JP3569520B2 - 核スピントモグラフィー装置の一定の主磁場における直線的磁場偏差を傾斜磁場コイルを用いて補償するための方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は核スピントモグラフィー装置の一定の主磁場における直線的磁場偏差を傾斜磁場コイルを用いて補償するための方法に関する。
【0002】
核スピン共鳴装置においては、基本磁場の均質性は結像品質にとって決定的な要因である。像生成に際して画像領域にて磁場不均質性によっては磁場偏差に比例する幾何学的ひずみが生ぜしめられる。特に重要であるのはエコープレーナ法における磁場均質性である。
【0003】
更に、スペクトロスコピーの領域では、当該スペクトル線にて十分な分解能を達成するために、磁場均質性に対して高い要求が課せられる。磁場不均質性によってスペクトル線の重畳が生ぜしめられる。
【0004】
論文“Aspects of shimming a superconductive whole body MRI magnet”,G. Frest et al, Proceedings of the 9th Int. Conf. on Mag. Techn. Zuerich, 9.−13. 9. 1985,第249−251頁において述べられているように、磁場は球面調和関数の展開係数により表現され得る。上記の論文からは磁場偏差が電気的シムコイルにより補償され得ることも既に公知である。直線的磁場偏差、即ち1次の磁場誤差は次のようにしても補償され得る。即ち傾斜磁場コイルにオフセット電流、即ち勾配パルスシーケンスに重畳される一定の電流を供給することによっても補償され得る。
【0005】
磁場均質性に対する要求が比較的高い場合は直線的磁場偏差のみならず、高次の磁場偏差をも補償しなければならない。このために、傾斜磁場コイルのほかに付加的に、適当な電流を供給さるべき特別なシムコイルが設けられる。画像生成において、シミング、即ち、個々のシムコイルを介しての当該電流の調整、及び場合により傾斜磁場コイルのオフセット電流の調整が、有利には夫々の患者の検査前に、スペクトロスコピーでは典型的に各測定前に実施される。
【0006】
最適な磁場均質性を得るための傾斜磁場コイルに対するオフセット電流及びシムコイルに対する電流の調整は複雑な問題を提起しており、この問題は従来屡々反復式に解決されていた。反復法は相当時間を要し、その結果患者は核スピントモグラフィにより長くとどまっていなければならない。このことは患者に対する心的負担に鑑みて(殊に密閉室恐怖症のある場合)も、患者に生じ得る放射線供給量に鑑みても不利である。
【0007】
磁石の一般的シミングのための非反復法は次の論文中に記載されている。
【0008】
論文“Fast, non−iterative shimming of spatially localized signals”in Journal of Magnetic Resonance, S. 323 bis 334(1992)。その場合、複数の投影の方向での核スピンの位相が、刺戟されたエコーシーケンスにより求められる。位相特性に基いて、当該投影にて磁場の特性経過が測定され、もって、磁場を球面調和関数で表す際該関数の係数が求められ得る。各シムコイルはn次及びm階の球面調和関数に対応付けられている。上述の手法により求められた係数はシムコイルに供給さるべき電流に対する尺度として使用される。
【0009】
【発明の目的】
本発明の目的ないし課題とするところはできるだけ高い均質性が短時間に達成されるように、核スピントモグラフィー装置の一定の主磁場における直線的磁場偏差を傾斜磁場コイルを用いて補償するための方法を実現することである。
【0010】
【発明の構成】
上記課題は請求項1または2の構成要件により解決される。有利な実施態様は引用請求項に記載されている。
【0011】
次に本発明を図1〜図34を用いて説明する。
【0012】
公知のように、核スピントモグラフィーにおける核スピン共鳴信号の局所分解が次のようにして行なわれる、即ち、1テスラのオーダの均質なスタチックな基本磁場に直線的磁場勾配ないし傾斜磁場が重畳されるようにするのである。画像生成の原理、方式は例えば、論文Bottomley著述“NMR−imaging techniques and applications:A review”in Review of Scientific Instrum., 53(9),9/82,第1319乃至1337頁、に記載されている。
【0013】
3つのディメンションでの局所分解のため、3つの有利に相互に垂直の方向で磁場勾配ないし傾斜磁場が形成されねばならない。図1及び図2にはそれぞれの磁場勾配の方向を表わすべき直交座標X,Y,Zが夫々示してある。図1はY方向での傾斜磁場GYを形成するための傾斜磁場コイルの従来配置構成を示す。傾斜磁場コイル2は鞍形コイルとして構成されており、このコイルは支持管1上に取付けられている。導体セクション2aにより、球状被検体積11内部に、Y方向に著しく一定の傾斜磁場GYが生ぜしめられる。当該戻り導体によっては被検体積11からの比較的大きな距離に基づき、そこにはたんに無視可能な成分のみが生ぜしめられる。
【0014】
X傾斜磁場に対する傾斜磁場コイルはY傾斜磁場コイル2と同じように構成されており、ただし、支持管1上で90°だけ方位方向に回転されている。分かり易くするためにこれらは図1には示されていない。
【0015】
更に、図1には同じく鞍形コイルとして構成されているシムコイル4〜6が示してある。シムコイル4〜6はたんに略示してあるに過ぎず、シムコイルの設計についての説明は例えば米国特許第3569823号明細書になされている。各シムコイル4〜6には夫々電流給電部SH1〜SH3が配属されており、これら電流給電部はそれぞれのシムコイル4〜6に電流I4〜I6を供給する。当該電流I4〜I6は計算ユニットCを介して可調整である。
【0016】
Z方向での傾斜磁場に対する傾斜磁場コイル3は図2には略示してある。当該コイルはリング状に構成されており、被検体積11の中心点に対して対称的に配置されている。2つの個別コイル3a,3bはここには図2に示す形式で逆方向に電流が流れるので、Z方向に傾斜磁場を生じさせる。更に図2には−やはりたんに略示してあるが−本例ではリング状のシムコイル7〜9が示してあり、これらシムコイルは同様に電流給電部SH4〜SH6を介して、電流I4〜I6の供給を受ける。上記電流I4〜I6はやはり計算ユニットCにより可制御である。
【0017】
傾斜磁場コイルの構成についての詳細な説明はEP−A1−0073402になされている。更に図1及び図2には傾斜磁場コイル2,3に対する電流給電部Vが示してある。夫々の傾斜磁場コイル2,3を流れる電流は測定シーケンスを設定するパルス発生器Pと電流に対する発生器Oとによって定められる。PとOの出力信号は相加えられる。
【0018】
既述の論文Frest et al“Aspects of shimming a superconductive whole body MRI magnet”にて述べられているように、磁場は球面調和関数に基づき表示表現され得る。磁場のここで専ら関心のある軸方向成分Bzについては下記関係式が成立つ。
【0019】
【数1】
【0020】
同様に既に引用された米国特許第3,569,823号明細書に記載されているように、シムコイルを次のように構成できる。即ち、実質的に、これらの係数のうちの1つに影響を与え、即ちこれらの係数に相応する磁場障害を補償するように構成できる。
【0021】
実際上は勿論、限られた数のシムコイルのみしか設けられ得ず、それにより、球面調和関数の上述の係数の相応の数が零にセットされ得る。核スピントモグラフィー及びスペクトロスコピーにおいて、高い要求の場合にも一般に、9つの非直線性のシムコイルで事足り、その結果3つの傾斜磁場コイルと共に磁場分布に最も強く障害を与える12の球面係数を零にもっていくことができる。
【0022】
シミングのため、先ず、存在する磁場経過を検出することが必要である。
【0023】
シムコイル及び傾斜磁場コイルを流れる電流の調整方法を以下図3〜図10を用いて説明する。
【0024】
図3は従来の勾配エコーシーケンスを示し、ここでは高周波励起パルスRFの後、励起されたスピンが傾斜磁場GROにより先ずディフェーズされ、次いで、当該傾斜磁場GROの反転によりリフェーズされる。当該傾斜磁場GROを別として完全に均質な磁場において、時点t0にて、勾配エコー信号Sが現われ、その際当該時点t0は次のようにして規定される、即ち有効傾斜磁場GROについての時間積分が零になるようにして規定される。
【0025】
【数2】
【0026】
図4は同じパルス列を示すが、但し、当該基本磁場には本例では直線的として仮定された、不均質な磁場BIが傾斜磁場GROの方向で重畳されている。傾斜磁場GROの方向での当該の直線的不均質磁場が上記傾斜磁場GROに加えられ、而して、今や、エコー条件が早目に充足され、換言すれば、当該信号Sは通常のエコー時点t0より時間間隔t1だけ前に現われる。
【0027】
図5は図3の勾配エコーシーケンスを示し、ここで、負の直線的磁場偏差が傾斜磁場GROの方向で生じる。そこでこれによって、エコー時点は通常のエコー時点t0より時間間隔Δt2だけ後に位置する。
【0028】
要するに時間ずれΔtは傾斜磁場GROの方向での直線的磁場偏差に対する尺度である。
【0029】
均質磁場についての情報を勾配エコーによってのみならず、図6〜図8の実施例ではスピンエコーにより得ることができる。説明の都合上、図6に先ず従来のスピンエコーシーケンスを示す。その際高周波パルスRFにつづいて傾斜磁場Gがつづき、次いで、180°高周波パルスRF*がつづき、更に、傾斜磁場G*がつづき、このG*のもとで、スピンエコー信号Sが読出される。当該時間全体中傾斜磁場Gの方向に、直線状不均質磁場BI、すなわち、1次の不均質磁場が作用する。この不均質磁場は傾斜磁場Gの方向での付加的傾斜磁場に相応する。
【0030】
通常の場合において、当該180°高周波パルスRF*は高周波パルスRFとスピンエコー信号Sとの間の中央に配置されている。それによって、一定の均質磁場がスピンエコー信号Sの位置に影響を与えないようになる。というのは180°高周波パルスRF*の右、左側で傾斜磁場面積は等しいからである。
【0031】
不均質磁場BIを求めるため、図7の第1のシーケンスでは180°高周波パルスRF*が中央位置に対して左方へずらされている。不均質磁場がないとすればスピンエコーS1の位置へ何ら影響、作用が及ぼされなくなる、それというのも、エコー条件にとって傾斜磁場GI,GI*の傾斜磁場面積のみが規定的であるからである。ところが、当該の直線的不均質磁場によってエコー信号S1は左方へシフトされる(要するに早めに生じる)ようになる。このことは第1の高周波パルスRF1と180°高周波パルスRF*との間の面積と、180°高周波パルスRF*とエコー信号S1との間の総合面積との比較により明らかになる。
【0032】
第2高周波パルスRF2と、第2傾斜磁場パルスG2とを有する第2シーケンスにおいて、180°高周波パルスRF2*は中央位置に対して右方へシフトされる。それにより、所属のスピンエコー信号S2は不均質磁場BIの作用により右方へシフトされる。このことは同じく有効傾斜磁場面積の比較により明らかになる。
【0033】
もって、図7及び図8による両シーケンスにおけるエコー位置の比較により、時間差Δtが求められ得、この時間差は同じく直線的磁場不均質性BIに対する尺度を成す。
【0034】
要するに、エコー時点のシフトに基づき、所定の方向での直線的磁場不均質性を当該の方向での傾斜磁場を有するスピンエコーシーケンス又は勾配エコーシーケンスにより検出し得る。当該時間差の直接測定の欠点とするところはそれによっては直線的磁場偏差しか検出されずかつエコー中心の所要の検出がそう簡単ではないことである。一般的種類の磁場不均質性はエコー信号のフーリエ変換後得られる位相カーブの解析により求められ得、これについて以下説明する。
【0035】
完全に均質な磁場の場合或1つの勾配エコーのすべてのスピンは同じ位相位置を有する。要するに当該エコー信号をフーリエ変換し、位相位置に関し評価する際、スピン位置について位相位置状態の一定値が得られる。図9には完全に均質の磁場の場合に対するエコー位置及び位相カーブが示してある。勾配エコーは丁度通常のエコー位置t0を有し、スピン位置SPに関して略示された位相Phはスピン位置SPに無関係に一定の値を有する。
【0036】
図10には図5に相応して、負の直線的磁場偏差、即ち、傾斜磁場GROの方向での1次の磁場偏差が示してある。この場合において、エコー時点は右方へシフトされており、当該位相カーブは次のような傾きを有する、即ちエコー時間シフトに正確に相応すると共に傾斜磁場GROの方向での1次の不均質磁場についての情報を表わす傾きを有している。同じことが図11に正の直線的磁場偏差(すなわち同じく1次の不均質磁場)に対して示してある。
【0037】
ところが、フーリエ変換を用いては1次の磁場偏差のみならず、比較的に高い次数の磁場偏差をも検出できる。図12は左方に時間領域における信号を示し、ここには当該磁場は1次の磁場不均質性を有しないが2次の磁場不均質性を有する。その場合、エコー時点はシフトされないが、エコーは拡げられる。個々のスピンの略示した位相位置を以ての所属の位相カーブは2次の磁場不均質性を表わす。
【0038】
図13は比較的に高い次数の磁場不均質性に係わる。ここには磁場不均質性に関する時間信号は直接的にはもはや情報内容を含まない。但し、当該位相カーブは比較的に高次の磁場不均質性をも明瞭に表わす。
【0039】
要するに一般的に云って、勾配エコー又はスピンエコーの生成、得られた核共鳴信号のフーリエ変換、及び、それにより得られた位相情報の評価により、適用された傾斜磁場の方向での磁場(特性)経過が求められ得る。第n次の不均質磁場は同じ次数の位相カーブにおいて有効性が現われる。磁場不均質性についての十分な情報を得るには複数の傾斜磁場方向(以下たんに投影と称される)に対するその種プロセスが実施されねばならない。所要の投影の数は球面調和関数による磁場の表現における、磁場不均質性を表わす次の幾つの項が補償さるべきであるかに依存する。要するに、除去さるべき球面調和関数の各係数が、投影により求められねばならない。所要の投影の数をわずかに抑えるために、当該投影軸は次のように選択される。即ち個々の係数への作用、影響ができるだけ簡単に選別識別され得るように選択される。表1(図26)中には磁場不均質性へ普通最も係わってくる12の球面係数A(n,m)、B(n,m)が示してある。これらの係数は式(1)に相応する基本磁場の表示に関連している。更に同じ列にはこれら構成部分に対して直交座標記号表示を略称で示してある。
【0040】
表1(図26)の係数を求めるために磁場特性経過を次の投影で求めるのが有利であることが判っている、即ち:X軸、Y軸、Z軸、軸X=Y、軸X=−Y、軸X=Z、軸X=−Z、軸Y=Z、軸Y=−Zを決定すると有利であることが判っている。表1には、球面係数A(n,m)、B(n,m)により表わされる不均質磁場がどのように当該投影に作用を及ぼすかが示されている。その際、γは原点からの距離間隔を示し、αは係数を表わす。例えば次の関係性が認められる。
【0041】
係数A2.0により表わされる磁場不均質性はすべての投影に影響を及ぼす。係数A2.2により表わされる磁場不均質性はX(x軸等……と示されている),Y,X=Z,Y=Z,Y=−Zの投影に影響を及ぼす。
【0042】
係数B2.2により表わされる磁場不均一性は投影X=Y、X=−Yにおいて現われる、即ち、X/Y平面内で45°又は135°を有する軸上に現われる。
【0043】
当該のテーブルに基づき、すべての12の球面係数が求められ得る。
【0044】
実際上フーリエ変換により得られた位相カーブは次のように評価される。即ち、フーリエ変換の後先ず、平滑化、次いでFit法を実施し、これにより多項式係数が得られ、この多項係数を式(1)の多項式係数に関連付けるように評価される。もって、歩進的に、表1からすべての多項式−係数を求め得、従って、球面係数が得られる。当該プロセスの精度は各投影ごとに1回の測定を行なうのみならず複数回の測定を平均化することにより改善され得る。実際上、更に、表1の9回の測定のみにとどまらない。というのは、オフセット効果を除去しなければならないからである。このことは図4及び図5を用いて示され得る。当該時間ずれ−Δt1をオフセットなしで求めるため、傾斜磁場GROの逆極性を以て同一シーケンスを経過させ得る。もって、負の時間ずれ−Δt1(図4)は正の時間ずれ+Δt1となり(図5)、両時間の差から、実際の時間ずれが求められ得る。このことは相応にフーリエ変換方式にも、比較的に高い次数の項にも当嵌まる。
【0045】
図14には表により12の球面係数を求めるため有利に用いられるパルスシーケンスを示す。その場合、ADCによっては夫々核スピン共鳴信号に対する走査インターバルを示す。X−、Y−、Z投影は夫々2回、傾斜磁場の異なる極性を以て実施される。残りの投影(X=Y、X=−Y、X=Z、X=−Z、Y=Z、Y=−Z)は夫々一度実施される。X−、Y−、Z投影に対する第2測定により夫々、オフセット効果の除去のための基準量が得られる。
【0046】
シム方法を、検査体積全体に関連づけないで、各投影方向に対して1つのブロック(これは投影の方向に延在する)に関連づけることも有利である。このことは図15〜図19に示されているようなパルスシーケンスを用いて予備飽和により行なわれ得る。その場合第1の周波数選択性高周波パルスRF1が、傾斜磁場Gy(図18)と共に入力照射され、その結果Y方向に対して垂直方向のスライス(層)が励起される。それにひきつづいて、3つのスポイラ傾斜磁場Gx、Gy、Gz、次いで別の高周波パルスRF2が起こり、この別の高周波パルスRF2は第1高周波パルスRF1とは異なる周波数スペクトルを有し、同様に傾斜磁場Gyのもとに作用印加される。さらに、3つのスポイラ傾斜磁場がつづいている。これまで説明されたパルスシーケンスにより、Y軸に対して垂直方向に位置する中心のスライス(層)外に位置するすべてのスピンが飽和される。さらなる高周波パルスRF3,RF4(これらは夫々傾斜磁場Gz(図19)の作用下で投入印加される)および、各高周波パルスRF3,RF4につづくスポイラー傾斜磁場によっては、すべてのスピン、即ちZ軸に対して垂直に位置する中心スライス(層)外にあるすべてのスピンが飽和される。これにより、X方向に延在するブロック(図20)のスピンのみが非飽和状態におかれる。当該の事前飽和の後、なお非飽和状態のスピンが、さらなる高周波パルスRF5で励起され、前掲の例におけるように勾配エコー信号Sが読出される。当該パルスシーケンスは前述のように複数方向に対して実施されなければならない。
【0047】
図15〜図19によるパルスシーケンスの実施例は前述のパルスシーケンスと異なって、X方向での運動リフォーカシング(再収束)する傾斜磁場パルス(これはGMR(gradient motion refocussing)で示す)を含む(図17)。この両極性傾斜磁場によっては運動アーチファクトが回避され得る。運動リフォーカシングパルスの作用は例えば米国特許第4616180号明細書に記載されている。
【0048】
更に、当該シーケンスの終りにて、なお、依然として位相コヒーレンスを損なうX方向でのスポイラー傾斜磁場GS(図17)が示してあり、その結果、他の投影に対するさらなるパルスシーケンスが直ちにつづいて実施され得る。
【0049】
ブロック形式の被検体積の選択(これは前述の例では事前磁化によって達成されている)は選択的励起によっても達成され得る。相応の実施例を図21〜図25を用いて説明する。
【0050】
図21は図22によるスライス(層)選択傾斜磁場GSL1の作用下で作用印加される周波数選択性の90°高周波パルスRF1を示す。それにより、第1スライス選択傾斜磁場GSL1に対して垂直のスライスが励起される。それにひきつづいて、第1スライス選択傾斜磁場GSL1の反転によっては正の部分パルスで惹起されたディフエーズが再び解消される。後続の、同様に周波数選択性の180°高周波パルスにより、スピン母集団が反転される。180°高周波パルスは第2のスライス選択傾斜磁場GSL2下で照射され、その際第2のスライス選択傾斜磁場GSL2は第1のスライス選択傾斜磁場GSL1に対して垂直である。従って、180°高周波パルスRF2により、選択的に次のような核スピンが反転される、即ち、第2スライス選択傾斜磁場GSL2の方向に対して垂直なスライス内に位置する核スピンのみが反転される。
【0051】
更に、読出傾斜磁場GRDが負の方向に作用印加され、次いで反転される。読出傾斜磁場GRDの正の部分のもとに、核磁気共鳴信号が読出され、このことは図25中個々の走査時点ADで示される。
【0052】
すべての核共鳴信号は一方では90°高周波パルスにより励起されるスライス中に位置しなければならず、更に、180°高周波パルスRF2により反転される層(スライス)内に位置する領域から由来するものである。即ち、反転されない核スピンはスピンエコーを生成せず、従って読出傾斜磁場GRD下で生じる核磁気共鳴信号に関与しない。従って、図示のパルスシーケンスによっては2つの選択されたスライスの断面集合体に相応する体積がしらべられる。このことは図20に相応するブロック内に示してあり、その際当該ブロックの長手方向が、スライス選択傾斜磁場GSL1,GSL2の方向により選択され得る。当該ブロックの厚さは高周波パルスRF1,RF2の周波数スペクトルにより定められる。
【0053】
図6及び図8を用いて上述したように、次のようなときにのみスピンエコーシーケンスにおける不均質性についての情報が得られる。即ち、180°高周波励起パルスRF2が高周波励起パルスFR1とエコー時点Teとの間で中央に位置しないときである。図21〜図25によるパルスシーケンスではエコー時点Te*と実際のエコー時点Teとの間隔がΔTeで示してある。この間隔に関して180°高周波パルスRF2は中心に位置するべきものである。
【0054】
直線的磁場誤差の補正に限定する場合、傾斜磁場にオフセット電流を加えることで十分である。これまで述べた一般的手法の簡単な特別事例として適当なオフセット電流を求める手法を図27及び図28を用いて説明する。
【0055】
先ず、被検体積に90°高周波パルスRFが作用印加される。時点T1から時点T2まで傾斜磁場コイルのうちの1つに電流が供給され、この電流によっては負のX、Y又はZ方向に傾斜磁場G1−が生ぜしめられる。傾斜磁場G1−の上昇時間はΔTで示され、同じ下降時間は同様にΔTで示され、それの振幅は−Adeで示される。それにひきつづいて、傾斜磁場コイルを流れる電流方向が反転され、これにより生じる、正のX,Y又はZ方向の傾斜磁場はG1+で示され、それの振幅はArdで、そしてそれの上昇ないし下降時間はΔTで示される。
【0056】
傾斜磁場反転によってはHFパルスRF1で励起されたスピンが、公知のようにリフォーカシングされ、その結果時点Teにて勾配エコー信号Sが生じる。公知のように、エコーの時点は次のようにして与えられる。即ち、正の傾斜磁場成分G1+の時間積分が、負の傾斜磁場成分G1−の時間積分に等しくなければならない、又は、換言すれば、両傾斜磁場成分G1−,G1+のもとでの面積が等しくなければならないということにより与えられる。
【0057】
基本磁場が傾斜磁場G1の方向で一定でない場合はそれにより与えられる不所望の傾斜磁場は次のような傾斜磁場に重畳される。即ち、相応の傾斜磁場コイルを流れる電流により惹起される傾斜磁場のような磁場である。これにより惹起される傾斜磁場オフセットは図27の実施例では正であって、Aoffで示されている。エコー条件(正の傾斜磁場面積=負の傾斜磁場面積)の場合、磁場不均質性により惹起される傾斜磁場オフセットAoffが考慮されるべきであり、図27の例ではエコー信号S1は左方へシフトされるようになる。図27では傾斜磁場オフセットAoffの考慮下で作用する負の面積が点点で示されており、正の面積はハッチングで示されている。両面積はエコー信号Sの発生のためには等しくなければならない。
【0058】
図28に示すように、同じシーケンスを傾斜磁場Gの反転した極性を以て経過させる場合、当該エコー信号は同じ傾斜磁場オフセットAoffのもとで時間軸上にて右方へシフトされる。この場合においてエコー条件は当該面積IとIIの比較から容易にわかるように、早期に充足される。
【0059】
傾斜磁場オフセットAoffが無いとすれば、当該エコー信号は図27及び図28のシーケンスの場合高周波パルスRFの後の同じ時点Teで生じることとなる。
【0060】
図27及び図28のシーケンスの場合において、夫々の高周波パルスRF1,RF2に対する夫々のエコー信号S1,S2の間隔間の差から、下記の手法に従って、存在する傾斜磁場オフセットAoffが求められ得る。図27及び傾斜磁場全体G(t)に亘っての時間積分が零に等しくなければならないというエコー条件から出発して、次の式が得られる。
【0061】
【数3】
【0062】
ここにおいて、傾斜磁場全体G(t)は傾斜磁場G1−,G1+、傾斜磁場オフセットAoffから合成される。
【0063】
【数4】
【0064】
その場合当該積分は次のように算出される。
【0065】
【数5】
【0066】
但し、Adeは傾斜磁場G1−の振幅を示し、Ardは傾斜磁場G1+の振幅を示す。
【0067】
式(2)に(4),(5)を代入すると次のようになる。
【0068】
【数6】
【0069】
これによりエコー時点Telは次のように得られる。
【0070】
【数7】
【0071】
上記式を図28の測定シーケンスに適用すると、相応のエコー時間Te2は次のようになる。
【0072】
【数8】
【0073】
式(7)と(8)から次のようになる。
【0074】
【数9】
【0075】
もって、下記の傾斜磁場オフセットAoffが得られる。
【0076】
【数10】
【0077】
この場合、Te1,Te2は図27及び図28による両シーケンスに基づき測定され得、傾斜磁気場振幅Aedは傾斜磁場コイルに由来する傾斜磁場に対する規定量であり、もって既知である。
【0078】
傾斜磁場オフセットをこのようにして計算すると、当該オフセットを次のようにして簡単に補償できる。即ち、夫々の傾斜磁場コイルに相応のオフセット電流を供給して、オフセット電流がパルス発生器により設定される傾斜磁場電流に加えられるようにするのである。もって上記オフセット電流は時間の要する反復手法を用いずに簡単な計算法で見出され得る。
【0079】
シミングの一般的事例に対して詳述したように、時間間隔Te1,Te2を次のようにして求め得る。即ち、各エコー信号をフーリェ変換し、それにより得られた位相カーブの勾配を比較するのである。上記勾配はフーリェ変換のための時間原点とエコー信号との間の時間間隔に対する尺度である。エコー位置と時間原点が一致する場合、一定の位相経過が生じる、そして、一致しない場合は正又は負の勾配(これは当該時間間隔に比例する)が生じる。基本磁場が次の偏差を有する場合当該位相カーブは直線的でない。従って、位相カーブに直線的なFit法を適用すると有利である。
【0080】
傾斜磁場オフセットが存在する場合2つのシーケンスの位相カーブの勾配は等しく、当該勾配の偏差は傾斜磁場オフセットAoffに対する尺度を成す。上記偏差に基づき、同様に、傾斜磁場オフセットAffを補償するために必要な傾斜磁場オフセット電流を計算できる。
【0081】
すべての3つの空間方向で磁場の1次の誤差項を補償するため、一般に、前述のプロセス過程を、3つの空間方向で、つまり、3つの存在する傾斜磁場コイルに関して実施する。相応のシーケンスが図29〜図34に示してある。このために実施例において、全部で6つのHFパルスRF1〜RF6の1つのシーケンスが投入照射される。当該測定をできるだけ速やかに実施し得るため、2つの高周波パルスRF2〜RF6間のスピンの緩和時間は待機されない。後続する測定への或1つの測定の影響を回避するため、各高周波パルスRFには各傾斜磁場方向でスポイラ傾斜磁場GSx,GSy,GSz(これはまだ存在している位相コヒーレンスを損なう)が前置される。スポイラー傾斜磁場GSは直ぐ先行する傾斜磁場と同じ方向を有する、それは、これよりその作用が増強されるからである。
【0082】
高周波パルスRF1,RF2によって先ず、図27、図28を用いて説明されたパルスシーケンス動作が、X傾斜磁場に対して実施される。その際得られた信号S1,S2は既述のようにX方向でのオフセット調整のため使用される。HFパルスRF3,RF4ないしRF5,RF6によってはYないしZ傾斜磁場に対する相応のシーケンスが実施される。その際そのつど生じる信号S3,S4ないしS5,S6は同じくYないしZ傾斜磁場のオフセット調整のため使用される。
【0083】
傾斜磁場オフセットの補償のための上述の方法は迅速に実施され得る。必要な場合、当該調整は核スピントモグラフィー装置での各検査の前に、検査時間の大した延長なしで可能である。
【0084】
所要の傾斜磁場オフセットはスピンエコーに基づいても求められ得る(図6〜図8を用いて既に述べたように)。
【0085】
もって、図7及び図8による両シーケンスにおけるエコー位置の比較により、同じく傾斜磁場オフセットAoffに対する尺度を成す時間差Δtを求め得る。当該時間差Δtは有利には、既述のように、エコー信号S1,S2のフーリェ変換及びそれにより得られた位相カーブの勾配の比較により求められ得る。当該時間差Δtからは傾斜磁場オフセットAoffの補償に必要なオフセット電流Ioffを求め得る。
【0086】
【発明の効果】
本発明によれば、高い均質磁場が短時間で実現されるように、傾斜磁場電流のオフセットを調整する効果的な方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】XないしY傾斜磁場コイル及び鞍形配置されたシムコイルの実施例を示す構成略図である。
【図2】Z傾斜磁場コイル及び別のシムコイルの実施例の構成略図である。
【図3】従来勾配エコーシーケンスの特性図である。
【図4】図3と同じパルスシーケンスであるが傾斜磁場の方向に均質磁界を重畳した当該シーケンスを示す特性図である。
【図5】同じく図3の勾配エコーシーケンスであるが但し、傾斜磁場の方向で負の直線的磁場偏差を含む当該シーケンスを示す特性図である。
【図6】従来のスピンシーケンスの特性図である。
【図7】180°高周波パルスを中心位置に対して左方へシフトした状態を示す特性図である。
【図8】180°高周波パルスを中心位置に対して右方へシフトした状態を示す特性図である。
【図9】完全に均質な磁場a場合に対する位相カーブ及びエコー位置を示す特性図である。
【図10】図5に相応して、負の直線的磁場偏差のある場合の図9に相応する当該の特性図である。
【図11】正の直線的磁場偏差のある場合の図9に相応する当該の特性図である。
【図12】当該磁場が1次の磁場不均質性を有しない場合における同様な当該の特性図である。
【図13】比較的高次の磁場不均質性のある場合の同様な当該の特性図である。
【図14】種々の投影におけるパルスシーケンスのセットの様子を示す特性図である。
【図15】事前磁化及び運動リフォーカシングの場合における勾配エコーシーケンス発生の際の高周波パルス列の特性図である。
【図16】当該勾配エコーシーケンス作成の際の走査時点ADにおける当該の読出された核スピン共鳴信号の特性図である。
【図17】当該勾配エコーシーケンス発生の際のGMR及びGsを示す特性図である。
【図18】当該勾配エコーシーケンス発生の際のGyを示す特性図である。
【図19】同様にGzを示す特性図である。
【図20】励振されるブロックの概念図である。
【図21】ブロックの選択的励起を行なう際のスピンエコーシーケンス発生の際のRF1とRF2の生起の様子を示す特性図である。
【図22】同上当該スピンエコーシーケンス発生の際の選択傾斜磁場GSL1の生起の様子を示す特性図である。
【図23】当該スピンエコー発生の際の第2スライス選択傾斜磁場GSL2の生起の様子を示す特性図である。
【図24】当該スピンエコー発生の際の読出傾斜磁場GROの生起の様子を示す特性図である。
【図25】当該スピンエコーシーケンス発生の際の個々の走査時点ADにて読出される核スピン共鳴信号生起の様子を示す特性図である。
【図26】すべての球面係数を求め得るための表を示す図である。
【図27】正の傾斜磁場オフセットを以ての勾配エコーシーケンスの様子を示す特性図である。
【図28】負の傾斜磁場オフセットを以ての勾配エコーシーケンスの様子を示す特性図である。
【図29】傾斜磁場コイルのオフセット調整のためのパルスシーケンスにおける高周波RFパルスの特性図である。
【図30】当該オフセット調整におけるスポイラ傾斜磁場GSxの様子を示す特性図である。
【図31】当該オフセット調整におけるGSyの様子を示す特性図である。
【図32】当該オフセット調整におけるGSzの様子を示す特性図である。
【図33】当該オフセット調整にために使用されるS信号の様子を示す特性図である。
【図34】当該オフセット調整におけるオフセット電流のON状態の際の信号の様子を示す特性図である。
【符号の説明】
1 支持管、 2,3 傾斜磁場コイル、 4〜6 シムコイル
Claims (7)
- 核スピントモグラフィー装置の一定の主磁場における直線的磁場偏差を傾斜磁場コイル(2,3)を用いて補償するための方法において、
下記のステップを有する、即ち
a) 検査空間において少なくとも第1の方向に延在している体積を励振する第1の高周波パルス(RF1)を印加し、
b) 第1傾斜磁場パルス(G1)を第1の方向において印加しかつ引き続いて該傾斜磁場パルス(G1)を反転することにより、第1の勾配エコー信号(S1)を生じさせ、
c) 検査空間において少なくとも第1の方向に延在している体積を励振する第2の高周波パルス(RF2)を印加し、
d) 第2傾斜磁場(G2)を上記第1方向とは反対の方向で印加しかつ引き続いて該傾斜磁場パルス(G2)を反転することにより、第2勾配エコー信号(S2)を生じさせ、
e) 第1高周波パルス(RF1)と第1勾配エコー信号(S1)との時間間隔(第1の勾配エコー信号生成時点:te1)と、第2高周波パルス(RF2)と第2勾配エコー信号(S2)との時間間隔(第2の勾配エコー生成時点:te2)との差から、オフセット電流を傾斜磁場コイル(2,3)へ供給する際に付加磁場勾配を生成し、該付加磁場勾配により該時間間隔の差が零になるようなオフセット電流(Ioff)を突き止め、その際該時間間隔(T e1 ,T e2 )の差は間接的に、両エコー信号(S1,S2)のフーリエ変換の後当該位相カーブの平均勾配の比較により求められ、
f) 後続の検査フェーズ中それぞれの傾斜磁場コイル(2,3)は測定シーケンスの傾斜磁場パルスのほかに付加的に、このようにして求められた一定のオフセット電流(Ioff)の供給を受けるようにし、
g) 該一定のオフセット電流(Ioff)を用いてそれぞれの傾斜磁場コイル(2,3)は後続の検査フェーズの期間に線形の補償勾配磁場を生成する
ことを特徴とする方法。 - 核スピントモグラフィー装置の一定の主磁場における直線的磁場偏差を傾斜磁場コイル(2,3)を用いて補償するための方法において、下記のステップを有する、即ち
a) 検査空間において少なくとも第1の方向に延在する体積を励振する第1の高周波パルス(RF1)を印加し、
b) 第1傾斜磁場パルス(G1)を第1の方向において印加し、
c) 第1の高周波パルス(RF1)および第1のエコー時点に関して中心位置に位置していない第1の180°高周波パルス(RF1*)を印加し、
d) 第1方向の第1の読出傾斜磁場(G1*)のもとに、第1のスピンエコー信号(S1)を読出し、
e) 検査空間において少なくとも第1の方向に延在する体積を励振する第2の高周波パルス(RF2)を印加し、
f) 第2傾斜磁場パルス(G2)を第1の方向において印加し、
g) 第2の高周波パルス(RF2)に対して、第1の180°高周波パルス(RF1*)が第1の高周波パルス(RF1)に対して有している間隔とは異なった間隔を有している第2の180°高周波パルス(RF2*)を印加し、
h) 第1方向の第2の読出傾斜磁場(G2*)のもとに、第2のスピンエコー信号(S2)を読出し、
i) 第1高周波パルス(RF1)と第1のスピンエコー信号(S1)との時間間隔(第1のスピンエコー信号生成時点)と、第2高周波パルス(RF2)と第2勾配エコー信号(S2)との時間間隔(第2のスピンエコー生成時点)との差(Δt)から、オフセット電流を傾斜磁場コイル(2,3)へ供給する際に付加磁場勾配を生成し、該付加磁場勾配により該時間間隔の差が零になるようなオフセット電流(Ioff)を突き止め、その際該時間間隔(T e1 ,T e2 )の差は間接的に両エコー信号(S1,S2)のフーリエ変換の後当該位相カーブの平均勾配の比較により求められ、
j) 後続の検査フェーズ中それぞれの傾斜磁場コイル(2,3)は測定シーケンスの傾斜磁場パルスのほかに付加的に、このようにして求められた一定のオフセット電流(Ioff)の供給を受けるようにし、
k) 該一定のオフセット電流(Ioff)を用いてそれぞれの傾斜磁場コイル(2,3)は後続の検査フェーズの期間に線形の補償勾配磁場を生成する
ことを特徴とする方法。 - 高周波パルス(RF1,RF2)の照射中は傾斜磁場が印加されないようにした
請求項1または2記載の方法。 - 複数の傾斜磁場方向に対して直ちに相次いで当該方法が実施され、その際各高周波パルスの前に、スポイラ傾斜磁場(GS)が印加されるようにした
請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。 - 事前飽和シーケンスを実施し、該事前飽和シーケンスによって各パルスシーケンスに対して夫々の傾斜磁場パルスの方向に延在するブロック外でスピンが飽和されるようにした
請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。 - 高周波パルス(RF)は周波数選択性であり、スライス選択傾斜磁場の作用下で照射され、これにより、当該検査体積のスライスのみが励起されるようにした
請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。 - 当該方法は各検査フェーズ前に実施されるようにした
請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
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