JP3601374B2

JP3601374B2 - Display device

Info

Publication number: JP3601374B2
Application number: JP27812899A
Authority: JP
Inventors: 敏明楠; 睦三鈴木; 雅一佐川
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1999-09-30
Filing date: 1999-09-30
Publication date: 2004-12-15
Anticipated expiration: 2019-09-30
Also published as: JP2001101986A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、冷陰極アレイと蛍光面を組み合わせたフラットパネル表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
冷陰極と蛍光面を組み合わせたフラットパネル表示装置としては、例えば電界放射陰極アレイを用いたフィールドエミッションディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ−ＥｍｉｓｓｉｏｎＤｉｓｐｌａｙ、以下ＦＥＤ）、表面伝導型電子源を用いた表面伝導型ディスプレイ（Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ−Ｄｉｓｐｌａｙ、以下ＳＥＤ）、金属―絶縁体―金属（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ、以下ＭＩＭ）や金属―絶縁体―半導体（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、以下ＭＩＳ）等の薄膜型電子源を用いたものや、ダイヤモンド膜、ダイヤモンド状炭素膜等の電子放出膜とグリット電極等を組み合わせたものが研究開発されている。
【０００３】
これらのフラットパネル表示装置は、表示原理がブラウン管と同様で、加速された電子線による蛍光体の発光に基づいているので、高輝度、高コントラスト、高速応答等の優れた画質が得られる特徴がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
冷陰極と蛍光面を組み合わせたフラットパネル表示装置では、冷陰極から放出される電子線を加速して蛍光面に入射させるため、その間を真空に保つ必要がある。その真空は高い真空度が要求される。真空度が低い場合、冷陰極と蛍光面間に印加される高電圧により放電が生じたり、イオン化した残留ガスにより冷陰極がスパッタされたりする。また、冷陰極表面が残留ガスで汚染されると表面の仕事関数が上昇したり、表面汚染層で電子が散乱されたりして、電子放出量の減少や、不規則な電流変動が生じてしまう。特に電界放射陰極アレイを用いたＦＥＤは表面汚染に敏感で、最悪でも１０^−７Ｔｏｒｒ台以下の高い真空度が要求されている。
【０００５】
しかしながら、冷陰極と蛍光面を組み合わせたフラットパネル表示装置では、冷陰極アレイ基板１０と蛍光面基板１１０間の距離が図２に示すように２００ｍｍ〜３ｍｍ程度と狭く、さらにパネル内部には大気圧を支持するためのスペーサ３０が配置されているため、排気のコンダクタンスが低い。排気管１１８を用いる場合はさらに排気コンダクタンスが低下する。したがって、フラットパネル表示装置で高い真空度を得ることが難しい。
【０００６】
さらに、真空封止した後の真空度維持には、フラットパネル表示装置内に搭載する蒸発型のＢａゲッター等、あるいは非蒸発型のＺｒゲッター等を用いるが、フラットパネル表示装置においてこれらのゲッター１２０は画像表示を妨げないよう通常図３に示すように表示領域周辺部にのみ配置せざる得ない。したがって、表示領域の中心部でガス放出等による真空劣化が生じた場合、排気コンダクタンスが低いため排気に時間がかかる。その間に、冷陰極表面が汚染されたり、放電が起き冷陰極が破壊されたりする。
【０００７】
本発明の目的は、冷陰極アレイと蛍光面を組み合わせたフラットパネル表示装置において、フラットパネル表示装置内の高い真空度を達成するとともに、表示装置内のどの場所に於いても素早く放出ガスを排気し、フラットパネル表示装置内全体を高い真空度に維持し、信頼性の高いフラットパネル表示装置を実現することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、冷陰極の電子放出部以外の表面の少なくとも一部、または、冷陰極と蛍光面の間の電極の表面の少なくとも一部に、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群の中から選ばれた少なくとも１種またはそれを主成分とする合金の膜を形成し、それらの膜がガスを排気するゲッターとして使用することにより達成できる。
【０００９】
すなわち、フラットパネル表示装置内のほぼ全面に形成される冷陰極アレイ自身、または冷陰極アレイと蛍光面間に挟まれる電極などの構造物自身がゲッター作用を有することにより、フラットパネル表示装置内のどの場所に於いても素早い排気が可能となる。したがって排気が行いやすくフラットパネル表示装置内部全体の高真空化が達成できる。さらに、局所的なガス放出の素早い排気が可能となり、冷陰極汚染の防止、放電の防止が可能となる。
【００２７】
実施例３
冷陰極に薄膜型電子源を用いた場合の本発明の実施例を図９〜１１に示す。ここではＭＩＭ型の電子源を例に説明するがＭＩＳ型も同様の手法が応用できる。
【００２８】
まず、下部電極１１用の金属膜を成膜する。下部電極１１の材料としてはＡｌやＡｌ合金を用いる。ここでは、Ｎｄを２原子量％ドープしたＡｌ−Ｎｄ合金を用いた。成膜には例えば、スパッタリング法を用いる。膜厚は３００ｎｍとした。成膜後はホト工程、エッチング工程により図９（ａ）に示すようなストライプ形状の下部電極１１を形成する。エッチングは例えば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でのウェットエッチングを用いる。
【００２９】
次に、保護絶縁層１４、絶縁層１２の形成方法を図９（ｂ）を用いて説明する。まず下部電極１１上の電子放出部となる部分をレジスト膜でマスクし、その他の部分を選択的に厚く陽極酸化し，保護絶縁層１４とする。化成電圧を１００Ｖとすれば、厚さ約１３６ｎｍの保護絶縁層１４が形成される。つぎにレジスト膜を除去し残りの下部電極１１の表面を陽極酸化する。例えば化成電圧を６Ｖとすれば、下部電極１１上に厚さ約１０
ｎｍの絶縁層１２が形成される。
【００３０】
次に図９（ｃ）に示すように上部電極１３への給電線となる上部バス電極膜をスパッタリング法で成膜し、加工する。ここでは多層膜を用い上部バス電極下層１５の材料としてＷを、上部バス電極中間層として１６の材料としてＡｌ−Ｎｄ合金、上部バス電極上層として１７の材料として表面をＴｉＮの保護膜１８で被覆したＴｉ、表面をＺｒＮの保護膜１８で被覆したＺｒで、あるいは表面をＨｆＮの保護膜１８で被覆したＨｆで形成した。その膜厚は、上部バス電極下層１５は後で形成する上部電極１３が上部バス電極下層１５の段差で断線しないように数ｎｍ〜数１０ｎｍ程度と薄くし、上部バス電極中間層１６は給電を十分にするため、数１００ｎｍ程度と厚く成膜する。加工は、ホト工程、エッチング工程により上部バス電極の積層膜を下部電極１１とは直交する方向にストライプ状にエッチングする。エッチングは、上部バス電極上層１７のＴｉ等とその保護膜１８のＴｉＮ等の積層膜、上部バス電極中間層１６のＡｌ−Ｎｄを連続してエッチングする。さらに上部バス電極下層１５のＷを上層、中間層より外側に延在するようにエッチングし、上部電極１３への給電パッドとする。
【００３１】
最後に図9(d)に示すように上部電極13のスパッタ成膜、加工を行う。上部電極13の膜厚は数nmである。ここでは3nmとした。また、上部電極13は電子放出部と上部バス電極との給電をとる部分以外は除去する。これにより、上部バス電極表面に表面をTiN等の保護膜18で被覆したTi等を露出させることができる。
また、上部電極13としては TiN、ZrN、HfNの積層膜を用いることができる。この場合は電子放出部以外の上部バス電極上に上部電極13の膜を残しても、上部バス電極表面の構造がTiNの保護膜18で被覆したTi、表面をZrNで被覆したZr膜、表面をHfNで被覆したHf膜となる。
【００３２】
図10に別の構造のMIM型電子源の例を示す。この構造は、下部電極11、保護絶縁層14、絶縁層12、上部バス電極が電子放出部を除きパシベーション膜19で被覆されている。したがって、 TiNの保護膜18で被覆したTi膜等はパシベーション膜19上に形成する。また、上部電極13はその上から形成する。上部電極13がTiN、ZrN、HfNの場合には電子放出部のみではなく図10のように全面に形成しても構わない。
【００３３】
次に、図１１に示すように上記の薄膜型電子源アレイを形成した基板１０を別途作製した蛍光面の面板１１０とスペーサ３０と枠部材１１６を介し、表示部の周辺にゲッター１２０を配してフリットガラス１１５を用いて封着、排気する。ゲッター１２０は非蒸発型ゲッターをパネル内に配置するか、ゲッター室を設け蒸発型Ｂａゲッターを配置する。フリットガラス封着は大気中でも可能であるが、ＴｉＮ膜等の保護膜１８のダメージを防止するため、窒素やＡｒ等のガス中あるいは真空中で行うのが望ましい。ガス中で封着した場合は、排気管１１８を用いて加熱排気を行って脱ガスし排気管１１８をチップオフし封止する。真空中で封着した場合は排気管１１８を用いず、封着過程で脱ガスを兼ねることも可能である。
【００３４】
本実施例の薄膜型電子源アレイ基板を用いた場合、排気管１１８を用い加熱排気を行う際、あるいは真空封着の際、真空中で薄膜型電子源アレイが加熱されることによりＴｉＮ、ＺｒＮ等のＮがＴｉ膜、あるいはＺｒ膜等の内部に拡散し、保護膜１８が除去されて活性なＴｉ膜、Ｚｒ膜等が露出する。この膜は表示装置内の残留ガスと反応するようになり、ゲッター作用を発揮する。
【００３５】
このように本発明によれば、冷陰極を用いたフラットパネル表示装置の表示部周囲のみならず、表示部全体にわたりゲッターを備えることができる。したがって、従来問題であった排気コンダクタンスの低さに起因するフラットパネル表示装置の低真空、局所的なガス放出に対する排気の遅さが解消される。
【００４１】
【発明の効果】
本発明によれば、ゲッターを冷陰極アレイ基板内、あるいはグリット電極等に内蔵するフラットパネル表示装置を作成できる。そのため、フラットパネル表示装置の低真空、局所的なガス放出に対する排気の遅さが解消される。したがって、放電や冷陰極アレイの表面汚染等の劣化が起きない信頼性の高いフラットパネル表示装置を作成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のフラットパネル表示装置の構造を示す図である。
【図２】従来のフラットパネル表示装置の構造を示す図である。
【図３】本発明の薄膜型電子源の構造、製法を示す図である。
【図４】本発明の薄膜型電子源の別の構造を示す図である。
【図５】本発明の薄膜型電子源アレイを用いたフラットパネル表示装置の構造を示す図である。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a flat panel display device combining a cold cathode array and a phosphor screen.
[0002]
[Prior art]
As a flat panel display device combining a cold cathode and a fluorescent screen, for example, a field emission display (hereinafter, FED) using a field emission cathode array, a surface conduction type display (Surface) using a surface conduction type electron source Thin-film types such as -Conduction-Electron-Emitter-Display (hereinafter, SED), Metal-Insulator-Metal (Metal-Insulator-Metal, hereinafter MIM) and Metal-Insulator-Semiconductor (hereinafter, MIS). Research and development have been made on a device using an electron source and a device combining a grit electrode with an electron emission film such as a diamond film or a diamond-like carbon film.
[0003]
These flat panel displays have the same display principle as cathode-ray tubes and are based on the emission of phosphors by accelerated electron beams, so they have the characteristics of obtaining excellent image quality such as high brightness, high contrast, and high-speed response. is there.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In a flat panel display device in which a cold cathode and a phosphor screen are combined, it is necessary to maintain a vacuum between the cold cathode to accelerate an electron beam emitted from the cold cathode and make the electron beam incident on the phosphor screen. The vacuum requires a high degree of vacuum. When the degree of vacuum is low, a discharge occurs due to a high voltage applied between the cold cathode and the phosphor screen, and the cold cathode is sputtered by the ionized residual gas. In addition, when the cold cathode surface is contaminated with residual gas, the work function of the surface increases, or electrons are scattered in the surface contaminant layer, thereby reducing the amount of emitted electrons and causing irregular current fluctuations. . In particular, an FED using a field emission cathode array is sensitive to surface contamination, and at the worst, a high degree of vacuum of the order of 10 ⁻⁷ Torr or less is required.
[0005]
However, in a flat panel display device combining a cold cathode and a fluorescent screen, the distance between the cold cathode array substrate 10 and the fluorescent screen substrate 110 is as small as about 200 mm to 3 mm as shown in FIG. The conductance of exhaust is low because the spacers 30 for supporting the airtightness are arranged. When the exhaust pipe 118 is used, the exhaust conductance further decreases. Therefore, it is difficult to obtain a high degree of vacuum in a flat panel display device.
[0006]
Further, in order to maintain the degree of vacuum after vacuum sealing, an evaporable Ba getter or a non-evaporable Zr getter mounted in a flat panel display device is used. Must be arranged only in the periphery of the display area as shown in FIG. 3 so as not to hinder image display. Therefore, when vacuum deterioration occurs due to gas release or the like at the center of the display area, it takes a long time to exhaust because of low exhaust conductance. During that time, the surface of the cold cathode is contaminated, or a discharge occurs to destroy the cold cathode.
[0007]
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to achieve a high degree of vacuum in a flat panel display device in which a cold cathode array and a phosphor screen are combined, and to quickly exhaust gas at any place in the display device. Another object of the present invention is to maintain a high degree of vacuum in the entire flat panel display device and realize a highly reliable flat panel display device.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The above object is achieved by selecting at least a part of the surface of the cold cathode other than the electron emission portion or at least a part of the surface of the electrode between the cold cathode and the phosphor screen from a group consisting of Ti, Zr, and Hf. This can be achieved by forming at least one or a film of an alloy containing the same as a main component, and using the films as getters for exhausting gas.
[0009]
That is, the cold cathode array itself formed almost over the entire surface of the flat panel display device, or the structure itself such as an electrode sandwiched between the cold cathode array and the phosphor screen has a getter function, so that the flat panel display device has Quick exhaust is possible in any place. Therefore, exhaust can be easily performed, and a high vacuum can be achieved in the entire inside of the flat panel display device. Furthermore, quick exhaust with local gas release can be achieved, thereby preventing cold cathode contamination and discharge.
[0027]
Example 3
9 to 11 show embodiments of the present invention in which a thin-film electron source is used for a cold cathode. Here, a MIM type electron source will be described as an example, but a similar method can be applied to an MIS type.
[0028]
First, a metal film for the lower electrode 11 is formed. As a material of the lower electrode 11, Al or an Al alloy is used. Here, an Al—Nd alloy doped with 2 atomic% of Nd was used. For example, a sputtering method is used for film formation. The film thickness was 300 nm. After the film formation, a stripe-shaped lower electrode 11 as shown in FIG. 9A is formed by a photo process and an etching process. For the etching, for example, wet etching using a mixed aqueous solution of phosphoric acid, acetic acid, and nitric acid is used.
[0029]
Next, a method for forming the protective insulating layer 14 and the insulating layer 12 will be described with reference to FIG. First, a portion serving as an electron emission portion on the lower electrode 11 is masked with a resist film, and the other portion is selectively anodized thickly to form a protective insulating layer 14. If the formation voltage is 100 V, the protective insulating layer 14 having a thickness of about 136 nm is formed. Next, the resist film is removed, and the surface of the remaining lower electrode 11 is anodized. For example, if the formation voltage is 6 V, a thickness of about 10
An insulating layer 12 of nm is formed.
[0030]
Next, as shown in FIG. 9C, an upper bus electrode film serving as a power supply line to the upper electrode 13 is formed by a sputtering method and processed. Here, a multilayer film is used to coat W as the material of the upper bus electrode lower layer 15, an Al—Nd alloy as the material 16 as the upper bus electrode intermediate layer, and a TiN protective film 18 as the material 17 as the upper bus electrode upper layer. Ti, Zr whose surface was coated with a protective film 18 of ZrN, or Hf whose surface was coated with a protective film 18 of HfN. The film thickness of the upper bus electrode lower layer 15 is reduced to about several nm to several tens nm so that the upper electrode 13 to be formed later is not disconnected due to a step of the upper bus electrode lower layer 15. In order to make it sufficient, the film is formed as thick as about several hundreds of nm. In the processing, the stacked film of the upper bus electrode is etched in a stripe shape in a direction orthogonal to the lower electrode 11 by a photo process and an etching process. In the etching, a laminated film of Ti or the like of the upper layer 17 of the upper bus electrode, a TiN film or the like of the protective film 18 thereof, and Al-Nd of the upper bus electrode intermediate layer 16 are continuously etched. Further, W of the upper bus electrode lower layer 15 is etched so as to extend outside the upper layer and the intermediate layer, thereby forming a power supply pad for the upper electrode 13.
[0031]
Finally, as shown in FIG. 9D, the upper electrode 13 is formed by sputtering and processing. The film thickness of the upper electrode 13 is several nm. Here, it was set to 3 nm. In addition, the upper electrode 13 is removed except for a portion for supplying power to the electron emission portion and the upper bus electrode. Thereby, Ti or the like whose surface is covered with the protective film 18 such as TiN can be exposed on the surface of the upper bus electrode.
Further, as the upper electrode 13, a laminated film of TiN , ZrN, and HfN can be used. In this case, even if the film of the upper electrode 13 is left on the upper bus electrode other than the electron-emitting portion, the structure of the upper bus electrode surface is Ti coated with the TiN protective film 18, the surface is coated with ZrN, and the surface is coated with ZrN. Becomes an Hf film coated with HfN.
[0032]
FIG. 10 shows an example of a MIM type electron source having another structure. In this structure, a lower electrode 11, a protective insulating layer 14, an insulating layer 12, and an upper bus electrode are covered with a passivation film 19 except for an electron emission portion. Therefore, a Ti film or the like covered with the TiN protective film 18 is formed on the passivation film 19. The upper electrode 13 is formed from above . Upper portion electrode 13 is TiN, ZrN, in the case of HfN may be formed on the entire surface as shown in FIG. 10 not only the electron-emitting portion.
[0033]
Next, as shown in FIG. 11, a getter 120 is disposed around the display unit via a phosphor face plate 110, a spacer 30, and a frame member 116, which are separately manufactured from the substrate 10 on which the thin film type electron source array is formed. Then, sealing and exhaust are performed using frit glass 115. The getter 120 arranges a non-evaporable getter in a panel or provides a getter chamber and arranges an evaporable Ba getter. The frit glass sealing can be performed in the air, but is preferably performed in a gas such as nitrogen or Ar or in a vacuum in order to prevent damage to the protective film 18 such as a TiN film. When sealing is performed in a gas, heating exhaust is performed using the exhaust pipe 118 to degas, and the exhaust pipe 118 is chipped off and sealed. When sealing is performed in a vacuum, the exhaust pipe 118 is not used, and degassing can be performed in the sealing process.
[0034]
When the thin-film type electron source array substrate of this embodiment is used, when heating and exhausting using the exhaust pipe 118 or at the time of vacuum sealing, the thin-film type electron source array is heated in a vacuum so that TiN, ZrN N diffuses into the Ti film, the Zr film, or the like, and the protective film 18 is removed to expose the active Ti film, the Zr film, or the like. This film reacts with the residual gas in the display device to exhibit a getter function.
[0035]
As described above, according to the present invention, the getter can be provided not only around the display unit of the flat panel display device using the cold cathode but also over the entire display unit. Therefore, it is possible to eliminate the conventional problem of low vacuum and low gas exhaustion delay due to low exhaust conductance due to low exhaust conductance.
[0041]
【The invention's effect】
According to the present invention, a flat panel display device in which a getter is built in a cold cathode array substrate or in a grid electrode or the like can be produced. For this reason, the delay in evacuation due to low vacuum and local gas release of the flat panel display device is eliminated. Therefore, a highly reliable flat panel display device free from deterioration such as discharge and surface contamination of the cold cathode array can be produced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a structure of a conventional flat panel display device.
FIG. 2 is a diagram illustrating a structure of a conventional flat panel display device.
FIG. 3 is a view showing a structure and a manufacturing method of a thin film type electron source of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing another structure of the thin-film electron source of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing a structure of a flat panel display device using the thin-film type electron source array of the present invention.

Claims

下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に挟持される電子加速層とを有し、前記下部電極と前記上部電極間に電圧を印加することにより、前記上部電極側から電子を放出する複数の薄膜型電子源を有する第１の基板と、枠部材と、蛍光体を有する第２の基板とを備え、前記第１の基板、前記枠部材および前記第２の基板とで囲まれる空間が真空雰囲気であり、前記上部電極はＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮからなる群の中から選ばれた遷移金属の窒化物から形成されていることを特徴とする表示装置。A lower electrode, an upper electrode, and an electron accelerating layer sandwiched between the lower electrode and the upper electrode, and by applying a voltage between the lower electrode and the upper electrode, A first substrate having a plurality of thin-film electron sources for emitting electrons from the substrate, a frame member, and a second substrate having a phosphor, wherein the first substrate, the frame member, and the second substrate are provided. Wherein the space surrounded by is a vacuum atmosphere, and the upper electrode is formed of a transition metal nitride selected from the group consisting of TiN, ZrN, and HfN.

下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に挟持される電子加速層と、上部電極への給電線となる上部バス電極を有し、前記下部電極と前記上部電極間に電圧を印加することにより、前記上部電極側から電子を放出する複数の薄膜型電子源を有する第１の基板と、枠部材と、蛍光体を有する第２の基板とを備え、前記第１の基板、前記枠部材および前記第２の基板とで囲まれる空間が真空雰囲気であり、前記上部電極はＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮからなる群の中から選ばれた遷移金属の窒化物から形成されており、前記上部バス電極の上層は、前記遷移金属の窒化物で、ガス捕集能力を有する遷移金属を被覆した積層膜であることを特徴とする表示装置。A lower electrode, an upper electrode, an electron acceleration layer sandwiched between the lower electrode and the upper electrode, and an upper bus electrode serving as a power supply line to the upper electrode; A first substrate having a plurality of thin-film electron sources for emitting electrons from the upper electrode side by applying a voltage to the first electrode, a frame member, and a second substrate having a phosphor, The space surrounded by the substrate, the frame member, and the second substrate is a vacuum atmosphere, and the upper electrode is formed of a transition metal nitride selected from the group consisting of TiN, ZrN, and HfN. A display device, wherein an upper layer of the upper bus electrode is a laminated film coated with a transition metal having a gas-capturing ability with a nitride of the transition metal.

下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に挟持される電子加速層と、電子放出部以外を保護するパシベーション膜を有し、前記下部電極と前記上部電極間に電圧を印加することにより、前記上部電極側から電子を放出する複数の薄膜型電子源を有する第１の基板と、枠部材と、蛍光体を有する第２の基板とを備え、前記第１の基板、前記枠部材および前記第２の基板とで囲まれる空間が真空雰囲気であり、前記上部電極はＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮからなる群の中から選ばれた遷移金属の窒化物から形成されており、前記パシベーション膜上に前記上部電極に用いた遷移金属の窒化物で、ガス捕集能力を有する遷移金属を被覆した積層膜が形成されていることを特徴とする表示装置。A lower electrode, an upper electrode, an electron acceleration layer sandwiched between the lower electrode and the upper electrode, and a passivation film for protecting portions other than the electron emission portion, and a voltage between the lower electrode and the upper electrode. A first substrate having a plurality of thin-film electron sources for emitting electrons from the upper electrode side by applying a voltage, a frame member, and a second substrate having a phosphor, wherein the first substrate A space surrounded by the frame member and the second substrate is a vacuum atmosphere, and the upper electrode is formed of a transition metal nitride selected from the group consisting of TiN, ZrN, and HfN; A display device, wherein a laminated film is formed on the passivation film, which is made of a transition metal nitride used for the upper electrode and is coated with a transition metal having a gas collecting ability.

前記ガス捕集能力を有する遷移金属はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆであることを特徴とする請求項２または３に記載の表示装置。4. The display device according to claim 2, wherein the transition metal having the gas collecting ability is Ti, Zr, Hf. 5.