JP3531543B2 - 積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品 - Google Patents
積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品Info
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- JP3531543B2 JP3531543B2 JP21662399A JP21662399A JP3531543B2 JP 3531543 B2 JP3531543 B2 JP 3531543B2 JP 21662399 A JP21662399 A JP 21662399A JP 21662399 A JP21662399 A JP 21662399A JP 3531543 B2 JP3531543 B2 JP 3531543B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば積層コンデ
ンサのような積層セラミック電子部品の製造方法及び該
積層セラミック電子部品に関し、より詳細には、セラミ
ック焼結体表面を被覆するガラスコート層が形成された
積層セラミック電子部品の製造方法及び該製造方法によ
り得られた積層セラミック電子部品に関する。
ンサのような積層セラミック電子部品の製造方法及び該
積層セラミック電子部品に関し、より詳細には、セラミ
ック焼結体表面を被覆するガラスコート層が形成された
積層セラミック電子部品の製造方法及び該製造方法によ
り得られた積層セラミック電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】積層コンデンサなどの積層セラミック電
子部品では、セラミック焼結体内において、複数の内部
電極がセラミック層を介して厚み方向に重なり合うよう
に配置されている。この種の積層セラミック電子部品で
は、近年、小型化が強く求められている。
子部品では、セラミック焼結体内において、複数の内部
電極がセラミック層を介して厚み方向に重なり合うよう
に配置されている。この種の積層セラミック電子部品で
は、近年、小型化が強く求められている。
【０００３】例えば積層コンデンサでは、小型化や大容
量化を果たすために、内部電極間のセラミック層の厚み
が薄くされている。ところで、積層コンデンサでは、セ
ラミック焼結体を得る焼成工程において、内部電極材料
とセラミックスとの間で拡散や反応等が生じる。その結
果、得られたセラミック焼結体では、内部電極近傍のセ
ラミック部分と、内部電極から離れたセラミック部分と
で緻密性に差が生じがちであった。すなわち、内部電極
間に挟まれたセラミック層に比べて、複数の内部電極が
セラミック層を介して重なり合っている部分の厚み方向
外側の外層のセラミック層の緻密性が低下しがちであっ
た。そのため、外層のセラミック層が十分に焼結され
ず、空孔率が高く、機械的強度が低下するという問題が
あった。
量化を果たすために、内部電極間のセラミック層の厚み
が薄くされている。ところで、積層コンデンサでは、セ
ラミック焼結体を得る焼成工程において、内部電極材料
とセラミックスとの間で拡散や反応等が生じる。その結
果、得られたセラミック焼結体では、内部電極近傍のセ
ラミック部分と、内部電極から離れたセラミック部分と
で緻密性に差が生じがちであった。すなわち、内部電極
間に挟まれたセラミック層に比べて、複数の内部電極が
セラミック層を介して重なり合っている部分の厚み方向
外側の外層のセラミック層の緻密性が低下しがちであっ
た。そのため、外層のセラミック層が十分に焼結され
ず、空孔率が高く、機械的強度が低下するという問題が
あった。
【０００４】そこで、特開平６−１２４８０７号公報に
は、上記のような外層セラミック部分の機械的強度を補
強する方法が提案されている。図８及び図９を参照し
て、この先行技術に記載の方法を説明する。
は、上記のような外層セラミック部分の機械的強度を補
強する方法が提案されている。図８及び図９を参照し
て、この先行技術に記載の方法を説明する。
【０００５】上記先行技術に記載の方法では、先ず複数
の内部電極５１がセラミック層を介して重なり合うよう
に配置されたセラミック焼結体５２を用意する。このセ
ラミック焼結体５２の外表面を酸化物ガラスでコーティ
ングし、ガラスコート層５３を形成する。
の内部電極５１がセラミック層を介して重なり合うよう
に配置されたセラミック焼結体５２を用意する。このセ
ラミック焼結体５２の外表面を酸化物ガラスでコーティ
ングし、ガラスコート層５３を形成する。
【０００６】次に、セラミック焼結体５２の端面５２
ａ，５２ｂに内部電極５１を露出させるために、研磨す
る。しかる後、図９に示すように、端面５２ａ，５２ｂ
を覆うように外部電極５４，５５を形成する。
ａ，５２ｂに内部電極５１を露出させるために、研磨す
る。しかる後、図９に示すように、端面５２ａ，５２ｂ
を覆うように外部電極５４，５５を形成する。
【０００７】上記先行技術に記載の方法では、ガラスコ
ート層５３により、セラミック焼結体５２の外表面が被
覆されるので、機械的強度が高められるとされている。
ート層５３により、セラミック焼結体５２の外表面が被
覆されるので、機械的強度が高められるとされている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】外部電極５４，５５
は、通常、導電ペーストの塗布・焼付により形成された
金属膜上に、半田付け性を高めるため等の理由によりメ
ッキ膜を形成することにより構成されている。ところ
が、導電ペーストの焼付により形成された電極膜では、
細かな空孔が発生しがちである。従って、該電極膜の表
面に、メッキ膜を形成した場合、メッキ液が上記電極膜
の空孔から内部に侵入しがちであった。メッキ液が内部
に侵入すると、セラミック層や内部電極５１の劣化が生
じたり、半田付け時の熱によりメッキ液が膨張し、デラ
ミネーションが生じたり、セラミック焼結体５２にクラ
ックが生じたりする。
は、通常、導電ペーストの塗布・焼付により形成された
金属膜上に、半田付け性を高めるため等の理由によりメ
ッキ膜を形成することにより構成されている。ところ
が、導電ペーストの焼付により形成された電極膜では、
細かな空孔が発生しがちである。従って、該電極膜の表
面に、メッキ膜を形成した場合、メッキ液が上記電極膜
の空孔から内部に侵入しがちであった。メッキ液が内部
に侵入すると、セラミック層や内部電極５１の劣化が生
じたり、半田付け時の熱によりメッキ液が膨張し、デラ
ミネーションが生じたり、セラミック焼結体５２にクラ
ックが生じたりする。
【０００９】また、上記先行技術に記載の方法では、外
部電極５４，５５を形成するに先立ちガラスコート層５
３が研磨される。そのため、外部電極５４，５５の電極
被り部５４ａ，５５ａの内側端、すなわちセラミック焼
結体５２の上面、下面及び両側面に至っている外部電極
部分の内側端と、ガラスコート層５３とが接触する部分
Ｘからメッキ液が侵入したり、湿気等が侵入しがちであ
るという問題があった。
部電極５４，５５を形成するに先立ちガラスコート層５
３が研磨される。そのため、外部電極５４，５５の電極
被り部５４ａ，５５ａの内側端、すなわちセラミック焼
結体５２の上面、下面及び両側面に至っている外部電極
部分の内側端と、ガラスコート層５３とが接触する部分
Ｘからメッキ液が侵入したり、湿気等が侵入しがちであ
るという問題があった。
【００１０】また、図９においては、外部電極５４，５
５の電極被り部５４ａ，５５ａがガラスコート層５３上
に至っているが、外部電極５４，５５の電極被り部５４
ａ，５５ａがガラスコート層５３の上面に至らないよう
に形成した場合においては、外部電極５４，５５の電極
被り部の内側端と、セラミックスとの間から、やはりメ
ッキ液や水分が侵入しがちであった。
５の電極被り部５４ａ，５５ａがガラスコート層５３上
に至っているが、外部電極５４，５５の電極被り部５４
ａ，５５ａがガラスコート層５３の上面に至らないよう
に形成した場合においては、外部電極５４，５５の電極
被り部の内側端と、セラミックスとの間から、やはりメ
ッキ液や水分が侵入しがちであった。
【００１１】そのため、上記先行技術に記載の方法によ
り得られた積層コンデンサでは、耐湿性が十分でなく、
絶縁抵抗が低下したり、半田付け時の熱によりセラミッ
クスにクラックが生じたり、あるいは外部電極５４，５
５の部分的な剥がれが生じたりするという問題があっ
た。
り得られた積層コンデンサでは、耐湿性が十分でなく、
絶縁抵抗が低下したり、半田付け時の熱によりセラミッ
クスにクラックが生じたり、あるいは外部電極５４，５
５の部分的な剥がれが生じたりするという問題があっ
た。
【００１２】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、薄層化を進めた場合であっても、機械的強度
の低下が生じ難く、かつメッキ液や水分等の侵入が生じ
難い、耐湿性に優れた積層セラミック電子部品の製造方
法及び積層セラミック電子部品を提供することにある。
を解消し、薄層化を進めた場合であっても、機械的強度
の低下が生じ難く、かつメッキ液や水分等の侵入が生じ
難い、耐湿性に優れた積層セラミック電子部品の製造方
法及び積層セラミック電子部品を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係る積層セラミ
ック電子部品の製造方法は、複数の内部電極がセラミッ
ク層を介して重なり合うように配置されており、かつ複
数の内部電極が第１の端面または第２の端面に引き出さ
れているセラミック焼結体を用意する工程と、セラミッ
ク焼結体の第１，第２の端面を覆い、かつ上面、下面及
び両側面に至る電極被り部を有するように、第１，第２
の外部電極をそれぞれ形成する工程と、第１，第２の外
部電極が形成されたセラミック焼結体を、酸化物ガラス
でコーティングし、ガラスコート層を形成する工程と、
第１，第２の外部電極の電極被り部内側端よりも外側に
おいてガラスコート層を研磨し、第１，第２の外部電極
表面を露出させる研磨工程とを備えることを特徴とす
る。
ック電子部品の製造方法は、複数の内部電極がセラミッ
ク層を介して重なり合うように配置されており、かつ複
数の内部電極が第１の端面または第２の端面に引き出さ
れているセラミック焼結体を用意する工程と、セラミッ
ク焼結体の第１，第２の端面を覆い、かつ上面、下面及
び両側面に至る電極被り部を有するように、第１，第２
の外部電極をそれぞれ形成する工程と、第１，第２の外
部電極が形成されたセラミック焼結体を、酸化物ガラス
でコーティングし、ガラスコート層を形成する工程と、
第１，第２の外部電極の電極被り部内側端よりも外側に
おいてガラスコート層を研磨し、第１，第２の外部電極
表面を露出させる研磨工程とを備えることを特徴とす
る。
【００１４】本発明の特定の局面では、外部電極の形成
が導電ペーストの塗布・焼付により行われ、研磨工程後
に、第１，第２の外部電極表面にメッキ膜を形成する工
程がさらに備えられる。
が導電ペーストの塗布・焼付により行われ、研磨工程後
に、第１，第２の外部電極表面にメッキ膜を形成する工
程がさらに備えられる。
【００１５】本発明のより特定の局面では、研磨工程に
おいて、セラミック焼結体を保持する保持孔を有する治
具が用いられ、保持孔内に電極被り部の内側端が位置す
るようにセラミック焼結体が保持され、保持孔から露出
している部分においてガラスコート層がサンドブラスト
法により研磨される。
おいて、セラミック焼結体を保持する保持孔を有する治
具が用いられ、保持孔内に電極被り部の内側端が位置す
るようにセラミック焼結体が保持され、保持孔から露出
している部分においてガラスコート層がサンドブラスト
法により研磨される。
【００１６】本発明のさらに他の特定の局面では、酸化
物ガラスとして、Ｓｉ、Ｂ、Ｚｎ、Ｂｉ及びＡｌからな
る群から選択した少なくとも１種の元素を含む酸化物ガ
ラスが用いられる。
物ガラスとして、Ｓｉ、Ｂ、Ｚｎ、Ｂｉ及びＡｌからな
る群から選択した少なくとも１種の元素を含む酸化物ガ
ラスが用いられる。
【００１７】
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。
【００１９】本実施例では、先ず、図２に示すセラミッ
ク焼結体１を用意した。セラミック焼結体１は、誘電体
セラミックスよりなり、セラミック焼結体１内には、複
数の内部電極２ａ〜２ｆがセラミック層を介して厚み方
向に重なり合うように配置されている。内部電極２ａ，
２ｃ，２ｅは、セラミック焼結体１の第１の端面１ａに
引き出されており、内部電極２ｂ，２ｄ，２ｆが端面１
ａとは反対側の第２の端面１ｂに引き出されている。
ク焼結体１を用意した。セラミック焼結体１は、誘電体
セラミックスよりなり、セラミック焼結体１内には、複
数の内部電極２ａ〜２ｆがセラミック層を介して厚み方
向に重なり合うように配置されている。内部電極２ａ，
２ｃ，２ｅは、セラミック焼結体１の第１の端面１ａに
引き出されており、内部電極２ｂ，２ｄ，２ｆが端面１
ａとは反対側の第２の端面１ｂに引き出されている。
【００２０】上記内部電極２ａ〜２ｆを有するセラミッ
ク焼結体１は、周知の積層セラミックコンデンサの製造
方法に従って得ることができる。セラミック焼結体１に
おいて、コーナー部が丸められているのは、セラミック
焼結体１を得た後に、バレル研磨によりセラミック焼結
体１のコーナー部が研磨されていることによる。
ク焼結体１は、周知の積層セラミックコンデンサの製造
方法に従って得ることができる。セラミック焼結体１に
おいて、コーナー部が丸められているのは、セラミック
焼結体１を得た後に、バレル研磨によりセラミック焼結
体１のコーナー部が研磨されていることによる。
【００２１】次に、上記セラミック焼結体１の端面１
ａ，１ｂを覆うように、導電ペーストを塗布し、焼き付
けることにより、外部電極を形成した。外部電極が形成
された積層コンデンサチップを図３に示す。
ａ，１ｂを覆うように、導電ペーストを塗布し、焼き付
けることにより、外部電極を形成した。外部電極が形成
された積層コンデンサチップを図３に示す。
【００２２】すなわち、積層コンデンサチップ５では、
第１，第２の外部電極３，４が、第１，第２の端面１
ａ，１ｂをそれぞれ覆うように形成されている。外部電
極３，４は、それぞれ、セラミック焼結体１の上面１
ｃ、下面１ｄ及び側面１ｅ，１ｆ（図１参照）に至る電
極被り部３ａ，４ａを有する。電極被り部３ａ，４ａ
は、外部電極３，４とセラミック焼結体１との密着強度
を高めるため、並びに表面実装を容易とするために形成
されている。
第１，第２の外部電極３，４が、第１，第２の端面１
ａ，１ｂをそれぞれ覆うように形成されている。外部電
極３，４は、それぞれ、セラミック焼結体１の上面１
ｃ、下面１ｄ及び側面１ｅ，１ｆ（図１参照）に至る電
極被り部３ａ，４ａを有する。電極被り部３ａ，４ａ
は、外部電極３，４とセラミック焼結体１との密着強度
を高めるため、並びに表面実装を容易とするために形成
されている。
【００２３】上記外部電極３，４を形成するのに用いら
れる導電ペーストとしては、ＡｇペーストやＡｇ−Ｐｄ
ペーストなどの適宜の導電性金属粉末含有ペーストを用
いることができる。もっとも、本実施例では、Ａｇペー
ストを塗布し、８５０℃の温度で焼き付けることによ
り、外部電極３，４を形成した。
れる導電ペーストとしては、ＡｇペーストやＡｇ−Ｐｄ
ペーストなどの適宜の導電性金属粉末含有ペーストを用
いることができる。もっとも、本実施例では、Ａｇペー
ストを塗布し、８５０℃の温度で焼き付けることによ
り、外部電極３，４を形成した。
【００２４】次に、図４に略図的に示す回転ポット６内
に、上記積層コンデンサチップ５を投入した。回転ポッ
ト６は、アルミナなどの適宜の剛性材料からなり、回転
軸６ａの周りに、すなわち図４の矢印Ｙ方向に回転し得
るように構成されている。
に、上記積層コンデンサチップ５を投入した。回転ポッ
ト６は、アルミナなどの適宜の剛性材料からなり、回転
軸６ａの周りに、すなわち図４の矢印Ｙ方向に回転し得
るように構成されている。
【００２５】図５に示すように、上記回転ポット６内
に、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌからなる粉末状の酸化物ガラ
ス７と、積層コンデンサチップ５とを投入し、回転ポッ
ト６を回転させつつ、５℃／分の昇温速度で昇温し、７
００℃の温度で１５分間保持した後、５℃／分の速度で
降温した。このようにして、図３に示した積層コンデン
サチップ５の外表面の全面に酸化物ガラスをコーティン
グし、ガラスコート層を形成した。
に、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌからなる粉末状の酸化物ガラ
ス７と、積層コンデンサチップ５とを投入し、回転ポッ
ト６を回転させつつ、５℃／分の昇温速度で昇温し、７
００℃の温度で１５分間保持した後、５℃／分の速度で
降温した。このようにして、図３に示した積層コンデン
サチップ５の外表面の全面に酸化物ガラスをコーティン
グし、ガラスコート層を形成した。
【００２６】次に、図６に示す保持部材１１を用意し
た。保持部材１１は、貫通孔からなる保持孔１１ａを有
する平板状部材である。保持孔１１ａの壁面はゴムなど
の弾性材料で構成されている。また、保持孔１１ａの径
は、積層コンデンサチップ５を投入した状態で保持孔１
１ａの内壁が積層コンデンサチップ５の側面に圧接され
るように選択した。なお、積層コンデンサチップ５は、
その全外表面がガラスコート層１４Ａで被覆されてい
る。
た。保持部材１１は、貫通孔からなる保持孔１１ａを有
する平板状部材である。保持孔１１ａの壁面はゴムなど
の弾性材料で構成されている。また、保持孔１１ａの径
は、積層コンデンサチップ５を投入した状態で保持孔１
１ａの内壁が積層コンデンサチップ５の側面に圧接され
るように選択した。なお、積層コンデンサチップ５は、
その全外表面がガラスコート層１４Ａで被覆されてい
る。
【００２７】また、保持孔１１ａ内に挿入された積層コ
ンデンサチップ５は、外部電極３，４の外側端部が保持
孔１１ａ外に位置するように保持されている。もっと
も、外部電極３，４の電極被り部３ａ，４ａの内側端３
ａ1 ，４ａ1 が、保持孔１１ａの内壁で圧接されるよう
に、言い換えれば、電極被り部３ａ，４ａの内側端３ａ
1 ，４ａ1 よりも外側において外部電極部分が保持孔１
１ａの外側に露出するように、積層コンデンサチップ５
を保持孔１１ａに挿入し、保持した。
ンデンサチップ５は、外部電極３，４の外側端部が保持
孔１１ａ外に位置するように保持されている。もっと
も、外部電極３，４の電極被り部３ａ，４ａの内側端３
ａ1 ，４ａ1 が、保持孔１１ａの内壁で圧接されるよう
に、言い換えれば、電極被り部３ａ，４ａの内側端３ａ
1 ，４ａ1 よりも外側において外部電極部分が保持孔１
１ａの外側に露出するように、積層コンデンサチップ５
を保持孔１１ａに挿入し、保持した。
【００２８】次に、サンドブラスト法により、ＺｒＯ2
粉末からなる砥粒１２を外部電極３，４の露出している
部分に投射し、外部電極３，４の外表面のガラスコート
層を研磨した。この研磨は、ガラスコート層が除去さ
れ、外部電極３，４の表面が露出するまで行った。
粉末からなる砥粒１２を外部電極３，４の露出している
部分に投射し、外部電極３，４の外表面のガラスコート
層を研磨した。この研磨は、ガラスコート層が除去さ
れ、外部電極３，４の表面が露出するまで行った。
【００２９】なお、砥粒１２としては、ＺｒＯ2 以外の
固いセラミック粉末やＡｌ2 Ｏ3 を用いてもよい。上記
のようにサンドブラスト法で研磨することにより、図１
（ａ）及び（ｂ）に示す３．２×１．６×１．６ｍｍ及
び設計静電容量１０μＦの積層コンデンサ１３を得た。
固いセラミック粉末やＡｌ2 Ｏ3 を用いてもよい。上記
のようにサンドブラスト法で研磨することにより、図１
（ａ）及び（ｂ）に示す３．２×１．６×１．６ｍｍ及
び設計静電容量１０μＦの積層コンデンサ１３を得た。
【００３０】本実施例の積層コンデンサ１３では、ガラ
スコート層１４は、セラミック焼結体１の上面１ｃ、下
面１ｄ及び両側面１ｅ，１ｆを覆うように形成されてい
る。従って、セラミック焼結体１において、内部電極２
ａ〜２ｆ間のセラミック層の厚みを薄くし、セラミック
焼結体１の外層のセラミック部分の緻密性が低下し、空
孔が生じたとしても、該空孔がガラスコート層１４によ
り確実に充填される。よって、セラミック焼結体１の機
械的強度及び耐湿性が高められる。
スコート層１４は、セラミック焼結体１の上面１ｃ、下
面１ｄ及び両側面１ｅ，１ｆを覆うように形成されてい
る。従って、セラミック焼結体１において、内部電極２
ａ〜２ｆ間のセラミック層の厚みを薄くし、セラミック
焼結体１の外層のセラミック部分の緻密性が低下し、空
孔が生じたとしても、該空孔がガラスコート層１４によ
り確実に充填される。よって、セラミック焼結体１の機
械的強度及び耐湿性が高められる。
【００３１】さらに、ガラスコート層１４は、外部電極
３，４の電極被り部３ａ，４ａ上にも至るように形成さ
れている。すなわち、外部電極３，４を形成した後にガ
ラスコート層を全面に形成し、上記研磨により外部電極
３，４の電極被り部３ａ，４ａの内側端３ａ1 ，４ａ1
よりも外側の外部電極部分を露出させているので、ガラ
スコート層１４は、外部電極３，４の電極被り部３ａ，
４ａの内側端３ａ1 ，４ａ1 とセラミック焼結体１との
接触部分を確実に被覆している。よって、電極被り部３
ａ，４ａの内側端３ａ1 ，４ａ1 とセラミック焼結体１
との接合部分からのメッキ液や水分等の侵入が生じ難
い。
３，４の電極被り部３ａ，４ａ上にも至るように形成さ
れている。すなわち、外部電極３，４を形成した後にガ
ラスコート層を全面に形成し、上記研磨により外部電極
３，４の電極被り部３ａ，４ａの内側端３ａ1 ，４ａ1
よりも外側の外部電極部分を露出させているので、ガラ
スコート層１４は、外部電極３，４の電極被り部３ａ，
４ａの内側端３ａ1 ，４ａ1 とセラミック焼結体１との
接触部分を確実に被覆している。よって、電極被り部３
ａ，４ａの内側端３ａ1 ，４ａ1 とセラミック焼結体１
との接合部分からのメッキ液や水分等の侵入が生じ難
い。
【００３２】さらに、上記のように、外部電極３，４を
形成した後にガラスコート層を形成しているので、サン
ドブラスト研磨後に露出された外部電極表面では、導電
ペーストの焼付により生じた空孔が上記ガラスコート層
を構成していた酸化物ガラスで充填されている。すなわ
ち、図７に拡大して示すように、外部電極４を例にとる
と、外部電極４に形成されていた空孔４ｂに、酸化物ガ
ラス１４ａが充填され、それによって外部電極３，４自
体の耐湿性も高められている。
形成した後にガラスコート層を形成しているので、サン
ドブラスト研磨後に露出された外部電極表面では、導電
ペーストの焼付により生じた空孔が上記ガラスコート層
を構成していた酸化物ガラスで充填されている。すなわ
ち、図７に拡大して示すように、外部電極４を例にとる
と、外部電極４に形成されていた空孔４ｂに、酸化物ガ
ラス１４ａが充填され、それによって外部電極３，４自
体の耐湿性も高められている。
【００３３】従って、本実施例の製造方法によれば、機
械的強度及び耐湿性に優れた積層コンデンサを提供する
ことができる。よって、例えば上記外部電極３，４の外
側表面にＮｉメッキ膜及びＳｎメッキ膜を順次形成し、
Ａｇの半田食われを防止すると共に、半田付け性を高め
たとしても、メッキに際してのメッキ液の侵入が生じ難
いので、信頼性に優れた積層コンデンサを提供すること
ができる。
械的強度及び耐湿性に優れた積層コンデンサを提供する
ことができる。よって、例えば上記外部電極３，４の外
側表面にＮｉメッキ膜及びＳｎメッキ膜を順次形成し、
Ａｇの半田食われを防止すると共に、半田付け性を高め
たとしても、メッキに際してのメッキ液の侵入が生じ難
いので、信頼性に優れた積層コンデンサを提供すること
ができる。
【００３４】次に、具体的な実験結果につき説明する。
上記のようにして得られた実施例の積層コンデンサにつ
いて、静電容量及び絶縁抵抗ＩＲを測定した。なお、絶
縁抵抗ＩＲの測定は、１０Ｖの直流電圧を２分印加する
ことにより行った。また、上記のようにして得た積層コ
ンデンサについて、以下の要領で耐湿負荷試験及び機械
的強度試験を行った。
上記のようにして得られた実施例の積層コンデンサにつ
いて、静電容量及び絶縁抵抗ＩＲを測定した。なお、絶
縁抵抗ＩＲの測定は、１０Ｖの直流電圧を２分印加する
ことにより行った。また、上記のようにして得た積層コ
ンデンサについて、以下の要領で耐湿負荷試験及び機械
的強度試験を行った。
【００３５】耐湿負荷試験…ｎ＝１０００個の積層コ
ンデンサを、８５℃及び相対湿度９０〜９５％の条件に
５００時間放置し、抵抗値が１ＭΩ以下となった場合に
不良とし、不良品の割合を求めた。
ンデンサを、８５℃及び相対湿度９０〜９５％の条件に
５００時間放置し、抵抗値が１ＭΩ以下となった場合に
不良とし、不良品の割合を求めた。
【００３６】機械的強度試験…回路基板上に半田にて
積層コンデンサを実装し、９０ｍｍの距離を隔てて配置
された先端の直径５ｍｍの２本の支持棒上に、２本の支
持棒の中間に積層コンデンサの中心が位置するように載
置した。この状態で、回路基板の上方から加圧し、回路
基板を下方に撓むように変形させた。このようにして変
形された状態で、積層コンデンサの静電容量を測定し
た。静電容量が測定不能となった場合の変形量を撓み強
度とした。なお、積層コンデンサ１００個について撓み
強度を測定し、その平均値を求めた。
積層コンデンサを実装し、９０ｍｍの距離を隔てて配置
された先端の直径５ｍｍの２本の支持棒上に、２本の支
持棒の中間に積層コンデンサの中心が位置するように載
置した。この状態で、回路基板の上方から加圧し、回路
基板を下方に撓むように変形させた。このようにして変
形された状態で、積層コンデンサの静電容量を測定し
た。静電容量が測定不能となった場合の変形量を撓み強
度とした。なお、積層コンデンサ１００個について撓み
強度を測定し、その平均値を求めた。
【００３７】また、比較のために、ガラスコート層１４
が設けられていないことを除いては、上記実施例と同様
に構成された積層コンデンサについても実施例の積層コ
ンデンサと同様にして評価した。結果を下記の表１に示
す。
が設けられていないことを除いては、上記実施例と同様
に構成された積層コンデンサについても実施例の積層コ
ンデンサと同様にして評価した。結果を下記の表１に示
す。
【００３８】
【表１】
【００３９】表１から明らかなように、本実施例に従っ
てガラスコート層１４を設けることにより、ガラスコー
ト層が設けられていない積層コンデンサに比べて耐湿特
性及び撓み強度が高められていることがわかる。また、
絶縁抵抗ｌｏｇＩＲも高められることがわかる。
てガラスコート層１４を設けることにより、ガラスコー
ト層が設けられていない積層コンデンサに比べて耐湿特
性及び撓み強度が高められていることがわかる。また、
絶縁抵抗ｌｏｇＩＲも高められることがわかる。
【００４０】上記実施例では、酸化物ガラスとして、
Ｂ，Ｓｉ，Ｚｎ及びＡｌを含むものを用いたが、これに
限定されず、Ｌｉを含む組成や、Ｂｉを含む組成などの
他の酸化物ガラスを用いてもよい。
Ｂ，Ｓｉ，Ｚｎ及びＡｌを含むものを用いたが、これに
限定されず、Ｌｉを含む組成や、Ｂｉを含む組成などの
他の酸化物ガラスを用いてもよい。
【００４１】また、積層セラミックコンデンサの製造方
法につき説明したが、本発明は、積層バリスタ、積層サ
ーミスタなどの複数の内部電極がセラミック層を介して
重なり合うように配置されたセラミック焼結体を有する
積層セラミック電子部品の製造方法に一般に適用するこ
とができる。
法につき説明したが、本発明は、積層バリスタ、積層サ
ーミスタなどの複数の内部電極がセラミック層を介して
重なり合うように配置されたセラミック焼結体を有する
積層セラミック電子部品の製造方法に一般に適用するこ
とができる。
【００４２】
【発明の効果】本発明に係る積層セラミック電子部品の
製造方法では、第１，第２の外部電極を形成した後に、
第１，第２の外部電極が形成されたセラミック焼結体の
外表面の全体が酸化物ガラスでコーティングされ、ガラ
スコート層が形成される。そして、第１，第２の外部電
極の電極被り部内側端よりも外側においてガラスコート
層が研磨され、第１，第２の外部電極表面が露出され
る。
製造方法では、第１，第２の外部電極を形成した後に、
第１，第２の外部電極が形成されたセラミック焼結体の
外表面の全体が酸化物ガラスでコーティングされ、ガラ
スコート層が形成される。そして、第１，第２の外部電
極の電極被り部内側端よりも外側においてガラスコート
層が研磨され、第１，第２の外部電極表面が露出され
る。
【００４３】よって、セラミック焼結体及び外部電極の
電極被り部内側端とセラミック焼結体との接合部分が、
ガラスコート層により確実に被覆されるので、耐湿性及
び絶縁抵抗が高められる。加えて、外部電極形成後にガ
ラスコート層が形成されているので、研磨により露出さ
れた外部電極部分においては、外部電極自体に空孔が存
在したとしても、該空孔が酸化物ガラスで充填されるの
で、外部電極の耐湿性も高められる。
電極被り部内側端とセラミック焼結体との接合部分が、
ガラスコート層により確実に被覆されるので、耐湿性及
び絶縁抵抗が高められる。加えて、外部電極形成後にガ
ラスコート層が形成されているので、研磨により露出さ
れた外部電極部分においては、外部電極自体に空孔が存
在したとしても、該空孔が酸化物ガラスで充填されるの
で、外部電極の耐湿性も高められる。
【００４４】加えて、セラミック焼結体及び外部電極の
空孔が酸化物ガラスで確実に充填されるので、積層セラ
ミック電子部品の機械的強度も高められる。よって、内
部電極間のセラミック層の厚みを薄くし、小型化及び薄
層化を図った場合であっても、機械的強度及び耐湿性に
優れた、信頼性の高い積層セラミック電子部品を提供す
ることが可能となる。
空孔が酸化物ガラスで確実に充填されるので、積層セラ
ミック電子部品の機械的強度も高められる。よって、内
部電極間のセラミック層の厚みを薄くし、小型化及び薄
層化を図った場合であっても、機械的強度及び耐湿性に
優れた、信頼性の高い積層セラミック電子部品を提供す
ることが可能となる。
【００４５】外部電極の形成が導電ペーストの塗布・焼
付に行われる場合には、焼付に際し外部電極に空孔が形
成されるが、その場合であっても、上記のように空孔に
酸化物ガラスが充填され、外部電極の機械的強度及び耐
湿性が高められる。また、研磨工程後に、第１，第２の
外部電極表面にメッキ膜を形成する場合、外部電極の耐
湿性が高められているので、外部電極を経由したセラミ
ック焼結体内へのメッキ液の侵入を確実に防止すること
ができる。
付に行われる場合には、焼付に際し外部電極に空孔が形
成されるが、その場合であっても、上記のように空孔に
酸化物ガラスが充填され、外部電極の機械的強度及び耐
湿性が高められる。また、研磨工程後に、第１，第２の
外部電極表面にメッキ膜を形成する場合、外部電極の耐
湿性が高められているので、外部電極を経由したセラミ
ック焼結体内へのメッキ液の侵入を確実に防止すること
ができる。
【００４６】本発明において、ガラスコート層を研磨す
る工程は種々の方法で行い得るが、セラミック焼結体を
保持する保持孔を有する治具を用い、保持孔内に電極被
り部の内側端が位置するようにセラミック焼結体を保持
し、保持孔から露出している部分においてガラスコート
層をサンドブラスト法により研磨した場合には、所望と
する部分で外部電極表面を確実にかつ容易に露出させる
ことができる。従って、本発明における研磨工程を確実
にかつ容易に行い得る。
る工程は種々の方法で行い得るが、セラミック焼結体を
保持する保持孔を有する治具を用い、保持孔内に電極被
り部の内側端が位置するようにセラミック焼結体を保持
し、保持孔から露出している部分においてガラスコート
層をサンドブラスト法により研磨した場合には、所望と
する部分で外部電極表面を確実にかつ容易に露出させる
ことができる。従って、本発明における研磨工程を確実
にかつ容易に行い得る。
【００４７】酸化物ガラスとして、Ｓｉ、Ｂ、Ｚｎ、Ｂ
ｉ及びＡｌからなる群から選択した少なくとも１種を用
いた場合には、比較的低温で加熱することにより溶融さ
せることができ、従ってセラミック焼結体や外部電極の
空孔を確実に酸化物ガラスで充填することができる。
ｉ及びＡｌからなる群から選択した少なくとも１種を用
いた場合には、比較的低温で加熱することにより溶融さ
せることができ、従ってセラミック焼結体や外部電極の
空孔を確実に酸化物ガラスで充填することができる。
【００４８】
【００４９】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施例の積層
セラミック電子部品としての積層コンデンサの縦断面図
及び横断面図。
セラミック電子部品としての積層コンデンサの縦断面図
及び横断面図。
【図２】本発明の一実施例で用意したセラミック焼結体
を示す縦断面図。
を示す縦断面図。
【図３】本発明の一実施例においてセラミック焼結体に
第１，第２の外部電極を形成した状態を示す縦断面図。
第１，第２の外部電極を形成した状態を示す縦断面図。
【図４】酸化物ガラスをコーティングするのに用いられ
る回転ポットを示す斜視図。
る回転ポットを示す斜視図。
【図５】図４に示した回転ポット内に積層コンデンサチ
ップ及び酸化物ガラスを充填した状態を示す部分切欠正
面図。
ップ及び酸化物ガラスを充填した状態を示す部分切欠正
面図。
【図６】本発明の一実施例において、積層コンデンサチ
ップの外部電極表面のガラスコート層をサンドブラスト
研磨する工程を説明するための断面図。
ップの外部電極表面のガラスコート層をサンドブラスト
研磨する工程を説明するための断面図。
【図７】本発明の一実施例の積層コンデンサにおいて、
外部電極部分を拡大して示す部分切欠拡大断面図。
外部電極部分を拡大して示す部分切欠拡大断面図。
【図８】従来の積層セラミック電子部品の製造方法にお
いて用意される、外表面にガラスコート層が形成された
セラミック焼結体を示す縦断面図。
いて用意される、外表面にガラスコート層が形成された
セラミック焼結体を示す縦断面図。
【図９】従来法により得られた積層コンデンサを示す縦
断面図。
断面図。
１…セラミック焼結体
１ａ，１ｂ…第１，第２の端面
１ｃ…上面
１ｄ…下面
１ｅ，１ｆ…側面
２ａ〜２ｆ…内部電極
３，４…第１，第２の外部電極
３ａ，４ａ…電極被り部
３ａ1 ，４ａ1 …内側端
５…積層コンデンサチップ
６…回転ポット
７…酸化物ガラス
１１…保持部材
１１ａ…保持孔
１２…砥粒
１３…積層コンデンサ
１４…ガラスコート層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平10−64703（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−244051（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01G 4/00 - 17/00
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の内部電極がセラミック層を介して
重なり合うように配置されており、かつ複数の内部電極
が第１の端面または第２の端面に引き出されているセラ
ミック焼結体を用意する工程と、 前記セラミック焼結体の第１，第２の端面を覆い、かつ
上面、下面及び両側面に至る電極被り部を有するよう
に、第１，第２の外部電極をそれぞれ形成する工程と、 前記第１，第２の外部電極が形成されたセラミック焼結
体を、酸化物ガラスでコーティングし、ガラスコート層
を形成する工程と、 前記第１，第２の外部電極の電極被り部内側端よりも外
側においてガラスコート層を研磨し、第１，第２の外部
電極表面を露出させる研磨工程とを備えることを特徴と
する、積層セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項２】 前記外部電極の形成が導電ペーストの塗
布・焼付により行われ、 前記研磨工程後に、第１，第２の外部電極表面にメッキ
膜を形成する工程をさらに備えることを特徴とする、請
求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項３】 前記研磨工程において、セラミック焼結
体を保持する保持孔を有する治具が用いられ、 前記保持孔内に電極被り部の内側端が位置するように前
記セラミック焼結体を保持し、保持孔から露出している
部分において前記ガラスコート層をサンドブラスト法に
より研磨する、請求項１または２に記載の積層セラミッ
ク電子部品の製造方法。 - 【請求項４】 前記酸化物ガラスとして、Ｓｉ、Ｂ、Ｚ
ｎ、Ｂｉ及びＡｌからなる群から選択した少なくとも１
種の元素を含む酸化物ガラスを用いる、請求項１〜３の
いずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21662399A JP3531543B2 (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21662399A JP3531543B2 (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001044069A JP2001044069A (ja) | 2001-02-16 |
| JP3531543B2 true JP3531543B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=16691345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21662399A Expired - Fee Related JP3531543B2 (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3531543B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150022678A (ko) | 2013-08-23 | 2015-03-04 | 티디케이가부시기가이샤 | 적층형 세라믹 전자 부품 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2008028064A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
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| JP4888525B2 (ja) | 2009-06-17 | 2012-02-29 | Ｔｄｋ株式会社 | コイル部品 |
| JP2012134286A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| CN103443889B (zh) * | 2011-03-29 | 2016-06-15 | 株式会社村田制作所 | 电子元器件 |
| JP5770539B2 (ja) | 2011-06-09 | 2015-08-26 | Tdk株式会社 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
| JP2015115392A (ja) * | 2013-12-10 | 2015-06-22 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 |
| WO2016085004A1 (ko) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 홍익대학교 산학협력단 | 나노 박막층을 구비하는 적층 세라믹 칩 부품과 이의 제조 방법 및 이를 위한 원자층 증착 장치 |
| JP6841611B2 (ja) * | 2016-07-25 | 2021-03-10 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2020061391A (ja) | 2016-12-27 | 2020-04-16 | 株式会社村田製作所 | 電子部品への被覆素材の選択的被覆方法および電子部品の製造方法 |
| KR101939083B1 (ko) * | 2017-03-29 | 2019-01-16 | 삼성전기 주식회사 | 적층형 커패시터 및 그 제조방법 |
| KR101922879B1 (ko) * | 2017-04-04 | 2018-11-29 | 삼성전기 주식회사 | 적층형 커패시터 |
| US10319527B2 (en) | 2017-04-04 | 2019-06-11 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer capacitor |
| KR102620541B1 (ko) * | 2018-08-22 | 2024-01-03 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
| KR102127805B1 (ko) * | 2018-10-29 | 2020-06-29 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터의 제조 방법 및 적층 세라믹 커패시터 |
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| KR102068804B1 (ko) | 2018-11-16 | 2020-01-22 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
| KR102096464B1 (ko) * | 2018-11-16 | 2020-04-02 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
| JP7358760B2 (ja) * | 2019-03-27 | 2023-10-11 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
| JP7351095B2 (ja) * | 2019-03-27 | 2023-09-27 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
| JP7247740B2 (ja) | 2019-05-15 | 2023-03-29 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の実装構造体及びその製造方法 |
| JP2021136323A (ja) | 2020-02-27 | 2021-09-13 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| JP7234974B2 (ja) | 2020-02-27 | 2023-03-08 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| JP7314884B2 (ja) * | 2020-08-31 | 2023-07-26 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-07-30 JP JP21662399A patent/JP3531543B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| KR20150022678A (ko) | 2013-08-23 | 2015-03-04 | 티디케이가부시기가이샤 | 적층형 세라믹 전자 부품 |
| US9607767B2 (en) | 2013-08-23 | 2017-03-28 | Tdk Corporation | Laminate-type ceramic electronic component |
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