JP3596500B2 - Method for manufacturing semiconductor inspection device, semiconductor inspection device, and method for inspecting semiconductor device - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体検査装置の製造方法および半導体検査装置に係り、特にダイシング（ペレタイズ）前の半導体ウェハ上に複数形成された半導体装置について一括で検査を行うのに好適な半導体検査装置の製造方法および半導体検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、単結晶シリコンからなる半導体ウェハを複数の工程に投入し、その表面に複数の半導体装置を形成していく製造方法が知られている。
このような製造方法では、製造工程の後段に進めば進むほど半導体装置の付加価値は高くなるので、製造工程終了時に初めて半導体装置の不良が解ると、その損失額は非常に大きいものとなる。このためウェハ中に生じた半導体装置の不良品はできるだけ製造工程の初期の段階で発見しておき、これを積極的に除外していくことが望ましい。また製造途中で半導体装置の検査を行うことは、各工程における良品率の把握という点からみても好ましい。
【０００３】
図７は、従来における第１の半導体検査装置の構造を示す説明図である。同図に示すように従来の半導体検査装置１では、ホルダ２から針状のコンタクトピン３が複数引き出されている。そして当該コンタクトピン３は、その先端が検査対象となる半導体装置４の電極５に接触可能になっており、コンタクトピン３を介してホルダ２の外部に設けられた検査回路（図示せず）と半導体装置４との間で検査信号の送受信を行えるようにしている。なおコンタクトピン３の本数は、一つの半導体装置１に対し複数本であり（ピッチ等によって変動する）、電源とＧＮＤの他に幾本かのポートのＯＮ／ＯＦＦチェックが行われる。
【０００４】
図８は、従来における第２の半導体検査装置の構造を示す断面図である。同図に示すように、従来の半導体検査装置６は、外部の検査治具（図示せず）に取り付けるためのホルダ２に搭載されている。そして半導体検査装置６は、ベース基板７の上層に配線層８が形成され、当該配線層８の上部に鉛直方向に導通性を有した異方性導電性ゴム９または異方性導電部材（ペーストやフィルム）が設けられている。また当該異方性導電性ゴム９または異方性導電部材（ペーストやフィルム）の上層には、検査用バンプ１０が付いた絶縁フィルム１１が設けられており、異方性導電性ゴム９または異方性導電部材（ペーストやフィルム）は配線層８と検査用バンプ１０との間の導通を図るようにしている。このように構成された半導体検査装置６は、ホルダ７を降下させ検査用バンプ１０と半導体装置の電極とを突き合わせるようにすれば、検査信号は配線層８から異方性導電性ゴム９または異方性導電部材（ペーストやフィルム）と、検査用バンプ１０を介して半導体装置側へと伝わり、当該半導体装置の検査を行えるようになっている。なお半導体装置における電極の高さのばらつきや検査用バンプ１０の高さのばらつきが生じても、異方性導電性ゴム９または異方性導電部材（ペーストやフィルム）の弾性変形によりこれらばらつきを吸収し、電極と検査用バンプ１０との間の電気的導通を確保できるようになっている。
【０００５】
図９は、従来における第３の半導体検査装置の接触子の外観を示す説明図である。同図に示すような半導体検査装置１２にはクランク状の曲げ部１３が形成された接触子１４が設けられている。そして曲げ部１３の弾性力を利用して、接触子１４の先端を半導体装置１５の電極１６に接触させ、電気的導通を図るようにしている。なお同図に示すような接触子１４は、半導体装置の製造などで用いられているワイヤボンディングによって形成するようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし上述したいずれの半導体検査装置においても、下記に示すような問題点があった。
すなわち第１の半導体検査装置に示すようなピンコンタクト方式では、コンタクトピンの配置や配置数に制限があり、半導体ウェハに多数形成された半導体装置に対し同時にコンタクトすることができないという問題点があった。またピンを用いての接触のため、制作費もピン数に比例して高騰するという問題点もあった。
【０００７】
また第２の半導体検査装置に示すような導電性ゴムを用いた方式では、第１の半導体検査装置に比べ、半導体装置の複数の電極と接触が容易であるものの、配線層や弾性層を形成しなくてはならず、また導電性ゴムを介して配線層と検査用バンプとを貼り合わせなくてはならないため、検査装置自体の製作が困難であるという問題点があった。
【０００８】
そして第３の検査装置においては、接触子に曲げ部を設けるようにしているため、接触子のピッチを狭めていくと当該接触子同士が干渉するおそれがある。このため検査対象となる電極が増加すると接触子が当てられない電極が生じる問題点があった。
【０００９】
本発明は、上記従来の問題点に着目し、検査用の電極が増加しても容易に対応することができ、また製作も容易であり、さらに隣接する電極の高低が大きくても、この高低差を吸収することができる半導体検査装置の製造方法および半導体検査装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体装置の表面に形成された電極と、配線層との間の電気的経路を、導電性を有した弾性体と、この弾性体に貫通するコンタクト針とで構成すれば、前記電極への接触に対する耐摩耗性は前記コンタクト針で確保し、隣接する電極の高さ方向のばらつきは前記弾性体によって吸収することができるという知見に基づいてなされたものである。
【００１１】
すなわち本発明に係る半導体検査装置の製造方法は、半導体装置の表面に形成された電極にコンタクト針を接触させ、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置の製造方法であって、前記半導体装置への押し付けをなすベース基板にスルーホールと、このスルーホールの内壁面から前記ベース基板の上層側に至るよう検査用信号の伝達をなす配線層を形成し、前記スルーホール内に導電部材からなる弾性体を形成した後、この弾性体に前記コンタクト針を貫通させ、当該コンタクト針を前記弾性体によって保持するようにした。
【００１２】
また本発明に係る半導体検査装置の他の製造方法は、半導体装置の表面に形成された電極にコンタクト針を接触させ、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置の製造方法であって、前記半導体装置への押し付けをなすベース基板にスルーホールを形成し、前記スルーホール内に弾性体を形成した後、この弾性体に前記コンタクト針を貫通させ、当該コンタクト針を前記弾性体によって保持するとともに、前記コンタクト針の後端に配線層を接続するようにした。
【００１３】
そして前記スルーホール内にスキージによって導電ゴム部材を充填させた後、この導電ゴム部材に前記コンタクト針を貫通させたり、あるいはキャピラリの昇降によってボンディングワイヤを前記弾性体に貫通させ、当該弾性体に貫通された前記ボンディングワイヤを前記コンタクト針とすることが好ましい。
【００１４】
また本発明に係る半導体検査装置は、半導体装置の表面に形成された電極に接触し、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置であって、前記電極の位置に対応するようスルーホールが形成されたベース基板と、前記スルーホール内に充填され導電部材からなる弾性体と、当該弾性体に貫通し当該弾性体にて保持されるコンタクト針と、前記スルーホールの内壁面から前記ベース基板の上層側に至り検査用信号の伝達をなす配線層を有するよう構成した。
【００１５】
さらに本発明に係る他の半導体検査装置は、半導体装置の表面に形成された電極に接触し、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置であって、前記電極の位置に対応するようスルーホールが形成されたベース基板と、前記スルーホール内に充填される弾性体と、当該弾性体に貫通し当該弾性体にて保持されるコンタクト針と、当該コンタクト針の後端側に接続され検査用信号の伝達をなす配線層を有するよう構成した。
【００１６】
そして前記コンタクト針の後端側に、当該コンタクト針の保持をなす変形可能な支持部材を設け、この支持部材の変形により前記コンタクト針の移動量を調整するようにしたり、あるいは前記弾性体は、導電ゴム部材をすることが好ましい。
【００１７】
このように半導体検査装置の製造方法および半導体検査装置を構成すれば、ベース基板を半導体装置に接触させようとする際、前記半導体装置の電極の間に高さのばらつきがあったり、あるいはコンタクト針の間に高さのばらつきがあっても、スルーホール内にある弾性体が変形することでこれら寸法のばらつきを吸収し、全ての電極とコンタクト針とを密着させることができ、電気的導通を図ることが可能になる。また高さ方向のばらつきを弾性体で吸収することができるので、コンタクト針の硬度を向上させることができ、前記コンタクト針の耐摩耗性を向上させることが可能になる。さらにコンタクト針の後端側に支持部材を配置すれば、当該支持部材の変形が抵抗となり、スルーホール内に設けられた弾性体の変形力に比べ、より幅の広い設定を行うことが可能になる。
【００１８】
また弾性体を導電ゴム部材で形成すれば、スキージにてスルーホール内に導電ゴム部材を収めることができ、前記導電ゴム部材の量や硬度を変更することで弾性体の特性を変更することが可能になる。一方、コンタクト針の後端に配線層を接続すれば、スルーホール内に位置する弾性体に導電性を持たせる必要が無くなり、前記弾性体の選定範囲を拡大させることができる。
【００１９】
そして前記弾性体は、個々のコンタクト針に対して変形するので、半導体装置における隣接する電極の高さが大きく異なっていても、この寸法差に何ら影響されることもなく、コンタクト針を前記電極に接触させることが可能になる。またコンタクト針はベース基板を貫通した状態にあるのでベース基板の厚みに左右されることなくコンタクト針の長さを自由に調整することができる。
【００２０】
そしてコンタクト針の形成にキャピラリを用い、ボンディングワイヤをコンタクト針とすれば、当該コンタクト針の先端をキャピラリの先端によって揃えることが可能になる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る半導体検査装置の製造方法および半導体検査装置に好適な具体的実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本実施の形態に係る半導体計測装置の断面構造図である。同図に示すように、本実施の形態に係る半導体検査装置２０は、ベース基板２２を基材としており、当該ベース基板２２の両面に種々の部材が形成された形態となっている。
【００２２】
前記ベース基板２２は、半導体ウェハ２５の基材として使用されるシリコンやガラスあるいはセラミックといった熱膨張係数が比較的近い（あるいは同一）材料で構成されている。これは半導体装置２１と本検査装置２０の熱膨張係数の違いから接点が離反するのを防止する為であり、これにより半導体装置２１の電気的検査を高温環境下で行う際（ウェハバーイン）でも接点間の確実な電気的導通を可能にしている。なお本実施の形態で用いられるベース基板２２は、半導体装置２１の材質と同様の単結晶シリコンからなり、その大きさは、半導体ウェハ２５に形成された複数の半導体装置２１に相当するだけの大きさに設定される。そして半導体検査装置２０を半導体ウェハ２５に押し当てることで、複数の半導体装置について一斉に検査を行えるようにしている（図２を参照）。
【００２３】
また本実施の形態では、ベース基板２２の材料にシリコンやガラス、あるいはセラミックなどを用いたが、この形態に限定されることもなく、例えば、ベース基板２２の材料に汎用性の高いガラスエポキシ樹脂などを適用してもよい。当該ガラスエポキシ樹脂は、基板の材料として多く用いられているので汎用の製造工程が適用でき、容易にベース基板２２の表面に配線層２８を形成することができる。
【００２４】
ところでベース基板２２の表面には、半導体装置２１の電極２４の位置に対応するように複数のスルーホール２６が形成されており、さらに当該スルーホール２６の内壁面およびベース基板２２における上表面には、図示しない絶縁膜が形成されており、後述する配線層等とベース基板２２とが短絡するのを防止するようにしている。
【００２５】
ベース基板２２における上表面には配線層２８が形成される。そして当該配線層２８は、その一端側が前記スルーホール２６の開口縁部へと差し掛かっており、他方端部側はベース基板２２の端部側へと延長され図示しないコネクタを介して外部機器へと接続されている。なおスルーホール２６の内側にはメッキ層２９が形成されており、このメッキ層２９と配線層２８を接続させることで、配線層２８における前記コネクタ側と、後述する導電ゴム部材３２との電気的導通を行うようにしている。
【００２６】
さらにベース基板２２の上表面には、当該ベース基板２２の保持をなすためのガイド板３０が取り付けられており、ベース基板２２を半導体装置２１に接離させたり、あるいは前記接離の際に、前記ベース基板２２にたわみが生じるのを防止するようにしている。なお前記ガイド板３０は、後述するコンタクト針が上下移動しても当該コンタクト針の後端が接触しないだけの空隙を有するようになっている。
【００２７】
スルーホール２６の内側には弾性体となる導電ゴム部材３２が設けられている。当該導電ゴム部材３２は、導電部材となる銀が混入されたゴム部材（例えばシリコンゴム等）からなり、配線層２８との間で導通性を保つとともに、外力によって変形が可能になっている。
【００２８】
また導電ゴム部材３２には、コンタクト針３４が貫通されている。当該コンタクト針３４は、ベアチップにおけるバンプ接続用のボンディングワイヤを一定の長さに切断したものであり、ベース基板２２の両面側から、コンタクト針３４の先端および後端が突出するよう保持されている。
このような半導体検査装置２０を用いて半導体ウェハ２５に複数形成された半導体装置２１に検査を行う手順を説明する。
【００２９】
図２は、半導体検査装置が取り付けられた昇降可能なガイド板と、当該ガイド板の下方に設置される半導体ウェハとの位置関係を示す状態図であり、図３は、半導体検査装置のコンタクト針を半導体装置の電極に接触させた際の要部拡大図である。これらの図に示すように、半導体装置２１の検査を行う際には、まず半導体ウェハ２５をガイド板３０の下方に設置されたＸＹテーブル（図示せず）に搭載する。そしてＸＹテーブル上に半導体ウェハ２５を搭載させた後は、前記ＸＹテーブルを動かし、検査対象となる半導体装置２１の電極２４と、半導体検査装置２０のコンタクト針３４との位置合わせを行う。このように電極２４とコンタクト針３４の水平方向の位置決めが終了した後は、ガイド板３０を稼働させ、半導体検査装置２０を下降させる。
【００３０】
ところで図３（１）に示すように、半導体装置２１の電極２４は、当該電極２４の間で高さ方向にばらつきが生じる場合がある（図中寸法Ａを参照）。このため半導体検査装置２０をそのまま下降させても、これら高さ方向のばらつきによって電極２４とコンタクト針３４とが接触しないおそれがあるが、同図（２）に示すように、本半導体検査装置２０にはスルーホール２６の内部に導電ゴム部材３２が設けられている。このため一定の負荷で半導体検査装置２０を半導体ウェハ２５に押し付けると、既に電極２４とコンタクト針３４とが密着している箇所の導電ゴム部材３２が変形し、この変形によって未接触の電極２４とコンタクト針３４とが接触する。このようにスルーホール２６の内部に導電ゴム部材３２を設け、当該導電ゴム部材３２の変形によって電極２４およびコンタクト針３４の高さ方向の段差を吸収するようにすれば、高さ方向の異なる複数の電極２４が存在しても確実に両者の電気的導通を図ることができる。そして高さ方向の吸収は全て導電ゴム部材３２によって行われるので、コンタクト針３４においては一定以上の硬度をもたせ、耐摩耗性を向上させることが可能になる。このため半導体検査装置２０の長寿命化を図ることが可能になる。
【００３１】
なお半導体検査装置２０の半導体ウェハ２５に対する押付力は、検査対象となる全ての電極２４に対しコンタクト針３４が、前記電極２４の酸化膜を破るよう接触し、半導体装置２１の電気的特性を検査するのに必要な接触抵抗値が少なくとも得られるように設定すればよい。なお検査時における環境は、不良を検出し易くする目的から高温（１００℃）の環境下で行われる場合があるが、前述の通りベース基板２２は、半導体ウェハ２５と同材料で構成されているので、熱膨張率が同じになり電極２４間ピッチとコンタクト針３４間ピッチとが変動することがない。このため常温や高温下の環境においても電極２４とコンタクト針３４とは確実に接触することができ、電気的導通を図ることができる。
【００３２】
このように電極２４とコンタクト針３４との電気的導通を行った後は、前記コンタクト針３４に流れる電流の度合いをコネクタを介した外部機器で検知して、規定範囲外の電流値を示すようであれば、異常を示すコンタクト針３４を含む半導体装置２１を不良品とみなして、外部機器側にて記録させておけばよく、そして検査が終了した後は、ガイド板３０を上昇させて、半導体ウェハ２５から半導体検査装置２０を離反させるとともにＸＹステージを移動させ新たな半導体装置２１について検査を行うようにしていけばよい。
【００３３】
ここで上述した半導体検査装置２０の製造方法を以下に説明する。
図４は、本実施の形態に係る半導体検査装置の製造過程を示した製造工程図である。同図（１）に示すように、本実施の形態に係る半導体検査装置２０は、半導体ウェハ２５と同材質となる単結晶シリコンからなるベース基板２２を基材としている。そしてベース基板２２の片側表面に配線層２８が形成されており、さらにその上層とスルーホール２６の内壁面にメッキ層２９が形成されている。ないメッキ層２９は、前記ベース基板２９をメッキ液に浸し、無電解メッキによって薄いメッキ層を形成した後、電解メッキにてメッキ層２９の厚みを増加させればよい。
【００３４】
スルーホール２６の内壁面と配線層２８との間の電気的導通をメッキ層２９で行うようにした後は、同図（２）に示すように、ペースト状の導電ゴム部材３２を非金属性からなるスキージ３６（ベース基板２２への損傷防止）によってスルーホール２６へと埋め込む。このようにスルーホール２６に導電ゴム部材３２を埋め込んだ後は、同図（３）に示すようにワイヤボンディングに用いられるキャピラリ３８をスルーホール２６の中心に向かって下降させ、前記キャピラリ３８の先端から突出するボンディングワイヤを導電ゴム部材３２に差し込む。
【００３５】
そしてキャピラリ３８の先端から突出するボンディングワイヤを導電ゴム部材３２に差し込み、キャピラリ３８を一定量だけ下降させた後は、キャピラリ３８側にて、ボンディングワイヤを切断し、導電ゴム部材３２にボンディングワイヤが貫通した状態を保てばよい。このようにボンディングワイヤを導電ゴム部材３２に貫通させた後、当該導電ゴム部材３２を加熱等によって硬化させれば、導電ゴム部材３２に保持されたコンタクト針３４を形成することができる。
【００３６】
図５は、本実施の形態に係る半導体検査装置の応用例を示す断面構造図である。なお同半導体検査装置は、本実施の形態に係る半導体検査装置に特定の部材を追加しただけの形態であるので、同一の部材については同一の番号を付与し、その説明を行うものとする。
【００３７】
同図に示すように、コンタクト針３４の後端側に変形可能な支持部材４０を配置し、この支持部材４０の変形にてコンタクト針３４の上下移動を調整するようにしてもよい。このように導電ゴム部材３２の他に支持部材４０を用いれば、コンタクト針３４の上下移動における抵抗力を幅広く設定することができ、種々の半導体装置に適用することが可能になる。なお支持部材４０には、例えば温度変化があっても硬度の変化をおさえられるシリコン系のゴムなどを用いればよい。
【００３８】
図６は、本実施の形態に係る半導体検査装置の変形例を示す断面構造図である。また同半導体検査装置においても、本実施の形態に係る半導体検査装置と同様、弾性体でコンタクト針を保持した形態であるので、同一の部材については同一の番号を付与し、その説明を行うものとする。
【００３９】
同図においては、コンタクト針３４の後端部に配線層を接続し、この配線層によって外部機器へのコンタクトを行うものである。すなわち配線層は、ポリイミドからなるフィルム４２をベースとしており、そのフィルム４２の表面に形成された配線パターン４４によって形成される。なお前記配線パターン４４は、あらかじめフィルム４２の表面に銅箔を貼り付けておき、この銅箔を所定の配線パターン４４となるようエッチングにて形成すればよい。
【００４０】
そして本配線層においては、フィルム４２の両面に配線パターン４４を形成することが可能であり、このため種々の検査用信号をコンタクト針３４に伝達することが可能になる。
【００４１】
また本変形例においても、コンタクト針３４の後端に支持部材４０（図中、破線参照）を配置し、コンタクト針３４の上下移動における抵抗力を幅広く設定することができるのである。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、半導体装置の表面に形成された電極にコンタクト針を接触させ、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置の製造方法であって、前記半導体装置への押し付けをなすベース基板にスルーホールと、このスルーホールの内壁面から前記ベース基板の上層側に至るよう検査用信号の伝達をなす配線層を形成し、前記スルーホール内に導電部材からなる弾性体を形成した後、この弾性体に前記コンタクト針を貫通させ、当該コンタクト針を前記弾性体によって保持するようにしたり、
【００４３】
半導体装置の表面に形成された電極にコンタクト針を接触させ、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置の製造方法であって、前記半導体装置への押し付けをなすベース基板にスルーホールを形成し、前記スルーホール内に弾性体を形成した後、この弾性体に前記コンタクト針を貫通させ、当該コンタクト針を前記弾性体によって保持するとともに、前記コンタクト針の後端に配線層を接続するようにしたり、
【００４４】
あるいは半導体装置の表面に形成された電極に接触し、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置であって、前記電極の位置に対応するようスルーホールが形成されたベース基板と、前記スルーホール内に充填され導電部材からなる弾性体と、当該弾性体に貫通し当該弾性体にて保持されるコンタクト針と、前記スルーホールの内壁面から前記ベース基板の上層側に至り検査用信号の伝達をなす配線層を有するようにしたり、
【００４５】
さらに半導体装置の表面に形成された電極に接触し、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置であって、前記電極の位置に対応するようスルーホールが形成されたベース基板と、前記スルーホール内に充填される弾性体と、当該弾性体に貫通し当該弾性体にて保持されるコンタクト針と、当該コンタクト針の後端側に接続され検査用信号の伝達をなす配線層を有したことから、検査用の電極が増加しても容易に対応することができ、さらに製作も容易におこなうことができる。
【００４６】
またコンタクト針と弾性体を一対の組み合わせとしたので、隣接する電極の高さ方向のばらつきが大きくなっても、このばらつきに左右されず個々の弾性体で高さ方向のばらつきを吸収することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態に係る半導体計測装置の断面構造図である。
【図２】半導体検査装置が取り付けられた昇降可能なガイド板と、当該ガイド板の下方に設置される半導体ウェハとの位置関係を示す状態図である。
【図３】半導体検査装置のコンタクト針を半導体装置の電極に接触させた際の要部拡大図である。
【図４】本実施の形態に係る半導体検査装置の製造過程を示した製造工程図である。
【図５】本実施の形態に係る半導体検査装置の応用例を示す断面構造図である。
【図６】本実施の形態に係る半導体検査装置の変形例を示す断面構造図である。
【図７】従来における第１の半導体検査装置の構造を示す説明図である。
【図８】従来における第２の半導体検査装置の構造を示す断面図である。
【図９】従来における第３の半導体検査装置の接触子の外観を示す説明図である。
【符号の説明】
１………半導体検査装置
２………ホルダ
３………コンタクトピン
４………半導体装置
５………電極
６………半導体検査装置
７………ベース基板
８………配線層
９………導電性ゴム
１０………検査用バンプ
１１………絶縁フィルム
１２………半導体検査装置
１３………曲げ部
１４………接触子
１５………半導体装置
１６………電極
２０………半導体検査装置
２１………半導体装置
２２………ベース基板
２４………電極
２５………半導体ウェハ
２６………スルーホール
２８………配線層
３０………ガイド板
３２………導電ゴム部材
３４………コンタクト針
３６………スキージ
３８………キャピラリ
４０………支持部材
４２………フィルム
４４………配線パターン[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor inspection device and a semiconductor inspection device, and more particularly to a method of manufacturing a semiconductor inspection device suitable for performing a batch inspection on a plurality of semiconductor devices formed on a semiconductor wafer before dicing (pelletizing). And a semiconductor inspection device.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a manufacturing method in which a semiconductor wafer made of single crystal silicon is put into a plurality of steps and a plurality of semiconductor devices are formed on the surface thereof.
In such a manufacturing method, the added value of the semiconductor device becomes higher as the stage of the manufacturing process is further advanced. Therefore, if the defect of the semiconductor device is found for the first time at the end of the manufacturing process, the loss amount becomes very large. For this reason, it is desirable that defective semiconductor devices generated in the wafer be found as early as possible in the manufacturing process, and this be positively excluded. Inspection of the semiconductor device during manufacturing is also preferable from the viewpoint of grasping the non-defective rate in each process.
[0003]
FIG. 7 is an explanatory view showing the structure of a conventional first semiconductor inspection apparatus. As shown in FIG. 1, in a conventional semiconductor inspection device 1, a plurality of needle-like contact pins 3 are drawn out of a holder 2. The contact pin 3 has a tip that can contact the electrode 5 of the semiconductor device 4 to be inspected. The contact pin 3 is connected to an inspection circuit (not shown) provided outside the holder 2 via the contact pin 3. Inspection signals can be transmitted and received with the semiconductor device 4. The number of contact pins 3 is plural for one semiconductor device 1 (it fluctuates depending on the pitch and the like), and ON / OFF check of some ports in addition to the power supply and GND is performed.
[0004]
FIG. 8 is a sectional view showing the structure of a second conventional semiconductor inspection apparatus. As shown in the figure, a conventional semiconductor inspection apparatus 6 is mounted on a holder 2 for attaching to an external inspection jig (not shown). The semiconductor inspection apparatus 6 includes a wiring layer 8 formed on the base substrate 7 and an anisotropic conductive rubber 9 or an anisotropic conductive member (paste) having conductivity in the vertical direction on the wiring layer 8. And film). On the upper layer of the anisotropic conductive rubber 9 or the anisotropic conductive member (paste or film), an insulating film 11 with an inspection bump 10 is provided. The anisotropic conductive member (paste or film) establishes conduction between the wiring layer 8 and the inspection bump 10. In the semiconductor inspection apparatus 6 configured as described above, if the holder 7 is lowered and the inspection bump 10 is brought into contact with the electrode of the semiconductor device, the inspection signal is transmitted from the wiring layer 8 to the anisotropic conductive rubber 9 or The light is transmitted to the semiconductor device via the anisotropic conductive member (paste or film) and the inspection bump 10 so that the semiconductor device can be inspected. Note that even if variations in the height of the electrodes or the height of the inspection bumps 10 in the semiconductor device occur, these variations are caused by the elastic deformation of the anisotropic conductive rubber 9 or the anisotropic conductive member (paste or film). It absorbs and can ensure the electrical continuity between the electrode and the inspection bump 10.
[0005]
FIG. 9 is an explanatory view showing the appearance of a contact of a third conventional semiconductor inspection apparatus. A semiconductor inspection device 12 as shown in FIG. 1 is provided with a contact 14 having a crank-shaped bent portion 13 formed therein. The distal end of the contact 14 is brought into contact with the electrode 16 of the semiconductor device 15 by utilizing the elastic force of the bending portion 13 so as to achieve electrical conduction. Note that the contact 14 as shown in the figure is formed by wire bonding used in the manufacture of semiconductor devices and the like.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, any of the above-described semiconductor inspection apparatuses has the following problems.
That is, in the pin contact method as shown in the first semiconductor inspection apparatus, there is a problem in that the arrangement and the number of contact pins are limited, and it is impossible to simultaneously contact a large number of semiconductor devices formed on a semiconductor wafer. Was. There is also a problem that the production cost rises in proportion to the number of pins due to contact using pins.
[0007]
Also, in the method using conductive rubber as shown in the second semiconductor inspection device, although it is easier to make contact with a plurality of electrodes of the semiconductor device than in the first semiconductor inspection device, a wiring layer or an elastic layer is formed. In addition, there is a problem that it is difficult to manufacture the inspection device itself because the wiring layer and the inspection bump must be bonded via the conductive rubber.
[0008]
In the third inspection apparatus, since the contact is provided with the bent portion, if the pitch of the contact is narrowed, the contact may interfere with each other. For this reason, when the number of electrodes to be inspected increases, there is a problem that an electrode to which a contact is not applied is generated.
[0009]
The present invention focuses on the above-mentioned conventional problems, and can easily cope with an increase in the number of test electrodes, and is easy to manufacture. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor inspection device and a semiconductor inspection device capable of absorbing a difference.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
According to the present invention, if the electric path between the electrode formed on the surface of the semiconductor device and the wiring layer is constituted by an elastic body having conductivity and a contact needle penetrating the elastic body, The wear resistance against contact with the electrodes is ensured by the contact needle, and the variation in the height direction of the adjacent electrodes can be absorbed by the elastic body.
[0011]
That is, a method for manufacturing a semiconductor inspection device according to the present invention is a method for manufacturing a semiconductor inspection device for making an electrical inspection of the semiconductor device by bringing a contact needle into contact with an electrode formed on a surface of the semiconductor device. A through-hole is formed in the base substrate that presses against the device, and a wiring layer that transmits a test signal is formed from the inner wall surface of the through-hole to the upper layer side of the base substrate, and a conductive member is formed in the through-hole. After forming the elastic body, the contact needle was passed through the elastic body, and the contact needle was held by the elastic body.
[0012]
Another method for manufacturing a semiconductor inspection device according to the present invention is a method for manufacturing a semiconductor inspection device for making an electrical inspection of the semiconductor device by bringing a contact needle into contact with an electrode formed on a surface of the semiconductor device, After forming a through hole in the base substrate that is pressed against the semiconductor device and forming an elastic body in the through hole, the contact needle is passed through the elastic body, and the contact needle is held by the elastic body. At the same time, a wiring layer is connected to the rear end of the contact needle.
[0013]
After the conductive rubber member is filled in the through hole with a squeegee, the contact needle is passed through the conductive rubber member, or a bonding wire is passed through the elastic body by raising and lowering a capillary, and penetrated through the elastic body. It is preferable that the provided bonding wire be used as the contact needle.
[0014]
Further, the semiconductor inspection device according to the present invention is a semiconductor inspection device that makes contact with an electrode formed on the surface of the semiconductor device and performs an electrical inspection of the semiconductor device, wherein a through-hole corresponds to a position of the electrode. The formed base substrate, an elastic body filled in the through hole and made of a conductive member, a contact needle penetrating the elastic body and held by the elastic body, and the base substrate from an inner wall surface of the through hole. And a wiring layer for transmitting a test signal to the upper layer side.
[0015]
Further, another semiconductor inspection device according to the present invention is a semiconductor inspection device that contacts an electrode formed on a surface of a semiconductor device and performs an electrical inspection of the semiconductor device. A base substrate having holes formed therein, an elastic body filled in the through holes, a contact needle penetrating through the elastic body and held by the elastic body, and an inspection connected to the rear end side of the contact needle It is configured to have a wiring layer for transmitting a use signal.
[0016]
And, on the rear end side of the contact needle, a deformable support member for holding the contact needle is provided, and the amount of movement of the contact needle is adjusted by deformation of the support member, or the elastic body is It is preferable to use a conductive rubber member.
[0017]
When the method for manufacturing a semiconductor inspection device and the semiconductor inspection device are configured as described above, when the base substrate is brought into contact with the semiconductor device, there is a variation in height between the electrodes of the semiconductor device, or a contact needle. Even if there is a height variation between them, the elastic body in the through hole deforms to absorb these dimensional variations, and all the electrodes and the contact needles can be brought into close contact, and electrical conduction can be achieved. It becomes possible to plan. In addition, since the variation in the height direction can be absorbed by the elastic body, the hardness of the contact needle can be improved, and the wear resistance of the contact needle can be improved. Furthermore, if the support member is arranged on the rear end side of the contact needle, the deformation of the support member becomes a resistance, and it is possible to perform a wider setting than the deformation force of the elastic body provided in the through hole. Become.
[0018]
If the elastic body is formed of a conductive rubber member, the conductive rubber member can be accommodated in the through hole with a squeegee, and the characteristics of the elastic body can be changed by changing the amount and hardness of the conductive rubber member. Will be possible. On the other hand, if the wiring layer is connected to the rear end of the contact needle, the elastic body located in the through hole does not need to have conductivity, and the selection range of the elastic body can be expanded.
[0019]
The elastic body is deformed with respect to the individual contact needles. Therefore, even if the heights of the adjacent electrodes in the semiconductor device are largely different, the contact needles are not affected by the dimensional difference at all, and the contact needles are connected to the electrode. Can be contacted. In addition, since the contact needle penetrates through the base substrate, the length of the contact needle can be freely adjusted without being affected by the thickness of the base substrate.
[0020]
If a capillary is used to form the contact needle and the bonding wire is a contact needle, the tip of the contact needle can be aligned with the tip of the capillary.
[0021]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a preferred embodiment of a method for manufacturing a semiconductor inspection device and a semiconductor inspection device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a sectional structural view of the semiconductor measuring device according to the present embodiment. As shown in the figure, a semiconductor inspection device 20 according to the present embodiment has a base substrate 22 as a base material, and various members are formed on both surfaces of the base substrate 22.
[0022]
The base substrate 22 is made of a material having a relatively close (or the same) thermal expansion coefficient, such as silicon, glass, or ceramic used as a base material of the semiconductor wafer 25. This is to prevent the contacts from separating from each other due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the semiconductor device 21 and the main inspection device 20. Accordingly, even when the electrical inspection of the semiconductor device 21 is performed in a high-temperature environment (wafer burn-in), This enables reliable electrical conduction between them. The base substrate 22 used in the present embodiment is made of the same single crystal silicon as the material of the semiconductor device 21 and has a size corresponding to the plurality of semiconductor devices 21 formed on the semiconductor wafer 25. Is set to Then, the semiconductor inspection device 20 is pressed against the semiconductor wafer 25 so that a plurality of semiconductor devices can be inspected simultaneously (see FIG. 2).
[0023]
Further, in the present embodiment, silicon, glass, ceramic, or the like is used as the material of the base substrate 22. However, the present invention is not limited to this mode. Etc. may be applied. Since the glass epoxy resin is widely used as a material of the substrate, a general-purpose manufacturing process can be applied, and the wiring layer 28 can be easily formed on the surface of the base substrate 22.
[0024]
On the surface of the base substrate 22, a plurality of through holes 26 are formed so as to correspond to the positions of the electrodes 24 of the semiconductor device 21. Further, the inner wall surface of the through hole 26 and the upper surface of the base substrate 22 An insulating film (not shown) is formed to prevent a short circuit between a wiring layer or the like described later and the base substrate 22.
[0025]
A wiring layer 28 is formed on the upper surface of the base substrate 22. The wiring layer 28 has one end approaching the opening edge of the through hole 26, and the other end extending to the end of the base substrate 22 and connecting to an external device via a connector (not shown). It is connected. A plating layer 29 is formed inside the through hole 26. By connecting the plating layer 29 and the wiring layer 28, an electrical connection between the connector side of the wiring layer 28 and a conductive rubber member 32 described later is made. Conduction is performed.
[0026]
Further, a guide plate 30 for holding the base substrate 22 is attached to the upper surface of the base substrate 22 so that the base substrate 22 comes into contact with or separates from the semiconductor device 21 or when the base substrate 22 comes into contact with or separates from the semiconductor device 21, The base substrate 22 is prevented from being bent. The guide plate 30 has such a gap that the rear end of the contact needle does not contact even if the contact needle described later moves up and down.
[0027]
A conductive rubber member 32 serving as an elastic body is provided inside the through hole 26. The conductive rubber member 32 is made of a rubber member (for example, silicon rubber or the like) in which silver serving as a conductive member is mixed, and maintains conductivity with the wiring layer 28 and can be deformed by an external force.
[0028]
Further, a contact needle 34 penetrates the conductive rubber member 32. The contact needle 34 is obtained by cutting a bonding wire for bump connection in a bare chip into a predetermined length, and is held so that the front and rear ends of the contact needle 34 project from both sides of the base substrate 22. .
A procedure for inspecting a plurality of semiconductor devices 21 formed on a semiconductor wafer 25 using such a semiconductor inspection device 20 will be described.
[0029]
FIG. 2 is a state diagram showing a positional relationship between a vertically movable guide plate to which a semiconductor inspection device is attached and a semiconductor wafer installed below the guide plate. FIG. FIG. 3 is an enlarged view of a main part when the device is brought into contact with an electrode of a semiconductor device. As shown in these figures, when inspecting the semiconductor device 21, first, the semiconductor wafer 25 is mounted on an XY table (not shown) installed below the guide plate 30. After the semiconductor wafer 25 is mounted on the XY table, the XY table is moved to align the electrode 24 of the semiconductor device 21 to be inspected with the contact needle 34 of the semiconductor inspection device 20. After the positioning of the electrode 24 and the contact needle 34 in the horizontal direction is completed, the guide plate 30 is operated and the semiconductor inspection device 20 is lowered.
[0030]
By the way, as shown in FIG. 3A, the electrodes 24 of the semiconductor device 21 sometimes vary in the height direction between the electrodes 24 (see the dimension A in the figure). Therefore, even if the semiconductor inspection apparatus 20 is directly lowered, there is a possibility that the electrode 24 and the contact needle 34 do not come into contact with each other due to the variation in the height direction. However, as shown in FIG. A conductive rubber member 32 is provided inside the through hole 26. For this reason, when the semiconductor inspection apparatus 20 is pressed against the semiconductor wafer 25 with a certain load, the conductive rubber member 32 where the electrode 24 and the contact needle 34 are already in close contact is deformed. The contact needle 34 comes into contact. As described above, if the conductive rubber member 32 is provided inside the through-hole 26 and the step in the height direction of the electrode 24 and the contact needle 34 is absorbed by the deformation of the conductive rubber member 32, a plurality of members having different height directions can be obtained. Even if the electrode 24 exists, electrical conduction between the two can be ensured. Since all the absorption in the height direction is performed by the conductive rubber member 32, the contact needle 34 can have a certain degree of hardness or more, and the wear resistance can be improved. Therefore, it is possible to extend the life of the semiconductor inspection device 20.
[0031]
The pressing force of the semiconductor inspection apparatus 20 against the semiconductor wafer 25 is such that the contact needle 34 contacts all the electrodes 24 to be inspected so as to break the oxide film of the electrodes 24 and inspects the electrical characteristics of the semiconductor device 21. What is necessary is just to set so as to obtain at least the contact resistance value necessary for the operation. The environment at the time of inspection may be performed in a high-temperature (100 ° C.) environment for the purpose of facilitating detection of a defect, but the base substrate 22 is made of the same material as the semiconductor wafer 25 as described above. Therefore, the coefficient of thermal expansion becomes the same, and the pitch between the electrodes 24 and the pitch between the contact needles 34 do not change. Therefore, the electrode 24 and the contact needle 34 can surely come into contact with each other even in an environment at room temperature or high temperature, and electrical conduction can be achieved.
[0032]
After the electrical conduction between the electrode 24 and the contact needle 34 is performed as described above, the degree of the current flowing through the contact needle 34 is detected by an external device via a connector, and the current value is out of a specified range. In that case, the semiconductor device 21 including the contact needle 34 indicating an abnormality may be regarded as a defective product and recorded on the external device side, and after the inspection is completed, the guide plate 30 is raised, The semiconductor inspection apparatus 20 may be moved away from the semiconductor wafer 25, and the XY stage may be moved to inspect a new semiconductor device 21.
[0033]
Here, a method of manufacturing the above-described semiconductor inspection device 20 will be described below.
FIG. 4 is a manufacturing process diagram showing a manufacturing process of the semiconductor inspection device according to the present embodiment. As shown in FIG. 1A, a semiconductor inspection apparatus 20 according to the present embodiment uses a base substrate 22 made of single crystal silicon of the same material as a semiconductor wafer 25 as a base material. A wiring layer 28 is formed on one surface of the base substrate 22, and a plating layer 29 is formed on the wiring layer 28 and on the inner wall surface of the through hole 26. The plating layer 29 may be formed by immersing the base substrate 29 in a plating solution, forming a thin plating layer by electroless plating, and then increasing the thickness of the plating layer 29 by electrolytic plating.
[0034]
After the electric conduction between the inner wall surface of the through hole 26 and the wiring layer 28 is performed by the plating layer 29, as shown in FIG. The squeegee 36 (to prevent damage to the base substrate 22) is embedded in the through hole 26. After the conductive rubber member 32 is embedded in the through hole 26, the capillary 38 used for wire bonding is lowered toward the center of the through hole 26 as shown in FIG. Is inserted into the conductive rubber member 32.
[0035]
Then, a bonding wire protruding from the tip of the capillary 38 is inserted into the conductive rubber member 32, and after lowering the capillary 38 by a certain amount, the bonding wire is cut off on the capillary 38 side, and the bonding wire is attached to the conductive rubber member 32. What is necessary is just to keep the penetrating state. After penetrating the bonding wire through the conductive rubber member 32 and curing the conductive rubber member 32 by heating or the like, the contact needle 34 held by the conductive rubber member 32 can be formed.
[0036]
FIG. 5 is a sectional structural view showing an application example of the semiconductor inspection device according to the present embodiment. It should be noted that the semiconductor inspection apparatus is a form in which a specific member is simply added to the semiconductor inspection apparatus according to the present embodiment. Therefore, the same members are given the same reference numerals and will be described.
[0037]
As shown in the figure, a deformable support member 40 may be arranged on the rear end side of the contact needle 34, and the vertical movement of the contact needle 34 may be adjusted by the deformation of the support member 40. When the support member 40 is used in addition to the conductive rubber member 32 as described above, the resistance force in the vertical movement of the contact needle 34 can be set widely, and can be applied to various semiconductor devices. The support member 40 may be made of, for example, a silicon-based rubber or the like that can suppress a change in hardness even when there is a temperature change.
[0038]
FIG. 6 is a sectional structural view showing a modification of the semiconductor inspection device according to the present embodiment. Also, in the same semiconductor inspection device, as in the semiconductor inspection device according to the present embodiment, since the contact needle is held by an elastic body, the same members are given the same numbers and the description thereof will be made. And
[0039]
In the figure, a wiring layer is connected to the rear end of the contact needle 34, and this wiring layer makes contact with an external device. That is, the wiring layer is based on the film 42 made of polyimide, and is formed by the wiring pattern 44 formed on the surface of the film 42. The wiring pattern 44 may be formed by attaching a copper foil on the surface of the film 42 in advance and etching the copper foil to form a predetermined wiring pattern 44.
[0040]
In the present wiring layer, the wiring patterns 44 can be formed on both surfaces of the film 42, so that various inspection signals can be transmitted to the contact needle 34.
[0041]
Also in this modified example, the support member 40 (see the broken line in the figure) is arranged at the rear end of the contact needle 34, so that the resistance force in the vertical movement of the contact needle 34 can be set widely.
[0042]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor inspection device for making an electrical inspection of the semiconductor device by bringing a contact needle into contact with an electrode formed on a surface of the semiconductor device. A through hole is formed in the base substrate, and a wiring layer for transmitting an inspection signal is formed from the inner wall surface of the through hole to the upper layer side of the base substrate. After forming the body, the contact needle is passed through this elastic body, and the contact needle is held by the elastic body,
[0043]
A method of manufacturing a semiconductor inspection device, wherein a contact needle is brought into contact with an electrode formed on a surface of a semiconductor device, and an electrical inspection of the semiconductor device is performed, wherein a through hole is formed in a base substrate that presses the semiconductor device. Then, after an elastic body is formed in the through hole, the contact needle is passed through the elastic body, the contact needle is held by the elastic body, and a wiring layer is connected to a rear end of the contact needle. Or
[0044]
Alternatively, a semiconductor inspection device which contacts an electrode formed on a surface of the semiconductor device and performs an electrical inspection of the semiconductor device, the base substrate having a through hole formed corresponding to the position of the electrode; An elastic body made of a conductive member filled in the hole, a contact needle penetrating through the elastic body and held by the elastic body, and an inspection signal from the inner wall surface of the through hole to the upper layer side of the base substrate. To have a wiring layer for transmission,
[0045]
Further, a semiconductor inspection device that contacts an electrode formed on a surface of the semiconductor device and performs an electrical inspection of the semiconductor device, wherein the base substrate has a through hole formed corresponding to a position of the electrode; An elastic body filled in the hole, a contact needle penetrating through the elastic body and held by the elastic body, and a wiring layer connected to a rear end side of the contact needle and transmitting a test signal were provided. Therefore, it is possible to easily cope with an increase in the number of electrodes for inspection, and it is possible to easily manufacture the electrode.
[0046]
In addition, since the contact needle and the elastic body are paired, even if the variation in the height direction of the adjacent electrodes becomes large, the variation in the height direction can be absorbed by each elastic body without being affected by the variation. it can.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional structural view of a semiconductor measuring device according to the present embodiment.
FIG. 2 is a state diagram showing a positional relationship between a vertically movable guide plate to which a semiconductor inspection device is attached and a semiconductor wafer installed below the guide plate.
FIG. 3 is an enlarged view of a main part when a contact needle of a semiconductor inspection device is brought into contact with an electrode of a semiconductor device.
FIG. 4 is a manufacturing process diagram showing a manufacturing process of the semiconductor inspection device according to the present embodiment.
FIG. 5 is a sectional structural view showing an application example of the semiconductor inspection device according to the present embodiment.
FIG. 6 is a sectional structural view showing a modified example of the semiconductor inspection device according to the present embodiment.
FIG. 7 is an explanatory view showing a structure of a first semiconductor inspection apparatus in the related art.
FIG. 8 is a sectional view showing a structure of a second conventional semiconductor inspection apparatus.
FIG. 9 is an explanatory diagram showing an appearance of a contact of a third conventional semiconductor inspection apparatus.
[Explanation of symbols]
1 Semiconductor inspection device 2 Holder 3 Contact pin 4 Semiconductor device 5 Electrode 6 Semiconductor inspection device 7 Base substrate 8 Wiring layer 9 ... Conductive rubber 10... Inspection bumps 11... Insulating film 12... Semiconductor inspection device 13... Bending portion 14... Contact 15. … Semiconductor inspection device 21… Semiconductor device 22… Base substrate 24… Electrode 25… Semiconductor wafer 26… Through hole 28… Wiring layer 30… Guide plate 32… Conductive rubber member 34 Contact needle 36 Squeegee 38 Capillary 40 Support member 42 Film 44 Wiring pattern

Claims (10)

半導体装置の表面に形成された電極にコンタクト針を接触させ、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置の製造方法であって、前記半導体装置への押し付けをなすベース基板にスルーホールと、このスルーホールの内壁面から前記ベース基板の上層側に至るよう検査用信号の伝達をなす配線層を形成し、前記スルーホール内に導電部材からなる弾性体を形成した後、この弾性体に前記コンタクト針を貫通させ、当該コンタクト針を前記弾性体によって保持するようにしたことを特徴とする半導体検査装置の製造方法。A method for manufacturing a semiconductor inspection device for making an electrical inspection of the semiconductor device by bringing a contact needle into contact with an electrode formed on the surface of the semiconductor device, wherein a through hole is formed in a base substrate for pressing the semiconductor device, A wiring layer for transmitting a test signal is formed from the inner wall surface of the through hole to the upper layer side of the base substrate, and an elastic body made of a conductive member is formed in the through hole. A method of manufacturing a semiconductor inspection device, wherein a contact needle is penetrated and the contact needle is held by the elastic body. 半導体装置の表面に形成された電極にコンタクト針を接触させ、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置の製造方法であって、前記半導体装置への押し付けをなすベース基板にスルーホールを形成し、前記スルーホール内に弾性体を形成した後、この弾性体に前記コンタクト針を貫通させ、当該コンタクト針を前記弾性体によって保持するとともに、前記コンタクト針の後端に配線層を接続するようにしたことを特徴とする半導体検査装置の製造方法。A method of manufacturing a semiconductor inspection device, wherein a contact needle is brought into contact with an electrode formed on a surface of a semiconductor device, and an electrical inspection of the semiconductor device is performed, wherein a through hole is formed in a base substrate that is pressed against the semiconductor device. Then, after an elastic body is formed in the through hole, the contact needle is passed through the elastic body, the contact needle is held by the elastic body, and a wiring layer is connected to a rear end of the contact needle. A method for manufacturing a semiconductor inspection device, comprising: 前記スルーホール内にスキージによって導電ゴム部材を充填させた後、この導電ゴム部材に前記コンタクト針を貫通させたことを特徴とする請求項１に記載の半導体検査装置の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein the conductive rubber member is filled in the through-hole with a squeegee, and the contact needle is passed through the conductive rubber member. キャピラリの昇降によってボンディングワイヤを前記弾性体に貫通させ、当該弾性体に貫通された前記ボンディングワイヤを前記コンタクト針にしたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体検査装置の製造方法。3. The semiconductor inspection apparatus according to claim 1, wherein a bonding wire is penetrated by the elastic body by raising and lowering a capillary, and the bonding wire penetrated by the elastic body is used as the contact needle. Method. 半導体装置の表面に形成された電極に接触し、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置であって、前記電極の位置に対応するようスルーホールが形成されたベース基板と、前記スルーホール内に充填され導電部材からなる弾性体と、当該弾性体に貫通し当該弾性体にて保持されるコンタクト針と、前記スルーホールの内壁面から前記ベース基板の上層側に至り検査用信号の伝達をなす配線層を有したことを特徴とする半導体検査装置。A semiconductor inspection device that contacts an electrode formed on a surface of a semiconductor device and performs an electrical inspection of the semiconductor device, the base substrate having a through hole formed corresponding to a position of the electrode; An elastic body made of a conductive member filled in the inside, a contact needle penetrating through the elastic body and held by the elastic body, and transmitting an inspection signal from the inner wall surface of the through hole to the upper layer side of the base substrate. A semiconductor inspection apparatus, comprising: a wiring layer forming: 前記コンタクト針の後端側に、当該コンタクト針の保持をなす変形可能な支持部材を設け、この支持部材の変形により前記コンタクト針の移動量を調整することを特徴とする請求項５に記載の半導体検査装置。The deformable support member for holding the contact needle is provided on the rear end side of the contact needle, and the amount of movement of the contact needle is adjusted by deforming the support member. Semiconductor inspection equipment. 前記弾性体は、導電ゴム部材からなることを特徴とする請求項５に記載の半導体検査装置。The semiconductor inspection device according to claim 5, wherein the elastic body is made of a conductive rubber member. 半導体装置の表面に形成された電極に接触し、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体装置の検査方法であって、
前記電極の位置に対応するようスルーホールが形成されたベース基板と、前記スルーホール内に充填され導電部材からなる弾性体と、当該弾性体に貫通し当該弾性体にて保持されるコンタクト針と、前記スルーホールの内壁面から前記ベース基板の上層側に至り検査用信号の伝達をなす配線層を有する半導体検査装置の前記コンタクト針を前記半導体装置の表面に形成された電極に接触させることを特徴とする半導体装置の検査方法。A method for inspecting a semiconductor device, wherein the method contacts an electrode formed on a surface of the semiconductor device and performs an electrical inspection of the semiconductor device.
A base substrate having a through hole formed corresponding to the position of the electrode, an elastic body made of a conductive member filled in the through hole, and a contact needle penetrating through the elastic body and held by the elastic body; Contacting an electrode formed on a surface of the semiconductor device with a contact needle of a semiconductor inspection device having a wiring layer that transmits an inspection signal from an inner wall surface of the through hole to an upper layer side of the base substrate. A method for inspecting a semiconductor device. 前記半導体検査装置の前記コンタクト針の後端側に、当該コンタクト針の保持をなす変形可能な支持部材を設け、この支持部材の変形により前記コンタクト針の移動量を調整することを特徴とする請求項８記載の半導体装置の検査方法。A deformable support member for holding the contact needle is provided on a rear end side of the contact needle of the semiconductor inspection device, and the amount of movement of the contact needle is adjusted by deforming the support member. Item 9. The method for inspecting a semiconductor device according to Item 8. 前記半導体検査装置の前記弾性体は、導電ゴム部材からなることを特徴とする請求項８記載の半導体装置の検査方法。9. The method according to claim 8, wherein the elastic body of the semiconductor inspection device is made of a conductive rubber member.

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