JP3529677B2 - 電子線照射装置 - Google Patents
電子線照射装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空のチャンバ内
で発生した電子を、窓箔が配設されたビーム取出窓より
大気中に取り出すようにされた電子線照射装置に係り、
特に、真空のプラズマチャンバ内で発生するプラズマ
が、カソードに衝突した時に発生する二次電子を加速し
て、窓箔が配設されたビーム取出窓より大気中に取り出
すようにされたワイヤイオンプラズマ（ＷＩＰＬ）型電
子線照射装置に用いるのに好適な、窓箔の寿命が改善さ
れた電子線照射装置に関する。
で発生した電子を、窓箔が配設されたビーム取出窓より
大気中に取り出すようにされた電子線照射装置に係り、
特に、真空のプラズマチャンバ内で発生するプラズマ
が、カソードに衝突した時に発生する二次電子を加速し
て、窓箔が配設されたビーム取出窓より大気中に取り出
すようにされたワイヤイオンプラズマ（ＷＩＰＬ）型電
子線照射装置に用いるのに好適な、窓箔の寿命が改善さ
れた電子線照射装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１に示す如く、真空チャンバ１０の一
部を構成するプラズマチャンバ２０内のプラズマワイヤ
２２周辺で発生するプラズマＰが、同じく真空チャンバ
１０の残部を構成する主チャンバ１２に配設された、高
電圧に印加されているカソード１４に衝突した時に発生
する二次電子を加速して、窓箔３６が配設されたビーム
取出窓３０より大気中に取り出すようにされたＷＩＰＬ
型の電子線照射装置が知られている。図において、１６
はカソードカバー、１８は、前記主チャンバ１２と前記
プラズマチャンバ２０の間に配設されたグリッド、３２
は、前記プラズマチャンバ２０の下部に設けられたフォ
イルサポート、３４は、該フォイルサポート３２に窓箔
３６を固定するためのフォイルクランプ、４０は、例え
ばコンベア、ローラ等により矢印Ａ方向に搬送しながら
電子線が照射される、フィルム、紙等の被照射物であ
る。
部を構成するプラズマチャンバ２０内のプラズマワイヤ
２２周辺で発生するプラズマＰが、同じく真空チャンバ
１０の残部を構成する主チャンバ１２に配設された、高
電圧に印加されているカソード１４に衝突した時に発生
する二次電子を加速して、窓箔３６が配設されたビーム
取出窓３０より大気中に取り出すようにされたＷＩＰＬ
型の電子線照射装置が知られている。図において、１６
はカソードカバー、１８は、前記主チャンバ１２と前記
プラズマチャンバ２０の間に配設されたグリッド、３２
は、前記プラズマチャンバ２０の下部に設けられたフォ
イルサポート、３４は、該フォイルサポート３２に窓箔
３６を固定するためのフォイルクランプ、４０は、例え
ばコンベア、ローラ等により矢印Ａ方向に搬送しながら
電子線が照射される、フィルム、紙等の被照射物であ
る。
【０００３】前記カソード１４等が含まれる真空チャン
バ１０は、通常の運転状態で２０ｍＴorr程度のヘリウ
ムガスで満たされており、ハニカム状のグリッド１４で
２室に分けられている。分けられた２室のうちグリッド
１８及びビーム取出窓３０で囲まれたプラズマチャンバ
２０で、ヘリウムプラズマＰが生成される。このプラズ
マチャンバ２０で発生したヘリウムイオンは、グリッド
１８から引き出され、更にカソード１４に印加された負
の高電圧による電界によって加速される。加速されたヘ
リウムイオンは、カソード１４の板表面に衝突し、１個
のヘリウムイオンについて１０〜１５個の電子が二次電
子放出される。これらの電子は、ヘリウムイオンが加速
されたと同時に、同じ領域で逆方向に加速される。加速
された電子は、ビーム取出窓３０の窓箔３６を通過し
て、真空チャンバ１０の外部に取り出される。
バ１０は、通常の運転状態で２０ｍＴorr程度のヘリウ
ムガスで満たされており、ハニカム状のグリッド１４で
２室に分けられている。分けられた２室のうちグリッド
１８及びビーム取出窓３０で囲まれたプラズマチャンバ
２０で、ヘリウムプラズマＰが生成される。このプラズ
マチャンバ２０で発生したヘリウムイオンは、グリッド
１８から引き出され、更にカソード１４に印加された負
の高電圧による電界によって加速される。加速されたヘ
リウムイオンは、カソード１４の板表面に衝突し、１個
のヘリウムイオンについて１０〜１５個の電子が二次電
子放出される。これらの電子は、ヘリウムイオンが加速
されたと同時に、同じ領域で逆方向に加速される。加速
された電子は、ビーム取出窓３０の窓箔３６を通過し
て、真空チャンバ１０の外部に取り出される。
【０００４】このＷＩＰＬ型電子線照射装置は、冷陰極
カソードを使用しているので、従来の熱陰極方式と比較
して、フィラメント系を主チャンバに持たないため、同
一の出力又は照射線量を発生する装置と比較して、大幅
に大きさ及び重量を減少させることができるという特徴
を有する。
カソードを使用しているので、従来の熱陰極方式と比較
して、フィラメント系を主チャンバに持たないため、同
一の出力又は照射線量を発生する装置と比較して、大幅
に大きさ及び重量を減少させることができるという特徴
を有する。
【０００５】このようなＷＩＰＬ型電子線照射装置にお
いて、電子を大気中に取り出すビーム取出窓３０の窓箔
３６には、大気圧力に耐え、且つ、電子が箔を通過する
時のエネルギ損失を極力小さくするという条件により、
厚さ十数μｍのチタン膜が用いられている。
いて、電子を大気中に取り出すビーム取出窓３０の窓箔
３６には、大気圧力に耐え、且つ、電子が箔を通過する
時のエネルギ損失を極力小さくするという条件により、
厚さ十数μｍのチタン膜が用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラズ
マの衝突によりカソード１４が加熱され、輻射熱により
真空チャンバ１０が加熱されるため、真空容器を構成す
る金属などの部品の表面から、水分が放出される。この
放出されたアウトガス中に含まれる水分が、プラズマチ
ャンバ２０内で電離され、水素分子が発生する。する
と、チタンは水素吸蔵性が高いため、水素を吸着し、水
素脆化が進行して、チタン膜の寿命が短くなるという問
題点を有していた。
マの衝突によりカソード１４が加熱され、輻射熱により
真空チャンバ１０が加熱されるため、真空容器を構成す
る金属などの部品の表面から、水分が放出される。この
放出されたアウトガス中に含まれる水分が、プラズマチ
ャンバ２０内で電離され、水素分子が発生する。する
と、チタンは水素吸蔵性が高いため、水素を吸着し、水
素脆化が進行して、チタン膜の寿命が短くなるという問
題点を有していた。
【０００７】なお、本発明に関連するものとして、特開
平７−２０２９４には、比重が低く電子線は通し易いが
耐食性に問題があるアルミニウム膜を用いた窓箔の大気
側にチタンを真空蒸着することによって、１５０ｋＶ以
下の加速電圧で加速された低エネルギ電子線による表面
処理効率を向上することが記載されている。
平７−２０２９４には、比重が低く電子線は通し易いが
耐食性に問題があるアルミニウム膜を用いた窓箔の大気
側にチタンを真空蒸着することによって、１５０ｋＶ以
下の加速電圧で加速された低エネルギ電子線による表面
処理効率を向上することが記載されている。
【０００８】又、特開平１１−５２０９８には、アルミ
ニウム合金膜を用いた窓箔の大気側をチタン膜で被覆
し、更に該チタン膜の大気側を硬質皮膜で被覆して、疵
入りや摩耗による腐食を防止することが記載されてい
る。
ニウム合金膜を用いた窓箔の大気側をチタン膜で被覆
し、更に該チタン膜の大気側を硬質皮膜で被覆して、疵
入りや摩耗による腐食を防止することが記載されてい
る。
【０００９】更に、特開平１１−５２０９９には、ベリ
リウム、アルミニウム、チタン等の金属膜を用いた窓箔
の大気側の表面を、熱硬化性樹脂からなる樹脂薄膜で覆
うことにより、電子の透過効率を上げるため部材を薄く
することで不足する機械強度を高めることが記載されて
いる。
リウム、アルミニウム、チタン等の金属膜を用いた窓箔
の大気側の表面を、熱硬化性樹脂からなる樹脂薄膜で覆
うことにより、電子の透過効率を上げるため部材を薄く
することで不足する機械強度を高めることが記載されて
いる。
【００１０】しかしながら、いずれも、アルミニウム箔
上に形成されるチタン膜や、その上に形成される硬質皮
膜、熱硬化性樹脂皮膜が、いずれも、プラズマが発生す
る真空側ではなく大気側に形成されていたため、プラズ
マにより発生した水素によるチタンの水素脆化を防止す
ることはできなかった。
上に形成されるチタン膜や、その上に形成される硬質皮
膜、熱硬化性樹脂皮膜が、いずれも、プラズマが発生す
る真空側ではなく大気側に形成されていたため、プラズ
マにより発生した水素によるチタンの水素脆化を防止す
ることはできなかった。
【００１１】本発明は、前記従来の問題点を解消するべ
くなされたもので、プラズマにより発生した水素による
脆化を防ぎ、窓箔の寿命を改善することを第１の課題と
する。
くなされたもので、プラズマにより発生した水素による
脆化を防ぎ、窓箔の寿命を改善することを第１の課題と
する。
【００１２】本発明は、又、耐久性の高い窓箔を容易に
作成することを第２の課題とする。
作成することを第２の課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空のプラズ
マチャンバ内で発生するプラズマが、カソードに衝突し
た時に発生する二次電子を加速して、窓箔が配設された
ビーム取出窓より大気中に取り出すようにされた電子線
照射装置において、前記窓箔を形成するチタン膜の少な
くとも真空側に、酸化皮膜を形成することにより、前記
第１の課題を解決したものである。
マチャンバ内で発生するプラズマが、カソードに衝突し
た時に発生する二次電子を加速して、窓箔が配設された
ビーム取出窓より大気中に取り出すようにされた電子線
照射装置において、前記窓箔を形成するチタン膜の少な
くとも真空側に、酸化皮膜を形成することにより、前記
第１の課題を解決したものである。
【００１４】又、前記チタン膜の大気側にも酸化被膜を
形成して、大気中の酸素に対する保護膜としたものであ
る。
形成して、大気中の酸素に対する保護膜としたものであ
る。
【００１５】本発明は、又、真空のチャンバ内で発生し
た電子を、窓箔が配設されたビーム取出窓より大気中に
取り出すようにされた電子線照射装置において、前記窓
箔を形成するチタン膜の少なくとも真空側に、熱処理に
よる酸化被膜を形成することにより、前記第２の課題を
達成したものである。
た電子を、窓箔が配設されたビーム取出窓より大気中に
取り出すようにされた電子線照射装置において、前記窓
箔を形成するチタン膜の少なくとも真空側に、熱処理に
よる酸化被膜を形成することにより、前記第２の課題を
達成したものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施形態を詳細に説明する。
施形態を詳細に説明する。
【００１７】本実施形態は、図１に示した従来例と同様
の電子線照射装置において、図２に示す如く、窓箔３６
を形成するチタン膜の真空側と大気側の両側に、加熱炉
による熱処理で酸化皮膜３８を形成したものである。
の電子線照射装置において、図２に示す如く、窓箔３６
を形成するチタン膜の真空側と大気側の両側に、加熱炉
による熱処理で酸化皮膜３８を形成したものである。
【００１８】前記酸化皮膜３８は、例えば、厚さ１５μ
ｍの純チタン膜に対して、加熱炉を用いて、処理温度６
００−６５０℃、処理時間１時間の熱処理することによ
り、厚さ１−２．５μｍの酸化皮膜を形成することがで
きる。ここで、酸化皮膜の膜厚は、熱処理時の温度及び
処理時間に依存しており、発明者等の実験では、処理時
間１時間の場合の処理温度と膜厚の関係は図３に示す如
くであり、処理温度６００℃の場合の処理時間と膜厚の
関係は図４に示す如くであった。
ｍの純チタン膜に対して、加熱炉を用いて、処理温度６
００−６５０℃、処理時間１時間の熱処理することによ
り、厚さ１−２．５μｍの酸化皮膜を形成することがで
きる。ここで、酸化皮膜の膜厚は、熱処理時の温度及び
処理時間に依存しており、発明者等の実験では、処理時
間１時間の場合の処理温度と膜厚の関係は図３に示す如
くであり、処理温度６００℃の場合の処理時間と膜厚の
関係は図４に示す如くであった。
【００１９】チタンは、通常の大気中に放置しても、数
十オングストローム厚の酸化皮膜（不働態皮膜）が形成
されるが、本発明では、大気中で加熱して酸化すること
により、皮膜を、より厚く、安定したものにしている。
処理温度を６００〜６５０℃とすることによって、半径
の小さい水素イオンも通り難い、緻密な皮膜を形成する
ことができる。
十オングストローム厚の酸化皮膜（不働態皮膜）が形成
されるが、本発明では、大気中で加熱して酸化すること
により、皮膜を、より厚く、安定したものにしている。
処理温度を６００〜６５０℃とすることによって、半径
の小さい水素イオンも通り難い、緻密な皮膜を形成する
ことができる。
【００２０】例えば、厚さ１μｍの酸化皮膜の場合、そ
の物性値（引張強度及びヤング率）は、図５に示すよう
に変化する。酸化皮膜が厚いほど、水素吸着防止には効
果があるが、純チタンの物性値から大きく外れる可能性
があるため、酸化膜厚は、最大２．５μｍとすることが
望ましい。
の物性値（引張強度及びヤング率）は、図５に示すよう
に変化する。酸化皮膜が厚いほど、水素吸着防止には効
果があるが、純チタンの物性値から大きく外れる可能性
があるため、酸化膜厚は、最大２．５μｍとすることが
望ましい。
【００２１】このようにして、不働態皮膜である酸化皮
膜を、加熱炉内でチタン膜の両側に形成することで、真
空側に生成した酸化皮膜が、電子線照射装置内部で発生
する水素に対して保護膜となり、チタン膜が水素脆化に
より劣化することが防止される。
膜を、加熱炉内でチタン膜の両側に形成することで、真
空側に生成した酸化皮膜が、電子線照射装置内部で発生
する水素に対して保護膜となり、チタン膜が水素脆化に
より劣化することが防止される。
【００２２】一方、チタン膜の大気側に生成した酸化皮
膜は、大気中の酸素に対して保護膜となり、電子線照射
装置のビーム運転時に大気側のチタン膜が焼けて劣化す
るのが防止される。この大気側に形成した酸化皮膜は、
フィラメントによりカソードを加熱して熱電子を放出さ
せる、通常の熱電子型電子線照射装置に用いるチタン膜
の寿命改善にも有効である。
膜は、大気中の酸素に対して保護膜となり、電子線照射
装置のビーム運転時に大気側のチタン膜が焼けて劣化す
るのが防止される。この大気側に形成した酸化皮膜は、
フィラメントによりカソードを加熱して熱電子を放出さ
せる、通常の熱電子型電子線照射装置に用いるチタン膜
の寿命改善にも有効である。
【００２３】なお、加熱炉内で酸化処理する場合には、
チタン膜の両側に酸化皮膜が形成されるが、他の方法で
酸化皮膜を形成することによって、真空側にのみ酸化皮
膜を形成することも可能である。
チタン膜の両側に酸化皮膜が形成されるが、他の方法で
酸化皮膜を形成することによって、真空側にのみ酸化皮
膜を形成することも可能である。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、チタン膜に形成した酸
化皮膜により、チタン膜の水素吸収量を低減させ、水素
脆化による寿命劣化を防止することができる。
化皮膜により、チタン膜の水素吸収量を低減させ、水素
脆化による寿命劣化を防止することができる。
【００２５】又、本発明によれば、真空蒸着に比べ、簡
単で、コストが易く、処理時間も短い加熱炉による熱処
理によって、チタン膜の耐久性を高めることができる。
単で、コストが易く、処理時間も短い加熱炉による熱処
理によって、チタン膜の耐久性を高めることができる。
【００２６】発明者等の実験では、操業運転で数百時間
の寿命であったチタン膜を、本発明による酸化処理を施
すことによって、１５００時間以上に改善できた。
の寿命であったチタン膜を、本発明による酸化処理を施
すことによって、１５００時間以上に改善できた。
【図１】本発明の適用対象の一例であるＷＩＰＬ型電子
線照射装置の要部構成を示す斜視図
線照射装置の要部構成を示す斜視図
【図２】本発明の実施形態におけるビーム取出窓周辺を
示す拡大断面図
示す拡大断面図
【図３】前記実施形態における熱処理温度と酸化皮膜の
膜厚の関係の例を示す線図
膜厚の関係の例を示す線図
【図４】同じく熱処理時間と酸化皮膜の膜厚の関係の例
を示す線図
を示す線図
【図５】純チタン箔と酸化処理を施したチタン箔におけ
る引張強度とヤング率を比較して示す図表
る引張強度とヤング率を比較して示す図表
１０…真空チャンバ
１２…主チャンバ
１４…カソード
１８…グリッド
２０…プラズマチャンバ
Ｐ…プラズマ
３０…ビーム取出窓
３６…窓箔
３８…酸化皮膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平10−332898（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−52098（ＪＰ，Ａ)
特開 昭53−12737（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−198924（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−8216（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G21K 5/04
G21K 5/00
Claims (3)
- 【請求項１】真空のプラズマチャンバ内で発生するプラ
ズマが、カソードに衝突した時に発生する二次電子を加
速して、窓箔が配設されたビーム取出窓より大気中に取
り出すようにされた電子線照射装置において、 前記窓箔を形成するチタン膜の少なくとも真空側に、酸
化被膜を形成したことを特徴とする電子線照射装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記チタン膜の大気側
にも酸化被膜を形成したことを特徴とする電子線照射装
置。 - 【請求項３】真空のチャンバ内で発生した電子を、窓箔
が配設されたビーム取出窓より大気中に取り出すように
された電子線照射装置において、 前記窓箔を形成するチタン膜の少なくとも真空側に、熱
処理による酸化被膜が形成されていることを特徴とする
電子線照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28254899A JP3529677B2 (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | 電子線照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28254899A JP3529677B2 (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | 電子線照射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001099999A JP2001099999A (ja) | 2001-04-13 |
| JP3529677B2 true JP3529677B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=17653916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28254899A Expired - Fee Related JP3529677B2 (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | 電子線照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3529677B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5036376B2 (ja) * | 2007-04-06 | 2012-09-26 | 石黒 義久 | 電子線照射装置 |
| CN103229269B (zh) * | 2010-12-02 | 2016-09-07 | 利乐拉瓦尔集团及财务有限公司 | 电子出射窗箔 |
| JP5911507B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2016-04-27 | 日立造船株式会社 | プラズマまたはオゾンの生成システム、及びプラズマまたはオゾンの生成方法 |
-
1999
- 1999-10-04 JP JP28254899A patent/JP3529677B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001099999A (ja) | 2001-04-13 |
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