JP3571487B2 - Substrate processing method and apparatus - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板や液晶用ガラス基板等の基板に表面処理を施す方法及び同装置、特に、基板を処理槽内に浸漬して水洗処理を施すようにした基板処理方法及び同装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、半導体基板や液晶ガラス基板等の基板の製造において、基板を処理槽に貯留された薬液や純水（双方をまとめて「処理液」という）に浸漬し、処理槽内の処理液を順次異なる処理液と入れ替えることにより基板に薬液処理や水洗処理を施す方法や装置は一般に知られている。
【０００３】
この種の基板処理装置の一つとして、例えば、特開平７−１３０６９９号公報に記載された装置がある。この基板処理装置は、処理槽を密閉チャンバ内に収納し、水洗処理が完了した後、基板を処理槽から引き上げながら、２−プロパノール（イソプロピルアルコール：「ＩＰＡ」という）蒸気をチャンバ内に吹き込むことによって処理残渣や水洗処理の際に付着した水を除去するものである。この装置によれば、処理槽から基板が取り出される際に、ＩＰＡ蒸気が基板表面で凝縮し、この凝縮熱によって水が蒸発するとともに、ＩＰＡ膜により基板表面のぬれ性が高められて処理残渣が剥離、除去される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記従来の装置では、チャンバ内に窒素ガスを吹き込みながら、この窒素ガスをキャリアガスとしてＩＰＡ蒸気をチャンバ内に供給するようにしているため、基板を効率よく処理する上で問題がある。
【０００５】
すなわち、基板表面に付着した水や処理残渣を除去するには、基板の表面全体に多くのＩＰＡ蒸気をむらなく凝縮させることが重要であり、このようにＩＰＡ蒸気を凝縮させるにはチャンバ内のＩＰＡ蒸気の濃度を高くする必要がある。ところが、窒素ガスをキャリアガスとしてＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ内に供給する従来装置では、ＩＰＡ蒸気が窒素ガスで希釈されるため、チャンバ内のＩＰＡ濃度を高めるのに長時間を要する。そのため、水や処理残渣を確実に除去しようとすると、例えば、有機溶媒を長い時間密閉チャンバ内に供給した後に処理槽から基板を取り出したり、あるいは、取り出した基板を長い時間蒸気中にさらす必要があり、基板処理に長時間を要するという問題がある。また、窒素ガスによる希釈が行われるので、処理に要するＩＰＡ総量も増大するという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、水洗処理後の水や処理残渣をより少ない有機溶媒量で、しかも短時間で除去することができる基板処理方法及び同装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の基板処理方法は、密閉チャンバ内に収容された処理槽に基板を浸漬して当該基板に対して水洗処理を施し、前記密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気を供給して水洗処理後の基板をこの蒸気中にさらすようにした基板処理方法において、前記密閉チャンバ内を減圧手段により減圧し、この減圧状態で有機溶媒蒸気の供給系に設けられる開閉バルブを開いて有機溶媒の蒸気を前記減圧手段で吸引させることにより前記密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気を供給するようにしたものである（請求項１）。
【０００８】
このようにすれば、従来のこの種の装置のように有機溶媒の濃度が希釈されることがなく、密閉チャンバ内の有機溶媒の濃度を短時間で充分に高めることが可能となる。
【０００９】
このような方法において、前記密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気を供給しながら、前記処理槽から基板を取り出すようにすれば（請求項２）、有機溶媒の蒸気の供給により密閉チャンバ内に気流が生じ、処理槽から取り出される基板に付着した水や基板表面の有機溶媒の蒸発が促進される。
【００１０】
さらに、請求項１または２記載の方法において、前記処理槽から基板を取り出した後に、前記密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気あるいは不活性ガスを供給するようにすれば（請求項３）、取り出された基板に付着している水や基板表面に残った有機溶媒の蒸発が促進される。
【００１１】
また、上記課題を解決するために、本発明の基板処理装置は、処理槽内に基板を浸漬して水洗処理を施すようにした基板処理装置において、前記処理槽を密閉収容する密閉チャンバと、基板を前記処理槽から取り出すハンドリング手段と、有機溶媒の蒸気を発生させる蒸気発生手段と、この蒸気発生手段と前記密閉チャンバとを連通接続し、かつ開閉バルブを有する有機溶媒蒸気の供給系と、前記蒸気発生手段により発生した有機溶媒の蒸気を前記密閉チャンバ内へ供給させるべく前記密閉チャンバ内を減圧する減圧手段と、この減圧手段により前記密閉チャンバ内を減圧した状態で、前記供給系の開閉バルブを開いて前記蒸気発生手段により発生した有機溶媒の蒸気を前記減圧手段により前記密閉チャンバ内へ吸引させ、前記ハンドリング手段により水洗処理後の基板を処理槽内から取り出して前記密閉チャンバ内の有機溶媒の蒸気中にさらさせる制御手段とを備えたものである（請求項４）。
【００１２】
この装置によれば、請求項１記載の基板処理方法を制御手段の制御に基づいて自動的に行うことが可能となる。
【００１３】
また、このような装置において、前記ハンドリング手段により水洗処理後の基板を処理槽内から取り出す際に、前記制御手段が、前記蒸気発生手段により発生した有機溶媒の蒸気を前記減圧手段により前記密閉チャンバ内へ供給させて前記密閉チャンバ内を減圧させているので（請求項５）、請求項２記載の基板処理方法を制御手段の制御に基づいて自動的に行うことが可能となる。
【００１４】
さらに、前記ハンドリング手段により水洗処理後の基板を処理槽内から取り出した後に、前記制御手段が、前記蒸気発生手段により発生した有機溶媒の蒸気を前記減圧手段により前記密閉チャンバ内へ供給させて前記密閉チャンバ内を減圧させたり（請求項６）、前記密閉チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段をさらに備え、前記ハンドリング手段により水洗処理後の基板を処理槽内から取り出した後に、前記制御手段が、前記不活性ガス供給手段により前記密閉チャンバ内に不活性ガスを供給させれば（請求項７）、請求項３記載の基板処理方法を制御手段の制御に基づいて自動的に行うことが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００１６】
図１は、本発明に係る基板処理装置の一例を概略的に示している。この図に示す基板処理装置１０は、単一の処理槽に各種薬液や純水を順次貯留しながら、半導体ウエハ等の基板をこの処理液に浸漬して表面処理を行う、いわゆるワンバス方式の基板処理装置である。
【００１７】
同図に示すように、基板処理装置１０は、密閉チャンバ１２を有し、この密閉チャンバ１２内に処理液を貯留するための処理槽１４を備えるとともに、有機溶媒蒸気の供給系、チャンバ内を真空にするための減圧系及び処理液の給排系を備えた構成となっている。
【００１８】
密閉チャンバ１２には、その上部に、開口部１６が形成されるとともに、この開口部１６を開閉する扉１８がスライド自在に設けられており、基板Ｗがこの開口部１６を介して密閉チャンバ１２に出し入れされるようになっている。
【００１９】
処理槽１４は、上部開口を有するとともに、その周囲に液受け部１４ａを備えた断面矩形の箱型に形成されており、その全体は例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフロロエチレン）、ＰＶＤＦ（フッ化ビニリデン）等の耐侵食性に優れた樹脂材料から構成されている。
【００２０】
処理槽１４には、処理液の給排系を構成する給水管２０及び排水管２１がそれぞれ接続されている。給水管２０は、その上流端側が図外の純水供給源に接続される一方、下流端側が処理槽１４の底部に接続されて処理槽１４内に連通しており、その途中には、開閉バルブ２２、ミキシングバルブ２４及び三方弁２６がその上流側から順に介設されている。
【００２１】
ミキシングバルブ２４には、薬液供給管２８ａ〜２８ｄが接続されており、これら薬液供給管２８ａ〜２８ｄの上流端側がそれぞれ異なる種類の薬液の供給源（図示せず）に接続されるとともに、その途中に、それぞれ開閉バルブ３０ａ〜３０ｄが介設されている。すなわち、給水管２０の開閉弁２２が開かれた状態で開閉バルブ３０ａ〜３０ｄのうちのいずれかの開閉バルブが開かれることにより、給水管２０を通じて供給される純水に一種類の薬液が混合されて処理槽１４に供給される一方、全ての開閉バルブ３０ａ〜３０ｄが閉じられることにより、純水のみが処理槽１４に供給されるようになっている。これにより給水管２０が純水及び各薬液の供給通路として共通化されている。
【００２２】
排水管２１は、上流端側が処理槽１４の液受け部１４ａに接続される一方、下流端側が図外の廃液タンクに接続されている。また、排水管２１には、その途中に分岐管２１ａが設けられ、この分岐管２１ａが給水管２０の三方弁２６に接続されている。すなわち、処理槽１４から液受け部１４ａにオーバーフローした液を排水管２１を介して廃液タンクに導入しつつ、例えば、処理槽１４内の処理液を全て排出する必要がある場合には、三方弁２６を切替えることにより、給水管２０、三方弁２６、分岐管２１ａ及び排水管２１を介して処理槽１４内の処理液を廃液タンクに導入するようになっている。
【００２３】
有機溶媒蒸気の供給系としては蒸気供給管３２が設けられている。この蒸気供給管３２は、上流端側が蒸気発生器３４に接続される一方、下流端側が密閉チャンバ１２に接続されてその内部に連通しており、その途中には、開閉バルブ３６が介設されている。蒸気発生器３４は、アルコール系有機溶媒の蒸気、例えばＩＰＡ蒸気を生成するように構成されている。
【００２４】
密閉チャンバ１２内を真空するための減圧系としては減圧管４０が設けられている。この減圧管４０は、上流端側が密閉チャンバ１２に接続されてその内部に連通している一方、下流端側が例えば水封式の真空ポンプ４４に接続されており、その途中には、三方弁４６が介設されてこの三方弁４６に図外のフィルターを備えた排気管４７が接続されている。そして、三方弁４６の切替えに応じて、密閉チャンバ１２内を排気管４７を介して大気に開放する状態と、密閉チャンバ１２を真空ポンプ４４に接続する状態とに切替え、密閉チャンバ１２を真空ポンプ４４に接続した状態で蒸気真空ポンプ４４を駆動させることにより密閉チャンバ１２内を減圧するように減圧系が構成されている。
【００２５】
そして、後述する処理動作時には、例えば真空ポンプ４４の駆動時間等が制御されることにより、密閉チャンバ１２内を低真空状態及び高真空状態の真空度の異なる２種類の減圧状態とするようになっているとともに、このように密閉チャンバ１２内を減圧した状態（低真空度）で、有機溶媒蒸気の供給系における開閉バルブ３６を開くことにより、ＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ１２内に吸引、供給するようになっている。
【００２６】
なお、密閉チャンバ１２内には、複数枚の基板Ｗを保持するハンドリング手段４９（図２に示す）が上下動可能に設けられており、このハンドリング手段４９が下降端位置に移動させられることにより同図中実線で示すように基板Ｗが処理槽１４内の処理液に浸漬させられる一方、ハンドリング手段４９がこの位置から上昇させられることにより基板Ｗが処理液から取り出されるようになっている。
【００２７】
また、密閉チャンバ１２の上部外側には、ハンドリング手段４９との間で基板Ｗを授受する移載機構が移動可能に設けられており、開口部１６を介してこの移載機構とハンドリング手段４９との間で基板Ｗが授受されることにより、基板Ｗが基板処理装置１０に対して出し入れされるようになっている。
【００２８】
ところで、基板処理装置１０には、図２に示すようなコントローラ５０が設けられており、有機溶媒蒸気の供給系、減圧系及び処理液の給排系の各バルブ、蒸気発生器３４、真空ポンプ４４、ハンドリング手段４９及び移載機構等がこのコントローラ５０に電気的に接続されている。コントローラ５０には、主制御手段５２が設けられるとともに、駆動制御手段５４及びバルブ制御手段５６が設けられ、駆動制御手段５４に対してハンドリング手段４９、蒸気発生器３４及び真空ポンプ４４等が、バルブ制御手段５６に対して有機溶媒蒸気の供給系等の各バルブがそれぞれ接続されている。
【００２９】
そして、基板処理装置１０の作動時には、駆動制御手段５４を介してハンドリング手段４９等が、また、バルブ制御手段５６を介して有機溶媒蒸気の供給系等の各バルブがそれぞれ主制御手段５２によって統括的に制御されることにより、以下のような基板Ｗの処理動作が行われるようになっている。
【００３０】
次に、基板処理装置１０による基板Ｗの処理動作について作用と共に図３のフローチャートを用いて説明する。
【００３１】
先ず、ハンドリング手段４９が上昇端位置にセットされた状態で密閉チャンバ１２の開口部１６が開放され、密閉チャンバ１２の上方に搬送されてきた複数枚の基板Ｗが移載機構により一括してハンドリング手段４９に引き渡されて開口部１６が閉じられる。このとき、密閉チャンバ１２内は大気圧とされ、ＩＰＡ蒸気の供給は行われていない。また、処理槽１４には純水が供給されつつ液受け部１４ａにオーバーフローさせられており、これによって処理槽１４内に純水の上昇流が形成されている。
【００３２】
密閉チャンバ１２の開口部１６が閉じられると、ハンドリング手段４９が下降端位置まで移動させられ、基板Ｗが一括して処理槽１４内の純水に浸漬させられる。そして、基板Ｗがこのような純水による上昇流のなかに配置されることにより、基板Ｗに対して水洗処理が施される（ステップＳ１，２）。
【００３３】
一定時間水洗処理が施されると、次に、薬液供給管２８ａ〜２８ｄのいずれかの開閉バルブ３０ａ〜３０ｄａが開かれることにより薬液が処理槽１４に供給されて基板Ｗに対して薬液処理が施される。このときも、薬液が処理槽１４に連続的に供給されて液受け部１４ａにオーバーフローさせられており、これにより処理残渣が処理槽１４外へと導出される。そして、以後、開閉バルブ３０ａ〜３０ｄが順次択一的に開かれることにより、異なる薬液が処理槽１４内に供給され、これによって基板Ｗに対して複数種類の薬液処理が順次施される（ステップＳ３，４）。
【００３４】
すべての薬液処理が終了すると、再び純水が処理槽１４に供給されて基板Ｗに対して水洗処理が施され、一定時間、水洗処理が行われると処理槽１４への純水の供給が停止される（ステップＳ５，６）。
【００３５】
そして、減圧系において各三方弁４６が切替えられ、一定時間だけ真空ポンプ４４が駆動させられることにより密閉チャンバ１２内が低真空状態にされるとともに、有機溶媒蒸気の供給系において開閉バルブ３６が一定時間開かれ、これによって蒸気発生器３４で生成されたＩＰＡ蒸気が密閉チャンバ１２内に吸引、供給される（ステップＳ７，８）。このように密閉チャンバ１２内を減圧してＩＰＡ蒸気を吸引、供給することで、短時間で多くのＩＰＡ蒸気が密閉チャンバ１２内に供給され、密閉チャンバ１２内の有機溶媒の濃度が短時間で高められる。なお、ＩＰＡ蒸気の供給時間、つまり開閉バルブ３６を開いている時間は、ＩＰＡ蒸気の供給が終了した時点で密閉チャンバ１２内が未だ真空状態に保たれ得る時間に設定されており、本実施形態においては、例えば１０分程度に設定されている。
【００３６】
ＩＰＡ蒸気の供給が停止させられると（ステップＳ９）、次いで、ハンドリング手段４９が上昇端位置に移動させられることにより基板Ｗが処理槽１４から取り出される（ステップＳ１０）。そして、このように基板Ｗが取り出されると、密閉チャンバ１２内に充満しているＩＰＡ蒸気が基板Ｗの表面で凝縮し、この凝縮熱によって基板Ｗに付着した水が蒸発する。また、凝縮したＩＰＡ蒸気により、水洗処理で除去されなかった例えば疎水性の処理残渣等、基板表面に強固に付着した処理残渣等が効果的に剥離されてＩＰＡと共に処理槽１４内に流下することとなる。
【００３７】
処理槽１４から基板Ｗが取り出されると、処理液の給排系において三方弁２６が切替えられて処理槽１４内の純水が急速排水されるとともに、再度、開閉バルブ３６が開かれて密閉チャンバ１２内にＩＰＡ蒸気が吸引、供給される（ステップＳ１１）。このようにＩＰＡ蒸気が密閉チャンバ１２内に供給されることにより、さらに基板表面に付着している水が蒸発させられる。また、このＩＰＡ蒸気の供給に伴い、密閉チャンバ１２内に気流が生じ、この気流により、基板Ｗに凝縮したＩＰＡ蒸気の蒸発が促進される。なお、このときのＩＰＡ蒸気の供給時間は、本実施形態においては５分程度に設定されている。
【００３８】
次いで、ＩＰＡ蒸気の供給が停止させられると（ステップＳ１２）、減圧系の真空ポンプ４４が一定時間だけ駆動させられることにより密閉チャンバ１２内が高真空状態とされる（ステップＳ１３）。これにより基板表面のＩＰＡが蒸発させられて基板Ｗが乾燥させられる。
【００３９】
そして、所定時間後、三方弁４６が切替えられることにより密閉チャンバ１２内が排気管４７を介して大気に開放されるとともに（ステップＳ１４）、開口部１６が開放されて、基板Ｗが一括して移載装置により密閉チャンバ１２外へと搬出される。こうして基板処理装置１０による基板Ｗの処理動作が終了する。
【００４０】
以上説明した基板処理装置１０によれば、ＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ１２内に供給する際に、真空ポンプ４４を作動させて密閉チャンバ１２内を減圧した後、開閉バルブ３６を開くことにより蒸気発生器３４で生成したＩＰＡ蒸気を吸引して密閉チャンバ１２内に供給するようにしているので、窒素ガスをキャリアガスとして用いてＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ内に供給する手法と比較すると、短い時間で密閉チャンバ１２内のＩＰＡ蒸気の濃度を所望の濃度まで高めることができる。そのため、ＩＰＡ蒸気によって水洗処理後の基板に付着した水や処理残渣等を除去する処理を、より少ないＩＰＡで、しかも短時間で行うことができる。
【００４１】
また、この基板処理装置１０では、ＩＰＡ蒸気を供給した後も密閉チャンバ１２内を減圧状態に保ち、この状態で基板Ｗを処理槽１４から取り出すようにしているので、基板Ｗの取り出しが開始された時点から基板Ｗに付着した水やＩＰＡの蒸発が始まる。そのため、密閉チャンバ１２内が高真空状態に切替えられるまでにある程度の水やＩＰＡを蒸発させておき、高真空状態への切替えに伴い基板Ｗに残っている水やＩＰＡを速やかに蒸発させることができる。そのため、基板Ｗの乾燥処理（上記ステップＳ１３の処理）を迅速、かつ確実に行うことができるという特徴もある。
【００４２】
なお、上記実施形態の基板処理装置１０は、本発明に係る基板処理装置の一例であって、その具体的な構成や制御（動作）は本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００４３】
例えば、上記基板処理装置１０では、ＩＰＡの蒸気を密閉チャンバ１２内に供給した後に、基板Ｗを処理槽１４から取り出すようにしているが、ＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ１２内に供給しながら基板Ｗを取り出すようにしてもよい。このようにすれば、ＩＰＡ蒸気の供給により密閉チャンバ１２内に気流が生じるため、この気流により基板Ｗに付着した水や基板表面に残ったＩＰＡの蒸発を促進させて、基板Ｗの乾燥を促すことができるという特徴がある。この場合、密閉チャンバ１２内に気流が生じていると、この気流の影響でＩＰＡ蒸気の凝縮箇所が基板表面で偏ったり、あるいは凝縮する量が不均一になる等して、基板表面に水や処理残渣が部分的に残ってしまうことが懸念されるが、この装置では、上述のようにＩＰＡ蒸気を吸引することで高濃度のＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ１２内に供給するため、上記のような気流の影響は少なく、基板に対してＩＰＡ蒸気を良好に凝縮させて水や処理残渣を除去することができる。
【００４４】
また、基板Ｗを処理槽１４から取り出した後、あるいは取り出し中に密閉チャンバ１２にＩＰＡ蒸気を供給して基板Ｗに付着した水やＩＰＡの蒸発を促進させる代わりに、窒素ガス等の不活性ガスを密閉チャンバ内に供給して気流を生じさせて水やＩＰＡの蒸発を促進させるようにしてもよい。特に、基板Ｗの種類等によっては、水洗処理後、処理槽から取り出された基板に水がほとんど付着しないものもあり、このような基板Ｗの処理においては、上記実施形態のようにＩＰＡ蒸気を凝縮させて水を蒸発させる必要がない。そのため、この種の基板Ｗの処理に際しては、窒素ガス等の不活性ガスを供給するようにすればよい。
【００４５】
さらに、上記実施形態では、真空ポンプ４４を一定時間だけ駆動させ、停止させた後に開閉バルブ３６を開いてＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ１２内に吸引、供給するようにしているが（上記ステップＳ７，８）、勿論、真空ポンプ４４を駆動させながら開閉バルブ３６を開いてＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ１２内に供給するようにしてもよい。また、基板Ｗを乾燥させるために密閉チャンバ１２内を高真空状態とする場合（上記ステップＳ１３）も、同様に、真空ポンプ４４を継続的に駆動させるようにしてもい。
【００４６】
また、上記実施形態では、有機溶媒としてＩＰＡを用いているが、使用する有機溶媒の種類は、勿論生産する基板の種類等に応じて適宜選定するようにすればよく、基板Ｗを処理槽１４から取り出した際に、基板表面の水や処理残渣の除去に寄与する機能を有する限り任意の有機溶媒を用いてもよい。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気を供給して水洗処理後の基板を処理槽から取り出してこの蒸気中にさらすようにした基板処理方法及び装置において、密閉チャンバ内を減圧手段により減圧し、この減圧状態で有機溶媒蒸気の供給系に設けられる開閉バルブを開いて有機溶媒の蒸気を前記減圧手段で吸引させることにより密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気を供給するようにしたので、短い時間で密閉チャンバ内の有機溶媒の蒸気濃度を所望の濃度まで高めることができる。そのため、窒素ガスを用いて有機溶媒の蒸気を密閉チャンバ内に供給する従来の手法に比べると、水洗処理後の基板に付着した水や処理残渣等を有機溶媒の蒸気によって除去する処理を効率良く行うことができる。
【００４８】
特に、このような方法及び装置において、密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気を供給しながら処理槽から基板を取り出すようにしたり、また、処理槽から基板を取り出した後に、密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気あるいは不活性ガスを供給するようにすれば、基板に付着した水や基板表面に残った有機溶媒の蒸発を促進させて、基板の乾燥を促すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】基板処理装置の制御系を示すブロック図である。
【図３】基板処理装置における基板処理動作の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１０ 基板処理装置
１２ 密閉チャンバ
１４ 処理槽
２０ 給水管
２１ 排水管
２１ａ 分岐管
２８ａ〜２８ｄ 薬液供給管
３０ａ〜３０ｄ 開閉バルブ
３２ 蒸気供給管
３４ 蒸気発生器
３６ 開閉バルブ
４０ 減圧管
４４ 真空ポンプ
４６ 三方弁
４７ 排気管
４９ ハンドリング手段
５０ コントローラ
５２ 主制御手段
５４ 駆動制御手段
５６ バルブ制御手段
Ｗ 基板[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method and an apparatus for performing a surface treatment on a substrate such as a semiconductor substrate or a glass substrate for a liquid crystal, and more particularly to a method and an apparatus for treating a substrate in which a substrate is immersed in a treatment tank and subjected to a water washing treatment. It is.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, in manufacturing substrates such as semiconductor substrates and liquid crystal glass substrates, a substrate is immersed in a chemical solution or pure water (both are collectively referred to as a “processing solution”) stored in a processing bath, and the processing solution in the processing bath is removed. A method and an apparatus for subjecting a substrate to a chemical solution treatment or a water washing treatment by sequentially replacing different treatment liquids are generally known.
[0003]
As one example of this type of substrate processing apparatus, there is an apparatus described in JP-A-7-130699. In this substrate processing apparatus, 2-propanol (isopropyl alcohol: referred to as “IPA”) vapor is blown into the chamber while the processing tank is housed in a closed chamber, and after the rinsing process is completed, the substrate is lifted from the processing tank. This removes processing residues and water adhering during the water washing process. According to this apparatus, when the substrate is taken out of the processing tank, IPA vapor is condensed on the surface of the substrate, the water is evaporated by the heat of condensation, and the wettability of the substrate surface is increased by the IPA film, and the processing residue is removed. Peeled and removed.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described conventional apparatus, the nitrogen gas is blown into the chamber, and the IPA vapor is supplied into the chamber using the nitrogen gas as a carrier gas. Therefore, there is a problem in efficiently processing the substrate.
[0005]
That is, in order to remove water and processing residues attached to the substrate surface, it is important to uniformly condense a large amount of IPA vapor on the entire surface of the substrate. It is necessary to increase the concentration of IPA vapor. However, in a conventional apparatus that supplies IPA vapor into a closed chamber using nitrogen gas as a carrier gas, it takes a long time to increase the IPA concentration in the chamber because the IPA vapor is diluted with nitrogen gas. Therefore, in order to reliably remove water and processing residues, for example, it is necessary to remove the substrate from the processing tank after supplying the organic solvent into the closed chamber for a long time, or to expose the removed substrate to steam for a long time. There is a problem that it takes a long time to process the substrate. In addition, since the dilution with nitrogen gas is performed, there is a problem that the total amount of IPA required for the treatment increases.
[0006]
The present invention has been made in order to solve the above problems, and provides a substrate processing method and apparatus capable of removing water and a processing residue after a water-washing treatment with a smaller amount of an organic solvent and in a short time. It is intended to be.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problems, a substrate processing method of the present invention includes immersing a substrate in a processing tank accommodated in a closed chamber, performing a water-washing process on the substrate, and evaporating an organic solvent in the closed chamber. In the substrate processing method in which the substrate after the rinsing treatment is supplied to expose the substrate to the vapor, the pressure in the closed chamber is reduced by a pressure reducing means, and an opening / closing valve provided in a supply system of the organic solvent vapor in the reduced pressure state is provided. When opened, the vapor of the organic solvent is sucked by the decompression means so that the vapor of the organic solvent is supplied into the closed chamber (claim 1).
[0008]
In this case, the concentration of the organic solvent is not diluted as in the conventional apparatus of this type, and the concentration of the organic solvent in the closed chamber can be sufficiently increased in a short time.
[0009]
In such a method, if the substrate is taken out of the processing tank while supplying the vapor of the organic solvent into the closed chamber (Claim 2), the supply of the vapor of the organic solvent causes a gas flow in the closed chamber. The evaporation of water and the organic solvent on the surface of the substrate that is generated and adheres to the substrate taken out of the processing tank is promoted.
[0010]
Further, in the method according to claim 1 or 2, if the substrate is taken out of the processing tank and then the vapor of an organic solvent or an inert gas is supplied into the closed chamber (claim 3), the substrate is taken out. The evaporation of the water adhering to the substrate and the organic solvent remaining on the substrate surface is promoted.
[0011]
Further, in order to solve the above problems, a substrate processing apparatus of the present invention is a substrate processing apparatus in which a substrate is immersed in a processing tank to perform a water washing process, wherein a closed chamber that hermetically accommodates the processing tank, Handling means for removing the substrate from the processing tank, steam generating means for generating a vapor of the organic solvent, and a communication system for connecting the vapor generating means and the closed chamber, and an organic solvent vapor supply system having an open / close valve, A pressure reducing means for reducing the pressure in the closed chamber so as to supply the vapor of the organic solvent generated by the vapor generating means into the closed chamber; and opening and closing the supply system in a state where the pressure in the closed chamber is reduced by the pressure reducing means. The valve is opened, and the vapor of the organic solvent generated by the vapor generating means is sucked into the closed chamber by the depressurizing means, and the handling is performed. Is obtained and a control means for exposure to the vapor of the organic solvent in the sealed chamber the substrate is taken out after the washing process from the processing tank by the step (claim 4).
[0012]
According to this apparatus, the substrate processing method described in claim 1 can be automatically performed based on the control of the control unit.
[0013]
Further, in such an apparatus, when the substrate after the rinsing process is taken out of the processing tank by the handling means, the control means removes the vapor of the organic solvent generated by the vapor generation means by the decompression means into the closed chamber. Since the inside of the closed chamber is depressurized by being supplied to the inside (claim 5), the substrate processing method according to claim 2 can be automatically performed based on the control of the control means.
[0014]
Further, after removing the substrate after the rinsing treatment from the processing tank by the handling means, the control means causes the vapor of the organic solvent generated by the vapor generation means to be supplied into the closed chamber by the decompression means, and Further comprising an inert gas supply means for depressurizing the inside of the closed chamber (claim 6) and supplying an inert gas into the closed chamber, and after removing the substrate after the rinsing treatment from the processing tank by the handling means. If the control means causes the inert gas supply means to supply an inert gas into the closed chamber (claim 7), the substrate processing method according to claim 3 is automatically performed based on the control of the control means. It is possible to do it.
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0016]
FIG. 1 schematically shows an example of a substrate processing apparatus according to the present invention. The substrate processing apparatus 10 shown in FIG. 1 is a so-called one-bus type substrate that performs surface treatment by immersing a substrate such as a semiconductor wafer in this processing liquid while sequentially storing various chemicals and pure water in a single processing tank. Processing device.
[0017]
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 has a closed chamber 12, a processing tank 14 for storing a processing liquid in the closed chamber 12, and a supply system of an organic solvent vapor, and a chamber. The system is provided with a decompression system for making a vacuum and a supply / discharge system for the processing liquid.
[0018]
The closed chamber 12 has an opening 16 formed in the upper part thereof, and a door 18 for opening and closing the opening 16 is slidably provided. The substrate W can be moved through the closed chamber 12 through the opening 16. To be put in and out.
[0019]
The processing tank 14 has an upper opening and is formed in a box shape having a rectangular cross section with a liquid receiving portion 14a around the opening, and the whole is made of, for example, PTFE (polytetrafluoroethylene), PVDF (vinylidene fluoride) It is made of a resin material having excellent erosion resistance.
[0020]
The processing tank 14 is connected to a water supply pipe 20 and a drain pipe 21 that constitute a processing liquid supply and discharge system. The water supply pipe 20 has an upstream end connected to a pure water supply source (not shown), and a downstream end connected to the bottom of the treatment tank 14 and communicates with the inside of the treatment tank 14. The valve 22, the mixing valve 24 and the three-way valve 26 are interposed in order from the upstream side.
[0021]
Chemical solution supply pipes 28a to 28d are connected to the mixing valve 24, and the upstream ends of the chemical solution supply pipes 28a to 28d are connected to supply sources (not shown) of different types of chemical solutions, respectively. Are provided with opening / closing valves 30a to 30d, respectively. That is, when one of the on-off valves 30a to 30d is opened in a state where the on-off valve 22 of the water supply pipe 20 is open, one type of chemical liquid is mixed with the pure water supplied through the water supply pipe 20. Then, the pure water is supplied to the processing tank 14 while all the open / close valves 30a to 30d are closed. Thereby, the water supply pipe 20 is shared as a supply passage for pure water and each chemical solution.
[0022]
The drain pipe 21 has an upstream end connected to the liquid receiving portion 14a of the processing tank 14, and a downstream end connected to a waste liquid tank (not shown). The drain pipe 21 is provided with a branch pipe 21 a in the middle thereof, and the branch pipe 21 a is connected to the three-way valve 26 of the water supply pipe 20. That is, for example, when it is necessary to discharge all the processing liquid in the processing tank 14 while introducing the liquid overflowing from the processing tank 14 to the liquid receiving portion 14a into the waste liquid tank through the drain pipe 21, the three-way valve is used. By switching 26, the processing liquid in the processing tank 14 is introduced into the waste liquid tank via the water supply pipe 20, the three-way valve 26, the branch pipe 21a, and the drain pipe 21.
[0023]
As an organic solvent vapor supply system, a vapor supply pipe 32 is provided. The steam supply pipe 32 has an upstream end connected to the steam generator 34 and a downstream end connected to the sealed chamber 12 and communicates with the inside thereof. ing. The steam generator 34 is configured to generate a vapor of an alcohol-based organic solvent, for example, IPA vapor.
[0024]
As a decompression system for evacuating the inside of the closed chamber 12, a decompression tube 40 is provided. The decompression pipe 40 has an upstream end connected to the closed chamber 12 and communicates with the inside thereof, while a downstream end is connected to, for example, a water-sealed vacuum pump 44. An exhaust pipe 47 having a filter (not shown) is connected to the three-way valve 46. Then, in response to switching of the three-way valve 46, the state in which the inside of the closed chamber 12 is opened to the atmosphere via the exhaust pipe 47 and the state in which the closed chamber 12 is connected to the vacuum pump 44 are switched. A decompression system is configured to drive the steam vacuum pump 44 while connected to the pressure chamber 44 so as to reduce the pressure in the closed chamber 12.
[0025]
At the time of a processing operation to be described later, for example, the drive time of the vacuum pump 44 is controlled, so that the inside of the closed chamber 12 is brought into two types of reduced pressure states of different vacuum degrees of a low vacuum state and a high vacuum state. In addition, in a state where the pressure in the closed chamber 12 is reduced (the degree of vacuum is low), the open / close valve 36 in the supply system of the organic solvent vapor is opened to suck and supply the IPA vapor into the closed chamber 12. It has become.
[0026]
In the closed chamber 12, a handling means 49 (shown in FIG. 2) for holding a plurality of substrates W is provided so as to be vertically movable, and the handling means 49 is moved to a lower end position. As shown by a solid line in the figure, the substrate W is immersed in the processing liquid in the processing bath 14, while the handling means 49 is lifted from this position to remove the substrate W from the processing liquid.
[0027]
A transfer mechanism for transferring the substrate W to and from the handling means 49 is provided movably on the upper outside of the closed chamber 12, and the transfer mechanism and the handling means 49 are provided through the opening 16. The transfer of the substrate W between the steps allows the substrate W to be transferred into and out of the substrate processing apparatus 10.
[0028]
Incidentally, the substrate processing apparatus 10 is provided with a controller 50 as shown in FIG. 2, and each valve of a supply system of an organic solvent vapor, a pressure reduction system and a supply and discharge system of a processing liquid, a steam generator 34, a vacuum pump 44, handling means 49, a transfer mechanism and the like are electrically connected to the controller 50. The controller 50 is provided with a main control unit 52, a drive control unit 54 and a valve control unit 56, and the handling unit 49, the steam generator 34, the vacuum pump 44, etc. Each valve such as an organic solvent vapor supply system is connected to the control means 56.
[0029]
When the substrate processing apparatus 10 is operated, the main control unit 52 controls the handling unit 49 and the like via the drive control unit 54 and the valves such as the organic solvent vapor supply system via the valve control unit 56. The following processing operation of the substrate W is performed by the above control.
[0030]
Next, the processing operation of the substrate W by the substrate processing apparatus 10 will be described with reference to the flowchart of FIG.
[0031]
First, the opening 16 of the sealed chamber 12 is opened with the handling means 49 set at the rising end position, and a plurality of substrates W transferred above the sealed chamber 12 are handled collectively by the transfer mechanism. The opening 16 is closed by being delivered to the means 49. At this time, the inside of the closed chamber 12 is set to the atmospheric pressure, and the supply of the IPA vapor is not performed. The processing tank 14 is supplied with pure water and overflows into the liquid receiving portion 14a, whereby an upward flow of pure water is formed in the processing tank 14.
[0032]
When the opening 16 of the closed chamber 12 is closed, the handling means 49 is moved to the lower end position, and the substrate W is immersed in pure water in the processing bath 14 at a time. Then, by arranging the substrate W in such an upward flow of pure water, the substrate W is subjected to a water washing process (steps S1 and S2).
[0033]
When the water washing process is performed for a certain period of time, next, the chemical solution is supplied to the processing tank 14 by opening one of the open / close valves 30a to 30da of the chemical solution supply pipes 28a to 28d, and the chemical processing of the substrate W is performed. Will be applied. Also at this time, the chemical solution is continuously supplied to the processing tank 14 and overflows to the liquid receiving part 14a, whereby the processing residue is led out of the processing tank 14. Thereafter, the opening / closing valves 30a to 30d are sequentially and selectively opened, so that different chemicals are supplied into the processing tank 14, whereby a plurality of types of chemicals are sequentially processed on the substrate W (step). S3, 4).
[0034]
When all the chemical treatments are completed, pure water is supplied to the processing tank 14 again, and the substrate W is subjected to the water washing processing. When the water washing processing is performed for a certain period of time, the supply of the pure water to the processing tank 14 is stopped. (Steps S5 and S6).
[0035]
Then, the three-way valves 46 are switched in the pressure reducing system, and the vacuum pump 44 is driven for a predetermined time to make the inside of the closed chamber 12 a low vacuum state, and the opening / closing valve 36 is fixed in the organic solvent vapor supply system. It is opened for a time, whereby the IPA vapor generated by the vapor generator 34 is sucked and supplied into the closed chamber 12 (Steps S7, S8). As described above, by reducing the pressure in the closed chamber 12 and sucking and supplying the IPA vapor, a large amount of the IPA vapor is supplied into the closed chamber 12 in a short time, and the concentration of the organic solvent in the closed chamber 12 is reduced in a short time. Enhanced. Note that the supply time of the IPA vapor, that is, the time during which the opening / closing valve 36 is opened, is set to a time during which the supply of the IPA vapor is completed so that the inside of the closed chamber 12 can still be kept in a vacuum state. Is set to, for example, about 10 minutes.
[0036]
When the supply of the IPA vapor is stopped (Step S9), the substrate W is taken out of the processing bath 14 by moving the handling means 49 to the rising end position (Step S10). When the substrate W is taken out in this way, the IPA vapor filling the closed chamber 12 is condensed on the surface of the substrate W, and the water attached to the substrate W is evaporated by the heat of condensation. In addition, due to the condensed IPA vapor, for example, processing residues firmly adhered to the substrate surface, such as hydrophobic processing residues, which are not removed by the water washing process, are effectively peeled off and flow down into the processing tank 14 together with IPA. It becomes.
[0037]
When the substrate W is taken out of the processing tank 14, the three-way valve 26 is switched in the processing liquid supply / discharge system to rapidly drain the pure water in the processing tank 14, and the opening / closing valve 36 is opened again to close the closed chamber. IPA vapor is sucked and supplied into 12 (step S11). By supplying the IPA vapor into the closed chamber 12, water adhering to the substrate surface is further evaporated. Further, with the supply of the IPA vapor, an airflow is generated in the closed chamber 12, and this airflow promotes the evaporation of the IPA vapor condensed on the substrate W. The supply time of the IPA vapor at this time is set to about 5 minutes in the present embodiment.
[0038]
Next, when the supply of the IPA vapor is stopped (Step S12), the inside of the closed chamber 12 is brought into a high vacuum state by driving the vacuum pump 44 of the decompression system for a fixed time (Step S13). Thus, the IPA on the substrate surface is evaporated, and the substrate W is dried.
[0039]
After a predetermined time, the three-way valve 46 is switched to open the inside of the closed chamber 12 to the atmosphere via the exhaust pipe 47 (step S14), and the opening 16 is opened, so that the substrates W are collectively collected. It is carried out of the closed chamber 12 by the transfer device. Thus, the processing operation of the substrate W by the substrate processing apparatus 10 ends.
[0040]
According to the substrate processing apparatus 10 described above, when the IPA vapor is supplied into the closed chamber 12, the vacuum pump 44 is operated to reduce the pressure in the closed chamber 12, and then the opening / closing valve 36 is opened. Since the IPA vapor generated in step S34 is sucked and supplied into the closed chamber 12, compared to the method of supplying IPA vapor into the closed chamber using nitrogen gas as a carrier gas, the closed chamber is short in time. The concentration of the IPA vapor in 12 can be increased to a desired concentration. Therefore, the process of removing water, processing residues, and the like attached to the substrate after the rinsing process by the IPA vapor can be performed with less IPA and in a short time.
[0041]
Further, in the substrate processing apparatus 10, the inside of the closed chamber 12 is kept in a reduced pressure state even after the IPA vapor is supplied, and the substrate W is taken out of the processing tank 14 in this state, so that the taking out of the substrate W is started. At this point, evaporation of water and IPA attached to the substrate W starts. Therefore, it is possible to evaporate a certain amount of water or IPA before the inside of the closed chamber 12 is switched to the high vacuum state, and to quickly evaporate the water or IPA remaining on the substrate W with the switching to the high vacuum state. it can. Therefore, there is a feature that the drying process of the substrate W (the process of step S13) can be performed quickly and reliably.
[0042]
Note that the substrate processing apparatus 10 of the above embodiment is an example of the substrate processing apparatus according to the present invention, and its specific configuration and control (operation) can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. .
[0043]
For example, in the substrate processing apparatus 10, after the IPA vapor is supplied into the closed chamber 12, the substrate W is taken out from the processing bath 14. The substrate W is supplied while the IPA vapor is supplied into the closed chamber 12. It may be taken out. With this configuration, an air current is generated in the sealed chamber 12 by the supply of the IPA vapor, and this air flow promotes evaporation of water adhering to the substrate W and IPA remaining on the substrate surface, thereby promoting drying of the substrate W. There is a feature that can be. In this case, if an air current is generated in the sealed chamber 12, the condensed portion of the IPA vapor is unevenly distributed on the substrate surface due to the influence of the air flow, or the amount of the IPA vapor condensed becomes non-uniform. Although there is a concern that processing residues may partially remain, in this apparatus, high-density IPA vapor is supplied into the closed chamber 12 by suctioning IPA vapor as described above. The influence of the air current is small, and the IPA vapor can be satisfactorily condensed on the substrate to remove water and processing residues.
[0044]
Instead of supplying IPA vapor to the closed chamber 12 after or during the removal of the substrate W from the processing bath 14 to promote evaporation of water or IPA attached to the substrate W, an inert gas such as nitrogen gas is used. May be supplied into the closed chamber to generate an air flow to promote the evaporation of water and IPA. In particular, depending on the type of the substrate W, etc., water hardly adheres to the substrate taken out of the processing tank after the water rinsing process. In such a process of the substrate W, IPA vapor is applied as in the above embodiment. There is no need to condense and evaporate water. Therefore, when processing this kind of substrate W, an inert gas such as a nitrogen gas may be supplied.
[0045]
Further, in the above-described embodiment, the vacuum pump 44 is driven for a certain period of time and stopped, and then the opening and closing valve 36 is opened to suck and supply the IPA vapor into the closed chamber 12 (the above steps S7 and S8). Of course, the opening / closing valve 36 may be opened while driving the vacuum pump 44 to supply the IPA vapor into the closed chamber 12. Also, when the inside of the closed chamber 12 is set to a high vacuum state for drying the substrate W (step S13), the vacuum pump 44 may be continuously driven.
[0046]
In the above embodiment, IPA is used as the organic solvent. However, the type of the organic solvent to be used may be appropriately selected according to the type of the substrate to be produced and the like. When taken out from the substrate, any organic solvent may be used as long as it has a function of contributing to removal of water and processing residues on the substrate surface.
[0047]
【The invention's effect】
As described above, the present invention provides a method and apparatus for processing a substrate in which a vapor of an organic solvent is supplied into a closed chamber to take out a substrate after the rinsing process from a processing tank and expose the substrate to the vapor. The inside is depressurized by the decompression means, and in this depressurized state, the opening and closing valve provided in the supply system of the organic solvent vapor is opened, and the vapor of the organic solvent is sucked by the decompression means to supply the vapor of the organic solvent into the closed chamber. As a result, the vapor concentration of the organic solvent in the closed chamber can be increased to a desired concentration in a short time. Therefore, as compared with the conventional method of supplying the vapor of the organic solvent into the closed chamber using the nitrogen gas, the process of removing the water and the processing residue adhered to the substrate after the rinsing process with the vapor of the organic solvent is more efficient. It can be carried out.
[0048]
In particular, in such a method and apparatus, the substrate is taken out from the processing tank while supplying the vapor of the organic solvent into the closed chamber, or the organic solvent is put into the closed chamber after the substrate is taken out from the processing tank. If steam or an inert gas is supplied, the evaporation of water adhering to the substrate and the organic solvent remaining on the substrate surface can be promoted, and the drying of the substrate can be promoted.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a block diagram illustrating a control system of the substrate processing apparatus.
FIG. 3 is a flowchart illustrating an example of a substrate processing operation in the substrate processing apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate processing apparatus 12 Sealed chamber 14 Processing tank 20 Water supply pipe 21 Drain pipe 21a Branch pipe 28a-28d Chemical supply pipe 30a-30d Open / close valve 32 Steam supply pipe 34 Steam generator 36 Open / close valve 40 Decompression pipe 44 Vacuum pump 46 Three-way valve 47 exhaust pipe 49 handling means 50 controller 52 main control means 54 drive control means 56 valve control means W substrate

Claims (7)

密閉チャンバ内に収容された処理槽に基板を浸漬して当該基板に対して水洗処理を施し、前記密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気を供給して水洗処理後の基板をこの蒸気中にさらすようにした基板処理方法において、前記密閉チャンバ内を減圧手段により減圧し、この減圧状態で有機溶媒蒸気の供給系に設けられる開閉バルブを開いて有機溶媒の蒸気を前記減圧手段で吸引させることにより前記密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気を供給することを特徴とする基板処理方法。A substrate is immersed in a processing tank accommodated in a closed chamber to perform rinsing processing on the substrate, and vapor of an organic solvent is supplied into the closed chamber to expose the substrate after the rinsing processing to the vapor. in the substrate processing method, the said sealed chamber under vacuum by vacuum means, by the isosamples open close valve provided in the supply system of the organic solvent vapor to vapor of the organic solvent under a reduced pressure and sucked by the vacuum means A substrate processing method, comprising supplying a vapor of an organic solvent into the closed chamber. 前記密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気を供給しながら、前記処理槽から基板を取り出すことを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。2. The substrate processing method according to claim 1, wherein the substrate is taken out from the processing tank while supplying a vapor of an organic solvent into the closed chamber. 前記処理槽から基板を取り出した後に、前記密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気あるいは不活性ガスを供給することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法。3. The substrate processing method according to claim 1, wherein after removing the substrate from the processing tank, a vapor of an organic solvent or an inert gas is supplied into the closed chamber. 処理槽内に基板を浸漬して水洗処理を施すようにした基板処理装置において、前記処理槽を密閉収容する密閉チャンバと、基板を前記処理槽から取り出すハンドリング手段と、有機溶媒の蒸気を発生させる蒸気発生手段と、この蒸気発生手段と前記密閉チャンバとを連通接続し、かつ開閉バルブを有する有機溶媒蒸気の供給系と、前記蒸気発生手段により発生した有機溶媒の蒸気を前記密閉チャンバ内へ供給させるべく前記密閉チャンバ内を減圧する減圧手段と、この減圧手段により前記密閉チャンバ内を減圧した状態で、前記供給系の開閉バルブを開いて前記蒸気発生手段により発生した有機溶媒の蒸気を前記減圧手段により前記密閉チャンバ内へ吸引させ、前記ハンドリング手段により水洗処理後の基板を処理槽内から取り出して前記密閉チャンバ内の有機溶媒の蒸気中にさらさせる制御手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。Occurs in the substrate processing apparatus that performs a washing process by immersing the substrate in the processing bath, a sealing chamber for sealing accommodating the processing tank, and handling means for taking out the substrate from the processing bath, the vapor of organic solvent A vapor generating means to be connected, a communication system connecting the vapor generating means and the closed chamber, and a supply system of an organic solvent vapor having an open / close valve; and a vapor of the organic solvent generated by the vapor generating means into the closed chamber. wherein a decompression means for decompressing said sealed chamber in order to supply to, in a state of reduced pressure the sealed chamber by the pressure reducing means, the vapor of organic solvent generated by the steam generating means by opening the closing valve of the supply system sucked into the sealed chamber by vacuum means, said tight manner out the substrate after washing process from the processing tank by said handling means Substrate processing apparatus is characterized in that a control means for causing exposed to the vapor of the organic solvent in the chamber. 前記制御手段は、前記ハンドリング手段により水洗処理後の基板を処理槽内から取り出す際に、前記蒸気発生手段により発生した有機溶媒の蒸気を前記減圧手段により前記密閉チャンバ内へ供給させて前記密閉チャンバ内を減圧させることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。The control means is configured to supply the vapor of the organic solvent generated by the vapor generation means to the closed chamber by the decompression means when removing the substrate after the water washing treatment from the processing tank by the handling means, 5. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the inside of the substrate is depressurized. 前記制御手段は、前記ハンドリング手段により水洗処理後の基板を処理槽内から取り出した後に、前記蒸気発生手段により発生した有機溶媒の蒸気を前記減圧手段により前記密閉チャンバ内へ供給させて前記密閉チャンバ内を減圧させることを特徴とする請求項４または５記載の基板処理装置。The control means removes the substrate after the rinsing process from the processing tank by the handling means, and then supplies the vapor of the organic solvent generated by the vapor generation means to the closed chamber by the decompression means, thereby controlling the closed chamber. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the inside is decompressed. 前記密閉チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段をさらに備え、前記制御手段は、前記ハンドリング手段により水洗処理後の基板を処理槽内から取り出した後に、前記不活性ガス供給手段により前記密閉チャンバ内に不活性ガスを供給させることを特徴とする請求項４または５記載の基板処理装置。The apparatus further includes an inert gas supply unit that supplies an inert gas into the closed chamber. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein an inert gas is supplied into the closed chamber.

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