JP3523280B2 - Manufacturing method of multilayer ceramic parts - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、主にマイクロ波領域で
使用される誘電体共振器やフィルター、誘電体基板、温
度補償用コンデンサーなどに用いられる誘電体セラミッ
ク材料を得、これを用いて多層セラミック部品を製造す
る方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention obtains a dielectric ceramic material mainly used in dielectric resonators and filters used in the microwave region, dielectric substrates, temperature compensating capacitors, etc. It relates to a method of manufacturing a multilayer ceramic component.

【０００２】[0002]

【従来の技術】誘電体共振器の使用周波数領域が拡大す
るにつれて、特にマイクロ波領域において使用される誘
電体共振器の小型化が望まれている。2. Description of the Related Art As the frequency range of use of dielectric resonators expands, there is a demand for miniaturization of dielectric resonators used especially in the microwave range.

【０００３】このような要請からマイクロ波用誘電体材
料が種々開発されており、特に小型化を実現するものと
して高誘電率を示すことが要求される。In response to such demands, various microwave dielectric materials have been developed, and it is particularly required to exhibit a high dielectric constant as a material for realizing miniaturization.

【０００４】高誘電率のマイクロ波用誘電体材料として
は、ＢａＯ−Ｎｄ₂ Ｏ₃ −ＴｉＯ₂−Ｂｉ₂ Ｏ₃ 系やＢ
ａＯ−ＰｂＯ−Ｎｄ₂ Ｏ₃ −ＴｉＯ₂ 系の材料が挙げら
れる。Examples of high dielectric constant microwave dielectric materials include BaO—Nd ₂ O ₃ —TiO ₂ —Bi ₂ O ₃ and B.
_{aO-PbO-Nd 2 O 3} -TiO 2 based materials.

【０００５】しかし、これらのものでは、誘電率が高い
とはいえ、後述のように、導体と同時焼成できないこと
に起因する構造上の制約から小型化に不向きであり、小
型化の要請に十分応えるものではない。また、誘電損失
や誘電率の温度特性（共振周波数温度係数）の点でも十
分ではない。さらに、焼結体を得る際の焼成温度が１２
７０〜１４００℃と高く、製造上不利である。However, although these materials have a high dielectric constant, they are not suitable for miniaturization due to structural restrictions due to the fact that they cannot be co-fired with the conductors, as will be described later. It does not respond. Further, the temperature characteristics of dielectric loss and dielectric constant (temperature coefficient of resonance frequency) are not sufficient. Furthermore, the firing temperature for obtaining the sintered body is 12
It is as high as 70 to 1400 ° C, which is disadvantageous in manufacturing.

【０００６】また、誘電率を、さらに、高いものとする
ために、マイクロ波に適したＡｇ、Ｃｕ等を内部電極と
して用い、セラミック材料を積層する方法が採用されて
いる。しかし、上記のようなセラミック材料では、Ａ
ｇ、Ｃｕ等の導電体材料の融点に比べて焼成温度が高い
ため同時焼成ができないという問題が指摘されている。
この同時焼成の問題は、Ａｇ、Ｃｕ等を電極導体とし温
度補償用コンデンサー材料とするときにも同様に指摘さ
れる。In order to further increase the dielectric constant, a method is adopted in which Ag, Cu, etc. suitable for microwaves are used as internal electrodes and ceramic materials are laminated. However, in the above ceramic materials, A
It has been pointed out that the simultaneous firing cannot be performed because the firing temperature is higher than the melting points of the conductor materials such as g and Cu.
This problem of simultaneous firing is similarly pointed out when Ag, Cu or the like is used as an electrode conductor and a temperature compensating capacitor material is used.

【０００７】このようなことから、これに対処するもの
として、低温焼成マイクロ波材料が開示されている（大
川等、「第１０回電子材料研究討論会講演予稿集」ｐ２
５〜２６）。In view of the above, a low temperature firing microwave material has been disclosed as a means for dealing with this (Okawa et al., "Proceedings of the 10th Electronic Materials Research Symposium Lecture Proceedings" p2).
5-26).

【０００８】このものは、Ｎｄ₂ Ｏ₃ 、ＢａＯ、ＴｉＯ
₂ 、Ｂｉ₂ Ｏ₃ 、ＰｂＯおよびガラス添加剤を仮焼後、
大気中で９００〜９５０℃で焼成して得られるものであ
り、Ａｇの融点より低い温度で焼結でき、比誘電率
（ε）７５、誘電損失（Ｑ・ｆ値）２５００以上、共振
周波数温度係数（τｆ）±１５以内の特性を有する。This is composed of Nd ₂ O ₃ , BaO and TiO.
After calcination of ₂ , Bi ₂ O ₃ , PbO and glass additives,
It is obtained by firing in air at 900 to 950 ° C., can be sintered at a temperature lower than the melting point of Ag, has a relative dielectric constant (ε) of 75, a dielectric loss (Q · f value) of 2500 or more, and a resonance frequency temperature. It has characteristics within a coefficient (τf) ± 15.

【０００９】また、これと同様の組成の低温焼成可能な
誘電体磁器が特開平３−２９５８５４号、特開平３−２
９５８５５号、特開平３−２９５８５６号、特開平３−
２９５８５８号、特開平３−２９５８５９号公報に記載
されている。Dielectric ceramics having the same composition as the above and capable of low temperature firing are disclosed in Japanese Patent Laid-Open Nos. 3-295854 and 3-2.
95855, JP-A-3-295856, JP-A-3-
295858 and JP-A-3-295859.

【００１０】従って、これらのものとマイクロ波誘電特
性が同等以上であり、低温焼成可能な材料の開発が望ま
れる。Therefore, it is desired to develop a material which has the same or higher microwave dielectric characteristics as those of these materials and which can be fired at a low temperature.

【００１１】一方、共振器等の多層セラミック部品を作
製する場合、グリーンシート法や積層印刷法が適用され
ており、上記のように、導体材料とセラミック材料とを
同時焼成する方法が採用されている。On the other hand, when manufacturing a multilayer ceramic component such as a resonator, a green sheet method or a laminated printing method is applied, and as described above, a method of simultaneously firing a conductor material and a ceramic material is adopted. There is.

【００１２】この場合、高特性を得るためには、誘電体
材料の面のみならず、製法等の他の面からの改善も必要
である。In this case, in order to obtain high characteristics, it is necessary to improve not only the surface of the dielectric material but also other aspects such as the manufacturing method.

【００１３】[0013]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、誘電
率、誘電損失、共振周波数温度係数等のマイクロ波誘電
特性が実用上十分であり、焼成温度を低下させることが
可能な誘電体セラミック材料を得、この誘導体セラミッ
ク材料を用いて、共振器としてのＱ値が高いなど、特性
に優れた多層セラミック部品を得る多層セラミック部品
の製造方法を提供することにある。DISCLOSURE OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a dielectric ceramic which has practically sufficient microwave dielectric properties such as dielectric constant, dielectric loss, and temperature coefficient of resonance frequency and which can lower the firing temperature. It is an object of the present invention to provide a method for producing a multilayer ceramic component, which obtains a material and uses this derivative ceramic material to obtain a multilayer ceramic component having excellent characteristics such as a high Q value as a resonator.

【００１４】[0014]

【００１５】[0015]

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
の構成によって達成される。 （１） バリウム、ネオジウムおよびチタンの酸化物を
主成分とする誘電体セラミック材料であって、前記主成
分は、組成式をｘＢａＯ・ｙＴｉＯ₂ ・ｚＮｄ₂ Ｏ₃ で
表したとき、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％として、 ７≦ｘ≦２５、５５≦ｙ≦７８および１０≦ｚ≦２５ の関係を有し、前記主成分に対し、Ｂｉ₂ Ｏ₃ を０〜１
５wt% ；ＰｂＯを２０〜８６．５wt% 、Ｂ₂ Ｏ₃ を８．
５〜２１wt% 、ＺｎＯを５〜５０wt% 含有するガラスを
４〜２５wt% ；Ａｌ₂ Ｏ₃ を０．０５〜２．５wt% 添加
した誘電体セラミック材料層上に内部導体のパターンを
形成し、誘電体セラミック材料層と積層して焼成するこ
とにより得られた多層セラミック部品であって、前記内
部導体の融点以上の温度で焼成する多層セラミック部品
の製造方法。 （２） バリウム、ネオジウムおよびチタンの酸化物を
主成分とする誘電体セラミック材料であって、前記主成
分は、組成式をｘＢａＯ・ｙＴｉＯ₂ ・ｚＮｄ₂ Ｏ₃ で
表したとき、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％として、 ７≦ｘ≦２５、５５≦ｙ≦７８および１０≦ｚ≦２５ の関係を有し、前記主成分に対し、Ｂｉ₂ Ｏ₃ を０〜１
５wt% ；ＰｂＯを２０〜８６．５wt% 、Ｂ₂ Ｏ₃ を８．
５〜２１wt% 、ＺｎＯを５〜５０wt% 含有するガラスを
４〜２５wt% ；Ａｌ₂ Ｏ₃ を０．０５〜２．５wt% 添加
した誘電体セラミック材料層上に内部導体のパターンを
形成し、誘電体セラミック材料層と積層して焼成するこ
とにより得られた多層セラミック部品であって、前記焼
成雰囲気の酸素分圧を５×１０^-2atm 以下とする多層セ
ラミック部品の製造方法。 （３） 前記内部導体の融点以上の温度で焼成する上記
（２）の多層セラミック部品の製造方法。 （４） 前記主成分に対し、ＭｎＯを０．０５〜１．５
wt% 添加した上記（１）〜（３）のいずれかの多層セラ
ミック部品の製造方法。 （５） 少なくとも前記主成分の原料を仮焼したのち、
前記ガラスを添加し、その後焼成して得られた上記
（１）〜（４）のいずれかに記載の多層セラミック部品
の製造方法。 （６） 前記主成分に対し、仮焼したのち、さらにＣｕ
Ｏを０．２５〜４．０wt% 添加するか、これにかえて、
あるいはこれに加えて、ＴｉＯ₂ および／またはチタン
酸塩を１０wt% 以下添加した上記（５）の多層セラミッ
ク部品の製造方法。Such an object is achieved by the following constitution. (1) A dielectric ceramic material containing oxides of barium, neodymium and titanium as main components, wherein the main components have x + y + z = 100 mol when the composition formula is represented by xBaO.yTiO ₂ .zNd ₂ O _3. %, The relationship of 7 ≦ x ≦ 25, 55 ≦ y ≦ 78 and 10 ≦ z ≦ 25 is satisfied, and Bi ₂ O ₃ is 0 to 1 with respect to the main component.
5 wt%; PbO 20 to 86.5 wt%, B ₂ O ₃ 8.
5 to 21 wt%, 4 to 25 wt% of glass containing 5 to 50 wt% of ZnO; 0.05 to 2.5 wt% of Al ₂ O ₃ is added to form a pattern of an internal conductor on the dielectric ceramic material layer, A method for producing a multilayer ceramic component, which is obtained by laminating a dielectric ceramic material layer and firing the laminated ceramic component, the firing being performed at a temperature equal to or higher than a melting point of the internal conductor. (2) A dielectric ceramic material containing oxides of barium, neodymium and titanium as main components, wherein the main components have x + y + z = 100 mol when the composition formula is represented by xBaO.yTiO ₂ .zNd ₂ O _3. %, The relationship of 7 ≦ x ≦ 25, 55 ≦ y ≦ 78 and 10 ≦ z ≦ 25 is satisfied, and Bi ₂ O ₃ is 0 to 1 with respect to the main component.
5 wt%; PbO 20 to 86.5 wt%, B ₂ O ₃ 8.
5 to 21 wt%, 4 to 25 wt% of glass containing 5 to 50 wt% of ZnO; 0.05 to 2.5 wt% of Al ₂ O ₃ is added to form a pattern of an internal conductor on the dielectric ceramic material layer, A method for producing a multilayer ceramic component obtained by laminating a dielectric ceramic material layer and firing the laminate, wherein the oxygen partial pressure of the firing atmosphere is 5 × 10 ^-2 atm or less. (3) The method for producing a multilayer ceramic component according to (2) above, which is fired at a temperature equal to or higher than the melting point of the internal conductor. (4) MnO is added to the main component in an amount of 0.05 to 1.5.
The method for producing a multilayer ceramic component according to any one of (1) to (3) above, wherein wt% is added. (5) After calcining at least the raw material of the main component,
The method for producing a multilayer ceramic component according to any of (1) to (4) above, which is obtained by adding the glass and then firing the glass. (6) After the main component is calcined, Cu is further added.
Add 0.25-4.0 wt% O or replace it with
Alternatively, in addition to this, the method for producing a multilayer ceramic component according to the above (5), wherein TiO ₂ and / or titanate is added in an amount of 10 wt% or less.

【００１６】[0016]

【作用】本発明では、バリウム、ネオジウムおよびチタ
ンの酸化物を主成分として用い、この主成分の組成式を
ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ₂ ・ｚＮｄ₂ Ｏ₃ で表したとき、ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１００モル％として、７≦ｘ≦２５、５≦ｙ
≦７８および１０≦ｚ≦２５の関係を満足するように、
上記の酸化物を混合する。そして、さらに、これにＢｉ
₂ Ｏ₃ を０〜１５wt% 、ＭｎＯを０．０５〜１．５wt%
、さらに好ましくはＡｌ₂ Ｏ₃ を０．０５〜２．５wt%
混合し、仮焼する。この仮焼物にガラスを４〜２５wt%
、好ましくはＣｕＯを０．２〜４wt% 、ＴｉＯ₂ を１
０wt% 以下添加し、このものを粉砕、造粒し、成形後、
焼成する。このとき、ガラスはＰｂＯ₂ ０〜８６．５wt
% 、Ｂ₂ Ｏ₃ ８．５〜２１wt% 、ＺｎＯ５〜５０wt% 含
有する組成を有する。According to the present invention, barium, used as the main component an oxide of neodymium and titanium, when expressed the composition formula of the main component in the _{xBaO · yTiO 2 · zNd 2 O} 3, x
+ Y + z = 100 mol%, 7 ≦ x ≦ 25, 5 ≦ y
To satisfy the relationship of ≦ 78 and 10 ≦ z ≦ 25,
Mix the above oxides. And, in addition, Bi
₂ O _{3 0} to 15 wt%, MnO 0.05 to 1.5 wt%
, More preferably 0.05 to 2.5 wt% of Al ₂ O ₃
Mix and calcine. 4 ~ 25wt% glass in this calcined product
Preferably 0.2 to 4 wt% CuO and 1 TiO ₂ .
Add 0 wt% or less, crush and granulate this, and after molding,
Bake. At this time, the glass is PbO _{2 0 to} 86.5 wt.
%, B ₂ O ₃ 8.5 to 21 wt%, and ZnO _{5 to} 50 wt%.

【００１７】このようにして得られた誘電体セラミック
材料は、誘電率、誘電損失、共振周波数温度係数等のマ
イクロ波誘電特性において実用上十分なものとなる。ま
た、ＭｎＯを添加することにより焼結性が向上し、９０
０〜１１５０℃の温度での低温焼成が可能となる。特
に、後述のように、内部導体材料と同時焼成して多層セ
ラミック部品を得る場合酸素分圧の低い雰囲気中で焼成
することがより好ましいが、この条件下の焼成において
も良好な特性が得られる。The dielectric ceramic material thus obtained is practically sufficient in microwave dielectric characteristics such as dielectric constant, dielectric loss, and temperature coefficient of resonance frequency. Also, the addition of MnO improves the sinterability,
Low temperature firing at a temperature of 0 to 1150 ° C. is possible. In particular, as will be described later, when a multilayer ceramic component is obtained by co-firing with an internal conductor material, it is more preferable to perform firing in an atmosphere with a low oxygen partial pressure, but good properties can be obtained even under this condition. .

【００１８】なお、特開平３−２９５８５４号、特開平
３−２９５８５５号、特開平３−２９５８５６号、特開
平３−２９５８５８号、特開平３−２９５８５９号や大
川等、「第１０回電子材料研究討論会講演予稿集」ｐ２
５〜２６、などには、本発明と類似の組成の誘電体磁器
組成物が記載されている。It should be noted that Japanese Patent Laid-Open Nos. 3-295854, 3-295855, 3-295856, 3-295858, 3-295859, Okawa et al. Proceedings of the discussion session "p2
5 to 26, etc., a dielectric ceramic composition having a composition similar to that of the present invention is described.

【００１９】しかし、これらに記載されている組成は、
本発明と異なり、ＭｎＯを必須成分とするものではな
い。従って、ＭｎＯ添加によって得られる本発明の効果
は、この組成では得られるものではない。However, the compositions described therein are
Unlike the present invention, MnO is not an essential component. Therefore, the effect of the present invention obtained by adding MnO cannot be obtained with this composition.

【００２０】また、上記公報等に記載される誘電体磁器
組成物では、ガラス等も含めて仮焼して焼成する方法を
採用しているが、本発明では好ましくは仮焼物にガラス
等を添加して焼成する方法を採用しており、これによっ
て特性が向上する。従って、上記公報等に記載の方法を
採用しては特性向上の効果は得られるものではない。Further, the dielectric ceramic composition described in the above publications adopts a method of calcining and firing including glass and the like, but in the present invention, glass or the like is preferably added to the calcined product. Then, the firing method is adopted, which improves the characteristics. Therefore, the effect of improving the characteristics cannot be obtained by adopting the method described in the above publication.

【００２１】本発明の多層セラミック部品は、好ましく
は上記の本発明の誘電体セラミック材料を用い、Ａｇ、
Ｃｕ等の内部導体材料と同時焼成して得られる。The multilayer ceramic component of the present invention preferably uses the above-mentioned dielectric ceramic material of the present invention and is made of Ag,
It is obtained by co-firing with an internal conductor material such as Cu.

【００２２】このため、内部導体が溶融して緻密化し、
導体粉によって生じる内部導体内の粒界を実質的に消滅
させることができ、共振器としてのＱ値を向上するな
ど、特性の向上を図ることができる。Therefore, the inner conductor is melted and densified,
Grain boundaries in the inner conductor generated by the conductor powder can be substantially eliminated, and the characteristics such as the Q value of the resonator can be improved.

【００２３】なお、前記の特開平３−２９５８５４号等
の公報や大川等、「第１０回電子材料研究討論会講演予
稿集」ｐ２５〜２６、などには、内部導体材料と同時焼
成する場合、内部導体材料の溶融を防止するため、内部
導体材料の融点以下の温度で焼成する必要があることが
記載されており、そのため低温焼成用の組成が種々提案
されている。In the publications such as the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 3-295854 and Okawa et al., "Proceedings of the 10th Electronic Material Research Conference," p25-26, etc. It is described that firing is required at a temperature equal to or lower than the melting point of the internal conductor material in order to prevent melting of the internal conductor material, and therefore various compositions for low temperature firing have been proposed.

【００２４】しかし、本出願人によれば、ＭｎＯを添加
した前記の本発明の組成のみならず、この組成において
ＭｎＯを添加しない組成においても、内部導体を溶融す
ることによって格段と特性が向上することが確認されて
いる。内部導体を溶融させること、従って溶融による効
果は、上記公報等には示唆すらされておらず、本出願人
によってはじめて見い出されたことである。However, according to the applicant, not only the composition of the present invention to which MnO is added, but also the composition to which MnO is not added, the characteristics are remarkably improved by melting the internal conductor. It has been confirmed. The melting of the internal conductor, and hence the effect of melting, has not been suggested even in the above-mentioned publications or the like, and has been found by the applicant of the present invention for the first time.

【００２５】さらに、本発明では、上記の同時焼成する
方法を採用する場合、焼成雰囲気の酸素分圧Ｐｏ₂ を５
×１０^-2atm 以下とする。このように酸素分圧を低くし
た焼成雰囲気とすることによって、Ａｇ等の内部導体の
拡散による薄層化、ひいては内部導体の消失を防止する
ことができ、共振器としてのＱ値が高いなど、特性に優
れたものとすることができる。上記の同時焼成におい
て、焼成を空気等の酸素雰囲気中で行った場合、焼成中
に内部導体が拡散して薄層化することが確認されてい
る。Further, in the present invention, when the above-mentioned method of simultaneous firing is adopted, the oxygen partial pressure Po ₂ of the firing atmosphere is set to 5
× 10 ^-2 atm or less. By thus setting the firing atmosphere with a low oxygen partial pressure, it is possible to prevent the inner conductor such as Ag from being diffused to form a thin layer and to prevent the inner conductor from disappearing, and the Q value as a resonator is high. It can be made to have excellent characteristics. In the above co-firing, it has been confirmed that when firing is carried out in an oxygen atmosphere such as air, the internal conductor diffuses during firing to form a thin layer.

【００２６】これは、誘電体セラミック材料に添加され
たガラス中にＡｇ等の導体金属がイオン化するなどして
拡散して取り込まれるためと考えられる。この内部導体
材料の拡散は、本発明の前記のＭｎＯを添加した組成あ
るいはこの組成においてＭｎＯを添加しない組成におい
て特に顕著であることが確認されている。従って、内部
導体材料の拡散は、Ｃｕ、Ａｇ等の比較的拡散しやすい
とされているもののみならず、Ｂｉ₂ Ｏ₃ を添加した組
成では、特に、従来のセラミック材料で問題とならない
Ｐｄ等においても生ずる程である。また、内部導体材料
の拡散は、本発明の前記組成のように、焼結性向上のた
め、好ましくは添加されるＣｕＯとガラスが共存すると
きに顕著である。It is considered that this is because the conductive metal such as Ag is diffused and taken into the glass added to the dielectric ceramic material by being ionized. It has been confirmed that this diffusion of the internal conductor material is particularly remarkable in the above-described composition of the present invention to which MnO is added or in this composition where MnO is not added. Therefore, the diffusion of the internal conductor material is not limited to Cu, Ag, etc., which are said to be relatively easy to diffuse, and in the composition containing Bi ₂ O ₃ , Pd, etc., which does not pose a problem particularly with conventional ceramic materials. Even in. Further, the diffusion of the internal conductor material is remarkable when the added CuO and glass coexist for improving the sinterability, as in the above composition of the present invention.

【００２７】本発明では、例えば焼成雰囲気の酸素分圧
を低くすることによって、Ａｇ等の導体金属がガラス中
に溶解しやすい形（例えばイオン）になるのを防止し
て、内部導体の拡散による薄層化を防止することができ
る。In the present invention, by lowering the oxygen partial pressure in the firing atmosphere, for example, it is possible to prevent the conductive metal such as Ag from becoming a form (for example, ions) which is easily dissolved in the glass, and to diffuse the internal conductor. It is possible to prevent thinning.

【００２８】なお、特開平２−１２２５９８号、特開平
２−１２２５１１号にはセラミック材料とＡｇ等の内部
導体を低酸素濃度雰囲気中で同時焼成することが開示さ
れている。しかし、セラミック材料として、本発明にお
ける組成は示されていない。It should be noted that JP-A-2-122598 and JP-A-2-122511 disclose simultaneous firing of a ceramic material and an internal conductor such as Ag in a low oxygen concentration atmosphere. However, the composition in the present invention is not shown as a ceramic material.

【００２９】[0029]

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。Specific Structure The specific structure of the present invention will be described in detail below.

【００３０】本発明の誘電体セラミックス材料は、バリ
ウム、ネオジウムおよびチタンの酸化物を主成分とし、
組成式をｘＢａＯ・ｙＴｉＯ₂ ・ｚＮｄ₂ Ｏ₃ で表した
とき、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％として、ｘ、ｙ、ｚは
次の関係を有する。The dielectric ceramic material of the present invention contains barium, neodymium and titanium oxides as main components,
When the composition formula is represented by xBaO.yTiO ₂ .zNd ₂ O ₃ , x, y, and z have the following relationships with x + y + z = 100 mol%.

【００３１】ｘは、７≦ｘ≦２５、好ましくは９≦ｘ≦
２０、ｙは、５５≦ｙ≦７８、好ましくは６５≦ｙ≦７
３、ｚは、１０≦ｚ≦２５、好ましくは１４≦ｚ≦１９
である。X is 7 ≦ x ≦ 25, preferably 9 ≦ x ≦
20, y is 55 ≦ y ≦ 78, preferably 65 ≦ y ≦ 7
3, z is 10 ≦ z ≦ 25, preferably 14 ≦ z ≦ 19
Is.

【００３２】そして、本発明では、上記の主成分に対
し、ＭｎＯを０．０５〜１．５wt% 、好ましくは０．１
〜１．０wt% 、またガラスを４〜２５wt% 、好ましくは
５〜２０wt% 添加する。また、Ｂｉ₂ Ｏ₃ は目的等に応
じて添加してもしなくてもよく、添加するときの添加量
は１５wt% 以下、さらには２〜１５wt% 、特には３〜１
１wt% とすることが好ましい。In the present invention, MnO is contained in an amount of 0.05 to 1.5 wt%, preferably 0.1
.About.1.0 wt%, and glass is added at 4 to 25 wt%, preferably 5 to 20 wt%. Further, Bi ₂ O ₃ may or may not be added depending on the purpose and the like, and the addition amount at the time of addition is 15 wt% or less, further 2 to 15 wt%, especially 3 to 1
It is preferably 1 wt%.

【００３３】主成分おけるｘ、ｙ、ｚを上記範囲とし、
Ｂｉ₂ Ｏ₃ 、ＭｎＯおよびガラスを上記にように添加す
ることにより、本発明の効果が得られる。X, y, z in the main component are in the above ranges,
The effects of the present invention can be obtained by adding Bi ₂ O ₃ , MnO and glass as described above.

【００３４】これに対し、ｘ、ｙ、ｚが上記範囲外とな
ると、いずれにおいても焼結性が悪化し、また共振周波
数温度係数が悪化し、Ｑ・ｆ値が大幅に低下する。On the other hand, when x, y and z are out of the above range, the sinterability is deteriorated and the temperature coefficient of resonance frequency is deteriorated and the Q · f value is greatly reduced.

【００３５】また、ＭｎＯの添加量が０．０５wt% 未満
となるとＭｎＯ添加の効果がなく、焼結性を改善するこ
とができず、低温焼成が不可能となる。一方、ＭｎＯの
添加量が１．５wt% をこえると、焼結性が悪化し、Ｑ・
ｆ値が低下する。If the amount of MnO added is less than 0.05 wt%, the effect of adding MnO is not obtained, the sinterability cannot be improved, and low temperature firing becomes impossible. On the other hand, if the addition amount of MnO exceeds 1.5 wt%, the sinterability deteriorates and Q.
The f value decreases.

【００３６】このＭｎＯ添加による効果は、酸素雰囲気
中での焼成、酸素分圧の低い雰囲気中での焼成のいずれ
においても得られるものであり、ともにＱ・ｆ値が向上
する。特に、後述のように、内部導体材料と同時焼成し
て多層セラミック部品を得る場合、酸素分圧の低い雰囲
気中での焼成が必要となるが、このような条件において
共振器としての高いＱ値を得ることが可能になる。The effect of adding MnO can be obtained both in firing in an oxygen atmosphere and in an atmosphere with a low oxygen partial pressure, and both improve the Q · f value. In particular, as will be described later, when a multilayer ceramic component is obtained by co-firing with an internal conductor material, firing in an atmosphere with a low oxygen partial pressure is required. Under such conditions, a high Q value as a resonator is required. It will be possible to obtain.

【００３７】また、目的等に応じて添加されるＢｉ₂ Ｏ
₃ はＱ・ｆ値を高くするためには添加しない方が好まし
く、誘電率を高くするためには添加する方が好ましい。
添加する場合の添加量を１５wt% 以下とするのは、１５
wt% を超えると、焼結性が悪化し、Ｑ・ｆ値が低下する
からである。Bi ₂ O added depending on the purpose and the like
₃ is preferably not added to increase the Q · f value, and is preferably added to increase the dielectric constant.
If the amount of addition is 15 wt% or less,
This is because if it exceeds wt%, the sinterability deteriorates and the Q · f value decreases.

【００３８】上記において、ガラスの添加量が４wt% 未
満になると、焼結性が悪化し、焼成温度を高くする必要
があり、このようにすると、ガラスと他の成分が反応し
て特性が急激に劣化する。また、２５wt% を超えると、
Ｑ・ｆ値が低下し、共振周波数温度係数が悪化する。ま
た焼結性も悪化する。In the above, if the amount of glass added is less than 4 wt%, the sinterability deteriorates, and it is necessary to raise the firing temperature. In this case, the glass reacts with other components and the characteristics are rapidly increased. Deteriorates. Also, if it exceeds 25 wt%,
The Q · f value decreases, and the resonance frequency temperature coefficient deteriorates. In addition, the sinterability also deteriorates.

【００３９】本発明におけるガラスは、ＰｂＯを２０〜
８６．５wt% 、好ましくは３０〜８４wt% 、Ｂ₂ Ｏ₃ を
８．５〜２１wt% 、好ましくは９〜１９wt% 、ＺｎＯを
５〜５０wt% 、好ましくは７〜４３wt% 含有する。さら
に、Ａｌ₂ Ｏ₃ および／またはＳｉＯ₂ を含有してもよ
く、これらのものを含有するときの含有量は、Ａｌ₂ Ｏ
₃ が２０wt% 以下、好ましくは０．１〜５wt% 、ＳｉＯ
₂ が９wt% 以下、好ましくは２〜７wt% とするのがよ
い。The glass in the present invention contains 20 to 20% of PbO.
86.5wt%, preferably 30~84wt%, B ₂ O ₃ and 8.5~21wt%, preferably 9~19wt%, 5~50wt% of ZnO, preferably contain 7~43wt%. Further, Al ₂ O ₃ and / or SiO ₂ may be contained, and when these are contained, the content is Al ₂ O 3.
₃ is 20 wt% or less, preferably 0.1 to 5 wt%, SiO
₂ is 9 wt% or less, preferably ₂ to 7 wt%.

【００４０】このような組成のガラスを用いることによ
って、本発明の効果が向上する。The effect of the present invention is improved by using the glass having such a composition.

【００４１】ＰｂＯが少なすぎると、焼結性が悪化し、
マイクロ波誘電特性が不十分となりやすく、多すぎると
ガラス化が困難となり、またＱ・ｆ値が低下する。If the amount of PbO is too small, the sinterability deteriorates,
Microwave dielectric properties tend to be insufficient, and when the amount is too large, vitrification becomes difficult and the Q · f value decreases.

【００４２】また、Ｂ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＯでは、少なすぎる
と焼結性が悪化しやすくなり、多すぎるとマイクロ波誘
電特性が不十分となりやすい。If B ₂ O ₃ or ZnO is too small, the sinterability tends to deteriorate, and if it is too large, the microwave dielectric property tends to be insufficient.

【００４３】また、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ の含有量が多
すぎると、マイクロ波誘電特性が不十分になりやすい。
また、焼結性も悪化しやすくなる。If the content of Al ₂ O ₃ or SiO ₂ is too large, the microwave dielectric property tends to be insufficient.
In addition, the sinterability also tends to deteriorate.

【００４４】また、主成分に対し、Ａｌ₂ Ｏ₃ を０．０
５〜２．５wt% 、好ましくは０．１〜２．０wt% 添加す
ることが好ましい。Ａｌ₂ Ｏ₃ を、このように添加する
ことにより、マイクロ波誘電特性、特に共振周波数温度
特性の点が改善される。ただし、この添加量が多くなり
すぎると、焼結性が悪化し、誘電率が低下する。Further, with respect to the main component, Al ₂ O ₃ is added to 0.0
It is preferable to add 5 to 2.5 wt%, preferably 0.1 to 2.0 wt%. The addition of Al ₂ O ₃ in this way improves the microwave dielectric characteristics, particularly the resonance frequency temperature characteristics. However, if the addition amount is too large, the sinterability deteriorates and the dielectric constant decreases.

【００４５】本発明の誘電体セラミック材料は、以下の
ようにして得られる。The dielectric ceramic material of the present invention is obtained as follows.

【００４６】主成分であるバリウム、ネオジウムおよび
チタンの酸化物とＭｎＯおよび必要に応じてＢｉ₂ Ｏ
₃ 、さらに必要に応じ、好ましくはＡｌ₂ Ｏ₃ をそれぞ
れ、所定量秤量して混合し、仮焼する。混合は水等を用
いた湿式混合等によればよく、４〜２４時間程度行なえ
ばよい。Oxides of barium, neodymium and titanium, which are the main components, MnO and, if necessary, Bi ₂ O
₃ , and if necessary, preferably Al ₂ O ₃ is weighed and mixed in a predetermined amount, and calcined. The mixing may be performed by wet mixing using water or the like, and may be performed for about 4 to 24 hours.

【００４７】仮焼は、１２００〜１３５０℃で１〜２時
間程度行なうことが好ましい。The calcination is preferably carried out at 1200 to 1350 ° C. for about 1 to 2 hours.

【００４８】そして、上記の仮焼物に所定量のガラスを
添加して粉砕し、造粒後、成型（成形ともいう。）し、
焼成する。Then, a predetermined amount of glass is added to the above calcined product, and the mixture is crushed, granulated, and molded (also referred to as molding),
Bake.

【００４９】このときの粉砕は湿式粉砕によればよく、
４〜６時間行なえばよい。The crushing at this time may be wet crushing,
It may be carried out for 4 to 6 hours.

【００５０】また、造粒は、有機バインダー（ポリビニ
ルアルコール系、アクリル系等）と共に行なえばよく、
成型時の圧力は８００〜４０００kg/cm²程度とすればよ
く、円柱状等に成型すればよい。The granulation may be performed with an organic binder (polyvinyl alcohol type, acrylic type, etc.),
The pressure at the time of molding may be about 800 to 4000 kg / cm ^2, and it may be molded into a columnar shape or the like.

【００５１】また焼成は９００〜１１５０℃の温度で１
０分〜１４時間程度行なえばよく、低温焼成が可能とな
る。焼成雰囲気は、空気等の酸素雰囲気とすればよい。The firing is carried out at a temperature of 900 to 1150 ° C.
The baking may be performed for about 0 minutes to 14 hours, and low temperature firing becomes possible. The firing atmosphere may be an oxygen atmosphere such as air.

【００５２】なお、焼成雰囲気は、酸素雰囲気に限定さ
れず、酸素分圧の低い雰囲気としてよい。特に内部導体
材料と同時焼成して多層セラミック部品を得る場合につ
いては後述する。The firing atmosphere is not limited to the oxygen atmosphere but may be an atmosphere having a low oxygen partial pressure. In particular, the case of co-firing with the internal conductor material to obtain a multilayer ceramic component will be described later.

【００５３】焼成により、ＢａＮｄ₂ Ｔｉ₅ Ｏ₁₄におい
て、適宜、添加金属元素が置換された形の複合酸化物を
主相とする焼結体が生成すると考えられる。It is considered that the calcination produces a sintered body containing BaNd ₂ Ti ₅ O ₁₄ as a main phase, which is a complex oxide in which the additive metal element is appropriately substituted.

【００５４】上記において用いるバリウム、ネオジウム
およびチタンの酸化物（ＢａＯ、Ｎｄ₂ Ｏ₃ 、ＴｉＯ
₂ ）、Ｂｉ₂ Ｏ₃ 、ＭｎＯ、Ａｌ₂ Ｏ₃ は、これらの酸
化物のほか、仮焼ないし焼成により酸化物に変化する炭
酸化合物（ＢａＣＯ₃ 、ＭｎＣＯ₃ 等）などを用いても
よい。Barium, neodymium and titanium oxides (BaO, Nd ₂ O ₃ , TiO ₂ ) used in the above.
₂ ), Bi ₂ O ₃ , MnO, and Al ₂ O ₃ may be, in addition to these oxides, carbonate compounds (BaCO ₃ , MnCO _3, etc.) that change into oxides by calcination or firing.

【００５５】これらの原料は、微粉末で用いることが好
ましく、その粒径は２μm 以下であることが好ましい。These raw materials are preferably used in the form of fine powder, and the particle size thereof is preferably 2 μm or less.

【００５６】また、仮焼、粉砕後のものの粒径は成形性
の点で０．８〜１．５μm 程度であることが好ましい。The particle size of the product after calcination and crushing is preferably about 0.8 to 1.5 μm in terms of formability.

【００５７】また、本発明においては、仮焼したのち、
さらに、主成分に対し、ＣｕＯを０．２５〜３wt% 、好
ましくは０．５〜２wt% 添加することが好ましい。In the present invention, after calcination,
Further, it is preferable to add 0.25 to 3 wt%, preferably 0.5 to 2 wt% of CuO to the main component.

【００５８】このようにＣｕＯを添加することにより、
焼結性を改善することができるとともに、マイクロ波誘
電特性、特に共振周波数温度係数の改善を図ることがで
きる。この温度係数は、焼結体中に存在するＮｄ₂ Ｔｉ
₂ Ｏ₃ 等で示される異相によって悪化すると考えられる
が、ＣｕＯ添加により異相の生成が抑制されるからであ
る。ただし、ＣｕＯの添加量が多くなりすぎると、Ｑ・
ｆ値が低下して好ましくない。また、焼結性が悪化す
る。By adding CuO in this way,
Not only can the sinterability be improved, but the microwave dielectric characteristics, especially the resonance frequency temperature coefficient can be improved. This temperature coefficient depends on the Nd ₂ Ti present in the sintered body.
_It is considered that the heterogeneous phase represented by ₂ O _{3 and the} like worsens, but the addition of CuO suppresses the generation of the heterogeneous phase. However, if the amount of CuO added is too large, Q.
The f value is lowered, which is not preferable. In addition, the sinterability deteriorates.

【００５９】また、本発明においては、仮焼したのち、
さらに、主成分に対し、ＴｉＯ₂ を１０wt% 以下、さら
には５wt% 以下、特には１〜３．５wt% 添加することが
好ましい。In the present invention, after calcination,
Further, it is preferable to add 10 wt% or less, further 5 wt% or less, and particularly 1 to 3.5 wt% of TiO ₂ to the main component.

【００６０】このようにＴｉＯ₂ を添加することによ
り、マイクロ波誘電特性、特に共振周波数温度係数の改
善を図ることができる。この場合、異相の生成による温
度係数の悪化がＴｉＯ₂ の添加によって相殺されるから
である。ただし、ＴｉＯ₂ の添加量が多くなりすぎる
と、共振周波数温度係数が逆に好ましい範囲を逸脱する
ようになる。By thus adding TiO ₂ , it is possible to improve the microwave dielectric characteristics, particularly the temperature coefficient of resonance frequency. This is because, in this case, the deterioration of the temperature coefficient due to the generation of the different phase is offset by the addition of TiO ₂ . However, if the amount of TiO ₂ added is too large, the temperature coefficient of the resonance frequency deviates from the preferable range.

【００６１】上記のようにＴｉＯ₂ を仮焼後添加すれば
温度係数のより一層の改善を図ることができる。主成分
中のＴｉＯ₂ 量を増加させても温度係数の改善を図るこ
とはできない。If TiO ₂ is added after calcination as described above, the temperature coefficient can be further improved. Even if the amount of TiO ₂ in the main component is increased, the temperature coefficient cannot be improved.

【００６２】また、ＴｉＯ₂ のかわりに、同様の温度係
数補正効果を持つチタン酸塩（ＣａＴｉＯ₃ 等）を使用
してもよい。添加量は、主成分に対し、１０wt% 以下、
好ましくは５wt% 以下、さらに好ましくは０．１〜２wt
% とすればよい。さらにはＴｉＯ₂ とチタン酸塩を併用
してもよい。Instead of TiO ₂ , titanate (CaTiO ₃ or the like) having a similar temperature coefficient correction effect may be used. The addition amount is 10 wt% or less with respect to the main component,
Preferably less than 5 wt%, more preferably 0.1-2 wt
% And it is sufficient. Furthermore, TiO ₂ and titanate may be used in combination.

【００６３】このようにして得られた本発明の誘電体セ
ラミックス材料は、５GHz における比誘電率（ε）が４
０以上、好ましくは５０以上、より好ましくは５５以
上、さらに好ましくは６５以上、特に好ましくは７０以
上、誘電損失（Ｑ・ｆ値）が１８００以上、好ましくは
２０００以上、より好ましくは２１００以上、さらに好
ましくは２４００以上、特に好ましくは２５００以上、
共振周波数温度係数（τｆ）が±１５ppm/℃以内、好ま
しくは±１０ppm/℃以内、さらに好ましくは±８ppm/℃
以内、特に好ましくは±５ppm/℃以内のマイクロ波誘電
特性を示すことも可能となる。なお、τｆは−４０℃の
共振周波数と８０℃の共振周波数を結んだ直線の傾きと
して求めたものである。The dielectric ceramic material of the present invention thus obtained has a relative dielectric constant (ε) of 4 at 5 GHz.
0 or more, preferably 50 or more, more preferably 55 or more, further preferably 65 or more, particularly preferably 70 or more, dielectric loss (Q · f value) of 1800 or more, preferably 2000 or more, more preferably 2100 or more, Preferably 2400 or more, particularly preferably 2500 or more,
Resonance frequency temperature coefficient (τf) is within ± 15ppm / ℃, preferably within ± 10ppm / ℃, more preferably within ± 8ppm / ℃
It is also possible to exhibit microwave dielectric properties within the range, particularly preferably within ± 5 ppm / ° C. It should be noted that τf is obtained as the slope of a straight line connecting the resonance frequency of −40 ° C. and the resonance frequency of 80 ° C.

【００６４】従って、マイクロ波誘電体共振器やフィル
ター、誘電体基板、温度補償用コンデンサー等に適用し
て好ましいものとなる。Therefore, it is preferable when applied to a microwave dielectric resonator, a filter, a dielectric substrate, a temperature compensating capacitor and the like.

【００６５】本発明の多層セラミック部品は、誘電体セ
ラミック材料のグリーンシート上に内部導体パターンを
形成した後、このグリーンシートを積層して、熱プレス
にて圧着し、その後焼成して製造される。このようない
わゆるグリーンシート法の他、誘電体のペーストと内部
導体のペーストとを交互に積層するいわゆる印刷積層法
を用いてもよい。The multilayer ceramic component of the present invention is manufactured by forming an internal conductor pattern on a green sheet of a dielectric ceramic material, stacking the green sheets, press-bonding them with a hot press, and then firing. . In addition to such a so-called green sheet method, a so-called printed lamination method in which a dielectric paste and an internal conductor paste are alternately laminated may be used.

【００６６】本発明においては、後述する内部導体と、
誘電体セラミック材料のグリーンシート等のセラミック
材料層の同時焼成を導体の融点以上の温度で行なう。こ
うすることにより、内部導体が溶融状態になり、構造が
緻密化して、導体の接触状態が改善され、線路の損失を
低減させ、共振器としてのＱ値を向上させることができ
る。In the present invention, an internal conductor described later,
A ceramic material layer such as a green sheet of a dielectric ceramic material is co-fired at a temperature equal to or higher than the melting point of the conductor. By doing so, the inner conductor is melted, the structure is densified, the contact state of the conductor is improved, the loss of the line is reduced, and the Q value as a resonator can be improved.

【００６７】このとき用いる誘電体セラミック材料は、
共振器としてのＱ値を向上させる上では、前記の本発明
の組成のものが好ましいが、前記組成においてＭｎＯを
含有しないものであってもよい。The dielectric ceramic material used at this time is
In order to improve the Q value as a resonator, the composition of the present invention is preferable, but the composition may not contain MnO.

【００６８】特に、内部導体としては、比抵抗の小さい
銀あるいは銅を用いることが好ましいが、銀の場合に
は、その融点である９６０℃以上の温度、より好ましく
は９６０〜１２６０℃、さらに好ましくは、９７０〜１
１００℃で焼成を行なうことが好ましい。また、銅の場
合には、その融点である１０６０℃以上、より好ましく
は１０６０〜１３６０℃、さらに好ましくは、１０７０
〜１２００℃で焼成することが好ましい。このように融
点以上、融点＋３００℃以下の温度、より好ましくは、
融点＋１０℃〜融点＋１４０℃の温度で、グリーンシー
ト等のセラミック材料層と同時焼成することにより、上
記の実効が顕れる。これは焼成温度が融点未満では上記
の実効が顕れないが、あまりに高すぎると誘電体中への
銀や銅の拡散が進み、特性が劣化してしまうからであ
る。焼成は、銀の場合には通常、空気中にて上記の温度
で１分〜１時間程度、より好ましくは、５〜２０分程度
行なうことが好ましい。なお、焼成は複数回行なっても
よく、そのとき少なくとも１回は融点以上の焼成とす
る。In particular, it is preferable to use silver or copper having a low specific resistance as the inner conductor. In the case of silver, the melting point thereof is 960 ° C. or higher, more preferably 960 to 1260 ° C., and further preferably. Is 970 to 1
It is preferable to perform firing at 100 ° C. In the case of copper, its melting point is 1060 ° C. or higher, more preferably 1060 to 1360 ° C., and further preferably 1070.
It is preferable to bake at ˜1200 ° C. Thus, the temperature of the melting point or higher and the melting point + 300 ° C. or lower, more preferably,
The above effect becomes apparent by co-firing with a ceramic material layer such as a green sheet at a temperature of melting point + 10 ° C to melting point + 140 ° C. This is because if the firing temperature is below the melting point, the above effect does not appear, but if the firing temperature is too high, the diffusion of silver or copper into the dielectric material proceeds and the characteristics deteriorate. In the case of silver, calcination is usually carried out in the air at the above temperature for about 1 minute to 1 hour, more preferably for about 5 to 20 minutes. Note that firing may be performed plural times, and at this time, firing is performed at least once at a melting point or higher.

【００６９】本発明では、内部導体に用いる導体とし
て、より好ましい態様では、融点が９６０℃付近の銀ま
たは融点１０６０℃付近の銅を用いる。この際、銀ある
いは銅の含有量が９０重量％以上のもの、特に純度９９
重量％以上、さらには９９．９重量％以上の純銀または
純銅を用いることが好ましい。このように、特に純銀な
いし純銅を用いることにより比抵抗と損失とをきわめて
小さくすることができ、共振器のＱ値を向上させること
ができる。In the present invention, as a conductor used for the internal conductor, in a more preferable embodiment, silver having a melting point of about 960 ° C. or copper having a melting point of about 1060 ° C. is used. At this time, those having a silver or copper content of 90% by weight or more, particularly a purity of 99
It is preferable to use pure silver or pure copper in an amount of not less than 9% by weight, more preferably not less than 99.9% by weight. Thus, particularly by using pure silver or pure copper, the specific resistance and the loss can be made extremely small, and the Q value of the resonator can be improved.

【００７０】内部導体パターンの形成方法としては、所
定形状の銀箔等を誘電体グリーンシートにはさむ、ある
いは導体ペーストの印刷または転写を行なう等の方法が
挙げられるが、特に印刷法が好ましい。Examples of the method of forming the internal conductor pattern include a method of sandwiching a predetermined shape of silver foil or the like between the dielectric green sheets, or a method of printing or transferring a conductor paste, and the printing method is particularly preferable.

【００７１】導体ペーストにてパターンを形成する場
合、用いる銀粉、銅粉等の導体粉の平均粒径（異方性の
ある時には長軸径）は、０．５〜２０μm 程度、より好
ましくは１〜５μm とするのが好ましい。粒径が小さす
ぎると、分散性が悪くなり、導体ペースト中の導体粉の
含有量を多くすることができず、また含有量を多くする
と粘土が高くなってしまい、緻密なパターンを形成でき
なくなってくる。一方、粒径が大きすぎると、スクリー
ン印刷、転写法等によるパターンの形成が困難となって
くる。また、銀粉の形状等には特に制約はないが、一般
に球状とし、その一部または全部を鱗片状のものとして
もよい。When forming a pattern with a conductor paste, the average particle size (long axis diameter when anisotropic) of the conductor powder such as silver powder or copper powder used is about 0.5 to 20 μm, more preferably 1. It is preferably about 5 μm. If the particle size is too small, the dispersibility deteriorates, and the content of the conductor powder in the conductor paste cannot be increased, and if the content is increased, the clay becomes high and a dense pattern cannot be formed. Come on. On the other hand, if the particle size is too large, it becomes difficult to form a pattern by screen printing, a transfer method or the like. The shape of the silver powder is not particularly limited, but it may be generally spherical and a part or all of it may be scaly.

【００７２】内部導体ペースト中の導体粉の含有量は、
６０〜９５重量％、特に７０〜９０重量％とするのが好
ましい。含有量が少ないと、比抵抗が減少し、Ｑ値が低
下し、焼成後のパターンの一部が断線したり、比抵抗や
Ｑ値がばらついたりしてくる。また大きすぎると、ペー
ストの粘度が増大し、パターン形成が困難となってく
る。The content of the conductor powder in the inner conductor paste is
It is preferably from 60 to 95% by weight, particularly preferably from 70 to 90% by weight. When the content is small, the specific resistance decreases, the Q value decreases, part of the pattern after firing is broken, and the specific resistance and Q value vary. On the other hand, if it is too large, the viscosity of the paste will increase, making pattern formation difficult.

【００７３】また、内部導体のペーストにはガラスフリ
ットを添加してもよく、特に導体粉融点付近に軟化点を
もつガラスフリットを添加することが好ましい。このよ
うなガラスフリットを添加することにより、溶融後の網
目構造の発生が減少し、Ｑ値のバラツキを抑えることが
できる。また、内部導体材料の拡散を防止する効果があ
る。Glass frit may be added to the paste of the internal conductor, and it is particularly preferable to add glass frit having a softening point near the melting point of the conductor powder. By adding such a glass frit, generation of a network structure after melting can be reduced, and variation in Q value can be suppressed. It also has the effect of preventing the diffusion of the internal conductor material.

【００７４】特に、ガラスフリットの添加は平均粒径の
小さい微粉末の導体材料を用いたときに内部導体材料の
拡散を防止する上で、有効であり、比較的大径の導体材
料では拡散はそれほど問題とはならず、この場合はガラ
スフリットの添加はしない方が好ましい。ガラスフリッ
トを添加しない方が伝送線路の損失をさらに低減するこ
とができる。In particular, the addition of glass frit is effective in preventing the diffusion of the internal conductor material when a fine powder conductor material having a small average particle diameter is used, and the diffusion is not observed in a conductor material having a relatively large diameter. This is not a serious problem, and in this case, it is preferable not to add glass frit. If the glass frit is not added, the transmission line loss can be further reduced.

【００７５】内部導体ペースト中のガラスフリットを添
加する場合、その含有量は、１０重量％以下、特に１〜
１０重量％、さらには３〜８重量％が好ましい。また、
ガラスフリットは、導体粉に対して１０重量％以下、特
に２〜１０重量％、特に４〜６重量％、体積比では３０
体積％以下、特に２〜３０体積％、さらには５〜１０体
積％含まれることが好ましい。When glass frit is added to the internal conductor paste, its content is 10% by weight or less, particularly 1 to
It is preferably 10% by weight, more preferably 3 to 8% by weight. Also,
The glass frit is 10% by weight or less, particularly 2 to 10% by weight, particularly 4 to 6% by weight, and 30% by volume based on the conductor powder.
It is preferably contained in an amount of not more than volume%, particularly 2 to 30 volume%, and more preferably 5 to 10 volume%.

【００７６】内部導体ペーストには、銀粉等の導体粉と
ガラスフリットの他、ビヒクルが含まれる。ビヒクルと
しては、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、メ
タクリル樹脂、ブチルメタアクリレート等のバインダ、
テルピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビト
ールアセテート、トルエン、アルコール、キシレン等の
溶剤、その他各種分散剤、活性剤、可塑剤等が挙げら
れ、これらのうち任意のものが目的に応じて適宜選択さ
れる。ビヒクルの添加量は、ペースト中、１０〜２０重
量％程度とすることが好ましい。The internal conductor paste contains a vehicle in addition to conductor powder such as silver powder and glass frit. As the vehicle, a binder such as ethyl cellulose, polyvinyl butyral, methacrylic resin, butyl methacrylate,
Solvents such as terpineol, butyl carbitol, butyl carbitol acetate, toluene, alcohol, xylene, and other various dispersants, activators, plasticizers, and the like can be mentioned, and any of these can be appropriately selected depending on the purpose. . The amount of vehicle added is preferably about 10 to 20% by weight in the paste.

【００７７】内部導体ペーストの成膜方法は公知のスク
リーン印刷法、転写法などによればよい。The film formation method of the internal conductor paste may be a known screen printing method, transfer method, or the like.

【００７８】また、本発明は、内部導体を融点の異なる
少なくとも２種の材料から形成し、内部導体のうち低融
点内部導体の融点以上で、しかも高融点内部導体の融点
未満の温度で焼成してもよい。Further, according to the present invention, the inner conductor is formed of at least two kinds of materials having different melting points, and the inner conductor is fired at a temperature not lower than the melting point of the lower melting point inner conductor and lower than the melting point of the high melting point inner conductor. May be.

【００７９】この場合の低融点内部導体としては、上記
の銀、銅を用いることが好ましく、上記と同様の効果が
得られる。In this case, it is preferable to use the above-mentioned silver or copper as the low melting point inner conductor, and the same effect as described above can be obtained.

【００８０】一方、高融点内部導体に用いる導体として
は、低融点内部導体に用いる導体よりも融点が高い導体
を用いればよい。ただし、低融点および高融点のそれぞ
れの内部導体の融点の中間の温度で焼成を行なうので、
両者の焼成を良好に行なうためには、高融点内部導体に
用いる導体の融点は、低融点内部導体の融点に対し、３
０℃以上、特に５０〜２００℃、さらには５０〜１００
℃高いものであることが好ましい。なお、高融点内部導
体としては、後述のように２種の金属粉、例えばＡｇ粉
とＰｄ粉を用い、これを焼成に際しＡｇの溶融を行なう
ことなく合金化させることもできるので、このときに
は、その融点とは合金の融点である。On the other hand, as the conductor used for the high melting point internal conductor, a conductor having a higher melting point than the conductor used for the low melting point internal conductor may be used. However, since firing is performed at a temperature midway between the melting points of the low-melting and high-melting internal conductors,
In order to perform good firing of both, the melting point of the conductor used for the high melting point inner conductor is 3 with respect to the melting point of the low melting point inner conductor.
0 ° C or higher, particularly 50 to 200 ° C, and further 50 to 100
It is preferably higher by 0 ° C. As the high-melting internal conductor, two kinds of metal powder, for example, Ag powder and Pd powder can be used as described later, and they can be alloyed without melting Ag during firing. The melting point is the melting point of the alloy.

【００８１】このような高融点内部導体に用いる導体と
しては、低融点内部導体の導体に銀を用いる場合、３０
重量％以下、特に５〜１０重量％のＰｄを含むＡｇ−Ｐ
ｄ合金が好適である。この場合、合金を用いるかわり
に、Ａｇ粉とＰｄ粉を混合して用いてもよい。これらを
均一に分散させれば、焼成に際して先ずＡｇとＰｄとの
合金化が進み、Ａｇは溶融しない。この他、銀に対して
は、１００重量％以下、特に５０〜６０重量％のＡｕを
含むＡｇ−Ａｕ合金；２０重量％以下、特に５〜１０重
量％のＰｔを含むＡｇ−Ｐｔ合金；２０重量％以下、特
に５〜２０重量％のＰｄを含むＡｕ−Ｐｄ合金；１０重
量％以下、特に５〜１０重量％のＰｔを含むＡｕ−Ｐｔ
合金；金；銅；２５重量％以下のＡｕを含むＡｕ−Ｃｕ
合金；２０重量％以下のＣｕを含むＡｕ−Ｃｕ合金；１
０重量％以下、特に５重量％以下のＰｔを含むＣｕ−Ｐ
ｔ合金；２５重量％以下、特に１０重量％以下のＮｉを
含むＣｕ−Ｎｉ合金等も使用可能である。さらに低融点
内部導体に銅を用いるときには７〜３０重量％、特に１
０〜２０重量％のＰｔを含むＡｇ−Ｐｔ合金；２〜２０
重量％、特に２〜１０重量％のＰｄを含むＡｕ−Ｐｄ合
金、２〜２０重量％、特に２〜１０重量％のＰｔを含む
Ａｕ−Ｐｔ合金；３０重量％以下、特に１５〜２０重量
％のＰｔを含むＣｕ−Ｐｔ合金；４０重量％以下、特に
２０〜３０重量％のＮｉを含むＣｕ−Ｎｉ合金等が使用
可能である。As the conductor used for such a high melting point internal conductor, when silver is used for the conductor of the low melting point internal conductor, 30
Ag-P containing less than or equal to 5% by weight, especially 5-10% by weight of Pd
d alloys are preferred. In this case, Ag powder and Pd powder may be mixed and used instead of using the alloy. If these are dispersed uniformly, alloying of Ag and Pd first proceeds during firing, and Ag does not melt. In addition, with respect to silver, an Ag-Au alloy containing 100% by weight or less, particularly 50 to 60% by weight of Au; an Ag-Pt alloy containing 20% by weight or less, particularly 5 to 10% by weight of Pt; 20 Au-Pd alloy containing up to 10% by weight, especially 5 to 20% by weight Pd; Au-Pt containing up to 10% by weight, especially 5 to 10% by weight Pt.
Alloy; Gold; Copper; Au-Cu containing 25 wt% or less of Au
Alloy; Au-Cu alloy containing 20 wt% or less Cu; 1
Cu-P containing 0 wt% or less, especially 5 wt% or less Pt
t alloy; Cu-Ni alloy containing 25 wt% or less, especially 10 wt% or less Ni can also be used. Further, when copper is used for the low melting point inner conductor, it is 7 to 30% by weight, especially 1
Ag-Pt alloy containing 0-20 wt% Pt; 2-20
Au-Pd alloy containing Pd in an amount of 2% by weight, especially 2 to 10% by weight, Au-Pt alloy containing Pt in an amount of 2 to 20% by weight, in particular 2 to 10% by weight; 30% by weight or less, in particular 15 to 20% by weight Cu-Pt alloy containing Pt: 40 wt% or less, and particularly a Cu-Ni alloy containing 20 to 30 wt% Ni can be used.

【００８２】なお、高融点内部導体としては２種以上を
用いてもよく、場合によっては低融点内部導体を２種以
上用いてもよい。また、高融点内部導体は、その成分の
一部を溶融してもよい。ただし、低融点内部導体は実質
的にその全部を溶融する。Two or more kinds of high melting point internal conductors may be used, and in some cases, two or more kinds of low melting point internal conductors may be used. Further, the high melting point inner conductor may melt a part of its components. However, the low melting point inner conductor melts substantially all.

【００８３】以上のような内部導体材料の融点以上の温
度で同時焼成する際の内部導体材料の詳細については、
本出願人による特願平４−１３４１９９号、特願平４−
１４６４７８号に記載されている。For the details of the internal conductor material when co-firing at a temperature above the melting point of the internal conductor material as described above,
Japanese Patent Application No. 4-134199 by the applicant, Japanese Patent Application No. 4-134199
No. 146478.

【００８４】本発明の多層セラミック部品は、前記した
誘電体セラミック材料と内部導体材料とを同時焼成して
得られるが、この場合の焼成雰囲気の酸素分圧を５×１
０^-2atm 以下、好ましくは５×１０^-3atm 以下とする。
ただし、セラミック材料のガラス成分の焼結を可能とす
るため、酸素分圧の下限値は５×１０^-5atm とする。従
って、酸素分圧の特に好ましい範囲は５×１０^-3〜５×
１０^-5atm である。The multilayer ceramic component of the present invention is obtained by simultaneously firing the above-mentioned dielectric ceramic material and the internal conductor material. In this case, the oxygen partial pressure of the firing atmosphere is 5 × 1.
It is 0 ^-2 atm or less, preferably 5 x 10 ^-3 atm or less.
However, the lower limit of the oxygen partial pressure is 5 × 10 ⁻⁵ atm in order to enable the sintering of the glass component of the ceramic material. Therefore, the particularly preferable range of the oxygen partial pressure is 5 × 10 ^{−3 to} 5 ×.
It is 10 ^-5 atm.

【００８５】酸素分圧を上記範囲とすることによって、
内部導体の拡散による薄層化、ひいては消失を防止する
ことができ、共振器としてのＱ値を良好なものとするこ
とができる。なお、焼成工程において、通常、室温（２
５℃）から昇温させる時に酸素分圧を上記範囲とする
が、少なくとも４００℃以上の温度で酸素分圧を上記範
囲とすればよい。By setting the oxygen partial pressure within the above range,
It is possible to prevent the inner conductor from becoming thinner due to diffusion, and to prevent the inner conductor from disappearing, and to improve the Q value of the resonator. In addition, in the firing step, usually at room temperature (2
When the temperature is raised from 5 ° C.), the oxygen partial pressure is within the above range, but the oxygen partial pressure may be within the above range at a temperature of at least 400 ° C. or higher.

【００８６】このときにおいても、誘電体セラミック材
料は前記した本発明のＭｎＯを添加した組成が好まし
く、酸素分圧を低くした条件でも高特性が得られる。Also at this time, the dielectric ceramic material is preferably a composition containing the above-described MnO of the present invention, and high characteristics can be obtained even under the condition of low oxygen partial pressure.

【００８７】以上より、本発明の多層セラミック部品を
得る場合、ＭｎＯを添加した本発明の誘電体セラミック
材料を用い、内部導体材料と内部導体材料の融点より高
い温度で、かつ酸素分圧を５×１０^-2atm 以下とした雰
囲気中で同時焼成することが好ましい。これにより、共
振器としてのＱ値が高いものとなる。このときのＱ値
は、誘電体の厚さ１．８mmの条件で２６０程度である。As described above, when the multilayer ceramic part of the present invention is obtained, the dielectric ceramic material of the present invention to which MnO is added is used, the internal conductor material is heated to a temperature higher than the melting point of the internal conductor material, and the oxygen partial pressure is 5%. Simultaneous firing is preferably performed in an atmosphere of × 10 ^-2 atm or less. As a result, the Q value of the resonator becomes high. The Q value at this time is about 260 under the condition that the dielectric thickness is 1.8 mm.

【００８８】本発明の多層セラミック部品として、例え
ば積層型フィルターは、図１に示す構成のものであって
よい。As the multilayer ceramic component of the present invention, for example, a multilayer filter may have the structure shown in FIG.

【００８９】図１に示すフィルター１は２段フィルター
であり、誘電体セラミック材料の素体１１に、内部導体
２１、２２および２３が図示のように間挿されたもので
ある。The filter 1 shown in FIG. 1 is a two-stage filter, in which an internal conductor 21, 22, and 23 is inserted in an element body 11 of a dielectric ceramic material as shown in the figure.

【００９０】また、図２に示す構成のものであってもよ
く、フィルター２は誘電体セラミック材料の素体１１
に、内部導体２５および２６が図示のように並列に間挿
されたものである。The filter 2 may have the structure shown in FIG. 2, and the filter 2 is an element body 11 of a dielectric ceramic material.
And inner conductors 25 and 26 are inserted in parallel as shown.

【００９１】なお、図１、図２のいずれのフィルターに
おいても、外表面は金属や絶縁材で被覆されている。In each of the filters shown in FIGS. 1 and 2, the outer surface is covered with a metal or an insulating material.

【００９２】このような積層型フィルターは、誘電体セ
ラミック材料の仮焼粉を用いてドクターブレード法など
によりグリーンシートを成型し、それに所定のパターン
で内部導体材料のペーストをスクリーン印刷法などによ
り印刷し、印刷したシートを積層して熱プレスにより熱
圧着し、脱バインダー後、好ましくは内部導体の融点以
上の温度でかつ低酸素分圧雰囲気下で焼成して得ること
ができる。その後、外部電極用ペーストを印刷し、外部
電極を焼き付けするなどすればよい。このほか、印刷積
層法によってもよい。In such a multilayer filter, a green sheet is formed by a doctor blade method using calcined powder of a dielectric ceramic material, and a paste of an internal conductor material is printed in a predetermined pattern on the green sheet by a screen printing method or the like. Then, the printed sheets are laminated, thermocompression-bonded by a hot press, debindered, and then preferably fired at a temperature not lower than the melting point of the internal conductor and under a low oxygen partial pressure atmosphere. After that, the external electrode paste may be printed, and the external electrodes may be baked. In addition, a print lamination method may be used.

【００９３】このようにして得られる積層型フィルター
は誘電体の全体の厚さが０．５〜４mm程度であり、また
内部導体の厚さは２０〜１００μm 程度である。In the laminated filter thus obtained, the overall thickness of the dielectric is about 0.5 to 4 mm, and the thickness of the internal conductor is about 20 to 100 μm.

【００９４】[0094]

【実施例】以下、本発明を実施例によって具体的に説明
する。EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples.

【００９５】参考実施例１ 原料としてＢａＣＯ₃ 、Ｎｄ₂ Ｏ₃ 、ＴｉＯ₂ 、Ｂｉ₂
Ｏ₃ 、ＭｎＣＯ₃ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ を用い、表１、表２に示
すような組成のものが得られるように秤量し、秤量原料
をボールミルに水と共に入れ、４時間湿式混合した。次
いで、この物質を脱水、乾燥したのち、１２８０℃で２
時間仮焼した。Reference Example 1 BaCO ₃ , Nd ₂ O ₃ , TiO ₂ and Bi _{2 were used} as raw materials.
O ₃ , MnCO ₃ , and Al ₂ O ₃ were weighed so that the compositions shown in Tables 1 and 2 were obtained, and the weighed raw materials were put into a ball mill together with water and wet mixed for 4 hours. The material is then dehydrated and dried, then at 1280 ° C for 2
I calcined for an hour.

【００９６】この仮焼物と、表１、表２に示すように添
加したガラス、ＣｕＯ、ＴｉＯ₂ とを共に４時間湿式粉
砕した。ついで、この粉砕物を乾燥したのち有機バイン
ダー［ポリビニルアルコール系のＰＶＡ１１７；呉羽化
学工業（株）製、アクリル系のエルバサイト；デュポン
社製］と共に造粒し、得られた粉末を１０００kg/cm²の
圧力で円柱状に成型した、さらに、この円柱を表１、表
２に示すように焼成しサンプルを得た。これらのサンプ
ルを１０mmφ×５mmに加工したのち誘電体共振法にて誘
電率（ε）、Ｑ・ｆ値を求めた。また−４０℃の共振周
波数と８０℃の共振周波数を結んだ直線の傾きを求め、
共振周波数温度係数（τｆ）とした。結果を表１、表２
に示した。The calcined product, the glass added as shown in Tables 1 and 2, CuO, and TiO ₂ were wet pulverized together for 4 hours. Then, the pulverized product was dried and then granulated with an organic binder [polyvinyl alcohol-based PVA 117; manufactured by Kureha Chemical Industry Co., Ltd., acrylic elvasite; manufactured by DuPont], and the obtained powder was 1000 kg / cm ^2. The sample was obtained by molding it into a columnar shape under pressure of 1. and firing the columnar shape as shown in Tables 1 and 2. After processing these samples into 10 mmφ × 5 mm, the dielectric constant (ε) and Q · f value were obtained by the dielectric resonance method. In addition, the slope of a straight line connecting the resonance frequency of -40 ° C and the resonance frequency of 80 ° C is obtained,
The resonance frequency temperature coefficient (τf) was used. The results are shown in Table 1 and Table 2.
It was shown to.

【００９７】なお、ガラスは、ＰｂＯ６６．９wt% 、Ｂ
₂ Ｏ₃ １４．８wt% 、ＺｎＯ１１．６wt% 、Ａｌ₂ Ｏ₃
０．４１wt% 、ＳｉＯ₂ ３．８３wt% 含有する組成のも
のを用いた。The glass is PbO 66.9 wt%, B
₂ O ₃ 14.8 wt%, ZnO 11.6 wt%, Al ₂ O ₃
A composition containing 0.41 wt% and SiO ₂ 3.83 wt% was used.

【００９８】[0098]

【表１】 [Table 1]

【００９９】[0099]

【表２】 [Table 2]

【０１００】参考実施例２ 参考実施例１のサンプルNo. １において、表３、表４に
示すように、ガラス、ＣｕＯ、ＴｉＯ₂ 、仮焼温度、焼
成条件をかえるほかは同様にして、サンプルを作製し
た。これらについて、参考実施例１と同様にして、ε、
Ｑ・ｆ値、τｆを求めた。Reference Example 2 A sample was prepared in the same manner as in Sample No. 1 of Reference Example 1 except that glass, CuO, TiO ₂ , calcination temperature and firing conditions were changed as shown in Tables 3 and 4. Was produced. For these, in the same manner as in Reference Example 1, ε,
The Qf value and τf were determined.

【０１０１】結果を表３、表４に示した。The results are shown in Tables 3 and 4.

【０１０２】[0102]

【表３】 [Table 3]

【０１０３】[0103]

【表４】 [Table 4]

【０１０４】参考実施例３ 表５に示す各々の組成で、Ｂｉ₂ Ｏ₃ を添加しないもの
とし、かつ表５に示す焼成条件とするほかは、参考実施
例１と同様にしてサンプルを作成した。これらのサンプ
ルについて、参考実施例１と同様にして、ε、Ｑ・ｆ値
を求めた。結果を表５に示す。Reference Example 3 A sample was prepared in the same manner as in Reference Example 1 except that Bi ₂ O ₃ was not added in each composition shown in Table 5 and the firing conditions shown in Table 5 were used. . For these samples, ε and Q · f values were determined in the same manner as in Reference Example 1. The results are shown in Table 5.

【０１０５】[0105]

【表５】 [Table 5]

【０１０６】なお、表５のサンプルにおいて、参考実施
例１と同様にしてτｆを求めたところ、τｆはいずれも
±１５ppm/℃の範囲内にあり、実用レベルであることが
判った。When τf was determined for the samples in Table 5 in the same manner as in Reference Example 1, τf was in the range of ± 15 ppm / ° C. and was found to be at a practical level.

【０１０７】さらに、これらのサンプルにＡｌ₂ Ｏ₃ を
本発明の範囲内で添加することによりτｆはさらに改善
されることも判った。Furthermore, it was also found that τf was further improved by adding Al ₂ O ₃ to these samples within the scope of the present invention.

【０１０８】実施例４ 表６、表７に示す各々の組成で、仮焼、粉砕、スラリー
調製後、ドクターブレード法により１５０〜２００μm
のグリーンシートを成型し、それにＡｇ導体ペーストを
スクリーン印刷し、印刷したシートを積層熱圧着し、脱
バインダー後、表６、７に示す条件で焼成し、この焼成
物に外部電極用ペーストを印刷後、外部電極を銀焼き付
し、図１に示すような積層型フィルターを各々作製した
（表６、７）。このときの積層数は、１０層あるいは２
０層とした。Example 4 Each composition shown in Table 6 and Table 7 was calcined, pulverized, and prepared into a slurry, and then 150 to 200 μm thick by a doctor blade method.
Green sheet is molded, Ag conductor paste is screen-printed on the green sheet, the printed sheets are laminated by thermocompression bonding, debindered, and fired under the conditions shown in Tables 6 and 7, and the paste for external electrodes is printed on the fired product. After that, the external electrodes were silver-baked to produce laminated filters as shown in FIG. 1 (Tables 6 and 7). The number of layers at this time is 10 layers or 2 layers.
The number of layers was 0.

【０１０９】積層型フィルターにおいては、内部導体の
厚さが６０μm であった。In the laminated filter, the thickness of the inner conductor was 60 μm.

【０１１０】また、誘電体の厚さは表６、７に示すよう
に１．８mm、３．０mmのいずれかとした。The thickness of the dielectric was 1.8 mm or 3.0 mm as shown in Tables 6 and 7.

【０１１１】全体の寸法は４．７mm×５mm×１．８mmま
たは３．０mmとした。The overall size was 4.7 mm × 5 mm × 1.8 mm or 3.0 mm.

【０１１２】なお、上記において用いたＡｇ導体ペース
トは、以下に示す組成のものを三本ロールにより混合分
散して得たものである。 銀粉（平均粒径３μm ：純度９９．９％以上） ９０重量％ アクリル樹脂（バインダー） ２．５重量％ ターピネオール（溶剤） ７．５重量％The Ag conductor paste used in the above was obtained by mixing and dispersing the following composition with a three-roll mill. Silver powder (average particle size 3 μm: Purity 99.9% or more) 90% by weight Acrylic resin (binder) 2.5% by weight Terpineol (solvent) 7.5% by weight

【０１１３】表６、７におけるサンプルNo. は参考実施
例１のものとＭｎＯの添加量を除いて同じものであるこ
とを示し、参考実施例１と同一の場合も含めてＭｎＯの
添加量を表中に示している。The sample Nos. In Tables 6 and 7 are the same as those of Reference Example 1 except for the addition amount of MnO, and the addition amount of MnO is the same as that of Reference Example 1. It is shown in the table.

【０１１４】表６、７に参考実施例１と同様にして求め
た、誘電体セラミック材料の特性と、上記のようにして
作製した積層型フィルターのフィルター特性とを示す。
フィルター特性はＹＨＰ８５１０ネットワークアナライ
ザーで評価し、共振器としてのＱ値および挿入損失を求
めた。Tables 6 and 7 show the characteristics of the dielectric ceramic material obtained in the same manner as in Reference Example 1 and the filter characteristics of the laminated filter produced as described above.
The filter characteristics were evaluated with a YHP8510 network analyzer, and the Q value as a resonator and the insertion loss were obtained.

【０１１５】[0115]

【表６】 [Table 6]

【０１１６】[0116]

【表７】 [Table 7]

【０１１７】[0117]

【発明の効果】本発明によれば、誘電率、誘電損失、共
振周波数温度係数等のマイクロ波誘電特性に優れた誘電
体セラミック材料が得られ、また、このときの焼成温度
を低くすることが可能となり、この誘電体セラミック材
料を用いて、共振器としてのＱ値が高いなど特性に優れ
た多層セラミック部品が得られる。According to the present invention, a dielectric ceramic material having excellent microwave dielectric properties such as dielectric constant, dielectric loss, and temperature coefficient of resonance frequency can be obtained, and the firing temperature at this time can be lowered. By using this dielectric ceramic material, a multilayer ceramic component having excellent characteristics such as a high Q value as a resonator can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明における積層型フィルターを模式的に示
す概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram schematically showing a laminated filter according to the present invention.

【図２】本発明における積層型フィルターを模式的に示
す概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram schematically showing a laminated filter according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１、２ 積層型フィルター １１ 誘電体セラミック材料の素体 ２１〜２３、２５、２６ 内部導体 1 and 2 laminated filters 11 Element body of dielectric ceramic material 21-23, 25, 26 Inner conductor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−100058（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−227303（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−122511（ＪＰ，Ａ) ＩＮＴＥＲＣＥＲＡＭ，Ｖｏｌ．34 （1985），Ｎｏ．６，ｐ．17〜19 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01B 19/00 321 H01P 7/10 H01B 3/12 303 H01B 3/12 311 C04B 35/46 ─────────────────────────────────────────────────── --Continued from the front page (56) References JP-A-63-100058 (JP, A) JP-A-1-227303 (JP, A) JP-A-2-122511 (JP, A) INTERCERRAM, Vol. 34 (1985), No. 6, p. 17-19 (58) Fields investigated (Int.Cl. ⁷ , DB name) H01B 19/00 321 H01P 7/10 H01B 3/12 303 H01B 3/12 311 C04B 35/46

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 バリウム、ネオジウムおよびチタンの酸
化物を主成分とする誘電体セラミック材料であって、 前記主成分は、組成式をｘＢａＯ・ｙＴｉＯ₂ ・ｚＮｄ
₂ Ｏ₃ で表したとき、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％とし
て、 ７≦ｘ≦２５、５５≦ｙ≦７８および１０≦ｚ≦２５ の関係を有し、 前記主成分に対し、Ｂｉ₂ Ｏ₃ を０〜１５wt% ；ＰｂＯ
を２０〜８６．５wt% 、Ｂ₂ Ｏ₃ を８．５〜２１wt% 、
ＺｎＯを５〜５０wt% 含有するガラスを４〜２５wt% ；
Ａｌ₂ Ｏ₃ を０．０５〜２．５wt% 添加した誘電体セラ
ミック材料層上に内部導体のパターンを形成し、誘電体
セラミック材料層と積層して焼成することにより得られ
た多層セラミック部品であって、 前記内部導体の融点以上の温度で焼成する多層セラミッ
ク部品の製造方法。1. A dielectric ceramic material containing oxides of barium, neodymium and titanium as main components, wherein the main components have a composition formula of xBaO.yTiO ₂ .zNd.
When expressed by ₂ O ₃ , x + y + z = 100 mol%, and 7 ≦ x ≦ 25, 55 ≦ y ≦ 78 and 10 ≦ z ≦ 25 are satisfied, and Bi ₂ O ₃ is 0 with respect to the main component. ~ 15wt%; PbO
20 to 86.5 wt%, B ₂ O ₃ is 8.5 to 21 wt%,
4-25 wt% glass containing 5-50 wt% ZnO;
A multilayer ceramic component obtained by forming a pattern of an internal conductor on a dielectric ceramic material layer to which Al ₂ O ₃ is added in an amount of 0.05 to 2.5 wt%, stacking the dielectric ceramic material layer, and firing. And a method for manufacturing a multilayer ceramic component, which comprises firing at a temperature equal to or higher than the melting point of the internal conductor. 【請求項２】 バリウム、ネオジウムおよびチタンの酸
化物を主成分とする誘電体セラミック材料であって、 前記主成分は、組成式をｘＢａＯ・ｙＴｉＯ₂ ・ｚＮｄ
₂ Ｏ₃ で表したとき、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％とし
て、 ７≦ｘ≦２５、５５≦ｙ≦７８および１０≦ｚ≦２５ の関係を有し、 前記主成分に対し、Ｂｉ₂ Ｏ₃ を０〜１５wt% ；ＰｂＯ
を２０〜８６．５wt% 、Ｂ₂ Ｏ₃ を８．５〜２１wt% 、
ＺｎＯを５〜５０wt% 含有するガラスを４〜２５wt% ；
Ａｌ₂ Ｏ₃ を０．０５〜２．５wt% 添加した誘電体セラ
ミック材料層上に内部導体のパターンを形成し、誘電体
セラミック材料層と積層して焼成することにより得られ
た多層セラミック部品であって、 前記焼成雰囲気の酸素分圧を５×１０^-2atm 以下とする
多層セラミック部品の製造方法。2. A dielectric ceramic material containing oxides of barium, neodymium and titanium as main components, wherein the main components have a composition formula of xBaO.yTiO ₂ .zNd.
When expressed by ₂ O ₃ , x + y + z = 100 mol%, and 7 ≦ x ≦ 25, 55 ≦ y ≦ 78 and 10 ≦ z ≦ 25 are satisfied, and Bi ₂ O ₃ is 0 with respect to the main component. ~ 15wt%; PbO
20 to 86.5 wt%, B ₂ O ₃ is 8.5 to 21 wt%,
4-25 wt% glass containing 5-50 wt% ZnO;
A multilayer ceramic component obtained by forming a pattern of an internal conductor on a dielectric ceramic material layer to which Al ₂ O ₃ is added in an amount of 0.05 to 2.5 wt%, stacking the dielectric ceramic material layer, and firing. A method for producing a multilayer ceramic component, wherein the oxygen partial pressure in the firing atmosphere is 5 × 10 ⁻² atm or less. 【請求項３】 前記内部導体の融点以上の温度で焼成す
る請求項２の多層セラミック部品の製造方法。3. The method for manufacturing a multilayer ceramic component according to claim 2, wherein the firing is performed at a temperature equal to or higher than the melting point of the internal conductor. 【請求項４】 前記主成分に対し、ＭｎＯを０．０５〜
１．５wt% 添加した請求項１〜３のいずれかの多層セラ
ミック部品の製造方法。4. The content of MnO in the main component is 0.05 to 0.05.
The method for producing a multilayer ceramic component according to any one of claims 1 to 3, wherein 1.5 wt% is added. 【請求項５】 少なくとも前記主成分の原料を仮焼した
のち、前記ガラスを添加し、その後焼成して得られた請
求項１〜４のいずれかに記載の多層セラミック部品の製
造方法。5. The method for producing a multilayer ceramic component according to claim 1, which is obtained by calcining at least the raw material of the main component, adding the glass, and then calcining the glass. 【請求項６】 前記主成分に対し、仮焼したのち、さら
にＣｕＯを０．２５〜４．０wt% 添加するか、これにか
えて、あるいはこれに加えて、ＴｉＯ₂ および／または
チタン酸塩を１０wt% 以下添加した請求項５の多層セラ
ミック部品の製造方法。6. Calcination of the main component is followed by addition of 0.25 to 4.0 wt% CuO, or in addition to or in addition to this, TiO ₂ and / or titanate. 6. The method for producing a multilayer ceramic component according to claim 5, wherein 10 wt% or less is added.