JP3598586B2 - 車両用交流発電機 - Google Patents

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、車両用交流発電機（オルタネータ）に関し、特にオルタネータ内の鉄損を低減して発電効率の向上を図ったものであり、その適用範囲は、通常のエンジン駆動のオルタネータのみならず、車両制動時の回生発電を行う発電電動可能なオルタネータ、あるいは車両走行モータの、回生発電を行うものにも及ぶものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の車両の低燃費化の要請を背景に、オルタネータの発電効率の向上が求められている。発電効率の向上を図るためには発電時の損失を低減する必要があり、この損失の大きな割合を占める鉄損を低減する必要がある。
周知のように、同期発電機の場合、鉄損ＷＦ は主にステータコア内で発生し、数１で示すように、ステータコアを横切る磁束変化の周波数ｆと、最大磁束密度Ｂｍの関数となる。
【０００３】
【数１】
ＷＦ ＝σｈ ・ｆ・Ｂｍ^２ ＋σｅ ・ｆ^２ ・Ｂｍ^２
ここで第１項はヒステリシス損、第２項は渦電流損であり、σｈ 、σｅ はそれぞれ素材により決まる定数である。
したがって、鉄損ＷＦ を低減するには、上記周波数ｆと最大磁束密度Ｂｍの可及的な低減が必要である。
【０００４】
ここで、ロータの回転角速度をωとすると、ステータコアを横切る磁束量Φ（ｔ）は、数２に示すように、基本周波数に対して２倍、３倍の高調波成分を含んでいる。
【０００５】
【数２】
Φ（ｔ）＝Φｏ ｛ｓｉｎ ωｔ ＋ｋ_１ｓｉｎ （２ωｔ ＋σ_１ ）＋ｋ_２ｓｉｎ （３ωｔ ＋σ_２ ）……｝
磁束量Φ（ｔ）の変化に高調波成分が現れる理由は、ロータの磁極コアにより形成される磁界が正弦波的に滑らかに変化せず、歪んでいることによるもので、この高調波成分によって上記周波数ｆが実質的に高くなって鉄損が大きくなる。
【０００６】
この磁束変化を滑らかにするために従来は、磁極コアの表面に面取りを施し、あるいは磁極スキュウを大きくする等の対策が採られている。一方、最大磁束密度を小さくするためには、ステータコアの断面積を大きくする等の対策が採られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、磁極コアに面取りを施す等の対策は、反面で磁極コアの表面面積の減少による発電出力の低下を招くため、トレードオフによる限度があった。
また、ステータコアの断面積を大きくする対策も、これに伴ってステータコイルの巻線スペースが低減し、オルタネータの出力インピーダンスの増大による発電出力の低下を招くため、この場合もトレードオフによる限度があった。
【０００８】
本発明はこのような課題を解決するもので、トレードオフによる限界を生じることなく磁束変化周波数と最大磁束密度をいずれも十分低減して、内部鉄損を小さくし、発電効率の向上を実現した車両の交流発電機を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明においては、
ロータコイル（１４）により交互に異なる極性に励磁されるランデル型爪状磁極（１１）を外周の周方向へ一定間隔で形成したロータ（１）と、
前記ランデル型爪状磁極（１１）の間に配設され、周方向の両側面が、隣接する前記各ランデル型爪状磁極（１１）と同一極性にそれぞれ着磁されて、ステータコイル（４１）へ向かう磁束量を、周方向で滑らかな曲線をなすように変化させる永久磁石（２Ａ、２Ｂ）と、
前記ステータコイル（４１）に発生する交流電圧を直流電圧に変換して当該ステータコイル（４１）の電流によりバッテリ（５３）を充電するＭＯＳ型トランジスタ（５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ、５１Ｄ、５１Ｅ、５１Ｆ）で構成された整流用スイッチング手段（５１）と、
を備える。
【００１０】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の車両用交流発電機において、前記ステータコイル（４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ）は三相で設けられ、前記ＭＯＳ型トランジスタは互いに直列に接続された三対（５１Ａと５１Ｂ、５１Ｃと５１Ｄ、５１Ｅと５１Ｆ）を、前記バッテリ（５３）の端子間に並列に接続して、これら対となったＭＯＳ型トランジスタの接続点間に、各相の前記ステータコイルを接続する。
【００１１】
請求項３に記載の発明では、請求項１又は２に記載の車両用交流発電機において、前記ＭＯＳ型トランジスタ（５１Ａ〜５１Ｆ）はＳｉＣ材を使用したものである。
請求項４に記載の発明では、請求項１ないし３のいずれか１つに記載の車両用交流発電機において、前記永久磁石（２Ａ、２Ｂ）は、断熱性のある樹脂製保持体（２１）内に収納されて前記各ランデル型爪状磁極（１１）の間に設けられている。
【００１２】
請求項５に記載の発明では、請求項４に記載の車両用交流発電機において、前記保持体（２１）は、ロータ（１）の外周面上へ前後の側面から交互に突出する前記ランデル型爪状磁極（１１）の間を縫うように、周期的に折り返されたリング状をなし、かかる保持体（２１）の折り返し脚部（２１１）内にそれぞれ前記永久磁石（２Ａ、２Ｂ）が収納されている。
【００１３】
請求項６に記載の発明では、請求項４又は５に記載の車両用交流発電機において、前記ランデル型爪状磁極（１１）には少なくとも周方向の両側縁に鍔部（１１１）が突設されて、これら鍔部（１１１）が前記保持体（２１）の外周面に当接している。
請求項７に記載の発明では、請求項１ないし６のいずれか１つに記載の車両用交流発電機において、前記永久磁石（２Ａ、２Ｂ）は異方性フェライト磁石又は希土類磁石粉である。
【００１４】
なお、上記各手段のカッコ内の符号は、後述する実施例記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【００１５】
【発明の作用効果】
請求項１に記載の発明によれば、ランデル型爪状磁極の間に設けた永久磁石により、ステータコイルへ向かう磁束量が周方向で滑らかに変化させられるから、磁束変化中の高調波成分が除去され、ステータコアでの鉄損が低減される。
また、整流用のスイッチング手段がオン抵抗の小さいＭＯＳ型トランジスタで構成されるから、整流用スイッチング手段（整流器ともいう）での電圧降下が少なくなる分、発電電圧を低くすることができ、これに比例する最大磁束密度が低下して同様にステータコアでの鉄損が低減される。
【００１６】
さらに、整流用スイッチング手段における発熱が低減されるから、放熱フィンの小型化等により整流用スイッチング手段全体のコンパクト化が実現される。
請求項２に記載の発明によれば、三相交流の交流発電機において、その発電損失を低減することができる。
請求項３に記載の発明によれば、ＳｉＣ材を使用したＭＯＳ型トランジスタは、必要耐圧を確保しても、通常のＳｉ材を使用したものに比してさらにオン抵抗が小さく、発電電圧および最大磁束密度がさらに低減して、ステータコアでの鉄損が十分小さくなる。
【００１７】
請求項４に記載の発明によれば、保持体内に設けた永久磁石にランデル型爪状磁極で生じる熱が伝達しないから、永久磁石の温度上昇による高温減磁を防止でき、高温下でも磁束変化を滑らかに維持できる。
請求項５に記載の発明によれば、複数の永久磁石が保持体内に一体に収納されてるから、永久磁石の組付け保管が容易である。また、各ランデル型爪状磁極は三方を断熱性のある保持体で囲まれるから熱の過度な放散が妨げられ、適度な温度上昇により表面の電気抵抗が大きくなって渦電流の発生が防止される。これによって、ランデル型爪状磁極における鉄損も小さくなる。
【００１８】
請求項６に記載の発明によれば、鍔部の存在によって、ランデル型爪状磁極と永久磁石の境界における磁束変化がさらに滑らかになる。また、鍔部によって、保持体の確実な位置決めがなされる。
請求項７に記載の発明によれば、永久磁石に略電気絶縁体であるフェライト製の異方性磁石又は希土類磁石粉を使用することで、永久磁石内に渦電流を発生させず、損失低減が促進される。
【００１９】
【実施例】
以下、本発明を図に示す実施例について説明する。
〔磁束変化周波数を低減する構造と作用〕
図１にはオルタネータの全体縦断面を示す。オルタネータのフレーム６は、半容器状のドライブフレーム６１とリアフレーム６２とを衝合して構成されている。フレーム６の中心にはベアリング７１、７２により支持されてシャフト７３が設けてあり、シャフト７３は前端（図の左端）に装着されたプーリ７４を介して入力するエンジン動力により回転させられる。
【００２０】
シャフト７３にはランデル型ロータコアが固定されており、このロータコアはフロントコア１２とリヤコア１３を衝合したものである。ランデル型ロータコアにはロータコイル１４が巻回されており、ロータコイル１４の外周に近接して、ＰＰＳ等の樹脂材よりなる保持体２１内に埋設されたフェライト製の異方性永久磁石２Ａが配設してある。
【００２１】
ロータ１の外観を図２に示す。フロントコア１２およびリヤコア１３からは、前後の側面より外周面上へ交互にランデル型爪状磁極１１が屈曲突出しており、各爪状磁極１１はロータコイル１４（図１）への通電により交互に異なる極性Ｎ、Ｓに励磁されている。そして、上記保持体２１が、これらランデル型爪状磁極１１の間隙を縫うように設けられている。
【００２２】
保持体２１は図３に示すように全体がリング状をなすとともに、上記ランデル型爪状磁極１１（図２）の間隙に倣って周方向へ一定間隔で八字形に折り返されている。そして、折り返された各脚部２１１内に永久磁石２Ａ、２Ｂが位置している（図３では３個のみを図示）。これら永久磁石２Ａ、２Ｂは周方向の両側面が、図４に示すように、隣接するランデル型爪状磁極１１と同一極性となるように着磁されており、その磁力強度は、保持体２１の側壁を介して隣接するランデル型爪状磁極１１に現れる磁極と同程度としてある。
【００２３】
なお、図４に示すように、各爪状磁極１１には外周端（図の上端）の周方向両側縁に一定幅の鍔部１１１が、保持体２１内に配設された磁石に対して少なくとも外径方向に一部重なるように突設され、これら鍔部１１１によって保持体２１の各脚部２１１の両側縁が位置決めされている。
図１において、ロータ１の外周に近接してリング状のステータ４が設けられ、ステータコア４２に周方向等間隔で形成されたスロットには、公知の構造でステータコイル４１が巻回されている。ロータ１が回転すると各磁極コア１１と永久磁石２Ａ、２Ｂにより形成される磁束がステータコイル４１を横切って、これに交流の発電電圧を発生させる。
【００２４】
この場合の、ステータコイル４１を横切る磁束量Φｒ の変化を図５に示す。なお、図１１には永久磁石２Ａ、２Ｂを設けない従来のロータによる磁束量Φｒ の変化を示す。図より知られるように、磁極コア１１における交互に極性の異なる急峻な磁束量の変化Φｒ が、これらの間に設けた永久磁石２Ａ、２Ｂの磁束により滑らかに繋がれて反転し、正弦波に近い変化状態を示している。
【００２５】
したがって、上記数２に示した磁束変化の高調波成分は十分小さくなり、上記数１における周波数ｆが小さくなって、ステータコアの鉄損が減少し、発電効率が向上する。
特に、本実施例では磁極コア１１の両側縁に鍔部１１１を、磁石に対して外周方向に一部重なるように形成したから、磁極コア１１と永久磁石２Ａ、２Ｂとの境界における磁束の連続性が向上するとともに、永久磁石２Ａ、２Ｂが鍔部１１１により確実に位置決めされる。
【００２６】
また、永久磁石２Ａ、２Ｂは熱絶縁性のある樹脂製の保持体２１内に位置しているから、爪状磁極１１の発熱の影響を受けることがなく、温度上昇による高温減磁を防止でき、高温下でも滑らかな磁束変化を維持できる。そして、複数の永久磁石２Ａ、２Ｂが一体に保持体２１内に収納されているから、ロータ１のフロントコア１２とリヤコア１３間への組付けが容易であり、また、部品保管の手間も軽減される。
【００２７】
そして、爪状磁極１１は上記保持体２１により三方を囲まれているから、自己の発熱で温度が適度に上昇し、表面の電気抵抗が増大して渦電流が減少する。これによっても、オルタネータ内の損失低減が実現される。
さらに、フェライトは略電気絶縁体であるから、永久磁石内に生じる渦電流は小さく、これによってもオルタネータ内の損失低減が促進される。
【００２８】
図１において、ロータ１には前後の端面に送風ファン１５、１６が設けられており、ロータ１の回転に伴って、ドライブフレーム６１の前面およびリアフレーム６２の後面に複数設けた吸気口６１１、６２１から外気を吸入する（図の矢印）。吸入された外気はロータコイル１４、ステータコイル１４および後述する電圧調整器等を冷却した後、各フレーム６１、６２の外周面にそれぞれ複数設けた排気口６１２、６２２から排出される。
【００２９】
リアフレーム６２から突出するシャフト７３の後端外周には、ロータコイル１４へ給電するスリップリング７５が設けられて、これにブラシ７６が接触している。また、シャフト７３の後端部を覆ってカバー体７７が設けられて、このカバー体７７内に、詳細を後述する全波整流器を含む電圧調整器が収納されている。
〔最大磁束密度を低減する構造と作用〕
図６にバッテリ５３を充電するオルタネータの電気回路図を示す。電圧調整器５内の電圧調整部５２はバッテリ５３の電圧を読み取って、これが一定となるようにロータコイル１４への通電をＯＮ、ＯＦＦ制御する。
【００３０】
ステータコイルは実際には図に示すようにΔ結線された三相の各コイル４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃにより構成され、これらコイル４１Ａ〜４１Ｃの出力端電圧ＶＶ 、ＶＵ 、ＶＷ が、三相全波整流器を構成する三対のＭＯＳ型トランジスタ５１Ａ〜５１Ｆの各接続点に入力するとともに、電圧調整部５２に入力している。
すなわち、各トランジスタは、ハイサイドのもの５１Ａ、５１Ｃ、５１ＥのドレインＤとローサイドのもの５１Ｂ、５１Ｄ、５１ＦのソースＳが互いに接続され、ハイサイドのトランジスタ５１Ａ、５１Ｃ、５１ＥのソースＳがバッテリ５３の高電位側に接続されるとともに、ローサイドのトランジスタ５１Ｂ、５１Ｄ、５１ＦのドレインＤがバッテリ５３の低電位側に接続されている。各トランジスタ５１Ａ〜５１Ｆは、電圧調整部５２からゲートＧに入力する信号によって導通が制御される。
【００３１】
上記各ＭＯＳ型トランジスタ５１Ａ〜５１Ｆの構造は同一であり、これを図７を参照して以下に説明する。
図において、ＳｉＣ材のＮ^＋ 型基板５１１上にＮ型耐圧層５１２がエピタキシャル成長により形成され、Ｎ型耐圧層５１２の表面部にＰ型ウエル領域５１３がアルミニウムをイオン注入することにより形成されている。
【００３２】
さらにＰ型ウエル領域５１３の表面部にＮ^＋ 型領域５１４が窒素をイオン注入することにより形成され、ウエハ表面のトレンチ形成予定領域だけを開口してレジストや絶縁膜でマスクしつつ、周知のＲＩＥドライエッチングによりトレンチ５１５が凹設される。
その後、トレンチ５１５の表面に熱酸化法によりシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜５１６を形成し、その後、トレンチ５１５にドープドポリシリコンからなる電極５１７を形成してゲートＧとする。その後、金属電極５１８をＮ^＋ 型領域５１４及びＰ型ウエル領域５１３の表面にコンタクトしてドレインＤとし、金属電極をＮ^＋ 型基板５１１の表面にコンタクトしてソースＳとする。
【００３３】
上記Ｐ型ウエル領域５１３（すなわちゲート電極５１７直下の領域）とソースＳあるいはドレインＤとの間に、それぞれソース接続側の寄生ダイオードＤｓ（図６参照）とドレイン接続側の寄生ダイオードＤｄとが生じるが、寄生ダイオードＤｄは短絡されて、寄生ダイオードＤｓがバッテリ５３からの逆流を阻止する。
【００３４】
次に、図６の電圧調整部５２による各ＭＯＳ型トランジスタ５１Ａ〜５１Ｆの開閉制御について説明する。
電圧調整部５２は、三相ステータコイル４１Ａ〜４１Ｃの出力端電圧Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗを読み込み、その線間発電電圧Ｖｕ−Ｖｖ，Ｖｖ−Ｖｗ，Ｖｗ−Ｖｕの中から、正値でかつバッテリ５３の端子電圧より大きい線間発電電圧を選択する。
【００３５】
そして、この選択した線間発電電圧Ｖｕ−Ｖｖ，Ｖｖ−Ｖｗ，Ｖｗ−Ｖｕがバッテリ５３に印加されるように、ハイサイドのトランジスタ５１Ａ、５１Ｃ、５１Ｅの一つと、ローサイドのトランジスタ５１Ｂ、５１Ｄ、５１Ｆの一つとを導通作動させる。これにより、選択された三相ステータコイル４１Ａ〜４１Ｃからバッテリ５３へ充電電流が供給される。
【００３６】
ところで、本実施例では既述のように、ＭＯＳ型トランジスタの素材として単結晶ＳｉＣを使用しているため、Ｎ型耐圧層５１２の厚さ及び不純物濃度を従来のＳｉに比較して大幅に向上することができる。
すなわち、Ｓｉの場合、その降伏電界強度は約３０Ｖ／μｍであり、簡単のために、耐圧３００ＶをＮ型耐圧層５１２で負担すると考えると、耐圧層５１２の必要厚さは約２０μｍ、その不純物濃度は１×１０^１５原子／ｃｍ^３ 、抵抗率は約５Ω・ｃｍとなる。
【００３７】
これに対して、ＳｉＣの降伏電界強度は４００Ｖ／μｍ程度であり、Ｎ型耐圧層５１２の必要厚さは約４μｍ、その不純物濃度は２×１０^１６原子／ｃｍ^３ 、抵抗率は約１．２５Ω・ｃｍとなる。
したがって、ＳｉＣ材を使用したＭＯＳ型トランジスタ（ＳｉＣ−ＭＯＳ）のＮ型耐圧層５１２の抵抗は、Ｓｉ材のＭＯＳ型トランジスタ（Ｓｉ−ＭＯＳ）のＮ型耐圧層の抵抗に比べて１／２０にまで低減できることになる。
【００３８】
この結果、ＳｉＣ−ＭＯＳにおけるソース寄生抵抗Ｒｓ（図７参照）はＳｉのそれに比較して１／２０に低減され、これに応じてチャンネル抵抗も大幅に減少する。
図８にはＳｉＣ−ＭＯＳのＩＤ −ＶＤＳ特性を示し、図の二点鎖線で示すダイオードの順方向特性に比して、７５Ａの出力電流ＩＤ でも電圧降下ＶＤＳは小さく、オン抵抗の小さいことが知られる。
【００３９】
図９には、ＭＯＳトランジスタの要求耐圧を変えた場合のオン抵抗率についての計算結果の一例を示す。なお、このオン抵抗率はチャンネル抵抗とＮ型耐圧層５１２の抵抗Ｒｓとの和である。チャンネル抵抗は各種ファクタにより変動するものの、図からわかるように高耐圧領域ではＮ型耐圧層５１２の抵抗Ｒｓが支配的となって、耐圧が増加してもチャンネル抵抗自体はほとんど変化しない。
【００４０】
したがって、Ｓｉ−ＭＯＳでは耐圧２５Ｖ近傍から耐圧増加とともにオン抵抗率が比例的に増加するのに対して、ＳｉＣ−ＭＯＳでは耐圧２５０ＶまではＮ型耐圧層５１２の抵抗増加はほとんど無視でき、耐圧２５０Ｖを超えてはじめてオン抵抗率がゆっくりと増加する。
以上説明したように、ＳｉＣ−ＭＯＳのオン抵抗は、断線時に印加される高電圧に対して十分な耐圧を確保しつつ、大電流（７５Ａ程度）通電時にも十分小さくできるから、オルタネータの発電電圧を低くできる。これを図１０のベクトル図で説明すると、発電電圧Ｖｉは、バッテリ端子電圧Ｖｔに対して整流素子における電圧降下ＶＦ とステータのインピーダンスによる電圧降下ｒＩ、ｘＩをベクトル和したものとなる。ここで、ｒは電機子抵抗、ｘは漏れリアクタンス、Ｉは電機子電流である。
【００４１】
したがって、整流素子の電圧降下ＶＦ が小さくなれば、発電電圧Ｖｉを低くすることができる。この発電電圧Ｖｉは既述の最大磁束密度Ｂｍと比例関係にあることが知られている。したがって、オン抵抗の小さいＳｉＣ−ＭＯＳを使用して電圧降下ＶＦ を十分小さくすることにより、発電電圧Ｖｉを低くして最大磁束密度Ｂｍを小さくすることができ、この結果、オルタネータの鉄損が小さくなって発電効率が向上する。
【００４２】
また、ＳｉＣ−ＭＯＳのオン抵抗が小さいことから整流用スイッチング手段からの発熱が減少する。したがって、冷却フィンを小型にして整流用スイッチング手段および電圧調整器全体をコンパクトにすることが可能となり、リアフレーム６２（図１参照）の吸気口６２１の面積を十分確保して冷却性能を向上させることができる。
【００４３】
なお、ＳｉＣ−ＭＯＳを使用するのが最も効果的であるが、Ｓｉ−ＭＯＳを使用しても従来の整流用ダイオードを使用するのに比べれば大電流通電時のオン抵抗は小さいから、十分な効果が期待できる。
また、永久磁石としては、フェライト磁石の他に希土類磁石粉を含む樹脂磁石でも良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る、交流発電機の半断面側面図であり、ロータ部の断面は図２のＩ −Ｉ 線に沿ったものである。
【図２】本発明の一実施例に係る、ロータの全体斜視図である。
【図３】本発明の一実施例に係る、保持体の全体斜視図である。
【図４】本発明の一実施例に係る、ロータ外周部の断面図で、図２のＩＶ−ＩＶ線に沿ったものである。
【図５】本発明の一実施例に係る、ロータ外周の磁束変化を示すグラフである。
【図６】本発明の一実施例に係る、交流発電機の電気回路図である。
【図７】本発明の一実施例に係る、ＭＯＳ型トランジスタの断面図である。
【図８】本発明の一実施例に係る、ＭＯＳ型トランジスタのＶＤＳ−ＩＤ 曲線である。
【図９】本発明の一実施例に係る、ＳｉＣ−ＭＯＳ型トランジスタの耐圧−オン抵抗率曲線である。
【図１０】本発明の一実施例に係る、電圧ベクトル図である。
【図１１】従来例に係る、ロータ外周の磁束変化を示すグラフである。
【符号の説明】
１…ロータ、１１…ランデル型爪状磁極、１４…ロータコイル、４１、４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ…ステータコイル、２Ａ、２Ｂ…永久磁石、２１…保持体、２１１…脚部、５３…バッテリ、５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ、５１Ｄ、５１Ｄ、５１Ｅ、５１Ｆ…ＭＯＳ型トランジスタ、５３…バッテリ。

Claims (7)

1. ロータコイルにより交互に異なる極性に励磁されるランデル型爪状磁極を外周の周方向へ一定間隔で形成したロータと、
   前記ランデル型爪状磁極の間に配設され、周方向の両側面が、隣接する前記各ランデル型爪状磁極と同一極性にそれぞれ着磁されており、ステータコイルへ向かう磁束量を、周方向で滑らかな曲線をなすように変化させる永久磁石と、
   前記ステータコイルに発生する交流電圧を直流電圧に変換してバッテリを充電するＭＯＳ型トランジスタで構成された整流用スイッチング手段と、
   を備えたことを特徴とする車両用交流発電機。
2. 前記ステータコイルは三相で設けられ、前記ＭＯＳ型トランジスタは互いに直列に接続された三対を、前記バッテリの端子間に並列に接続して、これら対となったＭＯＳ型トランジスタの接続点間に、各相の前記ステータコイルを接続したことを特徴とする請求項１に記載の車両用交流発電機。
3. 前記ＭＯＳ型トランジスタはＳｉＣ材を使用したものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の車両用交流発電機。
4. 前記永久磁石は、断熱性のある樹脂製保持体内に収納されて前記各ランデル型爪状磁極の間に設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の車両用交流発電機。
5. 前記保持体は、ロータの外周面上へ前後の側面から交互に突出する前記ランデル型爪状磁極の間を縫うように、周期的に折り返されたリング状をなし、かかる保持体の折り返し脚部内にそれぞれ前記永久磁石が収納されていることを特徴とする請求項４に記載の車両用交流発電機。
6. 前記ランデル型爪状磁極には少なくとも周方向の両側縁に鍔部が突設されて、これら鍔部が前記保持体の外周面に当接していることを特徴とする請求項４又は５に記載の車両用交流発電機。
7. 前記永久磁石は異方性フェライト磁石又は希土類磁石粉であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の車両用交流発電機。

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