、研削時に衝撃があっても表面を傷つけることがなくなり、表面を保護することができる。特に、半導体ウエハの研削面に対向する面に、予め電極パターンを形成した後に研削を行う場合は、電極パターンの破損による半導体チップの動作不良を防止することができ、または半導体ウエハ加工の歩留まりを向上することができる。
さらに弾性部材４１には、複数の貫通孔が全面にわたって形成されており、多孔質セラミックを介しての半導体ウエハの吸着を妨げることが防止される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の一実施形態である研削装置を示す断面図である。研削装置１０は、砥石１１、ステージ１６およびウエハ保持部材１７を備え、半導体ウエハ２０の表面を研削するための装置である。半導体ウエハ２０は、ウエハ保持部材１７上に載置されて、さらにステージ１６上に配置され、砥石１１によって研削される。
【００１４】
砥石１１は、回転しながら回転軸の方向に直線変位することが可能であり、研削前後の半導体ウエハの厚みに合わせて、または研削の進行度合いに合わせて、変位を調節できる。砥石１１は内径、外径が異なる複数の同心円環状のものから成り、研削くずなどが研削面上にたまることを防止している。
【００１５】
砥石１１に対向する位置には、中央ステージ部１４および周縁ステージ部１５から成るステージ１６が配置される。周縁ステージ部１５は、全体では円筒形状を成し、その上端はリング１３を乗載するためにリング１３に対応して円環状の平面を成す。中央ステージ部１４は、周縁ステージ部１５に囲まれて円柱形状を成す。ステージ１６は、砥石１１の回転方向と同じ方向に回転する。さらにステージ１６の回転軸Ｌ２は、砥石１１の回転軸Ｌ１に平行で所定距離だけ離れている。よって、半導体ウエハ２０および砥石１１は接触している間、絶えずその相対速度の方向を変化させるので、砥石１１によって半導体ウエハ２０はあらゆる方向に摩擦を受ける。このように、摩擦の方向が偏らないので、半導体ウエハ２０の表面を均一に研削できる。
【００１６】
図２は、図１の研削装置で使用するワークを示す平面図である。以下、図１に示したリング１３および粘着シート１２から成るウエハ保持部材１７と半導体ウエハ２０とを一体にしたものをワーク２１とする。リング１３は、たとえばＳＵＳ３０４などの材料から成り、厚み約１ｍｍ、外形１５０ｍｍ、内径１３０ｍｍである。粘着シート１２は、伸縮自在のシートであり、半導体ウエハ２０を支持するために片面に粘着材料が塗布されている。たとえば、粘着シート１２の厚みは１３０μｍで、粘着力は３００ｇ／２５ｍｍである。この粘着シート１２は、リング１３に張り渡された状態で、さらに粘着面２２上に半導体ウエハ２０を粘着させる。
【００１７】
図３はワーク２１をステージ１６に乗載する様子を示す断面図であり、図３（ａ）は乗載前を、図３（ｂ）は乗載後を示している。ワーク２１をステージ１６に乗載するためには、リング１３を周縁ステージ部１５に乗載する。周縁ステージ部１５には、乗載面にだけ開口する吸気孔３１が設けられており、吸気孔３１を閉塞するリング１３は、周縁ステージ部１５表面に吸着される。
【００１８】
中央ステージ部１４は、周縁ステージ部１５よりも高く盛り上がっており、その断面形状は台形を成す。よって、リング１３を周縁ステージ部１５に乗載しようとすると、中央ステージ部１４に当接した粘着シート１２は砥石１１側に引き伸ばされる。リング１３の周縁ステージ部１５への乗載が完了すると、中央ステージ部１４の上底部３２上に、粘着シート１２を介して半導体ウエハ２０が配置される。リング１３の厚みが約１ｍｍのとき、上底部３２は周縁ステージ部１５表面よりも約２〜３ｍｍ程度高ければよい。
【００１９】
また中央ステージ部１４は、多孔質セラミックから成り、吸気される。このように、多孔質セラミックを使用することで、中央ステージ部１４の表面に粘着シート１２および半導体ウエハ２０を支持すると同時に吸着することができる。
【００２０】
図４は図１の研削装置による半導体ウエハの研削工程を段階的に示す工程図であり、図５はその研削工程を段階的に示す断面図である。まず工程ｓ１および図５（ａ）において、リング１３に張り渡された粘着シート１２の粘着面に半導体ウエハ２０の研削面を仰向けにして粘着させる。この粘着によって、半導体ウエハ２０を粘着シート１２に支持させて、同時に半導体ウエハ２０の研削に無関係な裏面を保護する。
【００２１】
次に工程ｓ２および図５（ｂ）において、リング１３を周縁ステージ部１５に乗載する。乗載すると、半導体ウエハ２０が粘着シート１２を介して中央ステージ部１４の上底部３２上に配置される。この状態で、砥石１１およびステージ１６を回転させながら、砥石１１を回転軸の方向にスライドさせて半導体ウエハ２０に接触させることで研削を行う。
【００２２】
半導体ウエハ２０が所定の厚みに加工されたら、次に工程ｓ３において、ステージ１６からワーク２１を取り外し、ワーク２１ごと半導体ウエハ２０の研削面を洗浄して、エッチングによって研削面をさらに平滑に加工する。最後に工程ｓ４および図５（ｃ）において、ワーク２１の粘着シート１２から、半導体ウエハ２０を剥離して、研削が完了する。
【００２３】
図６は、本発明の他の実施形態である研削装置のステージおよびワークを示す断面図である。図１の中央ステージ部１４の上底３２上に、さらに弾性材料から成る弾性部材４１が設けられている。弾性部材４１は、たとえば厚み数ｍｍ程度である。よって、半導体ウエハ２０は粘着シート１２とともに弾性部材４１を介して、中央ステージ部１４上に配置されて研削されるので、研削の衝撃によって研削面に対向する面を傷つけることがなくなる。
【００２４】
また弾性部材４１には、複数の貫通孔４２が全面に渡って形成されており、この貫通孔４２が中央ステージ部１４表面までの通気孔の役割を果たし、多孔質セラミックからの吸気による半導体ウエハ２０の吸着を妨げないようにしている。なお、貫通孔４２の孔径は、たとえば約１ｍｍ程度である。
【００２５】
このように、リング１３を周縁ステージ部１５に乗載すると、粘着シート１２は中央ステージ部１４に当接して引き伸ばされ、半導体ウエハ２０がリング１３よりも砥石１１に近い位置に配置され、リング１３に接触することなく半導体ウエハ２０に砥石１１が接触することなく研削を行うことができる。
【００２６】
また、周縁ステージ部１５は、吸気孔３１によってリング１３だけを吸着するので、リング１３は周縁ステージ部１５に強固に固定される。
【００２７】
さらに、半導体ウエハ２０の研削面に対向する面は粘着シート１２を介して弾性部材４１に当接するので、その面を傷つけることがなくなる。
【００２８】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、研削時に砥石が半導体ウエハだけでなくフレームにも接触してしまう事態が回避され、研削を容易に行うことができる。
【００２９】
しかも中央ステージ部で粘着シートおよび半導体ウエハを支持するとともに吸着し、周縁ステージ部でフレームだけを吸着する。このようにして、半導体ウエハ自体を中央ステージ部に、しっかりと固定することができ、研削の精度を向上することができる。
【００３０】
さらに本発明によれば、中央ステージ部上に貫通孔を有する弾性部材を設けることで、半導体ウエハの吸着を妨げることなく、半導体ウエハの研削面に対向する面を保護することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態である研削装置を示す断面図である。
【図２】図１のワークを示す平面図である。
【図３】図２のワークをステージに乗載する様子を示す断面図である。
【図４】図１の研削装置による研削工程を段階的に示す工程図である。
【図５】図１の研削装置による研削工程を段階的に示す断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態である研削装置のステージおよびワークを示す断面図である。
【図７】従来の半導体ウエハの研削装置に使用するワークを示す平面図である。
【図８】従来の半導体ウエハの研削装置のステージおよびワークを示す断面図である。
【図９】従来の半導体ウエハの研削装置に使用するワークを示す平面図である。
【符号の説明】
１０ 研削装置
１１ 砥石
１２ 粘着シート
１３ リング
１４ 中央ステージ部
１５ 周縁ステージ部
１６ ステージ
１７ ウエハ保持部材
２０ 半導体ウエハ
４１ 弾性部材[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor wafer grinding apparatus for processing a surface of a semiconductor wafer such as performing a thickness processing using a grindstone, and particularly to a semiconductor wafer grinding apparatus having a feature in a stage for fixing the semiconductor wafer.
[0002]
[Prior art]
7 and 8 are views showing a stage and a work of a conventional semiconductor wafer grinding apparatus. The semiconductor wafer 1 is adhesively supported on an adhesive sheet 2 stretched over a ring 3. A work 4 including a semiconductor wafer 1, a ring 3, and an adhesive sheet 2 is mounted on a stage 5 having a flat surface. While the work 4 is mounted on the stage 5, the semiconductor wafer 1 is ground by bringing a grindstone into contact with the stage 5 from a direction facing the stage 5. At this time, the semiconductor wafer 1 is suctioned via the adhesive sheet 2 by suctioning from the suction unit 6 provided on the stage 5.
[0003]
By providing the suction unit 6 having substantially the same area as that of the semiconductor wafer 1 or by using the ring 3 having an inner diameter substantially equal to the outer diameter of the semiconductor wafer 1, the suction unit 6 is preferably used by the semiconductor wafer 1. It can be covered. By covering most of the suction part 6 with the semiconductor wafer 1, a leak that air flows in from the gap is suppressed, and the semiconductor wafer 1 is securely fixed.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
When the work 4 is placed on the flat stage 5 as shown in FIG. 8, a grinding wheel for grinding may come into contact with the ring 3. That is, in the case of a relatively large grindstone, the grindstone only contacts the semiconductor wafer 1 from the direction facing the stage 5 and also contacts the ring 3. Also, even a relatively small grindstone contacts the ring 3 when it makes a large movement to apply friction. When the grindstone comes into contact with the ring 3, the semiconductor wafer 1 to be actually ground may not be ground, and the ring 3 hinders the grinding. In that case, it is difficult to accurately process the thickness of the semiconductor wafer 1.
[0005]
As shown in FIG. 9, when the semiconductor wafer 1 a having a different shape and a smaller area from the semiconductor wafer 1 is used for the adhesive sheet 2, the ring 3, and the stage 5 as in FIG. Leakage from the gap between the wafers 1 causes an increase in the amount of air that flows in, thereby reducing the attraction force. If the attraction force is not sufficient, the semiconductor wafer 1a at the time of grinding is not stably fixed on the stage 5, and accurate thickness processing becomes difficult.
[0006]
An object of the present invention is to provide a semiconductor wafer grinding apparatus capable of realizing accurate thickness processing by firmly fixing a semiconductor wafer having a different size and shape to a stage without a grinding stone coming into contact with a frame.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present invention is a grinding wheel for grinding the surface of a semiconductor wafer,
A stretchable sheet on which the semiconductor wafer is placed, and a wafer holding member including a ring-shaped frame over which the sheet is stretched;
A peripheral stage portion for mounting a frame, and a central stage portion formed of a porous ceramic having a trapezoidal cross-section and an upper base higher than the mounting surface of the peripheral stage portion, which is disposed opposite to the grinding stone; and a stage made of,
The peripheral stage section is provided with a plurality of suction holes for individually sucking and fixing a frame, and is a semiconductor wafer grinding apparatus, wherein:
[0008]
According to the present invention, since the central stage is closer to the grindstone than the peripheral stage, when the frame is to be mounted on the peripheral stage, the sheet is pushed out toward the grindstone by the central stage and stretched. Since the semiconductor wafer supported by the sheet is located at the top and bottom of the central stage, it is closer to the grindstone than the frame, preventing the grinding stone from contacting not only the semiconductor wafer but also the frame during grinding. , And accurate thickness processing is possible.
[0009]
Further, the central stage portion is made of porous ceramic, and is capable of supporting and adsorbing the adhesive sheet and the semiconductor wafer on the surface of the central stage portion by suction.
[0010]
Further, since the peripheral stage uses the suction holes to suck only the frame, the frame is firmly fixed. At this time, the semiconductor wafer connected to the frame via the sheet is firmly fixed to the frame by stretching the sheet. Therefore, the semiconductor wafer is firmly fixed to the peripheral stage and the central stage, and the accuracy of grinding can be improved. Also, the semiconductor wafers having different sizes and shapes can be firmly fixed to the center stage because the frames are firmly fixed.
[0011]
Further, the present invention is characterized in that an elastic member made of an elastic material and having a plurality of through holes formed over the entire surface is provided on the central stage portion.
[0012]
According to the present invention, the surface facing the ground surface of the semiconductor wafer comes into contact with the elastic member via the sheet. Therefore, even if there is an impact during the grinding, the surface is not damaged and the surface can be protected. In particular, when grinding is performed after forming an electrode pattern on the surface facing the ground surface of the semiconductor wafer, malfunction of the semiconductor chip due to damage to the electrode pattern can be prevented, or the yield of semiconductor wafer processing can be reduced. Can be improved.
Further, a plurality of through-holes are formed in the elastic member 41 over the entire surface, thereby preventing the suction of the semiconductor wafer via the porous ceramic from being hindered.
[0013]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 1 is a sectional view showing a grinding device according to one embodiment of the present invention. The grinding device 10 includes a grindstone 11, a stage 16, and a wafer holding member 17, and is a device for grinding the surface of the semiconductor wafer 20. The semiconductor wafer 20 is placed on the wafer holding member 17, further placed on the stage 16, and ground by the grindstone 11.
[0014]
The grindstone 11 can be linearly displaced in the direction of the rotation axis while rotating, and the displacement can be adjusted according to the thickness of the semiconductor wafer before and after grinding or according to the progress of grinding. The grindstone 11 is made up of a plurality of concentric rings having different inner and outer diameters, and prevents grinding waste and the like from accumulating on the ground surface.
[0015]
At a position facing the grindstone 11, a stage 16 composed of a central stage 14 and a peripheral stage 15 is arranged. The peripheral stage 15 has a cylindrical shape as a whole, and its upper end forms an annular plane corresponding to the ring 13 for mounting the ring 13 thereon. The central stage section 14 is surrounded by the peripheral stage section 15 and has a columnar shape. The stage 16 rotates in the same direction as the rotation direction of the grindstone 11. Further, the rotation axis L2 of the stage 16 is parallel to the rotation axis L1 of the grindstone 11 and is separated by a predetermined distance. Therefore, while the semiconductor wafer 20 and the grinding stone 11 are in contact with each other, the direction of the relative speed is constantly changed, and the semiconductor wafer 20 is subjected to friction in all directions by the grinding stone 11. Thus, since the direction of friction is not biased, the surface of the semiconductor wafer 20 can be ground uniformly.
[0016]
FIG. 2 is a plan view showing a work used in the grinding device of FIG. Hereinafter, the work 21 is formed by integrating the semiconductor wafer 20 with the wafer holding member 17 including the ring 13 and the adhesive sheet 12 shown in FIG. The ring 13 is made of a material such as SUS304, for example, and has a thickness of about 1 mm, an outer diameter of 150 mm, and an inner diameter of 130 mm. The adhesive sheet 12 is a stretchable sheet, and has an adhesive material applied on one side to support the semiconductor wafer 20. For example, the thickness of the adhesive sheet 12 is 130 μm, and the adhesive strength is 300 g / 25 mm. The adhesive sheet 12 further adheres the semiconductor wafer 20 to the adhesive surface 22 while being stretched over the ring 13.
[0017]
3A and 3B are cross-sectional views showing how the work 21 is mounted on the stage 16, wherein FIG. 3A shows a state before mounting and FIG. 3B shows a state after mounting. In order to mount the work 21 on the stage 16, the ring 13 is mounted on the peripheral stage 15. The peripheral stage 15 is provided with an intake hole 31 that opens only on the mounting surface, and the ring 13 that closes the intake hole 31 is adsorbed on the surface of the peripheral stage 15.
[0018]
The central stage section 14 is raised higher than the peripheral stage section 15, and has a trapezoidal cross-sectional shape. Therefore, when the ring 13 is to be mounted on the peripheral stage 15, the adhesive sheet 12 in contact with the central stage 14 is stretched toward the grindstone 11. When the mounting of the ring 13 on the peripheral stage 15 is completed, the semiconductor wafer 20 is placed on the upper bottom 32 of the central stage 14 via the adhesive sheet 12. When the thickness of the ring 13 is about 1 mm, the upper bottom part 32 may be higher than the surface of the peripheral stage part 15 by about 2 to 3 mm.
[0019]
The central stage section 14 is made of porous ceramic, and is sucked. As described above, by using the porous ceramic, the adhesive sheet 12 and the semiconductor wafer 20 can be supported and adsorbed on the surface of the central stage 14 at the same time.
[0020]
FIG. 4 is a step diagram showing a step of grinding the semiconductor wafer by the grinding apparatus of FIG. 1, and FIG. 5 is a sectional view showing the step of the grinding step. First, in step s1 and FIG. 5A, the adhesive surface of the adhesive sheet 12 stretched over the ring 13 is adhered with the ground surface of the semiconductor wafer 20 turned upside down. This adhesion allows the semiconductor wafer 20 to be supported by the adhesive sheet 12 and at the same time protects the back surface unrelated to the grinding of the semiconductor wafer 20.
[0021]
Next, in step s2 and FIG. 5B, the ring 13 is mounted on the peripheral stage 15. When the semiconductor wafer 20 is mounted, the semiconductor wafer 20 is disposed on the upper bottom 32 of the central stage 14 via the adhesive sheet 12. In this state, grinding is performed by rotating the grindstone 11 and the stage 16 while sliding the grindstone 11 in the direction of the rotation axis to contact the semiconductor wafer 20.
[0022]
After the semiconductor wafer 20 has been processed to a predetermined thickness, the work 21 is removed from the stage 16 in step s3, the ground surface of the semiconductor wafer 20 is cleaned together with the work 21, and the ground surface is further processed by etching. . Finally, in step s4 and FIG. 5C, the semiconductor wafer 20 is peeled off from the adhesive sheet 12 of the work 21, and the grinding is completed.
[0023]
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a stage and a work of a grinding device according to another embodiment of the present invention. An elastic member 41 made of an elastic material is provided on the upper bottom 32 of the central stage 14 in FIG. The elastic member 41 has a thickness of, for example, about several mm. Therefore, since the semiconductor wafer 20 is arranged on the central stage section 14 via the elastic member 41 together with the adhesive sheet 12 and ground, the semiconductor wafer 20 does not damage the surface facing the ground surface due to the impact of the grinding.
[0024]
Further, a plurality of through holes 42 are formed in the elastic member 41 over the entire surface. The through holes 42 serve as ventilation holes up to the surface of the central stage portion 14, and the semiconductor wafer is drawn by suction from the porous ceramic. 20 is not prevented from being absorbed. The diameter of the through hole 42 is, for example, about 1 mm.
[0025]
As described above, when the ring 13 is mounted on the peripheral stage 15, the adhesive sheet 12 is stretched in contact with the central stage 14, and the semiconductor wafer 20 is arranged at a position closer to the grindstone 11 than the ring 13. Grinding can be performed without the grinding stone 11 contacting the semiconductor wafer 20 without contacting the semiconductor wafer 20.
[0026]
Further, since the peripheral stage 15 sucks only the ring 13 by the suction hole 31, the ring 13 is firmly fixed to the peripheral stage 15.
[0027]
Further, the surface of the semiconductor wafer 20 facing the ground surface comes into contact with the elastic member 41 via the adhesive sheet 12, so that the surface is not damaged.
[0028]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to avoid a situation in which the grinding stone contacts not only the semiconductor wafer but also the frame during the grinding, and the grinding can be easily performed.
[0029]
Moreover, the adhesive sheet and the semiconductor wafer are supported and adsorbed by the central stage, and only the frame is adsorbed by the peripheral stage. In this manner , the semiconductor wafer itself can be firmly fixed to the central stage, and the precision of the grinding can be improved.
[0030]
Further, according to the present invention, by providing the elastic member having the through-hole on the central stage portion, it is possible to protect the surface facing the ground surface of the semiconductor wafer without hindering the suction of the semiconductor wafer.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a grinding device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing the work of FIG. 1;
FIG. 3 is a cross-sectional view showing how the work of FIG. 2 is mounted on a stage.
FIG. 4 is a process chart showing a step of a grinding process by the grinding device of FIG. 1;
FIG. 5 is a sectional view showing a step of a grinding process by the grinding device of FIG. 1;
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a stage and a work of a grinding device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a plan view showing a work used in a conventional semiconductor wafer grinding apparatus.
FIG. 8 is a sectional view showing a stage and a work of a conventional semiconductor wafer grinding apparatus.
FIG. 9 is a plan view showing a work used in a conventional semiconductor wafer grinding apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Grinding apparatus 11 Grinding stone 12 Adhesive sheet 13 Ring 14 Central stage 15 Peripheral stage 16 Stage 17 Wafer holding member 20 Semiconductor wafer 41 Elastic member

Claims (2)

半導体ウエハの表面を研削する砥石と、
前記半導体ウエハを載置する伸縮自在のシート、および該シートを張り渡すリング状のフレームから成るウエハ保持部材と、
前記砥石に対向して配置され、フレームを乗載するための周縁ステージ部、および断面形状が台形であってその上底が周縁ステージ部の乗載面よりも高い多孔質セラミックから成る中央ステージ部から成るステージとを備え、
前記周縁ステージ部は、フレームを個別に吸着して固定する複数の吸気孔が設けられていることを特徴とする半導体ウエハの研削装置。A grinding wheel for grinding the surface of a semiconductor wafer;
A stretchable sheet on which the semiconductor wafer is placed, and a wafer holding member including a ring-shaped frame over which the sheet is stretched;
A peripheral stage portion for mounting a frame, and a central stage portion having a trapezoidal cross-sectional shape and having an upper base made of porous ceramic higher than the mounting surface of the peripheral stage portion; and a stage made of,
A semiconductor wafer grinding apparatus , wherein the peripheral stage is provided with a plurality of intake holes for individually sucking and fixing a frame . 前記中央ステージ部上に、複数の貫通孔が全面にわたって形成された弾性材料から成る弾性部材を備えることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハの研削装置。2. The apparatus for grinding a semiconductor wafer according to claim 1, further comprising an elastic member made of an elastic material having a plurality of through holes formed over the entire surface of the central stage.
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