JP3528540B2 - Method of manufacturing crucible for dissolving silicon - Google Patents
Method of manufacturing crucible for dissolving siliconInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、ルツボの内側が
高純度シリカ層からなり、ルツボの外側が低純度シリカ
層からなる積層構造を有するシリコン溶解用ルツボおよ
びその製造方法に関するものであり、特に規格外の形状
を有するルツボの内側空間が立方体または直方体形状を
有するシリコン溶解用ルツボおよびその製造方法に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a crucible for melting silicon having a laminated structure in which a crucible has a high-purity silica layer on the inner side and a low-purity silica layer on the outer side, and a method for producing the same. The present invention relates to a crucible for melting silicon in which an inner space of a crucible having a nonstandard shape has a cubic shape or a rectangular parallelepiped shape, and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、シリコン溶解用ルツボとして高純
度石英ルツボまたは高純度黒鉛ルツボが使用されてい
た。しかし高純度黒鉛ルツボで作製したシリコンインゴ
ットは十分な純度が得られないところから、高純度のシ
リコンインゴットを製造するにはどうしても高純度石英
ルツボを使用しなければならなかった。この高純度石英
ルツボを製造するには、純度：９９．９％以上の高純度
溶融シリカ粉末を用意し、この高純度溶融シリカ粉末
を、ルツボの形状をしたキャビティを有する内型と外型
からなる黒鉛型の前記キャビティに充填し、ついで内型
を取り除いて外型の内面側壁に張り付いている高純度溶
融シリカ粉末にアーク炎を当てながら外型を回転し、シ
リカ粉末を溶融しながらルツボに成形することにより作
製していた。2. Description of the Related Art Conventionally, a high-purity quartz crucible or a high-purity graphite crucible has been used as a crucible for melting silicon. However, since a silicon ingot made of a high-purity graphite crucible does not have a sufficient purity, a high-purity quartz crucible must be used to manufacture a high-purity silicon ingot. In order to produce this high-purity quartz crucible, a high-purity fused silica powder having a purity of 99.9% or more is prepared, and this high-purity fused silica powder is produced from an inner mold and an outer mold having a crucible-shaped cavity. The graphite mold is filled in the cavity, then the inner mold is removed, the outer mold is rotated while applying an arc flame to the high-purity fused silica powder stuck to the inner side wall of the outer mold, and the crucible is melted while melting the silica powder. It was produced by molding.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、高純度石英ル
ツボを製造するための原料である高純度溶融シリカ粉末
は高価であり、近年のシリコンインゴットのコストダウ
ンに対する要求に十分答えることができず、さらにバー
ナーを使用するために内径が小さい小径の高純度石英ル
ツボを製造することができない。また、黒鉛型を使用し
て作るために、例えばルツボの内側空間が立方体または
直方体形状を有する高純度石英ルツボのように規格寸法
から外れた高純度石英ルツボを製造するには価格が高く
なることは避けられなかった。However, high-purity fused silica powder, which is a raw material for producing a high-purity quartz crucible, is expensive, and it is not possible to sufficiently meet the recent demand for cost reduction of silicon ingots. Further, since the burner is used, it is not possible to manufacture a small-diameter high-purity quartz crucible having a small inner diameter. In addition, since the graphite mold is used to manufacture, for example, a high-purity quartz crucible having an inside space of the crucible having a cubic or rectangular parallelepiped shape, which is out of the standard size, is expensive. Was inevitable.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
工業上使用するシリコン溶解用ルツボはもちろんのこ
と、規格から外れた形状の高純度石英ルツボであっても
安価にかつ簡単に製造すべく研究を行なった結果、ルツ
ボの内側空間と同じ任意の寸法および形状を有する蝋型
を、純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ粉末とコ
ロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上げ
て蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー層の
表面に純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ砂を散
布してスタッコ層を形成することにより高純度シリカ層
を形成し、この表面に前記高純度シリカ層を形成した蝋
型を、純度：９９．９％未満の低純度溶融シリカ粉末と
コロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上
げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー層
の表面に純度：９９．９％未満の低純度溶融シリカ砂を
散布してスタッコ層を形成することにより低純度シリカ
層を形成すると、ルツボの内側が高純度シリカ層からな
り、ルツボの外側が低純度シリカ層からなる積層構造を
有するシリコン溶解用ルツボが得られ、このシリコン溶
解用ルツボは高価な純度：９９．９％以上の高純度溶融
シリカ粉末の使用量を大幅に少なくすることができ、し
かも、蝋型の形状を変えることにより形の自由なシリコ
ン溶解用ルツボを製造することができるという知見を得
たのである。Therefore, the present inventors have
As a result of conducting research to inexpensively and easily manufacture not only industrially used crucibles for melting silicon but also high-purity quartz crucibles that are out of specification, it has the same arbitrary size as the inner space of the crucible. A wax mold having a shape and a shape is dipped in a slurry composed of high-purity fused silica powder having a purity of 99.9% or more and colloidal silica and then pulled up to form a slurry layer on the surface of the wax mold. Purity: 99.9% or more of high-purity fused silica sand is sprinkled to form a stucco layer to form a high-purity silica layer, and the wax mold having the high-purity silica layer formed on the surface thereof has a purity of 99: The slurry layer is formed on the surface of the wax mold by immersing it in a slurry composed of less than 9% of low-purity fused silica powder and colloidal silica, and then pulling up to form a slurry layer. When a low-purity silica layer is formed by spraying less than 9% of low-purity fused silica sand to form a stucco layer, the crucible has a high-purity silica layer on the inner side and a low-purity silica layer on the outer side. A crucible for melting silicon having a structure is obtained, and this crucible for melting silicon can reduce the amount of high-purity fused silica powder with an expensive purity of 99.9% or more to a large extent, and has a wax shape. It was found that a crucible for melting silicon having a free shape can be manufactured by changing
【０００５】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、ルツボの内側空間と同じ形状を有する
蝋型を、純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ粉末
とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き
上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー
層の表面に純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ砂
を散布してスタッコ層を形成することにより高純度シリ
カ層を形成し、この表面に前記高純度シリカ層を形成し
た蝋型をさらに純度：９９．９％未満の溶融シリカ粉末
とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き
上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー
層の表面に純度：９９．９％未満の溶融シリカ砂を散布
してスタッコ層を形成することにより、内側の高純度シ
リカ層および外側の低純度シリカ層からなる積層構造を
有するシリコン溶解用ルツボの製造方法、に特徴を有す
るものである。The present invention has been made on the basis of such findings, and a wax mold having the same shape as the inner space of the crucible is prepared from high-purity fused silica powder having a purity of 99.9% or more and colloidal silica. After being dipped in the slurry, it is pulled up to form a slurry layer on the surface of the wax mold, and high purity fused silica sand with a purity of 99.9% or more is sprinkled on the surface of the slurry layer to form a stucco layer. A wax mold having a pure silica layer formed thereon and having the high purity silica layer formed thereon is further immersed in a slurry composed of fused silica powder having a purity of less than 99.9% and colloidal silica and then pulled up to the surface of the wax mold. By forming a slurry layer and spraying fused silica sand having a purity of less than 99.9% on the surface of the slurry layer to form a stucco layer, the high purity silica layer on the inside and the outside Process for producing a silicon melting crucible having a laminated structure composed of a low-purity silica layer, and has a feature to.
【０００６】この発明のシリコン溶解用ルツボを構成す
る内層の高純度シリカ層は、純度：９９．９％以上の高
純度溶融シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリ
ーに浸漬した後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形
成し、このスラリー層の表面に純度：９９．９％以上の
高純度溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成する操
作を複数繰り返すことにより成形することができる。The high-purity silica layer of the inner layer which constitutes the crucible for melting silicon of the present invention is a wax type surface after being immersed in a slurry of high-purity fused silica powder having a purity of 99.9% or more and colloidal silica and then pulled up. Can be formed by repeating a plurality of operations of forming a slurry layer on the surface of the slurry and spraying high purity fused silica sand having a purity of 99.9% or more on the surface of the slurry layer to form a stucco layer.
【０００７】またこの発明のシリコン溶解用ルツボを構
成する外層の低純度シリカ層は、前記内層の高純度シリ
カ層を有する蝋型を、純度：９９．９％未満の低純度溶
融シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリーに浸
漬した後引き上げることによりスラリー層を形成し、こ
のスラリー層の表面に純度：９９．９％未満の低純度溶
融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成する操作を複数
回繰り返すことにより成形することができる。The low-purity silica layer of the outer layer constituting the crucible for melting silicon according to the present invention comprises a wax type having the high-purity silica layer of the inner layer, and a low-purity fused silica powder having a purity of less than 99.9% and colloidal. A step of forming a slurry layer by immersing the slurry in silica and then pulling it up, and spraying low purity fused silica sand having a purity of less than 99.9% on the surface of the slurry layer to form a stucco layer is repeated a plurality of times. By doing so, it can be molded.
【０００８】さらにこの発明のシリコン溶解用ルツボ
は、ルツボの内側空間が立方体または直方体形状の空間
を有することができる。このルツボの内側空間の形状が
立方体または直方体形状の空間を有するシリコン溶解用
ルツボは、立方体または直方体形状の蝋型を使用し、こ
の蝋型を純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ粉末
とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き
上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー
層の表面に純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ砂
を散布してスタッコ層を形成することにより高純度シリ
カ層を形成し、さらにこの高純度シリカ層を形成した立
方体または直方体形状の蝋型を純度：９９．９％未満の
低純度溶融シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラ
リーに浸漬した後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を
形成し、このスラリー層の表面に純度：９９．９％未満
の低純度溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成し低
純度シリカ層を形成することにより製造することができ
る。Further, in the crucible for melting silicon according to the present invention, the inner space of the crucible can have a cubic or rectangular parallelepiped space. The silicon melting crucible having a cubic or rectangular parallelepiped space inside the crucible uses a cubic or rectangular parallelepiped wax mold, and the wax mold is a high-purity fused silica powder having a purity of 99.9% or more. After being immersed in a slurry consisting of and colloidal silica, it is pulled up to form a slurry layer on the surface of the wax mold, and high purity fused silica sand with a purity of 99.9% or more is sprinkled on the surface of this slurry layer to form a stucco layer. To form a high-purity silica layer, and the cubic or rectangular parallelepiped wax mold on which the high-purity silica layer is formed is immersed in a slurry consisting of low-purity fused silica powder having a purity of less than 99.9% and colloidal silica. After that, it is pulled up to form a slurry layer on the surface of the wax mold, and a low-purity fused silica sand having a purity of less than 99.9% is sprayed on the surface of the slurry layer to form stucco It can be produced by forming a forming a low-purity silica layer.
【０００９】従って、この発明は、立方体または直方体
形状の蝋型を、純度：９９．９％以上の高純度溶融シリ
カ粉末とコロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した
後引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このス
ラリー層の表面に純度：９９．９％以上の高純度溶融シ
リカ砂を散布してスタッコ層を形成することにより高純
度シリカ層を形成し、さらに、表面に高純度シリカ層を
形成した立方体または直方体形状の蝋型を、純度：９
９．９％未満の溶融シリカ粉末とコロイダルシリカから
なるスラリーに浸漬した後引き上げて蝋型の表面にスラ
リー層を形成し、このスラリー層の表面に純度：９９．
９％未満の溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成す
ることにより純度：９９．９％未満の低純度シリカ層を
形成するルツボの内側空間が立方体または直方体形状を
有するシリコン溶解用ルツボの製造方法、に特徴を有す
るものである。Therefore, according to the present invention, a cubic or rectangular parallelepiped wax mold is dipped in a slurry consisting of high-purity fused silica powder having a purity of 99.9% or more and colloidal silica and then pulled up to form a slurry layer on the wax mold surface. To form a stucco layer by spraying high-purity fused silica sand having a purity of 99.9% or more on the surface of the slurry layer to form a high-purity silica layer, and further forming a high-purity silica layer on the surface. A cubic or rectangular parallelepiped wax mold with a purity of 9
It is dipped in a slurry composed of less than 9.9% fused silica powder and colloidal silica and then pulled up to form a slurry layer on the surface of the wax mold, and the surface of this slurry layer has a purity of 99.
Forming a stucco layer by spraying less than 9% of fused silica sand to form a low-purity silica layer of less than 99.9% Manufacture of a crucible for melting silicon in which the inner space of the crucible has a cubic or rectangular parallelepiped shape. It is characterized by the method.
【００１０】この発明の内側空間が立方体または直方体
形状を有するシリコン溶解用ルツボを使用すると、断面
が正方形または長方形を有するシリコンインゴットが得
られる。この断面が正方形または長方形を有するシリコ
ンインゴットは、特に太陽光発電用電池のシリコン基板
のような正方形または長方形を有するシリコン基板の製
造に用いると、高価なシリコンインゴットを最も有効に
活用することができる。By using the silicon melting crucible of which the inner space of the present invention has a cubic or rectangular parallelepiped shape, a silicon ingot having a square or rectangular cross section can be obtained. This silicon ingot having a square or rectangular cross section can make the most effective use of an expensive silicon ingot, especially when used for manufacturing a silicon substrate having a square or a rectangle such as a silicon substrate of a photovoltaic cell. .
【００１１】すなわち、従来の丸棒形状のシリコンイン
ゴットから正方形または長方形の太陽光発電用電池シリ
コン基板を作るには、丸棒形状のシリコンインゴットを
スライスして図４の平面図に示されるシリコン円板６を
作製し、このシリコン円板６の隅を切り落として図４の
平面図に示されるように正方形または長方形の太陽光発
電用電池シリコン基板７を作製する。この時、切り落と
した切除部分５が無駄となる。しかし、シリコンインゴ
ットが角型形状であり、スライスしてえられたシリコン
板が正方形または長方形であるならば、正方形または長
方形の太陽光発電用電池シリコン基板を作るには、図３
の平面図に示されるように切除部分５が極めて少なくす
ることができ、従って、コストを下げることができる。That is, in order to make a square or rectangular solar battery cell silicon substrate from a conventional round bar-shaped silicon ingot, the round bar-shaped silicon ingot is sliced into a silicon circle shown in the plan view of FIG. A plate 6 is manufactured, and a corner of the silicon disk 6 is cut off to manufacture a square or rectangular solar battery power generation silicon substrate 7 as shown in the plan view of FIG. At this time, the cut-off portion 5 cut off is wasted. However, if the silicon ingot has a square shape and the silicon plate obtained by slicing has a square shape or a rectangular shape, to make a square or rectangular solar battery silicon substrate, as shown in FIG.
As shown in the plan view of FIG. 5, the cutout portion 5 can be extremely reduced, and thus the cost can be reduced.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図面に基
づいて一層具体的に説明する。図１はこの発明のシリコ
ン溶解用ルツボの製造方法を示す断面説明図である。
縦：３２０ｍｍ、横：３２０ｍｍ、高さ：４００ｍｍの
寸法を有する図１（ａ）に示される直方体蝋型１用意
し、この蝋型１を、市販の純度：９９．９９％、平均粒
径：４４μｍ以下の高純度溶融シリカ粉末：６５％をコ
ロイダルシリカに添加してなるスラリーに浸漬し、スラ
リーから引き上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、
このスラリー層の表面に純度：９９．９９％、最大粒
径：１５０メッシュの高純度溶融シリカ砂を散布してス
タッコ層を形成することにより蝋型の表面に高純度シリ
カ層を形成し、この操作を３回繰り返して蝋型１の表面
に３層からなる合計厚さ：３ｍｍの図１（ｂ）に示され
る高純度シリカ層２を形成した。Embodiments of the present invention will be described more specifically with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional explanatory view showing a method for manufacturing a crucible for melting silicon according to the present invention.
A rectangular parallelepiped wax mold 1 shown in FIG. 1A having dimensions of length: 320 mm, width: 320 mm, and height: 400 mm is prepared, and this wax mold 1 is commercially available with a purity of 99.99% and an average particle diameter: High-purity fused silica powder of 44 μm or less: immersed in a slurry obtained by adding 65% to colloidal silica, and withdrawn from the slurry to form a slurry layer on the surface of the wax mold,
A high-purity fused silica sand having a purity of 99.99% and a maximum particle size of 150 mesh is sprinkled on the surface of the slurry layer to form a stucco layer, thereby forming a high-purity silica layer on the surface of the wax pattern. The operation was repeated 3 times to form a high-purity silica layer 2 shown in FIG. 1 (b) having a total thickness of 3 mm on the surface of the wax mold 1 with a total thickness of 3 mm.
【００１３】この表面に高純度シリカ層２を有する蝋型
１を、さらに市販の純度：９９％、平均粒径：４４μｍ
以下の低純度溶融シリカ粉末：６８％をコロイダルシリ
カに添加してなるスラリーに浸漬し、スラリーから引き
上げて蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー
層の表面に純度：９９％、最大粒径：１５０メッシュの
低純度溶融シリカ砂を散布してスタッコ層を形成するこ
とにより蝋型の表面に低純度シリカ層を形成し、この操
作を７回繰り返して蝋型の表面に７層からなる合計厚
さ：１０ｍｍの図１（ｃ）に示される低純度シリカ層３
を形成した。A wax mold 1 having a high-purity silica layer 2 on the surface thereof was further commercialized with a purity of 99% and an average particle diameter of 44 μm.
The following low-purity fused silica powder: 68% was immersed in a slurry prepared by adding colloidal silica, and the slurry was pulled up from the slurry to form a slurry layer on the surface of the wax mold. Purity: 99%, maximum on the surface of this slurry layer A low-purity fused silica sand having a particle size of 150 mesh is sprinkled to form a stucco layer to form a low-purity silica layer on the surface of the wax mold, and this operation is repeated 7 times to form 7 layers on the surface of the wax mold. Total thickness: 10 mm of low-purity silica layer 3 shown in FIG. 1 (c)
Was formed.
【００１４】次に、蝋型１の表面に高純度シリカ層２お
よび低純度シリカ層３を形成した図１（ｃ）に示される
蝋型被覆体を温度：１００℃に加熱して蝋型１を溶解除
去し、得られた高純度シリカ層２および低純度シリカ層
３からなる積層体を温度：８００℃で８時間加熱保持す
ることにより焼成し、図２の斜視図に示されるような本
発明ルツボ４を製造した。Next, the wax-type coated body shown in FIG. 1C in which the high-purity silica layer 2 and the low-purity silica layer 3 are formed on the surface of the wax mold 1 is heated to a temperature of 100 ° C. Is dissolved and removed, and the obtained laminated body composed of the high-purity silica layer 2 and the low-purity silica layer 3 is fired by heating and holding it at a temperature of 800 ° C. for 8 hours to obtain a book as shown in the perspective view of FIG. Invention Crucible 4 was manufactured.
【００１５】この本発明ルツボを使用して縦：３２０ｍ
ｍ、横：３２０ｍｍ、高さ：３００ｍｍの寸法を有する
シリコンインゴットを製造し、このシリコンインゴット
から縦：１５０ｍｍ、横：１５０ｍｍ、厚さ：４００μ
ｍの寸法を有する角型シリコン板を作製し、このシリコ
ン板の端部を切除して太陽光発電用電池シリコン基板７
を製造したところ、図３の平面図に示されるように切除
部分５が極めて少なくすることができ、２１％の切除で
太陽光発電用電池シリコン基板７を製造することができ
た。Using this crucible of the present invention, length: 320 m
A silicon ingot having dimensions of m, width: 320 mm, height: 300 mm was manufactured, and from this silicon ingot, length: 150 mm, width: 150 mm, thickness: 400 μ.
A square silicon plate having a size of m is produced, and an end portion of the silicon plate is cut off to make a solar cell battery silicon substrate 7.
As shown in the plan view of FIG. 3, the cut portion 5 can be extremely reduced, and the solar battery cell silicon substrate 7 can be manufactured by cutting 21%.
【００１６】一方、比較のために、外径：１５０ｍｍの
丸棒状シリコンインゴットを用意し、このインゴットを
スライスして図４の平面図に示される直径：１５０ｍｍ
のシリコン円板６を作製し、このシリコン円板６の端部
を切除して縦：１００ｍｍ、横：１００ｍｍ、厚さ：４
００μｍの寸法を有する太陽光発電用電池シリコン基板
７を製造したところ、図４の平面図に示される切除部分
５は４３％に達した。On the other hand, for comparison, a round bar-shaped silicon ingot having an outer diameter of 150 mm is prepared, and the ingot is sliced to have a diameter of 150 mm shown in the plan view of FIG.
A silicon disc 6 of No. 1 is produced, and an end portion of the silicon disc 6 is cut off to be 100 mm in length, 100 mm in width, and 4 in thickness.
When the solar battery silicon substrate 7 having a size of 00 μm was manufactured, the cutout portion 5 shown in the plan view of FIG. 4 reached 43%.
【００１７】[0017]
【発明の効果】上述のように、この発明は、（１）ルツ
ボの内側が高純度シリカ層からなりルツボの外側が低純
度シリカ層からなる積層構造を有するのでシリコン溶解
用ルツボ自体の製造コストを下げることができる、
（２）従来のような黒鉛型を使用しないので規格外の形
状を有するシリコン溶解用ルツボ、例えばルツボの内側
空間が立方体または直方体形状を有するシリコン溶解用
ルツボを安価に製造することができる、（３）このルツ
ボを使用して角型シリコンインゴットを製造し、この角
型シリコンインゴットを使用して太陽光発電用電池シリ
コン基板などの正方形または長方形のシリコン基板を無
駄なく製造することができるなど、大量生産とコストダ
ウンに優れた効果を有するものである。As described above, according to the present invention, (1) the manufacturing cost of the crucible for melting silicon itself has a laminated structure in which the inside of the crucible is a high-purity silica layer and the outside of the crucible is a low-purity silica layer. Can be lowered,
(2) Since a graphite mold as in the conventional case is not used, a silicon melting crucible having a nonstandard shape, for example, a silicon melting crucible having an inner space of the crucible having a cubic or rectangular parallelepiped shape can be manufactured at low cost. 3) The crucible can be used to manufacture a square silicon ingot, and the square silicon ingot can be used to produce a square or rectangular silicon substrate such as a battery silicon substrate for photovoltaic power generation without waste. It has an excellent effect on mass production and cost reduction.
【図１】この発明のルツボの製造方法を説明するための
断面説明図である。FIG. 1 is a cross-sectional explanatory view for explaining a method of manufacturing a crucible of the present invention.
【図２】この発明のルツボの製造方法で得られた内側空
間が立方体または直方体形状を有するシリコン溶解用ル
ツボの斜視説明図である。FIG. 2 is a perspective explanatory view of a crucible for melting silicon having an inner space having a cubic or rectangular parallelepiped shape obtained by the method for manufacturing a crucible of the present invention.
【図３】この発明のルツボを使用して作製した角型シリ
コンインゴットのスライス板から太陽光発電用電池シリ
コン基板を切り出す方法を説明するための平面図であ
る。FIG. 3 is a plan view for explaining a method for cutting out a solar battery cell silicon substrate from a rectangular silicon ingot slice plate manufactured using the crucible of the present invention.
【図４】従来の丸棒シリコンインゴットのスライス板か
ら太陽光発電用電池シリコン基板を切り出す方法を説明
するための平面図である。FIG. 4 is a plan view for explaining a method of cutting out a solar battery cell silicon substrate from a conventional round bar silicon ingot slice plate.
１ 蝋型 ２ 高純度シリカ層 ３ 低純度シリカ層 ４ 本発明ルツボ ５ 切除部分 ６ シリコン円板 ７ 太陽光発電用電池シリコン基板 1 wax pattern 2 High-purity silica layer 3 Low-purity silica layer 4 The present invention crucible 5 excision part 6 Silicon disk 7 Photovoltaic battery silicon substrate
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−108515（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−126004（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−17996（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−279167（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−169798（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−255476（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−174151（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C01B 33/02 B22C 9/10 Front page continuation (56) Reference JP 62-108515 (JP, A) JP 7-126004 (JP, A) JP 56-17996 (JP, A) JP 6-279167 (JP , A) JP 8-169798 (JP, A) JP 9-255476 (JP, A) JP 8-174151 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB) Name) C01B 33/02 B22C 9/10
Claims (2)
を、純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ粉末とコ
ロイダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上げ
て前記蝋型の表面にスラリー層を形成し、このスラリー
層の表面に純度：９９．９％以上の高純度溶融シリカ砂
を散布してスタッコ層を形成することにより前記ルツボ
の内側空間と同じ形状を有する蝋型の表面に高純度シリ
カ層を形成し、 この表面に前記高純度シリカ層を形成した蝋型を、さら
に純度：９９．９％未満の低純度溶融シリカ粉末とコロ
イダルシリカからなるスラリーに浸漬した後引き上げて
前記高純度シリカ層の表面にスラリー層を形成し、この
スラリー層の表面に純度：９９．９％未満の低純度溶融
シリカ砂を散布してスタッコ層を形成することにより前
記高純度シリカ層の上に低純度シリカ層を形成し、 次いで、前記ルツボの形状を有する蝋型を溶融除去する
ことを特徴とするシリコン溶解用ルツボの製造方法。1. A wax mold having the same shape as the inner space of a crucible is dipped in a slurry composed of high-purity fused silica powder having a purity of 99.9% or more and colloidal silica and then pulled up to form a slurry on the surface of the wax mold. A layer is formed, and a high-purity fused silica sand having a purity of 99.9% or more is sprinkled on the surface of the slurry layer to form a stucco layer, thereby forming a wax-shaped surface having the same shape as the inner space of the crucible. A wax pattern having a high-purity silica layer formed thereon and having the high-purity silica layer formed on the surface thereof is further immersed in a slurry of low-purity fused silica powder having a purity of less than 99.9% and colloidal silica, and then pulled up. By forming a slurry layer on the surface of the high-purity silica layer and spraying low-purity fused silica sand having a purity of less than 99.9% on the surface of the slurry layer to form a stucco layer, A method for producing a crucible for melting silicon, comprising forming a low-purity silica layer on a high-purity silica layer, and then melting and removing the wax mold having the shape of the crucible.
回繰り返し、さらに前記低純度シリカ層を形成する操作
を複数回繰り返すことにより形成することを特徴とする
請求項１記載のシリコン溶解用ルツボの製造方法。2. The silicon melting material according to claim 1, wherein the operation is performed by repeating the operation of forming the high-purity silica layer a plurality of times and further repeating the operation of forming the low-purity silica layer a plurality of times. Crucible manufacturing method.
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| JP27893497A JP3528540B2 (en) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | Method of manufacturing crucible for dissolving silicon |
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- 1997-10-13 JP JP27893497A patent/JP3528540B2/en not_active Expired - Lifetime
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