JP3585534B2

JP3585534B2 - 半導体装置の作製方法

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Publication number: JP3585534B2
Application number: JP19736394A
Authority: JP
Inventors: 英人大沼; 広樹安達
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1994-07-29
Filing date: 1994-07-29
Publication date: 2004-11-04
Anticipated expiration: 2019-11-04
Also published as: JPH0846209A

Description

【０００１】
【従来の技術】
従来より、ガラス等の絶縁表面を有する基板上に形成される薄膜トランジスタ（普通ＴＦＴと称される）が知られている。この薄膜トランジスタは、メモリ等の薄膜集積回路に利用されたり、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画素部分に配置され、画素の駆動に用いられたりする。
【０００２】
ガラス基板等上に形成される薄膜トランジスタを構成するのは、非晶質珪素膜や結晶珪素膜である。非晶質珪素膜を用いた場合には、素子の特性が十分でないという問題がある。一方、結晶性珪素膜を用いた場合いは、大きな移動度や速いスイッチング速度を得ることができる。なお、結晶性珪素膜というのは、多結晶珪素、微結晶珪素等の結晶成分を含む珪素膜のことをいう。
【０００３】
しかし、結晶性珪素膜を用いた薄膜トランジスタはＯＦＦ電流（リーク電流ともいう）が大きいという問題がある。これは、単結晶構造を有する結晶性珪素膜を得ることが現実には無理であり、得られる結晶性珪素膜中には多数の結晶粒界が存在してしまっていることに起因する。即ち、薄膜トランジスタのＯＦＦ動作時において、活性層中の結晶粒界、特にチャネル形成領域とドレイン領域との界面およびの近傍における結晶粒界を経由してキャリアが移動してしまうことが、ＯＦＦ電流が存在する原因である。
【０００４】
上記の問題を解決する方法として、ＬＤＤ（ライト・ドープ・ドレイン）やオフセットゲイト構造が知られている。これらの構成は、チャネル形成領域とドレイン領域との界面およびその近傍における電界集中を緩和させ、ＯＦＦ動作時に前述した結晶粒界を経由してキャリアが移動してしまうことを防ぐ、あるいは減少させることを目的とする。
【０００５】
しかしながら、上記のＬＤＤ構造やオフセットゲイト構造を採用しても、要求される十分に低いＯＦＦ電流を得ることができないのが現状である。特に薄膜トランジスタをアクティブマトリクス型の液晶表示装置に利用した場合、画素電極に電荷を所定の時間保持しなければならないので、この薄膜トランジスタのＯＦＦ電流は極力小さくする必要がある。
【０００６】
〔発明に至る過程〕
ＬＤＤ構造やオフセットゲイト構造を採用した場合よりさらに低いＯＦＦ電流を得る構成として、図２に示すような構成がある。図２に示すような構成は、本出願人による特願平５─２５６５６３号や特願平６─１７０１５号に記載されている。
【０００７】
図２に示す薄膜トランジスタは、（Ｄ），（Ｅ）に示すようにソース／ドレイン領域２０９と２１０、ライトドープ領域２１４、オフセットゲイト領域２１５とを有している。そして、ライトドープ領域２１４とオフセットゲイト領域２１５との作用によって、ソース／ドレイン領域とチャネル形成領域２１６との界面およびその近傍、特にドレイン領域２１０とチャネル形成領域２１６との界面およびその近傍における電界の集中を緩和させ、低いＯＦＦ電流値を実現させるものである。
【０００８】
図２に示す薄膜トランジスタの作製工程について説明する。まずガラス基板２０１上に下地膜となる酸化珪素膜を２０００Åの厚さにスパッタ法によって形成する。次にプラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶＤ法により非晶質珪素膜を形成し、加熱またはレーザー光の照射を行うことにより、結晶性珪素膜を得る。そして結晶性珪素膜をパターニングして活性層２０３を得る。活性層２０３を得たらゲイト絶縁膜として機能する酸化珪素膜２０４を１０００Åの厚さにプラズマＣＶＤ法によって形成する。
【０００９】
さらに５０００Åの厚さに０．１重量％のスカンジウムを含有したアルミニウム膜をスパッタリング法によって形成し、パターニングを施すことにより、ゲイト電極２０５を形成する。そしてアンモニアによって中和された３％の酒石酸を含むエチレングルコール溶液中に基板を浸し、ゲイト電極２０５を陽極として陽極酸化を行う。ここではこの陽極酸化によって２００Å程度の薄い陽極酸化層（図示せず）を形成する。
【００１０】
そしてレジストマスク２０６を形成する。そして基板を１０％の硝酸水溶液に浸し、陽極酸化を行うことによって、厚さ約５０００Åの多孔質構造を有する陽極酸化物層２０７を形成する。なおゲイト電極２０５の上面には、レジストマスク２０６が存在しているので、酸化物層は形成されない。（図２（Ｂ））
【００１１】
次にレジストマスク２０６を除去し、ゲイト電極２０５の上面を露呈させる。そして、アンモニアで中性に調整された３％の酒石酸を含むエチレングルコール溶液中に基板を浸し、ゲイト電極２０５を陽極として陽極酸化を行う。ここではこの陽極酸化によって１０００Åの厚さに酸化物層２０８を形成する。図２（Ｃ）
【００１２】
次にドライエッチング法によって、酸化珪素膜２０４の露呈した部分をエッチングする。このエッチングの後、酸化珪素膜の２０３’で示される部分が残存する。ここで、イオン注入法またはプラズマドーピング法によって、活性層２０３に対して一導電型を付与する不純物のドーピングを行う。この工程においては、ゲイト電極２０５、ゲイト電極周囲の多孔質陽極酸化物層２０７、緻密な陽極酸化物層２０８がマスクとなり、自己整合的にソース領域２０９とドレイン領域２１０とが形成される。
【００１３】
またこの時に一対のライトドープ領域２１４と一対のオフセットゲイト領域２１５とが自己整合的に形成される。ライトドープ領域２１４が形成されるのは、残存した酸化珪素膜２０３’が存在するために、この酸化珪素膜２０３’をイオンが透過する際にその量が減ぜられるからである。こうして、チャネル形成領域とソース／ドレイン領域との間にオフセットゲイト領域とライトドープ領域とが形成される。（図２（Ｅ））
【００１４】
そして、層間絶縁膜２１１を酸化珪素膜等で構成し、さらに孔開け工程を経てソース電極２１２とドレイン電極２１３とを形成することにより図２（Ｆ）に示す薄膜トランジスタが完成する。
【００１５】
図２に示すような薄膜トランジスタは、従来のＬＤＤ構造やオフセットゲイト構造を採用した薄膜トランジスタに比較して、ＯＦＦ電流を低く抑えることができる。
しかしながら、
・移動度等の諸特性が低い。
・特性のバラツキが大きい。
・特性の劣化が大きい。
といった問題がある。
【００１６】
上記問題について検討した結果、本発明者らは、以下に示すような知見を得るに至った。
即ち、図２（Ｄ）に示す工程において、露呈したソース領域２０９とドレイン領域２１０に不純物のイオンが注入されるが、この際にソース／ドレイン領域の表面はイオンの衝撃によって大きな損傷を受け、その表面状態は凹凸や荒れた状態となってしまう。この結果、ソース／ドレイン領域の表面には欠陥が集中して存在してしまう。
【００１７】
ソース／ドレイン領域の表面に欠陥が集中して存在してしまう結果、以下に示すような問題が生じると考えられる。
（１）ソース／ドレイン領域の表面における欠陥は、薄膜トランジスタの特性のバラツキや劣化の原因となる。
（２）ソース／ドレイン領域を伝導するキャリア（キャリアは活性層の表面近傍を移動する）がソース／ドレイン領域表面に集中して存在する欠陥によって捕獲散乱される。従って、移動度等の薄膜トランジスタの諸特性が低下する。
（３）図２（Ｄ）に示す工程の後、レーザー光の照射によってソース／ドレイン領域の際結晶化および活性化を行う場合、レーザー光がソース／ドレイン領域表面の欠陥に集中的に吸収されてしまい、ソース／ドレイン領域の再結晶化と活性化が十分に行えない。
【００１８】
なお、ソース／ドレイン領域表面が酸化珪素膜等によって覆われており、このソース／ドレイン領域表面を覆った膜を通して、不純物イオンの注入を行った場合には、上記ような問題が生じない。即ち、この場合には、ソース／ドレイン領域表面に欠陥が集中してしまうことがない。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
本明細書で開示する発明は、以下に示す項目の少なくとも一つを得ることを課題とする。
（１）ソース／ドレイン領域に対する不純物イオンの注入に従う、ソース／ドレイン領域表面への欠陥集中の問題を解決する。
（２）イオンの注入を行った際に半導体表面に欠陥が集中してしまう。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本明細書で開示する主要な発明の構成は、
少なくともソース領域とドレイン領域とチャネル形成領域とが形成された活性層を有し、
前記ソース領域とドレイン領域との表面は５０Å以上の厚さでエッチングされていることを特徴とする。
【００２１】
上記構成の具体的な構成を図１に示す。図１に示す薄膜トランジスタは、２０９と２１０で示されるソース／ドレイン領域の表面が２００で示されるようにエッチングされている。このエッチングは、ソース／ドレイン領域の表面に集中して存在する欠陥を除去するためのものなので、最低でも活性層の表面を５０Å以上の厚さで除去することが必要である。
【００２２】
また本明細書で開示する発明において、半導体層あるいは活性層として、珪素の結晶化を助長する金属元素の作用によって結晶化された結晶性珪素膜を用いることは有効である。この珪素の結晶化を助長する金属元素としては、Ｎｉ（ニッケル）を特にその効果が顕著なものとして挙げることができる。例えば、Ｎｉの薄膜を非晶質珪素膜の表面に形成し、しかる後に加熱によってこの非晶質珪素膜の結晶化を計った場合、５５０℃、４時間程度の加熱で十分な結晶性を有した結晶性珪素膜を得ることができる。これは従来においては、６００℃以上の温度で１２時間以上の加熱処理が必要であったことに比較して極めて優れた有意なことであるといえる。
【００２３】
このような珪素の結晶化を助長する金属元素としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類の元素を用いることができる。
【００２４】
このような珪素の結晶化を助長する金属元素（特にＮｉの場合）は、結晶化の終了した珪素膜中において、１×１０^１５〜１×１０^１９ｃｍ^−３の濃度の範囲内でることが望ましい。この濃度より濃度が小さい場合、結晶化の際の助長効果が小さくなり好ましくない。また、この濃度より濃度が大きい場合、得られた結晶性珪素膜の電気的特性が金属的な性質を有するようになり好ましくない。
【００２５】
本明細書で開示する他の主要な構成は、
少なくともソース領域とドレイン領域とチャネル形成領域とが形成された活性層を有し、
前記ソース領域とドレイン領域との表面は５０Å以上の厚さでエッチングされており、
前記ソース領域とドレイン領域との表面には金属の化合物層が形成されていることを特徴とする。
【００２６】
上記構成において、ソース領域とドレイン領域との表面に形成された金属の化合物層は、ソース／ドレイン領域上に金属の薄膜を形成し、しかる後に加熱処理やレーザー光の照射を行うことによって形成される。ここで用いられる金属としては、チタン、ニッケル、モリブデン、タングステン、白金、パラジウムから選ばれた一種または複数種類のものを用いることができる。
【００２７】
上記金属の化合物層が存在すると、エッチングされて薄くなったソース／ドレイン領域に、後のコンタクトホールの形成工程において、エッチングされて孔が開いてしまうことを防ぐことができる。特に前述の珪素の結晶化を助長する金属元素を導入することによって、結晶性珪素膜を得た場合、結晶性珪素の耐フッ酸性が大きく低下してしまうので、例えば酸化珪素膜のみをエッチングせんとした場合であっても、結晶性珪素膜（耐フッ酸性を有する）をもエッチングされてしまう。従って、前述の珪素の結晶化を助長する金属元素を含んだ活性層の露呈した表面に金属化合物を形成し、活性層の耐エッチング性を高めることは極めて有用である。
【００２８】
他の発明の構成は、
少なくともソース領域とドレイン領域とチャネル形成領域とが形成された活性層を有する薄膜トランジスタの作製方法であって、
露呈したソース領域およびドレイン領域への不純物イオンの注入を行った後、ソース領域およびドレイン領域の表面をエッチングする工程を有することを特徴とする。
【００２９】
他の発明の構成は、
少なくともソース領域とドレイン領域とチャネル形成領域とが形成された活性層を有する薄膜トランジスタの作製方法であって、
露呈したソース領域およびドレイン領域への不純物イオンの注入を行う工程と、
該工程において損傷を受けた前記ソースおよびドレイン領域の表面を除去する工程と、
を有することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【００３０】
他の発明の構成は、
少なくともソース領域とドレイン領域とチャネル形成領域とが形成された活性層を有する薄膜トランジスタの作製方法であって、
露呈したソース領域およびドレイン領域への不純物イオンの注入を行う工程と、
前記ソース領域およびドレイン領域の表面をエッチングする工程と、
前記ソース領域およびドレイン領域の表面に金属の化合物層を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
【００３１】
【作用】
露呈した半導体層に対して不純物イオンの注入を行い、その後に半導体層の表面を除去することによって、半導体層の表面に集中して存在する欠陥を除去することができ、この欠陥に起因する諸問題（例えな半導体装置の特性の劣化等）を解決することができる。
【００３２】
例えば、不純物イオンの注入によって薄膜トランジスタのソース／ドレイン領域を形成する場合、露呈した活性層に不純物イオンの注入を直接行うと、活性層の表面にイオンのダメージに起因する欠陥が集中して発生し、得られる薄膜トタンジスタの特性の悪化や不安定さを招いてしまう。この場合、不純物イオンの注入後に当該イオンの注入領域の表面をエッチングによって除去し、その表面に集中して存在している欠陥を除去することにより、上記薄膜トランジスタの特性の悪化や不安定さを抑制することができる。
【００３３】
また薄膜トランジスタのソース／ドレイン領域の表面をエッチングで除去した場合において、ソース／ドレイン領域の表面に金属の化合物層を形成するとによって、活性層が薄くなることによって生じる問題（後の孔開け工程において、ソース／ドレイン領域がエッチングされてしまうという問題）を解決することができる。
【００３４】
【実施例】
〔実施例１〕
図１に本実施例の薄膜トランジスタの作製工程を説明する。まずガラス基板２０１上に下地膜となる酸化珪素膜２０２を２０００Åの厚さにスパッタ法によって形成する。次にプラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶＤ法により非晶質珪素膜を形成する。そして酢酸ニッケル塩溶液を用いて、非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素であるＮｉを導入する。ここでは、酢酸ニッケル塩溶液をスピンコート法を用いて非晶質珪素膜の表面にスピンコートすることによって、Ｎｉ元素の非晶質珪素膜への導入を行う。
【００３５】
そして５５０℃、４時間の加熱処理によって結晶性珪素膜を得る。そして結晶性珪素膜をパターニングして活性層２０３を得る。活性層２０３を得たらゲイト絶縁膜として機能する酸化珪素膜２０４を１０００Åの厚さにプラズマＣＶＤ法によって形成する。
【００３６】
さらに５０００Åの厚さに０．１重量％のスカンジウムを含有したアルミニウム膜をスパッタリング法によって形成し、パターニングを施すことにより、ゲイト電極２０５を形成する。そしてアンモニアによって中和された３％の酒石酸を含むエチレングルコール溶液中に基板を浸し、ゲイト電極２０５を陽極として陽極酸化を行う。ここではこの陽極酸化によって２００Å程度の薄い陽極酸化層（図示せず）を形成する。
【００３７】
上記陽極酸化工程の後、レジストマスク２０６を形成する。そして基板を１０％の硝酸水溶液に浸し、陽極酸化を行うことによって、厚さ約５０００Åの多孔質構造を有する陽極酸化物層２０７を形成する。なおゲイト電極２０５の上面には、レジストマスク２０６が存在しているので、酸化物層は形成されない。（図１（Ｂ））
【００３８】
次にレジストマスク２０６を除去し、ゲイト電極２０５の上面を露呈させる。そして、アンモニアで中性に調整された３％の酒石酸を含むエチレングルコール溶液中に基板を浸し、ゲイト電極２０５を陽極として陽極酸化を行う。ここではこの陽極酸化によって２０００Åの厚さに酸化物層２０８を形成する。（図１（Ｃ））
【００３９】
次にドライエッチング法によって、酸化珪素膜２０４の露呈した部分をエッチングする。このエッチングの後、酸化珪素膜の２０３’で示される部分が残存する。ここで、イオン注入法またはプラズマドーピング法によって、活性層２０３に対して一導電型を付与する不純物のドーピングを行う。ここではリンイオンのドーピングを行う。
【００４０】
この工程においては、ゲイト電極２０５、ゲイト電極周囲の多孔質陽極酸化物層２０７、緻密な陽極酸化物層２０８がマスクとなり、自己整合的にソース領域２０９とドレイン領域２１０とが形成される。
【００４１】
またこの時に一対のライトドープ領域２１４と一対のオフセットゲイト領域２１５とが自己整合的に形成される。ライトドープ領域２１４が形成されるのは、残存した酸化珪素膜２０３’が存在するために、この酸化珪素膜２０３’をイオンが透過する際にその量が減ぜられるからである。こうして、チャネル形成領域とソース／ドレイン領域との間にオフセットゲイト領域とライトドープ領域とが形成される。（図１（Ｄ））
【００４２】
ソース／ドレイン領域への不純物イオンの注入後、２００で示されるようにソース／ドレイン領域の表面を１００Åの厚さでエッチングする。このエッチングする厚さは、例えば５０〜５００Å程度とすればよい。この工程で、ソース領域２０９とドレイン領域２１０の表面における欠陥が集中的に存在する領域を取り除くことができる。ここではこのエッチングをフッ硝酸を用いたウエットエッチングによって行う。（図１（Ｅ））
【００４３】
図１（Ｅ）に示す状態を得たら、レーザー光または強光を照射して、ソース／ドレイン領域の再結晶化（ソース／ドレイン領域は不純物イオンの注入の際に非晶質化されている）と活性化とを行う。この際、ソース／ドレイン領域表面に欠陥が集中的に存在していないので、レーザー光または強光が表面において吸収されてしまうことを防ぐことができる。そして、ソース／ドレイン領域全体を均一にアニールすることができる。
【００４４】
上記ソース／ドレイン領域へのレーザー光または強光の照射の代わりに、加熱による方法を用いてもよい。また、レーザー光または強光の照射に加えて、加熱による方法を併用するとは有効である。
【００４５】
ソース／ドレイン領域へのアニールの終了後、層間絶縁膜として、プラズマＣＶＤ法により、酸化珪素膜２１１を形成し、さらに孔開け工程を経て、ソース電極２１２とドレイン電極２１３とを形成する。そして３５０℃の水素雰囲気中において、加熱処理を１時間行うことにより、図１（Ｆ）に示す薄膜トランジスタを完成させる。
【００４６】
なお、本実施例の（Ｅ）に示す工程において、ソース／ドレイン領域の表面に金属の化合物層を形成することは有効である。これは、その表面のエッチングによってソース／ドレイン領域の厚さが薄くなってしまうことに起因して、ソース／ドレイン領域への孔開け工程におけるソース／ドレイン領域のオーバーエッチングを防ぐことができるからである。
【００４７】
〔実施例２〕
本実施例は、オフセットゲイト領域やライトドープ領域が存在しない薄膜トランジスタの構成に関する。図３に本実施例の作製工程を示す。まず（Ａ）に示すようにガラス基板３０１を用意し、このガラス基板３０１上に下地膜として酸化珪素膜を３０００Åの厚さにスパッタ法によって成膜する。次にプラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶＤ法により、非晶質珪素膜を５００Åの厚さに成膜する。
【００４８】
そして酢酸ニッケル塩溶液を非晶質珪素膜の表面にスピンコートし、５５０℃、４時間の加熱処理を行うことによって、結晶性珪素膜を得る。さらにパターニングを行うことにより、結晶性珪素膜でなる活性層３０３を得る
【００４９】
次にゲイト絶縁膜として機能する酸化珪素膜３０４をプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法によって１０００Åの厚さに成膜する。さらに一導電型（ここではＮ型）を有する微結晶珪素を主成分とする膜を減圧熱ＣＶＤ法で５０００Åの厚さに成膜し、パターニングを施すことにより、ゲイト電極３０５を形成する。
【００５０】
またゲイト電極の形成と同時またはその後に酸化珪素膜３０４をパターニングし、図３（Ｂ）に示すようにソース／ドレイン領域となる領域（３０６、３０８で示される領域）を露呈させる。そしてＮ型を付与する不純物であるリンをイオン注入法またはプラズマドーピング法でゲイト電極３０５をマスクとして注入する。この不純物イオンの注入によって、ソース領域３０６、ドレイン領域３０８、チャネル形成領域３０７が自己整合的に形成される。
【００５１】
この不純物イオンの注入工程において、露呈した活性層３０３の表面は大きなダメージを受ける。そこで、このダメージを受けた活性層の表面を（Ｃ）の工程においてエッチング除去する。ここでは、過水アンモニアを用いたウエットエッチングを用いて露呈した活性層を２００Åの厚さでエッチングする。このエッチング工程で、活性層上部に集中するイオン注入時のダメージを除去することができる。
【００５２】
上記工程においては、過水アンモニアに界面活性剤を混合したエッチャントを用いる。これは、活性層の表面の平坦性を高める為である。
【００５３】
さらにチタン膜を５０〜５００Åここでは２００Åの厚さにスパッタ法で全面に成膜し、加熱処理を施すことにより、３０９で示される珪化チタン膜（金属の化合物層）を形成するとともに、先のイオン注入工程で不純物イオンが注入されたソース領域３０６とドレイン領域３０８の活性化を行う。なお珪化チタン膜を形成した後にチタン膜は除去する。
【００５４】
なお加熱ではなく、レーザー光または強光を照射することにより、上記金属の化合物層の形成とソース／ドレイン領域の活性化とを行ってもよい。
【００５５】
そして、層間絶縁膜として酸化珪素膜３１０を７０００Åの厚さに成膜し、孔開け工程を経てソース電極３１１とドレイン電極３１２を窒化チタン膜（チタン膜でもよい）とアルミニウム膜との積層で構成する。ここで窒化チタン膜を用いることは、ソース／ドレイン領域とソース／ドレイン電極との良好なコンタクトを得るために有用である。
【００５６】
上記ソース領域３０６とドレイン領域３０９への孔開け工程において、ソース／ドレイン領域の上面には、珪化チタン膜が形成されているので、工程のバラツキによって生じるソース／ドレイン領域へのオーバーエッチング（ソース／ドレイン領域に孔が開いてしまう）を防ぐことができる。特に、本実施例に示す構成においては、活性層中におけるニッケル濃度が１０^１８ｃｍ^−３程度あり、酸化珪素膜に対するエッチングの選択性が大きく低下している。従って、珪化チタン膜を露呈した活性層表面に形成することで、このエッチングの選択性の問題を解決することができる。そして、水素雰囲気中において３５０℃の加熱水素化処理を行うことによって、薄膜トランジスタを完成させる。
【００５７】
【発明の効果】
露呈した活性層に対する不純物イオンの注入によって生じる活性層の表面における欠陥を、エッチングによって除去することによって、移動度等の特性が高く、またその特性が安定して得られ、またその特性にバラツキの無い薄膜トランジスタを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】薄膜トランジスタの作製工程を示す。
【図２】薄膜トランジスタの作製工程を示す。
【図３】薄膜トランジスタの作製工程を示す。
【符号の説明】
２０１、３０１ガラス基板
２０２、３０２酸化珪素膜（下地膜）
２０３、３０３活性層
２０４、３０４酸化珪素膜（ゲイト絶縁膜）
２０５、アルミニウムを主成分とする材料でなるゲイト電極
２０６レジストマスク
２０７ポーラス上の陽極酸化物層
２０８緻密な陽極酸化物層
２０９、３０６ソース領域
２０３’、３０４残存したゲイト絶縁膜
２１０、３０８ドレイン領域
２１４ライトドープ領域
２１５オフセットゲイト領域
２１６、３０７チャネル形成領域
２１１、３１０層間絶縁膜
２１２、３１１ソース電極
２１３、３１２ドレイン電極
３０９珪化チタン膜（金属化合物層）
３０５ゲイト電極

Claims

絶縁表面上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上に珪素の結晶化を助長するＮｉ元素を含む層を形成し、
前記非晶質珪素膜を加熱処理して結晶化し、結晶性珪素膜を形成し、
露呈した前記結晶性珪素膜の一部に不純物イオンを注入し、
前記不純物イオンが注入された前記結晶性珪素膜の前記一部の表面を５０Å以上ウエットエッチングにより除去した後、レーザー光を照射又は加熱処理を行い、該一部に対し再結晶化と活性化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
絶縁表面上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上に珪素の結晶化を助長するＮｉ元素を含む層を形成し、
前記非晶質珪素膜を加熱処理して結晶化し、結晶性珪素膜を形成し、
露呈した前記結晶性珪素膜の一部に不純物イオンを注入し、ソース領域およびドレイン領域を形成し、
前記ソース領域および前記ドレイン領域の表面を５０Å以上ウエットエッチングにより除去した後、レーザー光を照射又は加熱処理を行い、該ソース領域および該ドレイン領域に対し再結晶化と活性化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項２において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域をウエットエッチングした後に前記ソース領域および前記ドレイン領域の表面に金属の化合物層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。