JP3541589B2

JP3541589B2 - Semiconductor manufacturing equipment

Info

Publication number: JP3541589B2
Application number: JP31602996A
Authority: JP
Inventors: 朝義藤埜原
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-11-27
Filing date: 1996-11-27
Publication date: 2004-07-14
Anticipated expiration: 2016-11-27
Also published as: JPH10163143A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体製造装置に係わり、特に洗浄処理の終点時を判定することにより、安定したパーティクル除去性能を発揮できるスクラバー洗浄機に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体製造装置（スクラバー洗浄機）は、ウエハーの洗浄面を洗浄するためのブラシと、このブラシを駆動制御する制御手段とから構成されている。これは、回転するブラシに洗浄液をかけながら、ウエハーの洗浄面に押し当て移動させて、表面付着物をこすり洗浄する装置である。この装置は、レジスト塗布前の除塵に使われるほか、ウエハーの裏面汚れをとることなどにも使われる。
【０００３】
上記従来の半導体製造装置によるスクラバー洗浄プロセスは、後のウエハーの処理工程を行うために必要な一定の基準以上のウエハーの表面状態を確保するためのものである。具体的には、まず、各洗浄工程における被洗浄膜ごとの最適条件を検討するために、多数のウエハーを用いた再現データをとり、このデータから各洗浄工程における被洗浄膜ごとの最適な洗浄処理条件及び時間を導き出す。次に、この最適条件を上記制御手段に設定する。そして、この最適条件で各洗浄工程において上記スクラバー洗浄機によってウエハーの洗浄処理が行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来のスクラバー洗浄機では、上述したように各工程において被洗浄膜毎の最適条件を検討するために、特にウエハーの洗浄処理時間を設定するためだけに、多数のウエハーを用いる必要がある。つまり、再現データに裏付けられた最適なウエハーの洗浄処理時間を設定するには、再現データをとるためだけに多数のウエハーが必要となり、コスト（費用）と時間を費やすこととなる。尚、多数のウエハーが必要となる理由は、被洗浄膜種とブラシスクラバープロセスによりウエハーに付着したごみの取れる量が異なるので、ブラシスクラバープロセスパラメータを種々変化させたデータが必要となり、それに応じてデータ取りのためのウエハーも多数必要となるためである。
【０００５】
また、上述した洗浄方法では、スクラバー洗浄機のパーティクル除去性能の安定性について疑問がつきまとう。なぜなら、複数のウエハーの洗浄面を洗浄していくうちに洗浄機のブラシの状態も変化していくので、これに応じて徐々に最適な洗浄処理時間も変化していくからである。したがって、上述の疑問を解消し、次のウエハー処理工程に対してある基準以上のウエハーの表面状態を保証するためには、スクラバー洗浄機による洗浄処理の終点時を判定するのが必要となる。
【０００６】
この発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、洗浄処理の終点を判定することにより、安定したパーティクル除去性能を発揮できる半導体製造装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体製造装置は、上記課題を解決するため、被洗浄面を洗浄処理用の液体により洗浄する洗浄手段と、洗浄処理中又は洗浄処理後の上記液体に含まれるパーティクル量を分析する分析手段と、上記分析手段により分析したパーティクル量のデータを用いた演算により洗浄処理の終点を判定する演算手段と、上記演算手段により判定された終点時に上記洗浄手段による洗浄を終了させるよう制御する制御手段と、を具備することを特徴とする。
【０００８】
上記半導体製造装置では、洗浄処理中又は洗浄処理後の洗浄処理用の液体に含まれるパーティクル量を分析手段により分析し、このデータを用いた演算により洗浄処理の終点を判定し、制御手段によってこの終点時に洗浄手段による洗浄を終了させるよう制御できる。従って、安定したパーティクル除去性能を発揮することができる。
【０００９】
また、この発明に係る半導体製造装置は、洗浄処理用の液体を流しながらウエハーの表面を洗浄するためのブラシと、上記ウエハーの表面に存する洗浄処理中又は洗浄処理後の上記液体をサンプリングするためのノズルと、上記ノズルによりサンプリングした上記液体に含まれるパーティクル量をモニターするためのパーティクルモニターと、上記パーティクル量のデータを用いた演算により洗浄処理の終点を判定する演算器と、上記演算器により判定された終点時に上記ブラシによる洗浄を終了させるよう制御するコントローラーと、を具備することを特徴とする。
【００１０】
上記パーティクルモニターには上記パーティクル量を定量的且つ時系列的に表示するためのモニターディスプレイをさらに含むことが好ましい。これにより、上記液体中のパーティクル数の増減を視覚的に把握し、ウエハー表面からごみがとれにくくなってきてきるかどうかが判断できる。また、上記パーティクルモニターは、上記液体中に含まれる単位堆積当たりの０．０６５μｍ以上のサイズのパーティクル数をモニターするものであることが好ましい。そして特に、本発明の請求項１の半導体製造装置では、上記ノズルの一端が、上記ブラシと離れた位置に形成された構成となっている。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の実施の形態を説明する。
図１は、この発明の第１の実施の形態による半導体製造装置（両面スクラバー洗浄機）を示す構成図である。
【００１２】
この両面スクラバー洗浄機１は、ブラシ３、ブラシアーム１１、液中パーティクルモニター４、スクラバーコントローラー７及び駆動制御系９から構成されている。
【００１３】
両面スクラバー洗浄機１はウエハー２を載置する図示せぬ載置台を有しており、この載置台はウエハー２表面の中心を通る軸を回転軸として回転する構成としている。上記載置台の上方にはブラシアーム１１が設けられている。このブラシアーム１１には洗浄用のブラシ３が設けられており、このブラシ３はブラシアーム１１によってウエハー２の表面（洗浄面）上を自在に移動できるような構成としている。ブラシ３の外周には洗浄処理用の薬液（水又は酸性又はアルカリ性の薬液）をウエハー２の洗浄面に滴下するための図示せぬ滴下用ノズルが設けられている。
【００１４】
上記ブラシ３の中心部からブラシアーム１１内にはウエハー２表面の処理薬液１０を吸い込むためのサンプリング用ノズル１２が設けられており、このサンプリング用ノズル１２の一端はブラシ３の先端部に設けられている。このノズル１２は液中パーティクルモニター４につながっている。この液中パーティクルモニター４はサンプリングノズル１２によって供給された処理薬液中のサイズ０．０６５μｍ以上のパーティクルをリアルタイムで分析するための機能を有するものであり、この分析結果はモニターディスプレイ５に定量的且つ時系列的に表示される。この液中パーティクルモニター４は演算器１４を内蔵しており、この演算器１４は液中パーティクルモニター４によって得られた処理薬液１０中に含まれるパーティクル量の時系列データを用いて洗浄処理の終点を算出するための手段（終点判定手段）である。
【００１５】
上記演算器１４は第１のインターフェイス６を介してスクラバーコントローラー７につながっており、このスクラバーコントローラー７は第２のインターフェース８を介して駆動制御系９につながっている。スクラバーコントローラー７は、演算器１４から第１のインターフェイス６を介して送られてくる洗浄処理の終点のデータを用いて、第２のインターフェース８を介して駆動制御系９をコントロールするものである。この駆動制御系９は上記載置台の回転やブラシアーム１１の動きを制御するものである。
【００１６】
以下、上述した両面スクラバー洗浄機を用いてウエハーを洗浄する方法について図１を参照しながら説明する。
【００１７】
先ず、上記載置台の上にウエハー２を載置し、この載置台をウエハー２の中心を通る軸を回転軸として回転させる。次に、ブラシ３を回転させ、図示せぬ滴下用ノズルから洗浄処理の薬液をウエハー２の表面に滴下する。
【００１８】
この後、ブラシアーム１１によってブラシ３をウエハー２の表面に所定の接触圧力で押し当て移動させて、塵などの表面付着物をこすり洗浄する。この際、ウエハー２表面に残存する処理中又は処理後の処理薬液１０をサンプリング用ノズル１２から吸い込むことにより、液中パーティクルモニター４に処理薬液１０を導入する。尚、ブラシアーム１１はウエハー２の外側のある軸を中心としてブラシ３が円弧状に動くようにしてある。
【００１９】
次に、この液中パーティクルモニター４において処理薬液１０の中に含まれる単位体積当たりの０．０６５μｍ以上のサイズのパーティクル量（例えば１cc当たりの０．０６５μｍ以上のサイズのパーティクルの数）を測定する。この場合のパーティクル量は一定時間当たり、例えば１０秒ごとの平均値をとる。この測定のデータをリアルタイムでモニターディスプレイ５に時間とパーティクル量の関係として表示しながら、このデータの絶対量、一次微分値、二次微分値を用いて演算器１４によって終点判定値を感度及び運用法に応じて算出する。この感度及び運用法に応じてというのは、被洗浄膜種に応じてということであり、つまり膜種によってウエハー表面に付着しているごみの量やスクラバー洗浄機によってとれるごみの量が異なるので、それに応じて終点判定値を算出することである。
【００２０】
この後、上記終点判定値を越えた時点でウエハー２の洗浄を終了するように、スクラバーコントローラー７によって駆動制御系９がコントロールされる。つまり、上記終点判定値を越えた時点でスクラバーコントローラー７が駆動制御系９に洗浄を終了させる命令を与えることにより、ウエハー２表面との接触を解除するべくブラシ３を上方に移動させ、ブラシの回転及び載置台の回転を停止し、滴下用ノズルからの洗浄処理の薬液の滴下を止め、サンプリング用ノズル１２から処理薬液１０を吸い込むのを停止する。
【００２１】
尚、ウエハー２の裏面を洗浄するには、ウエハー２の表面を洗浄した後にウエハー２の裏面がブラシ３に対向するように載置台に載置することにより行う。
【００２２】
上記第１の実施の形態によれば、スクラバー洗浄機１におけるサンプリング用ノズル１２によってウエハー２表面を処理中又は処理後の処理薬液１０を吸い込み、液中パーティクルモニター４の分析機能によって処理薬液１０中に含まれるパーティクル数を測定し、液中パーティクルモニター４によりIn-Situ モニターする。これにより、プロセス中のパーティクル数の増減を定量的且つ時系列的に測定することができ、被洗浄膜毎に最適な条件で洗浄することが可能となる。そして、演算器１４によってこの測定データを用いた演算を行い、適当なしきい値を設定することで洗浄処理の終点を判定することができる。したがって、この両面スクラバー洗浄機１は、従来のスクラバー洗浄機に比べて安定したパーティクル除去性能を発揮することができ、再現性の良好なスクラバープロセスの実現が可能となる。その結果、次のウエハー処理工程に対してある基準以上のウエハーの表面状態を従来の洗浄機より完全に保証することができる。
【００２３】
また、前述したように従来の洗浄機では、ウエハーの最適な洗浄処理時間を設定するデータ取りのためだけに多数のウエハーが必要であったが、上記両面スクラバー洗浄機では、処理薬液中１０のパーティクル数をモニターできるため、データ取りのためのウエハーの数を少なくすることができる。この結果、コストと時間の大幅な削減が可能となる。
【００２４】
また、液中パーティクルモニター４によって、プロセス中の処理薬液１０内のパーティクル数の増減を定量的且つ時系列的に測定することができるので、ブラシ３の交換時期を正確に把握することができる。つまり、ブラシの交換時期が迫ってくると、ウエハー表面からごみがとれにくくなるので、モニターディスプレイ５により表示されるごみのとれる量が少なくなり、同一条件で終点時間が遅れてくる。このようにパーティクルモニター４によりごみが取れにくくなったことを見ることができるので、ブラシの交換時期の判断が容易となる。
【００２５】
尚、上記第１の実施の形態では、ウエハー２表面の洗浄に用いられた処理中又は処理後の薬液に含まれるパーティクル数をIn-Situ モニターしているが、処理中又は処理後の薬液に含まれるパーティクル数とサイズをIn-Situ モニターすることも可能である。
【００２６】
また、ブラシ３に洗浄液をかけながらウエハー２表面を洗浄するスクラバー洗浄機１を用いているが、メガソニック機構又はジェット洗浄機構を備えた洗浄機を用いることも可能である。
【００２７】
図２は、この発明の第２の実施の形態による半導体製造装置（両面スクラバー洗浄機）におけるブラシアームを示す構成図であり、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００２８】
ブラシアーム１１には、洗浄用のブラシ３とは異なる位置からウエハー２表面の処理中又は処理後の薬液１０を吸い込むためのサンプリング用ノズル１２が設けられている。このノズル１２の一端がブラシ３と離れた位置に形成されている。ノズル１２は液中パーティクルモニターに接続されている。
【００２９】
上記第２の実施の形態においても第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００３０】
尚、上記第２の実施の形態では、ブラシアーム１１にサンプリング用ノズル１２を一セット設けているが、ブラシアーム１１に複数のサンプリング用ノズル１２を設けることも可能である。
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したようにこの発明によれば、洗浄処理中又は洗浄処理後の上記液体に含まれるパーティクル量を分析する分析手段と、この分析手段により分析したパーティクル量のデータを用いた演算により洗浄処理の終点を判定する演算手段を有している。したがって、洗浄処理の終点を判定することにより、安定したパーティクル除去性能を発揮できる半導体製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態による半導体製造装置（両面スクラバー洗浄機）を示す構成図である。
【図２】この発明の第２の実施の形態による半導体製造装置（両面スクラバー洗浄機）におけるブラシアームを示す構成図である。
【符号の説明】
１…両面スクラバー洗浄機、２…ウエハー、３…ブラシ、４…液中パーティクルモニター、６…第１のインターフェイス、７…スクラバーコントローラー、
８…第２のインターフェース、９…駆動制御系、１０…処理薬液、１１…ブラシアーム、１２…サンプリング用ノズル、１４…演算器。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a scrubber cleaning machine that can exhibit stable particle removal performance by determining the end point of a cleaning process.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art A conventional semiconductor manufacturing apparatus (scrubber cleaning machine) includes a brush for cleaning a cleaning surface of a wafer, and control means for driving and controlling the brush. This is an apparatus in which a cleaning liquid is applied to a rotating brush and moved while being pressed against a cleaning surface of a wafer, thereby rubbing and cleaning the surface of the wafer. This device is used not only for dust removal before resist coating, but also for removing dirt on the back surface of a wafer.
[0003]
The scrubber cleaning process performed by the above-described conventional semiconductor manufacturing apparatus is to secure a surface state of a wafer which is higher than a predetermined standard necessary for performing a subsequent wafer processing step. Specifically, first, in order to examine the optimal conditions for each film to be cleaned in each cleaning step, reproduction data using a large number of wafers is obtained, and from this data, the optimum cleaning for each film to be cleaned in each cleaning step is taken. Derive processing conditions and time. Next, this optimum condition is set in the control means. Then, the wafer is cleaned by the scrubber cleaning machine in each cleaning step under the optimum conditions.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the above-mentioned conventional scrubber cleaning machine, it is necessary to use a large number of wafers only in order to examine the optimum conditions for each film to be cleaned in each step, especially for setting the cleaning processing time of the wafers as described above. is there. In other words, in order to set the optimum wafer cleaning processing time supported by the reproduction data, a large number of wafers are required only for obtaining the reproduction data, which consumes cost (cost) and time. The reason why a large number of wafers are required is that the type of the film to be cleaned and the amount of debris attached to the wafers by the brush scrubber process are different, so that data obtained by variously changing the brush scrubber process parameters is required. This is because a large number of wafers for data acquisition are required.
[0005]
In addition, the above-described cleaning method raises questions about the stability of the particle removal performance of the scrubber cleaning machine. This is because the state of the brush of the cleaning machine changes as the cleaning surfaces of the plurality of wafers are cleaned, and the optimum cleaning processing time gradually changes accordingly. Therefore, in order to solve the above-mentioned questions and to guarantee the surface condition of the wafer above a certain standard for the next wafer processing step, it is necessary to determine the end point of the cleaning processing by the scrubber cleaning machine.
[0006]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus that can exhibit stable particle removal performance by determining an end point of a cleaning process.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problems, a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention analyzes a cleaning unit that cleans a surface to be cleaned with a liquid for cleaning processing, and analyzes an amount of particles contained in the liquid during or after the cleaning processing. Analyzing means, calculating means for determining an end point of the cleaning process by calculation using data of the amount of particles analyzed by the analyzing means, and controlling to end the cleaning by the cleaning means at the end point determined by the calculating means. And control means.
[0008]
In the above-described semiconductor manufacturing apparatus, the amount of particles contained in the cleaning liquid during or after the cleaning processing is analyzed by the analysis means, and the end point of the cleaning processing is determined by calculation using the data, and the control means determines the end point of the cleaning processing. At the end point, control can be performed so as to end the cleaning by the cleaning means. Therefore, stable particle removal performance can be exhibited.
[0009]
Further, a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes a brush for cleaning a surface of a wafer while flowing a liquid for a cleaning process, and a sampler for sampling the liquid during or after the cleaning process on the surface of the wafer. Nozzle, a particle monitor for monitoring the amount of particles contained in the liquid sampled by the nozzle, a calculator for determining the end point of the cleaning process by calculation using the data of the particle amount, and the calculator And a controller for controlling to end the cleaning by the brush at the determined end point.
[0010]
It is preferable that the particle monitor further includes a monitor display for quantitatively and chronologically displaying the particle amount. Thus, it is possible to visually grasp the increase or decrease in the number of particles in the liquid and determine whether or not it becomes difficult to remove dust from the wafer surface. The particle monitor preferably monitors the number of particles having a size of 0.065 μm or more per unit deposition contained in the liquid. In particular, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the first aspect of the present invention, one end of the nozzle is formed at a position separated from the brush .
[0011]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a configuration diagram showing a semiconductor manufacturing apparatus (double-sided scrubber cleaning machine) according to a first embodiment of the present invention.
[0012]
The double-sided scrubber cleaning machine 1 includes a brush 3, a brush arm 11, a liquid particle monitor 4, a scrubber controller 7, and a drive control system 9.
[0013]
The double-sided scrubber cleaning machine 1 has a mounting table (not shown) on which the wafer 2 is mounted, and the mounting table rotates around an axis passing through the center of the surface of the wafer 2 as a rotation axis. A brush arm 11 is provided above the mounting table. The brush arm 11 is provided with a brush 3 for cleaning, and the brush 3 is configured to be freely movable on the surface (cleaning surface) of the wafer 2 by the brush arm 11. A dropping nozzle (not shown) for dropping a cleaning chemical (water or an acidic or alkaline chemical) onto the cleaning surface of the wafer 2 is provided on the outer periphery of the brush 3.
[0014]
A sampling nozzle 12 for sucking the processing solution 10 on the surface of the wafer 2 is provided in the brush arm 11 from the center of the brush 3, and one end of the sampling nozzle 12 is provided at the tip of the brush 3. ing. The nozzle 12 is connected to the submerged particle monitor 4. The liquid particle monitor 4 has a function for analyzing particles having a size of 0.065 μm or more in the processing chemical supplied by the sampling nozzle 12 in real time. Displayed in chronological order. The in-liquid particle monitor 4 has a built-in computing unit 14, and the computing unit 14 uses the time-series data of the amount of particles contained in the treatment liquid 10 obtained by the in-liquid particle monitor 4 to terminate the cleaning process. (End point determining means).
[0015]
The computing unit 14 is connected to a scrubber controller 7 via a first interface 6, and the scrubber controller 7 is connected to a drive control system 9 via a second interface 8. The scrubber controller 7 controls the drive control system 9 via the second interface 8 using data on the end point of the cleaning process sent from the arithmetic unit 14 via the first interface 6. The drive control system 9 controls the rotation of the mounting table and the movement of the brush arm 11.
[0016]
Hereinafter, a method of cleaning a wafer using the above-described double-sided scrubber cleaning machine will be described with reference to FIG.
[0017]
First, the wafer 2 is mounted on the mounting table, and the mounting table is rotated with an axis passing through the center of the wafer 2 as a rotation axis. Next, the brush 3 is rotated, and a cleaning solution is dropped on the surface of the wafer 2 from a dropping nozzle (not shown).
[0018]
Thereafter, the brush 3 is pressed against the surface of the wafer 2 with a predetermined contact pressure by the brush arm 11 and moved to rub and remove surface deposits such as dust. At this time, the processing chemical liquid 10 remaining on the surface of the wafer 2 during or after processing is sucked from the sampling nozzle 12 to introduce the processing chemical liquid 10 into the liquid particle monitor 4. The brush arm 11 is configured such that the brush 3 moves in an arc shape around a certain axis outside the wafer 2.
[0019]
Next, the amount of particles having a size of 0.065 μm or more per unit volume contained in the processing chemical solution 10 (for example, the number of particles having a size of 0.065 μm or more per cc) is measured by the liquid particle monitor 4. . In this case, the amount of particles takes an average value per fixed time, for example, every 10 seconds. While displaying the data of this measurement in real time on the monitor display 5 as a relationship between time and the amount of particles, the arithmetic unit 14 uses the absolute amount, the first derivative, and the second derivative of the data to determine the end point judgment value by sensitivity and operation. Calculate according to the method. Depending on the sensitivity and operation method, it means that it depends on the type of film to be cleaned.In other words, the amount of dust adhering to the wafer surface and the amount of waste generated by the scrubber cleaning machine differ depending on the film type. And calculating an end point determination value accordingly.
[0020]
Thereafter, the drive control system 9 is controlled by the scrubber controller 7 so as to end the cleaning of the wafer 2 when the end point determination value is exceeded. That is, the scrubber controller 7 gives the drive control system 9 a command to end the cleaning at the time when the end point determination value is exceeded, thereby moving the brush 3 upward to release the contact with the surface of the wafer 2, and The rotation and the rotation of the mounting table are stopped, the dripping of the chemical for the cleaning process from the dripping nozzle is stopped, and the suction of the processing chemical 10 from the sampling nozzle 12 is stopped.
[0021]
The back surface of the wafer 2 is cleaned by cleaning the front surface of the wafer 2 and then placing the wafer 2 on a mounting table such that the back surface of the wafer 2 faces the brush 3.
[0022]
According to the first embodiment, the processing chemical 10 during or after processing the surface of the wafer 2 is sucked by the sampling nozzle 12 in the scrubber cleaning machine 1, and the analysis function of the in-liquid particle monitor 4 causes the processing chemical 10 in the processing chemical 10. The number of particles contained in the liquid is measured, and in-situ monitoring is performed by the liquid particle monitor 4. This makes it possible to quantitatively and chronologically measure the increase and decrease in the number of particles during the process, and it is possible to clean the film to be cleaned under optimum conditions. Then, the arithmetic unit 14 performs an operation using the measurement data, and sets an appropriate threshold value, thereby determining the end point of the cleaning process. Therefore, the double-sided scrubber cleaning machine 1 can exhibit more stable particle removal performance than a conventional scrubber cleaning machine, and can realize a scrubber process with good reproducibility. As a result, it is possible to completely guarantee the surface condition of the wafer which exceeds a certain standard for the next wafer processing step as compared with the conventional cleaning machine.
[0023]
Further, as described above, in the conventional cleaning machine, a large number of wafers are required only for collecting data for setting an optimum cleaning processing time of the wafer. Since the number of particles can be monitored, the number of wafers for data acquisition can be reduced. As a result, cost and time can be significantly reduced.
[0024]
Further, since the increase / decrease of the number of particles in the processing chemical solution 10 during the process can be quantitatively and chronologically measured by the in-liquid particle monitor 4, the replacement time of the brush 3 can be accurately grasped. That is, when the brush replacement time is approaching, it is difficult to remove dust from the wafer surface, so that the amount of dust displayed on the monitor display 5 is reduced, and the end point time is delayed under the same conditions. In this way, it can be seen from the particle monitor 4 that it is difficult to remove dust, so that it is easy to determine when to replace the brush.
[0025]
In the first embodiment, the number of particles contained in the chemical solution during or after the process used for cleaning the surface of the wafer 2 is monitored in-situ. It is also possible to monitor the number and size of included particles in-situ.
[0026]
Further, although the scrubber cleaning machine 1 that cleans the surface of the wafer 2 while applying the cleaning liquid to the brush 3 is used, a cleaning machine having a megasonic mechanism or a jet cleaning mechanism may be used.
[0027]
FIG. 2 is a configuration diagram showing a brush arm in a semiconductor manufacturing apparatus (double-sided scrubber cleaning machine) according to a second embodiment of the present invention. The same parts as those in FIG. explain.
[0028]
The brush arm 11 is provided with a sampling nozzle 12 for sucking a chemical solution 10 during or after processing the surface of the wafer 2 from a position different from that of the cleaning brush 3. One end of the nozzle 12 is formed at a position separated from the brush 3. The nozzle 12 is connected to a submerged particle monitor.
[0029]
In the second embodiment, the same effects as in the first embodiment can be obtained.
[0030]
In the second embodiment, the brush arm 11 is provided with one set of sampling nozzles 12, but the brush arm 11 may be provided with a plurality of sampling nozzles 12.
[0031]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the analyzing means for analyzing the amount of particles contained in the liquid during or after the cleaning processing, and the cleaning processing by the calculation using the data of the particle amount analyzed by the analyzing means. Has an operation means for judging the end point. Therefore, it is possible to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of exhibiting stable particle removal performance by determining the end point of the cleaning process.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a configuration diagram showing a semiconductor manufacturing apparatus (double-sided scrubber cleaning machine) according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a configuration diagram showing a brush arm in a semiconductor manufacturing apparatus (double-sided scrubber cleaning machine) according to a second embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Double-sided scrubber cleaning machine, 2 ... Wafer, 3 ... Brush, 4 ... Particle monitor in liquid, 6 ... 1st interface, 7 ... Scrubber controller,
Reference numeral 8: second interface, 9: drive control system, 10: processing chemical, 11: brush arm, 12: sampling nozzle, 14: computing unit.

Claims

洗浄処理用の液体を流しながらウエハーの表面を洗浄するためのブラシと、
上記ウエハーの表面に存する洗浄処理中又は洗浄処理後の上記液体をサンプリングするためのノズルと、
上記ノズルによりサンプリングした上記液体に含まれるパーティクル量をモニターするためのパーティクルモニターと、
上記パーティクル量のデータを用いた演算により洗浄処理の終点時を判定する演算器と、上記演算器により判定された終点時に上記ブラシによる洗浄を終了させるよう制御するコントローラーとを具備し、
上記ノズルの一端が上記ブラシと離れた位置に形成されている
ことを特徴とする半導体製造装置。A brush for cleaning the surface of the wafer while flowing a cleaning liquid,
A nozzle for sampling the liquid during or after the cleaning process present on the surface of the wafer,
A particle monitor for monitoring the amount of particles contained in the liquid sampled by the nozzle,
An arithmetic unit that determines the end point of the cleaning process by an operation using the data of the particle amount, and a controller that controls to end the cleaning by the brush at the end point determined by the arithmetic unit,
A semiconductor manufacturing apparatus, wherein one end of the nozzle is formed at a position separated from the brush.