JP3521051B2 - シリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
シリコンウェーハの製造方法Info
- Publication number
- JP3521051B2 JP3521051B2 JP13591297A JP13591297A JP3521051B2 JP 3521051 B2 JP3521051 B2 JP 3521051B2 JP 13591297 A JP13591297 A JP 13591297A JP 13591297 A JP13591297 A JP 13591297A JP 3521051 B2 JP3521051 B2 JP 3521051B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- grinding
- polishing
- wafer
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はシリコンウェーハ
の製造方法、詳しくは研削砥石による平面研削を用いた
シリコンウェーハの製造方法に関する。
の製造方法、詳しくは研削砥石による平面研削を用いた
シリコンウェーハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のシリコンウェーハの製造方法を図
８のフローチャートを参照して説明する。まず、スライ
ス工程（Ｓ８０１）で、インゴットからシリコンウェー
ハをスライスする。次の面取り工程（Ｓ８０２）では、
このシリコンウェーハの周縁に面取り加工が施される。
次のラップ工程（Ｓ８０３）においては、ラップ盤によ
りそのウェーハの表裏両面にラップ加工が施される。さ
らに、ＣＣＲ（Chemical Cornor Rounding）工程（Ｓ８
０４）では、周縁の面取り面に対してエッチングが施さ
れる。そして、次のエッチング工程（Ｓ８０５）では、
ラップドウェーハは所定のエッチング液（混酸）に浸漬
され、そのラップ加工での歪み、面取り工程での歪み等
が除去される。この場合、片面で２０μｍ、両面で４０
μｍ程度がエッチングされていた。この後、シリコンウ
ェーハはドナーキラー熱処理工程（Ｓ８０６）、所望の
場合はゲッタリング工程（Ｓ８０７）を経る。続いて、
このシリコンウェーハはワックスを用いて研磨盤に固着
され、片面が鏡面研磨される（Ｓ８０８）。さらに、こ
のシリコンウェーハの研磨面には、仕上げ研磨工程（Ｓ
８０９）にて仕上げ研磨が施される。この後、シリコン
ウェーハは表面に付着したワックス等が除去され、さら
には仕上げ洗浄工程（Ｓ８１０）を経る。
８のフローチャートを参照して説明する。まず、スライ
ス工程（Ｓ８０１）で、インゴットからシリコンウェー
ハをスライスする。次の面取り工程（Ｓ８０２）では、
このシリコンウェーハの周縁に面取り加工が施される。
次のラップ工程（Ｓ８０３）においては、ラップ盤によ
りそのウェーハの表裏両面にラップ加工が施される。さ
らに、ＣＣＲ（Chemical Cornor Rounding）工程（Ｓ８
０４）では、周縁の面取り面に対してエッチングが施さ
れる。そして、次のエッチング工程（Ｓ８０５）では、
ラップドウェーハは所定のエッチング液（混酸）に浸漬
され、そのラップ加工での歪み、面取り工程での歪み等
が除去される。この場合、片面で２０μｍ、両面で４０
μｍ程度がエッチングされていた。この後、シリコンウ
ェーハはドナーキラー熱処理工程（Ｓ８０６）、所望の
場合はゲッタリング工程（Ｓ８０７）を経る。続いて、
このシリコンウェーハはワックスを用いて研磨盤に固着
され、片面が鏡面研磨される（Ｓ８０８）。さらに、こ
のシリコンウェーハの研磨面には、仕上げ研磨工程（Ｓ
８０９）にて仕上げ研磨が施される。この後、シリコン
ウェーハは表面に付着したワックス等が除去され、さら
には仕上げ洗浄工程（Ｓ８１０）を経る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のシリコンウェーハの製造方法にあっては、作
製されたシリコンウェーハの表面が低平坦度であるとい
う課題があった。
うな従来のシリコンウェーハの製造方法にあっては、作
製されたシリコンウェーハの表面が低平坦度であるとい
う課題があった。
【０００４】
【発明の目的】この発明の目的は、表面平坦度が高いシ
リコンウェーハの製造方法を提供するものである。ま
た、この発明の目的は、エッチング工程でのエッチング
量・エッチング時間を減じて、スループットを高めるこ
とを、その目的としている。
リコンウェーハの製造方法を提供するものである。ま
た、この発明の目的は、エッチング工程でのエッチング
量・エッチング時間を減じて、スループットを高めるこ
とを、その目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、面取り加工が施されたシリコンウェーハをラップす
る工程と、このシリコンウェーハのラップされた表裏両
面を、高番手の研削砥石を用いて順に平面研削する工程
と、その後、この平面研削された表裏両面を同時に研磨
する工程とを含むシリコンウェーハの製造方法である。
は、面取り加工が施されたシリコンウェーハをラップす
る工程と、このシリコンウェーハのラップされた表裏両
面を、高番手の研削砥石を用いて順に平面研削する工程
と、その後、この平面研削された表裏両面を同時に研磨
する工程とを含むシリコンウェーハの製造方法である。
【０００６】
【０００７】
【０００８】請求項２に記載の発明は、シリコンウェー
ハの一面に被着されたポリシリコン膜を、高番手の研削
砥石を用いて平面研削する工程と、この研削面を研磨す
る工程と、を備えたシリコンウェーハの製造方法であ
る。
ハの一面に被着されたポリシリコン膜を、高番手の研削
砥石を用いて平面研削する工程と、この研削面を研磨す
る工程と、を備えたシリコンウェーハの製造方法であ
る。
【０００９】請求項３に記載の発明は、上記高番手の研
削砥石は、＃１５００〜＃２５００である請求項１また
は請求項２に記載のシリコンウェーハの製造方法であ
る。
削砥石は、＃１５００〜＃２５００である請求項１また
は請求項２に記載のシリコンウェーハの製造方法であ
る。
【００１０】
【作用】請求項１に記載の発明では、面取り加工が施さ
れたシリコンウェーハをラップ盤でラップする。この
後、このシリコンウェーハのラップされた表裏両面を、
高番手（例えば＃２５００）の研削砥石を用いて順番に
平面研削する。片面毎に平面研削するものである。その
後、この表裏両面を同時に研磨する。この場合、このラ
ップ面には、所定のダメージが残っているため、研削砥
石での平面研削を行うことができるものである。そし
て、この研削によりラップドダメージを除去するもので
ある。
れたシリコンウェーハをラップ盤でラップする。この
後、このシリコンウェーハのラップされた表裏両面を、
高番手（例えば＃２５００）の研削砥石を用いて順番に
平面研削する。片面毎に平面研削するものである。その
後、この表裏両面を同時に研磨する。この場合、このラ
ップ面には、所定のダメージが残っているため、研削砥
石での平面研削を行うことができるものである。そし
て、この研削によりラップドダメージを除去するもので
ある。
【００１１】図１にはこのラップドダメージ層の研削
（Ａ）の概念を、ロウダメージ層のそれ（Ｂ）とともに
示している。すなわち、ラップドダメージ層の研削
（Ａ）では、大きめの切り屑が発生する。よって、磨滅
した砥粒が脱落する。また、刃先に付着した切り屑が飛
ぶ。また、ボンド磨耗が進行する。その結果、研削能力
が向上することとなる。一方、ロウダメージ層の研削
（Ｂ）では、発生する切り屑が小さい。その結果、砥粒
磨滅が進行する。切り屑が刃先に付着する。ボンド磨耗
が進行しない。よって、研削能力が低下する。
（Ａ）の概念を、ロウダメージ層のそれ（Ｂ）とともに
示している。すなわち、ラップドダメージ層の研削
（Ａ）では、大きめの切り屑が発生する。よって、磨滅
した砥粒が脱落する。また、刃先に付着した切り屑が飛
ぶ。また、ボンド磨耗が進行する。その結果、研削能力
が向上することとなる。一方、ロウダメージ層の研削
（Ｂ）では、発生する切り屑が小さい。その結果、砥粒
磨滅が進行する。切り屑が刃先に付着する。ボンド磨耗
が進行しない。よって、研削能力が低下する。
【００１２】
【００１３】
【００１４】請求項２に記載の発明では、シリコンウェ
ーハの一面に被着されたポリシリコン膜を、高番手の研
削砥石を用いて平面研削する。そして、この研削面を研
磨し、研削ダメージを除去する。ポリシリコン膜を有す
るウェーハをも研削することができる。
ーハの一面に被着されたポリシリコン膜を、高番手の研
削砥石を用いて平面研削する。そして、この研削面を研
磨し、研削ダメージを除去する。ポリシリコン膜を有す
るウェーハをも研削することができる。
【００１５】請求項３に記載の発明では、上記高番手の
研削砥石は、＃１５００〜＃２５００である。よって、
このような細かな砥粒を有する砥石での研削を、シリコ
ンウェーハの各面（ラップ面、ポリシリコン面）に対し
て実行することができる。上述したように、リドレッシ
ング効果により、＃２５００の研削砥石で研削を行うこ
とができるものである。
研削砥石は、＃１５００〜＃２５００である。よって、
このような細かな砥粒を有する砥石での研削を、シリコ
ンウェーハの各面（ラップ面、ポリシリコン面）に対し
て実行することができる。上述したように、リドレッシ
ング効果により、＃２５００の研削砥石で研削を行うこ
とができるものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。図２〜図５は、この発明の第１実施
例に係るシリコンウェーハの製造方法を説明するための
図である。
参照して説明する。図２〜図５は、この発明の第１実施
例に係るシリコンウェーハの製造方法を説明するための
図である。
【００１７】図２に示すように、この実施例にあって
は、大略、スライス、面取り、ラップ、ＣＣＲ、片面毎
の研削、熱処理、ゲッタリング処理、両面同時研磨、片
面仕上げ研磨、仕上げ洗浄の各工程を経て、シリコンウ
ェーハが作製される。
は、大略、スライス、面取り、ラップ、ＣＣＲ、片面毎
の研削、熱処理、ゲッタリング処理、両面同時研磨、片
面仕上げ研磨、仕上げ洗浄の各工程を経て、シリコンウ
ェーハが作製される。
【００１８】具体的には、ＣＺ法により引き上げられた
シリコンインゴットは、スライス工程（Ｓ２０１）で所
定の厚さにスライスされる。次に、このスライスドウェ
ーハは、面取り工程（Ｓ２０２）で、その周縁部が面取
り用の砥石を用いて所定形状に面取りされる。この結
果、シリコンウェーハの周縁部は所定の丸みを帯びた形
状（例えばＭＯＳ型の面取り形状）に成形される。次
に、この面取り加工が施されたシリコンウェーハはラッ
プ工程（Ｓ２０３）でラップされる。このラップ工程で
は、シリコンウェーハを、互いに平行に保たれたラップ
定盤の間に配置し、アルミナ砥粒とグリセリンの混合物
であるラップ液をこのラップ定盤とシリコンウェーハと
の間に流し込む。そして、加圧下で回転・摺り合わせを
行うことにより、このウェーハ両面を機械的に研磨す
る。
シリコンインゴットは、スライス工程（Ｓ２０１）で所
定の厚さにスライスされる。次に、このスライスドウェ
ーハは、面取り工程（Ｓ２０２）で、その周縁部が面取
り用の砥石を用いて所定形状に面取りされる。この結
果、シリコンウェーハの周縁部は所定の丸みを帯びた形
状（例えばＭＯＳ型の面取り形状）に成形される。次
に、この面取り加工が施されたシリコンウェーハはラッ
プ工程（Ｓ２０３）でラップされる。このラップ工程で
は、シリコンウェーハを、互いに平行に保たれたラップ
定盤の間に配置し、アルミナ砥粒とグリセリンの混合物
であるラップ液をこのラップ定盤とシリコンウェーハと
の間に流し込む。そして、加圧下で回転・摺り合わせを
行うことにより、このウェーハ両面を機械的に研磨す
る。
【００１９】次のＣＣＲ工程（Ｓ２０４）においては、
シリコンウェーハはその面取り面がエッチングされて面
取り加工での歪みなどが除去されるとともに平坦化され
る。複数のシリコンウェーハを重ね合わせて（ギャザー
して）混酸の液槽中に浸して各面取り面のみをエッチン
グするものである。なお、この面取り面にＰＣＲ（Poli
shing Conor Rounding）加工を施して鏡面化してもよ
い。
シリコンウェーハはその面取り面がエッチングされて面
取り加工での歪みなどが除去されるとともに平坦化され
る。複数のシリコンウェーハを重ね合わせて（ギャザー
して）混酸の液槽中に浸して各面取り面のみをエッチン
グするものである。なお、この面取り面にＰＣＲ（Poli
shing Conor Rounding）加工を施して鏡面化してもよ
い。
【００２０】さらに、このシリコンウェーハのラップ面
を、高番手の（例えば＃２５００）研削砥石を用いて平
面研削する。まず、ウェーハ表面を研削し（Ｓ２０
５）、次いでウェーハ裏面を同様に研削する（Ｓ２０
６）。これら研削工程での、シリコンウェーハの研削量
は、片面側で１５μｍ程度、両面を合計すると３０μｍ
程度である。研削装置については後述する。この後、シ
リコンウェーハは６００℃以上のドナーキラー熱処理が
（Ｓ２０７）、所望の場合はさらにゲッタリング処理
（Ｓ２０８）が施されることとなる。例えばシリコンウ
ェーハの裏面にサンドブラスト処理が施される。
を、高番手の（例えば＃２５００）研削砥石を用いて平
面研削する。まず、ウェーハ表面を研削し（Ｓ２０
５）、次いでウェーハ裏面を同様に研削する（Ｓ２０
６）。これら研削工程での、シリコンウェーハの研削量
は、片面側で１５μｍ程度、両面を合計すると３０μｍ
程度である。研削装置については後述する。この後、シ
リコンウェーハは６００℃以上のドナーキラー熱処理が
（Ｓ２０７）、所望の場合はさらにゲッタリング処理
（Ｓ２０８）が施されることとなる。例えばシリコンウ
ェーハの裏面にサンドブラスト処理が施される。
【００２１】次に、このシリコンウェーハは両面同時研
磨工程において、その表裏両面に同時に機械的化学的研
磨が施される（Ｓ２０９）。上記研削またはラップ加工
での歪み等が除去される。例えばこの片面毎の研削によ
るウェーハでは、その研磨量は、片面で５〜１０μｍ、
両面で１０〜２０μｍである。
磨工程において、その表裏両面に同時に機械的化学的研
磨が施される（Ｓ２０９）。上記研削またはラップ加工
での歪み等が除去される。例えばこの片面毎の研削によ
るウェーハでは、その研磨量は、片面で５〜１０μｍ、
両面で１０〜２０μｍである。
【００２２】このようにして加工、処理されたシリコン
ウェーハは仕上げ研磨工程（Ｓ２１０）に付され、この
工程で片面について仕上げ鏡面研磨が実施される。この
後、仕上げ洗浄工程（Ｓ２１１）を経てシリコンウェー
ハは製造される。
ウェーハは仕上げ研磨工程（Ｓ２１０）に付され、この
工程で片面について仕上げ鏡面研磨が実施される。この
後、仕上げ洗浄工程（Ｓ２１１）を経てシリコンウェー
ハは製造される。
【００２３】図３、図４には上記研削工程で使用する片
面研削装置を示す。上記片面研削工程（Ｓ２０５，Ｓ２
０６）では、この研削装置に、ラップドウェーハｗｆを
搭載してその片面毎の研削を行う。すなわち、チャック
テーブル４１にウェーハｗｆを搭載・固定し、回転する
研削ヘッド４２を接近・下降させてその上面（表面）を
例えば１５μｍ程度研削する。一方の面の研削が終了す
ると、チャック４１にウェーハを裏返して吸着し、同様
に裏面を研削する。
面研削装置を示す。上記片面研削工程（Ｓ２０５，Ｓ２
０６）では、この研削装置に、ラップドウェーハｗｆを
搭載してその片面毎の研削を行う。すなわち、チャック
テーブル４１にウェーハｗｆを搭載・固定し、回転する
研削ヘッド４２を接近・下降させてその上面（表面）を
例えば１５μｍ程度研削する。一方の面の研削が終了す
ると、チャック４１にウェーハを裏返して吸着し、同様
に裏面を研削する。
【００２４】また、上記両面同時研磨（Ｓ２０９）は、
両面研磨装置を使用して以下のようにして施される。す
なわち、シリコンウェーハを、両面研磨装置のキャリア
プレートにワックスレスの状態で保持させた後、その上
下から回転する研磨布をウェーハ表裏両面に同時に当接
させ、アルカリ性研磨液を供給しつつ、メカノケミカル
研磨を行うものである。
両面研磨装置を使用して以下のようにして施される。す
なわち、シリコンウェーハを、両面研磨装置のキャリア
プレートにワックスレスの状態で保持させた後、その上
下から回転する研磨布をウェーハ表裏両面に同時に当接
させ、アルカリ性研磨液を供給しつつ、メカノケミカル
研磨を行うものである。
【００２５】この両面研磨装置は、シリコンウェーハを
保持するキャリアプレートと、このキャリアプレートの
上下に配設された一対の研磨ヘッドとを有して構成され
ている。キャリアプレートにはシリコンウェーハが嵌入
される円形孔が形成されている。一対の研磨ヘッドはそ
れぞれ回転自在に設けられ、各研磨ヘッドの上定盤、下
定盤の表面には研磨布が貼付されている。供給する研磨
液としては、ＳｉＯ２（コロイダルシリカ）等の微細な
研磨粒子を含有するアルカリ性研磨液が使用される。ま
た、研磨布に対する当接圧力は５０〜４００ｇｆ／ｃｍ
２程度、研磨液のｐＨ濃度は９〜１１、コロイダルシリ
カ粒子の平均粒径は０．０１〜０．０２μｍ程度が好ま
しい。これにより、ポリッシング面の平均粗さＲａ、最
大粗さＲｍａｘは所定値に形成されることとなる。研磨
時のシリコン層の平均除去量は、上述のように研削ウェ
ーハでは５〜１０μｍ程度である。
保持するキャリアプレートと、このキャリアプレートの
上下に配設された一対の研磨ヘッドとを有して構成され
ている。キャリアプレートにはシリコンウェーハが嵌入
される円形孔が形成されている。一対の研磨ヘッドはそ
れぞれ回転自在に設けられ、各研磨ヘッドの上定盤、下
定盤の表面には研磨布が貼付されている。供給する研磨
液としては、ＳｉＯ２（コロイダルシリカ）等の微細な
研磨粒子を含有するアルカリ性研磨液が使用される。ま
た、研磨布に対する当接圧力は５０〜４００ｇｆ／ｃｍ
２程度、研磨液のｐＨ濃度は９〜１１、コロイダルシリ
カ粒子の平均粒径は０．０１〜０．０２μｍ程度が好ま
しい。これにより、ポリッシング面の平均粗さＲａ、最
大粗さＲｍａｘは所定値に形成されることとなる。研磨
時のシリコン層の平均除去量は、上述のように研削ウェ
ーハでは５〜１０μｍ程度である。
【００２６】図５には、この実施例で作製されたシリコ
ンウェーハの表面平坦度（マイクロラフネス）を従来例
の場合と比較している。比較は同一サイズのシリコンウ
ェーハを同一のスライス・面取り工程を経て作製し、各
条件を経て、同一条件で測定したものである。ＴＴＶ
（Total Thickness Variation）の測定は公知の装置
（ＡＤＥ）で行った。この結果、従来のエッチングを含
むプロセスに比較して本実施例の場合が表面平坦度は向
上していることが明らかである。
ンウェーハの表面平坦度（マイクロラフネス）を従来例
の場合と比較している。比較は同一サイズのシリコンウ
ェーハを同一のスライス・面取り工程を経て作製し、各
条件を経て、同一条件で測定したものである。ＴＴＶ
（Total Thickness Variation）の測定は公知の装置
（ＡＤＥ）で行った。この結果、従来のエッチングを含
むプロセスに比較して本実施例の場合が表面平坦度は向
上していることが明らかである。
【００２７】
【００２８】この発明の第３実施例を以下説明する。こ
の実施例では、ポリシリコン膜についての研削を説明し
ている。図７（Ａ）〜（Ｅ）に示すように、シリコンウ
ェーハｗｆの一面（デバイスｄｅｖ形成面）に被着され
たポリシリコン膜ｐｏｌｙを、高番手の研削砥石（＃２
５００）を用いて平面研削する。この平坦な研削面１０
０を研磨した後、他のシリコンウェーハＳｉと張り合わ
せる（Ｄ）。そして、シリコンウェーハｗｆのデバイス
形成面の反対側のシリコン面１０１を研削、研磨して、
デバイスｄｅｖを露出させる（Ｅ）。この実施例でも研
削面の平坦度は高い。
の実施例では、ポリシリコン膜についての研削を説明し
ている。図７（Ａ）〜（Ｅ）に示すように、シリコンウ
ェーハｗｆの一面（デバイスｄｅｖ形成面）に被着され
たポリシリコン膜ｐｏｌｙを、高番手の研削砥石（＃２
５００）を用いて平面研削する。この平坦な研削面１０
０を研磨した後、他のシリコンウェーハＳｉと張り合わ
せる（Ｄ）。そして、シリコンウェーハｗｆのデバイス
形成面の反対側のシリコン面１０１を研削、研磨して、
デバイスｄｅｖを露出させる（Ｅ）。この実施例でも研
削面の平坦度は高い。
【００２９】
【発明の効果】この発明によれば、得られるシリコンウ
ェーハの平坦度を十分に高めることもできる。また、エ
ッチング工程をなくすことができる。
ェーハの平坦度を十分に高めることもできる。また、エ
ッチング工程をなくすことができる。
【図１】この発明に係るリドレッシング効果の概念を説
明するための模式図である。
明するための模式図である。
【図２】この発明の第１実施例に係るシリコンウェーハ
の製造方法を示すフローチャートである。
の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】この発明の第１実施例に係る片面研削装置を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図４】この発明の第１実施例に係る片面研削装置を示
す斜視図およびその主要部の断面図である。
す斜視図およびその主要部の断面図である。
【図５】この発明の第１実施例に係る研削の効果を示す
グラフである。
グラフである。
【図６】この発明の第３実施例に係る張り合わせシリコ
ンウェーハの製造方法を示す工程毎の断面図である。
ンウェーハの製造方法を示す工程毎の断面図である。
【図７】従来のシリコンウェーハの製造方法を説明する
ためのフローチャートである。
ためのフローチャートである。
ｗｆ シリコンウェーハ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 寺沢 昭浩
東京都千代田区大手町１丁目５番１号
三菱マテリアルシリコン株式会社内
(56)参考文献 特開 平４−8464（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−65126（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−85827（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−309224（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−104412（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−177096（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−274286（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−111136（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−84858（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/304
Claims (3)
- 【請求項１】 面取り加工が施されたシリコンウェーハ
をラップする工程と、 このシリコンウェーハのラップされた表裏両面を、高番
手の研削砥石を用いて順に平面研削する工程と、 その後、この平面研削された表裏両面を同時に研磨する
工程とを含むシリコンウェーハの製造方法。 - 【請求項２】 シリコンウェーハの一面に被着されたポ
リシリコン膜を、高番手の研削砥石を用いて平面研削す
る工程と、 この研削面を研磨する工程とを備えたシリコンウェーハ
の製造方法。 - 【請求項３】 上記高番手の研削砥石は、＃１５００〜
＃２５００である請求項１または請求項２に記載のシリ
コンウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13591297A JP3521051B2 (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | シリコンウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13591297A JP3521051B2 (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | シリコンウェーハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10308368A JPH10308368A (ja) | 1998-11-17 |
| JP3521051B2 true JP3521051B2 (ja) | 2004-04-19 |
Family
ID=15162753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13591297A Expired - Fee Related JP3521051B2 (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | シリコンウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3521051B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4154683B2 (ja) * | 1999-09-30 | 2008-09-24 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法および該製造方法に用いられる表面研削裏面ラップ装置 |
| JP4122800B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2008-07-23 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 半導体ウェーハの研磨方法 |
-
1997
- 1997-05-08 JP JP13591297A patent/JP3521051B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10308368A (ja) | 1998-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6312976B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP5455282B2 (ja) | シリコン・オン・インシュレータ搬送ウエハのエッジ除去 | |
| JP4835069B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| JP3329288B2 (ja) | 半導体ウエーハおよびその製造方法 | |
| JP3169120B2 (ja) | 半導体鏡面ウェーハの製造方法 | |
| KR20000017512A (ko) | 웨이퍼 기판 재생방법 및 웨이퍼 기판 재생을 위한 연마액 조성물 | |
| JP6027346B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP2000031099A (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
| JP2662495B2 (ja) | 接着半導体基板の製造方法 | |
| JP3336191B2 (ja) | 半導体ウェ−ハの製造方法 | |
| JP4493062B2 (ja) | 両面研磨ウェーハの製造方法 | |
| JP3521051B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| JP4224871B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP4366928B2 (ja) | 片面鏡面ウェーハの製造方法 | |
| TW202305915A (zh) | 矽晶圓的製造方法 | |
| JP2004214398A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP2000340571A (ja) | 高平坦度ウェーハの製造方法 | |
| JP2002025950A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP4110801B2 (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
| JP4337079B2 (ja) | 半導体ウェーハの面取り面の形成方法 | |
| JP2004087522A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP2002299290A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP2004319717A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JPS6381934A (ja) | ウエハおよびその製造方法 | |
| JP3596405B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040116 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040129 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080213 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120213 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130213 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140213 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |