JP3518979B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハなど
の基板上に塗布形成された膜の改質などに利用される基
板処理装置に係り、特に処理チャンバー内に処理液の蒸
気を供給し、この蒸気中で基板の処理を行う装置に関す
る。
の基板上に塗布形成された膜の改質などに利用される基
板処理装置に係り、特に処理チャンバー内に処理液の蒸
気を供給し、この蒸気中で基板の処理を行う装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置の概略構成
を図３を参照して説明する。この基板処理装置は、処理
液の蒸気を生成する気化器１０と、この気化器１０から
供給された処理液の蒸気中で基板Ｗを処理する処理チャ
ンバー２０とから構成されている。
を図３を参照して説明する。この基板処理装置は、処理
液の蒸気を生成する気化器１０と、この気化器１０から
供給された処理液の蒸気中で基板Ｗを処理する処理チャ
ンバー２０とから構成されている。
【０００３】気化器１０は、処理液が貯留されたバブリ
ングタンク１１を備え、このバブリングタンク１１に付
設されたヒーター１２によって、処理液が加熱される。
バブリングタンク１１内にはガス導入管１３が導入さ
れ、処理液中に窒素ガスなどのキャリアガスが送り込ま
れる。また、バブリングタンク１１の上部からは蒸気導
出管１４が導出されている。加熱生成された処理液の蒸
気はキャリアガスとともに、蒸気導出管１４を介して処
理チャンバー２０へ供給される。
ングタンク１１を備え、このバブリングタンク１１に付
設されたヒーター１２によって、処理液が加熱される。
バブリングタンク１１内にはガス導入管１３が導入さ
れ、処理液中に窒素ガスなどのキャリアガスが送り込ま
れる。また、バブリングタンク１１の上部からは蒸気導
出管１４が導出されている。加熱生成された処理液の蒸
気はキャリアガスとともに、蒸気導出管１４を介して処
理チャンバー２０へ供給される。
【０００４】処理チャンバー２０は、処理対象である半
導体ウエハなどの基板Ｗを載置する処理プレート２１を
備え、この処理プレート２１に付設されたヒーター２２
によって基板Ｗが加熱される。処理プレート２１上には
開閉自在のチャンバー本体２３が配備されている。この
チャンバー本体２３の上部に蒸気導出管１４が連通接続
されて、チャンバー本体２３内の処理室２４へ処理液の
蒸気が導入されることにより、基板Ｗの処理が行われ
る。
導体ウエハなどの基板Ｗを載置する処理プレート２１を
備え、この処理プレート２１に付設されたヒーター２２
によって基板Ｗが加熱される。処理プレート２１上には
開閉自在のチャンバー本体２３が配備されている。この
チャンバー本体２３の上部に蒸気導出管１４が連通接続
されて、チャンバー本体２３内の処理室２４へ処理液の
蒸気が導入されることにより、基板Ｗの処理が行われ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。気化器１０で処理液の蒸気を生成する温度条件
と、処理チャンバー２０で基板を処理する温度条件とは
必ずしも同じではないので、気化器１０で生成された処
理液の蒸気を処理チャンバー２０に直接に供給すると、
各々の温度条件の違いにより、処理チャンバー２０内で
処理液の蒸気が結露したり、あるいは処理液の蒸気が非
飽和の状態になったりするなどの問題が生じる。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。気化器１０で処理液の蒸気を生成する温度条件
と、処理チャンバー２０で基板を処理する温度条件とは
必ずしも同じではないので、気化器１０で生成された処
理液の蒸気を処理チャンバー２０に直接に供給すると、
各々の温度条件の違いにより、処理チャンバー２０内で
処理液の蒸気が結露したり、あるいは処理液の蒸気が非
飽和の状態になったりするなどの問題が生じる。
【０００６】具体的には、バブリングタンク１１内の処
理液の温度Ｔａは、処理液の気化を促進するために処理
液の沸点近くの比較的に高い温度（例えば、８０°Ｃ）
に設定されている。一方、処理チャンバー２０の処理室
２４内の温度Ｔｂは、基板Ｗ上に塗布形成した膜の過熱
による劣化を防止するために、比較的に低い温度（例え
ば、５０〜６０°Ｃ）に設定されている。このように処
理液の温度Ｔａと処理室２４内の温度Ｔｂとの間に、Ｔ
ａ＞Ｔｂの関係がある。そのため、温度の高い処理液の
蒸気が、それよりも温度の低い処理室２４に導入される
と、処理液の蒸気温度が低下し、処理室２４で処理液が
結露する。そして、基板Ｗ上で処理液が結露すると、基
板Ｗ上の膜が変質するという問題を引き起こす。
理液の温度Ｔａは、処理液の気化を促進するために処理
液の沸点近くの比較的に高い温度（例えば、８０°Ｃ）
に設定されている。一方、処理チャンバー２０の処理室
２４内の温度Ｔｂは、基板Ｗ上に塗布形成した膜の過熱
による劣化を防止するために、比較的に低い温度（例え
ば、５０〜６０°Ｃ）に設定されている。このように処
理液の温度Ｔａと処理室２４内の温度Ｔｂとの間に、Ｔ
ａ＞Ｔｂの関係がある。そのため、温度の高い処理液の
蒸気が、それよりも温度の低い処理室２４に導入される
と、処理液の蒸気温度が低下し、処理室２４で処理液が
結露する。そして、基板Ｗ上で処理液が結露すると、基
板Ｗ上の膜が変質するという問題を引き起こす。
【０００７】このような問題を回避するために、バブリ
ングタンク１１内の処理液の温度Ｔａを、処理室２４の
温度Ｔｂよりも低く設定すると、飽和蒸気圧の温度依存
性のために、処理室２４の処理液の蒸気は非飽和の状態
（飽和状態に達していない状態）になる。基板Ｗ上に形
成される、ある種の膜は、処理液の飽和蒸気中で加熱処
理される必要があるので、上記のようにバブリングタン
ク１１の処理液の温度を下げると、膜の改質という本来
の目的を達成できなくなる。
ングタンク１１内の処理液の温度Ｔａを、処理室２４の
温度Ｔｂよりも低く設定すると、飽和蒸気圧の温度依存
性のために、処理室２４の処理液の蒸気は非飽和の状態
（飽和状態に達していない状態）になる。基板Ｗ上に形
成される、ある種の膜は、処理液の飽和蒸気中で加熱処
理される必要があるので、上記のようにバブリングタン
ク１１の処理液の温度を下げると、膜の改質という本来
の目的を達成できなくなる。
【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板の処理条件に適合した処理液の蒸
気を供給して基板の処理を行うことができる基板処理装
置を提供することを主たる目的としている。
たものであって、基板の処理条件に適合した処理液の蒸
気を供給して基板の処理を行うことができる基板処理装
置を提供することを主たる目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、処理液の蒸気を生成する
気化器と、前記気化器で生成された処理液の蒸気の温度
を調整する蒸気温度調整器と、前記蒸気温度調整器で温
度調整された処理液の蒸気を取り込んで、その処理液の
蒸気中で基板の処理を行う処理チャンバーとを備え、前
記気化器は、処理液を加熱することにより処理液の蒸気
を生成し、前記蒸気温度調整器は、前記気化器から与え
られた処理液の蒸気を、前記処理チャンバー内の基板処
理温度に近い温度になるまで冷却するとともに、前記冷
却過程で処理液の蒸気が結露して生じた液を排出するこ
とを特徴とする。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、処理液の蒸気を生成する
気化器と、前記気化器で生成された処理液の蒸気の温度
を調整する蒸気温度調整器と、前記蒸気温度調整器で温
度調整された処理液の蒸気を取り込んで、その処理液の
蒸気中で基板の処理を行う処理チャンバーとを備え、前
記気化器は、処理液を加熱することにより処理液の蒸気
を生成し、前記蒸気温度調整器は、前記気化器から与え
られた処理液の蒸気を、前記処理チャンバー内の基板処
理温度に近い温度になるまで冷却するとともに、前記冷
却過程で処理液の蒸気が結露して生じた液を排出するこ
とを特徴とする。
【００１０】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置において、前記蒸気温度調整器は、放熱
フィンが表面に形成されたヒートシンクを介して、処理
液の蒸気との間で熱の授受を行うことにより、処理液の
蒸気の温度を調整するものである。
の基板処理装置において、前記蒸気温度調整器は、放熱
フィンが表面に形成されたヒートシンクを介して、処理
液の蒸気との間で熱の授受を行うことにより、処理液の
蒸気の温度を調整するものである。
【００１１】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置において、前記蒸気温度調整器は、処理
液の蒸気が流通する配管を恒温水中に浸漬配備して、処
理液の蒸気と恒温水との間で熱交換を行わせることによ
り、処理液の蒸気の温度を調整するものである。
の基板処理装置において、前記蒸気温度調整器は、処理
液の蒸気が流通する配管を恒温水中に浸漬配備して、処
理液の蒸気と恒温水との間で熱交換を行わせることによ
り、処理液の蒸気の温度を調整するものである。
【００１２】請求項４に記載の発明は、請求項１ないし
３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記蒸気
温度調整器は、処理液の蒸気の温度を指定する温度指定
手段と、処理液の蒸気の温度を検出する温度検出手段
と、前記検出された温度に基づき、処理液の蒸気の温度
が前記指定された温度になるように、処理液の蒸気の温
度を調整する制御手段とを備えたものである。
３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記蒸気
温度調整器は、処理液の蒸気の温度を指定する温度指定
手段と、処理液の蒸気の温度を検出する温度検出手段
と、前記検出された温度に基づき、処理液の蒸気の温度
が前記指定された温度になるように、処理液の蒸気の温
度を調整する制御手段とを備えたものである。
【００１３】
【作用】本発明の作用は次のとおりである。請求項１に
記載の発明によれば、気化器で生成された処理液の蒸気
が蒸気温度調整器に送られる。蒸気温度調整器は、後段
の処理チャンバーにおける基板の処理条件に応じて、処
理液の蒸気の温度を調整する。温度調整された処理液の
蒸気は処理チャンバーに送られ、その処理液の蒸気中で
基板が処理される。さらに、気化器は処理液を加熱する
ことにより処理液の蒸気を生成する。蒸気温度調整器
は、この処理液の蒸気を処理チャンバー内の基板処理温
度に近い温度になるまで冷却する。この冷却過程で処理
液の蒸気が結露することにより生じた液は、蒸気温度調
整器から排出される。したがって、後段の処理チャンバ
ー内で処理液の蒸気が結露することがない。
記載の発明によれば、気化器で生成された処理液の蒸気
が蒸気温度調整器に送られる。蒸気温度調整器は、後段
の処理チャンバーにおける基板の処理条件に応じて、処
理液の蒸気の温度を調整する。温度調整された処理液の
蒸気は処理チャンバーに送られ、その処理液の蒸気中で
基板が処理される。さらに、気化器は処理液を加熱する
ことにより処理液の蒸気を生成する。蒸気温度調整器
は、この処理液の蒸気を処理チャンバー内の基板処理温
度に近い温度になるまで冷却する。この冷却過程で処理
液の蒸気が結露することにより生じた液は、蒸気温度調
整器から排出される。したがって、後段の処理チャンバ
ー内で処理液の蒸気が結露することがない。
【００１４】請求項２に記載の発明によれば、放熱フィ
ンが表面に形成されたヒートシンクを用いて処理液の蒸
気の温度調整を行うので、処理液の蒸気の温度調整が効
率よく行われる。
ンが表面に形成されたヒートシンクを用いて処理液の蒸
気の温度調整を行うので、処理液の蒸気の温度調整が効
率よく行われる。
【００１５】請求項３に記載の発明によれば、処理液の
蒸気と恒温水との間の熱交換により処理液の蒸気の温度
調整が行われるので、処理液の蒸気の温度調整が効率よ
く、しかも精度よく行われる。
蒸気と恒温水との間の熱交換により処理液の蒸気の温度
調整が行われるので、処理液の蒸気の温度調整が効率よ
く、しかも精度よく行われる。
【００１６】請求項４に記載の発明によれば、処理チャ
ンバーでの基板処理温度に応じて、温度指定手段が処理
液の蒸気の温度を指定する。温度検出手段は、蒸気温度
調整器に取り込まれた処理液の蒸気の温度を検出する。
制御手段は、検出された温度に基づき、処理液の蒸気の
温度が指定された温度になるように、処理液の蒸気の温
度を調整する。
ンバーでの基板処理温度に応じて、温度指定手段が処理
液の蒸気の温度を指定する。温度検出手段は、蒸気温度
調整器に取り込まれた処理液の蒸気の温度を検出する。
制御手段は、検出された温度に基づき、処理液の蒸気の
温度が指定された温度になるように、処理液の蒸気の温
度を調整する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置の
一実施例の概略構成図である。本実施例は、処理液の蒸
気を生成する気化器１０と、処理液の蒸気中で基板Ｗの
処理を行う処理チャンバー２０との間に、蒸気温度調整
器３０を介在させたことに特徴がある。
施例を説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置の
一実施例の概略構成図である。本実施例は、処理液の蒸
気を生成する気化器１０と、処理液の蒸気中で基板Ｗの
処理を行う処理チャンバー２０との間に、蒸気温度調整
器３０を介在させたことに特徴がある。
【００１８】気化器１０は、図３で説明した従来装置の
ものと同様の構成であって、バブリングタンク１１内の
処理液をヒーター１２で加熱して処理液の蒸気を生成
し、この処理液の蒸気を、バブリングタンク１１内にガ
ス導入管１３を介して導入したキァリアガス（例えば、
窒素ガス）とともに、蒸気導出管１４から送り出すよう
になっている。ここで、処理液の種類は特に限定しない
が、例えば純水、アンモニア水、有機溶剤などである。
本実施例では、バブリングタンク１１中の処理液は、気
化促進のために、８０°Ｃ程度で加熱される。
ものと同様の構成であって、バブリングタンク１１内の
処理液をヒーター１２で加熱して処理液の蒸気を生成
し、この処理液の蒸気を、バブリングタンク１１内にガ
ス導入管１３を介して導入したキァリアガス（例えば、
窒素ガス）とともに、蒸気導出管１４から送り出すよう
になっている。ここで、処理液の種類は特に限定しない
が、例えば純水、アンモニア水、有機溶剤などである。
本実施例では、バブリングタンク１１中の処理液は、気
化促進のために、８０°Ｃ程度で加熱される。
【００１９】処理チャンバー２０も、図３で説明した従
来装置のものと同様の構成であって、処理プレート２１
上に開閉自在のチャンバー本体２３が配備され、このチ
ャンバー本体２３の上部に形成された蒸気導入口２５か
ら処理室２４に処理液の蒸気が取り込まれる。処理プレ
ート２１にヒーター２２が付設されており、この処理プ
レート２１上の基板Ｗは処理液の蒸気中で加熱処理され
る。本実施例では、基板Ｗの上に塗布形成されている膜
の過熱による劣化を避けるために、基板Ｗの処理温度は
５０〜６０°Ｃ程度に設定されている。
来装置のものと同様の構成であって、処理プレート２１
上に開閉自在のチャンバー本体２３が配備され、このチ
ャンバー本体２３の上部に形成された蒸気導入口２５か
ら処理室２４に処理液の蒸気が取り込まれる。処理プレ
ート２１にヒーター２２が付設されており、この処理プ
レート２１上の基板Ｗは処理液の蒸気中で加熱処理され
る。本実施例では、基板Ｗの上に塗布形成されている膜
の過熱による劣化を避けるために、基板Ｗの処理温度は
５０〜６０°Ｃ程度に設定されている。
【００２０】次に、本実施例の要部である蒸気温度調節
器３０の構成を説明する。この蒸気温度調節器３０は、
密閉構造の容器３１を備えている。容器３１の下部に
は、気化器１０で生成された処理液の蒸気を取り込む蒸
気導入口３２がある。また、容器３１の上部には、温度
調整された処理液の蒸気を送り出す蒸気導出口３３があ
る。さらに、容器３１の底部には、処理液の蒸気が結露
して生じた液を排出するための排液口３４がある。この
排液口３４に接続された排液管３５は「Ｕ」の字状に屈
曲した液溜まり部を備え、容器３１内に導入された処理
液の蒸気が排液口３４から排出されないようになってい
る。
器３０の構成を説明する。この蒸気温度調節器３０は、
密閉構造の容器３１を備えている。容器３１の下部に
は、気化器１０で生成された処理液の蒸気を取り込む蒸
気導入口３２がある。また、容器３１の上部には、温度
調整された処理液の蒸気を送り出す蒸気導出口３３があ
る。さらに、容器３１の底部には、処理液の蒸気が結露
して生じた液を排出するための排液口３４がある。この
排液口３４に接続された排液管３５は「Ｕ」の字状に屈
曲した液溜まり部を備え、容器３１内に導入された処理
液の蒸気が排液口３４から排出されないようになってい
る。
【００２１】容器３１内には、多数の放熱フィンが表面
に形成されたヒートシンク３６が配備されている。この
ヒートシンク３６は、熱伝導性のよい金属（例えば、ア
ルミニウム）で形成されている。このヒートシンク３６
の内部には、容器３１内に導入された処理液の蒸気の温
度を調整するために、ペルチェ素子などの熱電変換素子
３７が埋め込まれている。本実施例では、気化器１０か
ら取り込んだ処理液の蒸気の温度を、処理チャンバー２
０の基板処理温度に近い温度にまで下げるために、熱電
変換素子３７の冷却機能を利用している。ここで、気化
器１０の処理液の温度をＴａ、処理チャンバー２０の処
理室２４内の温度をＴｂとすると、蒸気温度調整器３０
の容器３１内の温度Ｔｃは、Ｔａ＞Ｔｃ≧Ｔｂの関係が
成立するように設定される。処理液の蒸気が処理チャン
バー２０の処理室２４で結露しないで、しかも処理チャ
ンバー２０において処理液の飽和蒸気中で基板Ｗの処理
を行わせるために、蒸気温度調整器３０の容器３１内の
温度Ｔｃは、処理室２４内の温度Ｔｂにできるだけ近い
温度に設定されるのが好ましい。
に形成されたヒートシンク３６が配備されている。この
ヒートシンク３６は、熱伝導性のよい金属（例えば、ア
ルミニウム）で形成されている。このヒートシンク３６
の内部には、容器３１内に導入された処理液の蒸気の温
度を調整するために、ペルチェ素子などの熱電変換素子
３７が埋め込まれている。本実施例では、気化器１０か
ら取り込んだ処理液の蒸気の温度を、処理チャンバー２
０の基板処理温度に近い温度にまで下げるために、熱電
変換素子３７の冷却機能を利用している。ここで、気化
器１０の処理液の温度をＴａ、処理チャンバー２０の処
理室２４内の温度をＴｂとすると、蒸気温度調整器３０
の容器３１内の温度Ｔｃは、Ｔａ＞Ｔｃ≧Ｔｂの関係が
成立するように設定される。処理液の蒸気が処理チャン
バー２０の処理室２４で結露しないで、しかも処理チャ
ンバー２０において処理液の飽和蒸気中で基板Ｗの処理
を行わせるために、蒸気温度調整器３０の容器３１内の
温度Ｔｃは、処理室２４内の温度Ｔｂにできるだけ近い
温度に設定されるのが好ましい。
【００２２】次に上述した基板処理装置の制御系の構成
を説明する。気化器１０には処理液の温度Ｔａを検出す
る温度センサＳ１が、蒸気温度調整器３０には容器３１
内の温度Ｔｃを検出する温度センサＳ２が、処理チャン
バー２０には処理室２４内の温度Ｔｂを検出する温度セ
ンサＳ３が、それぞれ設けられている。各センサＳ１〜
Ｓ３で検出された温度は、温度コントローラ４０に送ら
れる。この温度コントローラ４０には、メインコンピュ
ータ４１から気化器１０、蒸気温度調整器３０、および
処理チャンバー２０の各設定温度が指定されている。温
度コントローラ４０は、気化器１０、蒸気温度調整器３
０、処理チャンバー２０が各々の指定された温度になる
ように、各温度センサＳ１〜Ｓ３で検出された各温度に
基づいて、ヒーター１２、熱電変換素子３７、およびヒ
ーター２２に与える電力を制御する。
を説明する。気化器１０には処理液の温度Ｔａを検出す
る温度センサＳ１が、蒸気温度調整器３０には容器３１
内の温度Ｔｃを検出する温度センサＳ２が、処理チャン
バー２０には処理室２４内の温度Ｔｂを検出する温度セ
ンサＳ３が、それぞれ設けられている。各センサＳ１〜
Ｓ３で検出された温度は、温度コントローラ４０に送ら
れる。この温度コントローラ４０には、メインコンピュ
ータ４１から気化器１０、蒸気温度調整器３０、および
処理チャンバー２０の各設定温度が指定されている。温
度コントローラ４０は、気化器１０、蒸気温度調整器３
０、処理チャンバー２０が各々の指定された温度になる
ように、各温度センサＳ１〜Ｓ３で検出された各温度に
基づいて、ヒーター１２、熱電変換素子３７、およびヒ
ーター２２に与える電力を制御する。
【００２３】以上のように構成された基板処理装置にお
いて、気化器１０で処理液を加熱することにより生成さ
れた処理液の蒸気は、蒸気導出管１４を介して蒸気温度
調整器３０に送られる。蒸気導入口３２から容器３１内
に取り込まれた処理液の蒸気は、ヒートシンク３６と接
触することにより冷却される。この冷却過程で処理液の
蒸気が結露することにより生じた液は排液口３４から排
出される。処理室２４内の基板処理温度に近い温度にま
で冷却された処理液の蒸気は、蒸気導出口３３から導出
されて処理チャンバー２０に送られる。処理液の蒸気
は、処理チャンバー２０の蒸気導入口２５から処理室２
４に導入され、この処理液の蒸気中で基板の処理が行わ
れる。処理室２４に導入される処理液の蒸気は、処理室
２４の基板処理温度とほぼ同等の温度であるので、処理
液の蒸気が処理室２４で冷やされて結露することがな
い。
いて、気化器１０で処理液を加熱することにより生成さ
れた処理液の蒸気は、蒸気導出管１４を介して蒸気温度
調整器３０に送られる。蒸気導入口３２から容器３１内
に取り込まれた処理液の蒸気は、ヒートシンク３６と接
触することにより冷却される。この冷却過程で処理液の
蒸気が結露することにより生じた液は排液口３４から排
出される。処理室２４内の基板処理温度に近い温度にま
で冷却された処理液の蒸気は、蒸気導出口３３から導出
されて処理チャンバー２０に送られる。処理液の蒸気
は、処理チャンバー２０の蒸気導入口２５から処理室２
４に導入され、この処理液の蒸気中で基板の処理が行わ
れる。処理室２４に導入される処理液の蒸気は、処理室
２４の基板処理温度とほぼ同等の温度であるので、処理
液の蒸気が処理室２４で冷やされて結露することがな
い。
【００２４】なお、本発明で用いられる蒸気温度調整器
は図１に示したものに限らず、種々変形実施することが
できる。例えば、図２に示した変形例に係る蒸気温度調
整器５０は、恒温水を流通させた容器５１内に、処理液
の蒸気が流通する配管５２を螺旋状に配備して、処理液
の蒸気と恒温水との間で熱交換を行わせることにより、
処理液の蒸気の温度を調整している。配管５２中で処理
液の蒸気が結露することにより生じた液は、配管５２の
下部に連通接続している排液管５３から排出される。こ
のような蒸気温度調整器５０によっても、恒温水の温度
を適宜に設定することにより、処理液の蒸気の温度を基
板処理温度に近い値に調整することができる。
は図１に示したものに限らず、種々変形実施することが
できる。例えば、図２に示した変形例に係る蒸気温度調
整器５０は、恒温水を流通させた容器５１内に、処理液
の蒸気が流通する配管５２を螺旋状に配備して、処理液
の蒸気と恒温水との間で熱交換を行わせることにより、
処理液の蒸気の温度を調整している。配管５２中で処理
液の蒸気が結露することにより生じた液は、配管５２の
下部に連通接続している排液管５３から排出される。こ
のような蒸気温度調整器５０によっても、恒温水の温度
を適宜に設定することにより、処理液の蒸気の温度を基
板処理温度に近い値に調整することができる。
【００２５】上述の実施例では、蒸気温度調整器３０，
５０により処理液の蒸気の温度を基板処理の温度に近い
値に調整したが、本発明はこれに限らず、基板処理の条
件に応じて、処理液の蒸気の温度は任意の値に調整され
るものである。
５０により処理液の蒸気の温度を基板処理の温度に近い
値に調整したが、本発明はこれに限らず、基板処理の条
件に応じて、処理液の蒸気の温度は任意の値に調整され
るものである。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば次のような効果を奏する。請求項１に記載の発
明によれば、気化器で生成された処理液の蒸気を一旦、
蒸気温度調整器に送り込んで温度調整をした後に処理チ
ャンバーに供給するので、基板処理条件に適合した処理
液の蒸気を処理チャバーに供給することができる。さら
に、処理液の蒸気を処理チャンバー内の基板処理温度に
近い温度になるまで冷却し、その過程で処理液の蒸気が
結露して生じた液を排出しているので、処理チャンバー
内で処理液の蒸気が結露することがなく、結露によって
基板に悪影響を及ぼすことがない。
によれば次のような効果を奏する。請求項１に記載の発
明によれば、気化器で生成された処理液の蒸気を一旦、
蒸気温度調整器に送り込んで温度調整をした後に処理チ
ャンバーに供給するので、基板処理条件に適合した処理
液の蒸気を処理チャバーに供給することができる。さら
に、処理液の蒸気を処理チャンバー内の基板処理温度に
近い温度になるまで冷却し、その過程で処理液の蒸気が
結露して生じた液を排出しているので、処理チャンバー
内で処理液の蒸気が結露することがなく、結露によって
基板に悪影響を及ぼすことがない。
【００２７】請求項２に記載の発明によれば、放熱フィ
ンが表面に形成されたヒートシンクを用いて処理液の蒸
気の温度調整を効率よく行うことができる。
ンが表面に形成されたヒートシンクを用いて処理液の蒸
気の温度調整を効率よく行うことができる。
【００２８】請求項３に記載の発明によれば、処理液の
蒸気と恒温水との間の熱交換により、処理液の蒸気の温
度調整を効率よく、しかも精度よく行うことができる。
蒸気と恒温水との間の熱交換により、処理液の蒸気の温
度調整を効率よく、しかも精度よく行うことができる。
【００２９】請求項４に記載の発明によれば、処理チャ
ンバーでの基板処理温度に応じて、処理液の蒸気の温度
を種々の値に精度よく設定変更することができる。
ンバーでの基板処理温度に応じて、処理液の蒸気の温度
を種々の値に精度よく設定変更することができる。
【図１】本発明に係る基板処理装置の一実施例の概略構
成図である。
成図である。
【図２】蒸気温度調整器の変形例を示した一部破断斜視
図である。
図である。
【図３】従来の基板処理装置の概略構成図である。
１０…気化器
１１…バブリングタンク
２０…処理チャンバー
２４…処理室
３０…蒸気温度調整器
３１…容器
３６…ヒートシンク
３７…熱電変換素子
４０…温度コントローラ（制御手段）
４１…メインコンピュータ（温度指定手段）
５０…蒸気温度調整器
Ｗ…基板
Ｓ１〜Ｓ３…温度センサ（温度検出手段）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/306,21/308
Claims (4)
- 【請求項１】 処理液の蒸気を生成する気化器と、 前記気化器で生成された処理液の蒸気の温度を調整する
蒸気温度調整器と、 前記蒸気温度調整器で温度調整された処理液の蒸気を取
り込んで、その処理液の蒸気中で基板の処理を行う処理
チャンバーとを備え、 前記気化器は、処理液を加熱することにより処理液の蒸
気を生成し、 前記蒸気温度調整器は、前記気化器から与えられた処理
液の蒸気を、前記処理チャンバー内の基板処理温度に近
い温度になるまで冷却するとともに、前記冷却過程で処
理液の蒸気が結露して生じた液を排出する ことを特徴と
する基板処理装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記蒸気温度調整器は、放熱フィンが表面に形成された
ヒートシンクを介して、処理液の蒸気との間で熱の授受
を行うことにより、処理液の蒸気の温度を調整する基板
処理装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記蒸気温度調整器は、処理液の蒸気が流通する配管を
恒温水中に浸漬配備して、処理液の蒸気と恒温水との間
で熱交換を行わせることにより、処理液の蒸気の温度を
調整する基板処理装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の基
板処理装置において、 前記蒸気温度調整器は、処理液の蒸気の温度を指定する
温度指定手段と、処理液の蒸気の温度を検出する温度検
出手段と、前記検出された温度に基づき、処理液の蒸気
の温度が前記指定された温度になるように、処理液の蒸
気の温度を調整する制御手段とを備えている基板処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26344397A JP3518979B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26344397A JP3518979B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11102891A JPH11102891A (ja) | 1999-04-13 |
| JP3518979B2 true JP3518979B2 (ja) | 2004-04-12 |
Family
ID=17389587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26344397A Expired - Fee Related JP3518979B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3518979B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3473699B2 (ja) * | 2001-10-24 | 2003-12-08 | 三菱住友シリコン株式会社 | シリコンウェーハのエッチング方法とその装置及び不純物分析方法 |
| JP2005159293A (ja) | 2003-09-18 | 2005-06-16 | Nec Kagoshima Ltd | 基板処理装置及び処理方法 |
| CN113448172A (zh) * | 2020-03-27 | 2021-09-28 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种光刻胶涂覆装置及方法 |
-
1997
- 1997-09-29 JP JP26344397A patent/JP3518979B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH11102891A (ja) | 1999-04-13 |
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