JP3543976B2

JP3543976B2 - 磁気軸受装置

Info

Publication number: JP3543976B2
Application number: JP15982793A
Authority: JP
Inventors: 憲一高原
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1993-06-30
Filing date: 1993-06-30
Publication date: 2004-07-21
Anticipated expiration: 2019-07-21
Also published as: JPH0719244A

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、例えば半導体製造装置等で用いられる磁気軸受装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気軸受装置は、非接触、無潤滑、長寿命という特徴を有することから多方面で様々な研究、用途開発が進められている。そして半導体製造装置の磁気浮上搬送装置やハンドリング装置などではリニアモーション型の磁気軸受装置が実用されている。しかし、減圧された清浄な雰囲気を必要とする半導体基板に所定成分の薄膜を成膜する化学気相成長装置（ＣＶＤ装置）等のような装置では、回転体を回転支持する軸受装置には主に玉軸受が用いられ、磁気軸受装置は実用化が検討されている状況にあった。
【０００３】
以下、従来のＣＶＤ装置での軸受装置について図９及び図１０を参照して説明する。図９は回転支持に玉軸受を使用したものの要部の概略構成を示す断面図であり、図１０は回転支持に磁気軸受を使用したものの要部の概略構成を示す断面図である。
【０００４】
先ず、玉軸受を使用したものについて図９により説明する。図において、１はチャンバ２の減圧された内部に設けられた縦型の回転体である。この回転体１の回転軸３とチャンバ２の下部との間には、回転体１を回転支持するための上部玉軸受４及び下部玉軸受５が設けられており、チャンバ２の外部に設けられた電動機６の気密に貫通する駆動軸により回転体１は回転駆動される。また回転体１には、上部に水平面内で回転するサセプタ７が設けられており、このサセプタ７の上に薄膜が成膜される半導体基板が載置される。
【０００５】
そして半導体基板に薄膜を成膜している間は、半導体基板が載置された回転体１は回転し、両玉軸受４，５の内輪も同時に回転をする。このため両玉軸受４，５の潤滑油がチャンバ２内に拡散して半導体基板に成膜される薄膜を汚損し、製品の歩留を低下させてしまう虞があった。
【０００６】
また、両玉軸受４，５に錆びの発生があるとチャンバ２内を汚染してしまうと共に、発錆した軸受にかじりが生じて回転体１が回転しなくなってしまう。このような場合には玉軸受の交換を要するが、交換は多大な時間を費やすものであった。
【０００７】
一方、上述のような回転支持に玉軸受を用いたものでの状況から、磁気軸受装置を用いたものの検討がなされている。次に、その磁気軸受装置を使用したものについて図１０により説明する。図において、８はチャンバ９の減圧された内部に収納された縦型の回転体である。この回転体８は上部に薄膜を成膜する半導体基板を載置し水平面内で回転するサセプタ１０が設けられ、下部に回転軸１１が設けられている。そして回転軸１１の部分には真空シールド１２が近接して設けられている。
【０００８】
また回転体８は、その回転軸１１の上部及び下部に設けられたラジアル磁気軸受１３，１４と、両軸受１３，１４の間に設けられたスラスト磁気軸受１６によって浮上支持され、電動機１５によって回転駆動される。ラジアル磁気軸受１３，１４は回転軸１１に軸方向に積層して設けられた積層継鉄１７，１８と、これらに真空シールド１２を介して対向するチャンバ９に固定された上部電磁石１９及び下部電磁石２０とで構成され、スラスト磁気軸受１６は同じくチャンバ９に固定された電磁石２１を設けて構成されている。
【０００９】
さらにチャンバ９には、回転軸１１の軸方向に沿って変位センサ２２，２３が回転軸１１に真空シールド１２を介して対向するように取着されており、この変位センサ２２，２３によって回転体８の軸方向及び半径方向の変位が検出され、これにもとづく図示しない制御部からの制御信号によってラジアル磁気軸受１３，１４及びスラスト磁気軸受１５が制御される。なお２４は同じくチャンバ９に固定された電動機１６のステータである。
【００１０】
このように構成されたものでは、各磁石１９，２０，２１及び変位センサ２２，２３、さらにステータ２４が回転軸方向に平行な方向に配列されることになるため、磁気軸受装置が同一軸方向に長いものとなってしまう。また真空シールド１２を介在させて回転体８を非接触に支持するため、電磁石の磁気空隙が大きくなり、必然的に支持に要する力が大きくなり装置が大型のものとなってしまう。
【００１１】
さらに、回転軸１１に設けられた積層継鉄１７，１８が減圧されたチャンバ９の内部に積層端面が露出するものであるため、端面が錆びるような状況にあると回転体８の回転と共に錆びが飛散することとなってその端面が発塵源となり、玉軸受のように発錆により回転しなくなったり軸受の交換に手間がかかるようなことがないものの、同様にチャンバ２内を汚染し製品の歩留を低下させてしまう虞があった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように従来は、玉軸受では筐体内に露出する玉軸受の発錆や潤滑油の蒸発等によって筐体内を汚染してしまう虞があり、さらに発錆した玉軸受の交換に多大な時間を要してしまうものであり、また磁気軸受装置では筐体内に露出する積層継鉄の端面の発錆によって筐体内を汚染してしまう虞があり、さらに電磁石等がシールドを介して軸方向に長く並んで設けられので、軸方向に長く大型のものとなる等していた。このような状況に鑑みて本発明はなされたもので、その目的とするところは筐体内の汚染を低減することができ、小形化した磁気軸受装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気軸受装置は、筐体内に収納され回転軸の一端側にスラスト円板を設けた縦型の回転体と、スラスト円板の上，下面に間隙を設けるようにして磁極を対向させ回転体をスラスト方向に非接触に支持する上，下部スラスト電磁石と、スラスト円板の面を検出面として設けられ上，下部スラスト電磁石を制御するための信号を出力するスラスト変位センサと、スラスト円板の外周部に固定され外周積層端面が第１のカバーで覆われた第１のラジアル積層継鉄と、この第１のラジアル積層継鉄の外周積層端面に間隙を設けるようにして磁極を対向させ回転体の一端部をラジアル方向に非接触に支持する第１のラジアル電磁石と、この第１のラジアル電磁石の磁極間に第１のカバーの外面を検出面として取着され該第１のラジアル電磁石を制御するための信号を出力する一端側のラジアル変位センサと、回転軸の他端側に固定され外周積層端面が第２のカバーで覆われた第２のラジアル積層継鉄と、この第２のラジアル積層継鉄の外周積層端面に間隙を設けるようにして磁極を対向させ回転体の他端部をラジアル方向に非接触に支持する第２のラジアル電磁石と、この第２のラジアル電磁石の磁極間に第２のカバーの外面を検出面として取着され該第２のラジアル電磁石を制御するための信号を出力する他端側のラジアル変位センサとを具備したことを特徴とするものであり、また、スラスト変位センサが、断面コ字形状で円環状をなす上，下部スラスト電磁石のいずれか一方の電磁石の磁極間に設けられていることを特徴とするものである。
【００１４】
【作用】
上記のように構成された磁気軸受装置は、筐体内に収納された回転体の回転軸の一端側に設けたスラスト円板の上，下面に対向する上，下部スラスト電磁石と、スラスト円板の外周部に固定された第１のラジアル積層継鉄の積層端面を覆う第１のカバーに対向する第１のラジアル電磁石と、この第１のラジアル電磁石の磁極間に取着され第１のカバーの外面を検出面とする一端側のラジアル変位センサと、回転軸の他端側に固定された第２のラジアル積層継鉄の積層端面を覆う第２のカバーに対向する第２のラジアル電磁石と、この第２のラジアル電磁石の磁極間に取着され第２のカバーの外面を検出面とする他端側のラジアル変位センサとを具備しているので、第１のラジアル積層継鉄あるいは第２のラジアル積層継鉄の積層端面に錆びが発生するようなことがあっても、第１のカバーあるいは第２のカバーによって錆びの飛散が防止される。さらに、上，下部スラスト電磁石と第１のラジアル電磁石とが回転軸の軸方向に配置されたものとならず、また一端側のラジアル変位センサ及び他端側のラジアル変位センサが、両者共に第１のラジアル電磁石及び第２のラジアル電磁石と回転軸の軸方向で同じ位置に配置されたものとなる。このために筐体内の汚染が低減でき、小形化した磁気軸受装置とすることができる。
【００１５】
【実施例】
以下、本発明の一実施例を図１乃至図８を参照して説明する。図１はＣＶＤ装置の要部の縦断面図であり、図２はＣＶＤ装置の全体構成の概略を示す断面図であり、図３は電動機の要部の縦断面図であり、図４は上部ラジアル磁気軸受部の上部ラジアル積層継鉄部分の縦断面図であり、図５は下部ラジアル磁気軸受部の下部ラジアル積層継鉄部分の縦断面図であり、図６は上部ラジアル磁気軸受部の横断面図であり、図７は下部ラジアル磁気軸受部の横断面図であり、図８は変位センサによる変位の検出を説明するための図で、図８（ａ）はラジアル変位センサが検出する変位を説明する図であり、図８（ｂ）はラジアル変位センサ及びスラスト変位センサが検出する変位を説明する図である。
【００１６】
図１乃至図７において、３１はＣＶＤ装置であって、その半導体基板を収納して所定の薄膜の気相成長を行なうチャンバ３２は、ベース３３の上面に上部ケース３４を気密に取着するようにして構成される。ベース３３には排気管３５がチャンバ３２の内部に端部が開口するように設けられていて、これに接続された図示しない真空ポンプ等によってチャンバ３２の内部の減圧状態が維持される。また上部ケース３４にはガス供給管３６が同じくチャンバ３２の内部に端部が開口するように設けられていて、ここからは図示しないガス供給源から所定の原料ガスがチャンバ３２の内部に供給される。前述した排気管３５はポートを切替えて原料ガスの回収も行っている。
【００１７】
さらに、チャンバ３２の内部には上面に半導体基板を載置するサセプタ３７がガス供給管３６の下方に配置されており、このサセプタ３７はベース３３に貫通するようにして取り付けられた縦型の回転体３８の上部に設けられている。そしてサセプタ３７は、気相成長が行われる間、半導体基板に均一な薄膜が成層されるように回転する。
【００１８】
一方、回転体３８は略筒状をなすもので、ベース３３の下面に取り付けられた磁気軸受装置４０によって非接触に支持される。磁気軸受装置４０はベース３３の下面に気密に取り付けられた軸受ケース４１内に、回転体３８の回転軸４２の軸方向に沿って設けられた上部ラジアル軸受部４３と下部ラジアル軸受部４４、及び下部ラジアル軸受部４４と一体に設けられたスラスト軸受部４５を設けて構成されており、同時に軸受ケース４１内には回転体３８を回転駆動する電動機４６が、上部ラジアル軸受部４３と下部ラジアル軸受部４４及びスラスト軸受部４５との間に設けられている。
【００１９】
なお回転体３８の内部には、下部が軸受ケース４１に気密に取り付けられヒーター支持部材４７が軸方向に貫通して設けられていると共に、ヒーター支持部材４７の上部のヒーターユニット４８がサセプタ３７の部分に設けられており、ヒーターユニット４８によってサセプタ３７の上面に載置された半導体基板が昇温するようになっている。そしてヒーターユニット４８の温度調節は図示しない制御部によって行われる。
【００２０】
また、磁気軸受装置４０の上部ラジアル軸受部４３は軸受ケース４１の内面に固定された略円環状の上部ラジアル電磁石４９と、これの内径面に積層外面が対向するように回転軸４２の外面に圧入された上部ラジアル積層継鉄５０とを設けて構成されている。そしてこの上部ラジアル積層継鉄５０は円環状の珪素鋼板を軸方向に積層してなるもので、その積層端面にはステンレス鋼板製のカバー５１が設けられていて、直接積層端面が外部に露出しないようになっている。
【００２１】
さらに上部ラジアル電磁石４９は、略円環状の上部ラジアル磁極リング５２の４等配された位置から内方に対を成して突出し、上部ラジアル積層継鉄５０の積層端面に設けられたカバー５１との間に微小間隙を形成する８個の突状磁極５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５３ｄ，５３ｅ，５３ｆ，５３ｇ，５３ｈを有し、これらの突状磁極５３ａ，５３ｂ，…，５３ｈには夫々にコイル５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄ，５４ｅ，５４ｆ，５４ｇ，５４ｈが巻かれている。
【００２２】
そして、その内の一対の突状磁極５３ａ，５３ｂと、その両側に隣接する突状磁極５３ｃ，５３ｄと突状磁極５３ｇ，５３ｈの間には、それぞれ第１及び第２のラジアル変位センサ５５，５６が同一の平面内で９０度の角度を持ち、上部ラジアル積層継鉄５０の積層面を覆うカバー５１との間に間隙を設け、カバー５１の外面を変位検出面とするようにして上部ラジアル磁極リング５２に固着され配置されている。
【００２３】
また、電動機４６は軸受ケース４１の上部ラジアル軸受部４３の下方側に設けられており、軸受ケース４１の内面に固定され内側に複数の突起を有する珪素鋼板を軸方向に積層したステータコア５７の突起に複数のコイル５８を巻回したステータ５９と、回転軸４２の上部ラジアル積層継鉄５０の下方側に設けられたロータ６０によって構成されている。そしてステータコア５７の積層端面にも合成樹脂を成形、あるいは合成樹脂塗料を塗布してなるカバー６１が設けられていて、同様に直接積層端面が外部に露出しないようになっている。またロータ６０は、回転軸４２の上部ラジアル積層継鉄５０の下方側に圧入された中間スリーブ６２に永久磁石６３が合成樹脂材料６４を成形して固定されると共に、外面にカバーとしてステンレス鋼板製の固定円筒６５が装着されている。
【００２４】
さらに、電動機４６の下方側に設けられたスラスト軸受部４５は回転軸４２の下部に固定されたスラスト円板６６と、このスラスト円板６６の上面側と下面側に上部スラスト電磁石６７と下部スラスト電磁石６８とを設けて構成されている。これら上部スラスト電磁石６７及び下部スラスト電磁石６８は、断面形状が夫々下向き及び上向きに開いた略コ字状をなす円環状継鉄６９，７０にスラストコイル７１，７２が設けられている。
【００２５】
そして上部スラスト電磁石６７及び下部スラスト電磁石６８は夫々の２つの環状磁極７３ａ，７３ｂ，７４ａ，７４ｂがスラスト円板６６の上面と下面に対し微小間隙を設けて対向している。また上部スラスト電磁石６７には固定円板７５が設けられていて、スラストコイル７１が落下しないように固定されており、この固定円板７５には、上部ラジアル電磁石４９の一対の突状磁極５３ａ，５３ｂに対応する位置にスラスト変位センサ７６がスラスト円板６６の上面に対して間隙を設け、この上面を変位検出面とするようにして取着されている。
【００２６】
またさらに、下部ラジアル軸受部４４は軸受ケース４１の内面に固定された略円環状の下部ラジアル電磁石７７と、これの内径面に積層外面が対向するようにスラスト円板６６の最外周部分に圧入された下部ラジアル積層継鉄７８とを設けて構成されている。下部ラジアル積層継鉄７８は円環状の珪素鋼板を軸方向に積層してなるもので、その積層端面にはステンレス鋼板製のカバー７９が設けられていて、直接積層端面が外部に露出しないようになっている。
【００２７】
さらに下部ラジアル電磁石７７は、略円環状の下部ラジアル磁極リング８０の４等配された位置から内方に対を成して突出し、下部ラジアル積層継鉄７８の積層端面に設けられたカバー７９との間に微小間隙を形成する８個の突状磁極８１ａ，８１ｂ，８１ｃ，８１ｄ，８１ｅ，８１ｆ，８１ｇ，８１ｈを有し、これらの突状磁極８１ａ，８１ｂ，…，８１ｈには夫々にコイル８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄ，８２ｅ，８２ｆ，８２ｇ，８２ｈが巻かれている。
【００２８】
そして、その内の一対の突状磁極８１ａ，８１ｂと、その両側に隣接する突状磁極８１ｃ，８１ｄと突状磁極８１ｇ，８１ｈの間には、それぞれ第３及び第４のラジアル変位センサ８３，８４が同一の平面内で９０度の角度を持ち、下部ラジアル積層継鉄７８の積層面を覆うカバー７９との間に間隙を設け、カバー７９の外面を変位検出面とするようにして下部ラジアル磁極リング８０に固着され、第１及び第２のラジアル変位センサ５５，５６と同位相で変位を検出するよう配置されている。
【００２９】
また、８５、８６は静止体であるベース３３及び下部スラスト電磁石６８に夫々取付板８７，８８によって外レースが固定された真空環境仕様の玉軸受で、その内レースは回転軸４２に対して一定の空隙を有するように設けられていて、回転体３８が磁気浮上していない時に回転体３８を支持するものであり、非常用の軸受としても用いられる。
【００３０】
さらに、８９は上部ラジアル軸受部４３と電動機４６のステータ５９の間に軸受ケース４１に取着して設けられた上部遮蔽リングであり、９０はステータ５９とスラスト軸受部４５の間に上部スラスト電磁石６７に取着して設けられた下部遮蔽リングである。これらの両遮蔽リング８９，９０を設けることで軸受ケース４１内の電気配線が回転軸４２等の回転部分に接触し損傷するのを防止すると共に、電動機４６の発生する電気的ノイズの遮蔽を行っている。
【００３１】
このように構成された本実施例では、ＣＶＤ装置３１での半導体基板上への薄膜の気相成長を行うに先立ち、上部ラジアル軸受部４３、下部ラジアル軸受部４４及びスラスト軸受部４５を作動させて回転体３８を磁気浮上させて非接触に支持する。その後チャンバ３２の内部を減圧し、電動機４６によって回転体３８を回転駆動し、ヒーターユニット４８によってサセプタ３７を所定温度に維持しながら原料ガスをチャンバ３２内に導入して気相成長が行われる。
【００３２】
そして回転体３８を磁気浮上させて非接触に支持し、回転させている間の回転体３８の位置及び姿勢の制御は、スラスト方向についてはスラスト軸受部４５の上部スラスト電磁石６７と下部スラスト電磁石６８の強さを調節することによって行う。なお、このスラスト方向の調節でヒーターユニット４８に対向するサセプタ３７の下面との間隔が変えられ、これによってサセプタ３７の温度の調節が行なえる。このため薄膜の気相成長の状況に合わせ半導体基板の温度を、浮上している回転体３８のスラスト方向の調節を行なうことで調整することができ、良好な薄膜の成層を行なえる。
【００３３】
さらに、ラジアル方向についての制御は上部ラジアル軸受部４３及び下部ラジアル軸受部４４の上部ラジアル電磁石４９の各コイル５４ａ，５４ｂ，…，５４ｈ、下部ラジアル電磁石７７の各コイル８２ａ，８２ｂ，…，８２ｈに流す電流値を調節することによって行う。
【００３４】
一方、スラスト変位センサ７６の取付け位置が回転軸４２の回転軸中心から離れているので、回転体３８が傾斜しているとその傾きを軸方向の変位と同時にスラスト変位センサ７６が検出することになる。このため軸方向の変位を所定値になるよう是正する制御が行なわれると、傾き分だけ軸方向に回転体３８を加振することになり、安定した回転体３８の回転が得られなくなる。
【００３５】
このようなことから回転体３８の傾きについては、制御部によって各ラジアル変位センサ５５，５６，８３，８４の信号から傾き成分を算出し、算出結果によってスラスト変位センサ７６の信号を補正することによって行うようにしている。これについて図８を参照して次に説明する。
【００３６】
先ず、上部ラジアル軸受部４３に設けた第１及び第２のラジアル変位センサ５５，５６の検出した夫々の値から上部ラジアル電磁石４９の一対の突状磁極５３ａ，５３ｂの突出方向に平行な方向の変位量Δｘ_１を算出し、また下部ラジアル軸受部４４に設けた第３及び第４のラジアル変位センサ８３，８４の検出した夫々の値から下部ラジアル電磁石７７の一対の突状磁極８１ａ，８１ｂの突出方向に平行な方向の変位量Δｘ_１と同位相の変位量Δｘ_２を算出する。
【００３７】
次いでこれらの変位量Δｘ_１、変位量Δｘ_２から、回転軸３８の上部ラジアル電磁石４９の位置での下部ラジアル電磁石７７の位置での回転中心を基準とした変位量がΔｘ_１−Δｘ_２として求められる。そして上下部に設けられた第１及び第２のラジアル変位センサ５５，５６と第３及び第４のラジアル変位センサ８３，８４との間の回転軸方向距離をｌ_ｂとし、スラスト変位センサ７６の回転中心からの距離をｌ_ｓとすると、傾きの補正量δは
δ＝ｌ_ｓ／ｌ_ｂ×（Δｘ_１−Δｘ_２）
で算出される。
【００３８】
この算出された傾きの補正量δにもとづいてスラスト変位センサ７６の信号が補正される。これにより回転体３８の傾きによる見掛上の軸方向の変位をキャンセルすることができ、回転体３８の安定した回転が得られることになる。
【００３９】
また以上のように構成されたものであることから、上部ラジアル積層継鉄５０や下部ラジアル積層継鉄７８、さらにはステータコア５７の積層端面に錆びが発生するようなことがあっても、積層端面が外部に露出しないように設けられたカバー５１，６１，７９によって錆びが外部に飛散するのを防止することができる。これによってチャンバ３２の内部が錆びによって汚染されることがなく、製品の歩留を低下させることがない。またカバー５１，６１は平滑な外面が各ラジアル変位センサ５５，５６，８３，８４に対向することになるので正確な変位を検出することができる。
【００４０】
また、減圧側に支持されている回転体３８と静止体との間を仕切っている真空シールドが不要となるので、回転体３８を非接触に支持するために要する力が少なく各軸受部４３，４４，４５は小形化したものとなる。さらに下部ラジアル軸受部４４とスラスト軸受部４５とは一体的に設けられているので軸方向に長くならず、また第１，第２，第３，第４のラジアル変位センサ５５，５６，８３，８４はそれぞれが上部ラジアル電磁石４９及び下部ラジアル電磁石７７の磁極間に設けられることになるので、さらにスラスト変位センサ７６は上部スラスト電磁石６７の磁極間に取着されているので、夫々が軸方向に配置されて長くなってしまうようなことがなく、短く非常にコンパクトなものとすることができる。
【００４１】
尚、本発明は上記の実施例のみに限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施し得るものである。
【００４２】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように本発明は、筐体内に収納された回転体の回転軸の一端側に設けたスラスト円板の上，下面に対向する上，下部スラスト電磁石と、スラスト円板の外周部に固定された第１のラジアル積層継鉄の積層端面を覆う第１のカバーに対向する第１のラジアル電磁石と、この第１のラジアル電磁石の磁極間に取着され第１のカバーの外面を検出面とする一端側のラジアル変位センサと、回転軸の他端側に固定された第２のラジアル積層継鉄の積層端面を覆う第２のカバーに対向する第２のラジアル電磁石と、この第２のラジアル電磁石の磁極間に取着され第２のカバーの外面を検出面とする他端側のラジアル変位センサとを具備する構成としたことにより、筐体内の汚染が低減できると共に小形化した磁気軸受装置を提供することができる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係るＣＶＤ装置の要部の縦断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係るＣＶＤ装置の全体構成の概略を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施例に係るロータの縦断面図である。
【図４】本発明の一実施例に係る上部ラジアル磁気軸受部の上部ラジアル積層継鉄部分の縦断面図である。
【図５】本発明の一実施例に係る下部ラジアル磁気軸受部の下部ラジアル積層継鉄部分の縦断面図である。
【図６】本発明の一実施例に係る上部ラジアル磁気軸受部の横断面図である。
【図７】本発明の一実施例に係る下部ラジアル磁気軸受部の横断面図である。
【図８】本発明の一実施例に係る変位センサによる変位の検出を説明するための図で、図８（ａ）はラジアル変位センサが検出する変位を説明する図であり、図８（ｂ）はラジアル変位センサ及びスラスト変位センサが検出する変位を説明する図である。
【図９】従来の玉軸受を使用したＣＶＤ装置の要部の概略構成を示す断面図である。
【図１０】従来の磁気軸受を使用したＣＶＤ装置の要部の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
３２…チャンバ
３８…回転体
４２…回転軸
４９…上部ラジアル電磁石
５０…上部ラジアル積層継鉄
５１，７９…カバー
５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５３ｄ，５３ｇ，５３ｈ，８１ａ，８１ｂ，８１ｃ
，８１ｄ，８１ｇ，８１ｈ…突状磁極
５５…第１のラジアル変位センサ
５６…第２のラジアル変位センサ
６６…スラスト円板
６９…上部スラスト電磁石
７０…下部スラスト電磁石
７６…スラスト変位センサ
７７…下部ラジアル電磁石
７８…下部ラジアル積層継鉄
８３…第３のラジアル変位センサ
８４…第４のラジアル変位センサ

Claims

筐体内に収納され回転軸の一端側にスラスト円板を設けた縦型の回転体と、前記スラスト円板の上，下面に間隙を設けるようにして磁極を対向させ前記回転体をスラスト方向に非接触に支持する上，下部スラスト電磁石と、前記スラスト円板の面を検出面として設けられ前記上，下部スラスト電磁石を制御するための信号を出力するスラスト変位センサと、前記スラスト円板の外周部に固定され外周積層端面が第１のカバーで覆われた第１のラジアル積層継鉄と、この第１のラジアル積層継鉄の外周積層端面に間隙を設けるようにして磁極を対向させ前記回転体の一端部をラジアル方向に非接触に支持する第１のラジアル電磁石と、この第１のラジアル電磁石の磁極間に前記第１のカバーの外面を検出面として取着され該第１のラジアル電磁石を制御するための信号を出力する一端側のラジアル変位センサと、前記回転軸の他端側に固定され外周積層端面が第２のカバーで覆われた第２のラジアル積層継鉄と、この第２のラジアル積層継鉄の外周積層端面に間隙を設けるようにして磁極を対向させ前記回転体の他端部をラジアル方向に非接触に支持する第２のラジアル電磁石と、この第２のラジアル電磁石の磁極間に前記第２のカバーの外面を検出面として取着され該第２のラジアル電磁石を制御するための信号を出力する他端側のラジアル変位センサとを具備したことを特徴とする磁気軸受装置。
スラスト変位センサが、断面コ字形状で円環状をなす上，下部スラスト電磁石のいずれか一方の電磁石の磁極間に設けられていることを特徴とする請求項１記載の磁気軸受装置。