JP3540659B2

JP3540659B2 - Magneto-optical recording medium

Info

Publication number: JP3540659B2
Application number: JP06687699A
Authority: JP
Inventors: 仁志野口; 山口　　淳
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1999-03-12
Filing date: 1999-03-12
Publication date: 2004-07-07
Anticipated expiration: 2019-03-12
Also published as: JP2000268423A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁界を印加し、レーザ光を照射して信号を再生する光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気記録媒体は、書き換え可能で、記憶容量が大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として注目されており、コンピュータメモリ等として実用化され始めている。また、最近では、記録容量が６．１Ｇｂｙｔｅｓの光磁気記録媒体が規格化され、実用化がされようとしている。
【０００３】
また、光磁気記録媒体からの信号再生において交番磁界を印加し、再生層から記録層に転写された磁区を交番磁界により拡大して信号を再生する磁区拡大再生技術も開発されており、この技術を用いることにより１４Ｇｂｙｔｅｓの信号を記録および／または再生することができる光磁気記録媒体も提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、磁区拡大により信号再生を行う光磁気記録媒体は、一般に図８に示すような断面構造を有する。即ち、光磁気記録媒体２００は、再生層３と、再生層３に接して形成された非磁性層４と、非磁性層４に接して形成された記録層７とを備える。記録密度が向上し、記録層７に形成される磁区が微小になると図９に示すように、レーザ光ＬＢが照射されると、記録層７のうち、２つの磁区７０１、７０２の領域が所定温度以上になり、非磁性層４を介して再生層３へ２つの磁区３０１、３０２が転写される。そうすると、レーザ光ＬＢのビーム径の中に２つの磁区３０１、３０２が存在し、各々の磁区３０１、３０２を独立に検出できず、従来の光磁気記録媒体では、磁区拡大による正確な信号再生ができないという問題がある。
【０００５】
そこで、本願発明は、かかる問題を解決し、記録層の各磁区を各々別個に高分解能で再生層へ転写して磁区拡大による信号再生が可能な光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
請求項１に係る発明は、再生層と、非磁性層と、第１のマスク層と、第２のマスク層と、記録層とを含む光磁気記録媒体である。
【０００７】
非磁性層は再生層に接して形成され、第１のマスク層は、非磁性層に接して形成され、第２のマスク層は、第１のマスク層に接して形成され、記録層は、第２のマスク層に接して形成される。
【０００８】
そして、第１のマスク層は、第１の温度で垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化し、
第２のマスク層は、第１の温度より低い第２の温度で面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する。
【０００９】
請求項１に記載された光磁気記録媒体においては、レーザ光が照射されると、第２のマスク層のうち、第２の温度以上の領域は面内磁化膜から垂直磁化膜に変化し、第１のマスク層のうち、第１の温度以上の領域は垂直磁化膜から面内磁化膜に変化する。そして、記録層のうち、第２の温度以下の領域に存在する各磁区は第２のマスク層の面内磁化を保持する領域により再生層への転写を阻止され、記録層のうち、第１の温度以上の領域に存在する各磁区は、第１のマスク層の面内磁化を保持する領域により再生層への転写を阻止される。
【００１０】
そうすると、記録層のうち、第２の温度から第１の温度範囲に存在する磁区は交換結合により、順次、第２のマスク層、第１のマスク層へと転写され、第１のマスク層からは、非磁性層を介して静磁結合により再生層へ転写される。
【００１１】
従って、請求項１に記載された発明によれば、光磁気記録媒体に照射するレーザ光の強度等を制御して、第２の温度から第１の温度になる記録層の領域を最短ドメイン長程度に小さくすることにより、記録層の各磁区を高分解能で再生層へ転写でき、外部磁界を印加することにより磁区拡大による再生を正確に行うことができる。
【００１２】
また、請求項２に係る発明は、再生層と、非磁性層と、第１のマスク層と、第２のマスク層と、記録層とを含む光磁気記録媒体である。
【００１３】
非磁性層は、再生層に接して形成され、第１のマスク層は、非磁性層に接して形成され、第２のマスク層は、第１のマスク層に接して形成され、記録層は、第２のマスク層に接して形成される。
【００１４】
そして、第１のマスク層は、第１の温度で面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化し、第２のマスク層は、第１の温度より高い第２の温度で垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化する。
【００１５】
請求項２に記載された光磁気記録媒体においては、レーザ光が照射されると、第２のマスク層のうち、第２の温度以上の領域は垂直磁化膜から面内磁化膜に変化し、第１のマスク層のうち、第１の温度以上の領域は、面内磁化膜から垂直磁化膜に変化する。そして、記録層のうち、第１の温度以下の領域に存在する各磁区は第１のマスク層の面内磁化を保持する領域により再生層への転写を阻止され、記録層のうち、第２の温度以上の領域に存在する各磁区は第
２のマスク層の面内磁化を保持する領域により再生層への転写を阻止される。
【００１６】
そうすると、記録層のうち、第１の温度から第２の温度範囲に存在する磁区は、交換結合により、順次、第２のマスク層、第１のマスク層へと転写され、第１のマスク層からは、非磁性層を介して静磁結合により再生層へ転写される。
【００１７】
従って、請求項２に記載された発明によれば、光磁気記録媒体に照射するレーザ光の強度等を制御して、第１の温度から第２の温度になる記録層の領域を最短ドメイン長程度に小さくすることにより、記録層の各磁区を高分解能で再生層へ転写でき、外部磁界を印加することにより磁区拡大による再生を正確に行うことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図を参照しつつ説明する。図１を参照して、本願発明に係る光磁気記録媒体の断面構造について説明する。光磁気記録媒体１０は、透光性基板１と、下地層２と、再生層３と、非磁性層４と、第１のマスク層５と、第２のマスク層６と、記録層７と、保護膜８とを備える。
【００１９】
透光性基板１は、ガラス、ポリカーボネート等から成り、下地層２は、ＳｉＮから成り、再生層３は、遷移金属リッチなＧｄＦｅＣｏから成り、非磁性層４は、ＳｉＮから成り、第１のマスク層５は、遷移金属リッチなＧｄＦｅＣｏから成り、第２のマスク層６は、希土類金属リッチなＧｄＦｅＣｏから成り、記録層７は、ＴｂＦｅＣｏから成り、保護膜８は、ＳｉＮから成る。
【００２０】
下地層２を構成するＳｉＮ、再生層３を構成する遷移金属リッチなＧｄＦｅＣｏ、非磁性層４を構成するＳｉＮ、第１のマスク層５を構成する遷移金属リッチなＧｄＦｅＣｏ、第２のマスク層６を構成する希土類金属リッチなＧｄＦｅＣｏ、および記録層７を構成するＴｂＦｅＣｏは、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により形成される。
【００２１】
また、下地層２の膜厚は、４００〜８００Åであり、再生層３の膜厚は、１５０〜５００Åであり、非磁性層４の膜厚は、５０〜３００Åであり、第１のマスク層５の膜厚は４００〜１５００Åであり、第２のマスク層６の膜厚は、４００〜１５００Åであり、記録層７の膜厚は、３００〜２０００Åであり、保護膜８の膜厚は４００〜８００Åである。
【００２２】
図２を参照して、再生層３、非磁性層４、第１のマスク層５、第２のマスク層６、および記録層７について説明する。再生層３は、垂直磁化膜であり、光磁気記録媒体１０から信号が再生される際には、予め、外部磁界により一定方向の磁化を有するように初期化されている。但し、この初期化は一度行えば良く、繰り返し再生を行う場合は、その再生毎に初期化を行う必要はない。第１のマスク層５は、室温で垂直磁化膜であり、所定温度以上で面内磁化膜となる磁性層である。そして、第１のマスク層５は、再生層３が初期化される際に同時に初期化され一定方向の磁化を有する。また、第２のマスク層６は、室温で面内磁化膜であり、所定温度以上で垂直磁化膜となる磁性層である。また、記録層７は記録信号に基づいて異なる方向に磁化された垂直磁化膜である。
【００２３】
従って、光磁気記録媒体１０は、信号が再生される前は、図２に示すように各層は磁化を有する。
【００２４】
図３を参照して、記録層７の各磁区が高分解能で再生層３へ転写される機構について詳細に説明する。所定の回転数で回転している光磁気記録媒体１０にレーザ光ＬＢが照射されると、レーザ光ＬＢの光軸ＬＢ０より後方の位置Ｌ１で光磁気記録媒体１０の温度は最高になり、位置Ｌ１よりレーザ光ＬＢの進行方向９側では光磁気記録媒体１０の温度分布は急峻になり、位置Ｌ１よりレーザ光ＬＢの進行方向９と反対側では光磁気記録媒体の温度分布はブロードになる。
【００２５】
かかる温度分布のもと、第２のマスク層６は、温度Ｔ１で面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化し、第１のマスク層５は、温度Ｔ１より高い温度Ｔ２で垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化する。従って、第２のマスク層６のうち、温度Ｔ１より高い温度領域には、記録層７の磁区７２と交換結合した垂直磁化を有する磁区６２が存在し、温度Ｔ１より低い温度領域は面内磁化を有する磁区６３が存在する。また、第１のマスク層５のうち、温度Ｔ２より高い温度領域では、面内磁化を有する磁区５２が存在し、温度Ｔ２より低い温度領域では垂直磁化を保持する。
【００２６】
そうすると、記録層７のうち、温度Ｔ２より高い温度領域に存在する磁区７２は、第２のマスク層６へ磁区６２として転写されるが、第１のマスク層５の面内磁化を有する磁区５２により再生層３への転写を阻止される。また、記録層７のうち、温度Ｔ１より低い温度領域に存在する磁区７３は第２のマスク層６の面内磁化を有する磁区６３により再生層３への転写を阻止される。
【００２７】
従って、記録層７のうち、温度Ｔ１から温度Ｔ２の範囲にある磁化７１を有する磁区７０は、第２のマスク層６が温度Ｔ１で垂直磁化膜になるため交換結合により第２のマスク層６へ磁化７１と同じ方向の磁化６１を有する磁区６０として転写され、第１のマスク層５では温度Ｔ２以下では垂直磁化を保持しようとするので第２のマスク層６の磁区６０は、交換結合により磁化６１と同じ方向の磁化５１を有する磁区５０として第１のマスク層５へ転写される。そして、第１のマスク層５の磁区５０は、漏洩磁界により非磁性層４を介して再生層３へ磁区３０として転写される。
【００２８】
本願発明においては、第１のマスク層５が垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化する温度Ｔ２は、１２０〜１８０℃の範囲に設定され、第２のマスク層６が面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する温度Ｔ１は１００〜１６０℃の範囲に設定される。そして、温度Ｔ１と温度Ｔ２の温度差は、２０〜４０℃の範囲が適しており、Ｔ２−Ｔ１を２０〜４０℃の範囲に設定することにより記録層７の各磁区を独立に再生層３へ転写できる。
【００２９】
レーザ光ＬＢの強度、光磁気記録媒体１０の回転数を制御することにより記録層７のうち、温度がＴ１からＴ２になる領域を最短ドメイン長程度に小さくできるので、光磁気記録媒体１０においては、記録層７の各磁区を独立に再生層３へ転写できる。その結果、高分解能の信号再生が可能である。
【００３０】
図４を参照して、光磁気記録媒体１０における磁区拡大再生の過程について説明する。光磁気記録媒体１０にレーザ光ＬＢが照射される前に、再生層３、第１のマスク層５は、外部磁界により初期化される（図４の（ａ）参照）。光磁気記録媒体１０にレーザ光が照射されると、上記図３で説明したように記録層７のうち、温度がＴ１からＴ２の範囲にある磁区７０が再生層３へ磁区３０として転写される（図４の（ｂ）参照）。再生層３へ磁区３０が転写されると、外部から交番磁界Ｈｅｘが印加され、交番磁界Ｈｅｘのうち、磁区３０の磁化と同じ方向の磁界が印加されたタイミングで磁区３０は磁区３００へ拡大される。そして、拡大された磁区３００とレーザ光ＬＢとの磁気光学作用によりレーザ光ＬＢの反射光はその偏光面を回転され、偏光面が回転された反射光を検出することにより磁区３００が検出される（図４の（ｃ）参照）。磁区３００が検出された後、レーザ光ＬＢが移動し、磁区７０、６０、５０、３００の領域の温度が下がると最初の状態に戻る（図４の（ａ）参照）。
【００３１】
上記説明した図４の（ａ）から（ｃ）の過程を経て記録層７の各磁区は独立に再生層３へ転写され、再生層３で交番磁界Ｈｅｘにより拡大されて検出される。光磁気記録媒体１０に照射されるレーザ光ＬＢの強度は、２．０ｍＷ程度であり、光磁気記録媒体１０に印加される交番磁界Ｈｅｘの強度は、±３００Ｏｅ程度であり、周波数は、２５ＭＨｚ程度である。
【００３２】
上記説明においては、光磁気記録媒体１０の再生層３は垂直磁化膜であるとして説明したが、これに限られるものではなく、室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上で垂直磁化膜に変化する磁性層であっても良い。図５を参照して、再生層３３が室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上で垂直磁化膜となる磁性層である場合には、レーザ光ＬＢを照射することにより所定の範囲ｒが垂直磁化膜に変化する。従って、記録層７のうち、温度がＴ１からＴ２の範囲にある磁区７０は上記図４で説明した過程を経て再生層３３へ転写され、拡大されて検出される。この場合、再生層３３が面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する温度Ｔ０は、Ｔ１−Ｔ０が０〜２０℃の範囲に設定される。
【００３３】
本願発明に係る光磁気記録媒体は、上記説明した光磁気記録媒体１０に限らず、図６に示す光磁気記録媒体１００であっても良い。光磁気記録媒体１００は、光磁気記録媒体１０の第１のマスク層５を室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上で垂直磁化膜となる磁性層５５に変え、第２のマスク層６を室温で垂直磁化膜であり所定の温度以上で面内磁化膜となる磁性層６６に変えた光磁気記録媒体である。
【００３４】
図７を参照して、光磁気記録媒体１００において記録層７の各磁区が独立に再生層３へ転写される機構について説明する。所定の回転数で回転している光磁気記録媒体１００にレーザ光ＬＢが照射された場合の温度分布は、上記図３に示す温度分布と同じである。
【００３５】
かかる温度分布のもと、第２のマスク層６６は、温度Ｔ２で垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化し、第１のマスク層５５は、温度Ｔ２より低い温度Ｔ１で面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する。従って、第２のマスク層６６のうち、温度Ｔ２より高い温度領域には、面内磁化を有する磁区６６２が存在し、温度Ｔ２より低い温度領域には記録層７の磁区７３と交換結合した磁区６６３が存在する。また、第１のマスク層５５のうち、温度Ｔ１より低い温度領域では、面内磁化を有する磁区５５３が存在し、温度Ｔ１より高い温度領域では垂直磁化を保持する。
【００３６】
そうすると、記録層７のうち、温度Ｔ２より高い温度領域に存在する磁区７２は、第２のマスク層６６の面内磁化を有する磁区６６２により再生層３への転写を阻止される。また、記録層７のうち、温度Ｔ１より低い温度領域に存在する磁区７３は第２のマスク層６６へ磁区６６３として転写されるが、第１のマスク層５５の面内磁化を有する磁区５５３により再生層３への転写を阻止される。
【００３７】
従って、記録層７のうち、温度Ｔ１から温度Ｔ２の範囲にある磁化７１を有する磁区７０は、第２のマスク層６６が温度Ｔ２で面内磁化膜になるため交換結合により第２のマスク層６６へ磁化７１と同じ方向の磁化６６１を有する磁区６６０として転写され、第１のマスク層５５では温度Ｔ１以下では面内磁化を保持しようとするので第２のマスク層６６の磁区６６０は、交換結合により磁化６６１と同じ方向の磁化５５１を有する磁区５５０として第１のマスク層５５へ転写される。そして、第１のマスク層５５の磁区５５０は、漏洩磁界により非磁性層４を介して再生層３へ磁区３０として転写される。
【００３８】
光磁気記録媒体１００においては、第１のマスク層５５が面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する温度Ｔ１は、１００〜１６０℃の範囲に設定され、第２のマスク層６６が垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化する温度Ｔ２は、１２０〜１８０℃の範囲に設定される。そして、温度Ｔ１と温度Ｔ２の温度差は、２０〜４０℃の範囲が適しており、Ｔ２−Ｔ１を２０〜４０℃の範囲に設定することにより記録層７の各磁区を独立に再生層３へ転写できる。
【００３９】
また、レーザ光ＬＢの強度、光磁気記録媒体１０の回転数を制御することにより記録層７のうち、温度がＴ１からＴ２になる領域を最短ドメイン長程度に小さくできるので、光磁気記録媒体１００においても、記録層７の各磁区を独立に再生層３へ転写できる。その結果、高分解能の信号再生が可能である。
【００４０】
光磁気記録媒体１００は、上記図４と同じ過程を経て記録層７の各磁区を独立に再生層３へ転写し、磁区拡大により信号を再生することができる。この場合、光磁気記録媒体１００に照射されるレーザ光ＬＢの強度は、２．０ｍＷ程度であり、光磁気記録媒体１００に印加される交番磁界Ｈｅｘの強度は、±３００Ｏｅ程度であり、周波数は、２５ＭＨｚ程度である。
【００４１】
また、図６、７の説明においては、再生層３は垂直磁化膜として説明したが、これに限られるものではなく、室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上で垂直磁化膜となる上記図５の再生層３３を用いることも可能である。光磁気記録媒体１００に再生層３３を用いた場合に、記録層７の各磁区が独立に再生層３３に転写される機構は、上記図５の説明と同じである。そして、再生層３３が面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する温度Ｔ０は、Ｔ１−Ｔ０が０〜２０℃の範囲に設定される。従って、再生層３３を用いた光磁気記録媒体１００において、記録層７の各磁区が独立に再生層３３へ転写され、拡大されて再生される過程は上記図４と同じである。
【００４２】
図１０を参照して、光磁気記録媒体１０の再生層３に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、Ｆｅ：Ｃｏ＝７５：２５と一定にしてＧｄ含有量を変化させた。また、膜厚は３００Å（■）と８００（○）Åの場合について示した。膜厚が３００Å（■）の場合、エラーレートは、Ｇｄ含有量の増加に伴って下に凸の放物線上に変化し、Ｇｄ含有量が２２〜２３ａｔ．％の範囲でエラーレートは最小になる。そして、Ｇｄ含有量が１８〜２８ａｔ．％の範囲で１０^-4以下のエラーレートが得られる。従って、膜厚が３００Å（■）の場合は、Ｇｄ含有量が１８〜２８ａｔ．％の範囲のＧｄＦｅＣｏが再生層３として適している。一方、膜厚が８００（○）Åの場合は、Ｇｄ含有量の増加に伴って、エラーレートが減少し、Ｇｄ含有量が２５〜３４ａｔ．％の範囲で１０^-4以下のエラーレートが得られる。従って、膜厚が膜厚が８００（○）Åの場合は、Ｇｄ含有量が２５〜３４ａｔ．％の範囲のＧｄＦｅＣｏが再生層３として適している。
【００４３】
図１１を参照して、光磁気記録媒体１０の再生層３に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、Ｇｄの含有量は、２３ａｔ．％（■）と３０ａｔ．％（○）である。Ｇｄ含有量が２３ａｔ．％（■）の場合には、膜厚が１５０〜５００Åの範囲でエラーレートがが１０^-4以下となり、Ｇｄの含有量が３０ａｔ．％（○）の場合には、膜厚が３００〜８００Åの範囲でエラーレートが１０^-4以下となる。従って、Ｇｄの含有量が２３ａｔ．％（■）の場合には、１５０〜５００Åの範囲の膜厚が再生層３として適しており、Ｇｄの含有量が３０ａｔ．％（○）の場合には、３００〜８００Åの範囲の膜厚が再生層３として適している。また、Ｇｄの含有量を減少させることにより最適な膜厚は薄膜化の方向へシフトする。
【００４４】
図１２を参照して、光磁気記録媒体１０の第１のマスク層５に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、ＦｅとＣｏの比をＦｅ：Ｃｏ＝６０：４０（●）、Ｆｅ：Ｃｏ＝６５：３５（■）、およびＦｅ：Ｃｏ＝７０：３０（○）と変化させた。Ｆｅ：Ｃｏ＝６０：４０（●）の場合は、Ｇｄの含有量が２０〜２５ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０^-4以下になり、Ｆｅ：Ｃｏ＝６５：３５（■）の場合は、Ｇｄの含有量が１８〜２８ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０^-4以下になり、Ｆｅ：Ｃｏ＝７０：３０（○）の場合は、Ｇｄの含有量が１９〜２５ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０^-4以下になる。従って、第１のマスク層５としては、Ｆｅ：Ｃｏ＝６０：４０（●）の場合は、２０〜２５ａｔ．％の範囲のＧｄを含むＧｄＦｅＣｏが適しており、Ｆｅ：Ｃｏ＝６５：３５（■）の場合は１８〜２８ａｔ．％の範囲のＧｄを含むＧｄＦｅＣｏが適しており、Ｆｅ：Ｃｏ＝７０：３０（○）の場合は１９〜２５ａｔ．％の範囲のＧｄを含むＧｄＦｅＣｏが適している。
【００４５】
図１３を参照して、光磁気記録媒体１０の第１のマスク層５に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、第１のマスク層５に用いるＧｄＦｅＣｏの組成は、ＦｅとＣｏの比をＦｅ：Ｃｏ＝６５：３５一定として、Ｇｄの含有量を１８ａｔ．％（●）、２３ａｔ．％（■）、２８ａｔ．％（○）と変化させた。Ｇｄの含有量が１８ａｔ．％（●）の場合には、８００〜１２００Åの範囲でエラーレートが１０^-4となり、Ｇｄの含有量が２３ａｔ．％（■）の場合には、５００〜１５００Åの範囲でエラーレートが１０^-4以下となり、Ｇｄの含有量が２８ａｔ．％（○）の場合には、８００Å付近ででエラーレートが１０^-4となる。
【００４６】
図１４を参照して、光磁気記録媒体１０の第２のマスク層６に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、ＦｅとＣｏの比をＦｅ：Ｃｏ＝７０：３０（●）、Ｆｅ：Ｃｏ＝７５：２５（■）、およびＦｅ：Ｃｏ＝８０：２０（○）と変化させた。Ｆｅ：Ｃｏ＝７０：３０（●）の場合は、Ｇｄの含有量が２４〜３２ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０^-4以下になり、Ｆｅ：Ｃｏ＝７５：２５（■）の場合は、Ｇｄの含有量が２５〜３５ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０^-4以下になり、Ｆｅ：Ｃｏ＝８０：２０（○）の場合は、Ｇｄの含有量が２８〜３７ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０^-4以下になる。従って、第２のマスク層６としては、Ｆｅ：Ｃｏ＝７０：３０（●）の場合は、２４〜３２ａｔ．％の範囲のＧｄを含むＧｄＦｅＣｏが適しており、Ｆｅ：Ｃｏ＝７５：２５（■）の場合は２５〜３５ａｔ．％の範囲のＧｄを含むＧｄＦｅＣｏが適しており、Ｆｅ：Ｃｏ＝８０：２０（○）の場合は２８〜３７ａｔ．％の範囲のＧｄを含むＧｄＦｅＣｏが適している。
【００４７】
図１５を参照して、光磁気記録媒体１０の第２のマスク層６に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、第２のマスク層６に用いるＧｄＦｅＣｏの組成は、ＦｅとＣｏの比をＦｅ：Ｃｏ＝７５：２５一定として、Ｇｄの含有量を２５ａｔ．％（●）、３０ａｔ．％（■）、３５ａｔ．％（○）と変化させた。Ｇｄの含有量が２５ａｔ．％（●）の場合には、８００〜１５００Åの範囲でエラーレートが１０^-4以下となり、Ｇｄの含有量が３０ａｔ．％（■）の場合には、５００〜１５００Åの範囲でエラーレートが１０^-4以下となり、Ｇｄの含有量が３５ａｔ．％（○）の場合には、４００〜８００Åの範囲でエラーレートが１０^-4以下となる。
【００４８】
図１０、１１で説明したＧｄの含有量、膜厚については、光磁気記録媒体１００の再生層３に用いるＧｄＦｅＣｏに適用でき、図１２、１３で説明したＧｄの含有量、膜厚については、光磁気記録媒体１００の第２のマスク層６６に用いるＧｄＦｅＣｏに適用でき、図１４、１５で説明したＧｄの含有量、膜厚については、光磁気記録媒体１００の第１のマスク層５５に用いるＧｄＦｅＣｏに適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明に係る光磁気記録媒体の断面構造図である。
【図２】図１に示す光磁気記録媒体の各層の磁化分布を説明する図である。
【図３】図１に示す光磁気記録媒体の記録層から再生層への磁区の転写を説明する図である。
【図４】図１に示す光磁気記録媒体の磁区拡大再生の過程を説明する図である。
【図５】図１に示す光磁気記録媒体の再生層に室温で面内磁化膜であり、所定温度以上で垂直磁化膜となる磁性層を用いた場合の記録層から再生層への磁区の転写を説明する図である。
【図６】本願発明に係る光磁気記録媒体の他の断面構造図である。
【図７】図６に示す光磁気記録媒体の再生層に室温で面内磁化膜であり、所定温度以上で垂直磁化膜となる磁性層を用いた場合の記録層から再生層への磁区の転写を説明する図である。
【図８】従来の光磁気記録媒体の断面構造である。
【図９】従来の光磁気記録媒体の問題点を説明する図である。
【図１０】図１の光磁気記録媒体の再生層に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図１１】図１の光磁気記録媒体の再生層に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図１２】図１の光磁気記録媒体の第１のマスク層に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図１３】図１の光磁気記録媒体の第１のマスク層に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図１４】図１の光磁気記録媒体の第２のマスク層に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図１５】図１の光磁気記録媒体の第２のマスク層に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【符号の説明】
１・・・基板
２・・・下地層
３、３３・・・再生層
４・・・非磁性層
５、５５・・・第１のマスク層
６、６６・・・第２のマスク層
７・・・記録層
８・・・保護層
１０、１００・・・光磁気記録媒体
３０、５０、５２、５３、６０、６２、６３、７０、７２、７３、３００、
５５０、５５３、６６０、６６２、６６３・・・磁区
５１、６１、７１、５５１、６６１・・・磁化[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a magneto-optical recording medium for reproducing a signal by applying a magnetic field and irradiating a laser beam.
[0002]
[Prior art]
Magneto-optical recording media have attracted attention as rewritable, large-capacity, and highly reliable recording media, and have begun to be put to practical use as computer memories and the like. Recently, a magneto-optical recording medium having a recording capacity of 6.1 Gbytes has been standardized and is being put to practical use.
[0003]
In addition, a magnetic domain enlarging and reproducing technique for reproducing a signal by applying an alternating magnetic field in reproducing a signal from a magneto-optical recording medium and enlarging a magnetic domain transferred from the reproducing layer to the recording layer by the alternating magnetic field has also been developed. Also, a magneto-optical recording medium capable of recording and / or reproducing a signal of 14 Gbytes by using is proposed.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, a magneto-optical recording medium that reproduces a signal by magnetic domain expansion generally has a cross-sectional structure as shown in FIG. That is, the magneto-optical recording medium 200 includes the reproducing layer 3, the non-magnetic layer 4 formed in contact with the reproducing layer 3, and the recording layer 7 formed in contact with the non-magnetic layer 4. When the recording density is improved and the magnetic domains formed in the recording layer 7 are minute, as shown in FIG. 9, when the laser beam LB is irradiated, the area of the two magnetic domains 701 and 702 in the recording layer 7 becomes a predetermined area. When the temperature reaches or exceeds the temperature, two magnetic domains 301 and 302 are transferred to the reproducing layer 3 via the nonmagnetic layer 4. In this case, two magnetic domains 301 and 302 exist in the beam diameter of the laser beam LB, and the respective magnetic domains 301 and 302 cannot be detected independently. In the conventional magneto-optical recording medium, accurate signal reproduction by magnetic domain expansion is not performed. There is a problem that can not be.
[0005]
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a magneto-optical recording medium capable of separately reproducing each magnetic domain of a recording layer to a reproducing layer at a high resolution and reproducing a signal by expanding the magnetic domain. .
[0006]
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention
The invention according to claim 1 is a magneto-optical recording medium including a reproducing layer, a non-magnetic layer, a first mask layer, a second mask layer, and a recording layer.
[0007]
The non-magnetic layer is formed in contact with the reproducing layer, the first mask layer is formed in contact with the non-magnetic layer, the second mask layer is formed in contact with the first mask layer, and the recording layer is It is formed in contact with the second mask layer.
[0008]
Then, the first mask layer changes from the perpendicular magnetization film to the in-plane magnetization film at the first temperature,
The second mask layer changes from an in-plane magnetization film to a perpendicular magnetization film at a second temperature lower than the first temperature.
[0009]
In the magneto-optical recording medium according to the first aspect, when the laser beam is irradiated, a region of the second mask layer having a temperature equal to or higher than the second temperature changes from an in-plane magnetization film to a perpendicular magnetization film, A region of the first mask layer having a temperature equal to or higher than the first temperature changes from a perpendicular magnetization film to an in-plane magnetization film. In the recording layer, the magnetic domains existing in the region at the second temperature or lower are prevented from being transferred to the reproducing layer by the region of the second mask layer that retains the in-plane magnetization, and the first magnetic layer in the recording layer is Each magnetic domain existing in a region having a temperature equal to or higher than that of the first mask layer is prevented from being transferred to the reproducing layer by the region holding the in-plane magnetization of the first mask layer.
[0010]
Then, of the recording layer, the magnetic domains existing in the second temperature range to the first temperature range are sequentially transferred to the second mask layer and the first mask layer by exchange coupling, and from the first mask layer, Is transferred to the reproducing layer by magnetostatic coupling via the nonmagnetic layer.
[0011]
Therefore, according to the first aspect of the present invention, the area of the recording layer where the temperature changes from the second temperature to the first temperature is controlled by controlling the intensity or the like of the laser beam applied to the magneto-optical recording medium. By making it as small as possible, each magnetic domain of the recording layer can be transferred to the reproducing layer with high resolution, and reproduction by magnetic domain expansion can be accurately performed by applying an external magnetic field.
[0012]
The invention according to claim 2 is a magneto-optical recording medium including a reproducing layer, a nonmagnetic layer, a first mask layer, a second mask layer, and a recording layer.
[0013]
The non-magnetic layer is formed in contact with the reproducing layer, the first mask layer is formed in contact with the non-magnetic layer, the second mask layer is formed in contact with the first mask layer, and the recording layer is formed. Is formed in contact with the second mask layer.
[0014]
Then, the first mask layer changes from an in-plane magnetic film to a perpendicular magnetic film at a first temperature, and the second mask layer changes from an in-plane magnetic film to a perpendicular magnetic film at a second temperature higher than the first temperature. Changes to a magnetized film.
[0015]
In the magneto-optical recording medium according to the second aspect, when the laser beam is irradiated, a region of the second mask layer having a temperature equal to or higher than the second temperature changes from a perpendicular magnetization film to an in-plane magnetization film, A region of the first mask layer having a temperature equal to or higher than the first temperature changes from an in-plane magnetic film to a perpendicular magnetic film. Each magnetic domain existing in a region of the recording layer at a temperature equal to or lower than the first temperature is prevented from being transferred to the reproducing layer by the region of the first mask layer that retains the in-plane magnetization, and Are transferred to the reproducing layer by the region of the second mask layer that retains the in-plane magnetization.
[0016]
Then, of the recording layer, the magnetic domains existing in the first temperature range to the second temperature range are sequentially transferred to the second mask layer and the first mask layer by exchange coupling, and are transferred to the first mask layer. Is transferred to the reproducing layer by magnetostatic coupling via the non-magnetic layer.
[0017]
Therefore, according to the second aspect of the present invention, by controlling the intensity of the laser beam applied to the magneto-optical recording medium and the like, the area of the recording layer from the first temperature to the second temperature is reduced to the shortest domain length. By making it as small as possible, each magnetic domain of the recording layer can be transferred to the reproducing layer with high resolution, and reproduction by magnetic domain expansion can be accurately performed by applying an external magnetic field.
[0018]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The sectional structure of the magneto-optical recording medium according to the present invention will be described with reference to FIG. The magneto-optical recording medium 10 includes a light-transmitting substrate 1, an underlayer 2, a reproducing layer 3, a nonmagnetic layer 4, a first mask layer 5, a second mask layer 6, and a recording layer 7. , A protective film 8.
[0019]
The translucent substrate 1 is made of glass, polycarbonate or the like, the underlayer 2 is made of SiN, the reproducing layer 3 is made of GdFeCo rich in transition metal, the nonmagnetic layer 4 is made of SiN, and the first mask The layer 5 is made of transition metal-rich GdFeCo, the second mask layer 6 is made of rare earth metal-rich GdFeCo, the recording layer 7 is made of TbFeCo, and the protective film 8 is made of SiN.
[0020]
SiN forming the underlayer 2, GdFeCo rich in transition metal forming the reproducing layer 3, SiN forming nonmagnetic layer 4, GdFeCo rich in transition metal forming the first mask layer 5, second mask layer 6 Is formed by the RF magnetron sputtering method, and the rare earth metal-rich GdFeCo and the recording layer 7 are formed by TbFeCo.
[0021]
The thickness of the underlayer 2 is 400 to 800 °, the thickness of the reproducing layer 3 is 150 to 500 °, the thickness of the nonmagnetic layer 4 is 50 to 300 °, and the first mask layer 5, the second mask layer 6 has a thickness of 400 to 1500 °, the recording layer 7 has a thickness of 300 to 2000 °, and the protective film 8 has a thickness of 400 to 1500 °. Å800 °.
[0022]
With reference to FIG. 2, the reproducing layer 3, the nonmagnetic layer 4, the first mask layer 5, the second mask layer 6, and the recording layer 7 will be described. The reproduction layer 3 is a perpendicular magnetization film, and when a signal is reproduced from the magneto-optical recording medium 10, the reproduction layer 3 is initialized in advance to have a certain direction of magnetization by an external magnetic field. However, this initialization only needs to be performed once, and when performing repetitive reproduction, it is not necessary to perform the initialization for each reproduction. The first mask layer 5 is a magnetic layer which is a perpendicular magnetization film at room temperature and becomes an in-plane magnetization film at a predetermined temperature or higher. The first mask layer 5 is initialized at the same time when the reproducing layer 3 is initialized, and has a certain direction of magnetization. The second mask layer 6 is a magnetic layer that is an in-plane magnetic film at room temperature and becomes a perpendicular magnetic film at a predetermined temperature or higher. The recording layer 7 is a perpendicular magnetization film magnetized in different directions based on a recording signal.
[0023]
Accordingly, in the magneto-optical recording medium 10, before the signal is reproduced, each layer has magnetization as shown in FIG.
[0024]
With reference to FIG. 3, the mechanism by which each magnetic domain of the recording layer 7 is transferred to the reproducing layer 3 with high resolution will be described in detail. When the laser light LB is irradiated on the magneto-optical recording medium 10 rotating at a predetermined rotation speed, the temperature of the magneto-optical recording medium 10 becomes highest at a position L1 behind the optical axis LB0 of the laser light LB, The temperature distribution of the magneto-optical recording medium 10 becomes steeper on the side of the laser beam LB traveling direction 9 than L1, and the temperature distribution of the magneto-optical recording medium becomes broader on the side opposite to the laser beam LB traveling direction 9 from the position L1.
[0025]
Under such a temperature distribution, the second mask layer 6 changes from an in-plane magnetization film to a perpendicular magnetization film at a temperature T1, and the first mask layer 5 moves from the perpendicular magnetization film to a surface magnetization at a temperature T2 higher than the temperature T1. It changes to an inner magnetized film. Accordingly, in the second mask layer 6, in a temperature region higher than the temperature T1, there is a magnetic domain 62 having perpendicular magnetization exchange-coupled with the magnetic domain 72 of the recording layer 7, and a temperature region lower than the temperature T1 is in-plane magnetization. Are present. Further, in the first mask layer 5, a magnetic domain 52 having in-plane magnetization exists in a temperature region higher than the temperature T2, and maintains perpendicular magnetization in a temperature region lower than the temperature T2.
[0026]
Then, the magnetic domains 72 existing in the temperature region higher than the temperature T2 in the recording layer 7 are transferred as the magnetic domains 62 to the second mask layer 6, but the magnetic domains 52 having the in-plane magnetization of the first mask layer 5 are provided. Thus, transfer to the reproduction layer 3 is prevented. Further, in the recording layer 7, the magnetic domains 73 existing in the temperature region lower than the temperature T <b> 1 are prevented from being transferred to the reproducing layer 3 by the magnetic domains 63 having the in-plane magnetization of the second mask layer 6.
[0027]
Accordingly, in the recording layer 7, the magnetic domain 70 having the magnetization 71 in the range from the temperature T1 to the temperature T2 is formed by the exchange coupling because the second mask layer 6 becomes a perpendicular magnetization film at the temperature T1. Is transferred as a magnetic domain 60 having a magnetization 61 in the same direction as the magnetization 71. Since the first mask layer 5 attempts to maintain perpendicular magnetization at a temperature T2 or lower, the magnetic domain 60 of the second mask layer 6 is exchange-coupled. The magnetic domain 50 having the magnetization 51 in the same direction as the magnetization 61 is transferred to the first mask layer 5. Then, the magnetic domains 50 of the first mask layer 5 are transferred as the magnetic domains 30 to the reproducing layer 3 via the nonmagnetic layer 4 by a leakage magnetic field.
[0028]
In the present invention, the temperature T2 at which the first mask layer 5 changes from a perpendicular magnetization film to an in-plane magnetization film is set in the range of 120 to 180 ° C., and the second mask layer 6 is perpendicular to the in-plane magnetization film. The temperature T1 at which the magnetic film changes is set in the range of 100 to 160C. The temperature difference between the temperature T1 and the temperature T2 is suitably in the range of 20 to 40 ° C., and by setting T2−T1 in the range of 20 to 40 ° C., each magnetic domain of the recording layer 7 can be independently converted to the reproducing layer 3. Can be transferred to
[0029]
By controlling the intensity of the laser beam LB and the number of rotations of the magneto-optical recording medium 10, the area of the recording layer 7 where the temperature changes from T1 to T2 can be reduced to the shortest domain length. In addition, each magnetic domain of the recording layer 7 can be independently transferred to the reproducing layer 3. As a result, high-resolution signal reproduction is possible.
[0030]
With reference to FIG. 4, the process of magnetic domain expansion reproduction on the magneto-optical recording medium 10 will be described. Before the laser beam LB is applied to the magneto-optical recording medium 10, the reproducing layer 3 and the first mask layer 5 are initialized by an external magnetic field (see FIG. 4A). When the magneto-optical recording medium 10 is irradiated with a laser beam, the magnetic domains 70 having a temperature in the range of T1 to T2 in the recording layer 7 are transferred to the reproducing layer 3 as the magnetic domains 30 as described with reference to FIG. (See FIG. 4 (b)). When the magnetic domain 30 is transferred to the reproducing layer 3, an alternating magnetic field Hex is applied from the outside, and the magnetic domain 30 is expanded into the magnetic domain 300 at a timing when a magnetic field in the same direction as the magnetization of the magnetic domain 30 is applied. You. Then, the reflected light of the laser light LB is rotated on the plane of polarization by the magneto-optical action of the expanded magnetic domain 300 and the laser light LB, and the magnetic domain 300 is detected by detecting the reflected light with the rotated polarization plane. (See FIG. 4 (c)). After the magnetic domain 300 is detected, the laser beam LB moves, and returns to the initial state when the temperature of the region of the magnetic domains 70, 60, 50, and 300 decreases (see FIG. 4A).
[0031]
Each magnetic domain of the recording layer 7 is independently transferred to the reproducing layer 3 through the above-described steps (a) to (c) of FIG. 4 and is enlarged and detected by the alternating magnetic field Hex in the reproducing layer 3. The intensity of the laser light LB applied to the magneto-optical recording medium 10 is about 2.0 mW, the intensity of the alternating magnetic field Hex applied to the magneto-optical recording medium 10 is about ± 300 Oe, and the frequency is about 25 MHz. It is.
[0032]
In the above description, the reproduction layer 3 of the magneto-optical recording medium 10 has been described as being a perpendicular magnetization film. However, the present invention is not limited to this. It may be a magnetic layer that changes to. Referring to FIG. 5, when reproducing layer 33 is a magnetic layer which is an in-plane magnetic film at room temperature and becomes a perpendicular magnetic film at a predetermined temperature or higher, a predetermined range r is obtained by irradiating laser beam LB. Changes to a perpendicular magnetization film. Accordingly, the magnetic domains 70 having a temperature in the range of T1 to T2 in the recording layer 7 are transferred to the reproducing layer 33 through the process described with reference to FIG. In this case, the temperature T0 at which the reproducing layer 33 changes from the in-plane magnetization film to the perpendicular magnetization film is set such that T1−T0 is in the range of 0 to 20 ° C.
[0033]
The magneto-optical recording medium according to the present invention is not limited to the magneto-optical recording medium 10 described above, but may be a magneto-optical recording medium 100 shown in FIG. In the magneto-optical recording medium 100, the first mask layer 5 of the magneto-optical recording medium 10 is changed to a magnetic layer 55 which is an in-plane magnetic film at room temperature and becomes a perpendicular magnetic film at a predetermined temperature or higher. Reference numeral 6 denotes a magneto-optical recording medium in which a magnetic layer 66 is a perpendicular magnetization film at room temperature and becomes an in-plane magnetization film at a predetermined temperature or higher.
[0034]
With reference to FIG. 7, a mechanism in which each magnetic domain of the recording layer 7 is independently transferred to the reproducing layer 3 in the magneto-optical recording medium 100 will be described. The temperature distribution when the laser beam LB is irradiated on the magneto-optical recording medium 100 rotating at a predetermined rotation speed is the same as the temperature distribution shown in FIG.
[0035]
Under such a temperature distribution, the second mask layer 66 changes from a perpendicular magnetization film to an in-plane magnetization film at a temperature T2, and the first mask layer 55 changes from an in-plane magnetization film at a temperature T1 lower than the temperature T2. Changes to a perpendicular magnetization film. Accordingly, in the second mask layer 66, a magnetic domain 662 having in-plane magnetization exists in a temperature region higher than the temperature T2, and a magnetic domain exchange-coupled with the magnetic domain 73 of the recording layer 7 exists in a temperature region lower than the temperature T2. 663. In the first mask layer 55, a magnetic domain 553 having in-plane magnetization exists in a temperature region lower than the temperature T1, and perpendicular magnetization is maintained in a temperature region higher than the temperature T1.
[0036]
Then, the magnetic domain 72 existing in the temperature region higher than the temperature T2 in the recording layer 7 is prevented from being transferred to the reproducing layer 3 by the magnetic domain 662 having the in-plane magnetization of the second mask layer 66. Further, in the recording layer 7, the magnetic domains 73 existing in the temperature region lower than the temperature T1 are transferred to the second mask layer 66 as magnetic domains 663, but are transferred by the magnetic domains 553 having the in-plane magnetization of the first mask layer 55. Transfer to the reproduction layer 3 is prevented.
[0037]
Therefore, in the recording layer 7, the magnetic domain 70 having the magnetization 71 in the range of the temperature T1 to the temperature T2 is formed by the exchange coupling because the second mask layer 66 becomes an in-plane magnetic film at the temperature T2. The magnetic domain 660 of the second mask layer 66 is transferred as a magnetic domain 660 having a magnetization 661 having the same direction as the magnetization 71 to the first mask layer 55 at a temperature T1 or lower. Due to the coupling, the magnetic domain 550 having the magnetization 551 in the same direction as the magnetization 661 is transferred to the first mask layer 55. Then, the magnetic domains 550 of the first mask layer 55 are transferred as the magnetic domains 30 to the reproducing layer 3 via the nonmagnetic layer 4 by a leakage magnetic field.
[0038]
In the magneto-optical recording medium 100, the temperature T1 at which the first mask layer 55 changes from the in-plane magnetic film to the perpendicular magnetic film is set in the range of 100 to 160 ° C., and the second mask layer 66 is formed of the perpendicular magnetic film. The temperature T2 at which the temperature changes from to the in-plane magnetization film is set in the range of 120 to 180 ° C. The temperature difference between the temperature T1 and the temperature T2 is suitably in the range of 20 to 40 ° C., and by setting T2−T1 in the range of 20 to 40 ° C., each magnetic domain of the recording layer 7 can be independently converted to the reproducing layer 3. Can be transferred to
[0039]
Further, by controlling the intensity of the laser beam LB and the number of rotations of the magneto-optical recording medium 10, the region of the recording layer 7 where the temperature changes from T1 to T2 can be reduced to the shortest domain length. Also, each magnetic domain of the recording layer 7 can be transferred to the reproducing layer 3 independently. As a result, high-resolution signal reproduction is possible.
[0040]
The magneto-optical recording medium 100 can independently transfer each magnetic domain of the recording layer 7 to the reproducing layer 3 through the same process as in FIG. 4 and reproduce a signal by expanding the magnetic domain. In this case, the intensity of the laser beam LB applied to the magneto-optical recording medium 100 is about 2.0 mW, the intensity of the alternating magnetic field Hex applied to the magneto-optical recording medium 100 is about ± 300 Oe, and the frequency is , 25 MHz.
[0041]
Further, in the description of FIGS. 6 and 7, the reproducing layer 3 is described as a perpendicular magnetic film, but is not limited to this. The reproducing layer 3 is an in-plane magnetic film at room temperature and becomes a perpendicular magnetic film at a predetermined temperature or higher. It is also possible to use the reproducing layer 33 shown in FIG. When the reproducing layer 33 is used for the magneto-optical recording medium 100, the mechanism by which each magnetic domain of the recording layer 7 is independently transferred to the reproducing layer 33 is the same as that described with reference to FIG. The temperature T0 at which the reproducing layer 33 changes from the in-plane magnetization film to the perpendicular magnetization film is set so that T1−T0 is in the range of 0 to 20 ° C. Therefore, in the magneto-optical recording medium 100 using the reproducing layer 33, the process in which each magnetic domain of the recording layer 7 is independently transferred to the reproducing layer 33 and enlarged and reproduced is the same as that in FIG.
[0042]
With reference to FIG. 10, an error rate of a reproduced signal when the Gd content of GdFeCo used for the reproducing layer 3 of the magneto-optical recording medium 10 is changed will be described. In this case, the Gd content was changed while keeping Fe: Co = 75: 25. In addition, the case where the film thickness is 300 (Å) and 800 (○) Å is shown. When the film thickness is 300 ° (■), the error rate changes on a downwardly convex parabola with an increase in the Gd content, and the Gd content is 22 to 23 at. The error rate is minimized in the range of%. When the Gd content is 18 to 28 at. %, An error rate of 10 ^-4 or less can be obtained. Therefore, when the film thickness is 300 ° (■), the Gd content is 18 to 28 at. % Of GdFeCo is suitable as the reproducing layer 3. On the other hand, when the film thickness is 800 (○) Å, the error rate decreases as the Gd content increases, and the Gd content becomes 25 to 34 at. %, An error rate of 10 ^-4 or less can be obtained. Therefore, when the film thickness is 800 (○) Å, the Gd content is 25 to 34 at. % Of GdFeCo is suitable as the reproducing layer 3.
[0043]
With reference to FIG. 11, the error rate of the reproduction signal when the thickness of GdFeCo used for the reproduction layer 3 of the magneto-optical recording medium 10 is changed will be described. In this case, the content of Gd is 23 at. % (■) and 30 at. % (○). Gd content is 23 at. % (■), the error rate becomes 10 ⁻⁴ or less when the film thickness is in the range of 150 to 500 °, and the Gd content is 30 at. % (（), The error rate becomes 10 ⁻⁴ or less when the film thickness is in the range of 300 to 800 °. Therefore, when the content of Gd is 23 at. % (■), a film thickness in the range of 150 to 500 ° is suitable as the reproducing layer 3 and the content of Gd is 30 at. In the case of% (○), a film thickness in the range of 300 to 800 ° is suitable as the reproducing layer 3. Further, by reducing the content of Gd, the optimum film thickness shifts toward a thinner film.
[0044]
With reference to FIG. 12, the error rate of the reproduced signal when the Gd content of GdFeCo used for the first mask layer 5 of the magneto-optical recording medium 10 is changed will be described. In this case, the ratio of Fe to Co was changed to Fe: Co = 60: 40 (●), Fe: Co = 65: 35 (■), and Fe: Co = 70: 30 (○). When Fe: Co = 60: 40 (●), the content of Gd is 20 to 25 at. %, The error rate becomes 10 ^-4 or less, and when Fe: Co = 65: 35 (■), the Gd content is 18 to 28 at. %, The error rate becomes 10 ⁻⁴ or less, and when Fe: Co = 70: 30 (○), the content of Gd is 19 to 25 at. %, The error rate becomes 10 ^-4 or less. Therefore, as the first mask layer 5, when Fe: Co = 60: 40 (●), 20 to 25 at. % Of Gd in the range of 18 to 28 at.% When Fe: Co = 65: 35 (３５). %, And GdFeCo containing Gd in a range of 19 to 25 at. GdFeCo containing Gd in the% range is suitable.
[0045]
With reference to FIG. 13, an error rate of a reproduced signal when the thickness of GdFeCo used for the first mask layer 5 of the magneto-optical recording medium 10 is changed will be described. In this case, the composition of GdFeCo used for the first mask layer 5 is such that the ratio of Fe to Co is fixed at Fe: Co = 65: 35 and the Gd content is 18 at. % (●), 23 at. % (■), 28 at. % (○). Gd content is 18 at. % (●), the error rate is 10 ^{−4 in} the range of 800 to 1200 °, and the Gd content is 23 at. % (■), the error rate becomes 10 ⁻⁴ or less in the range of 500 to 1500 °, and the content of Gd is 28 at. In the case of% (○), the error rate becomes 10 ⁻⁴ around 800 °.
[0046]
With reference to FIG. 14, the error rate of the reproduced signal when the Gd content of GdFeCo used for the second mask layer 6 of the magneto-optical recording medium 10 is changed will be described. In this case, the ratio of Fe to Co was changed to Fe: Co = 70: 30 (●), Fe: Co = 75: 25 (■), and Fe: Co = 80: 20 (○). When Fe: Co = 70: 30 (●), the content of Gd is 24 to 32 at. %, The error rate becomes 10 ^-4 or less, and when Fe: Co = 75: 25 (■), the Gd content is 25 to 35 at. %, The error rate becomes 10 ⁻⁴ or less, and when Fe: Co = 80: 20 (○), the Gd content is 28 to 37 at. %, The error rate becomes 10 ^-4 or less. Therefore, as for the second mask layer 6, when Fe: Co = 70: 30 (●), 24 to 32 at. % Gd in the range of Gd is suitable, and when Fe: Co = 75: 25 (■), 25 to 35 at. % Is suitable, and when Fe: Co = 80: 20 (○), 28-37 at. GdFeCo containing Gd in the% range is suitable.
[0047]
The error rate of the reproduced signal when the thickness of GdFeCo used for the second mask layer 6 of the magneto-optical recording medium 10 is changed will be described with reference to FIG. In this case, the composition of GdFeCo used for the second mask layer 6 is such that the ratio of Fe to Co is fixed at Fe: Co = 75: 25, and the Gd content is 25 at. % (●), 30 at. % (■), 35 at. % (○). Gd content is 25 at. % (●), the error rate becomes 10 ⁻⁴ or less in the range of 800 to 1500 °, and the content of Gd is 30 at. % (%), The error rate becomes 10 ⁻⁴ or less in the range of 500 to 1500 °, and the Gd content is 35 at. In the case of% (エラー), the error rate becomes 10 ⁻⁴ or less in the range of 400 to 800 °.
[0048]
The Gd content and film thickness described in FIGS. 10 and 11 can be applied to GdFeCo used for the reproducing layer 3 of the magneto-optical recording medium 100, and the Gd content and film thickness described in FIGS. It is applicable to GdFeCo used for the second mask layer 66 of the magneto-optical recording medium 100. The Gd content and film thickness described with reference to FIGS. 14 and 15 are used for the first mask layer 55 of the magneto-optical recording medium 100. Applicable to GdFeCo.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional structural view of a magneto-optical recording medium according to the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a magnetization distribution of each layer of the magneto-optical recording medium shown in FIG.
FIG. 3 is a diagram for explaining transfer of magnetic domains from a recording layer to a reproducing layer of the magneto-optical recording medium shown in FIG.
FIG. 4 is a diagram illustrating a process of magnetic domain expansion reproduction of the magneto-optical recording medium shown in FIG.
FIG. 5 is a diagram showing a magnetic domain from a recording layer to a reproducing layer when a magnetic layer which is an in-plane magnetic film at room temperature and becomes a perpendicular magnetic film at a predetermined temperature or higher is used as a reproducing layer of the magneto-optical recording medium shown in FIG. FIG. 3 is a diagram illustrating transfer.
FIG. 6 is another sectional structural view of the magneto-optical recording medium according to the present invention.
FIG. 7 shows the definition of magnetic domains from the recording layer to the reproducing layer when a magnetic layer which is an in-plane magnetic film at room temperature and which becomes a perpendicular magnetic film at a predetermined temperature or higher is used as the reproducing layer of the magneto-optical recording medium shown in FIG. FIG. 3 is a diagram illustrating transfer.
FIG. 8 is a cross-sectional structure of a conventional magneto-optical recording medium.
FIG. 9 is a diagram illustrating a problem of a conventional magneto-optical recording medium.
10 is a diagram showing a change in an error rate of a reproduction signal with respect to a Gd content of GdFeCo used for a reproduction layer of the magneto-optical recording medium of FIG.
11 is a diagram showing a change in an error rate of a reproduction signal with respect to a film thickness of GdFeCo used for a reproduction layer of the magneto-optical recording medium of FIG.
12 is a diagram showing a change in an error rate of a reproduction signal with respect to a Gd content of GdFeCo used for a first mask layer of the magneto-optical recording medium of FIG.
FIG. 13 is a diagram showing a change in an error rate of a reproduction signal with respect to a film thickness of GdFeCo used for a first mask layer of the magneto-optical recording medium of FIG.
FIG. 14 is a diagram showing a change in an error rate of a reproduced signal with respect to a Gd content of GdFeCo used for a second mask layer of the magneto-optical recording medium of FIG. 1;
FIG. 15 is a diagram showing a change in an error rate of a reproduction signal with respect to a film thickness of GdFeCo used for a second mask layer of the magneto-optical recording medium of FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... Underlayer 3, 33 ... Reproduction layer 4 ... Nonmagnetic layer 5, 55 ... 1st mask layer 6, 66 ... 2nd mask layer 7 ... ..Recording layer 8: Protective layers 10, 100 ... Magneto-optical recording media 30, 50, 52, 53, 60, 62, 63, 70, 72, 73, 300,
550, 553, 660, 662, 663 ... magnetic domains 51, 61, 71, 551, 661 ... magnetization

Claims

再生層と、
前記再生層に接して形成された非磁性層と、
前記非磁性層に接して形成された第１のマスク層と、
前記第１のマスク層に接して形成された第２のマスク層と、
前記第２のマスク層に接して形成された記録層とを含む光磁気記録媒体において、
前記第１のマスク層は、第１の温度で垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化し、
前記第２のマスク層は、前記第１の温度より低い第２の温度で面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する光磁気記録媒体。Regeneration layer,
A non-magnetic layer formed in contact with the reproducing layer,
A first mask layer formed in contact with the nonmagnetic layer;
A second mask layer formed in contact with the first mask layer;
A magneto-optical recording medium comprising: a recording layer formed in contact with the second mask layer;
The first mask layer changes from a perpendicular magnetization film to an in-plane magnetization film at a first temperature,
A magneto-optical recording medium, wherein the second mask layer changes from an in-plane magnetization film to a perpendicular magnetization film at a second temperature lower than the first temperature.

再生層と、
前記再生層に接して形成された非磁性層と、
前記非磁性層に接して形成された第１のマスク層と、
前記第１のマスク層に接して形成された第２のマスク層と、
前記第２のマスク層に接して形成された記録層とを含む光磁気記録媒体において、
前記第１のマスク層は、第１の温度で面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化し、
前記第２のマスク層は、前記第１の温度より高い第２の温度で垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化する光磁気記録媒体。Regeneration layer,
A non-magnetic layer formed in contact with the reproducing layer,
A first mask layer formed in contact with the nonmagnetic layer;
A second mask layer formed in contact with the first mask layer;
A magneto-optical recording medium comprising: a recording layer formed in contact with the second mask layer;
The first mask layer changes from an in-plane magnetization film to a perpendicular magnetization film at a first temperature,
A magneto-optical recording medium, wherein the second mask layer changes from a perpendicular magnetization film to an in-plane magnetization film at a second temperature higher than the first temperature.